JP2004031861A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース層におけるコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】InP基板を用いた半導体装置において、ベース領域に疑似格子整合層として引っ張り歪みを持ったp−GaAsコンタクト層6を挿入することにより応力がかかり、価電子帯がシフトすることによりショットキー障壁が小さくなり良好なオーミック電極とトランジスタ特性に優れたpn接合を形成することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】InP基板を用いた半導体装置において、ベース領域に疑似格子整合層として引っ張り歪みを持ったp−GaAsコンタクト層6を挿入することにより応力がかかり、価電子帯がシフトすることによりショットキー障壁が小さくなり良好なオーミック電極とトランジスタ特性に優れたpn接合を形成することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速動作が可能な化合物半導体装置、とりわけヘテロ接合バイポーラトランジスタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(Hetero−junction Bipolar Transistor、以下HBTという)は、エミッタにベースよりもバンドギャップの大きな半導体材料を用いるためエミッタ注入効率が高く、高速動作が可能なデバイスである。
【0003】
高速動作を可能とするために重要となってくる要素としてベース抵抗の低減やベース・コレクタ間のヘテロ接合の伝導帯には障壁の低減があげられる。
【0004】
ベース抵抗の低減方法としてオーミック接合による抵抗低減があるが、近年、素子の高速化や微細化により低抵抗化の要請は更に高まっている。
【0005】
オーミック接合を実現する従来技術としては、例えば特開平8−51118号公報に記載されている。これを図3および図4を用いて説明する。なお、以下InGaAsPとはInxGa1−xAsyP1−y(0≦x≦1、0≦y≦1)のことを表し、p型導電型をp−と表記する。
【0006】
従来のHBTは、図3に示すようにInP基板1上に順次n−InGaAsサブコレクタ層2、InPコレクタ層3、n−InGaAs層4、p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5を積層している。さらにエミッタ領域ではn−InP層7あるいはn−InGaAs層8、金属電極11を順次堆積させている。同様にオーミック・コンタクト領域では金属層10を堆積させている。
【0007】
ここでp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5には熱的に安定なノンアロイ・オーミック・コンタクト構造を形成する方法がある。図4に示すようにInGaAsをコンタクト層に用いると金属層とp−InGaAs層とのショットキー障壁の高さは0.47eVとなる。
【0008】
ベース・エミッタ間のpn接合においてもベース層の材料にInGaAsを用いてエミッタ層の材料にInPを使用し伝導帯の障壁により正孔の移動を抑えてトランジスタ特性を実現している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、更に高速動作を必要とする場合にはコンタクト層にp−InGaAsを用いた従来のノンアロイ・オーミック・コンタクトではショットキー障壁の高さを更に小さくすることは難しく、低抵抗化を望めないという問題がある。
【0010】
また、ベース・エミッタ間のpn接合においても同様に更なる高速動作を望む場合に特性を向上するには限界がある。
【0011】
上記課題に鑑み、本発明は、ショットキー障壁の高さを小さくすることによりコンタクト抵抗が低減したオーミック電極、さらにはpn接合での価電子帯バンドオフセット(Ev)を大きくすることによりベース・エミッタ間のトランジスタ特性を向上した半導体素子を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置は、第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されかつ前記第1の半導体層より引っ張り歪を受ける第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されかつ前記第2の半導体層に対してオーミック接触をする金属層とを有するものである。
【0013】
この構成により、第2の半導体層は引っ張り歪を受けているので、バンドオフセットがシフトして第2の半導体層と金属層との間の障壁高さが低下して第2の半導体層と金属層との間の接触抵抗を低減させることができる。
【0014】
また、本発明の半導体装置は、さらに前記第1の半導体層がp型InGaAsPよりなる層であり、前記第2の半導体層がp型GaAsよりなる層であることが好ましい。
【0015】
本発明の半導体装置は、さらに前記金属層が、バイポーラトランジスタのベースに関するオーミック電極であることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明でのHBT構造について図面を参照しながら説明する。
【0017】
図1に示すように本発明の実施形態として、HBTの断面図が示されている。InP基板1上に順次n−InGaAsサブコレクタ層2、InPコレクタ層3、n−InGaAs層4、p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5を積層した後にp−GaAsベース層6を積層している。p−GaAs層上にはエミッタ領域ではn−InP層7あるいはn−InGaAs層8、金属電極11を順次堆積させている。同様にオーミック・コンタクト領域では金属層10を堆積させている。
【0018】
p−GaAsベース層6はp−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5に疑似格子整合している。また、p−GaAsベース層6には結晶成長方向と同一方向に一軸性の引っ張り歪みが発生している。
【0019】
次に本発明によるオーミック接合の接触抵抗率低減の原理を説明する。p−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5上に格子定数が異なるp−GaAsベース層6を形成するとp−GaAsベース層6の格子は歪む。この一軸性の歪みにより価電子帯の縮退が解ける。特に面内引っ張り歪みの場合には、価電子帯は伝導帯側にシフトする。これにより、前記のp−GaAsベース層6のショットキー障壁高さは低下する。
【0020】
また、p−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5にp−GaAsベース層6が疑似格子整合しているため、界面での界面準位はp−GaAsベース層6が格子緩和した場合と比較して十分少ない。よって、接合界面においてのフェルミレベルのピニング効果に起因するポテンシャル障壁は小さい。p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5とp−GaAsベース層6のバンド不連続によりポテンシャル障壁が形成されるがこの障壁の高さはp−GaAsベース層6と金属層10を接合することによって生じる接触抵抗よりも十分に小さく、この系のオーミック抵抗はp−GaAsベース層6と金属層10の接触抵抗により支配される。以上の理由から、金属層10とp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5との間に疑似格子整合をしたp−GaAsベース層6を挿入することによりオーミック抵抗の低減を図ることができる。
【0021】
次に、本発明の半導体装置に関する、製造方法について説明する。
【0022】
InP基板1上に順次半導体層を積層した後にp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5としてp−In0.53Ga0.47As層を堆積する。このときの半導体層の表面の格子定数は0.587nmである。さらにp−In0.53Ga0.47As層上に格子定数0.565nmのp−GaAsベース層6を4nm以下で堆積させる。このときの格子不整合率は約4%である。
【0023】
p−GaAsベース層6の膜厚設定は格子不整合率による臨界膜厚により導きだしたものである。格子不整合率が大きくなれば臨界膜厚は小さくなる。p−GaAsベース層6は疑似格子整合をしており、かつ格子が引っ張り歪みを受けた状態を保つにはp−GaAs層7は4nm以下に設定する必要がある。
【0024】
次に格子歪みにより価電子帯のバンドオフセットがシフトすることについて述べる。格子常数の異なる半導体層を堆積すると格子には歪みが生じる。この歪みにより正孔が存在する縮退が応力により解ける。面内が引っ張り歪みの場合には軽い正孔を形成するバンドが伝導帯側にシフトするため、歪みにより価電子帯は伝導帯側にシフトしショットキー障壁高さが低下する。InP基板やそれと同様の格子定数をもつ半導体層上にGaAsを成長させた場合には格子歪みは約4%であり、価電子帯のシフト量は約0.23eVになり、ショットキー障壁の高さは約0.33eVに低下する。この障壁高さはp型InGaAsのショットキー障壁の高さである約0.47eVより低い。
【0025】
次に本発明によるエミッタ・ベース間のバンドギャップ改善について原理を説明する。前述と同様にp−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5上にp−GaAsベース層6を疑似格子整合させることにより格子歪みが発生し正孔の縮退が応力により解けるため、価電子帯のバンドギャップが伝導帯側にシフトする。同時に正孔の移動が起こるため伝導帯のバンドギャップも同様に価電子帯側にシフトする現象が起こる。これによりGaAsのバンドギャップは約0.9eVと狭くなりInPのバンドギャップよりも小さくなり、ベース層として疑似格子整合したGaAs層を挿入することが可能となる。
【0026】
前述したようにp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5よりも疑似格子整合をしたp−GaAsベース層6の方が価電子帯のシフトによりn−InPとのΔEvが大きくなる。したがって、価電子帯でのバンドギャップによる障壁が大きくなり正孔の移動が起こりにくくなり、さらにトランジスタ特性の改善が図れる。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば抵抗の低減化を行うことができる。また、本発明によればベース・エミッタ間のpn接合においても伝導帯でのΔEcが大きくなるため価電子帯での障壁が大きくなってトランジスタ特性を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体装置の構成図
【図2】図1に示した半導体装置のバンドダイアグラムを示す図
【図3】従来の実施の形態における半導体装置の構成図
【図4】図3に示した半導体装置のバンドダイアグラムを示す図
【符号の説明】
1 InP半導体基板
2 n−InGaAsサブコレクタ層
3 n−InPコレクタ層
4 n−InGaAs/n−InGaAsPコレクタ層
5 p−InGaAsあるいはp−InGaAsPベース層
6 p−GaAsベース層
7 n−InPエミッタ層
8 n−InGaAsエミッタ・コンタクト層
9、10、11 金属層
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速動作が可能な化合物半導体装置、とりわけヘテロ接合バイポーラトランジスタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(Hetero−junction Bipolar Transistor、以下HBTという)は、エミッタにベースよりもバンドギャップの大きな半導体材料を用いるためエミッタ注入効率が高く、高速動作が可能なデバイスである。
【0003】
高速動作を可能とするために重要となってくる要素としてベース抵抗の低減やベース・コレクタ間のヘテロ接合の伝導帯には障壁の低減があげられる。
【0004】
ベース抵抗の低減方法としてオーミック接合による抵抗低減があるが、近年、素子の高速化や微細化により低抵抗化の要請は更に高まっている。
【0005】
オーミック接合を実現する従来技術としては、例えば特開平8−51118号公報に記載されている。これを図3および図4を用いて説明する。なお、以下InGaAsPとはInxGa1−xAsyP1−y(0≦x≦1、0≦y≦1)のことを表し、p型導電型をp−と表記する。
【0006】
従来のHBTは、図3に示すようにInP基板1上に順次n−InGaAsサブコレクタ層2、InPコレクタ層3、n−InGaAs層4、p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5を積層している。さらにエミッタ領域ではn−InP層7あるいはn−InGaAs層8、金属電極11を順次堆積させている。同様にオーミック・コンタクト領域では金属層10を堆積させている。
【0007】
ここでp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5には熱的に安定なノンアロイ・オーミック・コンタクト構造を形成する方法がある。図4に示すようにInGaAsをコンタクト層に用いると金属層とp−InGaAs層とのショットキー障壁の高さは0.47eVとなる。
【0008】
ベース・エミッタ間のpn接合においてもベース層の材料にInGaAsを用いてエミッタ層の材料にInPを使用し伝導帯の障壁により正孔の移動を抑えてトランジスタ特性を実現している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、更に高速動作を必要とする場合にはコンタクト層にp−InGaAsを用いた従来のノンアロイ・オーミック・コンタクトではショットキー障壁の高さを更に小さくすることは難しく、低抵抗化を望めないという問題がある。
【0010】
また、ベース・エミッタ間のpn接合においても同様に更なる高速動作を望む場合に特性を向上するには限界がある。
【0011】
上記課題に鑑み、本発明は、ショットキー障壁の高さを小さくすることによりコンタクト抵抗が低減したオーミック電極、さらにはpn接合での価電子帯バンドオフセット(Ev)を大きくすることによりベース・エミッタ間のトランジスタ特性を向上した半導体素子を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置は、第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されかつ前記第1の半導体層より引っ張り歪を受ける第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されかつ前記第2の半導体層に対してオーミック接触をする金属層とを有するものである。
【0013】
この構成により、第2の半導体層は引っ張り歪を受けているので、バンドオフセットがシフトして第2の半導体層と金属層との間の障壁高さが低下して第2の半導体層と金属層との間の接触抵抗を低減させることができる。
【0014】
また、本発明の半導体装置は、さらに前記第1の半導体層がp型InGaAsPよりなる層であり、前記第2の半導体層がp型GaAsよりなる層であることが好ましい。
【0015】
本発明の半導体装置は、さらに前記金属層が、バイポーラトランジスタのベースに関するオーミック電極であることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明でのHBT構造について図面を参照しながら説明する。
【0017】
図1に示すように本発明の実施形態として、HBTの断面図が示されている。InP基板1上に順次n−InGaAsサブコレクタ層2、InPコレクタ層3、n−InGaAs層4、p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5を積層した後にp−GaAsベース層6を積層している。p−GaAs層上にはエミッタ領域ではn−InP層7あるいはn−InGaAs層8、金属電極11を順次堆積させている。同様にオーミック・コンタクト領域では金属層10を堆積させている。
【0018】
p−GaAsベース層6はp−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5に疑似格子整合している。また、p−GaAsベース層6には結晶成長方向と同一方向に一軸性の引っ張り歪みが発生している。
【0019】
次に本発明によるオーミック接合の接触抵抗率低減の原理を説明する。p−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5上に格子定数が異なるp−GaAsベース層6を形成するとp−GaAsベース層6の格子は歪む。この一軸性の歪みにより価電子帯の縮退が解ける。特に面内引っ張り歪みの場合には、価電子帯は伝導帯側にシフトする。これにより、前記のp−GaAsベース層6のショットキー障壁高さは低下する。
【0020】
また、p−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5にp−GaAsベース層6が疑似格子整合しているため、界面での界面準位はp−GaAsベース層6が格子緩和した場合と比較して十分少ない。よって、接合界面においてのフェルミレベルのピニング効果に起因するポテンシャル障壁は小さい。p−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5とp−GaAsベース層6のバンド不連続によりポテンシャル障壁が形成されるがこの障壁の高さはp−GaAsベース層6と金属層10を接合することによって生じる接触抵抗よりも十分に小さく、この系のオーミック抵抗はp−GaAsベース層6と金属層10の接触抵抗により支配される。以上の理由から、金属層10とp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5との間に疑似格子整合をしたp−GaAsベース層6を挿入することによりオーミック抵抗の低減を図ることができる。
【0021】
次に、本発明の半導体装置に関する、製造方法について説明する。
【0022】
InP基板1上に順次半導体層を積層した後にp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5としてp−In0.53Ga0.47As層を堆積する。このときの半導体層の表面の格子定数は0.587nmである。さらにp−In0.53Ga0.47As層上に格子定数0.565nmのp−GaAsベース層6を4nm以下で堆積させる。このときの格子不整合率は約4%である。
【0023】
p−GaAsベース層6の膜厚設定は格子不整合率による臨界膜厚により導きだしたものである。格子不整合率が大きくなれば臨界膜厚は小さくなる。p−GaAsベース層6は疑似格子整合をしており、かつ格子が引っ張り歪みを受けた状態を保つにはp−GaAs層7は4nm以下に設定する必要がある。
【0024】
次に格子歪みにより価電子帯のバンドオフセットがシフトすることについて述べる。格子常数の異なる半導体層を堆積すると格子には歪みが生じる。この歪みにより正孔が存在する縮退が応力により解ける。面内が引っ張り歪みの場合には軽い正孔を形成するバンドが伝導帯側にシフトするため、歪みにより価電子帯は伝導帯側にシフトしショットキー障壁高さが低下する。InP基板やそれと同様の格子定数をもつ半導体層上にGaAsを成長させた場合には格子歪みは約4%であり、価電子帯のシフト量は約0.23eVになり、ショットキー障壁の高さは約0.33eVに低下する。この障壁高さはp型InGaAsのショットキー障壁の高さである約0.47eVより低い。
【0025】
次に本発明によるエミッタ・ベース間のバンドギャップ改善について原理を説明する。前述と同様にp−InGaAsP層あるいはp−InGaAsベース層5上にp−GaAsベース層6を疑似格子整合させることにより格子歪みが発生し正孔の縮退が応力により解けるため、価電子帯のバンドギャップが伝導帯側にシフトする。同時に正孔の移動が起こるため伝導帯のバンドギャップも同様に価電子帯側にシフトする現象が起こる。これによりGaAsのバンドギャップは約0.9eVと狭くなりInPのバンドギャップよりも小さくなり、ベース層として疑似格子整合したGaAs層を挿入することが可能となる。
【0026】
前述したようにp−InGaAsPあるいはp−InGaAsベース層5よりも疑似格子整合をしたp−GaAsベース層6の方が価電子帯のシフトによりn−InPとのΔEvが大きくなる。したがって、価電子帯でのバンドギャップによる障壁が大きくなり正孔の移動が起こりにくくなり、さらにトランジスタ特性の改善が図れる。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば抵抗の低減化を行うことができる。また、本発明によればベース・エミッタ間のpn接合においても伝導帯でのΔEcが大きくなるため価電子帯での障壁が大きくなってトランジスタ特性を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体装置の構成図
【図2】図1に示した半導体装置のバンドダイアグラムを示す図
【図3】従来の実施の形態における半導体装置の構成図
【図4】図3に示した半導体装置のバンドダイアグラムを示す図
【符号の説明】
1 InP半導体基板
2 n−InGaAsサブコレクタ層
3 n−InPコレクタ層
4 n−InGaAs/n−InGaAsPコレクタ層
5 p−InGaAsあるいはp−InGaAsPベース層
6 p−GaAsベース層
7 n−InPエミッタ層
8 n−InGaAsエミッタ・コンタクト層
9、10、11 金属層
Claims (3)
- 第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されかつ前記第1の半導体層より引っ張り歪を受ける第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されかつ前記第2の半導体層に対してオーミック接触をする金属層とを有することを特徴とする半導体装置。
- 前記第1の半導体層がp型InGaAsPよりなる層であり、前記第2の半導体層がp型GaAsよりなる層であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記金属層が、バイポーラトランジスタのベースに関するオーミック電極であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002189325A JP2004031861A (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002189325A JP2004031861A (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031861A true JP2004031861A (ja) | 2004-01-29 |
Family
ID=31183786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002189325A Pending JP2004031861A (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004031861A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110018033A1 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
-
2002
- 2002-06-28 JP JP2002189325A patent/JP2004031861A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110018033A1 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8431459B2 (en) * | 2008-03-26 | 2013-04-30 | The University Of Tokyo | Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
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