JP2004039938A - Chip-like electronic part, its mounting structure, its intermediate substrate, manufacturing method, and inspection method for chip-like electronic part - Google Patents

Chip-like electronic part, its mounting structure, its intermediate substrate, manufacturing method, and inspection method for chip-like electronic part Download PDF

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岩渕 寿章
Yoshiyuki Yanagisawa
柳澤 喜行
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浅見  博
Mutsusada Ito
伊藤 睦禎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip-like electronic part which can easily be connected to a wiring board, and can be replaced and inspected, and to provide a mounting structure and an intermediate substrate of the part, a manufacturing method of them and an inspection method of the chip-like electronic part. <P>SOLUTION: A plurality of first resin chips 3 are arranged and fixed on a first substrate 1. A wiring groove 5 is formed in a first photosensitive layer 10 where a plurality of the resin chips 3 are buried. First element separation grooves 8 are formed at peripheries of a plurality of the resin chips 3. A separation groove 19 is formed on a second photosensitive layer 15 covered after a plurality of separated resin chips 20 are transferred. The separation groove is filled with a conductive adhesive layer 16. The resin chips are further transferred after filling and a conductive adhesive layer 16 between the plurality of the resin chips 20 is removed. A third resin chip 31 having the conductive adhesive layer 16 from an electrode pad to the side of the first photoconductive layer 10 is separated. The conductive adhesive layer 16 is solder-connected to wiring 22 on a mounted substrate 21 at the side of the resin chip 31. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば画像表示装置の製造方法としては、ウエーハからダイシングして電子部品(例えば半導体チップ)を分離し、分離した電子部品をダイシングシートからチップトレイに移送し、所定の加工及び転写工程を経た後に、チップトレイから電子部品を真空吸着でピックアップし、基板にマウント若しくは接続した後に配線するという方法が知られている。
【0003】
この方法は、例えば、半導体パッケージの製造工程において一般的に行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図14は、上記したような画像表示装置62の一例を示す概略図であり、p型半導体層58及びn型半導体層59とからなり、電極パッド57及び電極パッド60を上面に有する発光素子としての発光ダイオード素子67を樹脂で封止した樹脂チップ64を実装する構造を示す。なお、電極パッド57は、p型半導体層58に接続された配線57a及び導電プラグ層57bを介して取り出されており、また電極パッド60は、導電プラグ層60bを介して配線60aに接続されていて、最終的に樹脂封止される前に両配線57a−60a間でプロービング検査を行えるようになっている。
【0005】
この装置62においては、実装基板53上に積層された絶縁層55及び56の上に、上記の樹脂チップ64が接着剤層54を介して固定され、またこれに隣接して素子67を駆動するためのIC(半導体集積回路)チップ61が並設されている。そして、これらを被覆する絶縁層63の表面には、複数の接続孔(ヴィアホール)50の形成後に、配線51が形成される。この配線51によって、樹脂チップ64の発光素子と半導体チップ61との間、及びそれぞれの電子部品と配線層52との間が電気的に接続される。
【0006】
上記のような構造においては、p型半導体層58及びn型半導体層59とからなる発光ダイオード素子67からの発光は基板53側に出射する。
【0007】
ここで、図14に示すような発光モジュールとしての樹脂チップ64においては、配線51との接続部分となる電極パッド57及び電極パッド60の露出部分が、樹脂チップ64の片面(上面)にのみ設けられているので、樹脂チップ64を絶縁層63内に埋設し、接続孔の形成後に配線51を形成する必要がある。
【0008】
また、画像表示装置62の表示面は、透明な基板53側又は絶縁層63側のいずれとしてもよいが、上記のように基板53側ではなく、絶縁層63側を表示面とする場合には、発光ダイオード素子67を上下反転させる必要がある。このためには、基板53への固定前に、樹脂チップ64の転写工程を1回増やすことになり、比較的長い作製工程が必要となってしまう。
【0009】
また、樹脂チップ64を絶縁層64内に埋め込んでから性能検査を行った結果、樹脂チップ64の発光素子が不良品であると判明しても、既に絶縁層63に埋設しているために、不良な樹脂チップを除去することができない。
【0010】
このため、図14に示すように、新たな良品の樹脂チップ(リペアチップ)64の電極パッド57及び電極パッド60にはんだバンプ66をそれぞれ設け、この良品の樹脂チップ64を絶縁層63に埋設された不良品の樹脂チップ64上の配線51にはんだ付けしてフリップチップ実装している。
【0011】
こうして新たに実装された良品の樹脂チップ64の発光素子から光を出射する場合に、光の出射を妨げないように、下部の不良樹脂チップ64と位置をずらして良品樹脂チップを固定する必要がある。
【0012】
また、フリップチップ実装した良品であるはずの樹脂チップ64が更に不良となった場合、これに対する対応は行えないでいる。更に、良品の樹脂チップ64を上部に追加して実装するので、この良品の樹脂チップ64の上に保護のための絶縁層を形成する必要が生じ、作製工程が更に増加してしまう。
【0013】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、チップ状電子部品の配線基板への接続(実装)を容易にすると共に、良品との交換(リペア)も容易となるチップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する工程と
を有する、チップ状電子部品の製造方法に係わり、更に、分離されたチップ状電子部品の前記側面において前記導電性物質と配線基板とを接続する工程を付加した実装構造の製造方法に係わるものである。
【0015】
本発明は又、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と
を有する、チップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法に係わるものである。
【0016】
本発明は又、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記導電性物質を介して前記複数のチップ部品の検査を行う工程と
を有する、チップ状電子部品の検査方法に係わるものである。
【0017】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆され、前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されている、チップ状電子部品に係わるものである。
【0018】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品が、前記側面において前記導電性物質を介して配線基板に接続されている、チップ状電子部品の実装構造に係わるものである。
【0019】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品の複数個が、支持体上に固定されている、チップ状電子部品製造用の中間基板に係わるものである。
【0020】
本発明によれば、チップ部品が絶縁物質で被覆され、その電極部から絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されることによりチップ状電子部品を構成しているので、側面において導電性物質を介して配線基板に接続可能となり、絶縁層での被覆(埋め込み)及び接続孔の形成等が不要となり、チップ状電子部品の実装が容易になる。しかも、実装後にチップ状電子部品が不良品であることが判明した場合であっても、チップ状電子部品を絶縁層に埋め込んでいないので、容易に配線基板から取り外し、何回でも良品のチップ状電子部品に交換することができる。
【0021】
また、チップ状電子部品は絶縁層に埋め込まれていないことによって、そのいずれの面も動作に支障がないように構成でき、そのための転写工程が不要となる。
【0022】
また、分離された複数のチップ部品間に導電性物質を充填した後に、導電性物質を介して複数のチップ部品の検査を行うので、良品のチップ状電子部品を実装前に予め選別でき、配線基板上に接続した後に検査を行う場合に比べて、チップ状電子部品の交換工数を減少させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明においては、前記チップ部品を第1の支持体に固定した後、第2の支持体、更には第3の支持体に順次転写し、この第3の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第4の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離するのが望ましい。
【0024】
又、前記第2の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行うのが望ましい。
【0025】
又、前記導電性物質の充填後に前記第3の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離してもよい。
【0026】
又、前記チップ状電子部品に前記導電性物質を被着させるために、支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離してもよい。
【0027】
又、前記チップ部品を構成する素子を発光素子とするのが望ましい。
【0028】
又、前記導電性物質として導電性粒子入りのナノペーストを用いるのが望ましい。
【0029】
又、前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成するのが望ましい。
【0030】
又、素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いるのが望ましい。
【0031】
又、配線基板への接続をリフローによる一括接続が可能なはんだによって行うのが望ましい。
【0032】
又、前記配線基板への接続後に、前記チップ状電子部品側を光透過性絶縁物質で被覆してもよい。
【0033】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に具体的に説明する。
【0034】
第1の実施の形態
図1〜図8は、本発明の第1の実施の形態を示すものである。
【0035】
本実施の形態においては、図1(a)に示すように、平坦な第1の基板1を用いる。
【0036】
次に、図1(b)に示すように、第1の基板1上に多数の第1の樹脂チップ3を配列して固定する。
【0037】
この第1の樹脂チップ3は、図14で示したものと同様であって、未硬化の樹脂によって各発光ダイオード素子2をほぼ包み込むように塗布し、硬化して第1の樹脂層12を形成した後に接続孔を形成し、電極パッド6及び電極パッド7を形成したものである。これらのパッドは、それぞれ発光ダイオード素子2のp型半導体層26に配線層6a及びプラグ層6bを介して、またn型半導体層27に配線層7a及びプラグ層7bを介して電気的に接続されている。なお、配線層6a及び7aはプロービングテスト用に形成されている。
【0038】
次に、図1(c)に示すように、第1の基板1の上面において、隣接する第1の樹脂チップ3間及び第1の樹脂チップ3上等を覆うように感光性樹脂を塗布して、第1の感光層10を形成する。
【0039】
次に、図1(d)に示すように、感光層10の露光及び現像によって、電極パッド6及び電極パッド7上の接続孔(ビアホール)を含む配線用溝部5を形成する。
【0040】
次に、図2(e)に示すように、第1の樹脂チップ3間の所定の箇所において第1の感光層10の一部をエッチングで除去して、隣接する第1の樹脂チップ3間に第1の素子分離溝8を形成する。この第1の素子分離溝8によって分離された第1の樹脂チップ3を被覆する第1の感光層10を第2の樹脂チップ20と称する。同図には、この状態を表した平面図も示す。
【0041】
次に、図2(f)に示すように、図2(e)の状態の第1の基板1を上下反転させた後、図3(g)に示すように、転写基板として第1の剥離層(剥離性粘着材層)11が表面に形成された第1の一時保持用部材9上に、第1の基板1上の複数の第2の樹脂チップ20を転写する。この際に、転写は全面において同時に行うのではなく、選択的に行い、隣接する第2の樹脂チップ20間のピッチ(間隔)を拡大しつつ転写する。この転写工程は、第2の樹脂チップ20が固定された第1の基板1の側からレーザ光を照射することによって行うことができる。
【0042】
また、転写基板である第1の一時保持用部材9上の第1の剥離層11の材質としては、ダイシングテープのようにUV(紫外線)光を照射することで粘着力が低下するフィルム又は基板等や、加熱することで剥離する熱発泡シート又は基板等を用いることができる。
【0043】
こうして、図3(h)に示すように、隣接する第2の樹脂チップ20が第1の基板1上に配列されていた時よりも離間して第1の一時保持用部材9上に配列される。
【0044】
次に、図3(i)に示すように、図3(h)の状態の第1の基板1を上下反転させた後、図4(j)に示すように、第1の一時保持用部材9の側からUV光を照射すること、又は加熱することによって第1の剥離層11の粘着性を低下させ、第1の剥離層11を介して第1の一時保持用部材9に固定されていた第2の樹脂チップ20を第1の一時保持用部材9から剥離させ、図4(k)に示すように、第2の一時保持用部材13の第2の剥離層14上に全面転写して固定する。
【0045】
次に、図4(l)に示すように、第2の一時保持用部材13上において、隣接する第2の樹脂チップ20間及び樹脂チップ20上面等を覆うように感光性樹脂を塗布して、第2の感光層15を形成する。
【0046】
次に、図5(m)に示すように、感光層15の露光及び現像によって、電極パッド6及び電極パッド7上の接続孔(ビアホール)を含む配線用溝部5を露光させると共に、この溝部5に連続して樹脂チップ20の側面に分離溝19を形成する。この際、図3(h)の工程で樹脂チップ20間の間隔が拡大されているので、分離溝19を形成し易い。
【0047】
次に、図5(n)に示すように、配線用溝部5及び第2の素子分離溝19に印刷法等を用いて導電性接着剤を充填して、導電性接着剤層16を形成する。
【0048】
この時に、必要ならば真空印刷法を用いてボイドレスで充填するか、或いは、上記の溝19が比較的小さければ、細かい導電性粒子を含むナノペーストからなる導電性接着剤等を使用して十分に充填することができる。又、導電性粒子もはんだ(無鉛はんだ)粒子であれば、後述の作製工程でのリフロー工程時に溶融して低抵抗になるので、更に好ましい。
【0049】
そして、この状態で、各第3の樹脂チップ28の配線として導電性接着剤層16を使用し、これを電源と電気的に接続して電圧を印加し、単一色の発光ダイオード素子2の駆動テスト(発光テスト)を行うことができる。
【0050】
次に、図5(o)に示すように、第2の一時保持用部材13の側からUV光を照射することによって第2の剥離層14の粘着性を低下させて、第2の剥離層14を介して第2の一時保持用部材13に固定されていた第2の樹脂チップ20を導電性接着剤層16及び第2の感光層15と共に第2の一時保持用部材13から剥離させ、図6(p)に示すように、第3の一時保持用部材17上の第3の剥離層18上に全面転写して固定する。
【0051】
次に、図6(q)に示すように、隣接する第2の樹脂チップ20間の主として第2の感光層15の部分と導電性接着剤層16の一部分をブレード若しくはレーザ等でカット(ダイシング)し、第3の素子分離溝30を形成する。この時に、分離溝30には導電性接着剤層16を露出させ、これによって実装基板に実装可能な個々の第3の樹脂チップ31をチップ状電子部品として完成する。
【0052】
次に、図7(r)に示すように、第3の一時保持用部材17の側からUV又はレーザ光を照射することによって第3の剥離層18の粘着性を低下させて、第3の剥離層18を介して第3の一時保持用部材17に固定されていた個々の第3の樹脂チップ31を第3の一時保持用部材17から剥離させ、図7(s)に示すように、実装基板21上の接着剤層23上に個別に転写して固定する。
【0053】
この際、個々の樹脂チップ31を間引くようにして第3の一時保持用部材17から剥離させて、実装基板21上に転写してマウントするが、3色の発光ダイオード素子2を有するそれぞれの樹脂チップ31を例えば600μmのピッチで所定の位置に固定する。
【0054】
又、実装基板21上には予め接着剤層23を形成しておくが、実装基板21上の配線部22を接着剤の付着により汚さないようにするために、接着剤の塗布範囲を樹脂チップ31の大きさに合わせて印刷又はディスペンサで所定パターンに塗布するか、或いは感光性のある接着剤の塗布、露光、現像によって所定パターンに形成することができる。
【0055】
或いは、上記のような接着剤を用いずに、例えば、はんだペーストを接続用の配線部22上に印刷法等で供給して、そのペーストの粘着性で樹脂チップ31をマウントしてもよい。
【0056】
次に、図7(t)に示すように、実装基板21上において樹脂チップ31と配線部22との間にはんだを付着せしめ、リフローによってはんだ部24を形成することにより、樹脂チップ31の電極パッド6及び電極パッド7のそれぞれをこれに接続されている導電性接着剤層16によって配線部22に接続する。このはんだリフローにより、各樹脂チップ31を実装基板21に一括接続することができる。
【0057】
なお、必要あれば、上記はんだ接続後にフラックスを洗浄した後、図8(u)に示すように、全面に可視光透過性のシリカ等のフィラー入り低収縮性樹脂を塗布して、透明樹脂層25を形成する。そして、透明樹脂層25の表面の凹凸を平坦化するために研磨工程を行ってもよい。
【0058】
こうして実装された樹脂チップ31の発光素子2からは実装基板21の側へ光が出射される。なお、図示省略したが、画像表示装置として、各樹脂チップ31の各発光素子2は、導電性接着剤層16及び配線部22を介して接続されたドライバーICによって駆動される。
【0059】
本実施の形態によれば、モジュールである樹脂チップ31の側面に設けられた導電性接着剤層16を介して発光ダイオード素子2を基板21上の配線部22にはんだによって電気的に接続して実装する構造であるので、従来のように樹脂チップを絶縁層内等に埋設固定して接続孔を介して接続する必要がなく、比較的容易に実装基板21上に実装することができ。
【0060】
また、図7(t)の状態で、樹脂チップ31のマウント(実装)後にこの樹脂チップ31の駆動検査を行った結果、この樹脂チップ31の発光ダイオード素子2が不良品であることが判明しても、樹脂チップ31を絶縁層内等に埋設固定していないので、はんだ部24を溶融除去し、再び良品の樹脂チップ31をはんだ接続すれば、新しい良品のチップ31と容易に交換(リペア)することができる。
【0061】
この場合、リペア後の状態は、発光ダイオード素子2の発光光を妨げる障害物が存在しないので、従来のように、良品樹脂チップを下部の不良品チップに対し位置をずらして固定する必要もない。
【0062】
また、図5(n)の状態において、分離された複数の樹脂チップ20間に充填された導電性接着剤層16を介して樹脂チップ20の検査を行えるので、樹脂チップ31を実装基板21に実装する前に発光テストを行うことができ、実装基板21上に接続した後でしか検査を行えない場合に比べて、良品の樹脂チップ31のみを実装基板21に接続できる割合を向上させることができる。
【0063】
また、発光ダイオード素子2を樹脂チップ31に埋設するモジュール構造とすることにより、汎用の表面実装部品と同様のマウンターで実装し、はんだリフローでの接続が可能となるので、安価かつ作業性良く画像表示装置を作製することができる。
【0064】
また、後述するように、発光ダイオード素子2からの発光方向を変化させたい場合(即ち、樹脂チップ31の向きを上下逆とする場合)には、従来のように転写工程を追加する必要がなく、むしろ、上述した転写工程を減らすことによって可能となる。
【0065】
第2の実施の形態
図9〜図10は、本発明の第2の実施の形態を示すものである。
【0066】
本実施の形態においては、図9(a)に示すように、前述の図1(a)から図5(n)までの工程を同様に行った後に、転写工程を省略して、図9(b)に示すように上下を反転させる。
【0067】
次に、図9(c)に示すように、隣接する樹脂チップ20間の主として第2の感光層15の部分及び導電性接着剤層16の一部分をブレード若しくはレーザ等でカット(ダイシング)し、素子分離溝30を形成する。この時に、分離溝30に導電性接着剤層16が露出するようにし、実装基板に実装可能な個々の樹脂チップ31を完成する。
【0068】
この後は、前述の図7(r)から図7(t)までの工程を経て、図10(d)に示すように、実装基板21に樹脂チップ31を実装する。
【0069】
このように、本実施の形態は、転写工程を1部省略したことにより、樹脂チップ31が図7(t)と比べて上下反転した状態で実装基板21上に実装されるので、発光を実装基板21とは反対側に出射することができ、かつこれを転写工程の減少によって容易に行うことができる。
【0070】
その他、本実施の形態においては、上述の第1の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【0071】
第3の実施の形態
図11〜図12は、本発明の第3の実施の形態を示すものである。
【0072】
本実施の形態においては、図11(a)に示すように、前述の図1(a)から図3(h)までの工程を同様に行った後に、図11(b)に示すように、第1の一時保持用部材9上において樹脂チップ20の上面を残して樹脂チップ20間及びその下部に導電性接着剤層16を充填させる。
【0073】
次に、図11(c)に示すように、隣接する樹脂チップ20間の導電性接着剤層16の一部分を、ブレード若しくはレーザ等でカット(ダイシング)して、素子分離溝30を形成する。これによって、側面に導電性接着剤層16を有する個々の樹脂チップ31を分離する。
【0074】
次に、図12(d)に示すように、樹脂チップ31を固定した第1の一時保持用部材9を下方に向け、前述の図7(r)から図7(t)までの工程を経て、図7(t)と同様に実装基板21上に転写、実装する。
【0075】
このように、本実施の形態は、画像表示装置の作製工程において中間工程を1部省略した以外は、第1の実施の形態と同様であるが、工数を減らしても同様の実装構造が得られることは有利である。
【0076】
その他、本実施の形態においては、上述の第1の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【0077】
以上に述べた本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【0078】
例えば、樹脂チップ31の上面及び側面(ヴィアホールを含む配線領域)に被着する導電性接着剤層16、その他の構成層の材質、形成位置、形状等は任意に変更してもよい。
【0079】
また、図9(c)の工程後に、一旦別の保持用部材にピッチ変更下で転写し、更に実装基板21に固定することもできる。この場合は、図8(u)と同様の実装構造が得られる。
【0080】
また、上記の実施の形態は、プレーナ型の発光ダイオード素子を内蔵した樹脂チップに関するものであるが、これ以外にも、例えば図13に示すように、例えば、電極パッド6及び電極パッド7を有する発光ダイオード素子2が断面三角形の錐体状の形状を呈するものであってもよい。この場合、素子が樹脂で被覆されたチップ部品や被覆されていないチップ部品のいずれも適用可能であるが、例えば図1においてサファイア基板を用い、この上に成長させた半導体層をRIE(Reactive Ion Etching)法等によって所定の間隔で切断し、個々のチップに分離し、しかる後に図1(c)以降の工程を行ってもよい。
【0081】
本発明は、上述の発光ダイオード素子に限られず、液晶素子、フォトダイオード素子、圧電素子、トランジスタ素子、ダイオード素子、抵抗素子、磁気素子、光学素子等、及びこれらを有する発光表示装置等の電気回路装置に適用することができる。
【0082】
【発明の作用効果】
上述したように、本発明によれば、チップ部品が絶縁物質で被覆され、その電極部から絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されることによりチップ状電子部品を構成しているので、側面において導電性物質を介して配線基板に接続可能となり、絶縁層での被覆(埋め込み)及び接続孔の形成等が不要となり、チップ状電子部品の実装が容易になる。しかも、実装後にチップ状電子部品が不良品であることが判明した場合であっても、チップ状電子部品を絶縁層に埋め込んでいないので、容易に配線基板から取り外し、何回でも良品のチップ状電子部品に交換することができる。
【0083】
また、チップ状電子部品は絶縁層に埋め込まれていないことによって、そのいずれの面も動作に支障がないように構成でき、そのための転写工程が不要となる。
【0084】
また、分離された複数のチップ部品間に導電性物質を充填した後に、導電性物質を介して複数のチップ部品の検査を行うので、良品のチップ状電子部品を実装前に予め選別でき、配線基板上に接続した後に検査を行う場合に比べて、チップ状電子部品の交換工数を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図2】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図及び平面図である。
【図3】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図4】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図5】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図6】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図及び平面図である。
【図7】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図8】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図10】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図12】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図13】本発明の他の実施の形態による樹脂チップの断面図である。
【図14】従来例による画像表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1…第1の基板、2…発光ダイオード素子、3…第1の樹脂チップ、
5…配線用溝部、6…電極パッド、7…電極パッド、8…第1の素子分離溝、
9…第1の一時保持用部材、10…第1の感光層、11…第1の剥離層、
12…第1の樹脂層、13…第2の一時保持用部材、14…第2の剥離層、
15…第2の感光層、16…導電性接着剤層、17…第3の一時保持用部材、
18…第3の剥離層、19…第2の素子分離溝、20…第2の樹脂チップ、
21…実装基板、22…配線部、23…接着剤層、24…はんだ部、
25…透明樹脂層、26…p型半導体層、27…n型半導体層、
30…第3の素子分離溝、31…第3の樹脂チップ(チップ状電子部品)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a chip-shaped electronic component, its mounting structure, its intermediate substrate, a manufacturing method thereof, and a chip-shaped electronic component inspection method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, for example, as a manufacturing method of an image display device, an electronic component (for example, a semiconductor chip) is separated by dicing from a wafer, the separated electronic component is transferred from a dicing sheet to a chip tray, and subjected to predetermined processing and transfer processes. A method is known in which an electronic component is picked up from a chip tray by vacuum suction and wired after being mounted or connected to a substrate.
[0003]
This method is generally performed, for example, in a semiconductor package manufacturing process.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 14 is a schematic view showing an example of the image display device 62 as described above, and includes a p-type semiconductor layer 58 and an n-type semiconductor layer 59, and a light emitting element having an electrode pad 57 and an electrode pad 60 on the upper surface. The structure which mounts the resin chip 64 which sealed the light emitting diode element 67 of resin with resin is shown. The electrode pad 57 is taken out through the wiring 57a and the conductive plug layer 57b connected to the p-type semiconductor layer 58, and the electrode pad 60 is connected to the wiring 60a through the conductive plug layer 60b. Thus, probing inspection can be performed between the wirings 57a-60a before finally being sealed with resin.
[0005]
In this device 62, the resin chip 64 is fixed on the insulating layers 55 and 56 laminated on the mounting substrate 53 via the adhesive layer 54, and the element 67 is driven adjacent thereto. IC (semiconductor integrated circuit) chips 61 are provided in parallel. Then, after forming a plurality of connection holes (via holes) 50, wirings 51 are formed on the surface of the insulating layer 63 covering them. By the wiring 51, the light emitting element of the resin chip 64 and the semiconductor chip 61 and the respective electronic components and the wiring layer 52 are electrically connected.
[0006]
In the structure as described above, light emitted from the light emitting diode element 67 including the p-type semiconductor layer 58 and the n-type semiconductor layer 59 is emitted to the substrate 53 side.
[0007]
Here, in the resin chip 64 as the light emitting module as shown in FIG. 14, the exposed portions of the electrode pad 57 and the electrode pad 60 that are connected to the wiring 51 are provided only on one surface (upper surface) of the resin chip 64. Therefore, it is necessary to embed the resin chip 64 in the insulating layer 63 and form the wiring 51 after forming the connection holes.
[0008]
Further, the display surface of the image display device 62 may be either on the transparent substrate 53 side or the insulating layer 63 side, but when the insulating layer 63 side is used as the display surface instead of the substrate 53 side as described above. The light emitting diode element 67 needs to be turned upside down. For this purpose, the transfer process of the resin chip 64 is increased once before fixing to the substrate 53, and a relatively long manufacturing process is required.
[0009]
In addition, as a result of performing the performance inspection after embedding the resin chip 64 in the insulating layer 64, even if the light emitting element of the resin chip 64 is found to be defective, it is already embedded in the insulating layer 63. A defective resin chip cannot be removed.
[0010]
Therefore, as shown in FIG. 14, solder bumps 66 are respectively provided on the electrode pads 57 and the electrode pads 60 of a new good resin chip (repair chip) 64, and the good resin chip 64 is embedded in the insulating layer 63. Flip chip mounting is performed by soldering to the wiring 51 on the defective resin chip 64.
[0011]
When light is emitted from the light emitting element of the newly mounted non-defective resin chip 64 in this way, it is necessary to fix the non-defective resin chip by shifting the position from the lower defective resin chip 64 so as not to prevent light emission. is there.
[0012]
Further, when the resin chip 64, which should be a non-defective product mounted by flip chip, becomes further defective, no response can be made. Further, since the non-defective resin chip 64 is additionally mounted on the upper portion, it is necessary to form an insulating layer for protection on the non-defective resin chip 64, and the manufacturing process is further increased.
[0013]
The present invention has been made in view of the situation as described above, and its purpose is to facilitate connection (mounting) of a chip-like electronic component to a wiring board and to replace (repair) with a non-defective product. An object of the present invention is to provide a chip-shaped electronic component, a mounting structure thereof, an intermediate substrate thereof, a manufacturing method thereof, and a method for inspecting the chip-shaped electronic component.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention includes a step of arranging and fixing a plurality of chip parts on a support,
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the plurality of separated chip components;
After the filling, removing the substance between the plurality of chip parts and separating the chip-like electronic parts having the conductive substance from the electrode portion to the side surface of the insulating substance;
And a manufacturing method of a mounting structure to which a step of connecting the conductive substance and the wiring board is added on the side surface of the separated chip-like electronic component. is there.
[0015]
The present invention also includes a step of disposing and fixing a plurality of chip parts on the support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the separated chip components;
The present invention relates to a method for manufacturing an intermediate substrate for manufacturing chip-shaped electronic components.
[0016]
The present invention also includes a step of disposing and fixing a plurality of chip parts on the support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the plurality of separated chip components;
A step of inspecting the plurality of chip parts through the conductive material after the filling;
The present invention relates to an inspection method for chip-shaped electronic components.
[0017]
The present invention also relates to a chip-shaped electronic component in which the chip component is coated with an insulating material, and a conductive material is deposited from the electrode part of the chip component to the side surface of the insulating material.
[0018]
According to another aspect of the present invention, there is provided a chip-shaped electronic component in which the chip component is coated with an insulating material and the conductive material is deposited from the electrode portion of the chip component to the side surface of the insulating material. The present invention relates to a chip-shaped electronic component mounting structure connected to a wiring board through a substance.
[0019]
According to the present invention, a plurality of chip-like electronic components in which a chip component is coated with an insulating material and a conductive material is deposited from an electrode portion of the chip component to a side surface of the insulating material are provided on a support. It is related to the intermediate substrate for manufacturing the chip-shaped electronic component, which is fixed to the substrate.
[0020]
According to the present invention, the chip component is covered with the insulating material, and the chip-shaped electronic component is configured by applying the conductive material from the electrode portion to the side surface of the insulating material. It becomes possible to connect to the wiring board via the wiring, and it is not necessary to cover (embed) with an insulating layer and form a connection hole, so that mounting of the chip-shaped electronic component is facilitated. Moreover, even if it is found that the chip-like electronic component is defective after mounting, the chip-like electronic component is not embedded in the insulating layer, so it can be easily removed from the wiring board and the good chip-like shape as many times as possible. Can be replaced with electronic components.
[0021]
Further, since the chip-like electronic component is not embedded in the insulating layer, it can be configured such that any surface thereof does not hinder the operation, and a transfer process for that purpose is not required.
[0022]
In addition, since a plurality of separated chip parts are filled with a conductive material, and then a plurality of chip parts are inspected via the conductive substance, non-defective chip-like electronic parts can be sorted in advance before mounting and wiring Compared to the case where the inspection is performed after connecting on the substrate, the number of man-hours for replacing the chip-like electronic component can be reduced.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the present invention, after the chip component is fixed to the first support, the chip component on the third support is transferred to the second support and then the third support in sequence. It is desirable to coat with an insulating material, and after the formation of the separation groove and the filling of the conductive material, the surface is transferred to a fourth support and further separated into the chip-like electronic component by removing the material.
[0024]
In addition, it is desirable that the transfer of the chip component to the second support is performed with a pitch change.
[0025]
Alternatively, after the conductive material is filled, the chip-like electronic component may be separated by removing the material on the third support.
[0026]
Further, in order to deposit the conductive material on the chip-shaped electronic component, after the plurality of chip components are embedded in the conductive material on a support, the conductive material is placed between the plurality of chip components. You may remove and isolate | separate into the said chip-shaped electronic component.
[0027]
It is desirable that the element constituting the chip component is a light emitting element.
[0028]
Moreover, it is desirable to use a nano paste containing conductive particles as the conductive substance.
[0029]
Further, it is preferable that a photosensitive material is used as the insulating material, and the separation groove is formed by this exposure and development.
[0030]
Moreover, it is desirable to use the chip component in which the element is embedded in a protective substance.
[0031]
Further, it is desirable that the connection to the wiring board is made by solder capable of batch connection by reflow.
[0032]
Further, after the connection to the wiring board, the chip-like electronic component side may be covered with a light-transmitting insulating material.
[0033]
Next, a preferred embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
[0034]
First embodiment
1 to 8 show a first embodiment of the present invention.
[0035]
In the present embodiment, a flat first substrate 1 is used as shown in FIG.
[0036]
Next, as shown in FIG. 1B, a large number of first resin chips 3 are arranged and fixed on the first substrate 1.
[0037]
The first resin chip 3 is the same as that shown in FIG. 14, and is coated so as to substantially wrap each light emitting diode element 2 with uncured resin, and cured to form the first resin layer 12. Then, a connection hole is formed, and the electrode pad 6 and the electrode pad 7 are formed. These pads are electrically connected to the p-type semiconductor layer 26 of the light-emitting diode element 2 via the wiring layer 6a and the plug layer 6b and to the n-type semiconductor layer 27 via the wiring layer 7a and the plug layer 7b, respectively. ing. The wiring layers 6a and 7a are formed for a probing test.
[0038]
Next, as shown in FIG. 1C, a photosensitive resin is applied on the upper surface of the first substrate 1 so as to cover the space between the adjacent first resin chips 3, the first resin chip 3, and the like. Thus, the first photosensitive layer 10 is formed.
[0039]
Next, as shown in FIG. 1D, the wiring groove portion 5 including the connection hole (via hole) on the electrode pad 6 and the electrode pad 7 is formed by exposure and development of the photosensitive layer 10.
[0040]
Next, as shown in FIG. 2 (e), a part of the first photosensitive layer 10 is removed by etching at a predetermined position between the first resin chips 3, and the adjacent first resin chips 3 are separated. Then, the first element isolation trench 8 is formed. The first photosensitive layer 10 that covers the first resin chip 3 separated by the first element isolation groove 8 is referred to as a second resin chip 20. This figure also shows a plan view showing this state.
[0041]
Next, as shown in FIG. 2 (f), after the first substrate 1 in the state of FIG. 2 (e) is turned upside down, the first peeling is performed as a transfer substrate as shown in FIG. 3 (g). The plurality of second resin chips 20 on the first substrate 1 are transferred onto the first temporary holding member 9 on which the layer (peelable adhesive material layer) 11 is formed. At this time, the transfer is not performed simultaneously on the entire surface, but is performed selectively, and the transfer is performed while increasing the pitch (interval) between the adjacent second resin chips 20. This transfer step can be performed by irradiating laser light from the side of the first substrate 1 to which the second resin chip 20 is fixed.
[0042]
In addition, as a material of the first release layer 11 on the first temporary holding member 9 which is a transfer substrate, a film or a substrate whose adhesive strength is reduced by irradiating UV (ultraviolet) light like a dicing tape. Or a thermal foam sheet or a substrate that is peeled off by heating can be used.
[0043]
Thus, as shown in FIG. 3 (h), the adjacent second resin chips 20 are arranged on the first temporary holding member 9 at a distance from that when the second resin chips 20 are arranged on the first substrate 1. The
[0044]
Next, as shown in FIG. 3 (i), the first substrate 1 in the state of FIG. 3 (h) is turned upside down, and then the first temporary holding member as shown in FIG. 4 (j). The adhesiveness of the first release layer 11 is lowered by irradiating UV light from the side 9 or heating, and is fixed to the first temporary holding member 9 via the first release layer 11. The second resin chip 20 is peeled from the first temporary holding member 9 and transferred onto the entire surface of the second peeling layer 14 of the second temporary holding member 13 as shown in FIG. And fix.
[0045]
Next, as shown in FIG. 4L, a photosensitive resin is applied on the second temporary holding member 13 so as to cover the space between the adjacent second resin chips 20, the upper surface of the resin chip 20, and the like. Then, the second photosensitive layer 15 is formed.
[0046]
Next, as shown in FIG. 5 (m), by exposing and developing the photosensitive layer 15, the wiring groove portion 5 including the connection hole (via hole) on the electrode pad 6 and the electrode pad 7 is exposed, and the groove portion 5 is exposed. A separation groove 19 is formed on the side surface of the resin chip 20 continuously. At this time, since the gap between the resin chips 20 is enlarged in the step of FIG.
[0047]
Next, as shown in FIG. 5N, the conductive adhesive layer 16 is formed by filling the wiring groove 5 and the second element isolation groove 19 with a conductive adhesive using a printing method or the like. .
[0048]
At this time, if necessary, fill with a vacuum dress using a vacuum printing method, or if the groove 19 is relatively small, it is sufficient to use a conductive adhesive made of nanopaste containing fine conductive particles. Can be filled. Further, if the conductive particles are also solder (lead-free solder) particles, they are more preferable because they are melted during the reflow process in the manufacturing process described later and become low resistance.
[0049]
In this state, the conductive adhesive layer 16 is used as the wiring of each third resin chip 28, and this is electrically connected to the power source to apply a voltage to drive the single color light emitting diode element 2. A test (light emission test) can be performed.
[0050]
Next, as shown in FIG. 5 (o), the adhesive property of the second release layer 14 is reduced by irradiating UV light from the second temporary holding member 13 side, so that the second release layer 14, the second resin chip 20 fixed to the second temporary holding member 13 through 14 is peeled from the second temporary holding member 13 together with the conductive adhesive layer 16 and the second photosensitive layer 15, As shown in FIG. 6 (p), the entire surface is transferred and fixed onto the third release layer 18 on the third temporary holding member 17.
[0051]
Next, as shown in FIG. 6 (q), a part of the second photosensitive layer 15 and a part of the conductive adhesive layer 16 between the adjacent second resin chips 20 are cut with a blade or a laser (dicing). Then, the third element isolation trench 30 is formed. At this time, the conductive adhesive layer 16 is exposed in the separation groove 30, thereby completing each third resin chip 31 that can be mounted on the mounting substrate as a chip-shaped electronic component.
[0052]
Next, as shown in FIG. 7 (r), the adhesiveness of the third release layer 18 is lowered by irradiating UV or laser light from the third temporary holding member 17 side, and the third Each of the third resin chips 31 fixed to the third temporary holding member 17 through the release layer 18 is peeled off from the third temporary holding member 17, and as shown in FIG. The adhesive layer 23 on the mounting substrate 21 is individually transferred and fixed.
[0053]
At this time, the individual resin chips 31 are thinned out, peeled off from the third temporary holding member 17, and transferred and mounted on the mounting substrate 21. Each resin having the three-color light emitting diode elements 2 is mounted. The chip 31 is fixed at a predetermined position with a pitch of 600 μm, for example.
[0054]
In addition, an adhesive layer 23 is formed on the mounting substrate 21 in advance, but in order to prevent the wiring portion 22 on the mounting substrate 21 from being soiled by the adhesion of the adhesive, the application range of the adhesive is changed to a resin chip. It can be applied to a predetermined pattern by printing or a dispenser according to the size of 31, or can be formed into a predetermined pattern by application of a photosensitive adhesive, exposure, and development.
[0055]
Alternatively, without using the adhesive as described above, for example, a solder paste may be supplied onto the connection wiring portion 22 by a printing method or the like, and the resin chip 31 may be mounted with the adhesiveness of the paste.
[0056]
Next, as shown in FIG. 7 (t), the solder is adhered between the resin chip 31 and the wiring part 22 on the mounting substrate 21, and the solder part 24 is formed by reflow, whereby the electrode of the resin chip 31 is obtained. Each of the pad 6 and the electrode pad 7 is connected to the wiring part 22 by the conductive adhesive layer 16 connected thereto. The resin chips 31 can be collectively connected to the mounting substrate 21 by this solder reflow.
[0057]
If necessary, after the solder is connected, the flux is washed, and then, as shown in FIG. 8 (u), a low shrinkage resin containing filler such as visible light transmissive silica is applied to the entire surface to obtain a transparent resin layer. 25 is formed. And you may perform a grinding | polishing process in order to planarize the unevenness | corrugation of the surface of the transparent resin layer 25. FIG.
[0058]
Light is emitted from the light emitting element 2 of the resin chip 31 thus mounted to the mounting substrate 21 side. Although not shown, each light emitting element 2 of each resin chip 31 is driven by a driver IC connected via the conductive adhesive layer 16 and the wiring part 22 as an image display device.
[0059]
According to the present embodiment, the light emitting diode element 2 is electrically connected to the wiring part 22 on the substrate 21 by solder via the conductive adhesive layer 16 provided on the side surface of the resin chip 31 that is a module. Since the structure is to be mounted, it is not necessary to embed and fix the resin chip in the insulating layer or the like and connect it via the connection hole as in the prior art, and it can be mounted on the mounting substrate 21 relatively easily.
[0060]
In addition, as a result of conducting a drive inspection of the resin chip 31 after mounting (mounting) the resin chip 31 in the state of FIG. 7 (t), it is found that the light-emitting diode element 2 of the resin chip 31 is defective. However, since the resin chip 31 is not embedded and fixed in the insulating layer or the like, if the solder portion 24 is melted and removed and the good resin chip 31 is soldered again, it can be easily replaced (repaired) with a new good chip 31. )can do.
[0061]
In this case, since there is no obstacle that obstructs the light emitted from the light emitting diode element 2 in the state after repair, it is not necessary to shift the position of the non-defective resin chip with respect to the defective chip below as in the prior art. .
[0062]
Further, in the state of FIG. 5 (n), since the resin chip 20 can be inspected through the conductive adhesive layer 16 filled between the plurality of separated resin chips 20, the resin chip 31 is mounted on the mounting substrate 21. It is possible to perform a light emission test before mounting, and to improve the rate at which only good resin chips 31 can be connected to the mounting substrate 21 compared to the case where the inspection can be performed only after connecting on the mounting substrate 21. it can.
[0063]
Further, by adopting a module structure in which the light emitting diode element 2 is embedded in the resin chip 31, it can be mounted by a mounter similar to a general-purpose surface mount component and can be connected by solder reflow. A display device can be manufactured.
[0064]
Further, as will be described later, when it is desired to change the light emitting direction from the light emitting diode element 2 (that is, when the direction of the resin chip 31 is turned upside down), there is no need to add a transfer step as in the prior art. Rather, it is possible by reducing the transfer process described above.
[0065]
Second embodiment
9 to 10 show a second embodiment of the present invention.
[0066]
In this embodiment, as shown in FIG. 9 (a), after the steps from FIG. 1 (a) to FIG. 5 (n) are performed in the same manner, the transfer step is omitted, and FIG. Flip upside down as shown in b).
[0067]
Next, as shown in FIG. 9C, a portion of the second photosensitive layer 15 and a portion of the conductive adhesive layer 16 between adjacent resin chips 20 are cut (diced) with a blade or a laser, etc. Element isolation trenches 30 are formed. At this time, the conductive adhesive layer 16 is exposed in the separation groove 30 to complete individual resin chips 31 that can be mounted on the mounting substrate.
[0068]
Thereafter, the resin chip 31 is mounted on the mounting substrate 21 as shown in FIG. 10 (d) through the steps from FIG. 7 (r) to FIG. 7 (t) described above.
[0069]
As described above, in the present embodiment, since one part of the transfer process is omitted, the resin chip 31 is mounted on the mounting substrate 21 in the inverted state as compared with FIG. The light can be emitted to the opposite side of the substrate 21 and can be easily performed by reducing the number of transfer processes.
[0070]
In addition, in this embodiment, the same operations and effects as described in the first embodiment are obtained.
[0071]
Third embodiment
11 to 12 show a third embodiment of the present invention.
[0072]
In the present embodiment, as shown in FIG. 11 (a), after performing the steps from FIG. 1 (a) to FIG. 3 (h) in the same manner, as shown in FIG. 11 (b), On the first temporary holding member 9, the conductive adhesive layer 16 is filled between and below the resin chips 20 leaving the upper surface of the resin chips 20.
[0073]
Next, as shown in FIG. 11C, a part of the conductive adhesive layer 16 between the adjacent resin chips 20 is cut (diced) with a blade or a laser to form the element isolation groove 30. As a result, the individual resin chips 31 having the conductive adhesive layer 16 on the side surfaces are separated.
[0074]
Next, as shown in FIG. 12 (d), the first temporary holding member 9 to which the resin chip 31 is fixed is directed downward, and the steps from FIG. 7 (r) to FIG. 7 (t) are performed. As in FIG. 7 (t), transfer and mounting are performed on the mounting substrate 21.
[0075]
As described above, this embodiment is the same as the first embodiment except that one intermediate step is omitted in the manufacturing process of the image display device. However, the same mounting structure can be obtained even if the number of steps is reduced. It is advantageous that
[0076]
In addition, in this embodiment, the same operations and effects as described in the first embodiment are obtained.
[0077]
The embodiment of the present invention described above can be further modified based on the technical idea of the present invention.
[0078]
For example, the material, formation position, shape, and the like of the conductive adhesive layer 16 and other constituent layers attached to the upper surface and side surfaces (wiring regions including via holes) of the resin chip 31 may be arbitrarily changed.
[0079]
In addition, after the process of FIG. 9C, it is possible to transfer the image to another holding member once under a pitch change, and to fix it to the mounting substrate 21. In this case, a mounting structure similar to that shown in FIG.
[0080]
The above embodiment relates to a resin chip incorporating a planar light emitting diode element. In addition to this, for example, as shown in FIG. 13, for example, an electrode pad 6 and an electrode pad 7 are provided. The light emitting diode element 2 may have a conical shape with a triangular cross section. In this case, either a chip component in which the element is coated with a resin or a chip component that is not coated can be applied. For example, a sapphire substrate is used in FIG. Etching) or the like may be cut at predetermined intervals and separated into individual chips, and then the steps shown in FIG.
[0081]
The present invention is not limited to the above-described light emitting diode element, but an electric circuit such as a liquid crystal element, a photodiode element, a piezoelectric element, a transistor element, a diode element, a resistance element, a magnetic element, an optical element, and a light emitting display device having these. It can be applied to the device.
[0082]
[Effects of the invention]
As described above, according to the present invention, the chip component is covered with an insulating material, and the conductive material is applied from the electrode portion to the side surface of the insulating material to constitute the chip-shaped electronic component. The side surface can be connected to the wiring board via a conductive material, and it is not necessary to cover (embed) with an insulating layer and to form a connection hole, thereby facilitating mounting of a chip-shaped electronic component. Moreover, even if it is found that the chip-like electronic component is defective after mounting, the chip-like electronic component is not embedded in the insulating layer, so it can be easily removed from the wiring board and the good chip-like shape as many times as possible. Can be replaced with electronic components.
[0083]
Further, since the chip-like electronic component is not embedded in the insulating layer, it can be configured such that any surface thereof does not hinder the operation, and a transfer process for that purpose is not required.
[0084]
In addition, since a plurality of separated chip parts are filled with a conductive material, and then a plurality of chip parts are inspected via the conductive substance, non-defective chip-like electronic parts can be sorted in advance before mounting and wiring Compared to the case where the inspection is performed after connecting on the substrate, the number of man-hours for replacing the chip-like electronic component can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of an image display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view and a plan view sequentially showing a manufacturing process of the image display device.
3 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of the image display device. FIG.
4 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of the image display device. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of the image display device.
6A and 6B are a cross-sectional view and a plan view sequentially showing a manufacturing process of the image display device.
FIG. 7 is a cross-sectional view sequentially showing a manufacturing process of the image display device.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the image display device.
FIG. 9 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of an image display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the image display device.
FIG. 11 is a cross-sectional view sequentially showing manufacturing steps of an image display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the image display device.
FIG. 13 is a cross-sectional view of a resin chip according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an image display device according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st board | substrate, 2 ... Light emitting diode element, 3 ... 1st resin chip,
5 ... Wiring groove, 6 ... Electrode pad, 7 ... Electrode pad, 8 ... First element isolation groove,
9 ... first temporary holding member, 10 ... first photosensitive layer, 11 ... first release layer,
12 ... 1st resin layer, 13 ... 2nd member for temporary holding, 14 ... 2nd peeling layer,
15 ... second photosensitive layer, 16 ... conductive adhesive layer, 17 ... third temporary holding member,
18 ... 3rd peeling layer, 19 ... 2nd element isolation groove, 20 ... 2nd resin chip,
21 ... Mounting substrate, 22 ... Wiring part, 23 ... Adhesive layer, 24 ... Solder part,
25 ... transparent resin layer, 26 ... p-type semiconductor layer, 27 ... n-type semiconductor layer,
30 ... third element isolation groove, 31 ... third resin chip (chip-shaped electronic component)

Claims (57)

チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離す
る工程と
を有する、チップ状電子部品の製造方法。
Arranging and fixing a plurality of chip parts on a support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the plurality of separated chip components;
A step of removing a substance between the plurality of chip parts after the filling, and separating the conductive substance into each chip-like electronic part having an electrode portion and a side surface of the insulating substance. Production method.
前記チップ部品を第1の支持体に固定した後、第2の支持体、更には第3の支持体に順次転写し、この第3の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第4の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。After the chip component is fixed to the first support, it is sequentially transferred to the second support and then to the third support, and the chip component on the third support is covered with the insulating material. 2. The chip-shaped electron according to claim 1, wherein after the formation of the separation groove and filling of the conductive material, surface transfer is performed on a fourth support, and further, the chip-shaped electronic component is separated by removing the material. A manufacturing method for parts. 前記第2の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。The manufacturing method of the chip-shaped electronic component according to claim 2, wherein the transfer of the chip component to the second support is performed with a pitch change. 前記導電性物質の充填後に前記第3の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。The method for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 2, wherein the chip-shaped electronic component is separated by removing the material on the third support after filling with the conductive material. 支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離する、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。2. The chip according to claim 1, wherein after the plurality of chip components are embedded in the conductive material on a support, the conductive material is removed between the plurality of chip components and separated into the chip-shaped electronic components. Method for manufacturing an electronic component. 前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。The manufacturing method of the chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein an element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。The manufacturing method of the chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein a nano paste is used for the conductive substance. 前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。The method for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein a photosensitive substance is used as the insulating substance, and the separation grooves are formed by the exposure and development. 素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。The method for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein the chip component in which an element is embedded in a protective substance is used. チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する工程と、
このチップ状電子部品の前記側面において前記導電性物質と配線基板とを接続する工程と
を有する、実装構造の製造方法。
Arranging and fixing a plurality of chip parts on a support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the plurality of separated chip components;
After this filling, removing the substance between the plurality of chip parts, and separating the conductive substance into each chip-like electronic part having from the electrode part to the side surface of the insulating material,
A method of manufacturing a mounting structure, comprising a step of connecting the conductive substance and a wiring board on the side surface of the chip-shaped electronic component.
前記チップ部品を第1の支持体に固定した後、第2の支持体、更には第3の支持体に順次転写し、この第3の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第4の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を前記配線基板に接続する、請求項10に記載の実装構造の製造方法。After the chip component is fixed to the first support, it is sequentially transferred to the second support and then to the third support, and the chip component on the third support is covered with the insulating material. After the formation of the separation groove and filling of the conductive material, the surface is transferred to a fourth support, and further, the material is removed to separate the chip-shaped electronic component. The manufacturing method of the mounting structure of Claim 10 connected to the said wiring board. 前記第2の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行い、分離されたチップ状電子部品を前記配線基板に接続する、請求項11に記載の実装構造の製造方法。The manufacturing method of the mounting structure according to claim 11, wherein the transfer of the chip component to the second support is performed under a pitch change, and the separated chip-like electronic component is connected to the wiring board. 前記導電性物質の充填後に前記第3の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を必要あれば転写を経て前記配線基板に接続する、請求項11に記載の実装構造の製造方法。After the conductive material is filled, the chip-like electronic component is separated on the third support by removing the material, and the separated chip-like electronic component is connected to the wiring board via transfer if necessary. The manufacturing method of the mounting structure of Claim 11. 支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を必要あれば転写を経て前記配線基板に接続する、請求項10に記載の実装構造の製造方法。After the plurality of chip components are embedded in the conductive material on the support, the conductive material is removed between the plurality of chip components to separate the chip-shaped electronic components, and the separated chip-shaped electrons The manufacturing method of the mounting structure according to claim 10, wherein if necessary, the component is connected to the wiring board via transfer. 前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The method for manufacturing a mounting structure according to claim 10, wherein an element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The method for manufacturing a mounting structure according to claim 10, wherein a nanopaste is used for the conductive substance. 前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The method for manufacturing a mounting structure according to claim 10, wherein a photosensitive material is used as the insulating material, and the separation groove is formed by the exposure and development. 前記配線基板への接続をはんだによって行う、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The method for manufacturing a mounting structure according to claim 10, wherein the connection to the wiring board is performed by solder. 前記配線基板への接続後に、前記チップ状電子部品側を光透過性絶縁物質で被覆する、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The method for manufacturing a mounting structure according to claim 10, wherein the chip-like electronic component side is covered with a light-transmissive insulating material after connection to the wiring board. 素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項10に記載の実装構造の製造方法。The manufacturing method of the mounting structure of Claim 10 using the said chip component with which an element is embed | buried in a protective substance. チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と
を有する、チップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
Arranging and fixing a plurality of chip parts on a support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
And a step of filling a conductive substance between the plurality of separated chip components.
前記チップ部品を第1の支持体に固定した後、第2の支持体、更には第3の支持体に順次転写し、この第3の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、必要あれば第4の支持体に面転写する、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。After the chip component is fixed to the first support, it is sequentially transferred to the second support and then to the third support, and the chip component on the third support is covered with the insulating material. The method of manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein, if necessary, after the formation of the separation groove and the filling of the conductive material, surface transfer is performed on a fourth support. 前記導電性物質の充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The material between the plurality of chip components is removed after filling with the conductive material, and the chip-shaped electronic components having the conductive material from the electrode portion to the side surface of the insulating material are separated. Of manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component. 前記第2の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The method of manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein the transfer of the chip component to the second support is performed with a pitch change. 前記導電性物質の充填後に前記第3の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項23に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。24. The method of manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 23, wherein the chip-shaped electronic component is separated by removing the material on the third support after filling with the conductive material. 支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離する、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The chip according to claim 21, wherein after the plurality of chip components are embedded in the conductive material on a support, the conductive material is removed between the plurality of chip components and separated into the chip-shaped electronic components. Of manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a shaped electronic component. 前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The method for manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein the element constituting the chip component is a light-emitting element. 前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The method for manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein a nanopaste is used for the conductive substance. 前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The method for manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein a photosensitive material is used as the insulating material, and the separation grooves are formed by exposure and development. 素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項21に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。The method for manufacturing an intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 21, wherein the chip component in which an element is embedded in a protective substance is used. チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記導電性物質を介して前記複数のチップ部品の検査を行う工程と
を有する、チップ状電子部品の検査方法。
Arranging and fixing a plurality of chip parts on a support;
Coating with an insulating material so as to embed the plurality of chip components;
Removing a portion to be a wiring region of the insulating material, and forming a separation groove around each of the plurality of chip components;
Filling a conductive material between the plurality of separated chip components;
And a step of inspecting the plurality of chip components through the conductive substance after the filling.
前記導電性物質の充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する前に、前記検査を行う、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。The inspection is performed after the filling of the conductive substance, before removing the substance between the plurality of chip parts and separating the chip-like electronic parts having the conductive substance from the electrode portion to the side surface. 31. A method for inspecting a chip-shaped electronic component according to 31. 前記チップ部品を第1の支持体に固定した後、第2の支持体、更には第3の支持体に順次転写し、この第3の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填を行う、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。After the chip component is fixed to the first support, it is sequentially transferred to the second support and then to the third support, and the chip component on the third support is covered with the insulating material. 32. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 31, wherein the separation groove is formed and the conductive material is filled. 前記第2の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項33に記載のチップ状電子部品の検査方法。34. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 33, wherein the transfer of the chip component to the second support is performed under a pitch change. 前記導電性物質の充填後に前記第3の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項33に記載のチップ状電子部品の検査方法。34. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 33, wherein the chip-shaped electronic component is separated by removing the material on the third support after filling with the conductive material. 支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離し、この状態で前記検査を行う、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。After embedding the plurality of chip components in the conductive material on a support, the conductive material is removed between the plurality of chip components and separated into the chip-shaped electronic components, and the inspection is performed in this state 32. A method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 31. 前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。32. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 31, wherein an element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。32. The chip-shaped electronic component inspection method according to claim 31, wherein a nanopaste is used for the conductive substance. 前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。32. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 31, wherein a photosensitive substance is used as the insulating substance, and the separation groove is formed by the exposure and development. 素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項31に記載のチップ状電子部品の検査方法。32. The method for inspecting a chip-shaped electronic component according to claim 31, wherein the chip component in which an element is embedded in a protective substance is used. チップ部品が絶縁物質で被覆され、前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されている、チップ状電子部品。A chip-shaped electronic component, wherein the chip component is covered with an insulating material, and a conductive material is applied from an electrode portion of the chip component to a side surface of the insulating material. 前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項41に記載のチップ状電子部品。42. The chip-shaped electronic component according to claim 41, wherein the element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項41に記載のチップ状電子部品。42. The chip-shaped electronic component according to claim 41, wherein the conductive substance is made of nanopaste. 前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項41に記載のチップ状電子部品。42. The chip-shaped electronic component according to claim 41, wherein the insulating material is made of a photosensitive material. 素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項41に記載のチップ状電子部品。42. The chip-shaped electronic component according to claim 41, wherein the chip component is configured by embedding an element in a protective substance. チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品が、前記側面において前記導電性物質を介して配線基板に接続されている、チップ状電子部品の実装構造。A chip-shaped electronic component in which a chip component is coated with an insulating material and a conductive material is deposited from the electrode portion of the chip component to the side surface of the insulating material is wired via the conductive material on the side surface. Mounting structure of chip-shaped electronic components connected to the substrate. 前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項46に記載のチップ状電子部品の実装構造。47. The chip-shaped electronic component mounting structure according to claim 46, wherein the element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項46に記載のチップ状電子部品の実装構造。47. The chip-shaped electronic component mounting structure according to claim 46, wherein the conductive substance is made of nanopaste. 前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項46に記載のチップ状電子部品の実装構造。The mounting structure for a chip-shaped electronic component according to claim 46, wherein the insulating material is made of a photosensitive material. 素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項46に記載のチップ状電子部品の実装構造。The mounting structure for a chip-shaped electronic component according to claim 46, wherein the chip component is configured by embedding an element in a protective substance. チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品の複数個が、支持体上に固定されている、チップ状電子部品製造用の中間基板。A plurality of chip-shaped electronic components in which a chip component is coated with an insulating material and a conductive material is applied from an electrode portion of the chip component to a side surface of the insulating material are fixed on a support. Intermediate substrate for manufacturing chip-shaped electronic components. 前記複数のチップ状電子部品間に絶縁物質が充填されている、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。52. The intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 51, wherein an insulating substance is filled between the plurality of chip-shaped electronic components. 前記複数のチップ状電子部品間の物質が除去されている、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。52. The intermediate substrate for manufacturing a chip electronic component according to claim 51, wherein a substance between the plurality of chip electronic components is removed. 前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。52. The intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 51, wherein the element constituting the chip component is a light emitting element. 前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。The intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 51, wherein the conductive substance is made of nanopaste. 前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。The intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 51, wherein the insulating material is made of a photosensitive material. 素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項51に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。52. The intermediate substrate for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 51, wherein the chip component is configured by embedding an element in a protective substance.
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