JP2004063584A - Apparatus and method for spin processing - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板を回転テーブルに保持し、この回転テーブルを回転させながら処理液によって処理するスピン処理装置及びスピン処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、上記基板に対して成膜処理と洗浄処理とが繰り返し行われる。
【0003】
上記基板の洗浄処理および洗浄処理後の乾燥処理を行なうためにはスピン処理装置が用いられる。このスピン処理装置はカップ体を有し、このカップ体内には回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには保持機構が設けられ、この保持機構によって基板が着脱可能に保持される。
【0004】
この保持機構によって回転テーブルに保持された基板は、回転テーブルとともに回転駆動される。そして、回転駆動される基板に処理液を供給することで、この基板に処理液の種類に応じた処理が行われる。
【0005】
スピン処理装置を用いて行なわれる基板の処理としては、洗浄処理、エッチング処理、現像処理、剥離処理などが知られている。
【0006】
従来、回転駆動される基板を処理液によって処理する場合、ノズル体を用いて基板の中心部に処理液を噴射し、基板の回転による遠心力で処理液を基板の中心部から周辺部に流して基板の上面全体を処理液によって処理するということが行なわれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ノズル体によって基板の中心部に供給された処理液は、回転する基板の遠心力によって基板の中心部から周辺部に流れるから、基板の上面全体を処理液によって処理することが可能である。
【0008】
しかしながら、基板に発生する遠心力は、基板の中心部よりの周辺部の方が大きくなる。そのため、処理液を基板の中心部に供給し、遠心力で周辺部に流すようにすると、遠心力の小さい中心部が遠心力の大きい周辺部に比べて処理液との接触時間が長くなる。
【0009】
そのため、処理液による処理は、基板の中心部分の方が周辺部分よりも進行し易くなるため、基板の上面全体を均一に処理することができないということがある。
【0010】
たとえば、基板に形成された熱酸化膜を処理液としてのフッ酸を用いてエッチング除去するような場合、フッ酸を基板の中心部にノズルによって供給すると、基板の中心部分がエッチングされ過ぎ、周辺部分はエッチングが不十分となって熱酸化膜が残留するということがあり、全体を均一にエッチングすることができないということがある。
【0011】
この発明は、処理液による基板の処理を、この基板の径方向全長にわたってほぼ均一に行なうことができるようにしたスピン処理装置及びスピン処理方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板を回転させながら処理液によって処理するスピン処理装置において、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に配置され上記基板に処理液を噴射する噴射部が設けられたシャワ−体とを具備し、
上記シャワ−体は、少なくとも上記基板の外形寸法とほぼ同じ長さ寸法の本体を有し、上記噴射部は、上記基板の径方向中心部分から周辺部分にゆくにつれて上記処理液の噴射量が次第に多くなる構成であることを特徴とするスピン処理装置にある。
【0013】
請求項2の発明は、上記噴射部はスリットであって、このスリットは、長手方向中央部から両端部にゆくにつれて幅寸法が漸次大きくなるよう設定されていることを特徴とする請求項1記載のスピン処理装置にある。
【0014】
請求項3の発明は、上記本体には、上記処理液を上記スリットに供給する一対の供給口が長手方向中心に対して対称に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のスピン処理装置にある。
【0015】
請求項4の発明は、上記シャワ−体に供給される処理液は単位時間当たりの流量と圧力とが検出され、この検出に基づいて上記シャワ−体に供給される処理液の流量が制御装置によって一定に制御されることを特徴とする請求項1記載のスピン処理装置にある。
【0016】
請求項5の発明によれば、基板を回転させながら処理液によって処理するスピン処理方法において、
上記基板を回転駆動する工程と、
回転駆動された基板上面の径方向全長にわたるとともにこの基板の径方向中心部から周辺部にゆくにつれて上記処理液の供給量を漸次増大させて供給する工程と、
を具備したことを特徴とするスピン処理方法にある。
【0017】
この発明によれば、基板の径方向の中心部分と周辺部分とにおける、処理液との接触時間をほぼ同じにできるから、基板を全体にわたってほぼ同じ状態で処理することが可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。
【0019】
図1はこの発明の一実施の形態に係るスピン処理装置を示し、このスピン処理装置はカップ体1を備えている。このカップ体1の底部には複数の排出管2が周方向に所定間隔で接続されている。各排出管2は図示しない排気ポンプに連通している。
【0020】
なお、上記カップ体1は下カップ1aと上カップ1bとを有し、上カップ1bは図示しないシリンダなどの駆動機構によって上下方向に駆動可能になっている。
【0021】
上記カップ体1内には回転テーブル3が設けられている。この回転テーブル3の上面の周辺部には周方向に所定間隔で複数の支持部材4が回動可能に設けられている。各支持部材4の上端面には係止ピン5が支持部材4の回転中心から偏心した位置に設けられ、回転中心には支持ピン6が設けられている。
【0022】
上記回転テーブル3には半導体ウエハなどの基板Wが供給される。つまり、基板Wは、周縁部の下面が上記支持ピン6上に供給される。その状態で上記支持部材4を回転すると、上記係止ピン5が偏心回転するから、基板Wの周縁部が上記係止ピン5によって保持される。
【0023】
上記回転テーブル3は制御モータ11によって回転駆動される。この制御モータ11は筒状の固定子12内に同じく筒状の回転子13が回転可能に挿入されてなり、この回転子13に上記回転テーブル3が動力伝達部材13aを介して連結されている。
【0024】
上記制御モータ11は制御装置14によって回転が制御される。それによって、上記回転テーブル3は上記制御装置14によって所定の回転数で回転させることができる。
【0025】
上記回転子13内には筒状の固定軸15が挿通されている。この固定軸15の上端には上記回転テーブル3の上面側に位置するノズルヘッド16が設けられている。つまり、ノズルヘッド16は回転テーブル3と一緒に回転しない状態で設けられている。このノズルヘッド16には処理液及び気体を噴射するノズル17,18が設けられている。
【0026】
それによって、上記ノズル17,18から回転テーブル3に保持された基板Wの下面の中央部分に向けて処理液や気体を選択的に噴射することができるようになっている。つまり、基板Wは下面を洗浄及び乾燥処理することができるようになっている。
【0027】
上記回転テーブル3の上面側は乱流防止カバー19によって覆われている。この乱流防止カバー19は回転テーブル3に保持された基板Wの下面側に乱流が生じるのを防止するようになっており、その中央部分には上記各ノズル17,18から基板Wの下面に処理液や気体を噴射可能とする透孔20が穿設されている。
【0028】
上記カップ体1の側方にはアーム体23が設けられている。このアーム体23は垂直部24と、この垂直部24の上端に基端部が連結された水平部25とを有する。上記垂直部24の下端は回転モータ26に連結されている。回転モータ26はアーム体23を所定の角度で回転駆動するようになっている。
【0029】
上記回転モータ26は図示しないリニアガイドによって上下方向にスライド可能に設けられた可動板27に取付けられている。この可動板27は上下駆動シリンダ28によって上下方向に駆動されるようになっている。
【0030】
上記アーム体23の水平部25の先端部には上記基板Wの上面に処理液を噴射するシャワ−体31が設けられている。このシャワ−体31は本体32を有する。この本体32は帯板状をなしていて、少なくとも上記基板Wの直径とほぼ同じ長さ寸法、この実施の形態では基板Wの直径よりもわずかに長く設定されている。
【0031】
上記本体32には、図2(a),(b)に示すように、下端面に開口した噴射部としてのスリット33が本体32の長さ方向ほぼ全長にわたって形成されている。このスリット33の平面形状は、本体32の長手方向中央部で幅寸法が最も狭くなり、中央部から両端にゆくにつれて次第に大きくなるよう設定されている。
【0032】
上記スリット33の高さ方向の上端内面の長手方向中央部には山形状の突起34が設けられている。この突起34はスリット33を左右2つの部分に分けている。本体32の上端面には、スリット33の左右に分けられた部分にそれぞれ連通する一対の供給口35が本体32の長手方向中心に対して左右対称に穿設されている。
【0033】
上記本体32の上面には、一対の供給口35を覆うカバー36が液密に設けられている。このカバー36の長手方向の中央部には処理液の供給管37の先端が接続されている。この供給管37の基端は図示しない処理液の供給源に接続され、中途部には図3に示すように上流側から供給ポンプ38、開閉弁39、マスフローコントローラ40及び流量計41が順次設けられている。マスフローコントローラ40と流量計41との間には供給管37を流れる処理液の圧力を検出する圧力計42が設けられている。
【0034】
上記流量計41で測定された処理液の単位時間当たりの流量と、上記圧力計で測定された処理液の圧力とは上記制御装置14に入力される。この制御装置14では、上記シャワ−体31に所定量の処理液を供給するために、処理液の単位時間当たりの流量と圧力とを設定することができ、その設定値は上記流量計41と圧力計42とで測定された測定値と比較される。
【0035】
上記設定値と測定とが一致しない場合、上記制御装置14からは、上記供給ポンプ38を制御する第1の電空レギュレータ44と、上記マスフローコントローラ40を制御する第2の電空レギュレータ45とに駆動信号が出力される。それによって、上記シャワ−体31には一定量の処理液を供給することができるようになっている。
【0036】
つぎに、上記構成のスピン処理装置を用いて基板Wを処理液によって処理する場合について説明する。
【0037】
アーム体23を駆動してシャワ−体31を回転テーブル3の上方から退避させ、さらにカップ体1の上カップ1bを下降させたならば、回転テーブル3に未処理の基板Wを図示しないロボットなどによって供給する。つぎに、上カップ1bを上昇させるとともに、シャワ−体31を基板Wの上方に旋回させ、基板Wの中心を通る径方向に沿うよう位置決めした後、基板Wの上面に対して所定の間隔になるよう高さを設定する。
【0038】
このようにしてシャワ−体31を基板Wの上面に位置決めしたならば、回転テーブル3を所定の回転数で回転駆動するとともに、供給ポンプ38を作動して処理液をシャワ−体31に供給する。
【0039】
シャワ−体31に供給された処理液は、このシャワ−体31の本体32に形成されたスリット33から基板Wの上面に噴射される。それによって、基板Wの上面が処理液によって処理されることになる。
【0040】
基板Wの上面に供給される処理液の供給量は、上記スリット33の形状に応じて基板Wの径方向中心部分と周辺部分とで異なる。すなわち、上記スリット33の幅寸法は、中心部がもっと狭く、両端部にゆくにつれて徐々に広くなるよう形成されているから、基板Wの上面に供給される処理液の供給量は、径方向中心部分から周辺部分にゆくにつれて漸次増大する。一方、基板Wを回転させたとき、基板Wの上面に供給される処理液に作用する遠心力は、処理液の供給量の変化に対応して基板Wの径方向中心部分から周辺部分にゆくにつれて漸次増大する。
【0041】
そのため、基板Wの中心部分に供給される処理液の量が周辺部分に供給される処理液の量より少なくても、基板の中心部分では処理液が径方向外方に向かって緩やかに流れ、周辺部分では中心部分よりも短い時間で基板Wの上面から流出する。
【0042】
したがって、基板Wは径方向において処理液との接触時間がほぼ一定となるから、基板Wの径方向に沿う処理液の供給量と、基板Wの径方向において処理液に作用する遠心力(基板Wの回転数)とを適宜設定することで、基板Wの上面をほぼ均一かつ所望する状態(たとえばエッチング量や清浄度など)に処理することができる。
【0043】
上記シャワ−体31のスリット33は突起34によって左右2つの部分に分けられており、それぞれの部分にはシャワ−体31の長手方向中心に対して左右対称に設けられた供給口35から処理液を供給するようにした。
【0044】
そのため、処理液をスリット33の左右2つの部分にほぼ均等に分散させることができるから、処理液をスリット33の平面形状、つまり幅寸法に応じた流量で基板Wの上面に供給することができる。
【0045】
つまり、処理液をスリット33の長手方向の一箇所から供給するようにすると、供給部分での処理液の圧力が高くなるから、その部分がスリット33の形状に応じた流量になり難い。それに対して、処理液をスリット33の二箇所から供給すると、スリットに供給される処理液が局部的に高い圧力となるのを防止できるから、処理液をスリット33の形状に応じた量で、このスリット33から基板Wに噴射することができる。
【0046】
シャワ−体31に供給される処理液は、流量と圧力とが流量計41と圧力計42とで検出され、その検出に基づき供給ポンプ38とマスフロ−コントローラ40とが制御装置14によって制御される。
【0047】
そのため、シャワ−体31に供給される処理液の量を一定に維持することができるから、シャワ−体31から基板Wに供給される処理液の単位時間当たりの供給量も一定となるため、そのことによっても基板Wの上面を処理液によってむらなく均一に処理することが可能となる。
【0048】
この発明は上記一実施の形態に限定されず、種々変形可能である。たとえば、噴射部としてはスリット以外の構成であってもよい。たとえば、シャワ−体の本体に、下端面に開口する溝を形成する。この溝は本体の長手方向に対して同じ幅寸法になっている。そして、この溝の下端の開口面を遮蔽板で閉塞する。この遮蔽板には複数の噴射孔を形成する。噴射孔は、上記溝の長手方向中心部から両端部にゆくにつれて開口面積が次第に大きく設定される。開口面積の設定は、噴射工の数或いは大きさのいずれによって設定してもよい。
【0049】
このような構成の噴射部であっても、シャワ−体の中心部から両端部にゆくにつれて処理液の噴射量を次第に多くすることが可能となる。
【0050】
つまり、この発明の噴射部は、シャワ−体から噴射される処理液の流量を、長手方向中心部から両端部にゆくにつれて次第に減少させることができる構成であればよい。
【0051】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、回転駆動される基板に対し、その中心部分と周辺部分とにおける処理液との接触時間がほぼ同じになるようにした。
【0052】
そのため、基板を径方向全長、つまり全面にわたって処理液をほぼ均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係るスピン処理装置の概略的構成図。
【図2】(a)はシャワ−体の断面図、(b)は下端面側から見た平面図。
【図3】シャワ−体に処理液を一定の供給量で供給するための配管図。
【符号の説明】
3…回転テーブル
14…制御装置
31…シャワ−体
32…本体
33…スリット(噴射部)
35…供給口
41…流量計
42…圧力計[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin processing apparatus and a spin processing method for holding a substrate on a rotary table and performing processing with a processing liquid while rotating the rotary table.
[0002]
[Prior art]
For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer. In these processes, a film forming process and a cleaning process are repeatedly performed on the substrate.
[0003]
A spin processing apparatus is used to perform the above-mentioned substrate cleaning processing and drying processing after the cleaning processing. The spin processing device has a cup body, and a rotary table that is driven to rotate is provided in the cup body. The rotary table is provided with a holding mechanism, and the substrate is detachably held by the holding mechanism.
[0004]
The substrate held on the turntable by the holding mechanism is driven to rotate together with the turntable. Then, by supplying the processing liquid to the substrate that is driven to rotate, processing according to the type of the processing liquid is performed on the substrate.
[0005]
As processing of a substrate performed by using a spin processing apparatus, a cleaning process, an etching process, a developing process, a peeling process, and the like are known.
[0006]
Conventionally, when processing a substrate driven in rotation with a processing liquid, the processing liquid is jetted to a central portion of the substrate using a nozzle body, and the processing liquid is caused to flow from the central portion of the substrate to the peripheral portion by centrifugal force due to rotation of the substrate. In this case, the entire upper surface of the substrate is treated with a treatment liquid.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Since the processing liquid supplied to the central portion of the substrate by the nozzle body flows from the central portion of the substrate to the peripheral portion by the centrifugal force of the rotating substrate, the entire upper surface of the substrate can be processed by the processing liquid.
[0008]
However, the centrifugal force generated on the substrate is larger at the peripheral portion than at the central portion of the substrate. Therefore, when the processing liquid is supplied to the central part of the substrate and is caused to flow to the peripheral part by centrifugal force, the contact time of the central part with small centrifugal force with the processing liquid becomes longer than the peripheral part with large centrifugal force.
[0009]
For this reason, the processing with the processing liquid proceeds more easily in the central portion of the substrate than in the peripheral portion, so that the entire upper surface of the substrate may not be uniformly processed.
[0010]
For example, in a case where a thermal oxide film formed on a substrate is etched and removed using hydrofluoric acid as a processing liquid, if hydrofluoric acid is supplied to a central portion of the substrate by a nozzle, the central portion of the substrate is excessively etched and the peripheral portion is etched. In some cases, the thermal oxide film may remain due to insufficient etching, and the whole may not be uniformly etched.
[0011]
It is an object of the present invention to provide a spin processing apparatus and a spin processing method capable of performing processing of a substrate with a processing liquid substantially uniformly over the entire length of the substrate in the radial direction.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a spin processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating a substrate,
A rotary table that holds and rotates the substrate,
A shower body disposed above the rotary table and provided with a jetting unit for jetting the processing liquid onto the substrate,
The shower body has at least a main body having a length substantially the same as the outer dimension of the substrate, and the jetting section gradually increases the jetting amount of the processing liquid as it goes from the radial center portion to the peripheral portion of the substrate. There is a spin processing apparatus characterized by having many configurations.
[0013]
The invention according to claim 2 is characterized in that the injection portion is a slit, and the slit is set so that a width dimension is gradually increased from the center in the longitudinal direction to both ends. Of the spin processing device.
[0014]
The invention according to
[0015]
According to a fourth aspect of the present invention, the flow rate and pressure of the processing liquid supplied to the shower body per unit time are detected, and the flow rate of the processing liquid supplied to the shower body is controlled based on the detection. 2. The spin processing apparatus according to claim 1, wherein the spin processing apparatus is controlled to be constant.
[0016]
According to a fifth aspect of the present invention, in the spin processing method of processing with the processing liquid while rotating the substrate,
Rotating the substrate,
A step of gradually increasing the supply amount of the processing liquid as it goes from the radial center to the peripheral portion of the substrate over the entire radially entirety of the rotationally driven upper surface of the substrate, and
A spin processing method characterized by comprising:
[0017]
According to the present invention, since the contact time of the processing liquid in the central portion and the peripheral portion in the radial direction of the substrate can be made substantially the same, it is possible to process the substrate in substantially the same state over the whole.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0019]
FIG. 1 shows a spin processing device according to an embodiment of the present invention. The spin processing device includes a cup 1. A plurality of discharge pipes 2 are connected to the bottom of the cup body 1 at predetermined intervals in the circumferential direction. Each discharge pipe 2 communicates with an exhaust pump (not shown).
[0020]
The cup body 1 has a lower cup 1a and an upper cup 1b, and the upper cup 1b can be driven vertically by a driving mechanism such as a cylinder (not shown).
[0021]
A rotary table 3 is provided in the cup body 1. A plurality of
[0022]
The rotary table 3 is supplied with a substrate W such as a semiconductor wafer. That is, the lower surface of the peripheral portion of the substrate W is supplied onto the support pins 6. When the
[0023]
The rotary table 3 is driven to rotate by a control motor 11. The control motor 11 has a
[0024]
The rotation of the control motor 11 is controlled by a
[0025]
A cylindrical fixed
[0026]
Thus, the processing liquid or the gas can be selectively jetted from the
[0027]
The upper surface of the
[0028]
An
[0029]
The rotary motor 26 is attached to a
[0030]
At the end of the
[0031]
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
[0032]
A
[0033]
On the upper surface of the
[0034]
The flow rate of the processing liquid per unit time measured by the flow meter 41 and the pressure of the processing liquid measured by the pressure gauge are input to the
[0035]
If the set value does not match the measurement, the
[0036]
Next, a case where the substrate W is processed with a processing liquid using the spin processing apparatus having the above configuration will be described.
[0037]
If the
[0038]
When the
[0039]
The processing liquid supplied to the
[0040]
The supply amount of the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W differs between the radial center portion and the peripheral portion of the substrate W according to the shape of the
[0041]
Therefore, even if the amount of the processing liquid supplied to the central portion of the substrate W is smaller than the amount of the processing liquid supplied to the peripheral portion, the processing liquid slowly flows radially outward in the central portion of the substrate, In the peripheral portion, the gas flows out of the upper surface of the substrate W in a shorter time than in the central portion.
[0042]
Therefore, the contact time of the substrate W with the processing liquid in the radial direction is substantially constant, so that the supply amount of the processing liquid along the radial direction of the substrate W and the centrifugal force (substrate) acting on the processing liquid in the radial direction of the substrate W By appropriately setting the (number of rotations of W), the upper surface of the substrate W can be processed to a substantially uniform and desired state (for example, an etching amount or cleanliness).
[0043]
The
[0044]
For this reason, the processing liquid can be substantially evenly dispersed in the left and right portions of the
[0045]
In other words, if the processing liquid is supplied from one location in the longitudinal direction of the
[0046]
The flow rate and pressure of the processing liquid supplied to the
[0047]
Therefore, the amount of the processing liquid supplied to the
[0048]
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be variously modified. For example, the injection unit may have a configuration other than the slit. For example, a groove that opens to the lower end surface is formed in the body of the shower body. This groove has the same width dimension in the longitudinal direction of the main body. Then, the opening surface at the lower end of the groove is closed with a shielding plate. A plurality of injection holes are formed in this shielding plate. The opening area of the injection hole is set to gradually increase from the center in the longitudinal direction of the groove to both ends. The setting of the opening area may be set according to either the number or the size of the sprayers.
[0049]
Even with the injection unit having such a configuration, the injection amount of the processing liquid can be gradually increased from the center to the both ends of the shower body.
[0050]
In other words, the jetting section of the present invention may have any configuration as long as the flow rate of the processing liquid jetted from the shower body can be gradually reduced from the center in the longitudinal direction to both ends.
[0051]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the contact time of the processing liquid in the central portion and the peripheral portion of the rotationally driven substrate is made substantially the same.
[0052]
Therefore, the processing liquid can be processed substantially uniformly over the entire length of the substrate in the radial direction, that is, over the entire surface.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a spin processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A is a sectional view of a shower body, and FIG. 2B is a plan view as viewed from a lower end surface side.
FIG. 3 is a piping diagram for supplying a processing liquid to a shower body at a constant supply amount.
[Explanation of symbols]
3 rotary table 14
35 ... supply port 41 ... flow
Claims (5)
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に配置され上記基板に処理液を噴射する噴射部が設けられたシャワ−体とを具備し、
上記シャワ−体は、少なくとも上記基板の外形寸法とほぼ同じ長さ寸法の本体を有し、上記噴射部は、上記基板の径方向中心部分から周辺部分にゆくにつれて上記処理液の噴射量が次第に多くなる構成であることを特徴とするスピン処理装置。In a spin processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating a substrate,
A rotary table that holds and rotates the substrate,
A shower body disposed above the rotary table and provided with a jetting unit for jetting the processing liquid onto the substrate,
The shower body has at least a main body having a length substantially the same as the outer dimension of the substrate, and the jetting section gradually increases the jetting amount of the processing liquid as it goes from the radial center portion to the peripheral portion of the substrate. A spin processing device having a large number of configurations.
上記基板を回転駆動する工程と、
回転駆動された基板上面の径方向全長にわたるとともにこの基板の径方向中心部から周辺部にゆくにつれて上記処理液の供給量を漸次増大させて供給する工程と、
を具備したことを特徴とするスピン処理方法。In a spin processing method of processing with a processing liquid while rotating a substrate,
Rotating the substrate,
A step of gradually increasing the supply amount of the processing liquid as it goes from the radial center to the peripheral portion of the substrate over the entire radially entirety of the rotationally driven upper surface of the substrate, and
A spin processing method comprising:
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