JP2004071986A - 半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光の入射・出射端面の近傍に窓領域となる光導波路のコア層を形成した半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光の入射・出射端面8をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板1及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層2並びに上記半導体基板上で上記活性層2と上記端面8との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層9を備えた構成とする。
【選択図】 図1
【解決手段】光の入射・出射端面8をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板1及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層2並びに上記半導体基板上で上記活性層2と上記端面8との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層9を備えた構成とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光通信システムあるいは光ディスクシステムなどで使用される半導体レーザ、LEDなどの発光素子、電界吸収型光変調器などの変調素子、ホトダイオード、アバランシェホトダイオードなどの受光素子、半導体光増幅器あるいは半導体波長変換器などの光機能素子等の半導体光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は、従来の半導体光素子の概略構成を示す断面図である。この図において、1はn−InP基板、2は光導波路を構成するInGaAsP多重量子井戸活性層、3はp−InPクラッド層で、平坦面を形成する平坦面クラッド層3Aと、リッジ部を形成するリッジ部クラッド層3Bとを有する。4はリッジ部の上端に設けられたp−InGaAsコンタクト層、5はSiO2絶縁膜で、平坦面クラッド層3Aの上面に形成された平坦面SiO2絶縁膜5Aと、リッジ部の側面に形成された側面SiO2絶縁膜(図示せず)と、リッジ部上面に形成された上面SiO2絶縁膜5Bとを有する。
6はリッジ部上面でコンタクト層4及び上面SiO2絶縁膜5Bを覆うように設けられたTi/Au電極、7はプラズマCVD法を用いて成膜されたSiO2またはSiNよりなる素子端面パッシベーション用の絶縁膜で、この絶縁膜はエッチングによりウェハプロセス工程中に形成された素子端面8に、ウェハプロセス中(へき開を行なう前)に形成されるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体光素子は以上のように構成され、光の入射・出射端面8を深さ8μm以上エッチングすることにより形成した後、エッチングされた端面8をホトレジストでパターニングし、プラズマCVD法などを用いて端面部分にSiO2、SiN等のパッシベーション膜7を選択的に形成していた。パッシベーション膜7の膜厚が変化すると素子の端面8の光の反射率が変化する。
反射率の変化を許容範囲内に収めるためには、例えば1.55μmの波長の光に対して反射率1%以下のコーティングを行なう場合、SiN膜の膜厚ばらつきを10オングストローム以下に抑える必要がある。しかしながら、8μm以上の段差のある部分にレジストをパターニングすること及び垂直に形成された端面8に絶縁膜を、10オングストロームの厚さ精度で制御して形成するためには高精度の製造プロセスが必要で、素子のコスト上昇を招くという問題点があった。
また、反射率を低減するためには素子端面8の近傍に、光が回折により拡がる低屈折率材料の窓領域を設けることが有効であるが、特に、リッジ型の素子においては、部分的に別の材料を埋め込む構成としにくいため、窓領域を設けにくいという問題点があった。
【0004】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、光の入射・出射端面の近傍に窓領域となる光導波路のコア層を形成した半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体光素子は、光の入射・出射端面をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層並びに上記半導体基板上で上記活性層と上記端面との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層を備えたものである。
【0006】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層の膜厚を上記活性層より厚くしたものである。
【0007】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層を入射・出射光のビーム径とほぼ同等の膜厚としたものである。
【0008】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、上述したいずれかの構成の半導体光素子において、上記活性層及びコア層をバットジョイント法を用いて形成するようにしたものである。
【0009】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、また、上述したいずれかの構成の半導体光素子において、上記コア層のアルミを含む化合物半導体を光の入射・出射端面形成後に水蒸気雰囲気で熱酸化するようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1の構成を示す斜視図、図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。
これらの図において、1はn−InP基板、2は光導波路を構成するInGaAsP多重量子井戸活性層、3はp−InPクラッド層で、平坦面を形成する平坦面クラッド層3Aと、リッジ部を形成するリッジ部クラッド層3Bとを有する。4はリッジ部の上端に設けられたp−InGaAsコンタクト層、5はSiO2絶縁膜で、平坦面クラッド層3Aの上面に形成された平坦面SiO2絶縁膜5Aと、リッジ部の側面に形成された側面SiO2絶縁膜5Cと、リッジ部上面に形成された上面SiO2絶縁膜5Bとを有する。6はリッジ部上面でコンタクト層4及び上面SiO2絶縁膜5Bを覆うように設けられたTi/Au電極、8はエッチングによって形成された光の入射・出射端面、9は活性層2と端面8との間に設けられ窓領域として作用するコア層で、端面8からの長さが5μm〜20μmに設定されたアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されている。なお、アルミを含む化合物半導体の酸化物は、コア層9として先ずAlGaInAsなどのAlを含む化合物半導体を設け、端面8の形成後に水蒸気雰囲気で上記化合物半導体を熱酸化させることにより形成する。
【0011】
アルミを含む化合物半導体の酸化物によって構成されたコア層9はガラスに近い特性を有し、光の吸収がほとんどなく、屈折率が小さいため窓領域として有効に作用する。
また、アルミを含む化合物半導体の酸化物は電気伝導率が小さいため電気狭窄層としても作用する。なお、波長1.3〜1.55μmの光が回折により拡がるようにするためには、窓長、即ち端面8からコア層9の内端までの長さを波長の3倍程度とする必要がある。具体的には、種々の実験を行なった結果、窓長を5〜20μmとすることにより反射率が極小となることを確認した。また、窓長の長さはコア層9をバットジョイント法によって形成することにより、写真製版の精度(10nm以下)で制御することが可能である。
【0012】
バットジョイント法の手順を概略的に説明すると、活性層2を0.2μmの厚さで端面8まで全面的に形成した後、活性層2上にSiO2マスクを施こし、写真製版でコア層9の形成部分のSiO2マスクを除去すると共に、水素、酸素の混合ガスを用いたドライエッチングによってコア層9の形成部分の活性層2を除去し、この部分に有機金属気相成長法によってAlGaInAsなどのAlを含む化合物半導体層を活性層2と同じ厚さに形成する。その後、上述のように、水蒸気雰囲気で上記化合物半導体層を熱酸化させることによりアルミを含む化合物半導体の酸化物からなるコア層9を形成する。
実施の形態1は以上のように構成されているため、窓領域を形成する低屈折率のコア層9を容易に、かつ精度のよい膜厚で形成することができる。また、段差の大きい端面部分にレジストをパターニングする必要がないので、製造工程が簡単になり、装置のコストを低減することができる。
【0013】
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図3は、実施の形態2の構成を示す斜視図、図4は、図3のIV−IV線に沿った断面図である。
これらの図において、図1、図2と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図1、図2と異なる点は、コア層の厚さを活性層の厚さより厚くした点である。即ち、図3、図4において、9Aは端面8と活性層2との間に設けられ窓領域として作用するコア層で、実施の形態1と同様に、端面8からの長さが5μm〜20μmに設定されたアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されるが、厚さは入出射光のビーム径とほぼ等しい2μm程度とされている。コア層9の膜厚は、上述したバットジョイント法におけるコア層9の有機金属気相成長時に成長時間を制御することによって所望の膜厚を容易に得ることができる。
【0014】
実施の形態2は上述のように、Alを含むコア層9の厚さを活性層より厚くしているため、光の入出射端面8におけるコア層9の高さ方向の寸法が大きくなり、反射率を低減することができる。なお、上述の各実施の形態においては、光の入射・出射端面8をエッチングによって形成したものであるが、上記端面をへき開によって形成した場合でも各実施の形態と同様に実施することができ、同様な効果を期待することができる。また、上述の各実施の形態はリッジ型の半導体光素子を対象としたが、埋め込み型の半導体光素子に対しても同様に実施し得ることは云うまでもない。
【0015】
【発明の効果】
この発明に係る半導体光素子は、光の入射・出射端面をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層並びに上記半導体基板上で上記活性層と上記端面との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層を備えたものであるため、窓領域を形成する低屈折率のコア層9を容易に、かつ精度のよい膜厚で形成することができる。また、段差の大きい端面部分にレジストをパターニングする必要がないので、製造工程が簡単になり、装置のコストを低減することができる。
【0016】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層の膜厚を活性層より厚くし、入射・出射光のビーム径とほぼ同等の膜厚としたため、光の入出射端面におけるコア層の高さ方向の寸法が大きくなり、反射率を低減することができる。
【0017】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、活性層及びコア層をバットジョイント法を用いて形成するようにしたため、コア層を任意の層厚に、精度よく形成することができる。
【0018】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、また、コア層のアルミを含む化合物半導体を光の入射・出射端面の形成後に水蒸気雰囲気で熱酸化させるようにしたため、コア層はガラスに近い特性を有し、光の吸収がほとんどなく、屈折率の小さい窓領域として効果的に作用するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1の構成を示す斜視図である。
【図2】図1のII−II線に沿った断面図である。
【図3】この発明の実施の形態2の構成を示す斜視図である。
【図4】図3のIV−IV線に沿った断面図である。
【図5】従来の半導体光素子の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 n−InP基板、 2 活性層、 3A、3B p−InPクラッド層、 4p−InGaAsコンタクト層、 5A、5B、5C SiO2絶縁膜、 6 Ti/Au電極、 8 端面、 9 コア層。
【発明の属する技術分野】
この発明は、光通信システムあるいは光ディスクシステムなどで使用される半導体レーザ、LEDなどの発光素子、電界吸収型光変調器などの変調素子、ホトダイオード、アバランシェホトダイオードなどの受光素子、半導体光増幅器あるいは半導体波長変換器などの光機能素子等の半導体光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は、従来の半導体光素子の概略構成を示す断面図である。この図において、1はn−InP基板、2は光導波路を構成するInGaAsP多重量子井戸活性層、3はp−InPクラッド層で、平坦面を形成する平坦面クラッド層3Aと、リッジ部を形成するリッジ部クラッド層3Bとを有する。4はリッジ部の上端に設けられたp−InGaAsコンタクト層、5はSiO2絶縁膜で、平坦面クラッド層3Aの上面に形成された平坦面SiO2絶縁膜5Aと、リッジ部の側面に形成された側面SiO2絶縁膜(図示せず)と、リッジ部上面に形成された上面SiO2絶縁膜5Bとを有する。
6はリッジ部上面でコンタクト層4及び上面SiO2絶縁膜5Bを覆うように設けられたTi/Au電極、7はプラズマCVD法を用いて成膜されたSiO2またはSiNよりなる素子端面パッシベーション用の絶縁膜で、この絶縁膜はエッチングによりウェハプロセス工程中に形成された素子端面8に、ウェハプロセス中(へき開を行なう前)に形成されるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体光素子は以上のように構成され、光の入射・出射端面8を深さ8μm以上エッチングすることにより形成した後、エッチングされた端面8をホトレジストでパターニングし、プラズマCVD法などを用いて端面部分にSiO2、SiN等のパッシベーション膜7を選択的に形成していた。パッシベーション膜7の膜厚が変化すると素子の端面8の光の反射率が変化する。
反射率の変化を許容範囲内に収めるためには、例えば1.55μmの波長の光に対して反射率1%以下のコーティングを行なう場合、SiN膜の膜厚ばらつきを10オングストローム以下に抑える必要がある。しかしながら、8μm以上の段差のある部分にレジストをパターニングすること及び垂直に形成された端面8に絶縁膜を、10オングストロームの厚さ精度で制御して形成するためには高精度の製造プロセスが必要で、素子のコスト上昇を招くという問題点があった。
また、反射率を低減するためには素子端面8の近傍に、光が回折により拡がる低屈折率材料の窓領域を設けることが有効であるが、特に、リッジ型の素子においては、部分的に別の材料を埋め込む構成としにくいため、窓領域を設けにくいという問題点があった。
【0004】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、光の入射・出射端面の近傍に窓領域となる光導波路のコア層を形成した半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体光素子は、光の入射・出射端面をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層並びに上記半導体基板上で上記活性層と上記端面との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層を備えたものである。
【0006】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層の膜厚を上記活性層より厚くしたものである。
【0007】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層を入射・出射光のビーム径とほぼ同等の膜厚としたものである。
【0008】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、上述したいずれかの構成の半導体光素子において、上記活性層及びコア層をバットジョイント法を用いて形成するようにしたものである。
【0009】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、また、上述したいずれかの構成の半導体光素子において、上記コア層のアルミを含む化合物半導体を光の入射・出射端面形成後に水蒸気雰囲気で熱酸化するようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1の構成を示す斜視図、図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。
これらの図において、1はn−InP基板、2は光導波路を構成するInGaAsP多重量子井戸活性層、3はp−InPクラッド層で、平坦面を形成する平坦面クラッド層3Aと、リッジ部を形成するリッジ部クラッド層3Bとを有する。4はリッジ部の上端に設けられたp−InGaAsコンタクト層、5はSiO2絶縁膜で、平坦面クラッド層3Aの上面に形成された平坦面SiO2絶縁膜5Aと、リッジ部の側面に形成された側面SiO2絶縁膜5Cと、リッジ部上面に形成された上面SiO2絶縁膜5Bとを有する。6はリッジ部上面でコンタクト層4及び上面SiO2絶縁膜5Bを覆うように設けられたTi/Au電極、8はエッチングによって形成された光の入射・出射端面、9は活性層2と端面8との間に設けられ窓領域として作用するコア層で、端面8からの長さが5μm〜20μmに設定されたアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されている。なお、アルミを含む化合物半導体の酸化物は、コア層9として先ずAlGaInAsなどのAlを含む化合物半導体を設け、端面8の形成後に水蒸気雰囲気で上記化合物半導体を熱酸化させることにより形成する。
【0011】
アルミを含む化合物半導体の酸化物によって構成されたコア層9はガラスに近い特性を有し、光の吸収がほとんどなく、屈折率が小さいため窓領域として有効に作用する。
また、アルミを含む化合物半導体の酸化物は電気伝導率が小さいため電気狭窄層としても作用する。なお、波長1.3〜1.55μmの光が回折により拡がるようにするためには、窓長、即ち端面8からコア層9の内端までの長さを波長の3倍程度とする必要がある。具体的には、種々の実験を行なった結果、窓長を5〜20μmとすることにより反射率が極小となることを確認した。また、窓長の長さはコア層9をバットジョイント法によって形成することにより、写真製版の精度(10nm以下)で制御することが可能である。
【0012】
バットジョイント法の手順を概略的に説明すると、活性層2を0.2μmの厚さで端面8まで全面的に形成した後、活性層2上にSiO2マスクを施こし、写真製版でコア層9の形成部分のSiO2マスクを除去すると共に、水素、酸素の混合ガスを用いたドライエッチングによってコア層9の形成部分の活性層2を除去し、この部分に有機金属気相成長法によってAlGaInAsなどのAlを含む化合物半導体層を活性層2と同じ厚さに形成する。その後、上述のように、水蒸気雰囲気で上記化合物半導体層を熱酸化させることによりアルミを含む化合物半導体の酸化物からなるコア層9を形成する。
実施の形態1は以上のように構成されているため、窓領域を形成する低屈折率のコア層9を容易に、かつ精度のよい膜厚で形成することができる。また、段差の大きい端面部分にレジストをパターニングする必要がないので、製造工程が簡単になり、装置のコストを低減することができる。
【0013】
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図3は、実施の形態2の構成を示す斜視図、図4は、図3のIV−IV線に沿った断面図である。
これらの図において、図1、図2と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図1、図2と異なる点は、コア層の厚さを活性層の厚さより厚くした点である。即ち、図3、図4において、9Aは端面8と活性層2との間に設けられ窓領域として作用するコア層で、実施の形態1と同様に、端面8からの長さが5μm〜20μmに設定されたアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されるが、厚さは入出射光のビーム径とほぼ等しい2μm程度とされている。コア層9の膜厚は、上述したバットジョイント法におけるコア層9の有機金属気相成長時に成長時間を制御することによって所望の膜厚を容易に得ることができる。
【0014】
実施の形態2は上述のように、Alを含むコア層9の厚さを活性層より厚くしているため、光の入出射端面8におけるコア層9の高さ方向の寸法が大きくなり、反射率を低減することができる。なお、上述の各実施の形態においては、光の入射・出射端面8をエッチングによって形成したものであるが、上記端面をへき開によって形成した場合でも各実施の形態と同様に実施することができ、同様な効果を期待することができる。また、上述の各実施の形態はリッジ型の半導体光素子を対象としたが、埋め込み型の半導体光素子に対しても同様に実施し得ることは云うまでもない。
【0015】
【発明の効果】
この発明に係る半導体光素子は、光の入射・出射端面をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層並びに上記半導体基板上で上記活性層と上記端面との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層を備えたものであるため、窓領域を形成する低屈折率のコア層9を容易に、かつ精度のよい膜厚で形成することができる。また、段差の大きい端面部分にレジストをパターニングする必要がないので、製造工程が簡単になり、装置のコストを低減することができる。
【0016】
この発明に係る半導体光素子は、また、上記コア層の膜厚を活性層より厚くし、入射・出射光のビーム径とほぼ同等の膜厚としたため、光の入出射端面におけるコア層の高さ方向の寸法が大きくなり、反射率を低減することができる。
【0017】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、活性層及びコア層をバットジョイント法を用いて形成するようにしたため、コア層を任意の層厚に、精度よく形成することができる。
【0018】
この発明に係る半導体光素子の製造方法は、また、コア層のアルミを含む化合物半導体を光の入射・出射端面の形成後に水蒸気雰囲気で熱酸化させるようにしたため、コア層はガラスに近い特性を有し、光の吸収がほとんどなく、屈折率の小さい窓領域として効果的に作用するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1の構成を示す斜視図である。
【図2】図1のII−II線に沿った断面図である。
【図3】この発明の実施の形態2の構成を示す斜視図である。
【図4】図3のIV−IV線に沿った断面図である。
【図5】従来の半導体光素子の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 n−InP基板、 2 活性層、 3A、3B p−InPクラッド層、 4p−InGaAsコンタクト層、 5A、5B、5C SiO2絶縁膜、 6 Ti/Au電極、 8 端面、 9 コア層。
Claims (5)
- 光の入射・出射端面をエッチングまたはへき開により形成した半導体光素子において、半導体基板及びこの半導体基板上に設けられ光導波路を構成する活性層並びに上記半導体基板上で上記活性層と上記端面との間に設けられ5μm〜20μmの長さのアルミを含む化合物半導体の酸化物から構成されると共に、窓領域として作用するコア層を備えた半導体光素子。
- 上記コア層の膜厚を上記活性層より厚くしたことを特徴とする請求項1記載の半導体光素子。
- 上記コア層を入射・出射光のビーム径とほぼ同等の膜厚としたことを特徴とする請求項1記載の半導体光素子。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の半導体光素子において、上記活性層及びコア層をバットジョイント法を用いて形成することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の半導体光素子において、上記コア層のアルミを含む化合物半導体を光の入射・出射端面形成後に水蒸気雰囲気で熱酸化することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002231949A JP2004071986A (ja) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | 半導体光素子及びその製造方法 |
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