JP2004095913A - Printed wiring board and its manufacturing method - Google Patents

Printed wiring board and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2004095913A
JP2004095913A JP2002256125A JP2002256125A JP2004095913A JP 2004095913 A JP2004095913 A JP 2004095913A JP 2002256125 A JP2002256125 A JP 2002256125A JP 2002256125 A JP2002256125 A JP 2002256125A JP 2004095913 A JP2004095913 A JP 2004095913A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
metal plate
wiring board
printed wiring
bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002256125A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Umeda
梅田 和夫
Atsushi Kobayashi
小林 厚志
Yoshinori Murata
村田 佳則
Kenji Sasaoka
笹岡 賢司
Kiyoshi Takeuchi
竹内 清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
DT Circuit Technology Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
DT Circuit Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd, DT Circuit Technology Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2002256125A priority Critical patent/JP2004095913A/en
Publication of JP2004095913A publication Critical patent/JP2004095913A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board which is inexpensive and high in the degree of integration, and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: First masking films 16 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B. Then, a prepreg (insulating material layer) 12 is superposed on the surface of the metal plate 11 where the metal bumps 11B are formed, and the metal bumps 11B are made to penetrate through the prepreg 12 by hot pressing. Then, second masking films 15 are formed on the wiring pattern corresponding part of the rear surface of the metal plate 11, and the metal plate 11 is subjected to etching from above the second masking films 15 so as to form a wiring pattern 11D on the bottom of the metal plate 11. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線基板の製造方法に係り、更に詳細には配線層間を貫通型の導体配線部で接続する、いわゆる導体貫通型のプリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、プリント配線基板の製造方法として、スルホールメッキ層を用いて層間接続を形成するスルホール型のプリント配線基板100の製造方法が知られている。図12は従来の代表的なスルホール型のプリント配線基板の構造を模式的に示した断面図である。
【0003】
この方法では、まず絶縁性基板101の両面に銅箔103,105が積層された二層板110を用意し、この二層板110の両面の銅箔103,105をパターニングして配線パターン103a,105aを形成する。しかる後に二層板110の所定位置に貫通孔107,109をドリルなどにより機械的に穿孔する。次いでこれら貫通孔107,109の内壁に無電解メッキなどを施すことにより金属層を析出させ、スルホール107a,109aを形成し、これらスルホール107a,109aにより配線パターン103aと105aとを電気的に接続する。次いで下面側の配線パターン105aを介してベアチップ等の半導体素子120を実装する。一方、上面側の配線パターン103aの接合部以外の部分はソルダーレジスト104で覆い、接合部にハンダボール130を溶着して半導体装置100を完成させる。
【0004】
ところで、昨今のIT機器の小型化への要求は日々高まる一方であり、プリント配線基板に対する要求も例外ではなく、小型化や高集積化の要請が高いと同時に低価格化も要請されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のスルホール型の製造方法では、配線パターンとは別にスルホール接続のための貫通孔が必要となるため、高集積化への妨げとなっている。更にスルホール接続するための機械的穴あけ工程やメッキ工程などが必要なため、製造コストが高く、低価格化の障害になるという問題が有る。更にスルーホールにメッキをするためメッキを厚くつけなくてはならず、配線パターンの解像度が低下するため、L/S値(ライン・アンド・スペース比)はせいぜい75/75(μm)止まりである。また、ハンダボール形成のためのソルダーレジストを上面に塗布する工程が必要となり、コスト上昇に繋がるという問題もある。本発明は上記の従来の問題を解決するためになされた発明である。即ち、本発明は低価格でしかも集積度の高いプリント配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する貫通部とを有する金属配線部材とを具備することを特徴とする。
【0007】
前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、金属板の片面にハーフエッチング処理してバンプを形成した部材を挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、金属板の片面に略円錐形の金属バンプを形成した形状を備えているものを挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属バンプの例として、金属板の片面にハーフエッチング処理して得られる形状を備えているものを挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、高さ50〜150μm、頭部半径20〜80μm、底部半径80〜200μmを有する金属バンプを片面に備えているものを挙げることができる。
【0008】
本発明のプリント配線基板の製造方法は、金属板表面にマスキングする工程と、前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層表面を研磨する工程と、前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0009】
本発明の他のプリント配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する第1の金属製の底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した第1の金属製の頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する第1の金属製の貫通部と、前記貫通部と前記底部との間に介挿入された第2の金属製のバリア層とを有する金属配線部材とを具備することを特徴とする。
【0010】
前記他のプリント配線基板において、前記第1の金属の例として銅又は銅合金を挙げることができ、前記第2の金属の例として、ニッケル又はニッケル合金を挙げることができる。前記他のプリント配線基板において、前記配線パターンのL/S値が25/25〜50/50(μm/μm)であるものを挙げることができる。
【0011】
前記プリント配線基板において、前記金属バンプの例として、前記底部の厚さが5〜20μmであり、前記バリア層の厚さが0.3〜3μmであり、前記貫通部の厚さが50〜150μmであるものを挙げることができる。
【0012】
本発明の他のプリント配線基板の製造方法は、三層からなる金属板の一の表面にマスキングする工程と、前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層表面を研磨する工程と、前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【0013】
本発明によれば、バンプ貫通型の金属配線部材を用いて層間接続しているので低コストで製造することができる。またメッキ工程が不要なので低コストで高集積度の配線パターンを備えた金属プリント配線基板を得ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図1は本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の各工程の流れを示したフローチャートであり、図2、図3及び図4は本実施形態に係るプリント配線基板の製造途中の各段階のものを模式的に示した断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板1を製造するには、図2(a)に示したように、まず銅板などの金属板11を用意する。この金属板11としては例えば無酸素銅や、銅合金などが挙げられる。銅合金としては、例えばCr、Snなどの金属を0.2%含んだものを用いる事ができる。この金属板11の厚さは形成しようとする金属バンプの高さや残厚に応じて選択する。例えば、高さ約130μmの金属バンプを形成し、約20μmの残厚が必要である場合、金属板11は厚さ約150μmのものを用いる。
【0015】
次に図2(b)に示したように、この金属板11の表面のうち、ハーフエッチングを施す方の面、例えば図2(b)中では金属板11の上面側に第1のマスキング16を形成する(ステップ1)。この第1のマスキング16を形成する方法としては、最初に感光性樹脂を塗布し、乾燥させた後マスクパターンを介して選択的に露光し、部分的に硬化させ、次いで現像して不要部分を溶解除去するフォトリソグラフ法などが挙げられる。
【0016】
一方金属板11の表面のうち、ハーフエッチングを施さない方の面、図2(b)中の下面側には表面全体にわたって保護層17を形成する。保護層17としてはレジストを全面に形成したもの、或いは粘着性のフィルムを貼り付けたものなどを使用できる。こうして、図2(b)に示したように、金属板11の上表面に第1のマスキング16が形成され、金属板11の下表面には保護層17が形成される。
【0017】
この状態で金属板11の上面側にハーフエッチング処理を施す(ステップ2)。このハーフエッチング処理の方法としては、エッチング液を噴霧するスプレー法、エッチング液槽中に第1のマスキング16と保護層17とを形成した金属板11を浸漬する湿式法、或いはプラズマなどのエネルギー波を衝突させる乾式法などを挙げることができる。
【0018】
今、スプレー法を例にして説明すると、図2(b)に示した状態の金属板11の上面側からエッチング液を噴霧すると、霧状に噴霧されたエッチング液は第1のマスキング16と第1のマスキング16との間の露出した表面の金属板11を侵蝕し、更に第1のマスキング16の下面側にまで回り込んで金属板11をエッチングしてゆく。ここで用いるエッチング液としては以下のようなものを用いることができる。例えば、塩化第2鉄水溶液、塩化第2銅水溶液、及び銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリ水溶液からなるエッチング液が挙げられる。
【0019】
このエッチング処理を適当なところで停止すると(ハーフエッチング/ステップ2)、図2(c)のように放物線或いは楕円状の曲線で描かれる断面形状(負の曲率半径を有する曲面)を呈する金属バンプ11B,11B,…が得られる。これらの金属バンプ11B,11B,…はその根元部分11Aで繋がっている。
【0020】
次に第1のマスキング16と保護層17とを除去し(ステップ3)、表面を洗浄してエッチング液を除去すると図2(d)に示したような金属バンプ11B,11B,…を備えたバンプ付金属板11Cが得られる。
【0021】
図5はハーフエッチング処理後に得られる金属バンプの斜視図及び断面図であり、図6はこの第2のマスキング15側からのエッチングにより形成される、配線パターンと金属バンプとの結合部の斜視図及び断面図であり、図7はハーフエッチング処理後に得られる金属バンプの電子顕微鏡写真であり、図8は第2のマスキング15側からのエッチングにより形成される、配線パターンと金属バンプとの結合部の電子顕微鏡写真である。
【0022】
図5及び図7に示したように、金属板11の片面をハーフエッチングすることにより、略円錐形の金属バンプ11Bが形成される。この金属バンプ11Bの断面は円錐台の側面を凹型曲面に置換した形状を備えており、換言すれば負の曲率半径を有する曲面を側面に備えている。図5及び図7に示したように、金属バンプ11Bの上部は半径30〜150μm程度の円形に仕上げることが可能であり、金属バンプ11Bの高さは50〜150μm程度に仕上げることが可能である。実際の製品では、金属バンプの上部は半径40〜100μm程度の円形に仕上げることが好ましく、また、金属バンプ11Bの高さは70〜120μm程度に仕上げることが好ましい。
【0023】
この金属バンプ11Bを備えたバンプ付金属板11Cにおいて、金属バンプが形成された部分以外の導体板の厚み(残厚)は、後に配線を形成するために、40μm以下が好ましく、そのバラツキは残厚に対して±30%以下にすることが好ましい。残厚が40μmより厚いと、後の工程でファインな回路を形成することが困難になる。残厚の調整は、ハーフエッチングを行う際のエッチング液のスプレー圧等の調整によって行う。また、金属バンプと導体板は同一の金属材料からなることが好ましく、こうすることによって金属バンプが剥離したりすることがなく、金属バンプと導体板の間の熱伝導性が良好で、放熱効果が高くなるという利点がある。
【0024】
次にこうして形成した金属バンプ11B,11B,…の上に、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成した、例えば厚さ60μmのプリプレグ(図示省略)を重ね合わせ(ステップ4)、ゴムシートのような弾性体に当接させた状態で加熱下に加圧(ヒートプレス)する(ステップ5)。このヒートプレスの結果、図2(e)に示したように絶縁材料層12を金属バンプ11B,11B,…が貫通した配線板ユニット13が得られる。
【0025】
なお、絶縁材料層12の形成の仕方としては上記の方法以外にも、光硬化型エポキシ樹脂を用いて真空ラミネーションやロールラミネーションにより塗工した後硬化する方法や、ポリアミック酸樹脂を用いてウェットラミネーションにより塗工した後硬化する方法などが挙げられる。
【0026】
次にこの配線板ユニット13の絶縁材料層形成面(図中上面)を表面研磨する(ステップ6)。図3(f)に示したように、この表面研磨工程により配線板ユニット13の全体の厚さは約100〜150μmにまで薄く成形される。また絶縁材料層12の表面と共に金属バンプ11Bの頭部も研磨られ、例えば頭部の半径が70〜100μmになるまで研磨される。こうした工程の後、図3(g)に示したように配線板ユニット13の金属板露出面側(図中下面)に第2のマスキング15を例えばフォトリソグラフ法などの既知の方法で形成する(ステップ8)。配線板ユニット13の上面側を保護層(図中省略)で覆った後、エッチング液中に浸漬するなどによりバンプ付金属板11Cの底部11Aをエッチングして(ステップ9)パターニングし、図3(h)に示したように配線板ユニット13の下面側に配線パターン11Dを形成する。次いで前記保護層と第2のマスキング15を除去すると図3(i)に示したような配線板ユニット13aが得られる。こうして形成した配線板ユニット13aの配線パターン11D上にベアチップ等の半導体素子30を実装し(ステップ10)、配線板ユニット13aの上面に露出した金属バンプ11B頭部にハンダボール40を溶着することにより、半導体装置50が得られる。
【0027】
以上説明したように本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、スルーホールを形成する必要がないので、工数を少なくすることができ、製造コストを低く抑えることができる。また、スルーホール穿孔用のスペースを確保する必要がないので、プリント配線基板の表面全体に配線パターンを形成することができ、集積密度の高い配線パターンを形成することができる。更に本実施形態に係る方法では、メッキ工程が不要なので製造コストを低下させ、しかも集積密度の高い配線パターンを形成することができる。例えば図3(i)に示したプリント配線基板では、L/S値=40/40(μm/μm)程度の高密度の配線パターンを形成することが出来た。また、プリント配線基板表面にソルダーレジスト層を形成する必要がないので、製造コストを低下させることができる。
【0028】
更に本実施形態に係る方法では、金属板11をエッチングして形成した金属バンプ11B,11B,…を用いて層間接続を行うので、金属バンプ11B,11B,…の高さのバラツキが小さく、接続信頼性の高い層間接続を形成することができる。
【0029】
更に本実施形態に係るプリント配線基板では、単一材料からなる金属板11を上面側からのハーフエッチングと裏面側からのエッチングとにより加工して金属バンプ11B,11B,…と配線パターンとを形成するので、安価な材料を用いることができ、製品コストを低く抑えることができる。
【0030】
なお、本実施形態では図3(j)のように配線パターン11Dとハンダボール40とをプリント配線基板の反対側に配設したが、図4に示したように配線パターン11Dとハンダボール40とをプリント配線基板の反対側に配設しても良い。
【0031】
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図9は本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の各工程の流れを示したフローチャートであり、図10、及び図11は本実施形態に係るプリント配線基板の製造途中の各段階のものを模式的に示した断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板1Aを製造するには、図10(a)に示したように、まず銅板などの金属板21を用意する。この金属板21は三層構造を有しており、第1の金属からなる第1層21a及び第3層21c、と第2の金属からなる第2層21bとから形成されている。各層の厚さは第1層21aが100〜150μm、第2層21bが0.3〜3μm、第3層21cが5〜20μmであるのが好ましい。
【0032】
前記第1の金属としては例えば無酸素銅や、銅合金などが挙げられる。銅合金としては、例えばCr、Snなどの金属を0.2%含んだものを用いる事ができる。前記第2の金属としては前記第1の金属のエッチングに対してエッチングバリアとして機能する金属、例えばニッケル又はニッケル合金を挙げることができる。
【0033】
各層の厚さは形成しようとする金属バンプの高さや残厚に応じて選択する。例えば、高さ約130μmの金属バンプを形成し、約20μmの残厚が必要である場合、第1層21aと第2層21bの厚さの合計が約130μmのものを用い、第3層21cの厚さが約20μmのものを用いる。
【0034】
次に図10(b)に示したように、この金属板21の表面のうち、エッチングを施す方の面、例えば図10(b)中では金属板21の上面側に第1のマスキング26を形成する(ステップ1)。
【0035】
一方金属板21の表面のうち、エッチングを施さない方の面、図10(b)中の下面側には表面全体にわたって保護層27を形成する。こうして図10(b)に示したように金属板21の上表面に第1のマスキング26が形成され、金属板21の下表面には保護層27が形成される。この状態で金属板21の上面側にエッチング処理を施す(ステップ2)。
【0036】
ここで用いるエッチング液としては以下のようなものを用いることができる。例えば、銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリ水溶液からなるエッチング液が挙げられる。
【0037】
このエッチングが進んで第1層21aが無くなり、第2層21bが露出するとエッチングが停止して図10(c)のような状態になる。すなわち放物線或いは楕円状の曲線で描かれる断面形状(負の曲率半径を有する曲面)を呈する金属バンプ22,22,…が得られる。これらの金属バンプ22,22,…はその根元部分の第2層21b及び第3層21cで繋がっている。
【0038】
次いで、エッチング液を変えて第2層21bをエッチング処理する(ステップ3)。ここではエッチング液を選択することにより第2層21bのみを選択的にエッチングする。エッチング液として、例えばフッ素系薬品(メルテックス社製MN−956)と硫酸と過酸化水素水の混合液を用いることにより第2層21bを選択的に除去する。
【0039】
次に第1のマスキング26と保護層27とを除去し(ステップ4)、表面を洗浄してエッチング液を除去すると図10(d)に示したような金属バンプ22,22,…を備えたバンプ付金属板28が得られる。
【0040】
この金属バンプ22を備えたバンプ付金属板28において、金属バンプが形成された部分以外の導体板の厚み(残厚)すなわち第3層21cの厚さは、後に配線を形成するために、40μm以下が好ましく、そのバラツキは残厚に対して±30%以下にすることが好ましい。残厚が40μmより厚いと、後の工程でファインな回路を形成することが困難になる。
【0041】
次にこうして形成した金属バンプ22,22,…の上に、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成した、例えば厚さ60μmのプリプレグ(図示省略)を重ね合わせ(ステップ5)、ゴムシートのような弾性体に当接させた状態で加熱下に加圧(ヒートプレス)する(ステップ6)。このヒートプレスの結果、図10(e)に示したように絶縁材料層24を金属バンプ22,22,…が貫通した配線板ユニット23が得られる。
【0042】
次にこの配線板ユニット13の絶縁材料層形成面(図中上面)を表面研磨する(ステップ7)。図11(f)に示したように、この表面研磨工程により配線板ユニット23の全体の厚さは約100〜150μmにまで薄く成形される。また絶縁材料層24の表面と共に金属バンプ22の頭部も研磨られ、例えば頭部の半径が20〜80μmになるまで研磨される。こうした工程の後、図11(g)に示したように配線板ユニット23の金属板露出面側(図中下面)に第2のマスキング29を例えばフォトリソグラフ法などの既知の方法で形成する(ステップ8)。配線板ユニット23の上面側を保護層(図中省略)で覆った後、エッチング液中に浸漬するなどによりバンプ付金属板28の底部をエッチングして(ステップ9)パターニングし、図11(h)に示したように配線板ユニット23の下面側に配線パターン22Aを形成する。次いで前記保護層と第2のマスキング29を除去すると(ステップ10)図11(i)に示したような配線板ユニット23aが得られる。こうして形成した配線板ユニット23aの配線パターン22A上にベアチップ等の半導体素子30を実装し(ステップ11)、配線板ユニット23aの上面に露出した金属バンプ22頭部にハンダボール40を溶着することにより、半導体装置60が得られる。
【0043】
本実施形態に係る方法では、エッチングバリアとして機能する第2層21bを介挿した三層構造の金属板21を用いて金属バンプや配線パターンを形成するので、配線パターンを形成する層の厚さを均一にすることができ配線パターンの密度を高くすることができる。
【0044】
また配線層の厚みが均一であることから配線を形成する前に、配線層の厚みをエッチングで5〜20μm程度に薄くすることができる。その後配線を形成することで配線密度を高くすることができる。例えば図11(i),図11(j)に示した構造の配線パターンでは配線密度をL/S値=25/25(μm/μm)まで上げることができる。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、バンプ貫通型の金属配線部材を用いて層間接続しているので低コストで製造することができる。またメッキ工程が不要なので低コストで高集積度の配線パターンを備えた金属プリント配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示したフローチャートである。
【図2】第1の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図3】第1の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図4】第1の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図5】第1の実施形態に係る金属バンプの斜視図及び断面図である。
【図6】第1の実施形態に係る金属バンプと配線パターンの斜視図と断面図である。
【図7】第1の実施形態に係る金属バンプの電子顕微鏡写真である。
【図8】第1の実施形態に係る金属バンプの電子顕微鏡写真である。
【図9】第2の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示したフローチャートである。
【図10】第2の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図11】第2の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図12】従来の配線板の断面図である。
【符号の説明】
11C…金属配線部材、11D…配線パターン、13…プリント配線基板、11…金属板、11B…金属バンプ、16…第1のマスキング、15…第2のマスキング、12…絶縁材料層(プリプレグ)。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and more particularly to a so-called through-conductor type printed wiring board and a method for manufacturing a printed wiring board in which wiring layers are connected by a through-type conductive wiring portion.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method of manufacturing a printed wiring board, a method of manufacturing a through-hole type printed wiring board 100 in which an interlayer connection is formed using a through-hole plating layer is known. FIG. 12 is a sectional view schematically showing the structure of a conventional typical through-hole type printed wiring board.
[0003]
In this method, first, a two-layer board 110 in which copper foils 103 and 105 are laminated on both sides of an insulating substrate 101 is prepared, and the copper foils 103 and 105 on both sides of the two-layer board 110 are patterned to form wiring patterns 103a and 103a. 105a is formed. Thereafter, through holes 107 and 109 are mechanically formed at predetermined positions of the two-layer plate 110 by a drill or the like. Next, a metal layer is deposited by applying electroless plating or the like to the inner walls of the through holes 107 and 109 to form through holes 107a and 109a, and the through holes 107a and 109a electrically connect the wiring patterns 103a and 105a. . Next, the semiconductor element 120 such as a bare chip is mounted via the wiring pattern 105a on the lower surface side. On the other hand, portions other than the joint of the wiring pattern 103a on the upper surface side are covered with the solder resist 104, and the solder ball 130 is welded to the joint to complete the semiconductor device 100.
[0004]
By the way, the demand for miniaturization of IT equipment has been increasing day by day, and the demand for a printed wiring board is no exception. There is a high demand for miniaturization and high integration and also a demand for a low price.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described conventional through-hole type manufacturing method requires through-holes for through-hole connection in addition to the wiring pattern, which hinders high integration. Furthermore, since a mechanical drilling step and a plating step for through-hole connection are required, there is a problem that the manufacturing cost is high and an obstacle to a reduction in price is obstructed. Further, plating must be made thicker in order to plate through holes, and the resolution of the wiring pattern is reduced. Therefore, the L / S value (line and space ratio) is at most 75/75 (μm). . In addition, a step of applying a solder resist for forming a solder ball on the upper surface is required, which leads to an increase in cost. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. That is, an object of the present invention is to provide a printed wiring board which is inexpensive and highly integrated, and a method for manufacturing the same.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The printed wiring board of the present invention includes an insulating substrate, a bottom portion forming a wiring pattern covering one surface of the insulating substrate, a head exposed on another surface of the insulating substrate, and A metal wiring member having a penetrating portion penetrating the insulating substrate over the head.
[0007]
In the printed wiring board, as an example of the metal wiring member, a member in which one surface of a metal plate is half-etched to form a bump can be given. In the printed wiring board, an example of the metal wiring member may include a metal plate having a substantially conical metal bump formed on one surface of a metal plate. In the printed wiring board, as an example of the metal bump, a metal bump having a shape obtained by half-etching one surface of a metal plate can be given. In the printed wiring board, an example of the metal wiring member includes a metal bump having a height of 50 to 150 μm, a head radius of 20 to 80 μm, and a bottom radius of 80 to 200 μm on one surface.
[0008]
The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes a step of masking a metal plate surface, and a step of forming a substantially conical metal bump from the bottom surface of the metal plate by half-etching the metal plate via the masking. Forming a metal plate with a bump, forming an insulating layer on a bump forming surface of the metal plate with a bump, polishing the surface of the insulating layer, and patterning a bottom surface of the metal plate with a bump to form the insulating layer. Forming a wiring pattern on the lower surface side of the layer.
[0009]
Another printed wiring board of the present invention includes an insulating substrate, a first metal bottom portion forming a wiring pattern covering one surface of the insulating substrate, and exposed to another surface of the insulating substrate. A first metal head, a first metal penetrating portion penetrating the insulating substrate from the bottom to the head, and a second metal interposed between the penetrating portion and the bottom. And a metal wiring member having a metal barrier layer.
[0010]
In the other printed wiring board, an example of the first metal may include copper or a copper alloy, and an example of the second metal may include nickel or a nickel alloy. Among the other printed wiring boards, there may be mentioned those in which the L / S value of the wiring pattern is 25/25 to 50/50 (μm / μm).
[0011]
In the printed wiring board, as an example of the metal bump, the bottom portion has a thickness of 5 to 20 μm, the barrier layer has a thickness of 0.3 to 3 μm, and the through portion has a thickness of 50 to 150 μm. Can be mentioned.
[0012]
Another method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes the steps of: masking one surface of a metal plate having three layers; and half-etching the metal plate through the masking to form a substantially conical shape from the bottom surface of the metal plate. Forming a metal plate with bumps on which the metal bumps are extended; forming an insulating layer on a bump forming surface of the metal plate with bumps; polishing the surface of the insulating layer; Patterning the bottom surface of the plate to form a wiring pattern on the lower surface side of the insulating layer.
[0013]
According to the present invention, since the interlayer connection is made by using the metal wiring member of the bump penetration type, it can be manufactured at low cost. Further, since a plating step is unnecessary, a metal printed wiring board having a wiring pattern of high integration at a low cost can be obtained.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(1st Embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a flowchart showing the flow of each step of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment. FIGS. 2, 3 and 4 show steps in the course of manufacturing the printed wiring board according to the present embodiment. It is sectional drawing which showed the thing typically. To manufacture the printed wiring board 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 2A, first, a metal plate 11 such as a copper plate is prepared. Examples of the metal plate 11 include oxygen-free copper and copper alloy. As the copper alloy, for example, an alloy containing 0.2% of a metal such as Cr or Sn can be used. The thickness of the metal plate 11 is selected according to the height and the remaining thickness of the metal bump to be formed. For example, when a metal bump having a height of about 130 μm is formed and a remaining thickness of about 20 μm is required, the metal plate 11 having a thickness of about 150 μm is used.
[0015]
Next, as shown in FIG. 2B, of the surface of the metal plate 11 on which half etching is to be performed, for example, the first masking 16 is formed on the upper surface side of the metal plate 11 in FIG. 2B. Is formed (step 1). As a method of forming the first masking 16, a photosensitive resin is first applied, dried, selectively exposed through a mask pattern, partially cured, and then developed to remove unnecessary portions. For example, a photolithographic method of dissolving and removing is used.
[0016]
On the other hand, a protective layer 17 is formed over the entire surface of the surface of the metal plate 11 on which half etching is not performed, that is, on the lower surface side in FIG. 2B. As the protective layer 17, a material in which a resist is formed on the entire surface, a material in which an adhesive film is attached, or the like can be used. Thus, as shown in FIG. 2B, the first masking 16 is formed on the upper surface of the metal plate 11, and the protective layer 17 is formed on the lower surface of the metal plate 11.
[0017]
In this state, a half etching process is performed on the upper surface side of the metal plate 11 (Step 2). As a method of the half-etching treatment, a spray method of spraying an etching solution, a wet method of immersing the metal plate 11 on which the first masking 16 and the protective layer 17 are formed in an etching solution tank, or an energy wave such as plasma And a dry method of colliding the particles.
[0018]
Now, the spraying method will be described as an example. When the etching solution is sprayed from the upper surface side of the metal plate 11 in the state shown in FIG. The metal plate 11 on the exposed surface between the first masking 16 and the first masking 16 is eroded, and further goes down to the lower surface side of the first masking 16 to etch the metal plate 11. The following can be used as the etchant used here. For example, an etching solution composed of an aqueous ferric chloride solution, an aqueous cupric chloride solution, and an alkaline aqueous solution containing copper ammonium complex ions as a main component can be used.
[0019]
When this etching process is stopped at an appropriate point (half etching / step 2), the metal bump 11B having a sectional shape (a curved surface having a negative radius of curvature) drawn by a parabola or an elliptic curve as shown in FIG. , 11B,... Are obtained. These metal bumps 11B, 11B,... Are connected by a root portion 11A.
[0020]
Next, the first masking 16 and the protective layer 17 are removed (step 3), and the surface is washed to remove the etchant, thereby providing metal bumps 11B, 11B,... As shown in FIG. A metal plate 11C with bumps is obtained.
[0021]
FIG. 5 is a perspective view and a cross-sectional view of a metal bump obtained after the half-etching process. FIG. 6 is a perspective view of a joint between the wiring pattern and the metal bump formed by etching from the second masking 15 side. 7 is an electron micrograph of the metal bump obtained after the half-etching process, and FIG. 8 is a joint between the wiring pattern and the metal bump formed by etching from the second masking 15 side. FIG.
[0022]
As shown in FIGS. 5 and 7, by half-etching one surface of the metal plate 11, a substantially conical metal bump 11B is formed. The cross section of the metal bump 11B has a shape in which the side surface of the truncated cone is replaced with a concave curved surface, in other words, the side surface has a curved surface having a negative radius of curvature. As shown in FIGS. 5 and 7, the upper portion of the metal bump 11B can be finished in a circular shape with a radius of about 30 to 150 μm, and the height of the metal bump 11B can be finished to about 50 to 150 μm. . In an actual product, the upper part of the metal bump is preferably finished in a circular shape with a radius of about 40 to 100 μm, and the height of the metal bump 11B is preferably finished in about 70 to 120 μm.
[0023]
In the metal plate with bumps 11C provided with the metal bumps 11B, the thickness (remaining thickness) of the conductor plate other than the portion where the metal bumps are formed is preferably 40 μm or less in order to form wiring later. It is preferable to set the thickness to ± 30% or less. If the remaining thickness is larger than 40 μm, it becomes difficult to form a fine circuit in a later step. The adjustment of the remaining thickness is performed by adjusting the spray pressure of an etching solution when performing half etching. In addition, the metal bumps and the conductor plate are preferably made of the same metal material, so that the metal bumps do not peel off, the heat conductivity between the metal bumps and the conductor plate is good, and the heat dissipation effect is high. There is an advantage that it becomes.
[0024]
Next, a prepreg (not shown) having a thickness of, for example, 60 μm, formed by impregnating a glass cloth with an epoxy resin, is overlaid on the metal bumps 11B, 11B,. Pressure (heat press) is applied under heating in a state of contact with such an elastic body (step 5). As a result of this heat pressing, a wiring board unit 13 in which the metal bumps 11B, 11B,... Penetrate the insulating material layer 12 as shown in FIG.
[0025]
As the method of forming the insulating material layer 12, in addition to the above-described methods, a method of applying a photo-curable epoxy resin by vacuum lamination or roll lamination followed by curing, or a method of wet lamination using a polyamic acid resin is used. And curing after coating.
[0026]
Next, the surface of the wiring board unit 13 on which the insulating material layer is formed (the upper surface in the figure) is polished (step 6). As shown in FIG. 3F, the entire thickness of the wiring board unit 13 is reduced to about 100 to 150 μm by this surface polishing step. The head of the metal bump 11B is polished together with the surface of the insulating material layer 12, for example, until the radius of the head becomes 70 to 100 μm. After these steps, as shown in FIG. 3G, a second masking 15 is formed on the exposed side of the metal plate of the wiring board unit 13 (the lower surface in the figure) by a known method such as a photolithographic method (see FIG. 3G). Step 8). After the upper surface side of the wiring board unit 13 is covered with a protective layer (omitted in the figure), the bottom 11A of the metal plate with bumps 11C is etched by dipping in an etchant or the like (step 9), and is patterned, as shown in FIG. As shown in h), the wiring pattern 11D is formed on the lower surface side of the wiring board unit 13. Next, when the protective layer and the second masking 15 are removed, a wiring board unit 13a as shown in FIG. 3 (i) is obtained. The semiconductor element 30 such as a bare chip is mounted on the wiring pattern 11D of the wiring board unit 13a thus formed (step 10), and the solder balls 40 are welded to the heads of the metal bumps 11B exposed on the upper surface of the wiring board unit 13a. Thus, the semiconductor device 50 is obtained.
[0027]
As described above, in the method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment, since it is not necessary to form a through hole, the number of steps can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced. Further, since it is not necessary to secure a space for drilling through holes, a wiring pattern can be formed on the entire surface of the printed wiring board, and a wiring pattern with a high integration density can be formed. Further, in the method according to the present embodiment, a plating step is unnecessary, so that the manufacturing cost can be reduced, and a wiring pattern with a high integration density can be formed. For example, in the printed wiring board shown in FIG. 3I, a high-density wiring pattern with an L / S value of about 40/40 (μm / μm) could be formed. Further, since it is not necessary to form a solder resist layer on the surface of the printed wiring board, manufacturing costs can be reduced.
[0028]
Further, in the method according to the present embodiment, interlayer connection is performed using the metal bumps 11B, 11B,... Formed by etching the metal plate 11, so that the height variation of the metal bumps 11B, 11B,. A highly reliable interlayer connection can be formed.
[0029]
Further, in the printed wiring board according to the present embodiment, the metal plate 11 made of a single material is processed by half etching from the upper surface side and etching from the rear surface side to form metal bumps 11B, 11B,... And a wiring pattern. Therefore, an inexpensive material can be used, and the product cost can be reduced.
[0030]
In this embodiment, the wiring pattern 11D and the solder ball 40 are arranged on the opposite side of the printed wiring board as shown in FIG. 3 (j). However, as shown in FIG. May be arranged on the opposite side of the printed wiring board.
[0031]
(Second embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a flowchart showing the flow of each step of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment. FIGS. 10 and 11 show steps in the course of manufacturing the printed wiring board according to the present embodiment. It is sectional drawing which showed typically. In order to manufacture the printed wiring board 1A according to the present embodiment, as shown in FIG. 10A, first, a metal plate 21 such as a copper plate is prepared. The metal plate 21 has a three-layer structure, and includes a first layer 21a and a third layer 21c made of a first metal, and a second layer 21b made of a second metal. The thickness of each layer is preferably 100 to 150 μm for the first layer 21a, 0.3 to 3 μm for the second layer 21b, and 5 to 20 μm for the third layer 21c.
[0032]
Examples of the first metal include oxygen-free copper and copper alloy. As the copper alloy, for example, an alloy containing 0.2% of a metal such as Cr or Sn can be used. Examples of the second metal include a metal that functions as an etching barrier against etching of the first metal, for example, nickel or a nickel alloy.
[0033]
The thickness of each layer is selected according to the height and remaining thickness of the metal bump to be formed. For example, when a metal bump having a height of about 130 μm is formed and a remaining thickness of about 20 μm is required, the first layer 21a and the second layer 21b having a total thickness of about 130 μm are used, and the third layer 21c is used. Having a thickness of about 20 μm.
[0034]
Next, as shown in FIG. 10B, the first masking 26 is formed on the surface of the metal plate 21 to be etched, for example, on the upper surface side of the metal plate 21 in FIG. 10B. (Step 1).
[0035]
On the other hand, a protective layer 27 is formed on the entire surface of the metal plate 21 on the side not subjected to etching, that is, on the lower surface side in FIG. 10B. Thus, as shown in FIG. 10B, the first masking 26 is formed on the upper surface of the metal plate 21, and the protective layer 27 is formed on the lower surface of the metal plate 21. In this state, an etching process is performed on the upper surface side of the metal plate 21 (Step 2).
[0036]
The following can be used as the etchant used here. For example, an etching solution composed of an aqueous alkali solution containing copper ammonium complex ions as a main component is exemplified.
[0037]
When this etching proceeds and the first layer 21a disappears, and the second layer 21b is exposed, the etching stops and the state as shown in FIG. That is, the metal bumps 22, 22,... Exhibiting a cross-sectional shape (curved surface having a negative radius of curvature) drawn by a parabola or an elliptic curve are obtained. Are connected by a second layer 21b and a third layer 21c at the roots thereof.
[0038]
Next, the second layer 21b is etched by changing the etchant (step 3). Here, only the second layer 21b is selectively etched by selecting an etching solution. The second layer 21b is selectively removed by using, for example, a mixture of a fluorine-based chemical (MN-956 manufactured by Meltex Corporation), sulfuric acid, and hydrogen peroxide as an etchant.
[0039]
Next, the first masking 26 and the protective layer 27 are removed (step 4), and the surface is washed to remove the etchant, thereby providing metal bumps 22, 22,... As shown in FIG. A bumped metal plate 28 is obtained.
[0040]
In the metal plate with bumps 28 provided with the metal bumps 22, the thickness (remaining thickness) of the conductor plate other than the portion where the metal bumps are formed, that is, the thickness of the third layer 21c is 40 μm in order to form wiring later. Or less, and the variation is preferably ± 30% or less with respect to the remaining thickness. If the remaining thickness is larger than 40 μm, it becomes difficult to form a fine circuit in a later step.
[0041]
Next, a prepreg (not shown) having a thickness of, for example, 60 μm, which is formed by impregnating a glass cloth with an epoxy resin, is overlaid on the metal bumps 22, 22,. A pressure (heat press) is applied under heating while being in contact with such an elastic body (step 6). As a result of this heat pressing, a wiring board unit 23 in which the metal bumps 22, 22,... Penetrate the insulating material layer 24 as shown in FIG.
[0042]
Next, the surface of the wiring board unit 13 on which the insulating material layer is formed (the upper surface in the figure) is polished (step 7). As shown in FIG. 11F, the entire thickness of the wiring board unit 23 is reduced to about 100 to 150 μm by this surface polishing step. The head of the metal bump 22 is polished together with the surface of the insulating material layer 24, for example, until the radius of the head becomes 20 to 80 μm. After such a step, as shown in FIG. 11G, a second masking 29 is formed on the exposed side of the metal plate of the wiring board unit 23 (the lower surface in the figure) by a known method such as a photolithographic method (for example). Step 8). After the upper surface side of the wiring board unit 23 is covered with a protective layer (omitted in the figure), the bottom of the bumped metal plate 28 is etched by dipping in an etchant or the like (step 9) and is patterned, as shown in FIG. As shown in ()), the wiring pattern 22A is formed on the lower surface side of the wiring board unit 23. Next, when the protective layer and the second masking 29 are removed (step 10), a wiring board unit 23a as shown in FIG. 11 (i) is obtained. A semiconductor element 30 such as a bare chip is mounted on the wiring pattern 22A of the wiring board unit 23a thus formed (step 11), and a solder ball 40 is welded to the head of the metal bump 22 exposed on the upper surface of the wiring board unit 23a. Thus, the semiconductor device 60 is obtained.
[0043]
In the method according to the present embodiment, the metal bumps and the wiring patterns are formed using the three-layer metal plate 21 interposed with the second layer 21b functioning as an etching barrier. And the density of the wiring pattern can be increased.
[0044]
Further, since the thickness of the wiring layer is uniform, the thickness of the wiring layer can be reduced to about 5 to 20 μm by etching before forming the wiring. Thereafter, by forming wiring, the wiring density can be increased. For example, in the wiring pattern having the structure shown in FIGS. 11I and 11J, the wiring density can be increased to an L / S value = 25/25 (μm / μm).
[0045]
【The invention's effect】
According to the present invention, since the interlayer connection is made by using the metal wiring member of the bump penetration type, it can be manufactured at low cost. Further, since a plating step is unnecessary, a metal printed wiring board having a wiring pattern of high integration at a low cost can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart illustrating each step of a printed wiring board manufacturing method according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing each step of the printed wiring board manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating each step of the printed wiring board manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating each step of the printed wiring board manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 5 is a perspective view and a sectional view of a metal bump according to the first embodiment.
FIG. 6 is a perspective view and a sectional view of a metal bump and a wiring pattern according to the first embodiment.
FIG. 7 is an electron micrograph of a metal bump according to the first embodiment.
FIG. 8 is an electron micrograph of a metal bump according to the first embodiment.
FIG. 9 is a flowchart showing each step of the printed wiring board manufacturing method according to the second embodiment.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing each step of the printed wiring board manufacturing method according to the second embodiment.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing each step of the printed wiring board manufacturing method according to the second embodiment.
FIG. 12 is a cross-sectional view of a conventional wiring board.
[Explanation of symbols]
11C: metal wiring member, 11D: wiring pattern, 13: printed wiring board, 11: metal plate, 11B: metal bump, 16: first masking, 15: second masking, 12: insulating material layer (prepreg).

Claims (11)

絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する貫通部とを有する金属配線部材と
を具備することを特徴とするプリント配線基板
An insulating substrate;
A bottom part constituting a wiring pattern covering one surface of the insulating substrate, a head exposed on the other surface of the insulating substrate, and a penetrating part penetrating the insulating substrate from the bottom to the head. Printed circuit board comprising: a metal wiring member having
前記金属配線部材が、金属板の片面にハーフエッチング処理してバンプを形成した部材であることを特徴とする請求項1記載のプリント配線基板。The printed wiring board according to claim 1, wherein the metal wiring member is a member in which one surface of a metal plate is half-etched to form a bump. 前記金属配線部材が、金属板の片面に略円錐形の金属バンプを形成した形状を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプリント配線基板。The printed wiring board according to claim 1, wherein the metal wiring member has a shape in which a substantially conical metal bump is formed on one surface of a metal plate. 前記金属バンプが、金属板の片面にハーフエッチング処理して得られる形状を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1記載のプリント配線基板。The printed wiring board according to claim 1, wherein the metal bump has a shape obtained by half-etching one surface of a metal plate. 前記金属配線部材が、高さ50〜150μm、頭部半径20〜80μm、底部半径80〜200μmを有する金属バンプを片面に備えていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1記載のプリント配線基板。5. The metal wiring member according to claim 1, wherein a metal bump having a height of 50 to 150 μm, a head radius of 20 to 80 μm, and a bottom radius of 80 to 200 μm is provided on one side. Printed wiring board. 金属板表面にマスキングする工程と、
前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、
前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層表面を研磨する工程と、
前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程と
を具備することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
Masking the metal plate surface;
Forming a bumped metal plate in which a substantially conical metal bump is extended from the bottom surface of the metal plate by half-etching the metal plate via the masking;
Forming an insulating layer on the bump forming surface of the bumped metal plate,
Polishing the insulating layer surface,
Patterning a bottom surface of the metal plate with bumps to form a wiring pattern on the lower surface side of the insulating layer.
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する第1の金属製の底部と、
前記絶縁性基板の他の面に露出した第1の金属製の頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する第1の金属製の貫通部と、前記貫通部と前記底部との間に介挿入された第2の金属製のバリア層とを有する金属配線部材と
を具備することを特徴とするプリント配線基板
An insulating substrate;
A first metal bottom portion forming a wiring pattern covering one surface of the insulating substrate;
A first metal head exposed on the other surface of the insulating substrate, a first metal penetrating portion penetrating the insulating substrate from the bottom to the head, the penetrating portion, A metal wiring member having a second metal barrier layer interposed between the metal wiring member and the bottom portion.
前記第1の金属が銅又は銅合金であり、前記第2の金属がニッケル、ニッケル合金、チタン又はチタン合金であることを特徴する請求項7記載のプリント配線基板。The printed wiring board according to claim 7, wherein the first metal is copper or a copper alloy, and the second metal is nickel, a nickel alloy, titanium, or a titanium alloy. 前記配線パターンのL/S値が25/25〜50/50   (μm/μm)であることを特徴とする請求項7又は8に記載のプリント配線基板。The L / S value of the wiring pattern is 25/25 to 50/50     The printed wiring board according to claim 7, wherein the thickness is (μm / μm). 前記底部の厚さが5〜20μmであり、前記バリア層の厚さが0.3〜3μmであり、前記貫通部の厚さが50〜150μmであることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1記載のプリント配線基板。The thickness of the bottom portion is 5 to 20 μm, the thickness of the barrier layer is 0.3 to 3 μm, and the thickness of the through portion is 50 to 150 μm. A printed wiring board according to any one of the preceding claims. 三層からなる金属板の一の表面にマスキングする工程と、
前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、
前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層表面を研磨する工程と、
前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程と
を具備することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
A step of masking one surface of the three-layer metal plate,
Forming a bumped metal plate in which a substantially conical metal bump is extended from the bottom surface of the metal plate by half-etching the metal plate via the masking;
Forming an insulating layer on the bump forming surface of the bumped metal plate,
Polishing the insulating layer surface,
Patterning a bottom surface of the metal plate with bumps to form a wiring pattern on the lower surface side of the insulating layer.
JP2002256125A 2002-08-30 2002-08-30 Printed wiring board and its manufacturing method Pending JP2004095913A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002256125A JP2004095913A (en) 2002-08-30 2002-08-30 Printed wiring board and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002256125A JP2004095913A (en) 2002-08-30 2002-08-30 Printed wiring board and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004095913A true JP2004095913A (en) 2004-03-25

Family

ID=32061428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002256125A Pending JP2004095913A (en) 2002-08-30 2002-08-30 Printed wiring board and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004095913A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007037075A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Ain Co., Ltd. Process for producing wiring board, and wiring board
JP2009182274A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Sanyo Electric Co Ltd Device packaging board and method for manufacturing same, semiconductor module and method for manufacturing same, and portable device
JP2012064981A (en) * 2011-12-27 2012-03-29 Sanyo Electric Co Ltd Substrate for mounting element, manufacturing method of substrate for mounting element, semiconductor module, and manufacturing method of semiconductor module
KR101156917B1 (en) * 2010-05-24 2012-06-21 삼성전기주식회사 Substrate for a semiconductor package and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007037075A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Ain Co., Ltd. Process for producing wiring board, and wiring board
JP2009182274A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Sanyo Electric Co Ltd Device packaging board and method for manufacturing same, semiconductor module and method for manufacturing same, and portable device
KR101156917B1 (en) * 2010-05-24 2012-06-21 삼성전기주식회사 Substrate for a semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012064981A (en) * 2011-12-27 2012-03-29 Sanyo Electric Co Ltd Substrate for mounting element, manufacturing method of substrate for mounting element, semiconductor module, and manufacturing method of semiconductor module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9024207B2 (en) Method of manufacturing a wiring board having pads highly resistant to peeling
US7802361B2 (en) Method for manufacturing the BGA package board
JP4209178B2 (en) Electronic component mounting structure and manufacturing method thereof
JP3585796B2 (en) Multilayer wiring board manufacturing method and semiconductor device
WO2004103039A1 (en) Double-sided wiring board, double-sided wiring board manufacturing method, and multilayer wiring board
US7169313B2 (en) Plating method for circuitized substrates
KR100427794B1 (en) Method of manufacturing multilayer wiring board
JP2002343931A (en) Wiring board, manufacturing method thereof, multi-chip module, manufacturing method thereof, and multi-chip module mounting structure body
US6629366B1 (en) Method of producing a multilayer wiring board
US8186043B2 (en) Method of manufacturing a circuit board
JP4547164B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2004095913A (en) Printed wiring board and its manufacturing method
JP2001189561A (en) Multilayer wiring board and manufacturing method therefor
TWI383724B (en) Printed circuit board and manufacturing method thereof
JP4049618B2 (en) Printed wiring board, metal plate with relief pattern for printed wiring board, and method for manufacturing printed wiring board
JPH08124965A (en) Method of connecting semiconductor chip to multilayer wiring board
US6777314B2 (en) Method of forming electrolytic contact pads including layers of copper, nickel, and gold
JP2002290048A (en) Via forming method in multilayer circuit board
WO2003002786A1 (en) Electroplating method and printed wiring board manufacturing method
JP2004095914A (en) Printed wiring board and its manufacturing method
JP2002314255A (en) Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP2003204162A (en) Printed circuit board, metal plate with relief pattern therefor, and manufacturing method thereof
JP3497774B2 (en) Wiring board and its manufacturing method
JP4582277B2 (en) Method for forming columnar metal body and method for manufacturing multilayer wiring board
JP3695816B2 (en) Wiring etching method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050811

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060215

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070423

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20070508

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20071002

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02