JP2004074385A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004074385A JP2004074385A JP2002266096A JP2002266096A JP2004074385A JP 2004074385 A JP2004074385 A JP 2004074385A JP 2002266096 A JP2002266096 A JP 2002266096A JP 2002266096 A JP2002266096 A JP 2002266096A JP 2004074385 A JP2004074385 A JP 2004074385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- slicing
- grinding
- annular grooves
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】円柱状のシリコン単結晶インゴットから精度の高い半導体ウエハを製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴット１の胴周にスライシング巾３ａと半導体ウエハ２の厚みを加えた巾の複数の環状凹溝３を研削加工する工程と、複数の環状凹溝に研磨加工する工程と、複数の環状凹溝を基準としてスライスする工程と、スライスした半導体ウエハに平面研削加工又は平面研磨加工を施す工程とを実施するものであり、更に、環状凹溝は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾とし、底面の両側の傾斜面はスライシングされる隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の片側傾斜面とする。
【選択図】 図１
【解決手段】シリコン単結晶インゴット１の胴周にスライシング巾３ａと半導体ウエハ２の厚みを加えた巾の複数の環状凹溝３を研削加工する工程と、複数の環状凹溝に研磨加工する工程と、複数の環状凹溝を基準としてスライスする工程と、スライスした半導体ウエハに平面研削加工又は平面研磨加工を施す工程とを実施するものであり、更に、環状凹溝は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾とし、底面の両側の傾斜面はスライシングされる隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の片側傾斜面とする。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、円柱状のシリコン単結晶インゴットをスライシングして円形薄板状の半導体ウエハの製造方法に関するものであり、更に、詳細には、ＣＺ法、ＭＣＺ法等の手段によって製造された円柱状のシリコン単結晶インゴットから半導体ウエハを得るための加工手順を変更して精度の高い平坦性、均一性を有した半導体ウエハを得るための半導体ウエハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、この種のシリコン単結晶インゴットを多数枚にスライスして製造する半導体ウエハへの要求は、機器の小型化に伴う極薄化と、生産性の観点からの拡径化と、更には、歩留まりの観点からの超高精度な均一性と平坦加工、鏡面加工であり、極薄化され拡径化され、且つ、脆性の半導体ウエハを如何に超高精度に仕上げるかに凌ぎを削っている現状である。
【０００３】
従来、この種の円柱状のシリコン単結晶インゴットから多数の円板状の半導体ウエハを得る方法は、円柱状のシリコン単結晶インゴットをワイヤソー等のスライシングマシーンでスライスして多数の円形薄板状にして、その外周に単品ごとに外周エッジ部を研削加工して形成しているものであった。
【０００４】
【解決しようとする課題】
然し乍ら、従来のシリコン単結晶インゴットをスライスして多数の半導体ウエハを得て、半導体ウエハに単品ごとに外周エッジ部を形成する方法では、スライシングする時にスライスの基準が取りにくく、その為に、夫々の半導体ウエハをミクロン単位での一定の厚みや、表面と裏面とが平行面とする平坦状にスライスすることが困難であり、スライスした後の半導体ウエハの表面及び裏面に施す研削加工や研磨加工に影響を与えるものであり、又、半導体ウエハの単品ごとに芯を出し固定して外周に外周エッジ部を研削加工を施すのは手間暇掛かる作業と成り課題を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて、鋭意研鑽の結果、シリコン単結晶インゴットの胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いてスライシング巾とスライシングされる半導体ウエハの厚みを加えた巾の一定間隔の複数の環状凹溝を研削加工する工程と、複数の環状凹溝を研削加工する工程の後に研磨装置を用いて複数の環状凹溝に研磨加工する工程と、複数の環状凹溝を研磨加工する工程の後に前記複数の環状凹溝を基準としてスライシングマシーンを用いて円形薄板状にスライスする工程と、薄板円板状にスライスする工程の後にスライスした半導体ウエハの平坦面に平面研削加工又は平面研磨加工を施す工程とを実施するものであり、更に、環状凹溝は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾とし、底面の両側の傾斜面はスライシングされる隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の片側傾斜面とするものである。
【０００６】
【発明の作用】
本発明は、シリコン単結晶インゴットを超高精度のミクロン単位の平坦面、平行面にスライシングを施し、研削加工並びに研磨加工を実施するために、シリコン単結晶インゴットのスライシングの基準とする複数の環状凹溝を研削加工すると共に、夫々の半導体ウエハの外周エッジ部を形成するもので、スライシングが超高精度に実施できると共に、スライシング後の半導体ウエハに単品ごとの外周エッジ部の研削加工工程を不要とし、後の研削加工並びに研磨加工に良好な影響を与えると共に製造時間の短縮も可能とするものである。
【０００７】
本発明の目的は、シリコン単結晶インゴットの胴周に研磨加工を施して複数の環状凹溝を形成し、形成された複数の環状凹溝に研磨加工を施し、その後に、前記環状凹溝を基準としてスライシングし半導体ウエハを製造するもので精度の高い半導体ウエハの製造方法を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態を図面によって、具体的に説明する。
【０００９】
図１は本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態のシリコン単結晶インゴットを説明するための説明側面図である。
【００１０】
本発明は、円柱状のシリコン単結晶インゴット１をスライシングして円形薄板状の半導体ウエハ２の製造方法に関するものであり、更に、詳細には、ＣＺ法、ＭＣＺ法等の手段によって製造された円柱状のシリコン単結晶インゴット１から半導体ウエハ２を得るための加工手順を変更して精度の高い平坦性、均一性を有した半導体ウエハ２を得るための半導体ウエハ２の製造方法に関するものであり、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法は、円柱状のシリコン単結晶インゴット１から半導体ウエハ２を製造する方法であって、前記シリコン単結晶インゴット１の胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いてスライシング巾３ａとスライシングされる半導体ウエハ２の厚みを加えた巾の一定間隔Ａの複数の環状凹溝３を研削加工する工程と、該複数の環状凹溝３を研削加工する工程の後に研磨装置を用いて前記複数の環状凹溝３に研磨加工する工程と、該複数の環状凹溝３に研磨加工する工程の後に前記複数の環状凹溝３を基準としてスライシングマシーンを用いて円形薄板状にスライスする工程と、該薄板円板状にスライスする工程の後にスライスした半導体ウエハ２の平面に研削加工並びに研磨加工を施す工程とを実施するものである。
【００１１】
更には、請求項２に記載の半導体ウエハの製造方法は、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法において、前記夫々の環状凹溝３は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾３ａとし、前記底面の両側の傾斜面３ｂはスライシングされる隣合う半導体ウエハ２の外周エッジ部の夫々の片側傾斜面とするものである。
【００１２】
即ち、本発明の半導体ウエハ２の製造方法で製造される半導体ウエハ２はシリコン単結晶インゴット１をスライシングして円板薄板状にするもので、シリコン単結晶インゴット１は、ＣＺ法と称されるチョクラルスキー法で製造されるのが一般的な方法と成っており、石英製坩堝内で高順度シリコンを溶融させ、その中にシードと呼ばれる種結晶を含浸させ、これを低速で回転させながら引き上げて単結晶を成長させて得るものであり、円柱状で径は６乃至１４インチ程度のものであり、その長さは径の数倍のものである。
【００１３】
そして、複数の環状凹溝３を研削加工する工程は、前記円柱状のシリコン単結晶インゴット１の胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いて一定間隔Ａの環状凹溝３を研削加工するものであるが、粗研削砥石と仕上研削砥石とは略円板状のもので中心辺には砥石用回転駆動軸に装着させるための貫通孔を形成しており、夫々の研削砥石の外周には砥石外周頂面と、該砥石外周頂面の両側に中心方向に膨出する夫々の砥石傾斜面とを夫々備えた断面略台形状のものである。
【００１４】
更には、複数の環状凹溝３を研磨加工する工程は、前記複数の環状凹溝３を研削加工する工程で形成した複数の環状凹溝３に研磨装置を用いて研磨加工を施すものであり、前記研磨装置とは研磨用の砥石又は柔軟性を有したパフ等で構わないものである。
【００１５】
次いで、前記一定間隔Ａとは後にワイヤソー等のスライシングマシーンでスライシングされるスライシング巾３ａとスライシング後に製造される半導体ウエハ２の厚みを加えた巾とするものである。
【００１６】
次に、円形薄板状にスライスする工程は、前記複数の環状凹溝３を研削加工する工程の後に更に研磨加工された複数の環状凹溝３を夫々基準としてスライシングマシーンを用いて薄板円板状にスライスするものである。
【００１７】
更に、平面研削加工並びに平面研磨加工を施す工程とは、前記薄板円板状にスライスする工程を施した後の半導体ウエハ２の平坦面の表面と裏面との夫々の平面に先ず研削盤による平面研削加工を施し、次いで、研磨盤により平面研磨加工を施すものである。
【００１８】
更には、複数の環状凹溝３は断面略台形状に研削加工されるものであり、底面の巾はスライシングマシーンでスライスするためのスライシング巾３ａ、つまり、スライス代であり、前記底面の両側の傾斜面３ｂはスライスされる隣合う半導体ウエハ２の外周エッジ部の夫々の片側傾斜面とするものである。
【００１９】
即ち、本発明の半導体ウエハ２の製造方法でシリコン単結晶インゴット１の胴周の略全体に研削加工して形成した複数の環状凹溝３に研磨加工を施し、該研磨加工した環状凹溝３を基準としてスライシングすることによって得た半導体ウエハ２の外周にはスライスシングと同時に外周エッジ部が形成されているもので、スライシング後には単品ごとの外周エッジ部の研削加工は不要で、直ぐに両面の研削加工又は研磨加工を実施できるものである。
【００２０】
【発明の効果】
前述の如く構成した本発明の半導体ウエハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットの胴周にスライシング巾と隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の夫々の片側傾斜面との傾斜面を備えた複数の環状凹溝を研削加工して形成し、更に、該た複数の環状凹溝に研磨加工を施し、研磨加工後の環状凹溝を基準としてシリコン単結晶インゴットのスライシングを可能とすると共に、半導体ウエハに外周エッジ部を形成することができ、超高品質の研磨仕上加工を求められる昨今の半導体ウエハに充分対応できるもので、特に、半導体ウエハの均一性、平坦性の精度の向上が図れるもので、生産性及び歩留まりを向上させると共に、製造時間の短縮が図れるものであり、画期的で有効な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態のシリコン単結晶インゴットを説明するための説明側面図である。
【符号の説明】
１ シリコン単結晶インゴット
２ 半導体ウエハ
３ 環状凹溝
３ａ スライシング巾
３ｂ 片側傾斜面
Ａ 一定間隔
【産業上の利用分野】
本発明は、円柱状のシリコン単結晶インゴットをスライシングして円形薄板状の半導体ウエハの製造方法に関するものであり、更に、詳細には、ＣＺ法、ＭＣＺ法等の手段によって製造された円柱状のシリコン単結晶インゴットから半導体ウエハを得るための加工手順を変更して精度の高い平坦性、均一性を有した半導体ウエハを得るための半導体ウエハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、この種のシリコン単結晶インゴットを多数枚にスライスして製造する半導体ウエハへの要求は、機器の小型化に伴う極薄化と、生産性の観点からの拡径化と、更には、歩留まりの観点からの超高精度な均一性と平坦加工、鏡面加工であり、極薄化され拡径化され、且つ、脆性の半導体ウエハを如何に超高精度に仕上げるかに凌ぎを削っている現状である。
【０００３】
従来、この種の円柱状のシリコン単結晶インゴットから多数の円板状の半導体ウエハを得る方法は、円柱状のシリコン単結晶インゴットをワイヤソー等のスライシングマシーンでスライスして多数の円形薄板状にして、その外周に単品ごとに外周エッジ部を研削加工して形成しているものであった。
【０００４】
【解決しようとする課題】
然し乍ら、従来のシリコン単結晶インゴットをスライスして多数の半導体ウエハを得て、半導体ウエハに単品ごとに外周エッジ部を形成する方法では、スライシングする時にスライスの基準が取りにくく、その為に、夫々の半導体ウエハをミクロン単位での一定の厚みや、表面と裏面とが平行面とする平坦状にスライスすることが困難であり、スライスした後の半導体ウエハの表面及び裏面に施す研削加工や研磨加工に影響を与えるものであり、又、半導体ウエハの単品ごとに芯を出し固定して外周に外周エッジ部を研削加工を施すのは手間暇掛かる作業と成り課題を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて、鋭意研鑽の結果、シリコン単結晶インゴットの胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いてスライシング巾とスライシングされる半導体ウエハの厚みを加えた巾の一定間隔の複数の環状凹溝を研削加工する工程と、複数の環状凹溝を研削加工する工程の後に研磨装置を用いて複数の環状凹溝に研磨加工する工程と、複数の環状凹溝を研磨加工する工程の後に前記複数の環状凹溝を基準としてスライシングマシーンを用いて円形薄板状にスライスする工程と、薄板円板状にスライスする工程の後にスライスした半導体ウエハの平坦面に平面研削加工又は平面研磨加工を施す工程とを実施するものであり、更に、環状凹溝は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾とし、底面の両側の傾斜面はスライシングされる隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の片側傾斜面とするものである。
【０００６】
【発明の作用】
本発明は、シリコン単結晶インゴットを超高精度のミクロン単位の平坦面、平行面にスライシングを施し、研削加工並びに研磨加工を実施するために、シリコン単結晶インゴットのスライシングの基準とする複数の環状凹溝を研削加工すると共に、夫々の半導体ウエハの外周エッジ部を形成するもので、スライシングが超高精度に実施できると共に、スライシング後の半導体ウエハに単品ごとの外周エッジ部の研削加工工程を不要とし、後の研削加工並びに研磨加工に良好な影響を与えると共に製造時間の短縮も可能とするものである。
【０００７】
本発明の目的は、シリコン単結晶インゴットの胴周に研磨加工を施して複数の環状凹溝を形成し、形成された複数の環状凹溝に研磨加工を施し、その後に、前記環状凹溝を基準としてスライシングし半導体ウエハを製造するもので精度の高い半導体ウエハの製造方法を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態を図面によって、具体的に説明する。
【０００９】
図１は本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態のシリコン単結晶インゴットを説明するための説明側面図である。
【００１０】
本発明は、円柱状のシリコン単結晶インゴット１をスライシングして円形薄板状の半導体ウエハ２の製造方法に関するものであり、更に、詳細には、ＣＺ法、ＭＣＺ法等の手段によって製造された円柱状のシリコン単結晶インゴット１から半導体ウエハ２を得るための加工手順を変更して精度の高い平坦性、均一性を有した半導体ウエハ２を得るための半導体ウエハ２の製造方法に関するものであり、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法は、円柱状のシリコン単結晶インゴット１から半導体ウエハ２を製造する方法であって、前記シリコン単結晶インゴット１の胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いてスライシング巾３ａとスライシングされる半導体ウエハ２の厚みを加えた巾の一定間隔Ａの複数の環状凹溝３を研削加工する工程と、該複数の環状凹溝３を研削加工する工程の後に研磨装置を用いて前記複数の環状凹溝３に研磨加工する工程と、該複数の環状凹溝３に研磨加工する工程の後に前記複数の環状凹溝３を基準としてスライシングマシーンを用いて円形薄板状にスライスする工程と、該薄板円板状にスライスする工程の後にスライスした半導体ウエハ２の平面に研削加工並びに研磨加工を施す工程とを実施するものである。
【００１１】
更には、請求項２に記載の半導体ウエハの製造方法は、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法において、前記夫々の環状凹溝３は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾３ａとし、前記底面の両側の傾斜面３ｂはスライシングされる隣合う半導体ウエハ２の外周エッジ部の夫々の片側傾斜面とするものである。
【００１２】
即ち、本発明の半導体ウエハ２の製造方法で製造される半導体ウエハ２はシリコン単結晶インゴット１をスライシングして円板薄板状にするもので、シリコン単結晶インゴット１は、ＣＺ法と称されるチョクラルスキー法で製造されるのが一般的な方法と成っており、石英製坩堝内で高順度シリコンを溶融させ、その中にシードと呼ばれる種結晶を含浸させ、これを低速で回転させながら引き上げて単結晶を成長させて得るものであり、円柱状で径は６乃至１４インチ程度のものであり、その長さは径の数倍のものである。
【００１３】
そして、複数の環状凹溝３を研削加工する工程は、前記円柱状のシリコン単結晶インゴット１の胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いて一定間隔Ａの環状凹溝３を研削加工するものであるが、粗研削砥石と仕上研削砥石とは略円板状のもので中心辺には砥石用回転駆動軸に装着させるための貫通孔を形成しており、夫々の研削砥石の外周には砥石外周頂面と、該砥石外周頂面の両側に中心方向に膨出する夫々の砥石傾斜面とを夫々備えた断面略台形状のものである。
【００１４】
更には、複数の環状凹溝３を研磨加工する工程は、前記複数の環状凹溝３を研削加工する工程で形成した複数の環状凹溝３に研磨装置を用いて研磨加工を施すものであり、前記研磨装置とは研磨用の砥石又は柔軟性を有したパフ等で構わないものである。
【００１５】
次いで、前記一定間隔Ａとは後にワイヤソー等のスライシングマシーンでスライシングされるスライシング巾３ａとスライシング後に製造される半導体ウエハ２の厚みを加えた巾とするものである。
【００１６】
次に、円形薄板状にスライスする工程は、前記複数の環状凹溝３を研削加工する工程の後に更に研磨加工された複数の環状凹溝３を夫々基準としてスライシングマシーンを用いて薄板円板状にスライスするものである。
【００１７】
更に、平面研削加工並びに平面研磨加工を施す工程とは、前記薄板円板状にスライスする工程を施した後の半導体ウエハ２の平坦面の表面と裏面との夫々の平面に先ず研削盤による平面研削加工を施し、次いで、研磨盤により平面研磨加工を施すものである。
【００１８】
更には、複数の環状凹溝３は断面略台形状に研削加工されるものであり、底面の巾はスライシングマシーンでスライスするためのスライシング巾３ａ、つまり、スライス代であり、前記底面の両側の傾斜面３ｂはスライスされる隣合う半導体ウエハ２の外周エッジ部の夫々の片側傾斜面とするものである。
【００１９】
即ち、本発明の半導体ウエハ２の製造方法でシリコン単結晶インゴット１の胴周の略全体に研削加工して形成した複数の環状凹溝３に研磨加工を施し、該研磨加工した環状凹溝３を基準としてスライシングすることによって得た半導体ウエハ２の外周にはスライスシングと同時に外周エッジ部が形成されているもので、スライシング後には単品ごとの外周エッジ部の研削加工は不要で、直ぐに両面の研削加工又は研磨加工を実施できるものである。
【００２０】
【発明の効果】
前述の如く構成した本発明の半導体ウエハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットの胴周にスライシング巾と隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の夫々の片側傾斜面との傾斜面を備えた複数の環状凹溝を研削加工して形成し、更に、該た複数の環状凹溝に研磨加工を施し、研磨加工後の環状凹溝を基準としてシリコン単結晶インゴットのスライシングを可能とすると共に、半導体ウエハに外周エッジ部を形成することができ、超高品質の研磨仕上加工を求められる昨今の半導体ウエハに充分対応できるもので、特に、半導体ウエハの均一性、平坦性の精度の向上が図れるもので、生産性及び歩留まりを向上させると共に、製造時間の短縮が図れるものであり、画期的で有効な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の半導体ウエハの製造方法の実施の形態のシリコン単結晶インゴットを説明するための説明側面図である。
【符号の説明】
１ シリコン単結晶インゴット
２ 半導体ウエハ
３ 環状凹溝
３ａ スライシング巾
３ｂ 片側傾斜面
Ａ 一定間隔
Claims (2)
- 円柱状のシリコン単結晶インゴットから半導体ウエハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶インゴットの胴周に粗研削砥石と仕上研削砥石とを用いてスライシング巾とスライシングされる半導体ウエハの厚みを加えた巾の一定間隔の複数の環状凹溝を研削加工する工程と、該複数の環状凹溝を研削加工する工程の後に研磨装置を用いて前記複数の環状凹溝に研磨加工する工程と、該複数の環状凹溝に研磨加工する工程の後に前記複数の環状凹溝を基準としてスライシングマシーンを用いて円形薄板状にスライスする工程と、該薄板円板状にスライスする工程の後にスライスした半導体ウエハの平坦面に平面研削加工又は平面研磨加工を施す工程とを実施することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
- 前記夫々の環状凹溝は断面略台形状で底面の巾はスライシング巾とし、前記底面の両側の傾斜面はスライシングされる隣合う半導体ウエハの外周エッジ部の夫々の片側傾斜面とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002266096A JP2004074385A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002266096A JP2004074385A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004074385A true JP2004074385A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32024709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002266096A Pending JP2004074385A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004074385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114102269A (zh) * | 2015-05-29 | 2022-03-01 | 环球晶圆股份有限公司 | 用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 |
-
2002
- 2002-08-09 JP JP2002266096A patent/JP2004074385A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114102269A (zh) * | 2015-05-29 | 2022-03-01 | 环球晶圆股份有限公司 | 用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI462170B (zh) | Silicon wafer wiping device and silicon wafer manufacturing method and by etching silicon wafer | |
| KR101605384B1 (ko) | 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JP7045676B1 (ja) | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 | |
| KR100858441B1 (ko) | 실리콘 링의 제조 방법 | |
| TW201351494A (zh) | 晶圓的雙面研磨方法 | |
| JP5867377B2 (ja) | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 | |
| JP2000031099A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| WO2005070619A1 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
| JP6493253B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
| JP2010021394A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2014232780A (ja) | 単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JP4224871B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| WO2010128671A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2004074385A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| KR20160124110A (ko) | 워크의 양두연삭방법 | |
| CN111975627B (zh) | 非规则碲锌镉晶片的研磨方法 | |
| JP2004079976A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| JP2004079977A (ja) | シリコン単結晶インゴットの加工装置とその加工方法 | |
| JPH11333708A (ja) | ラッピング装置及び方法 | |
| JP3329593B2 (ja) | サファイヤ製ダミーウエハの製造方法 | |
| JP7007625B1 (ja) | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 | |
| JP7041931B1 (ja) | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 | |
| JP2608757B2 (ja) | 水晶振動子用水晶ウエハ | |
| JPH1131670A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2000216119A (ja) | 高平坦度ウェ―ハの加工方法 |