JP2004072069A - 可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム - Google Patents

可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム Download PDF

Info

Publication number
JP2004072069A
JP2004072069A JP2003098344A JP2003098344A JP2004072069A JP 2004072069 A JP2004072069 A JP 2004072069A JP 2003098344 A JP2003098344 A JP 2003098344A JP 2003098344 A JP2003098344 A JP 2003098344A JP 2004072069 A JP2004072069 A JP 2004072069A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resonant cavity
laser
cavity system
optical grating
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003098344A
Other languages
English (en)
Inventor
Chig-Fuh Lin
林 清 富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Arima Optoelectronics Corp
Original Assignee
Arima Optoelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arima Optoelectronics Corp filed Critical Arima Optoelectronics Corp
Publication of JP2004072069A publication Critical patent/JP2004072069A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H01S5/1032Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/0804Transverse or lateral modes
    • H01S3/0805Transverse or lateral modes by apertures, e.g. pin-holes or knife-edges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/101Curved waveguide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1092Multi-wavelength lasing

Abstract

【課題】従来の多波長共振空洞システムの不均等共振損失の問題を解決する、複数の反射鏡を利用した可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムを提供する。
【解決手段】共振空洞に連結する第一端面を有する半導体光増幅器と、光学格子と、凸レンズと、複数のスリットを含んでなる光調整スリットプレートと、複数の可変反射鏡とを含んでなる可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムにおいて、該光学格子は第一端面と光調整スリットプレートとのレーザー共振経路に置かれ、複数の可変反射鏡の反射面は複数のスリットに位置合わせられ、複数のレーザー共振経路を形成し、複数の非平行的入射の多波長共振経路に対応し、それぞれ入射されたレーザービームを損失なしにもとの共振経路に反射する構造である。
【選択図】   図4

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は一種の半導体レーザー共振空洞システムを提供し、特に複数の反射鏡でそれぞれ異なった波長を持つレーザーを反射する共振空洞システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
情報化時代の到来により、ブロードバンドと波長分割多重方式で大量かつ迅速の情報伝送を提供することはもはや時代の趨勢になった。伝統的には、ファイバー損失と分散損失を最低限にするため、光ファイバー通信システムは1.55マイクロメートル波長と1.3マイクロメートル波長を使っていた。今日にいたって、光ファイバー技術の最新発展は1.4マイクロメートルでの水酸基吸収損失を大幅に低減させることができ、そのため、未来の光ファイバー通信には、300ナノメートルのブロードバンド通信は期待できる。よって、可変レーザー光源を提供することは目下の急務である。
【0003】
西暦1974年から多重量子井戸構造に関する研究が始まって以来、かかる超結晶構造を利用して設計された半導体レーザーは独特の発展を遂げ、またその高能率、低閾値電流及び可変波長などの長所により、従来レーザー光源として先端光学システムの最適選択である。近来、多重量子井戸半導体レーザーの発展は相当な広帯域光源を提供することができ、更に外部広帯域可変技術により単一周波数レーザーは選べられ、たとえば半導体光増幅器はその適例である。しかし、その半導体光増幅器の波長可変性は従来の共振空洞システムに制限されている。
【0004】
現在、波長可変レーザー技術は多数存在している。たとえばファブリペロー型可変波長フィルター、回折格子フィルター、回転式薄膜フィルター、電気光学可変波長フィルター及び可変ファイバー格子フィルターなど従来の例がある。かかる波長可変レーザー技術は通常、単波長振動に用いられ、しかも格子関連技術を利用する場合を除いて、その可変波長の範囲は100ナノメートル以内に限られる。ただし、可変波長半導体レーザーの共振空洞システムが回折格子技術を利用する場合、その可変波長の範囲は200ナノメートルに達すことができる。
【0005】
図1に従来の可変半導体レーザーの共振空洞システム100を開示する。従来の可変半導体レーザーの共振空洞システム100は、光学格子10と、コリメーティングレンズ11と、ファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器13とを含んでなる。該ファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器13は、光線を伝搬するための導波路15と、反射防止層12が塗被された第一端面と、自然亀裂を呈する第二端面を含んでなる。かかる共振空洞システムは特定の単波長振動設計のみに適用し、レーザー光源がファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器13により発生された後、反射防止層12により発散され、またコリメーティングレンズ11をもって発散されたビームを平行したビームに集束し、光学格子10に入射する。光学格子10に入射されたビームの入射角θiと反射ビームの反射角θrとの関係は下記の方程式で表す。
【0006】
【数1】
Figure 2004072069
該λはレーザーの波長で、Λは光学格子の改行隔間、mは整数である。選ばれたレーザーの波長がθr=−θiに満たす条件で調整される場合、選ばれた反射ビームは入射ビームの経路にそってコリメーティングレンズ11に反射され、また反射防止層12を経てファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器13に入る。かくて単波長レーザー共振経路を形成し、レーザービーム14をファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器13の第二端面から出力する。
【0007】
図2に他の従来の可変半導体レーザーの共振空洞システム200を開示する。共振空洞システム200は、光学格子20と、コリメーティングレンズ21と、ファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器23とを含んでなる。ファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器23は、光線を伝搬するための導波路26と、反射防止層22が塗被された第一端面と、高反射層24が塗被された第二端面を含んでなる。かかる共振空洞システムも特定の単波長振動設計のみに適用する。前記従来の技術と異なったところは、そのレーザービームは光学格子20を経て出力されることで、それ以外の作動原理はほぼ同じである。レーザー光源がファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器23により発生された後、高反射層24により反射され、或いは反射防止層22により発散され、またコリメーティングレンズ21をもって発散されたビームを平行したビームに集束し、光学格子20に入射し、更に光学格子のレーザー分光特性を利用して適当な角度から特定の波長を持つレーザービームを選出する。
【0008】
レーザー光源は二波長または多波長である場合、前記二種類の従来の可変半導体レーザー共振空洞システムの技術は需要を満たすことができない。そのため、図3に示すようなもう一つの従来の可変半導体レーザー二波長共振空洞システム300が現存している。かかる共振空洞システム300は、凸レンズ34の焦点に置かれる光学格子30と、第一コリメーティングレンズ31と、半導体光増幅器32と、第二コリメーティングレンズ33と、凸レンズ34と、第一スリット301と第二スリット302とを含んでなる光調整スリットプレート35と、反射鏡36とを含んでなる。レーザー光源が半導体光増幅器32により発生された後、発散されたビームはコリメーティングレンズ31により平行したビームに集束されて光学格子30に入射され、光学格子30により分光反射された後、短波長ビーム37と長波長ビーム38とが発生され、また凸レンズ34を通して平行したビームになり、それぞれ光調整スリットプレート35の第一スリット301と第二スリット302に入射され、更に反射鏡36により反射される。かくて二つのレーザー共振経路を形成し、レーザービーム39を第二コリメーティングレンズ33から出力する。よって、その出力されたレーザービームは短波長ビーム37と長波長ビーム38とからなる二波長ビームである。もし光調整スリットプレート35が多数のスリットを含んでいれば、これによって類推すれば、多波長ビームを発生することができる。
【0009】
しかし、前記可変半導体レーザーの二波長共振空洞システム300において、光学格子30と反射鏡36との間に正確に凸レンズ34を置くのは実務上、至難のことである。凸レンズ34の位置に偏差がある場合、短波長ビーム37と長波長ビーム38が凸レンズ34を通して平行したビームにはならず、そして光学格子30の理想的なポイントに入射されることができず、よって波長が異なった二つのビームを平行にすることができない。そのため、反射鏡36のみを利用し、平行していない二つのビームを共振経路に反射することは不可能である。かくして二波長共振空洞システムにおいての不均等共振損失をもたらし、それによって類推すれば、多波長共振空洞システムにおいての不均等共振損失の発生も考えられる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の主な目的は、前述の問題を解決するため、複数の反射鏡を利用した可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明は、半導体光増幅器と、光学格子と、凸レンズと、複数のスリットを含んでなる光調整スリットプレートと、複数の可変反射鏡とを含んでなる可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムを提供する。該半導体光増幅器は、共振空洞に連結する第一端面と、レーザー出力端面である第二端面とを具える。該光学格子は該半導体光増幅器の該第一端面と該光調整スリットプレートとのレーザー共振経路に置かれ、該光調整スリットプレートは該複数の可変反射鏡の反射面の前に置けられ、該複数の可変反射鏡の反射面は該光調整スリットプレートにある該複数のスリットに位置合わせられ、該半導体光増幅器の該第一端面と、該光学格子と、該凸レンズと、該光調整スリットプレートにある該複数のスリットと、該複数の可変反射鏡の反射面とは複数のレーザー共振経路を形成し、該複数の可変反射鏡はそれぞれ異なった反射角度を調整されることができ、もって複数の非平行的入射の多波長共振経路に対応し、それぞれ入射されたレーザービームを損失なしにもとの共振経路に反射する構造によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
【0012】
請求項1に記載するレーザー共振空洞システムは、光を発生させる光源と、光学格子と、複数の反射鏡とを含んでなり、
該光学格子は該光源から送られた光線を回折し、回折された光線を種々の角度で反射するために用いられ、
該複数の反射鏡は該光学格子から送られた光線を反射するために用いられ、
該複数の反射鏡は前記光学格子から送られた光線を該光学格子に反射し、また該光学格子を経由して該光源に反射し、共振されたビームを出力する。
【0013】
請求項2に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項1における光学格子と複数の反射鏡との間にプレートが設けられ、更に該プレートには、該複数の反射鏡に対応する複数のスリットが設けられ、特定の波長を有する光線のみを該複数の反射鏡に送らせる。
【0014】
請求項3に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項1における光学格子と複数の反射鏡との間に凸レンズが設けられ、該光学格子から該複数の反射鏡に反射されたビームを集束する。
【0015】
請求項4に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項1における光源が導波路を有し、該光源が発生させた光線をガイドし、更に該導波路が第一端面と第二端面を有する。
【0016】
請求項5に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項4における導波路が曲線状である。
【0017】
請求項6に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項4における導波路の第一端面が反射防止層を有し、もって該導波路を経由して該第一端面に送られた光線が直接に該第一端面から該導波路に反射されることを避ける。
【0018】
請求項7に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項4における導波路の片側にコリメーティングレンズが設けられ、該導波路から発散された光線を集束する。
【0019】
請求項8に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項7におけるコリメーティングレンズが光源と光学格子との間に設けられ、導波路から発散された光線を該光学格子に集束する。
【0020】
請求項9に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項7におけるコリメーティングレンズが導波路の第二端面の片側に設けられ、光源からの光線を集束して出力する。
【0021】
請求項10に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項9におけるコリメーティングレンズが集束する光線はレーザー光線である。
【0022】
請求項11に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項1における光源が半導体光増幅器である。
【0023】
請求項12に記載するレーザー共振空洞システムは、請求項1における光源が多重量子井戸半導体レーザーである。
【0024】
【発明の実施の形態】
この発明は複数の反射鏡でそれぞれ異なった波長を持つレーザーを反射する半導体レーザー共振空洞システムを提供するものであって、該半導体レーザー共振空洞システムは、半導体光増幅器と、共振空洞に連結する第一端面と、レーザー出力端面である第二端面と、光学格子と、凸レンズと、複数のスリットを含んでなる光調整スリットプレートと、複数の可変反射鏡とを含んでなる。
【0025】
かかる半導体レーザー共振空洞システムの構造と特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図示を参照にして以下に説明する。
【0026】
【第1の実施例】
図3と図4を参照する。図4にこの発明による可変半導体レーザー共振空洞システム400を開示する。図示によれば、この発明による可変半導体レーザーの二波長共振空洞システム400は、図3に示されたような従来の可変半導体レーザーの二波長共振空洞システム300の改良構造である。共振空洞システム400は、光学格子30と、第一コリメーティングレンズ31と、半導体光増幅器32と、第二コリメーティングレンズ33と、凸レンズ34と、光調整スリットプレート35と、第一可変反射鏡41と、第二可変反射鏡42とを含んでなる。半導体光増幅器32は多重量子井戸半導体レーザーに取り替えられることができ、該半導体レーザーの内部共振条件を形成することを防ぐために曲線状導波路303を含んでなる。光調整スリットプレート35は第一スリット301と第二スリット302とを含んでなる。光学格子30は凸レンズ34の焦点に置かれている。第一及び第二可変反射鏡41、42は光マイクロマシーンの小反射鏡またはデジタル光処理技術のデジタルマイクロミラーデバイスに取り替えられることができ、二組の独立のアクチュエーター(図に示されない)で制御される。レーザー光源が半導体光増幅器32により発生された後、発散されたビームはコリメーティングレンズ31を通して平行したビームに集束されて光学格子30に入射され、光学格子30により分光反射された後、短波長ビーム37と長波長ビーム38とが発生され、また凸レンズ34を通してそれぞれ光調整スリットプレート35の第一スリット301と第二スリット302に入射され、更に第一可変反射鏡41と第二可変反射鏡42とにより反射される。かくて二つのレーザー共振経路を形成し、レーザービーム39を第二コリメーティングレンズ33から出力する。よって、その出力されたレーザービームは短波長ビーム37と長波長ビーム38とからなる二波長ビームである。もし凸レンズ34は光学格子30と第一及び第二コリメーティングレンズ41、42との間に正確に置かれることができない場合、言い換えれば凸レンズ34の位置に偏差がある場合、短波長ビーム37と長波長ビーム38が凸レンズ34を通して平行したビームにはならない。その場合は独立的に調整できる第一可変反射鏡41と第二可変反射鏡42とを利用して該二つの共振ビームを損失なしにもとの共振経路に反射し、伝統的な二波長共振空洞システムの不均等共振損失の問題を解決できる。
【0027】
図5を参照するに、図5に示されるのはこの発明による可変半導体レーザーの二波長共振空洞システム400の分光分析であり、横軸は出力レーザーの波長を示し、縦軸は出力レーザー分光分析の相対光度である。光調整スリットプレート35の第一スリット301と第二スリット302との位置と離隔距離とを調整すればそれぞれ異なった二つのレーザー共振経路と共振波長とが得られる。図5はそれぞれスリット離隔距離が32ナノメートル、63ナノメートル、138ナノメートル、170ナノメートルになる場合に対応する四種類の出力レーザー分光分析500、502、504、506を示している。独立的に調整できる第一可変反射鏡41と第二可変反射鏡42とを利用して該二つの共振ビームを損失なしにもとの共振経路に反射することにより、図5が示す通りに、該ビームは非常に高い信号対雑音比を有し、そして選ばれた二波長レーザービームの光度はほぼ同じである。言い換えれば、この発明による二波長共振空洞システムは非常に均等な二波長共振ゲイン特性を提供できる。
【0028】
【第2の実施例】
図3と図6を参照する。図6にこの発明による半導体レーザー共振空洞システム600を開示する。図示によれば、この発明による可変半導体レーザーの四波長共振空洞システム600は、図3に示されたような従来の可変半導体レーザーの二波長共振空洞システム300の改良構造である。共振空洞システム600は、光学格子30と、第一コリメーティングレンズ31と、半導体光増幅器32と、第二コリメーティングレンズ33と、凸レンズ34と、光調整スリットプレート601と、第一可変反射鏡621と、第二可変反射鏡622と、第三可変反射鏡623と、第四可変反射鏡624とを含んでなる。半導体光増幅器32は、該半導体レーザーの内部共振条件を形成することを防ぐために曲線状導波路303を含んでなる。光調整スリットプレート601は、第一スリット611と、第二スリット612と、第三スリット613と、第四スリット614とを含んでなる。光学格子30は凸レンズ34の焦点に置かれている。四つの可変反射鏡621、622、623、624は光マイクロマシーンの小反射鏡またはデジタル光処理技術のデジタルマイクロミラーデバイスに取り替えられることができ、四組の独立のアクチュエーター図に示されないで制御される。レーザー光源が半導体光増幅器32により発生された後、発散されたビームはコリメーティングレンズ31を通して平行したビームに集束されて光学格子30に入射され、光学格子30により分光反射された後、第一波長ビーム631と、第二波長ビーム632と、第三波長ビーム633と、第四波長ビーム634とが発生され、また凸レンズ34を通してそれぞれ光調整スリットプレート604にある四つのスリット611、612、613、614に入射され、更に四つの可変反射鏡621、622、623、624により反射される。かくて四つのレーザー共振経路を形成し、レーザービーム39を第二コリメーティングレンズ33から出力する。よって、その出力されたレーザービームは四つの共振ビーム631、632、633、634からなる四波長ビームである。もし凸レンズ34は光学格子30と可変反射鏡621、622、623、624との間に正確に置かれることができない場合、言い換えれば凸レンズ34の位置に偏差がある場合、四つのレーザービーム631、632、633、634が凸レンズ34を通して平行したビームにはならない。その場合は独立的に調整できる四つの可変反射鏡621、622、623、624とを利用して該四つの共振ビームを損失なしにもとの共振経路に反射し、従来の四波長共振空洞システムの不均等共振損失の問題を解決できる。それによって類推すれば、この発明による多波長共振空洞システムは成立できる。
【0029】
以上は、この発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲の範囲に属するものとする。
【0030】
【発明の効果】
前述により、従来のたった一つの反射鏡を用いた可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムと比べ、この発明による可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムは、複数の可変反射鏡を複数のレーザー共振経路に対応させ、更に該複数の可変反射鏡はその反射角度を独立的に調整されることができ、もって入射されたレーザービームを損失なしにもとの共振経路に反射することによって、従来の多波長共振空洞システムの不均等共振損失の問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の可変半導体レーザーの単波長共振空洞システムを表わす説明図である。
【図2】もう一つの従来の可変半導体レーザーの単波長共振空洞システムを表わす説明図である。
【図3】従来の可変半導体レーザーの二波長共振空洞システムを表わす説明図である。
【図4】この発明の第1実施例による可変半導体レーザーの二波長共振空洞システムを表わす説明図である。
【図5】図4に示されるこの発明による二波長共振空洞システムの分光分析を表わす説明図である。
【図6】この発明の第2実施例による可変半導体レーザーの四波長共振空洞システムを表わす説明図である。
【符号の説明】
10、20、30     光学格子
11、21        コリメーティングレンズ
12、22        反射防止層
13、23        ファブリペロー型半導体レーザーまたは半導体光増幅器
14、25、39     出力されたレーザービーム
24           高反射層
31           第一コリメーティングレンズ
32           半導体光増幅器
33           第二コリメーティングレンズ
34           凸レンズ
35、601       光調整スリットプレート
36           反射鏡
37           短波長ビーム
38           長波長ビーム
41、621       第一可変反射鏡
42、622       第二可変反射鏡
100、200、300、600     共振空洞
301、611      第一スリット
302、612      第二スリット
303          導波路
613          第三スリット
614          第四スリット
623          第三可変反射鏡
624          第四可変反射鏡
631          第一波長ビーム
632          第二波長ビーム
633          第三波長ビーム
634          第四波長ビーム

Claims (12)

  1. 光を発生させる光源と、
    該光源から送られた光線を回折し、回折された光線を種々の角度で反射する光学格子と、
    該光学格子から送られた光線を反射する複数の反射鏡とを含んでなり、
    前記複数の反射鏡が前記光学格子から送られた光線を該光学格子に反射し、また該光学格子を経由して前記光源に反射し、もって共振されたビームを出力することを特徴とするレーザー共振空洞システム。
  2. 前記光学格子と前記複数の反射鏡との間にプレートが設けられ、更に前記プレートには、前記複数の反射鏡に対応する複数のスリットが設けられ、特定の波長を有する光線のみを該複数の反射鏡に送ることを特徴とする請求項1に記載のレーザー共振空洞システム。
  3. 前記光学格子と前記複数の反射鏡との間に凸レンズが設けられ、該光学格子から該複数の反射鏡に反射されたビームを集束することを特徴とする請求項1に記載のレーザー共振空洞システム。
  4. 前記光源が導波路を有し、もって該光源が発生させた光線をガイドし、更に該導波路が第一端面と第二端面を有することを特徴とする請求項1に記載のレーザー共振空洞システム。
  5. 前記導波路が曲線状であることを特徴とする請求項4に記載のレーザー共振空洞システム。
  6. 前記導波路の第一端面が反射防止層を有し、もって該導波路を経由して該第一端面に送られた光線が直接に該第一端面から該導波路に反射されることを避けることを特徴とする請求項4に記載のレーザー共振空洞システム。
  7. 前記導波路の片側にコリメーティングレンズが設けられ、該導波路から発散された光線を集束することを特徴とする請求項4に記載のレーザー共振空洞システム。
  8. 前記コリメーティングレンズが前記光源と前記光学格子との間に設けられ、前記導波路から発散された光線を該光学格子に集束することを特徴とする請求項7に記載のレーザー共振空洞システム。
  9. 前記コリメーティングレンズが前記導波路の第二端面の片側に設けられ、前記光源からの光線を集束して出力することを特徴とする請求項7に記載のレーザー共振空洞システム。
  10. 前記コリメーティングレンズが集束する光線はレーザー光線であることを特徴とする請求項9に記載のレーザー共振空洞システム。
  11. 前記光源は半導体光増幅器であることを特徴とする請求項1に記載のレーザー共振空洞システム。
  12. 前記光源は多重量子井戸半導体レーザーであることを特徴とする請求項1に記載のレーザー共振空洞システム。
JP2003098344A 2002-07-04 2003-04-01 可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム Pending JP2004072069A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091114882A TWI291274B (en) 2002-07-04 2002-07-04 Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004072069A true JP2004072069A (ja) 2004-03-04

Family

ID=29998070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003098344A Pending JP2004072069A (ja) 2002-07-04 2003-04-01 可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6687275B2 (ja)
JP (1) JP2004072069A (ja)
TW (1) TWI291274B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242747A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Fujifilm Corp 波長可変レーザ装置および光断層画像化装置
JP2008529068A (ja) * 2005-01-24 2008-07-31 ソルラブス、 インコーポレイテッド 高速に波長スキャンする小型マルチモードレーザ

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7286582B1 (en) * 2003-10-08 2007-10-23 Fay Jr Theodore Denis Optical external cavities having brewster angle wedges
KR100566255B1 (ko) * 2004-02-19 2006-03-29 삼성전자주식회사 반사형 반도체 광 증폭기
KR100550141B1 (ko) * 2004-08-09 2006-02-08 한국전자통신연구원 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저다이오드
US20060092993A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Chromaplex, Inc. High-power mode-locked laser device
TWI242661B (en) * 2004-12-27 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Apparatus as a tuning filter
CN100478738C (zh) * 2006-02-24 2009-04-15 中国科学院半导体研究所 可调谐激光滤光器
US20090229651A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Fay Jr Theodore Denis Solar energy production system
US20110068279A1 (en) * 2009-08-11 2011-03-24 Fay Jr Theodore Denis Ultra dark field microscope
US9698567B2 (en) * 2011-07-14 2017-07-04 Applied Optoelectronics, Inc. Wavelength-selectable laser device providing spatially-selectable wavelength(S)
WO2012106971A1 (zh) * 2011-12-19 2012-08-16 华为技术有限公司 一种外腔激光器
US9865985B1 (en) * 2012-06-20 2018-01-09 TeraDiode, Inc. Widely tunable infrared source system and method
CN103633558B (zh) * 2013-12-20 2016-04-20 武汉光迅科技股份有限公司 采用小型mems镜的宽带可调谐外腔激光器
WO2023178126A1 (en) * 2022-03-15 2023-09-21 KineoLabs Cat's-eye swept source laser for oct and spectroscopy

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62152191A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長多重光通信用光源
JPH05206580A (ja) * 1991-05-17 1993-08-13 Canon Inc 外部共振器型レーザ装置
JP2001111177A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光増幅装置及びその製造方法
US20010036209A1 (en) * 1998-06-11 2001-11-01 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377212A (en) * 1991-10-17 1994-12-27 Hitachi, Ltd. Solid-state laser device including uniaxial laser crystal emitting linearly polarized fundamental wave and nonlinear optical crystal emitting linearly polarized harmonic wave
US6322220B1 (en) * 1994-02-14 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
WO1996031929A1 (fr) * 1995-04-03 1996-10-10 Komatsu Ltd. Laser a bande etroite

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62152191A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長多重光通信用光源
JPH05206580A (ja) * 1991-05-17 1993-08-13 Canon Inc 外部共振器型レーザ装置
US20010036209A1 (en) * 1998-06-11 2001-11-01 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
JP2001111177A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光増幅装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008529068A (ja) * 2005-01-24 2008-07-31 ソルラブス、 インコーポレイテッド 高速に波長スキャンする小型マルチモードレーザ
JP2014209646A (ja) * 2005-01-24 2014-11-06 ソルラブス、インコーポレイテッドThorlabs, Inc. 高速波長走査の小型多モードレーザ
JP2007242747A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Fujifilm Corp 波長可変レーザ装置および光断層画像化装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI291274B (en) 2007-12-11
US20040004979A1 (en) 2004-01-08
US6687275B2 (en) 2004-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10205295B2 (en) Chirped Bragg grating elements
US6327292B1 (en) External cavity laser source using spectral beam combining in two dimensions
JP6293675B2 (ja) Octのためのgrsmを伴う波長調整可能な外部キャビティレーザーダイオード
US9905993B2 (en) Wavelength selective external resonator and beam combining system for dense wavelength beam combining laser
US9690107B2 (en) Device for wavelength combining of laser beams
US6192062B1 (en) Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power
JP5558839B2 (ja) 角度走査及び分散手順を用いて波長掃引レーザを利用するための方法、構成及び装置
US6920272B2 (en) Monolithic tunable lasers and reflectors
JP2004072069A (ja) 可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム
US20030133485A1 (en) Laser array for generating stable multi-wavelength laser outputs
CN110989182A (zh) 一种合束光源装置
JP2015056469A (ja) 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール
JP5228616B2 (ja) 波長可変光源
JP4402030B2 (ja) 外部共振型半導体レーザ
US7212560B2 (en) Tunable external cavity laser diode using variable optical deflector
JP7457723B2 (ja) 外部共振器レーザ装置、対応するシステム及び方法
CN115327788B (zh) 光谱合束装置及方法
KR102328628B1 (ko) 파장 안정화된 레이저 모듈 및 그 제조 방법, 파장 안정화된 레이저 모듈을 이용한 광섬유 레이저
JP2011018779A (ja) 波長可変光源
JP2001156393A (ja) V溝格子ミラー及びこれを用いた外部共振器型波長可変光源
CN117712822A (zh) 一种半导体激光器的光谱合束装置
CN115327788A (zh) 光谱合束装置及方法
JP2006269990A (ja) 外部共振型半導体レーザ
JP2011234071A (ja) 光無線伝送装置
WO2019050596A1 (en) HORIZONTAL EXTERNAL CAVITY LASER GEOMETRY

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060110