JP2004064175A - 積層ストリップラインフィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1・第2の片端開放矩形状共振電極33・35および第1・第2の片端短絡矩形状共振電極34・36が、第2・第3の誘電体層22・23の間に配した第2の接地電極に設けた第1・第2の矩形状開口部37・38を介して電磁界結合するように配され、第1・第2の片端開放矩形状共振電極33・35の幅W1と、第1の矩形状開口部37の幅W2と、第1・第2の片端開放矩形状共振電極34・36の幅W3と、第1の矩形状開口部38の幅W4とが、W1>W2かつW3>W4の関係を満たし、積層方向から見て、第1・第2の片端開放矩形状共振電極33・35が第1の矩形状開口部37を覆うとともに、第1・第2の片端短絡矩形状共振電極34・36が第2の矩形状開口部38を覆うように配された積層ストリップラインフィルタである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話や無線LAN等の無線通信機器その他の各種通信機器等において使用される積層ストリップラインフィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の移動体通信機器等に使用されるフィルタは、移動体通信機器等の薄型化・小型化の要求に伴い、誘電体同軸型共振器を用いたフィルタから分布定数回路を共振器に用いた積層ストリップラインフィルタへと進展してきている。
【0003】
そのような従来の積層ストリップラインフィルタとして、特開平9−331201号公報には、図6に透視斜視図および図7に透視平面図で示す構成のものが提案されている。
【0004】
図6および図7において、10は第1の誘電体層、11は第1の誘電体層10の上に積層された第2の誘電体層、12は第2の誘電体層11の上に積層された第3の誘電体層、13は第1の誘電体層10の下面に配された第1の接地電極、14は第3の誘電体層12の上面に配された第2の接地電極、15および16は第1の誘電体層10および第2の誘電体層11の間に配した第1の片端開放矩形状共振電極および第1の片端短絡矩形状共振電極、17および18は第2の誘電体層11および第3の誘電体層12の間に配した第2の片端開放矩形状共振電極および第2の片端短絡矩形状共振電極である。
【0005】
第1および第2の片端開放矩形状共振電極15・17は略同一の形状を有し、さらに積層方向から見て平行に、かつ第1の片端開放矩形状共振電極15の一部と第2の片端開放矩形状共振電極17の一部とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なるように配されている。
【0006】
また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極16・18は略同一の形状を有し、さらに積層方向から見て平行に、かつ第1の片端短絡矩形状共振電極16の一部と第2の片端短絡矩形状共振電極18の一部とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なるように配されている。
【0007】
さらに、第1の片端開放矩形状共振電極15の開放端19と反対側の端部と、第1の片端短絡矩形状共振電極16の短絡端20と反対側の端部とが電気的に接続され、第2の片端開放矩形状共振電極17の開放端19と反対側の端部と、第2の片端短絡矩形状共振電極18の短絡端20と反対側の端部とが電気的に接続される構成となっていた。なお、図7においては、第1および第2の接地電極13・14の図示は省略している。
【0008】
そして、第1および第2の片端開放矩形状共振電極15・17の幅W1、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極16・18の幅W2、第1の片端開放矩形状共振電極15と第2の片端開放矩形状共振電極17とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なる幅W3、ならびに第1の片端短絡矩形状共振電極16と第2の片端短絡矩形状共振電極18とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なる幅W4を調整することにより、第1および第2の片端開放矩形状共振電極15・17間ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極16・18間で形成される結合として容量性結合が支配的となる場合は、通過帯域に対して低域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を、逆に誘導性結合が支配的となる場合は、通過帯域に対して高域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を実現していた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の積層ストリップラインフィルタにおいては、第1〜第3の誘電体層10〜12を積層する工程において発生する積層ずれにより、第1の片端開放矩形状共振電極15と第2の片端開放矩形状共振電極17とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なる幅W3、ならびに第1の片端短絡矩形状共振電極16と第2の片端短絡矩形状共振電極18とが第2の誘電体層11を挟んで互いに重なる幅W4が変化することにより、第1および第2の片端開放矩形状共振電極15・17間の電磁界結合量、ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間16・18の電磁界結合量が変化し、このため、所望のフィルタ特性に対して中心周波数ならびに減衰極が大きく変動するという問題があった。
【0010】
また、このように構成される積層ストリップラインフィルタについても、所望のフィルタ特性を実現するとともに、移動体通信機器等で使用されるフィルタに対する小型化要求にも対応しなければならないという課題もあった。
【0011】
本発明は上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、積層ストリップラインフィルタにおいて、複数の誘電体層を積層する工程において発生する積層ずれによるフィルタ特性の中心周波数および減衰極の変動を低減することができる小型の積層ストリップラインフィルタを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層ストリップラインフィルタは、第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層の上に積層された第2の誘電体層と、前記第2の誘電体層の上に積層された第3の誘電体層と、前記第3の誘電体層の上に積層された第4の誘電体層と、前記第1の誘電体層の下面に配された第1の接地電極と、前記第1および第2の誘電体層の間に配された第1の片端開放矩形状共振電極および第1の片端短絡矩形状共振電極と、前記第2および第3の誘電体層の間に配された第2の接地電極と、前記第3および第4の誘電体層の間に配された第2の片端開放矩形状共振電極および第2の片端短絡矩形状共振電極と、前記第4の誘電体層の上面に配された第3の接地電極とから成り、
前記第2の接地電極は第1および第2の矩形状開口部を有しており、
前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極は略同一の幅W1を有し、この幅W1に対し前記第1の矩形状開口部の幅W2がW1>W2であり、さらに、前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極が前記第1の矩形状開口部を覆うように配され、
前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極は略同一の幅W3を有し、この幅W3に対し前記第2の矩形状開口部の幅W4がW3>W4であり、さらに、前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに前記第2の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が前記第2の矩形状開口部を覆うように配され、
前記第1〜第3の接地電極は前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極を覆うように配され、
前記第1の片端開放矩形状共振電極の開放端と反対側の端部と、前記第1の片端短絡矩形状共振電極の短絡端と反対側の端部とが電気的に接続され、
前記第2の片端開放矩形状共振電極の開放端と反対側の端部と、前記第2の片端短絡矩形状共振電極の短絡端と反対側の端部とが電気的に接続されるとともに、前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1の矩形状開口部の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されているとともに、前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに前記第2の矩形状開口部の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されていることを特徴とするものである。
【0013】
本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第2の接地電極は第1および第2の矩形状開口部を有しており、第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに第1の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端開放矩形状共振電極が第1の矩形状開口部を覆うように配され、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに第2の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が第2の矩形状開口部を覆うように配されていることから、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界は第1の矩形状開口部を介して結合し、また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界は第2の矩形状開口部を介して結合することになり、したがって、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界結合量は第1の矩形状開口部で制御され、また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界結合量は第2の矩形状開口部で制御されることになる。さらに、第1および第2の片端開放矩形状共振電極は略同一の幅W1を有し、この幅W1に対し第1の矩形状開口部の幅W2がW1>W2であり、第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに第1の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端開放矩形状共振電極が第1の矩形状開口部を覆うように配されるとともに、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極は略同一の幅W3を有し、この幅W3に対し第2の矩形状開口部の幅W4がW3>W4であり、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに第2の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が第2の矩形状開口部を覆うように配されていることから、第1〜第3の誘電体層を積層する工程において積層ずれが発生する場合においても、積層ずれによる、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界結合量の変化ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界結合量の変化を低減することができ、この結果、フィルタ特性の中心周波数および減衰極の変動を低減することができる。
【0014】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第1の片端開放矩形状共振電極と第1の片端短絡矩形状共振電極とが第1および第2の誘電体層を介して第1および第2の接地電極に挟まれた構造となり、かつ、第2の片端開放矩形状共振電極と第2の片端短絡矩形状共振電極とが第3および第4の誘電体層を介して第2および第3の接地電極に挟まれた構造となることから、第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極の接地容量を大きくすることができ、その結果、第1および第2の片端開放矩形状共振電極の幅W1ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極の幅W2を小さくすることができるため、より小型の積層ストリップラインフィルタを実現することができる。
【0015】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第1の矩形状開口部を介して形成される第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界結合が支配的な場合は、容量性結合のフィルタとなり、通過帯域に対して低域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を形成することができる。逆に、第2の矩形状開口部を介して形成される第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界結合が支配的な場合は、誘導性結合のフィルタとなり、通過帯域に対して高域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を形成することができる。
【0016】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタは、上記構成において、各接地電極および/または各片端短絡矩形状共振電極の短絡端が、誘電体層の内部に形成された貫通導体および/または側面に形成された端子電極により積層方向に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【0017】
これにより、積層された複数の誘電体層の内部に形成する積層ストリップラインフィルタの設計自由度が向上するとともに、小型で高性能な積層ストリップラインを提供することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の積層ストリップラインフィルタを図面を参照しつつ説明する。
【0019】
図1は本発明の積層ストリップラインフィルタの実施の形態の一例を示す透視斜視図であり、図2は図1を積層方向から見た透視平面図である。図1および図2において、21は第1の誘電体層、22は第1の誘電体層21の上に積層された第2の誘電体層、23は第2の誘電体層22の上に積層された第3の誘電体層、24は第3の誘電体層23の上に積層された第4の誘電体層、30は第1の誘電体層21の下面に配された第1の接地電極、31は第2および第3の誘電体層22・23の間に配された第2の接地電極、32は第4の誘電体層24の上面に配された第3の接地電極、33および34はそれぞれ第1および第2の誘電体層21・22の間に配した第1の片端開放矩形状共振電極および第1の片端短絡矩形状共振電極、35および36はそれぞれ第3および第4の誘電体層23・24の間に配した第2の片端開放矩形状共振電極および第2の片端短絡矩形状共振電極、37および38は第2の接地電極31に設けた第1および第2の矩形状開口部、39は第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35のそれぞれ開放端、40は第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36のそれぞれ短絡端である。なお、図2においては、第1〜第3の接地電極30〜32の図示は省略している。
【0020】
そして、図2に示すように、第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35は略同一の幅W1を有し、この幅W1に対し第1の矩形状開口部37の幅W2がW1>W2であり、さらに、第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35ならびに第1の矩形状開口部37は略同一の長さL1を有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35が第1の矩形状開口部37を覆うように配されている。また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36は略同一の幅W3を有し、この幅W3に対し第2の矩形状開口部38の幅W4がW3>W4であり、さらに、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36ならびに第2の矩形状開口部38は略同一の長さL2を有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36が第2の矩形状開口部38を覆うように配されている。また、第1〜第3の接地電極30〜32は第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36を覆うように配されている。そして、第1の片端開放矩形状共振電極33の開放端39と反対側の端部と、第1の片端短絡矩形状共振電極34の短絡端40と反対側の端部とが電気的に接続され、第2の片端開放矩形状共振電極35の開放端39と反対側の端部と、第2の片端短絡矩形状共振電極36の短絡端40と反対側の端部とが電気的に接続されている。そして、さらに、第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35ならびに第1の矩形状開口部37の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されているとともに、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36ならびに第2の矩形状開口部38の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されている。
【0021】
このような構成の本発明の積層ストリップラインフィルタは、第1〜第3の接地電極30〜32および/または第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36の短絡端40を積層方向に電気的に接続する接地接続導体および接続導体として、誘電体層の内部に形成された貫通導体(図示せず)および/または側面に形成された端子電極(図示せず)を用いて構成することにより、積層された複数の誘電体層の内部に形成する積層ストリップラインフィルタの設計自由度が向上するとともに、小型で高性能な積層ストリップラインを提供することができる。
【0022】
本発明の積層ストリップラインフィルタを形成するに当たり、第1〜第4の誘電体層21〜24、第1〜第3の接地電極30〜32、第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36は、周知の高周波用配線基板に使用される種々の材料・形態のものを使用することができる。
【0023】
本発明の積層ストリップラインフィルタに用いる第1〜第4の誘電体層21〜24としては、例えばアルミナセラミックス・ムライトセラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、あるいは四ふっ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE)・四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE)・四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。これらの材料による第1〜第4の誘電体層21〜24の形状や寸法(厚みや幅・長さ)は、使用される周波数や用途等に応じて設定される。
【0024】
本発明の積層ストリップラインフィルタにおける第1〜第3の接地電極30〜32、第1および第2の片端開放矩形状共振電極33・35、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36、接続導体は、高周波信号伝送用の金属材料の導体層、例えばCu層・Mo−Mnのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Wのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Cr−Cu合金層・Cr−Cu合金層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Ta2N層上にNi−Cr合金層およびAuメッキ層を被着させたもの・Ti層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの、またはNi−Cr合金層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの等を用いて、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法等により形成される。その厚みや幅も、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。
【0025】
本発明の積層ストリップラインフィルタに用いる第1〜第4の誘電体層21〜24の作製にあたっては、例えば誘電体層がガラスセラミックスから成る場合であれば、まず誘電体層となるガラスセラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の打ち抜き加工を施して貫通導体となる貫通孔を形成した後、スクリーン印刷法によりCu等の導体ペーストを貫通孔に充填するとともに、所定の伝送線路パターンおよびその他の導体層のパターンを印刷塗布する。次に、850〜1000℃で焼成を行ない、最後に各導体層上にNiメッキおよびAuメッキを施す。
【0026】
図3は、図1および図2に示す構成の本発明の積層ストリップラインフィルタならびに図6および図7に示す従来の積層ストリップラインフィルタにおいて容量性結合が支配的な場合に得られるフィルタ特性を示したものである。図3において横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は挿入損失(単位:dB)を、f0は中心周波数を、BWは通過帯域を、frは減衰極を表す。図3に示すフィルタ特性は、通過帯域BWの低域側に減衰極frを1個形成するという特徴を有する。
【0027】
図4および図5は、図1および図2に示す構成の本発明の積層ストリップラインフィルタならびに図6および図7に示す従来の積層ストリップラインフィルタの構造モデルを3次元電磁界解析シミュレータで作成し、幅方向の積層ずれ量として±100μmを考慮した場合のシミュレーション結果における、中心周波数f0、および、減衰極frの変化量を示す各線図である。
【0028】
このシミュレーションは、図1および図2において、第1〜第4の誘電体層21〜24の厚みをそれぞれh1〜h4としたとき、h1=0.15mm、h2=0.05mm、h3=0.05mm、h4=0.15mm、W1=0.93mm、W2=0.68mm、W3=0.80mm、W4=0.44mm、L1=L2=2.26mmとし、幅方向の積層ずれ量として±100μmを考慮した場合、ならびに、図6および図7において、第1〜第3の誘電体層10〜12の厚みをそれぞれh1〜h3としたとき、h1=0.15mm、h2=0.10mm、h3=0.15mm、W1=1.54mm、W2=1.64mm、W3=0.52mm、W4=0.28mm、L1=L2=2.26mmとし、幅方向の積層ずれ量として±100μmを考慮した場合の検討を実施した。シミュレーションの際に用いた各誘電体層の比誘電率は10に設定した。シミュレーションによって求めた計算結果は、測定値とよく一致している。
【0029】
図4において、横軸は幅方向の積層ずれ量(単位:μm)を、縦軸は中心周波数f0の変化量(単位:MHz)を表し、各特性曲線は、Aが図1および図2に示す本発明の積層ストリップラインフィルタにおける結果を、Bが図6および図7に示す従来の積層ストリップラインフィルタにおける結果を示している。
【0030】
また、図5において、横軸は幅方向の積層ずれ量(単位:μm)を、縦軸は減衰極frの変化量(単位:MHz)を表し、各特性曲線は、Aが図1および図2に示す本発明の積層ストリップラインフィルタにおける結果を、Bが図6および図7に示す従来の積層ストリップラインフィルタにおける結果を示している。
【0031】
図4および図5に示す結果から明らかなように、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、複数の誘電体層を積層する工程において発生する積層ずれによる、フィルタ特性の中心周波数ならびに減衰極の変動を低減することができる。
【0032】
例えば、積層ずれ量−100μmにおける中心周波数f0の変化量および減衰極frの変化量についてみると、
A…中心周波数f0の変化量:−5MHz、減衰極frの変化量:0MHz
B…中心周波数f0の変化量:−36MHz、減衰極frの変化量:−320MHzであり、従来の積層ストリップラインフィルタにおける結果(B)に比べて、本発明の積層ストリップラインフィルタにおける結果(A)は、中心周波数f0の変化量および減衰極frの変化量を低減することができることが分かる。
【0033】
また、積層ストリップラインフィルタの大きさの観点から見てみると、従来の積層ストリップラインフィルタと本発明の積層ストリップラインフィルタとでは、共に誘電体層の総厚みが0.4mmであり、片端開放矩形状共振器と片端短絡矩形状共振器とを接続して形成した共振器長が4.52mmであるが、幅方向の寸法について比較すると、従来の積層ストリップラインフィルタは幅方向の寸法が2×W2−W4=3.00mmであるのに対し、本発明の積層ストリップラインフィルタは幅方向の寸法がW1=0.93mmである。即ち、従来の積層ストリップラインフィルタに比べて、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、より小型の積層ストリップラインフィルタを実現することができることが分かる。
【0034】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタは、上記構成において、第1〜第3の接地電極30〜32を積層方向に電気的に接続する接地接続導体および第2および第2の片端短絡矩形状共振電極34・36の短絡端40を積層方向に電気的に接続する接続導体が誘電体層の内部に形成された貫通導体および/または側面に形成された端子電極であることを特徴とするものであり、これにより、積層された複数の誘電体層の内部に形成する積層ストリップラインフィルタの設計自由度が向上するとともに、小型で高性能な積層ストリップラインフィルタを提供することができる。
【0035】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【0036】
【発明の効果】
本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第2の接地電極は第1および第2の矩形状開口部を有しており、第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに第1の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端開放矩形状共振電極が第1の矩形状開口部を覆うように配され、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに第2の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が第2の矩形状開口部を覆うように配されていることから、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界は第1の矩形状開口部を介して結合し、また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界は第2の矩形状開口部を介して結合することになり、したがって、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界結合量は第1の矩形状開口部で制御され、また、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界結合量は第2の矩形状開口部で制御されることになる。
【0037】
さらに、略同一の幅W1を有する第1および第2の片端開放矩形状共振電極に対し、第1の矩形状開口部の幅W2がW1>W2であり、さらに、積層方向から見て、第1および第2の片端開放矩形状共振電極が第1の矩形状開口部を覆うように配されるとともに、略同一の幅W3を有する第1および第2の片端短絡矩形状共振電極に対し、第2の矩形状開口部の幅W4がW3>W4であり、さらに、積層方向から見て、第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が第2の矩形状開口部を覆うように配されていることから、第1〜第3の誘電体層を積層する工程において積層ずれが発生する場合においても、積層ずれによる、第1および第2の片端開放矩形状共振電極間で形成される電磁界結合量の変化ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間で形成される電磁界結合量の変化を低減することができ、これにより、フィルタ特性の中心周波数および減衰極の変動を低減することができるとともに、共振器の幅方向の寸法を小さくすることができる。
【0038】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第1の片端開放矩形状共振電極と第1の片端短絡矩形状共振電極とが第1および第2の誘電体層を介して第1および第2の接地電極に挟まれた構造となり、かつ、第2の片端開放矩形状共振電極と第2の片端短絡矩形状共振電極とが第3および第4の誘電体層を介して第2および第3の接地電極に挟まれた構造となることから、第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極の接地容量を大きくすることができ、その結果、第1および第2の片端開放矩形状共振電極の幅W1ならびに第1および第2の片端短絡矩形状共振電極の幅W2を小さくすることができるため、より小型の積層ストリップラインフィルタを実現することができる。
【0039】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタによれば、第1の矩形状開口部を介して形成される第1および第2の片端開放矩形状共振電極間の電磁界結合が支配的な場合は、容量性結合のフィルタとなり、通過帯域に対して低域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を形成することができる。逆に、第2の矩形状開口部を介して形成される第1および第2の片端短絡矩形状共振電極間の電磁界結合が支配的な場合は、誘導性結合のフィルタとなり、通過帯域に対して高域側に減衰極を1個有するフィルタ特性を形成することができる。
【0040】
また、本発明の積層ストリップラインフィルタは、上記構成において、各接地電極および/または各片端短絡矩形状共振電極の短絡端が、誘電体層の内部に形成された貫通導体および/または側面に形成された端子電極により積層方向に電気的に接続されていることを特徴とするものであり、これにより、積層された複数の誘電体層の内部に形成する積層ストリップラインフィルタの設計自由度が向上するとともに、小型で高性能な積層ストリップラインを提供することができる。
【0041】
以上のように、本発明によれば、積層ストリップラインフィルタにおいて、複数の誘電体層を積層する工程において発生する積層ずれによる、フィルタ特性の中心周波数ならびに減衰極の変動を低減することができる小型の積層ストリップラインフィルタを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の積層ストリップラインフィルタの実施の形態の一例を示す透視斜視図である。
【図2】本発明の積層ストリップラインフィルタの実施の形態の一例を示す透視平面図である。
【図3】本発明の積層ストリップラインフィルタおよび従来の積層ストリップラインフィルタにおける挿入損失の例を示す線図である。
【図4】本発明の積層ストリップラインフィルタおよび従来の積層ストリップラインフィルタにおける幅方向の積層ずれ量に対する、中心周波数の変化量の例を示す線図である。
【図5】本発明の積層ストリップラインフィルタおよび従来の積層ストリップラインフィルタにおける幅方向の積層ずれ量に対する、減衰極の変化量の例を示す線図である。
【図6】従来の積層ストリップラインフィルタの例を示す透視斜視図である。
【図7】従来の積層ストリップラインフィルタの例を示す透視平面図である。
【符号の説明】
21・・・第1の誘電体層
22・・・第2の誘電体層
23・・・第3の誘電体層
24・・・第4の誘電体層
30・・・第1の接地電極
31・・・第2の接地電極
32・・・第3の接地電極
33・・・第1の片端開放矩形状共振電極
34・・・第1の片端短絡矩形状共振電極
35・・・第2の片端開放矩形状共振電極
36・・・第2の片端短絡矩形状共振電極
37・・・第1の矩形状開口部
38・・・第2の矩形状開口部
39・・・開放端
40・・・短絡端
Claims (2)
- 第1の誘電体層と、該第1の誘電体層の上に積層された第2の誘電体層と、該第2の誘電体層の上に積層された第3の誘電体層と、該第3の誘電体層の上に積層された第4の誘電体層と、前記第1の誘電体層の下面に配された第1の接地電極と、前記第1および第2の誘電体層の間に配された第1の片端開放矩形状共振電極および第1の片端短絡矩形状共振電極と、前記第2および第3の誘電体層の間に配された第2の接地電極と、前記第3および第4の誘電体層の間に配された第2の片端開放矩形状共振電極および第2の片端短絡矩形状共振電極と、前記第4の誘電体層の上面に配された第3の接地電極とから成り、
前記第2の接地電極は第1および第2の矩形状開口部を有しており、
前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極は略同一の幅W1を有し、この幅W1に対し前記第1の矩形状開口部の幅W2がW1>W2であり、さらに、前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極が前記第1の矩形状開口部を覆うように配され、
前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極は略同一の幅W3を有し、この幅W3に対し前記第2の矩形状開口部の幅W4がW3>W4であり、さらに、前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに前記第2の矩形状開口部は略同一の長さを有し、積層方向から見て平行に、かつ前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極が前記第2の矩形状開口部を覆うように配され、
前記第1〜第3の接地電極は前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極を覆うように配され、
前記第1の片端開放矩形状共振電極の開放端と反対側の端部と、前記第1の片端短絡矩形状共振電極の短絡端と反対側の端部とが電気的に接続され、
前記第2の片端開放矩形状共振電極の開放端と反対側の端部と、前記第2の片端短絡矩形状共振電極の短絡端と反対側の端部とが電気的に接続されるとともに、前記第1および第2の片端開放矩形状共振電極ならびに前記第1の矩形状開口部の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されているとともに、前記第1および第2の片端短絡矩形状共振電極ならびに前記第2の矩形状開口部の長さ方向の中心軸が積層方向から見てほぼ重なるように配されていることを特徴とする積層ストリップラインフィルタ。 - 前記各接地電極および/または前記各片端短絡矩形状共振電極の前記短絡端が、前記誘電体層の内部に形成された貫通導体および/または側面に形成された端子電極により積層方向に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の積層ストリップラインフィルタ。
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