JP2004082319A - Grinding method of chip and ring frame fixing mechanism - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等のチップを研削して所定の厚さに形成するチップの研削方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路が形成された半導体チップは、通常は、半導体ウェーハを所定の厚さに研削した後にダイシングすることにより形成される。
【0003】
近年は、携帯電話機、ノートブック型パソコン等の各種機器の薄型化、小型化、軽量化を図るために、半導体チップは100μm以下、50μm以下というように極めて薄く形成することが求められている。このような極めて薄い半導体チップについても、研削により半導体ウェーハを所定の厚さに形成した後にダイシングにより分割して個々の半導体チップとする手法を用いると、ダイシング時に半導体チップに欠けや割れが生じやすいという問題がある。
【0004】
そこで、このような弊害を回避すべく、ダイシングによって個々の半導体チップに分割した後に、その半導体チップを研削して所定の厚さに形成する技術が提案されている(例えば特許文献1、特許文献2参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平6−224299号公報(第3頁、第1図)
【特許文献2】
特開平2001−351890号公報(第5頁、第5図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1に開示された発明は、厚さを計測する手段を有していないため、チップの仕上がり厚さを把握できないという問題がある。また、研磨の対象となるチップは、粘着テープを介してフレームと一体となった状態でチャックテーブルの表面において保持されるため、研磨によりチップが薄くなっていくと、やがて研磨砥石がフレームに当接してしまい、チップをフレームより薄く研磨することは不可能である。
【0007】
一方、特許文献2に開示された発明においては上記のような弊害は生じないが、リングフレームも研削されるため、研削されて薄くなった後はチップを保持するというリングフレームとしての機能を果たせなくなり、後の搬送等に不都合が生じる。また、リングフレームは円形に切削することにより形成されるものであるため、製造に時間がかかるという問題がある。
【0008】
従って、半導体チップの研削においては、上記の不都合を回避し、効率的な方法で所望の厚さでかつ割れや欠けのないチップを形成することに課題を有している。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、チップの面を研削して所定の厚さとするチップの研削方法であって、リングフレームの開口部を塞ぐように貼着されたテープの中心領域にウェーハを貼着すると共に、ウェーハの周囲にチップを貼着するチップ貼着工程と、自転可能なチャックテーブルに、チップと一体となったリングフレームを固定するリングフレーム固定工程と、チャックテーブルを自転させると共に、回転する研削砥石をウェーハ及びチップに接触させて研削するチップ研削工程と、ウェーハの厚さを計測することにより間接的にチップの厚さを管理するチップ厚さ管理工程とから構成されるチップの研削方法を提供する。
【0010】
そしてこのチップの研削方法は、リングフレーム固定工程において、ウェーハ及びチップの研削に支障が生じない退避位置にリングフレームを退避させてチャックテーブルに固定すること、リングフレームの外周に複数の被係止部が形成されており、チャックテーブルは、リングフレームの内径より小径の吸着部と、被係止部を研削砥石に接触しない退避位置において固定する係止部とから構成され、リングフレーム固定工程においては、ウェーハ及びチップはテープを介して吸着部において吸着され、被係止部は退避位置において係止部によって係止されて固定されること、チップは半導体チップであり、ウェーハは半導体チップと同一の材質で形成されることを付加的要件とする。
【0011】
上記のように構成されるチップの加工方法によれば、分割された後のチップがウェーハの周囲においてテープに貼着されテープを介してリングフレームと一体となった状態で研削され、ウェーハの厚さを計測することによりチップの厚さを間接的に求めることができるため、チップが薄くなっても割れや欠けが生じることがない。
【0012】
また、リングフレームを退避位置に位置付けた状態で研削が行われるため、研削砥石がリングフレームに当接することがない。
【0013】
更に本発明は、開口部を塞ぐように貼着されたテープに被加工物が貼着されて被加工物と一体となったリングフレームをチャックテーブルに固定するリングフレーム固定機構であって、リングフレームの外周には複数の被係止部が形成されており、チャックテーブルは、リングフレームの内径より小径の吸着部と、被係止部を研削砥石に接触しない退避位置において固定する係止部とから構成され、被加工物は、テープを介して吸着部において吸着され、被係止部は、退避位置において係止部によって係止されて固定されるリングフレーム固定機構を提供する。
【0014】
このように構成されるリングフレーム固定機構によれば、リングフレームを構成する被係止部は研削砥石に接触しない退避位置において固定されるため、保持された被加工物の研削に支障を生じさせることなく円滑に所望の厚さまで研削を行うことができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例として、図1に示す研削装置10を用いて半導体チップを研削して所望の厚さとする場合について説明する。
【0016】
図1に示す研削装置10においては、基台11の端部から壁部12が起立して設けられており、この壁部12の内側の面には一対のレール13が垂直方向に配設され、レール13には支持板14が摺動可能に係合している。
【0017】
そして、パルスモータ15に駆動されて支持板14がレール13に沿って上下動するのに伴い、支持板14に取り付けられた研削手段16が昇降するように構成されている。
【0018】
また、基台11上には、ターンテーブル17に回転可能に配設され、更にターンテーブル17にはチャックテーブル18が自転及び公転可能に配設されている。また、ターンテーブル17の周囲には、チャックテーブル18に保持された被研削物の厚さを計測する厚さ計測手段17aが配設されている。厚さ計測手段としては、例えば触針式のハイトゲージを用いることができる。なお、チャックテーブル18は1つでもよいし、3つ以上配設されていてもよい。
【0019】
研削手段16においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル19の先端部に形成されたマウンタ19aに研削ホイール20が装着され、研削ホイール20の下面には研削砥石21が固着されている。そして、研削砥石21は、スピンドル19の回転に伴って回転する構成となっている。
【0020】
チャックテーブル18は、上面の中心部において被研削物を吸着する吸着部18aと、側面から外周側に突出してリングフレームを保持する複数の係止部18bとを備えている。なお、種々の大きさのリングフレームに対応するために、及び、リングフレームを固定する際の操作性向上のために、係止部18bはスライド可能に構成することが望ましい。
【0021】
研削しようとする半導体チップは、図2に示すリングフレーム22に保持される。このリングフレーム22は、中心部において開口する開口部22aと、外周側に突出する被係止部22bとが形成されたリング状の部材である。
【0022】
図3に示すように、このリングフレーム22の裏面側には粘着テープ23が粘着面を上に向けて貼着されて開口部22aを塞ぎ、粘着テープ23の中心領域に回路が形成されていない素材の半導体ウェーハ24が貼着され、更にその周囲に回路面を粘着テープ23に向け裏面がおもてになるように複数の半導体チップ25が貼着される(チップ貼着工程)。ここで貼着する半導体ウェーハ24は、例えば4インチ程度の比較的小さいものを用いる。
【0023】
このチップ貼着工程は、実際にはリングフレーム22の開口部22aに半導体ウェーハ24及び複数の半導体チップ25を配置し、テープ貼着装置を用いてリングフレーム22、半導体ウェーハ24、及び複数の半導体チップ25に同時に粘着テープ23を貼着することにより行われる。
【0024】
このようにして、リングフレーム22の被係止部22bがチャックテーブル18の係止部18bによって係止されて固定されると、粘着テープ23を介して半導体ウェーハ24及び複数の半導体チップ25が吸着部18aにおいて吸着される(リングフレーム固定工程)。ここで、吸着部18aは、リングフレーム22の内径、即ち開口部22aの外径より小径となっている。
【0025】
図4においては、リングフレーム22の被係止部22bがチャックテーブル18の係止部18bによって固定された状態を示しており、この状態では、リングフレーム22は、チャックテーブル18の吸着部18aの表面より下がった状態で固定されている。即ち、リングフレーム固定工程においては、リングフレーム22を、半導体ウェーハ24及び半導体チップ25の研削に支障が生じない退避位置に退避させる。
【0026】
ここで、半導体ウェーハ24と半導体チップ25とは、異なる材質であってもよいが、同一の材質であることが望ましい。例えば半導体チップ25がシリコンチップである場合は、半導体ウェーハ24もシリコンにより形成されていることが望ましい。
【0027】
そして、スピンドル19の回転に伴い研削砥石21が回転しながら研削手段16が下降すると共に、チャックテーブル18が自転し、回転する研削砥石21が半導体ウェーハ24及び半導体チップ25に接触して押圧力が加えられることにより、半導体ウェーハ24及び半導体チップ25の面が研削される(チップ研削工程)。
【0028】
半導体ウェーハ24は吸着部18aの中心部において保持されているため、図4に示したように、研削砥石21が常に半導体ウェーハ24の中心部と接触するように位置付けると、半導体ウェーハ24とその周囲の半導体チップ25とが均一に研削される。
【0029】
研削中は、厚さ計測手段17aを構成する1本の触針17bが半導体ウェーハ24の上面に接触することにより、半導体ウェーハ24の厚さを常時計測することができる(チップ厚さ管理工程)。従って、研削中にも半導体ウェーハ24の厚さを計測することによって間接的に半導体チップ25の厚さを正確に管理することができる。
【0030】
ここで、半導体チップ25の厚さを直接計測することも可能であるが、触針によって半導体チップ25を傷付けることになると共に研削を中断しなければならず極めて生産性が悪い。しかし、半導体ウェーハ24と半導体チップ25とは同時に研削され、両者の厚さは等しいため、半導体ウェーハ24の厚さから半導体チップ25の厚さを間接的に効率良く求めることができる。
【0031】
また、リングフレーム22の被係止部22bは、チャックテーブル18の吸着部18aより下がった位置である退避位置において固定されており、研磨砥石21がリングフレーム22に接触することがないため、研削を円滑に遂行できると共に、半導体ウェーハ24及び半導体チップ25が極めて薄くなるまで研削することができる。
【0032】
更に、研削後にダイシングによって分割する必要もないため、半導体チップに割れや欠けが生じることもない。従って、半導体チップの品質を向上させることができる。
【0033】
なお、本実施の形態においては、半導体チップを研削する場合を例に挙げて説明したが、研削の対象はこれには限られず、他の小片(チップ)であってもよい。
【0034】
次に、本発明に係る研削方法を実施するうえで好適に使用できるリングフレーム固定機構26について、図5に基づいて説明する。
【0035】
図2に示したリングフレーム22と全く同様のリングフレーム22は、開口部22aと、外周に突出して形成された4個の矢羽状の被係止部22bとから構成されており、開口部22aには粘着テープ23を介して被加工物が収容される。
【0036】
図3に示したチャックテーブル18と全く同様のチャックテーブル18は、吸着部18aと、吸着部18aを支持する本体部18fと、リングフレーム22の被係止部22bに係合しリングフレーム22をその上面が研削砥石に接触しない退避位置に退避させる4個の係止部18bとから構成されている。
【0037】
係止部18bは、被係止部22bの上面に当接しリングフレーム22を押し下げるチャンネル部18cと、チャンネル部18cを本体部18fの外周に固定する固定部18dとから構成されている。
【0038】
係止部18bを構成するチャンネル部18cの上面は、吸着部18aの上面と同じ高さか、またはこれより僅かに低い位置に位置付けられており、隣接するチャンネル部18cとの間隔はリングフレーム22を構成する被係止部22bの円周方向の幅より大きく形成されている。
【0039】
このように形成された、リングフレーム22とチャックテーブル18とによって本発明に係るリングフレーム固定機構26が構成される。
【0040】
次に、開口部22aに粘着テープ23を介して被加工物である半導体ウェーハWを収容したリングフレーム22をチャックテーブル18に固定する手順について図5に基づいて説明する。
【0041】
リングフレーム22に形成された4個の被係止部22bのそれぞれが、チャックテーブル18に形成された隣り合うチャンネル部18cの間に位置付けられると共に半導体ウェーハWが吸着部18aに位置付けられた状態で、リングフレーム22をチャックテーブル18に押し付ける。
【0042】
そして、リングフレーム22の被係止部22bの上面がチャックテーブル18に形成されたチャンネル部18cの下面より僅かに下がった位置に位置付けられた状態で4個の被係止部22bのそれぞれが4個のチャンネル部18cに収容されるまで、被係止部22bに形成された傾斜部22cの方向、即ち矢印Aで示す方向にリングフレーム22を回転させる。
【0043】
この状態でリングフレーム22の押し付けが解除されチャックテーブル18の吸着部18aに吸引力が伝達されると、半導体ウェーハWは粘着テープ23を介して吸着部18aに吸引保持され、リングフレーム22は係止部18bに係止される。
【0044】
なお、リングフレーム22の被係止部22bがチャンネル部18cに収容された際、リングフレーム22の回転が規制されるように、被係止部22bは傾斜部22cから漸次半径方向に広がるように形成されると共に、チャンネル部18cも被係止部22bの形状に対応して形成されることが好ましい。また、被係止部22b及びチャンネル部18cは4個に限らず、3個以上であれば何個でもよい。
【0045】
本発明に係るリングフレーム固定機構26を用いた研削の対象は、小片に限られず、分割される前の半導体ウェーハ等の被加工物であってもよい。特に、厚さが例えば100μm以下のように極めて薄く研削される半導体ウェーハについては研削後の取り扱いが困難になるため、例えば図5に示すリングフレーム22によって半導体ウェーハWを保持する。
【0046】
図5に示したように、リングフレーム固定機構26においては、リングフレーム22の開口部22aを塞ぐように貼着されたテープ23に半導体ウェーハWを貼着し、前述と同様の手順で半導体ウェーハWと一体となったリングフレーム22をチャックテーブル18に固定し、リングフレーム22が研削砥石に接触しない位置に退避させる。
【0047】
この状態では、図6に示すように、被加工物の一例である半導体ウェーハWは、テープ23を介して吸着部18aにおいて吸着され、リングフレーム22の被係止部22bは、研削砥石21に接触しない退避位置においてチャックテーブル18の係止部18bによって係止されて固定される。
【0048】
このようにして退避位置において被係止部22bを固定した状態とすると、リングフレーム22はチャックテーブル18の吸着部18aの表面より下がった状態で固定されるため、、半導体ウェーハWの研削中に研削砥石21がリングフレーム22に接触することなく研削を行うことができる。従って、半導体ウェーハWを円滑に所望の厚さまで研削することができる。
【0049】
なお、保持されるのは半導体ウェーハには限られず、このリングフレーム固定機構26を用いれば、すべての板状物の研削時にその板状物を保持することができる。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るチップの加工方法によれば、ウェーハを研削してから分割するのではなく、分割後にチップをウェーハの周囲においてテープに貼着しテープを介してリングフレームと一体となった状態で研削し、研削中のウェーハの厚さを計測することによりチップの厚さを間接的に求めて管理することができるため、チップが薄くなっても割れや欠けが生じることがなく所望の厚さとすることができ、チップの品質を向上させることができる。
【0051】
また、リングフレームを退避位置に位置付けた状態で研削が行われるため、研削砥石がリングフレームに当接することがなく、研削を円滑に遂行することができると共に、チップが極めて薄くなるまで研削することができる。
【0052】
更に、本発明に係るリングフレーム固定機構によれば、リングフレームを構成する被係止部は研削砥石に接触しない退避位置において固定されるため、保持された被加工物の研削に支障を生じさせることなく円滑に所望の厚さまで研削を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施に用いる研削装置の例を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施に用いるリングフレームの一例を示す斜視図である。
【図3】同リングフレームにテープを介して保持されたウェーハ及びチップと、同リングフレームとウェーハ及びチップとを保持するチャックテーブルとを示す斜視図である。
【図4】同ウェーハ及びチップを研削する様子を示す説明図である。
【図5】リングフレームにテープを介して保持された半導体ウェーハと、同リングフレームと半導体ウェーハとを保持するチャックテーブルとを示す斜視図である。
【図6】リングフレーム固定機構によって半導体ウェーハを保持して半導体ウェーハを研削する様子を示す説明図である。
【符号の説明】
10…研削装置 11…基台 12…壁部
13…レール 14…支持板 15…パルスモータ
16…研削手段 17…ターンテーブル
17a…厚さ計測手段 17b、17c…触針
18…チャックテーブル 18a…吸着部
18b…係止部 18c…チャンネル部
18d…固定部 18f…本体部 19…スピンドル
19a…マウンタ 20…研削ホイール
21…研削砥石 22…リングフレーム
22a…開口部 22b…被係止部
22c…傾斜部 23…粘着テープ
24…半導体ウェーハ 25…半導体チップ
26…リングフレーム固定機構 W…半導体ウェーハ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a chip grinding method for grinding a chip such as a semiconductor chip to a predetermined thickness.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor chip on which an integrated circuit is formed is usually formed by grinding a semiconductor wafer to a predetermined thickness and then dicing.
[0003]
In recent years, in order to reduce the thickness, size, and weight of various devices such as mobile phones and notebook personal computers, semiconductor chips have been required to be formed as extremely thin as 100 μm or less and 50 μm or less. Even for such an extremely thin semiconductor chip, if a method is used in which a semiconductor wafer is formed to a predetermined thickness by grinding and then divided by dicing to obtain individual semiconductor chips, chipping or cracking of the semiconductor chip is likely to occur during dicing. There is a problem.
[0004]
In order to avoid such an adverse effect, a technique has been proposed in which, after being divided into individual semiconductor chips by dicing, the semiconductor chips are ground to form a predetermined thickness (for example, Patent Document 1 and Patent Document 1). 2).
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-6-224299 (page 3, FIG. 1)
[Patent Document 2]
JP-A-2001-351890 (page 5, FIG. 5)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the invention disclosed in Patent Literature 1 does not have means for measuring the thickness, and thus has a problem that the finished thickness of the chip cannot be grasped. In addition, since the chip to be polished is held on the surface of the chuck table in a state of being integrated with the frame via the adhesive tape, as the chip becomes thinner due to polishing, the abrasive grindstone eventually hits the frame. It is impossible to grind the chip thinner than the frame.
[0007]
On the other hand, in the invention disclosed in Patent Document 2, although the above-mentioned adverse effects do not occur, since the ring frame is also ground, it can function as a ring frame that holds a chip after being ground and thinned. This causes inconvenience in later conveyance and the like. In addition, since the ring frame is formed by cutting into a circle, there is a problem that it takes time to manufacture.
[0008]
Therefore, in grinding a semiconductor chip, there is a problem in avoiding the above-mentioned inconvenience and forming a chip having a desired thickness and having no crack or chip by an efficient method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention as a specific means for solving the above problems is a method of grinding a chip to a predetermined thickness by grinding the surface of the chip, wherein the tape is adhered so as to close the opening of the ring frame. A chip attaching step of attaching a wafer to a central region and attaching a chip around the wafer, a ring frame fixing step of fixing a ring frame integrated with the chip to a rotatable chuck table, and a chuck. A chip grinding process in which a table is rotated and a rotating grinding wheel is brought into contact with a wafer and a chip for grinding, and a chip thickness management process in which the thickness of a chip is indirectly managed by measuring the thickness of the wafer. The present invention provides a method for grinding a chip comprising:
[0010]
In the chip grinding method, in the ring frame fixing step, the ring frame is retracted to a retracted position where the grinding of the wafer and the chip is not hindered, and is fixed to the chuck table. Part is formed, the chuck table is constituted by a suction part having a diameter smaller than the inner diameter of the ring frame, and a locking part for fixing the locked part at a retracted position not in contact with the grinding wheel, and in the ring frame fixing step Is that the wafer and the chip are sucked at the suction portion via the tape, the locked portion is locked and fixed by the locking portion at the retracted position, the chip is a semiconductor chip, and the wafer is the same as the semiconductor chip. It is an additional requirement that it be formed of the above material.
[0011]
According to the chip processing method configured as described above, the divided chips are attached to tape around the wafer and ground together with the ring frame via the tape, and the thickness of the wafer is reduced. By measuring the thickness, the thickness of the chip can be indirectly determined, so that even if the chip becomes thin, cracking or chipping does not occur.
[0012]
In addition, since the grinding is performed with the ring frame positioned at the retracted position, the grinding wheel does not come into contact with the ring frame.
[0013]
Further, the present invention is a ring frame fixing mechanism for fixing a ring frame integrated with the work piece to a chuck table, wherein the work piece is attached to a tape stuck so as to close the opening, A plurality of locked portions are formed on the outer periphery of the frame, and the chuck table has a suction portion having a diameter smaller than the inner diameter of the ring frame, and a locking portion for fixing the locked portion at a retracted position not in contact with the grinding wheel. The workpiece is sucked at the suction portion via the tape, and the locked portion is locked and fixed by the locking portion at the retracted position to provide a ring frame fixing mechanism.
[0014]
According to the ring frame fixing mechanism configured as described above, the locked portion that constitutes the ring frame is fixed at the retracted position that does not contact the grinding wheel, so that it hinders the grinding of the held workpiece. Grinding can be performed smoothly to a desired thickness without any problems.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
As an example of an embodiment of the present invention, a case will be described in which a semiconductor chip is ground to a desired thickness by using a
[0016]
In the
[0017]
Then, as the
[0018]
A
[0019]
In the grinding means 16, a
[0020]
The chuck table 18 is provided with a
[0021]
The semiconductor chip to be ground is held by the
[0022]
As shown in FIG. 3, an
[0023]
In this chip attaching step, the
[0024]
In this manner, when the locked
[0025]
FIG. 4 shows a state in which the locked
[0026]
Here, the
[0027]
Then, while the grinding
[0028]
Since the
[0029]
During the grinding, the thickness of the
[0030]
Here, it is possible to directly measure the thickness of the
[0031]
Further, the locked
[0032]
Furthermore, since it is not necessary to divide the semiconductor chip by dicing after grinding, the semiconductor chip does not crack or chip. Therefore, the quality of the semiconductor chip can be improved.
[0033]
In the present embodiment, the case of grinding a semiconductor chip has been described as an example, but the object of grinding is not limited to this, and other small pieces (chips) may be used.
[0034]
Next, the ring
[0035]
The
[0036]
The chuck table 18 which is exactly the same as the chuck table 18 shown in FIG. 3 engages with the
[0037]
The locking
[0038]
The upper surface of the
[0039]
The
[0040]
Next, a procedure for fixing the
[0041]
Each of the four locked
[0042]
Each of the four locked
[0043]
In this state, when the pressing of the
[0044]
When the locked
[0045]
The object to be ground using the ring
[0046]
As shown in FIG. 5, in the ring
[0047]
In this state, as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer W, which is an example of the workpiece, is sucked at the
[0048]
When the locked
[0049]
It is to be noted that the holding is not limited to the semiconductor wafer, and if this ring
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the chip processing method of the present invention, the wafer is not ground and then divided, but after the division, the chip is attached to a tape around the wafer and the ring frame is formed via the tape. Grinding in an integrated state and measuring the thickness of the wafer being ground can indirectly determine and manage the chip thickness, so cracks and chips may occur even when the chips become thinner It is possible to obtain a desired thickness without any problem and to improve the quality of the chip.
[0051]
In addition, since the grinding is performed with the ring frame positioned at the retracted position, the grinding wheel does not come into contact with the ring frame, so that the grinding can be smoothly performed, and the grinding is performed until the chip becomes extremely thin. Can be.
[0052]
Furthermore, according to the ring frame fixing mechanism according to the present invention, the locked portion constituting the ring frame is fixed at the retracted position not in contact with the grinding wheel, which hinders the grinding of the held workpiece. Grinding can be performed smoothly to a desired thickness without any problems.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a grinding device used for carrying out the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a ring frame used for carrying out the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing a wafer and a chip held on the ring frame via a tape, and a chuck table holding the ring frame, the wafer and the chip.
FIG. 4 is an explanatory view showing a state of grinding the wafer and the chip.
FIG. 5 is a perspective view showing a semiconductor wafer held on a ring frame via a tape, and a chuck table holding the ring frame and the semiconductor wafer.
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which a semiconductor wafer is held and ground by a ring frame fixing mechanism.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (5)
リングフレームの開口部を塞ぐように貼着されたテープの中心領域にウェーハを貼着すると共に、該ウェーハの周囲にチップを貼着するチップ貼着工程と、
自転可能なチャックテーブルに、該チップと一体となったリングフレームを固定するリングフレーム固定工程と、
該チャックテーブルを自転させると共に、回転する研削砥石を該ウェーハ及び該チップに接触させて研削するチップ研削工程と、
該ウェーハの厚さを計測することにより間接的に該チップの厚さを管理するチップ厚さ管理工程と
から構成されるチップの研削方法。A chip grinding method for grinding a surface of a chip to a predetermined thickness,
Attaching the wafer to the center region of the tape attached so as to cover the opening of the ring frame, and a chip attaching step of attaching chips around the wafer,
A ring frame fixing step of fixing a ring frame integrated with the chip to a rotatable chuck table;
A chip grinding step of rotating the chuck table and rotating the grinding wheel in contact with the wafer and the chip to perform grinding.
A chip thickness management step of indirectly managing the thickness of the chip by measuring the thickness of the wafer.
チャックテーブルは、該リングフレームの内径より小径の吸着部と、該被係止部を研削砥石に接触しない退避位置において固定する係止部とから構成され、
リングフレーム固定工程においては、ウェーハ及びチップはテープを介して該吸着部において吸着され、該被係止部は該退避位置において該係止部によって係止されて固定される請求項2に記載のチップの研削方法。A plurality of locked parts are formed on the outer periphery of the ring frame,
The chuck table includes a suction portion having a diameter smaller than the inner diameter of the ring frame, and a locking portion that fixes the locked portion at a retracted position that does not contact the grinding wheel,
3. The ring frame fixing step according to claim 2, wherein the wafer and the chip are sucked at the suction portion via a tape, and the locked portion is locked and fixed by the locking portion at the retracted position. Chip grinding method.
該リングフレームの外周には複数の被係止部が形成されており、
該チャックテーブルは、該リングフレームの内径より小径の吸着部と、該被係止部を研削砥石に接触しない退避位置において固定する係止部とから構成され、該被加工物は、該テープを介して該吸着部において吸着され、該被係止部は、該退避位置において該係止部によって係止されて固定されるリングフレーム固定機構。A ring frame fixing mechanism for fixing a ring frame integrated with the work piece to a chuck table, the work piece being stuck to a tape stuck to close the opening,
A plurality of locked portions are formed on the outer periphery of the ring frame,
The chuck table includes a suction part having a diameter smaller than the inner diameter of the ring frame, and a locking part that fixes the locked part at a retracted position that does not come into contact with the grinding wheel, and the workpiece includes the tape. A ring frame fixing mechanism that is sucked by the suction portion through the suction portion, and the locked portion is locked and fixed by the locking portion at the retracted position.
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