JP2004056044A - Electrostatic protective circuit and semiconductor integrated circuit - Google Patents

Electrostatic protective circuit and semiconductor integrated circuit Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic protective circuit with an excellent response and reduced electric power consumption. <P>SOLUTION: When positive overvoltage due to static electricity is impressed to an input/output terminal, many electric charges due to the impressed overvoltage flow into a GND terminal through a diode 108. Thereafter, voltage between a collector and a base is lowered to a snap-back voltage through a bipolar transistor 102. Accordingly, when the overvoltage due to static electricity with rapid rise is impressed, the electric charges due to static electricity are discharged to the GND through the good response diode 108, and after the bipolar transistor 102 becomes the snap-back voltage, the electric charges due to static electricity is discharged effectively in low electric power to the GND terminal through the bipolar transistor 102. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部から印加される静電気から内部回路を保護する静電保護回路及び該静電保護回路を備える半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電保護回路は、入出力端子に静電気が印加された場合に、保護すべき内部回路のブレークダウン電圧より低い電圧でブレークダウンを起こすことにより、内部回路に過電圧が印加されないようにするものである。静電保護回路を構成する保護素子は、半導体デバイスをセット基板に実装する際に、マシンや人体から発生する静電気から、半導体デバイスを保護するためのものである。この保護素子は、従来から入出力端子に印加された過電圧から回路素子を保護するための手段として、回路素子の入出力端子に保護端子を接続することが行われている。
【０００３】
図４は、従来の静電保護回路の一例を示す図である。同図に示す静電保護回路５００は、静電気から内部回路６００を保護するものであり、ｎｐｎ形のバイポーラトランジスタ５０２、ベース抵抗５０４、寄生ダイオード５０６により構成される。
【０００４】
バイポーラトランジスタ５０２は、コレクタが入出力端子に接続され、エミッタが接地（ＧＮＤ）端子に接続されるとともに、ベースがベース抵抗５０４を介してＧＮＤ端子に接続されている。また、バイポーラトランジスタ５０２には、コレクタとサブストレート間に、カソードがコレクタ側に接続され、アノードがＧＮＤ端子に接続された寄生ダイオード５０６が付加される。
【０００５】
静電保護回路５００において、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加されると、バイポーラトランジスタ５０２のコレクタ−ベース間のｐ−ｎ接合に逆電圧が印加される。この逆電圧が上昇すると、バイポーラトランジスタ５０２は、ブレークダウンを起こす。このブレークダウンによってコレクタ電流が流れる。
【０００６】
そして、ベース抵抗５０４とベース電流との電位によって、バイポーラトランジスタ５０２がオン状態となり、コレクタ−ベース間の電圧が低下してスナップバック電圧となる。これにより、印加された過電圧による多くの電荷がＧＮＤ端子へ流れ出し、静電気の電荷が入出力端子から内部回路６００に侵入することが阻止されるため、当該内部回路６００は静電気から保護される。また、バイポーラトランジスタ５０２のコレクタ−ベース間の電圧がスナップバック電圧まで低下するため、バイポーラトランジスタ５０２における消費電力は低く抑えられる。
【０００７】
図５は、従来の静電保護回路の他の一例を示す図である。同図に示す静電保護回路５１０は、静電気から内部回路６００を保護するものであり、ダイオード５１２により構成される。このダイオード５１２は、カソードが入出力端子に接続され、アノードが接地（ＧＮＤ）端子に接続される。
【０００８】
静電保護回路５１０において、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加されると、ダイオード５１２のアノード−カソード間のｐ−ｎ接合に逆電圧が印加される。この逆電圧が上昇すると、ダイオード５１２は、ブレークダウンを起こす。このブレークダウンによって、印加された過電圧による多くの電荷がＧＮＤ端子へ流れ出す。ダイオード５１２は、ブレークダウン後、一定のインピーダンスにより電力を消費する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体の接合破壊は、接合面の単位面積にかかる電力と時間の関数により決定される。従って、消費電力が低いバイポーラトランジスタ５０２は、ダイオード５１２と比較して、接合面が小さくても接合破壊が起こりにくく、面積効率上有利である。
【００１０】
しかしながら、バイポーラトランジスタ５０２は、以下の点において、ダイオード５１２よりも不利である。即ち、ダイオード５１２を用いた静電保護回路５１０は、図６に示すように、電圧と電流の立ち上がりがほぼ一致し、応答性が良い。これに対し、バイポーラトランジスタ５０２を用いた静電保護回路５００は、図７に示すように、ブレークダウン後に、スナップバック電圧まで低下するため、電圧の立ち上がりに対して電流の立ち上がりが遅れ、応答速度が遅い。このため、チャージデバイスモデルに代表されるような１０ｎｓ以下の立ち上がりの早い静電気の対策には、バイポーラトランジスタ５０２は不利である。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、その目的は、応答性が良く、且つ、消費電力の小さい静電保護回路を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、入出力端子に印加される静電気から内部回路を保護する静電保護回路において、コレクタが前記入出力端子に接続され、エミッタが接地端子に接続されるバイポーラトランジスタと、カソードが前記入出力端子に接続され、アノードが前記接地端子にされるダイオードとを備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の静電保護回路において、前記バイポーラトランジスタは、ベースが抵抗を介して接地端子に接続されることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の静電保護回路において、前記バイポーラトランジスタのブレークダウン電圧は、前記ダイオードのブレークダウン電圧以上の値であることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れかに記載の静電保護回路を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、入出力端子に、立ち上がりの早い静電気による過電圧が印加された場合、立ち上がり時においては、応答性の良いダイオードによって静電気による電荷を接地端子へ逃がし、バイポーラトランジスタがスナップバックになった後は、当該バイポーラトランジスタにより、静電気による電荷を低電力で効率良く接地端子へ逃がすことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る静電保護回路の構成例を示す図である。
【００１８】
同図に示す静電保護回路１００は、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加された場合に、保護すべき内部回路２００のブレークダウン電圧より低い電圧でブレークダウンを起こすことにより、内部回路２００に過電圧が印加されないようにするものである。
【００１９】
この静電保護回路１００は、ｎｐｎ形のバイポーラトランジスタ１０２、ベース抵抗１０４、寄生ダイオード１０６及びダイオード１０８により構成される。また、静電保護回路１００と内部回路２００とによって半導体集積回路が構成される。
【００２０】
バイポーラトランジスタ１０２は、コレクタが入出力端子に接続され、エミッタが接地（ＧＮＤ）端子に接続されるとともに、ベースがベース抵抗１０４を介してＧＮＤ端子に接続されている。また、バイポーラトランジスタ１０２には、コレクタとサブストレート間に、カソードがコレクタ側に接続され、アノードがＧＮＤ端子に接続された寄生ダイオード１０６が付加される。ダイオード１０８は、カソードが入出力端子に接続され、アノードがＧＮＤ端子に接続される。
【００２１】
図２は、図１の静電保護回路１００におけるバイポーラトランジスタ１０２、寄生ダイオード１０６及びダイオード１０８の電圧−電流特性を示す図である。
【００２２】
図１の静電保護回路１００において、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加されると、バイポーラトランジスタ１０２のコレクタ−ベース間のｐ−ｎ接合に逆電圧が印加される。この逆電圧が上昇し、例えば６Ｖに達すると、バイポーラトランジスタ１０２は、ブレークダウンを起こす。このブレークダウンによってコレクタ電流が流れる。
【００２３】
そして、ベース抵抗１０４とベース電流との電位によって、バイポーラトランジスタ１０２がオン状態となり、コレクタ−ベース間の電圧が低下してスナップバック電圧となる。これにより、印加された過電圧による多くの電荷がＧＮＤ端子へ流れ出す（図２のＡ）。このため、静電気の電荷が入出力端子から内部回路２００に侵入することが阻止され、当該内部回路２００は静電気から保護される。また、バイポーラトランジスタ１０２のコレクタ−ベース間の電圧がスナップバック電圧まで低下するため、バイポーラトランジスタ１０２における消費電力は低く抑えられる。
【００２４】
なお、図２に示すように、寄生ダイオード１０６のブレークダウン電圧（図２のＣ）は、バイポーラトランジスタ１０２のブレークダウン電圧よりも高い。このため、寄生ダイオード１０６は、逆方向（カソードからアノードへ向かう方向）の静電気に対しては、内部回路２００を保護する役割をほとんど果たすことができないが、順方向（アノードからカソードへ向かう方向）の静電気に対しては、有効に働いて内部回路２００を保護することができる。但し、バイポーラトランジスタ１０２は、ブレークダウン後に、スナップバック電圧まで低下するため、電圧の立ち上がりに対して電流の立ち上がりが遅れ、応答速度が遅い。
【００２５】
また、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加されると、ダイオード１０８のアノード−カソード間のｐ−ｎ接合に逆電圧が印加される。この逆電圧が上昇し、例えば６Ｖに達すると、ダイオード１０８は、ブレークダウンを起こす。このブレークダウンによって、印加された過電圧による多くの電荷がＧＮＤ端子へ流れ込む（図２のＡ）。ダイオード１０８は、ブレークダウン後、一定のインピーダンスにより電力を消費する。
【００２６】
静電保護回路１００において、上述したバイポーラトランジスタ１０２及びダイオード１０８の動作は、並行して行われる。
【００２７】
図３は、図１の静電保護回路１００における電圧−電流応答特性を示す図である。図３に示すように、入出力端子に静電気による正の過電圧が印加されると、静電保護回路１００は、ダイオード１０８の動作により、印加された過電圧による多くの電荷がＧＮＤ端子へ流れ込む。このため、電圧と電流の立ち上がりがほぼ一致し、高い応答性を実現することができる。
【００２８】
その後、静電保護回路１００は、バイポーラトランジスタ１０２の動作により、コレクタ−ベース間の電圧がスナップバック電圧まで低下する（図２のＢ）。このため、消費電力は低く抑えられる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、入出力端子に、立ち上がりの早い静電気による過電圧が印加された場合、立ち上がり時においては、応答性の良いダイオードによって静電気による電荷を接地端子へ逃がし、バイポーラトランジスタがスナップバックになった後は、当該バイポーラトランジスタにより、静電気による電荷を低電力で効率良く接地端子へ逃がすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電保護回路の構成例を示す図である。
【図２】バイポーラトランジスタ、寄生ダイオード及びダイオードの電圧−電流特性を示す図である。
【図３】静電保護回路の電圧−電流応答特性を示す図である。
【図４】従来の静電保護回路の一例を示す図である。
【図５】従来の静電保護回路の他の一例を示す図である。
【図６】図４の静電保護回路の電圧−電流応答特性を示す図である。
【図７】図５の静電保護回路の電圧−電流応答特性を示す図である。
【符号の説明】
１００　静電保護回路
１０２　バイポーラトランジスタ
１０４　ベース抵抗
１０６　寄生ダイオード
１０８　ダイオード
２００　内部回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrostatic protection circuit for protecting an internal circuit from static electricity applied from the outside and a semiconductor integrated circuit including the electrostatic protection circuit.
[0002]
[Prior art]
The static electricity protection circuit prevents the overvoltage from being applied to the internal circuit by causing a breakdown at a voltage lower than the breakdown voltage of the internal circuit to be protected when static electricity is applied to the input / output terminals. is there. The protection element constituting the electrostatic protection circuit is for protecting the semiconductor device from static electricity generated from a machine or a human body when the semiconductor device is mounted on a set board. Conventionally, as this protection element, as a means for protecting a circuit element from an overvoltage applied to the input / output terminal, a protection terminal is connected to the input / output terminal of the circuit element.
[0003]
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a conventional electrostatic protection circuit. The electrostatic protection circuit 500 shown in the figure protects the internal circuit 600 from static electricity, and includes an npn-type bipolar transistor 502, a base resistor 504, and a parasitic diode 506.
[0004]
The bipolar transistor 502 has a collector connected to the input / output terminal, an emitter connected to the ground (GND) terminal, and a base connected to the GND terminal via the base resistor 504. The bipolar transistor 502 is further provided with a parasitic diode 506 having a cathode connected to the collector and an anode connected to the GND terminal, between the collector and the substrate.
[0005]
In the electrostatic protection circuit 500, when a positive overvoltage due to static electricity is applied to the input / output terminal, a reverse voltage is applied to the pn junction between the collector and the base of the bipolar transistor 502. When the reverse voltage increases, the bipolar transistor 502 breaks down. This breakdown causes a collector current to flow.
[0006]
Then, the bipolar transistor 502 is turned on by the potential of the base resistor 504 and the base current, and the voltage between the collector and the base is reduced to a snapback voltage. As a result, a large amount of charge caused by the applied overvoltage flows out to the GND terminal, and the charge of the static electricity is prevented from entering the internal circuit 600 from the input / output terminal, so that the internal circuit 600 is protected from the static electricity. Further, since the voltage between the collector and the base of the bipolar transistor 502 decreases to the snapback voltage, the power consumption of the bipolar transistor 502 can be kept low.
[0007]
FIG. 5 is a diagram showing another example of the conventional electrostatic protection circuit. An electrostatic protection circuit 510 shown in FIG. 1 protects the internal circuit 600 from static electricity, and includes a diode 512. The diode 512 has a cathode connected to the input / output terminal and an anode connected to the ground (GND) terminal.
[0008]
In the electrostatic protection circuit 510, when a positive overvoltage due to static electricity is applied to the input / output terminal, a reverse voltage is applied to the pn junction between the anode and the cathode of the diode 512. If this reverse voltage rises, diode 512 will break down. Due to this breakdown, a large amount of electric charge due to the applied overvoltage flows to the GND terminal. After breakdown, diode 512 consumes power with a constant impedance.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, junction breakdown of a semiconductor is determined by a function of power and time applied to a unit area of a junction surface. Therefore, compared to the diode 512, the bipolar transistor 502 with low power consumption is less likely to cause a junction breakdown even if the junction surface is small, and is advantageous in area efficiency.
[0010]
However, bipolar transistor 502 has disadvantages over diode 512 in the following respects. That is, in the electrostatic protection circuit 510 using the diode 512, as shown in FIG. 6, the rising of the voltage and the rising of the current are almost the same, and the response is good. On the other hand, in the electrostatic protection circuit 500 using the bipolar transistor 502, as shown in FIG. 7, since the voltage drops to the snapback voltage after the breakdown, the rise of the current is delayed with respect to the rise of the voltage, and the response speed is increased. Is slow. For this reason, the bipolar transistor 502 is disadvantageous for countermeasures against static electricity with a rapid rise of 10 ns or less as represented by a charge device model.
[0011]
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electrostatic protection circuit having good responsiveness and low power consumption.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, an invention according to claim 1 is an electrostatic protection circuit for protecting an internal circuit from static electricity applied to an input / output terminal, wherein a collector is connected to the input / output terminal and an emitter is grounded. A bipolar transistor connected to a terminal; and a diode having a cathode connected to the input / output terminal and an anode connected to the ground terminal.
[0013]
According to a second aspect of the present invention, in the electrostatic protection circuit according to the first aspect, the bipolar transistor has a base connected to a ground terminal via a resistor.
[0014]
According to a third aspect of the present invention, in the electrostatic protection circuit according to the first or second aspect, a breakdown voltage of the bipolar transistor is equal to or higher than a breakdown voltage of the diode. .
[0015]
According to a fourth aspect of the invention, there is provided an electrostatic protection circuit according to any one of the first to third aspects.
[0016]
According to the present invention, when an overvoltage due to fast rising static electricity is applied to the input / output terminal, at the time of rising, the charge due to the static electricity is released to the ground terminal by the diode having a good response, and the bipolar transistor becomes snapback. After that, the bipolar transistor allows the charge due to static electricity to efficiently escape to the ground terminal with low power.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an electrostatic protection circuit according to an embodiment of the present invention.
[0018]
The electrostatic protection circuit 100 shown in FIG. 1 is configured such that, when a positive overvoltage due to static electricity is applied to an input / output terminal, a breakdown occurs at a voltage lower than the breakdown voltage of the internal circuit 200 to be protected, so that the internal circuit This is to prevent overvoltage from being applied to 200.
[0019]
The electrostatic protection circuit 100 includes an npn-type bipolar transistor 102, a base resistor 104, a parasitic diode 106, and a diode 108. In addition, a semiconductor integrated circuit is configured by the electrostatic protection circuit 100 and the internal circuit 200.
[0020]
The bipolar transistor 102 has a collector connected to the input / output terminal, an emitter connected to the ground (GND) terminal, and a base connected to the GND terminal via the base resistor 104. The bipolar transistor 102 further includes a parasitic diode 106 having a cathode connected to the collector and an anode connected to the GND terminal, between the collector and the substrate. The diode 108 has a cathode connected to the input / output terminal and an anode connected to the GND terminal.
[0021]
FIG. 2 is a diagram illustrating voltage-current characteristics of the bipolar transistor 102, the parasitic diode 106, and the diode 108 in the electrostatic protection circuit 100 of FIG.
[0022]
In the electrostatic protection circuit 100 of FIG. 1, when a positive overvoltage due to static electricity is applied to the input / output terminals, a reverse voltage is applied to the pn junction between the collector and the base of the bipolar transistor 102. When the reverse voltage increases and reaches, for example, 6 V, the bipolar transistor 102 breaks down. This breakdown causes a collector current to flow.
[0023]
Then, the bipolar transistor 102 is turned on by the potential of the base resistor 104 and the base current, and the voltage between the collector and the base is reduced to a snapback voltage. As a result, many charges due to the applied overvoltage flow to the GND terminal (A in FIG. 2). Therefore, the charge of the static electricity is prevented from entering the internal circuit 200 from the input / output terminal, and the internal circuit 200 is protected from the static electricity. Further, since the voltage between the collector and the base of the bipolar transistor 102 decreases to the snapback voltage, the power consumption of the bipolar transistor 102 can be suppressed low.
[0024]
As shown in FIG. 2, the breakdown voltage (C in FIG. 2) of the parasitic diode 106 is higher than the breakdown voltage of the bipolar transistor 102. Therefore, the parasitic diode 106 can hardly play the role of protecting the internal circuit 200 against static electricity in the reverse direction (direction from the cathode to the anode), but forward direction (direction from the anode to the cathode). In this case, the internal circuit 200 can be effectively protected against static electricity. However, since the bipolar transistor 102 drops to the snapback voltage after the breakdown, the rising of the current is delayed with respect to the rising of the voltage, and the response speed is slow.
[0025]
When a positive overvoltage due to static electricity is applied to the input / output terminal, a reverse voltage is applied to the pn junction between the anode and the cathode of the diode 108. When this reverse voltage rises and reaches, for example, 6V, the diode 108 breaks down. Due to this breakdown, many charges due to the applied overvoltage flow into the GND terminal (A in FIG. 2). After breakdown, diode 108 consumes power with a constant impedance.
[0026]
In the electrostatic protection circuit 100, the operations of the bipolar transistor 102 and the diode 108 described above are performed in parallel.
[0027]
FIG. 3 is a diagram showing a voltage-current response characteristic in the electrostatic protection circuit 100 of FIG. As shown in FIG. 3, when a positive overvoltage due to static electricity is applied to the input / output terminal, the electrostatic protection circuit 100 causes a large amount of charge due to the applied overvoltage to flow to the GND terminal due to the operation of the diode 108. For this reason, the rise of the voltage and the rise of the current substantially coincide with each other, and high responsiveness can be realized.
[0028]
Thereafter, in the electrostatic protection circuit 100, the voltage between the collector and the base is reduced to the snapback voltage by the operation of the bipolar transistor 102 (B in FIG. 2). For this reason, power consumption can be kept low.
[0029]
【The invention's effect】
According to the present invention, when an overvoltage due to fast rising static electricity is applied to the input / output terminal, at the time of rising, the charge due to the static electricity is released to the ground terminal by the diode having a good response, and the bipolar transistor becomes snapback. After that, the bipolar transistor allows the charge due to static electricity to efficiently escape to the ground terminal with low power.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an electrostatic protection circuit.
FIG. 2 is a diagram illustrating voltage-current characteristics of a bipolar transistor, a parasitic diode, and a diode.
FIG. 3 is a diagram illustrating a voltage-current response characteristic of the electrostatic protection circuit.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a conventional electrostatic protection circuit.
FIG. 5 is a diagram illustrating another example of a conventional electrostatic protection circuit.
6 is a diagram showing a voltage-current response characteristic of the electrostatic protection circuit of FIG.
7 is a diagram showing a voltage-current response characteristic of the electrostatic protection circuit of FIG.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 100 electrostatic protection circuit 102 bipolar transistor 104 base resistor 106 parasitic diode 108 diode 200 internal circuit

Claims (4)

入出力端子に印加される静電気から内部回路を保護する静電保護回路において、
コレクタが前記入出力端子に接続され、エミッタが接地端子に接続されるバイポーラトランジスタと、
カソードが前記入出力端子に接続され、アノードが前記接地端子にされるダイオードと、
を備えることを特徴とする静電保護回路。In an electrostatic protection circuit that protects internal circuits from static electricity applied to input / output terminals,
A bipolar transistor having a collector connected to the input / output terminal and an emitter connected to the ground terminal;
A diode having a cathode connected to the input / output terminal and an anode serving as the ground terminal;
An electrostatic protection circuit comprising: 請求項１に記載の静電保護回路において、
前記バイポーラトランジスタは、ベースが抵抗を介して接地端子に接続されることを特徴とする静電保護回路。The electrostatic protection circuit according to claim 1,
An electrostatic protection circuit, wherein the bipolar transistor has a base connected to a ground terminal via a resistor. 請求項１又は２に記載の静電保護回路において、
前記バイポーラトランジスタのブレークダウン電圧は、前記ダイオードのブレークダウン電圧以上の値であることを特徴とする静電保護回路。The electrostatic protection circuit according to claim 1 or 2,
2. The electrostatic protection circuit according to claim 1, wherein a breakdown voltage of the bipolar transistor is equal to or higher than a breakdown voltage of the diode. 請求項１乃至３の何れかに記載の静電保護回路を備えることを特徴とする半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit comprising the electrostatic protection circuit according to claim 1.
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CN100463175C (en) * 2005-07-22 2009-02-18 联发科技股份有限公司 ESD protection device in high voltage and manufacturing method for the same

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