JP2004079662A - 部分ビルドアップ基板の製造方法および部分ビルドアップ基板 - Google Patents

Abstract

【課題】部分ビルドアップ基板を容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】表裏面に配線パターン３３、３４が形成され、該両配線パターン３３、３４が電気的に接続するコア層３２を形成する工程と、該コア層３２の表裏面の所要部位を覆って、該表裏面から剥離可能な剥離可能層４６を形成する工程と、該剥離可能層４６上を含んでコア層３２の表裏面上に、絶縁層３８を介して配線パターン３９、４０を形成するビルドアップ工程と、剥離可能層４６上に形成されたビルドアップ層３６、３７に剥離可能層４６に至る切断部を形成して、所要エリアのビルドアップ層３６、３７を除去してコア層３２の表裏面を露出させる切断、剥離工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】　　　　　　　　図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は部分ビルドアップ基板の製造方法および部分ビルドアップ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ビルドアップ基板は、小径のビアを介して配線パターン間の電気的導通をとることができるため、ビアパターンを密にでき、したがってまた、密な配線パターンに形成することができる。
図６は、従来の一般的なビルドアップ基板１０を示す。
１２はそのコア層であり、いわゆるガラエポ基材からなる絶縁層をプリプレグ層を介して複数層積層してなり、少なくともその表裏面に配線パターン１３、１４が形成されており（内層側にも導体パターンが形成されることがある）、この両配線パターン１３、１４間は、図示しないスルーホール内壁面に形成したスルーホールめっき皮膜によって電気的に接続されている。
【０００３】
コア層１２の表裏面側に、ビルドアップ層１６、１７が形成される。
ビルドアップ層１６、１７は、コア層１２の表裏面上に、例えば熱硬化性樹脂を塗布し、熱硬化させて絶縁層１８を形成し、この絶縁層１８にレーザー加工によってビア孔１９を形成して、配線パターン１３、１４の一部を露出させ、次いで、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って銅めっき皮膜を形成し、この銅めっき皮膜をパターニングして、ビアめっき皮膜を介して配線パターン１３、１４に電気的に接続する配線パターンを形成する。このようにして順次多層の配線パターンを形成するのである。
【０００４】
最表層の配線パターン２１には、ＢＧＡタイプやリードフレームタイプ等の半導体装置２２やその他の電子部品が搭載される。
その他、ＤＩＰ部品２３等のように、リードをソケット（スルーホール）内に差し込み、はんだ等によって固定するタイプの電子部品を搭載するには、表裏に貫通するスルーホール２４を形成し、スルーホール２４内にスルーホールめっき皮膜２５を形成して、内層パターンとの電気的導通をとるようにしている。
【０００５】
しかし、上記ビルドアップ基板１０の製造方法には次のような課題がある。
すなわち、スルーホールめっき皮膜２５を形成する工程は、ビルドアップ層１７の最表層の配線パターンを形成する際の、無電解銅めっき、電解銅めっきを施す工程と同一工程で行うようにするのが工数上において好適であるが、一方のスルーホール２４は表裏を貫通する深い孔であり、他方、ビアホールは小径の浅い孔であるので、同一めっき工程でめっき皮膜を形成する場合、スルーホール２４内に均一厚さのめっき皮膜を形成することは極めて困難となる。
したがって、別工程でめっきを行わなければならず、マスクが必要など、めっき工程が厄介になる課題がある。
【０００６】
ところで、ビルドアップ基板には、特開２０００−１５６５６４号公報に示されるような部分ビルドアップ基板が知られている。
この部分ビルドアップ基板は、コア層の表面の一部を覆い隠すようにマスクをして、露出したコア層表面にのみビルドアップ層を形成するものである。
しかしながら、この部分ビルドアップ基板の製造方法では、マスクでコア層表面を覆って露出した部位にビルドアップ層を形成しなければならないので、特にビルドアップ層を形成する部位が狭く、かつ島状に点在する場合などには、マスク形成工程、ビルドアップ工程が極めて厄介になるという課題がある。
【０００７】
そこで本発明は、先の課題を解決ビルドアップ基板を提供すると共に、該部分ビルドアップ基板を容易に製造できる製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る部分ビルドアップ基板の製造方法は、表裏面に配線パターンが形成され、該両配線パターンが電気的に接続するコア層を形成する工程と、該コア層の表裏面の所要部位を覆って、該表裏面から剥離可能な剥離可能層を形成する工程と、該剥離可能層上を含んで前記コア層の表裏面上に、絶縁層を介して配線パターンを形成するビルドアップ工程と、前記剥離可能層上に形成されたビルドアップ層に剥離可能層に至る切断部を形成して、所要エリアのビルドアップ層を除去してコア層の表裏面を露出させる切断、剥離工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、前記剥離可能層を、前記スルーホールめっき皮膜が形成されたスルーホールのうちの、所要数のスルーホールを覆って形成するようにして、ＤＩＰ部品等の電子部品のリード差し込み用のスルーホールをコア層表裏面に露出させるようにすることができる。
前記剥離可能層に耐熱性フイルムを用いると好適である。
また、前記耐熱性フイルムに、あらかじめ所要部位に切断線が形成されたものを用いると好適である。
【００１０】
また本発明に係る部分ビルドアップ基板では、表裏面に配線パターンが形成され、該両配線パターン上に剥離可能層を設けたコア層と、該コア層の表裏面の一部を覆って形成され、絶縁層を介して所要の配線パターンが形成されたビルドアップ層とを具備することを特徴とする。
また、表裏面に配線パターンが形成され、該両配線パターンがスルーホールめっき皮膜を介して電気的に接続されたコア層と、該コア層の表裏面の一部を覆って形成され、絶縁層を介して所要の配線パターンが形成されたビルドアップ層と、該ビルドアップ層が形成された部位とは異なる前記コア層の部位に露出し、搭載される電子部品のリードが挿通される、前記スルーホールめっき皮膜が形成されたスルーホールとを具備することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
図１は部分ビルドアップ基板３０の一例を示す断面図である。
３２はコア層であり、表裏面に配線パターン３３、３４が形成され、該両配線パターン３３、３４がスルーホールめっき皮膜３５を介して電気的に接続されている。
このコア層３２の表裏面の一部を覆ってビルドアップ層３６、３７が形成されている。図示の例では、絶縁層３８を介して２層の配線パターン３９、４０が形成され、これら配線パターン３９、４０はビア４１を介して配線パターン３３、３４に電気的に接続している。
【００１２】
上記ビルドアップ層３６、３７が形成された部位とは異なるコア層３２の部位に、前記スルーホールめっき皮膜３５が形成された多数のスルーホール４２のうちの一部のスルーホール４２が位置している。このスルーホール４２には、ＤＩＰ部品などの電子部品４３のリードが挿通され、はんだにより固定されることで、該電子部品が基板３０に搭載される。
ビルドアップ層３６、３７側の最表層の配線パターン４０は微細パターンに形成可能で、この配線パターン４０上には、微細な電極が形成された半導体装置などの電子部品４４が搭載可能となる。
なお、４５はソルダーレジスト層である。
【００１３】
続いて、図２〜図５により、上記部分ビルドアップ基板３０の製造方法の一例を説明する。
図２はコア層３２を示す。
コア層３２は公知の方法によって形成される。
すなわち、表面に銅箔が設けられた、ガラエポ基材からなる複数の絶縁層３２ａをプリプレグ層を介して積層し、加圧、加熱して一体化する。内層側の銅箔はあらかじめ所要パターンに形成されている。次いでドリルにより表裏を貫通するスルーホール４２を形成し、無電解銅めっき、電解銅めっきを施してスルーホールめっき皮膜３５を形成する。次いで表裏面の銅層をエッチング加工して配線パターン３３、３４を形成する。この配線パターン３３、３４、および内層側の配線パターンはスルーホールめっき皮膜３５によって電気的に接続される。
スルーホールめっき皮膜３５が形成されたスルーホール４２内は充填樹脂等によって埋めるとよい。
【００１４】
次に、図３に示すように、コア層３２の表裏面の、上記ビルドアップ層３６、３７を形成する部位を除く所要部位を覆って、該表裏面から剥離可能な剥離可能層４６を形成する。したがって、上記露出していたスルーホール４２は剥離可能層４６によって覆われる。
剥離可能層４６は、接着剤付きの耐熱性フイルムを好適に用いることができる。接着剤側をコア層３２に向けて貼着するのである。耐熱性フイルムとしては、例えばフッ素樹脂系のフイルムを用いることができる。ビルドアップ工程で、熱硬化性樹脂を熱硬化させる際の温度に耐え得る耐熱性を有すればよい。
【００１５】
次に、剥離可能層４６上を含むコア層３２の表裏面上に、例えば熱硬化性樹脂を塗布して絶縁層を形成し、常法によるビルドアップ工程により、ビルドアップ層３６、３７を形成するのである。
すなわち、コア層３２の表裏面上に、例えば熱硬化性樹脂を塗布し、熱硬化させて絶縁層３８を形成し、この絶縁層３８にレーザー加工によってビア孔４７を形成して、配線パターン３３、３４の一部を露出させ、次いで、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、ビア孔４７内および絶縁層３８表面に銅めっき皮膜を形成し、この銅めっき皮膜をパターニングして、ビアめっき皮膜（ビア）４１を介して配線パターン１３、１４に電気的に接続する配線パターン３９を形成する。
ビアめっき皮膜（ビア）４１は、ビア孔４７を埋めるビアフィルめっきであってもよい。
【００１６】
同様にして絶縁層３８を介して配線パターン４０を形成する。このように単層、あるいは多層の配線パターンを有するビルドアップ層３６、３７を形成するのである。
また必要箇所にソルダーレジスト層４８を形成する。
なお、上記では、熱硬化性樹脂を塗布して絶縁層３８を形成したが、あらかじめ銅層が形成された樹脂シート（レジンコートカッパーシート）を積層して、順次配線パターンを形成するビルドアップ工法を採用してもよい。
【００１７】
次に図４に示すように、ルーター等の切断治具４９によって、剥離可能層４６上に形成されたビルドアップ層３６、３７に剥離可能層４６に至る切断部を形成して、所要エリアのビルドアップ層３６、３７を除去して、当該部位のコア層３２の表裏面を露出させる。
これによって、部分ビルドアップ基板３０に完成される（図５）。
なお、切断治具４９によって、剥離可能層４６の端縁部の若干内側部位を切り込むようにする。これにより、剥離可能層４６の一部がビルドアップ層３６、３７側に残ることになる。
多数個を同時に作り込んだ場合には、最後に個片に切断分離する加工を行うことによって、個々の基板に形成することができる。
【００１８】
剥離可能層４６には、あらかじめ切断部位の所要箇所に切り込み線を入れたものをコア層３２に貼着するようにしてもよい。すなわち、剥離可能層４６の除去部と残存部とが一部においてのみ繋がる状態にしておき、切断治具４９によりビルドアップ層３６、３７の絶縁層のみ切断し、剥離可能層４６は、上記の繋がっている部分を引きちぎるようにして切断するようにしてもよい。
また、ビルドアップ層３６、３７の絶縁層のみを切断して、剥離可能層４６は残しておいてもよい。
これによって、切断治具４９によって、コア層３２にまで切り込む事態を回避できる。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る部分ビルドアップ基板によれば、コア層に形成したスルーホールを利用して、ＤＩＰ部品等の電子部品を搭載でき、また、半導体装置等の微細な電極パターンを有する電子部品は、微細な配線パターンを形成できるビルドアップ層側に搭載できる。
また、本発明に係るビルドアップ基板の製造方法によれば、コア層に形成したスルーホールを利用するものであるため、ビルドアップ層を貫通するスルーホールを設ける必要がなく、スルーホールのめっきと、ビア孔のめっきとが必然的に分離され、めっきを精度よく行える。例えば、ビア孔にビアフィルめっき（充填めっき）を行うことなども可能となる。さらには、コア層上の全面にビルドアップ層を形成し、最後に部分的に切断除去するものであるため、ビルドアップ層を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子部品を搭載した状態の部分ビルドアップ基板の断面図、
【図２】コア層の断面図、
【図３】ビルドアップ層を形成した状態の断面図、
【図４】ビルドアップ層の一部を切断除去する状態の説明断面図、
【図５】部分ビルドアップ基板の完成断面図、
【図６】従来のビルドアップ基板の断面図である。
【符号の説明】
３０　部分ビルドアップ基板
３２　コア層
３３、３４　配線パターン
３５　スルーホールめっき皮膜
３６、３７　ビルドアップ層
３８　絶縁層
３９、４０　配線パターン
４１　ビア
４２　スルーホール
４６　剥離可能層
４７　ビア孔
４８　ソルダーレジスト層
４９　切断治具

Claims (4)

1. 表裏面に配線パターンが形成され、該両配線パターンが電気的に接続するコア層を形成する工程と、
   該コア層の表裏面の所要部位を覆って、該表裏面から剥離可能な剥離可能層を形成する工程と、
   該剥離可能層上を含んで前記コア層の表裏面上に、絶縁層を介して配線パターンを形成するビルドアップ工程と、
   前記剥離可能層上に形成されたビルドアップ層に剥離可能層に至る切断部を形成して、所要エリアのビルドアップ層を除去してコア層の表裏面を露出させる切断、剥離工程とを含むことを特徴とする部分ビルドアップ基板の製造方法。
2. 前記剥離可能層に耐熱性フイルムを用いることを特徴とする請求項１記載の部分ビルドアップ基板の製造方法。
3. 前記耐熱性フイルムに、あらかじめ所要部位に切断線が形成されたものを用いることを特徴とする請求項２記載の部分ビルドアップ基板の製造方法。
4. 表裏面に配線パターンが形成され、該両配線パターン上に剥離可能層を設けたコア層と、
   該コア層の表裏面の一部を覆って形成され、絶縁層を介して所要の配線パターンが形成されたビルドアップ層とを具備することを特徴とする部分ビルドアップ基板。

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