JP2004119070A

JP2004119070A - Sealing furnace of plasma display panel, and manufacturing method of plasma display panel

Info

Publication number: JP2004119070A
Application number: JP2002277851A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tanaka; 田中　廣志
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2002-09-24
Filing date: 2002-09-24
Publication date: 2004-04-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing furnace of a plasma display panel and a manufacturing method of the plasma display panel using the sealing furnace for efficiently conducting a degassing process and sealing process of a PDP. <P>SOLUTION: The sealing furnace of the PDP is structured by a vacuum furnace and an atmospheric furnace, and a plurality of furnace chambers are provided on the respective vacuum furnace and atmospheric furnace. Each of the furnace chambers is provided with six stages of conveyers 7 between supporting plates 6, and each of the conveyers 7 is provided with seven rollers 8. A setter 13 rolls on and is in contact with the roller 8, and one to three panel structures 11 are mounted on the setter 13. The panel structure 11 is structured by superimposing a front surface substrate and a rear surface substrate of the PEP through seal frit. Six sets of the one setter 13 and the one to three panel structures 11 mounted on the setter 13 are arranged in the vertical direction, and are simultaneously moved between each of the furnace chambers. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを封着する封着炉及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に、真空中でシールフリットの軟化点未満の温度に加熱する第１の炉及びこの第１の炉よりも高い圧力中で前記軟化点以上の温度に加熱する第２の炉を備えた連続式のプラズマディスプレイパネルの封着炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、以下のようにして製造される。一の絶縁基板上に走査電極及び共通電極を形成し、この走査電極及び共通電極を覆うように誘電体層及びＭｇＯからなる保護層を形成して前面基板を作製する。一方、他の絶縁基板上にデータ電極を形成し、このデータ電極上に誘電体層、隔壁及び蛍光体層を形成して背面基板を作製する。そして、この前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせて仮固定し、加熱することによりシールフリットを軟化させて、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して封着する。その後、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間内を排気し、この放電空間内に放電ガスを充填してＰＤＰを製造する。
【０００３】
従来、前面基板と背面基板との封着は、バッチ式の大気炉により行われていた。そして、封着後、前面基板又は背面基板に設けられた排気孔を介して、放電空間内の排気を行っていた。しかしながら、この方法では、排気工程において、前面基板及び背面基板（以下、総称して基板ともいう）の表面に吸着している水分及びガスが放出され、放電空間内を十分な真空度まで排気するのに時間がかかる。また、大気圧中ではなく真空中で封着を行うと、シールフリットが発泡し、シールフリットに欠陥が発生してしまう。
【０００４】
そこで、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせて仮固定した構造体（以下、パネル構造体という）を、封着工程の前に、炉に装入して真空雰囲気中でシールフリットの軟化点未満の温度に加熱し、吸着ガスを脱離させ、その後、同じ炉内に不活性ガス等を充填して炉内の圧力を所定の圧力まで増加させた後、シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して封着する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法によれば、封着工程の前に脱ガス処理を行っているため、脱ガス処理を行わない場合と比較して、放電空間内を速やかに排気することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２５１８３９号公報（第３頁、第４図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の技術には以下に示す問題点がある。特許文献１に記載された技術においても、バッチ式の炉により封着を行っているため、生産性が低いという問題点がある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、ＰＤＰの脱ガス処理及び封着処理を効率よく行うことができるプラズマディスプレイパネルの封着炉及びこの封着炉を使用するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの封着炉は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを封着するプラズマディスプレイパネルの封着炉において、前記前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する第１の炉と、この第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の圧力よりも高く前記構造体をこの圧力下で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と背面基板とを前記シールフリットを介して封着する第２の炉と、前記構造体を前記第１の炉中で移動させた後前記第２の炉中で移動させて順次熱処理を受けさせる搬送装置と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、第１の炉において前記構造体を真空中で加熱することにより、構造体の脱ガス処理を行うことができる。このとき、加熱温度はシールフリットの軟化点未満の温度とするため、真空中においてシールフリットが軟化することがない。その後、第２の炉において構造体をシールフリットの軟化点以上の温度に加熱することにより、構造体の封着処理を行うことができる。これにより、封着工程後の排気工程において、放電空間内の排気を速やかに行うことができる。また、搬送装置が構造体を第１の炉から第２の炉まで搬送しながら前述の熱処理を行うため、構造体を連続的に熱処理することができる。このため、第１及び第２の炉において、並列して処理を行うことができ、生産性が向上する。
【００１０】
また、前記搬送装置が上下に複数段設けられており、この複数段の搬送装置が複数の前記構造体を垂直方向に配列させて一斉に移動させるように前記搬送装置の動作を制御する制御装置を有することが好ましい。これにより、複数の構造体を同時に処理することができ、生産性がより向上する。
【００１１】
更に、前記第１の炉及び第２の炉は夫々前記構造体の搬送方向に沿って配列された複数の炉室を有し、前記搬送装置は前記構造体を前記複数の炉室間を移動させるものであり、前記第１の炉における前記第２の炉に隣接する最下流側の炉室は、前記第１の炉におけるこの最下流側の炉室に隣接する炉室との間に配置された上流側シャッタと、前記第２の炉との間に配置された下流側シャッタと、を有し、前記最下流側の炉室は、前記上流側及び下流側シャッタを閉じて内部を真空に排気した後前記上流側シャッタを開いて前記構造体が搬入され、その後前記上流側シャッタを閉じて内部の圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させ、その後前記下流側シャッタを開けて前記第２の炉に向けて前記構造体が搬出されるものであることが好ましい。これにより、各炉室に夫々構造体を収納し、各炉室において並列に処理を行うことができるため、生産性がより向上する。また、最下流側の炉室を前述の如く設けることにより、第１の炉から第２の炉への構造体の移動を効率よく行うことができる。
【００１２】
更にまた、前記最下流側の炉室に対して加熱した気体を供給して前記最下流側の炉室の内部圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させる加熱気体供給手段を有することが好ましい。最下流側の炉室においては、構造体は前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱されている。このため、この最下流側の炉室の圧力を増加させる際に、この炉室に常温の気体を大流量で導入すると、前記構造体が急速に冷却され、熱応力によりこの構造体の基板が割れることがある。このため、最下流側の炉室に常温の気体を導入する場合には時間をかけて少量ずつ導入する必要がある。この結果、この最下流側の炉室における構造体の滞留時間が長くなり、封着炉全体の生産性を低下させる。しかしながら、前述の加熱気体供給手段を設けることにより、最下流側の炉室に加熱された気体を大流量で導入することができ、この炉室の増圧を短時間で行うことができる。この結果、ＰＤＰの生産性を向上させることができる。
【００１３】
更にまた、前記第２の炉の内部圧力が、前記封着炉の周囲の圧力と等しいことが好ましい。これにより、第２の炉の構成を簡略化することができる。なお、例えば封着炉がクリーンルーム内に設置されており、このクリーンルームの内の圧力が外部よりも若干高めに設定されている場合は、第２の炉の内部圧力はこのクリーンルーム内の圧力であってもよい。また、第２の炉の内部に導入される気体は大気であってもよく、窒素等の不活性ガスであってもよい。
【００１４】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、第１の炉内を移動させながら真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記構造体を前記第１の炉からこの第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の内部圧力よりも高い第２の炉に移動させる移動工程と、前記構造体を前記第２の炉内を移動させながら前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る他のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱された構造体の周囲に加熱された気体を供給してこの構造体の周囲の圧力を増加させる工程と、前記構造体を前記増加させた圧力中で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本実施形態に係る封着炉を示す模式図、及び横軸にこの封着炉における位置をとり縦軸に基板温度をとってこの封着炉中における基板の温度プロファイルを示すグラフ図である。図２（ａ）は本実施形態における封着炉の各炉室を示す上面断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による側面断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態に係る封着炉１は、内部をＰＤＰの前面基板と背面基板とがシールフリットを介して重ね合わされて仮固定されたパネル構造体１１（図２（ａ）参照）を、搬送方向１２に間欠的に移動させながら熱処理を行う連続封着炉であり、真空炉２及び大気炉３により構成されている。
【００１８】
真空炉２は内部が真空、例えば１乃至１０Ｐａ、例えば１乃至３Ｐａに排気され、パネル構造体１１を真空中において熱処理するものである。真空炉２は例えば７個の炉室Ａ１乃至Ａ７を備え、炉室Ａ１乃至Ａ７はこの順に１列に連結されている。真空炉２のうち最も上流側の炉室Ａ１は封着炉１の入口を構成しており、最も下流側の炉室Ａ７は大気炉３に連結されている。また、各炉室Ａ１乃至Ａ７間は、パネル構造体１１が通過できるようになっている。
【００１９】
真空炉２の各炉室Ａ１乃至Ａ７は、夫々上流側の連結部にシャッタＳ１乃至Ｓ７を備えており、炉室Ａ７は下流側の連結部にもシャッタＳ８を備えている。シャッタＳ１は封着炉１の外部と炉室Ａ１との間の連結部を開閉するものであり、シャッタＳｎ（ｎは２乃至７の整数）は夫々炉室Ａ（ｎ−１）と炉室Ａｎとの間の連結部を開閉するものであり、シャッタＳ８は炉室Ａ７と大気炉３の炉室Ｂ１との間の連結部を開閉するものである。
【００２０】
真空炉２において、炉室Ａ１はロードロックである。炉室Ａ１は、封着炉１の外部からパネル構造体１１が搬入され、その後内部が真空に排気され、その後パネル構造体１１を炉室Ａ２に対して搬出する部分である。炉室Ａ２乃至Ａ４は昇温部であり、パネル構造体１１を室温からシールフリットの軟化点未満の温度、例えば３５０℃の温度まで加熱する部分である。炉室Ａ５及びＡ６はキープ部であり、パネル構造体１１の温度を例えば３５０℃に保持する部分である。炉室Ａ７は熱風復圧部であり、パネル構造体１１が搬入された後、熱風発生器４により内部に加熱されたクリーンエアが導入されて内部が大気圧まで復圧し、その後パネル構造体１１が大気炉３の炉室Ｂ１に対して搬出される部分である。
【００２１】
また、各炉室Ａ１乃至Ａ７には、夫々ポンプＰ１乃至Ｐ７が連結されている。ポンプＰ１乃至Ｐ７は夫々炉室Ａ１乃至Ａ７内を排気するものである。更に、炉室Ａ７には、クリーンエアを加熱して炉室Ａ７内に供給する熱風発生器４が連結されている。なお、炉室Ａ１及びＡ７は大気圧から真空までの排気を繰返し行うため、炉室Ａ１及びＡ７に連結されているポンプＰ１及びＰ７は、他のポンプＰ２乃至Ｐ６と比較して能力が大きい。
【００２２】
一方、大気炉３は内部の圧力が大気圧であり、パネル構造体１１を大気圧中において熱処理するものである。なお、本明細書において、大気圧とは、真空炉２の内部圧力よりも高く、シールフリットが軟化したときに発泡しないような圧力をいう。本実施形態においては、大気圧とは封着炉１の周囲の圧力であり、例えば封着炉１がクリーンルーム内に設置されており、このクリーンルームの内の圧力が外部よりも若干高めに設定されている場合は、大気圧とはこのクリーンルーム内の圧力を指す。大気炉３は例えば１２個の炉室Ｂ１乃至Ｂ１２を備え、炉室Ｂ１乃至Ｂ１２はこの順に１列に連結されている。大気炉３のうち最も上流側の炉室Ｂ１は真空炉２の最も下流側の炉室Ａ７に連結されており、最も下流側の炉室Ｂ１２は封着炉１の出口を構成している。各炉室Ｂ１乃至Ｂ１２間は、パネル構造体１１が通過できるように連結部が開口されている。
【００２３】
大気炉３において、炉室Ｂ１は昇温部であり、パネル構造体１１を真空炉２における保持温度、例えば３５０℃からシールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃の温度まで加熱する部分である。炉室Ｂ２及びＢ３はキープ部であり、パネル構造体１１の温度を前記シールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃に保持する部分である。炉室Ｂ４乃至Ｂ１２は徐冷部であり、パネル構造体１１を例えば４５０℃から室温付近まで冷却する部分である。
【００２４】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、各炉室（例えば炉室Ａ２）においては、外壁５が設けられ、外壁５の内部には相互に平行に配置された１対の支持板６が垂直に設けられている。そして、支持板６間には複数段の搬送装置７が設けられている。搬送装置７は垂直方向に例えば６段設けられている。なお、図２（ｂ）においては、便宜上、３段の搬送装置７が図示されている。各搬送装置７は、例えば７本のローラ８を備えている。この７本のローラ８は、パネル構造体１１の搬送方向１２に沿ってその回転軸が相互に平行になるように１列に配列され、支持板６に回転可能に軸支されている。ローラ８は搬送モータ（図示せず）に連結されている。そして、搬送モータは制御装置１０（図１参照）に接続されている。制御装置１０は搬送モータの動作を制御するものである。
【００２５】
また、搬送装置７のローラ８上には、例えば石英板であるセッタ１３が載置され、複数本のローラ８に転接されている。セッタ１３上には例えば１乃至３枚のパネル構造体１１が搭載されている。ローラ８は回転することによりセッタ１３及びパネル構造体１１を搬送方向１２に搬送するものである。更に、最上段の搬送装置７の上方、搬送装置７間、及び最下段の搬送装置７の下方にはヒータ９が設けられている。即ち、搬送装置７が６段設けられている場合には、ヒータ９は各搬送装置７を挟むように７段設けられている。ヒータ９は例えばシーズヒータであり、パネル構造体１１を所定の温度に加熱するものである。なお、図２（ａ）及び（ｂ）においては、シャッタＳ（図１参照）は図示を省略されている。また、図２（ｂ）においては、支持板６は図示を省略されている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る封着炉の使用方法、即ち、ＰＤＰの製造方法について説明する。図３は、横軸にパネル構造体が封着炉に装入されてからの時間をとり、縦軸にこのパネル構造体の温度及びこのパネル構造体の周囲の圧力をとって、封着工程において１枚のパネル構造体に印加される温度及び圧力の経時変化を示すグラフ図である。なお、図３に示す線２１は温度プロファイルを示し、線２２は圧力プロファイルを示す。
【００２７】
先ず、１枚のガラス等からなる絶縁基板（図示せず）上に走査電極及び共通電極を形成する。そして、この走査電極及び共通電極を覆うように誘電体層を形成し、その上にＭｇＯからなる保護層を形成して、前面基板を作製する。一方、他の１枚のガラス等からなる絶縁基板上にデータ電極を形成し、このデータ電極上に誘電体層、隔壁及び蛍光体層をこの順に形成して背面基板を作製する。そして、この前面基板又は背面基板の表面に表示エリアを囲むようにシールフリットを形成する。次に、この前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせ、クリップ等により仮固定してパネル構造体１１（図２（ａ）参照）を形成する。
【００２８】
次に、１枚又は複数枚、例えば１乃至３枚のパネル構造体１１を１枚のセッタ１３に搭載し、セッタ１３ごと封着炉１の炉室Ａ１に装入する。このとき、炉室Ａ１における搬送装置７の各段に、１枚のセッタ１３及びこのセッタ１３上に搭載された１枚又は複数枚のパネル構造体１１からなる組を、１組ずつ搭載する。これにより、搬送装置７が例えば６段設けられている場合、６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が垂直方向に１列に配列される。
【００２９】
なお、このとき、シャッタＳ１は開いており、シャッタＳ２は閉じている。炉室Ａ１の圧力は大気圧となっており、炉室Ａ２乃至Ａ７は真空となっている。炉室Ａ２乃至Ａ７の圧力は例えば１乃至１０Ｐａであり、例えば１Ｐａである。また、炉室Ｂ１乃至Ｂ１２は大気圧となっており、クリーンエアが充填されている。
【００３０】
次に、シャッタＳ１が閉じる。そして、ポンプＰ１が炉室Ａ１内を例えば１乃至１０Ｐａ、例えば１Ｐａに排気する。これにより、図３に示すように、パネル構造体１１の周囲の圧力が大気圧から例えば１Ｐａまで低下する。
【００３１】
次に、シャッタＳ２が開く。これにより、炉室Ａ１と炉室Ａ２とが連通する。そして、制御装置１０（図１参照）が搬送装置７の搬送モータ（図示せず）を駆動し、ローラ８が回転することにより、炉室Ａ１内に収納されていた６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を一斉に炉室Ａ２に搬送する。
【００３２】
次に、シャッタＳ２が閉じる。次に、炉室Ａ２のヒータ９がパネル構造体１１を加熱する。そして、パネル構造体１１を所定の温度まで加熱した後、シャッタＳ３が開き、搬送装置７が６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を一斉に炉室Ａ３に搬送する。
【００３３】
なお、炉室Ａ１から前述のセッタ１３及びパネル構造体１１が搬出された後、炉室Ａ１は大気圧に復圧され、シャッタＳ１が開き、次の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１が封着炉１の外部から炉室Ａ１に搬入される。
【００３４】
このようにして、前述の例えば６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組は、炉室Ａ２乃至Ａ４間を間欠的に移動して通過し、図３に示すように、シールフリットの軟化点未満の温度、例えば３５０℃まで加熱される。その後、炉室Ａ５乃至Ａ７間を通過して３５０℃の温度に一定時間、例えば２５分間保持される。これにより、パネル構造体１１の表面に吸着していた水分及びガス等が脱離する。なお、このとき、シールフリットが軟化することはない。
【００３５】
そして、炉室Ａ７に前記６組のセッタ１３及びパネル構造体１１が搬入されると、シャッタＳ７が閉じ、熱風発生器４がクリーンエアを例えば３５０℃の温度に加熱し、炉室Ａ７に供給する。これにより、図３に示すように、炉室Ａ７が大気圧に復圧される。
【００３６】
次に、シャッタＳ８が開き、炉室Ａ７と炉室Ｂ１とが連通される。そして、搬送装置７が炉室Ａ７内の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組を一斉に炉室Ｂ１に搬送する。そして、シャッタＳ８が閉じ、炉室Ｂ１内のヒータ９がパネル構造体１１をシールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃に加熱する。
【００３７】
その後、搬送装置７が、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を、炉室Ｂ２及びＢ３にこの順に搬送する。これにより、パネル構造体１１は例えば４５０℃の温度に例えば２０分間保持される。これにより、パネル構造体１１において、シールフリットが軟化し、前面基板と背面基板とが封着される。
【００３８】
そして、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を、炉室Ｂ４乃至Ｂ１２をこの順に通過させることにより、パネル構造体１１の温度を４５０℃から室温付近まで冷却する。そして、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を炉室Ｂ１２から封着炉１の外部に搬出する。
【００３９】
なお、垂直方向に配列された６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が１の炉室から次の炉室に移動すると、前記１の炉室には次の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が搬入される。このようにして、多数のパネル構造体１１に対して並列に連続的に熱処理を施す。各炉室における処理時間は例えば９分間であり、炉室間の移動時間は例えば１分間である。即ち、封着炉１においては、各処理の基本単位時間（１クロック）が例えば１０分間になっている。
【００４０】
その後、セッタ１３及びパネル構造体１１は、後工程である排気工程に進む。そして、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間内を排気する。その後、この放電空間内に放電ガスを充填する。これにより、ＰＤＰが製造される。
【００４１】
本実施形態においては、封着炉１の真空炉２において、パネル構造体１１を真空中で加熱することにより、パネル構造体１１の表面に吸着していた水分及びガス等が脱離し、パネル構造体の脱ガス処理を行うことができる。このとき、加熱温度はシールフリットの軟化点未満の温度とするため、真空中においてシールフリットが軟化して発泡することがない。また、大気炉３においてパネル構造体１１を大気圧中でシールフリットの軟化点以上の温度に加熱することにより、シールフリットを発泡させることなく軟化させ、パネル構造体１１の前面基板と背面基板とを封着することができる。本実施形態においては、封着処理の前に脱ガス処理を行っているため、封着工程後の排気工程において、放電空間内の排気を速やかに行うことができる。
【００４２】
また、本実施形態においては、搬送装置７がパネル構造体１１を真空炉２から大気炉３まで間欠的に搬送する。これにより、パネル構造体１１は各炉室間を移動しながら熱処理が施されるため、パネル構造体１１に連続的に脱ガス処理及び封着処理を施すことができる。
【００４３】
更に、本実施形態においては、搬送装置７が６段設けられているため、１枚のセッタ１３及びこのセッタ１３に搭載された１枚又は複数枚のパネル構造体１１からなる組を、垂直方向に６組配列させて一斉に搬送することができる。これにより、６組の前記組を同時に処理することができるため、生産性が高い。
【００４４】
更にまた、真空炉２及び大気炉３が夫々７個及び１２個の炉室を備えている。これにより、各炉室に夫々６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組を収納し、各炉室において並列に処理を行うことができるため、多数のパネル構造体１１を生産性よく処理することができる。更にまた、熱風発生器４がクリーンエアを加熱し、炉室Ａ７に対して供給しているため、パネル構造体１１の基板が熱応力により割れることを防止し、炉室Ａ７の復圧を短時間で行うことができる。
【００４５】
なお、本実施形態とは別に、複数のパネル構造体１１を１つのカセットに収納し、複数のパネル構造体１１をカセットごと封着炉１内を移動させる方法も考えられる。しかしながら、このカセットを使用する方法には、以下に示す問題点がある。先ず、封着炉にカセットを装入すると、カセット自体に熱容量があるため、パネル構造体を加熱及び冷却するために多大なエネルギーが必要となる。即ち、封着炉にかかる熱負荷が大きくなる。また、真空炉において、基板表面の他にカセットの表面にも水分及びガス等が吸着しているため、真空炉の排気系にかかる負荷が大きくなる。このため、排気に長時間を要するか、又は能力が高い排気ポンプが必要となる。更に、封着炉のサイズとしてカセットが通過できるサイズが必要となるため、パネル構造体のサイズと比較して、封着炉が大型化してしまう。これにより、封着炉の設置面積が増大すると共に、熱負荷及び排気負荷が更に増大する。更にまた、封着炉の入口においてパネル構造体をカセット内に収納し、封着炉の出口においてパネル構造体をカセットから取り出し、カセットは再利用するため、封着炉の出口から入口までカセットを戻すリターン経路が必要となる。このため、このリターン経路を含めると、封着炉の設置面積が更に増大してしまう。
【００４６】
これに対して、本実施形態においては、パネル構造体１１がセッタ１３に搭載され、多段に設けられた搬送装置７が複数のセッタ１３を搬送するため、前述のカセットが不要である。これにより、カセットを使用する場合と比較して、封着炉を小型化することができ、設置面積を低減することができる。また、封着炉の熱負荷及び排気負荷を低減することができる。
【００４７】
また、本実施形態においては、熱風発生器４が炉室Ａ７に対して加熱したクリーンエアを供給し、大気炉３をクリーンエアにより充填する例を示したが、炉室Ａ７及び大気炉３に供給される気体はクリーンエアに限定されず、窒素等の不活性ガスであってもよい。また、大気炉３の圧力は封着炉１の周囲の圧力に限定されず、真空炉２の圧力よりも高く、加熱時にシールフリットが発泡しない圧力であればよい。更に、本実施形態においては、搬送装置７が６段設けられている例を示したが、本発明はこれに限定されず、搬送装置の段数は、要求される生産性及び封着炉が設置される建物の高さ等に応じて、最適な段数を選択することができる。更にまた、搬送装置はローラに限定されず、例えばベルトであってもよい。更にまた、本実施形態においては真空炉２及び大気炉３が夫々７個及び１２個の炉室を備える例を示したが、本発明はこれに限定されない。更にまた、炉室Ａ２乃至Ａ６内及び炉室Ｂ１乃至Ｂ１２内においては、パネル構造体１１を間欠的に搬送せずに、連続的に搬送してもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、封着炉を第１の炉及び第２の炉から構成し、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、前記第１の炉から前記第２の炉まで搬送する搬送装置を設けている。このため、ＰＤＰの脱ガス処理及び封着処理を効率よく行うことができるプラズマディスプレイパネルの封着炉を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る封着炉を示す模式図、及び横軸にこの封着炉における位置をとり縦軸に基板温度をとってこの封着炉中における基板の温度プロファイルを示すグラフ図である。
【図２】（ａ）は本実施形態における封着炉の各炉室を示す上面断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による側面断面図である。
【図３】横軸にパネル構造体が封着炉に装入されてからの時間をとり、縦軸にこのパネル構造体の温度及びこのパネル構造体の周囲の圧力をとって、封着工程において１枚のパネル構造体に印加される温度及び圧力の経時変化を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１；封着炉
２；真空炉
３；大気炉
４；熱風発生器
５；外壁
６；支持板
７；搬送装置
８；ローラ
９；ヒータ
１０；制御装置
１１；パネル構造体
１２；搬送方向
１３；セッタ
２１；線（温度プロファイル）
２２；線（圧力プロファイル）
Ａ１〜Ａ７、Ｂ１〜Ｂ１２；炉室
Ｐ１〜Ｐ７；ポンプ
Ｓ１〜Ｓ８；シャッタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a sealing furnace for sealing a front substrate and a back substrate of a plasma display panel and a method for manufacturing a plasma display panel, and in particular, a first furnace for heating in a vacuum to a temperature lower than a softening point of a seal frit. The present invention also relates to a continuous plasma display panel sealing furnace provided with a second furnace for heating to a temperature higher than the softening point at a pressure higher than that of the first furnace.
[0002]
[Prior art]
Usually, a plasma display panel (hereinafter, referred to as PDP) is manufactured as follows. A scan electrode and a common electrode are formed on one insulating substrate, and a dielectric layer and a protective layer made of MgO are formed so as to cover the scan electrode and the common electrode, thereby manufacturing a front substrate. On the other hand, a data electrode is formed on another insulating substrate, and a dielectric layer, a partition wall, and a phosphor layer are formed on the data electrode to manufacture a rear substrate. Then, the front substrate and the rear substrate are overlapped and temporarily fixed via a seal frit, and the seal frit is softened by heating, and the front substrate and the rear substrate are sealed via the seal frit. Thereafter, a discharge space formed between the front substrate and the rear substrate is evacuated, and the discharge space is filled with a discharge gas to manufacture a PDP.
[0003]
Conventionally, the sealing between the front substrate and the rear substrate has been performed by a batch-type atmospheric furnace. After the sealing, the discharge space is evacuated through exhaust holes provided in the front substrate or the rear substrate. However, in this method, in the evacuation step, moisture and gas adsorbed on the surfaces of the front substrate and the rear substrate (hereinafter, also collectively referred to as substrates) are released, and the discharge space is exhausted to a sufficient degree of vacuum. It takes time. Further, if the sealing is performed in a vacuum instead of the atmospheric pressure, the seal frit foams and a defect occurs in the seal frit.
[0004]
Therefore, a structure (hereinafter referred to as a panel structure) in which the front substrate and the rear substrate are overlapped with each other via a seal frit and temporarily fixed (hereinafter referred to as a panel structure) is placed in a furnace and sealed in a vacuum atmosphere before the sealing step. Heat to a temperature below the softening point of the frit, desorb the adsorbed gas, then fill the same furnace with an inert gas, etc., increase the pressure in the furnace to a predetermined pressure, and then soften the seal frit A technology for sealing by heating to a temperature higher than a point is disclosed (for example, see Patent Document 1). According to this method, since the degassing process is performed before the sealing step, the discharge space can be quickly evacuated as compared with the case where the degassing process is not performed.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-9-251839 (page 3, FIG. 4)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-mentioned conventional technology has the following problems. Also in the technique described in Patent Document 1, there is a problem that productivity is low because sealing is performed by a batch type furnace.
[0007]
The present invention has been made in view of the above problems, and a plasma display panel sealing furnace capable of efficiently performing a degassing process and a sealing process of a PDP, and a plasma display panel using the sealing furnace. It is an object of the present invention to provide a method for producing the same.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A plasma display panel sealing furnace according to the present invention is a plasma display panel sealing furnace for sealing a front substrate and a rear substrate of a plasma display panel, wherein the front substrate and the rear substrate are overlapped via a seal frit. A first furnace for heating the combined structure in a vacuum to a temperature below the softening point of the seal frit; and a structure wherein the pressure inside the first furnace is higher than the pressure of the first furnace and is connected to the first furnace. A second furnace for heating the body under this pressure to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit to seal the front substrate and the back substrate via the seal frit; And a transfer device that is moved in the furnace and then moved in the second furnace to be sequentially subjected to heat treatment.
[0009]
In the present invention, the structure can be degassed by heating the structure in a first furnace in a vacuum. At this time, since the heating temperature is lower than the softening point of the seal frit, the seal frit does not soften in vacuum. Thereafter, the structure can be sealed in the second furnace by heating the structure to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit. Thereby, in the exhaust process after the sealing process, the exhaust in the discharge space can be quickly performed. In addition, since the above-described heat treatment is performed while the transfer device transfers the structure from the first furnace to the second furnace, the structure can be continuously heat-treated. For this reason, in the 1st and 2nd furnace, processing can be performed in parallel and productivity improves.
[0010]
Further, the transfer device is provided in a plurality of stages vertically, and a control device for controlling the operation of the transfer device such that the plurality of stages of the transfer devices are arranged in a vertical direction and moved simultaneously. It is preferable to have Thereby, a plurality of structures can be processed simultaneously, and the productivity is further improved.
[0011]
Further, each of the first furnace and the second furnace has a plurality of furnace chambers arranged along a transfer direction of the structure, and the transfer device moves the structure between the plurality of furnace chambers. Wherein the furthest downstream furnace chamber of the first furnace adjacent to the second furnace is located between the furnace chamber of the first furnace adjacent to the furthest downstream furnace chamber. An upstream shutter, and a downstream shutter disposed between the second furnace, wherein the most downstream furnace chamber closes the upstream and downstream shutters and evacuates the inside. After exhausting the air, the upstream shutter is opened and the structure is carried in. Thereafter, the upstream shutter is closed and the internal pressure is increased to the internal pressure of the second furnace, and then the downstream shutter is opened. Preferably, the structure is carried out toward the second furnace. . Thereby, the structures can be stored in the respective furnace chambers, and the processing can be performed in parallel in the respective furnace chambers, so that the productivity is further improved. Further, by providing the furnace chamber on the most downstream side as described above, the structure can be moved efficiently from the first furnace to the second furnace.
[0012]
Further, a heating gas supply means for supplying a heated gas to the furthest downstream furnace chamber to increase the internal pressure of the furthest downstream furnace chamber to the internal pressure of the second furnace may be provided. preferable. In the furthest downstream furnace chamber, the structure is heated to a temperature below the softening point of the seal frit. For this reason, when increasing the pressure in the furnace chamber on the most downstream side, if a normal temperature gas is introduced into the furnace chamber at a large flow rate, the structure is rapidly cooled, and the substrate of the structure is cooled by thermal stress. May crack. For this reason, when introducing room temperature gas into the furnace chamber on the most downstream side, it is necessary to introduce the gas little by little over time. As a result, the residence time of the structure in the furthest downstream furnace chamber is lengthened, and the productivity of the entire sealing furnace is reduced. However, by providing the above-mentioned heating gas supply means, the heated gas can be introduced into the furnace chamber on the most downstream side at a large flow rate, and the pressure in the furnace chamber can be increased in a short time. As a result, the productivity of PDP can be improved.
[0013]
Furthermore, it is preferable that the internal pressure of the second furnace is equal to the pressure around the sealing furnace. Thereby, the configuration of the second furnace can be simplified. If, for example, a sealing furnace is installed in a clean room and the pressure in the clean room is set slightly higher than the outside, the internal pressure of the second furnace is the pressure in the clean room. May be. The gas introduced into the second furnace may be air or an inert gas such as nitrogen.
[0014]
The method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes the step of moving a structure in which a front substrate and a rear substrate of a plasma display panel are overlapped via a seal frit in a vacuum while moving the seal frit in a first furnace. A vacuum heating step of heating the structure to a temperature lower than the softening point of the first furnace, and a second furnace connected to the first furnace from the first furnace and having an internal pressure higher than an internal pressure of the first furnace. Moving the structure to a furnace, heating the structure to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit while moving the structure inside the second furnace, and moving the front substrate and the rear substrate through the seal frit. And a sealing step for sealing.
[0015]
Another method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention is a method for manufacturing a structure in which a front substrate and a back substrate of a plasma display panel are overlapped with each other via a seal frit to a temperature lower than a softening point of the seal frit in a vacuum. A vacuum heating step of heating, a step of supplying a heated gas around the structure heated to a temperature lower than the softening point of the seal frit to increase the pressure around the structure, and A sealing step of heating the seal frit to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit in the increased pressure to seal the front substrate and the back substrate via the seal frit. .
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a sealing furnace according to the present embodiment, and a graph showing a temperature profile of a substrate in the sealing furnace by taking a position in the sealing furnace on a horizontal axis and a substrate temperature on a vertical axis. It is. FIG. 2A is a top cross-sectional view showing each furnace chamber of the sealing furnace in the present embodiment, and FIG. 2B is a side cross-sectional view taken along line AA shown in FIG.
[0017]
As shown in FIG. 1, the sealing furnace 1 according to the present embodiment has a panel structure 11 (FIG. 2 (a) in which the front substrate and the rear substrate of the PDP are overlapped with each other via a seal frit and temporarily fixed. ) Is a continuous sealing furnace that performs heat treatment while intermittently moving in the transport direction 12, and includes a vacuum furnace 2 and an atmospheric furnace 3.
[0018]
The inside of the vacuum furnace 2 is evacuated to a vacuum, for example, 1 to 10 Pa, for example, 1 to 3 Pa, and heat-treats the panel structure 11 in a vacuum. The vacuum furnace 2 includes, for example, seven furnace chambers A1 to A7, and the furnace chambers A1 to A7 are connected in a row in this order. The most upstream furnace chamber A1 of the vacuum furnace 2 constitutes an inlet of the sealing furnace 1, and the most downstream furnace chamber A7 is connected to the atmospheric furnace 3. The panel structure 11 can pass between the furnace chambers A1 to A7.
[0019]
Each of the furnace chambers A1 to A7 of the vacuum furnace 2 includes shutters S1 to S7 at an upstream connection portion, respectively, and the furnace chamber A7 also includes a shutter S8 at a downstream connection portion. The shutter S1 opens and closes a connection portion between the outside of the sealing furnace 1 and the furnace chamber A1, and shutters Sn (n is an integer of 2 to 7) are used for the furnace chamber A (n-1) and the furnace chamber A1, respectively. The shutter S8 opens and closes a connection between the furnace chamber A7 and the furnace chamber B1 of the atmospheric furnace 3.
[0020]
In the vacuum furnace 2, the furnace chamber A1 is a load lock. The furnace chamber A1 is a part where the panel structure 11 is carried in from the outside of the sealing furnace 1, then the inside is evacuated to a vacuum, and then the panel structure 11 is carried out to the furnace room A2. Furnace chambers A2 to A4 are temperature-raising sections that heat panel structure 11 from room temperature to a temperature lower than the softening point of the seal frit, for example, 350 ° C. The furnace chambers A5 and A6 are keep sections, and are sections that maintain the temperature of the panel structure 11 at, for example, 350 ° C. The furnace chamber A7 is a hot air recompression unit, and after the panel structure 11 is carried in, clean air heated inside by the hot air generator 4 is introduced to repressurize the inside to the atmospheric pressure. Is a portion carried out to the furnace chamber B1 of the atmospheric furnace 3.
[0021]
Further, pumps P1 to P7 are connected to the furnace chambers A1 to A7, respectively. The pumps P1 to P7 exhaust the inside of the furnace chambers A1 to A7, respectively. Further, a hot air generator 4 for heating the clean air and supplying it into the furnace chamber A7 is connected to the furnace chamber A7. Since the furnace chambers A1 and A7 repeatedly evacuate from atmospheric pressure to vacuum, the pumps P1 and P7 connected to the furnace chambers A1 and A7 have higher performance than the other pumps P2 to P6.
[0022]
On the other hand, the atmospheric furnace 3 has an internal pressure of atmospheric pressure, and heat-treats the panel structure 11 at atmospheric pressure. In this specification, the atmospheric pressure is higher than the internal pressure of the vacuum furnace 2 and means a pressure at which the seal frit does not foam when softened. In the present embodiment, the atmospheric pressure is the pressure around the sealing furnace 1, for example, the sealing furnace 1 is installed in a clean room, and the pressure in the clean room is set slightly higher than the outside. Atmospheric pressure refers to the pressure in this clean room. The atmospheric furnace 3 includes, for example, 12 furnace chambers B1 to B12, and the furnace chambers B1 to B12 are connected in a row in this order. The most upstream furnace chamber B1 of the atmospheric furnace 3 is connected to the most downstream furnace chamber A7 of the vacuum furnace 2, and the most downstream furnace chamber B12 constitutes an outlet of the sealing furnace 1. A connecting portion is opened between the furnace chambers B1 to B12 so that the panel structure 11 can pass therethrough.
[0023]
In the atmospheric furnace 3, the furnace chamber B <b> 1 is a heating section, and is a portion where the panel structure 11 is heated from the holding temperature in the vacuum furnace 2, for example, 350 ° C. to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit, for example, 450 ° C. is there. The furnace chambers B2 and B3 are keep sections, and are sections that maintain the temperature of the panel structure 11 at a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit, for example, 450 ° C. Furnace chambers B4 to B12 are slow cooling sections, and are sections for cooling panel structure 11 from, for example, 450 ° C. to around room temperature.
[0024]
As shown in FIGS. 2A and 2B, in each furnace chamber (for example, furnace chamber A2), an outer wall 5 is provided, and inside the outer wall 5, a pair of support plates arranged in parallel with each other is provided. 6 are provided vertically. A plurality of transfer devices 7 are provided between the support plates 6. The transfer devices 7 are provided, for example, in six stages in the vertical direction. In FIG. 2B, a three-stage transfer device 7 is shown for convenience. Each transport device 7 includes, for example, seven rollers 8. The seven rollers 8 are arranged in a row so that their rotation axes are parallel to each other along the transport direction 12 of the panel structure 11, and are rotatably supported by the support plate 6. The roller 8 is connected to a transport motor (not shown). The transport motor is connected to the control device 10 (see FIG. 1). The control device 10 controls the operation of the transport motor.
[0025]
A setter 13, which is, for example, a quartz plate, is placed on the rollers 8 of the transport device 7 and is in rolling contact with a plurality of rollers 8. On the setter 13, for example, one to three panel structures 11 are mounted. The rollers 8 transport the setter 13 and the panel structure 11 in the transport direction 12 by rotating. Further, heaters 9 are provided above the uppermost transport device 7, between the transport devices 7, and below the lowermost transport device 7. That is, when the transfer devices 7 are provided in six stages, the heaters 9 are provided in seven stages so as to sandwich each of the transfer devices 7. The heater 9 is, for example, a sheath heater and heats the panel structure 11 to a predetermined temperature. 2A and 2B, the shutter S (see FIG. 1) is not shown. In FIG. 2B, the support plate 6 is not shown.
[0026]
Next, a method for using the sealing furnace according to the present embodiment, that is, a method for manufacturing a PDP will be described. In FIG. 3, the horizontal axis indicates the time since the panel structure was charged into the sealing furnace, and the vertical axis indicates the temperature of the panel structure and the pressure around the panel structure. FIG. 4 is a graph showing changes over time in temperature and pressure applied to one panel structure in FIG. Note that a line 21 shown in FIG. 3 indicates a temperature profile, and a line 22 indicates a pressure profile.
[0027]
First, a scanning electrode and a common electrode are formed on an insulating substrate (not shown) made of one piece of glass or the like. Then, a dielectric layer is formed so as to cover the scanning electrode and the common electrode, and a protective layer made of MgO is formed thereon, thereby manufacturing a front substrate. On the other hand, a data electrode is formed on another insulating substrate made of glass or the like, and a dielectric layer, a partition wall, and a phosphor layer are formed in this order on the data electrode to manufacture a rear substrate. Then, a seal frit is formed on the surface of the front substrate or the rear substrate so as to surround the display area. Next, the front substrate and the rear substrate are overlapped with each other via a seal frit and temporarily fixed with a clip or the like to form a panel structure 11 (see FIG. 2A).
[0028]
Next, one or a plurality of, for example, one to three panel structures 11 are mounted on one setter 13, and the whole setter 13 is loaded into the furnace chamber A1 of the sealing furnace 1. At this time, each set of one setter 13 and one or more panel structures 11 mounted on the setter 13 is mounted on each stage of the transfer device 7 in the furnace chamber A1. Thereby, when the transporting device 7 is provided, for example, in six stages, a set including six sets of the setter 13 and the panel structure 11 is vertically arranged in one row.
[0029]
At this time, the shutter S1 is open and the shutter S2 is closed. The pressure in the furnace chamber A1 is atmospheric pressure, and the pressure in the furnace chambers A2 to A7 is vacuum. The pressure in the furnace chambers A2 to A7 is, for example, 1 to 10 Pa, for example, 1 Pa. Furnace chambers B1 to B12 are at atmospheric pressure and are filled with clean air.
[0030]
Next, the shutter S1 is closed. Then, the pump P1 evacuates the furnace chamber A1 to, for example, 1 to 10 Pa, for example, 1 Pa. Thereby, as shown in FIG. 3, the pressure around the panel structure 11 is reduced from the atmospheric pressure to, for example, 1 Pa.
[0031]
Next, the shutter S2 opens. Thus, the furnace chamber A1 and the furnace chamber A2 communicate with each other. The control device 10 (see FIG. 1) drives a transfer motor (not shown) of the transfer device 7 to rotate the rollers 8 so that the six sets of the setters 13 and the panel stored in the furnace chamber A1 are formed. The structures 11 are simultaneously transferred to the furnace chamber A2.
[0032]
Next, the shutter S2 is closed. Next, the heater 9 in the furnace chamber A2 heats the panel structure 11. Then, after heating the panel structure 11 to a predetermined temperature, the shutter S3 is opened, and the transfer device 7 transfers the six sets of the setter 13 and the panel structure 11 to the furnace chamber A3 all at once.
[0033]
After the above-mentioned setter 13 and panel structure 11 are carried out of the furnace chamber A1, the furnace chamber A1 is restored to the atmospheric pressure, the shutter S1 is opened, and the next six sets of the setter 13 and the panel structure 11 are opened. It is carried into the furnace chamber A1 from outside the sealing furnace 1.
[0034]
In this manner, the above-mentioned set of, for example, six setsetters 13 and the panel structure 11 intermittently moves and passes between the furnace chambers A2 to A4, and as shown in FIG. Heat to a temperature below the point, e.g. Thereafter, it passes between the furnace chambers A5 to A7 and is maintained at a temperature of 350 ° C. for a certain time, for example, 25 minutes. Thereby, the moisture, gas, and the like adsorbed on the surface of the panel structure 11 are desorbed. At this time, the seal frit does not soften.
[0035]
Then, when the six sets of the setter 13 and the panel structure 11 are carried into the furnace chamber A7, the shutter S7 is closed, and the hot air generator 4 heats the clean air to a temperature of, for example, 350 ° C. and supplies the clean air to the furnace chamber A7. I do. Thereby, as shown in FIG. 3, the pressure in the furnace chamber A7 is restored to the atmospheric pressure.
[0036]
Next, the shutter S8 is opened, and the furnace chamber A7 and the furnace chamber B1 are communicated. Then, the transport device 7 simultaneously transports the set including the six sets of the setter 13 and the panel structure 11 in the furnace chamber A7 to the furnace chamber B1. Then, the shutter S8 is closed, and the heater 9 in the furnace chamber B1 heats the panel structure 11 to a temperature higher than the softening point of the seal frit, for example, 450 ° C.
[0037]
Thereafter, the transfer device 7 transfers the six sets of the setter 13 and the panel structure 11 to the furnace chambers B2 and B3 in this order. Thus, the panel structure 11 is maintained at a temperature of, for example, 450 ° C. for, for example, 20 minutes. Thereby, in the panel structure 11, the seal frit is softened, and the front substrate and the rear substrate are sealed.
[0038]
Then, by passing the six sets of the setter 13 and the panel structure 11 through the furnace chambers B4 to B12 in this order, the temperature of the panel structure 11 is cooled from 450 ° C. to around room temperature. Then, the six setsetter 13 and panel structure 11 are carried out of the furnace chamber B12 to the outside of the sealing furnace 1.
[0039]
When a set of six setsetters 13 and panel structures 11 arranged in the vertical direction moves from one furnace chamber to the next furnace chamber, the following six sets of setters 13 and A set including the panel structure 11 is carried in. In this way, a large number of panel structures 11 are heat-treated continuously in parallel. The processing time in each furnace chamber is, for example, 9 minutes, and the moving time between furnace chambers is, for example, 1 minute. That is, in the sealing furnace 1, the basic unit time (1 clock) of each process is, for example, 10 minutes.
[0040]
Thereafter, the setter 13 and the panel structure 11 proceed to a post-process exhaust process. Then, the inside of the discharge space formed between the front substrate and the rear substrate is exhausted. Thereafter, the discharge space is filled with a discharge gas. Thereby, a PDP is manufactured.
[0041]
In this embodiment, in the vacuum furnace 2 of the sealing furnace 1, by heating the panel structure 11 in a vacuum, moisture, gas, and the like adsorbed on the surface of the panel structure 11 are desorbed, and the panel structure 11 is heated. Degassing of the body can be performed. At this time, since the heating temperature is set to a temperature lower than the softening point of the seal frit, the seal frit does not soften and foam in a vacuum. Also, by heating the panel structure 11 in the atmospheric furnace 3 to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit at atmospheric pressure, the seal frit is softened without foaming, and the front substrate and the rear substrate of the panel structure 11 Can be sealed. In the present embodiment, since the degassing process is performed before the sealing process, the exhaust in the discharge space can be quickly performed in the exhaust process after the sealing process.
[0042]
In the present embodiment, the transfer device 7 transfers the panel structure 11 intermittently from the vacuum furnace 2 to the atmospheric furnace 3. Thereby, since the panel structure 11 is subjected to the heat treatment while moving between the furnace chambers, the panel structure 11 can be continuously subjected to the degassing process and the sealing process.
[0043]
Further, in the present embodiment, since the transfer device 7 is provided in six stages, the set including one setter 13 and one or more panel structures 11 mounted on the setter 13 is moved in the vertical direction. And six sets can be transported at once. Thereby, six sets can be processed at the same time, so that productivity is high.
[0044]
Furthermore, the vacuum furnace 2 and the atmospheric furnace 3 have seven and twelve furnace chambers, respectively. As a result, each set of the six setters 13 and the panel structures 11 can be accommodated in each furnace chamber, and processing can be performed in parallel in each furnace chamber, so that a large number of panel structures 11 can be processed with high productivity. can do. Furthermore, since the hot air generator 4 heats the clean air and supplies the clean air to the furnace chamber A7, the substrate of the panel structure 11 is prevented from cracking due to thermal stress, and the pressure in the furnace chamber A7 is reduced. Can be done in time.
[0045]
Apart from this embodiment, a method in which a plurality of panel structures 11 are housed in one cassette and the plurality of panel structures 11 are moved together with the cassettes in the sealing furnace 1 is also conceivable. However, the method using this cassette has the following problems. First, when the cassette is loaded into the sealing furnace, a large amount of energy is required to heat and cool the panel structure because the cassette itself has a heat capacity. That is, the heat load applied to the sealing furnace increases. Further, in the vacuum furnace, since moisture, gas and the like are adsorbed not only on the substrate surface but also on the surface of the cassette, the load on the exhaust system of the vacuum furnace increases. Therefore, a long time is required for the exhaust or an exhaust pump having a high capacity is required. Further, since the size of the sealing furnace needs to be large enough to allow the cassette to pass through, the size of the sealing furnace is larger than the size of the panel structure. This increases the installation area of the sealing furnace and further increases the heat load and the exhaust load. Furthermore, the panel structure is housed in the cassette at the entrance of the sealing furnace, the panel structure is taken out of the cassette at the exit of the sealing furnace, and the cassette is reused from the exit to the entrance of the sealing furnace for reuse. A return path is required. Therefore, including this return path further increases the installation area of the sealing furnace.
[0046]
On the other hand, in the present embodiment, since the panel structure 11 is mounted on the setter 13 and the transport devices 7 provided in multiple stages transport a plurality of setters 13, the above-described cassette is not required. Thus, the size of the sealing furnace can be reduced and the installation area can be reduced as compared with the case where a cassette is used. Further, the heat load and the exhaust load of the sealing furnace can be reduced.
[0047]
Further, in the present embodiment, an example is shown in which the hot air generator 4 supplies heated clean air to the furnace chamber A7 and fills the atmospheric furnace 3 with clean air. The supplied gas is not limited to clean air, but may be an inert gas such as nitrogen. Further, the pressure of the atmospheric furnace 3 is not limited to the pressure around the sealing furnace 1, but may be any pressure that is higher than the pressure of the vacuum furnace 2 and does not foam the seal frit during heating. Furthermore, in the present embodiment, an example in which the transfer device 7 is provided in six stages has been described, but the present invention is not limited to this, and the number of stages of the transfer device depends on the required productivity and installation of the sealing furnace. The optimum number of steps can be selected according to the height of the building to be performed. Furthermore, the transport device is not limited to a roller, and may be, for example, a belt. Furthermore, in the present embodiment, an example is shown in which the vacuum furnace 2 and the atmospheric furnace 3 have seven and twelve furnace chambers, respectively, but the present invention is not limited to this. Further, in the furnace chambers A2 to A6 and the furnace chambers B1 to B12, the panel structure 11 may be continuously transported without being intermittently transported.
[0048]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the present invention, the sealing furnace includes the first furnace and the second furnace, and the structure in which the front substrate and the back substrate are overlapped with each other via the seal frit is provided by the above-described structure. A transfer device is provided for transferring from the first furnace to the second furnace. Therefore, it is possible to obtain a plasma display panel sealing furnace capable of efficiently performing the degassing process and the sealing process of the PDP.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing a sealing furnace according to an embodiment of the present invention, and a horizontal axis indicates a position in the sealing furnace, and a vertical axis indicates a substrate temperature. FIG.
FIG. 2A is a top cross-sectional view showing each furnace chamber of the sealing furnace in the present embodiment, and FIG. 2B is a side cross-sectional view taken along line AA shown in FIG.
FIG. 3 is a graph showing the time taken since the panel structure was loaded into the sealing furnace on the horizontal axis, and the temperature of the panel structure and the pressure around the panel structure on the vertical axis. FIG. 4 is a graph showing changes over time in temperature and pressure applied to one panel structure in FIG.
[Explanation of symbols]
1: Sealing furnace
2: vacuum furnace
3: Atmosphere furnace
4: Hot air generator
5; outer wall
6; support plate
7; transport device
8; roller
9; heater
10; control device
11; panel structure
12; transport direction
13; Setter
21; line (temperature profile)
22; line (pressure profile)
A1 to A7, B1 to B12; furnace chamber
P1 to P7; pump
S1 to S8; shutter

Claims

In a plasma display panel sealing furnace for sealing a front substrate and a rear substrate of a plasma display panel, a structure in which the front substrate and the rear substrate are overlapped with each other via a seal frit is softened in a vacuum. A first furnace which is heated to a temperature below the point, and wherein the internal pressure connected to the first furnace is higher than the pressure of the first furnace and the structure is heated under this pressure to a temperature above the softening point of the seal frit. A second furnace that heats the front substrate and the rear substrate to each other through the seal frit and heats the structure in the first furnace after the structure is moved in the first furnace. And a transfer device for sequentially performing a heat treatment by a transfer furnace.

The transfer device is provided at a plurality of upper and lower stages, and the control device controls the operation of the transfer device such that the plurality of transfer devices are arranged in a vertical direction and moved at the same time. The sealing furnace for a plasma display panel according to claim 1, wherein:

A heater disposed between the plurality of transfer devices in the first furnace and the second furnace, above the uppermost transfer device and below the lowermost transfer device, and heating the structure; 3. The sealing furnace for a plasma display panel according to claim 2, wherein:

The plasma according to any one of claims 1 to 3, wherein the transport device includes a plurality of rollers that transport the structure by being arranged along a transport direction of the structure and rotating. Display panel sealing furnace.

The first furnace and the second furnace each have a plurality of furnace chambers arranged along a transport direction of the structure, and the transfer device moves the structure between the plurality of furnace chambers. Wherein the furthest downstream furnace chamber of the first furnace adjacent to the second furnace is disposed between the furnace chamber of the first furnace adjacent to the furthest downstream furnace chamber. An upstream shutter, and a downstream shutter disposed between the second furnace, wherein the most downstream furnace chamber closes the upstream and downstream shutters and evacuates the interior. Then, the upstream shutter is opened and the structure is carried in. Thereafter, the upstream shutter is closed to increase the internal pressure to the internal pressure of the second furnace, and then the downstream shutter is opened to open the second furnace. Characterized in that the structure is carried out toward a second furnace. Sealing furnace of the plasma display panel according to any one of claim 1 to 4.

Heating gas supply means for supplying heated gas to the furthest downstream furnace chamber to increase the internal pressure of the furthest downstream furnace chamber to the internal pressure of the second furnace. A sealing furnace for a plasma display panel according to claim 5.

7. The sealing furnace for a plasma display panel according to claim 1, wherein an internal pressure of the second furnace is equal to a pressure around the sealing furnace.

A vacuum heating step of heating a structure in which a front substrate and a rear substrate of a plasma display panel are overlapped via a seal frit to a temperature lower than the softening point of the seal frit in a vacuum while moving in a first furnace; Moving the structure from the first furnace to a second furnace connected to the first furnace and having an internal pressure higher than the internal pressure of the first furnace; A sealing step of heating the seal frit to a temperature equal to or higher than the softening point of the seal frit while moving in the second furnace to seal the front substrate and the rear substrate via the seal frit. A method for manufacturing a plasma display panel.

In the vacuum heating step, the plurality of structures are arranged in the vertical direction and move at the same time, and in the moving step, the plurality of structures arranged in the vertical direction move at the same time, and in the sealing step, The method according to claim 8, wherein the plurality of structures are arranged in a vertical direction and move at the same time.

The vacuum heating step includes heating the structure in a vacuum from room temperature to a temperature below the softening point of the seal frit, and heating the structure around the structure heated to a temperature below the softening point of the seal frit. 10. A method of manufacturing a plasma display panel according to claim 8, further comprising the step of: supplying a pressurized gas to increase a pressure around the structure to a pressure inside the second furnace. .

A vacuum heating step of heating the structure in which the front substrate and the back substrate of the plasma display panel are superimposed via a seal frit to a temperature lower than the softening point of the seal frit in a vacuum, and a temperature lower than the softening point of the seal frit Supplying heated gas to the periphery of the structure heated to a temperature higher than the temperature of the structure, increasing the pressure around the structure to a temperature above the softening point of the seal frit in the increased pressure. And sealing the front substrate and the rear substrate via the seal frit by heating to a temperature of (1).