JP2004031856A - ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - Google Patents

ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD Download PDF

Info

Publication number
JP2004031856A
JP2004031856A JP2002189291A JP2002189291A JP2004031856A JP 2004031856 A JP2004031856 A JP 2004031856A JP 2002189291 A JP2002189291 A JP 2002189291A JP 2002189291 A JP2002189291 A JP 2002189291A JP 2004031856 A JP2004031856 A JP 2004031856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
znse
conductivity type
substrate
light
surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002189291A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Matsubara
松原 秀樹
Original Assignee
Sumitomo Electric Ind Ltd
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Ind Ltd, 住友電気工業株式会社 filed Critical Sumitomo Electric Ind Ltd
Priority to JP2002189291A priority Critical patent/JP2004031856A/en
Publication of JP2004031856A publication Critical patent/JP2004031856A/en
Application status is Withdrawn legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ZnSe-based light emitting device that can be improved in luminance. <P>SOLUTION: In this light emitting device, an LED chip is mounted on a mounting substrate 31. The LED chip is provided with n-type ZnSe-based compound layers 2 and 3 formed on an n-type ZnSe substrate 1, p-type ZnSe-based compound layers 5 and 7 formed at positions farther than the compound layers 2 and 3 when the layers 5 and 7 are viewed from the substrate 1, and an active layer 4 positioned between the n-type compound layers 2 and 3 and p-type 5 and 7. In addition, the LED chip contains a self-activated luminescence center SA in the substrate 1. The LED chip is mounted on the mounting substrate 31 with the p-type ZnSe-based compound layers 5 and 7 in the epitaxial-down configuration. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、ZnSe系発光装置およびその製造方法に関し、より具体的には、高輝度化をはかったZnSe系発光装置およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a ZnSe-based light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a ZnSe-based light emitting device and a manufacturing method thereof aimed at high luminance.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
ZnSe系白色発光素子では、n型ZnSe基板上に形成されたpn接合を含む活性層において青色光を発光し、さらに、ZnSe基板における自己活性発光中心(SA(Self−Activated)中心)がその青色光を受けて励起され黄色光を発光する。 The ZnSe-based white light emitting device emits blue light in the active layer comprising a pn junction which is formed on n-type ZnSe substrate, further, the self-activity light emitting centers in the ZnSe substrate (SA (Self-Activated) centers) the blue It is excited by light to emit yellow light. 図19は、ZnSe系白色発光素子を示す構成概略図である。 Figure 19 is a schematic configuration diagram showing a ZnSe-based white light emitting device. SA中心を有するn型ZnSe基板101の上にn型ZnSe系化合物エピタキシャル層103が形成され、その上に少なくとも1つのpn接合を含む発光層である活性層104が形成されている。 Is n-type ZnSe-based compound epitaxial layer 103 on the n-type ZnSe substrate 101 is formed with a SA center, the active layer 104 is a light-emitting layer comprising at least one pn junction is formed thereon. その上にはp型ZnSe系化合物エピタキシャル層105が形成されている。 Its p-type ZnSe-based compound epitaxial layer 105 is formed thereon. 活性層104で発光を生じさせるには、n型ZnSe基板101の裏面に設けたn型電極112と、p型ZnSeエピタキシャル層105の上に設けたp型電極110との間に電圧を印加する。 To produce a light-emitting active layer 104, the n-type electrode 112 provided on the back surface of the n-type ZnSe substrate 101, a voltage is applied between the p-type electrode 110 provided on the p-type ZnSe epitaxial layer 105 . 電圧は、pn接合に順方向電圧がかかるように、p型電極110に所定の電圧を、またn型電極112にそれより低い電圧を印加する。 Voltage, as such forward voltage to the pn junction, a predetermined voltage to the p-type electrode 110, also applies a lesser voltage to the n-type electrode 112. この電圧印加により、pn接合にキャリアが注入され、活性層104で発光が生じる。 This voltage application, carriers are injected into the pn junction, light is emitted in the active layer 104. ZnSe化合物半導体の場合、活性層から発光される光は、活性層104のZnSe系化合物層のバンドギャップに相当する波長の青色から青緑色の領域の色である。 For ZnSe compound semiconductor, the light emitted from the active layer is a color from the blue wavelengths in the blue-green region corresponding to the band gap of the ZnSe-based compound layer of the active layer 104. この青色発光は狭いバンド幅を有する。 The blue light emission having a narrow bandwidth.
【0003】 [0003]
この青色光は、上面側のp型ZnSeエピタキシャル層を通り出射面から外に出射されるだけでなく、下側のn型ZnSe基板101にも到達する。 The blue light is not a p-type ZnSe epitaxial layer on the upper surface side from the street exit plane only be emitted to the outside, it reaches to n-type ZnSe substrate 101 of the lower. n型ZnSe基板には、あらかじめ、ヨウ素、アルミニウム、塩素、臭素、ガリウム、インジウム等の少なくとも1種類をドーピングしてn型導電性としている。 The n-type ZnSe substrate, in advance, iodine, aluminum, and chlorine, bromine, gallium, and n-type conductivity by doping at least one of indium. このドーピングにより、ZnSe基板には上述のSA発光中心が形成される。 This doping, above SA emission center is formed on the ZnSe substrate. 上記の青色光を含む510nm以短の短波長域の光の照射により、SA発光中心から、550nm〜650nmの長波長域の光が発光される。 By irradiation of light in the short wavelength range of 510nm 以短 containing the above blue light, the SA emission center, light in a long wavelength region of 550nm~650nm it is emitted. この長波長域の光は、黄色または橙色の可視光である。 Light of the long wavelength band is a visible light of yellow or orange. 上記のようなSA発光中心から発光される光を蛍光とよぶことがある。 The light emitted from the SA emission center such as described above may be referred to as fluorescence.
【0004】 [0004]
図20は、上記の青色発光およびSA発光のスペクトルを示す図である。 Figure 20 is a diagram showing the spectrum of the blue emission and SA emission. SA発光は非常に広い範囲の波長を含むブロードな発光であり、青色発光は青色波長付近に位置する鋭いピークを有する発光である。 SA emission is a broad emission having wavelengths very wide range, blue emission is a light emission having a sharp peak located in the vicinity of blue wavelength. この2つの発光を組み合わせることにより、白色発光を得ることができる。 The combination of the two light-emitting, white light emission can be obtained.
【0005】 [0005]
図21に上記のZnSe発光素子の出射面付近の一例を示す。 Figure 21 shows an example of the vicinity of the exit surface of the above-mentioned ZnSe light-emitting element. 図示していないZnSe/ZnCdSe多重量子井戸活性層およびその上のp型ZnMgSSeクラッド層の上に、0.2μm厚のp型ZnSe層106、ZnTeとZnSeの積層超格子構造からなるp型コンタクト層107が順次設けられている。 ZnSe / ZnCdSe multiple quantum well active layer (not shown) and on the p-type ZnMgSSe cladding layer thereon, a p-type contact layer composed of a stacked superlattice structure of 0.2 [mu] m p-type ZnSe layer 106 having a thickness, ZnTe and ZnSe 107 are sequentially provided. さらにその上に、60nm厚のp型ZnTe層108が設けられている。 Further thereon, p-type ZnTe layer 108 of 60nm thickness is provided. このような各エピタキシャル層の上に、20nm厚のAu薄膜電極110が形成されている。 On each such epitaxial layers, Au thin film electrodes 110 of 20nm thickness is formed.
【0006】 [0006]
pn接合での発光は、電極から注入される電流密度が高い位置ほど強く発光するが、p型ZnSe系化合物エピタキシャル層は非常に薄いので、そのシート抵抗の高さから、それ自体で注入電流を面内方向に広げることはできない。 Emission at the pn junction, the current density to be injected from the electrode emits light strongly higher position, the p-type ZnSe-based compound epitaxial layer is very thin, because of its high sheet resistance, the per se injection current It can not be extended to the in-plane direction. つまり周縁部に電極を形成しても、そこから層全体に電流を広げることはできない。 That be formed electrode in the peripheral portion, it is impossible to spread the current from there throughout the layer. そのため、金(Au)膜は、電流がpn接合全体に行き渡って流れるよう、上記のように、薄いp型ZnSe系化合物エピタキシャル膜全体に覆い重なるように形成されている。 Therefore, gold (Au) film, to flow prevailing current across the pn junction, as described above, are formed so as to overlap to cover the entire thin p-type ZnSe-based compound epitaxial film.
【0007】 [0007]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、上記の構造の場合、p型電極の金膜は光の吸収率が低くなく、光の出射面の全面にわたって形成されるので、光の透過を妨げ、発光素子の輝度を低下させてしまう。 However, if the above structure, the gold film of p-type electrode is not lower absorption of light, because it is formed over the entire surface of the light exit surface, hinder the transmission of light, thus lowering the luminance of the light emitting element . このため、金膜の厚みを薄くする検討もなされたが、その場合は、今度は金膜内でのシート抵抗の上昇により、電流がpn接合全体に行き渡りにくくなることから、その厚みを、例えば20nmより極端に薄くすることは困難であった。 Therefore, although consideration was also made to reduce the thickness of the gold film, in which case, by increasing the sheet resistance at this time the gold film, since a current hardly spreads to the entire pn junction, the thickness, for example, it is difficult to extremely thinner than 20nm. よって金膜による光の吸収をゼロにすることはできなかった。 Therefore it was not possible to the absorption of light by the gold film to zero.
【0008】 [0008]
また上記のようなp型電極に起因する輝度の低下の他に輝度を低下させる別の要因として次の全反射の要因がある。 There are also factors: total reflection Another factor reducing the brightness in addition to the decrease in brightness due to the p-type electrode as described above. 図22は、発光素子おいて発光点135から発光した光が、空気との界面において、どれだけ透過して外に取り出されるか説明する図である。 22, the light emitted from the light emitting point 135 keep the light-emitting element is a diagram at the interface between air and described how transmission to be taken out. 図22によれば、界面と90°に近い臨界角度内で交差する光は空気層に透過して取り出すことができるが、それより斜めに傾いて交差する光は全反射して空気層に出射されない。 According to FIG 22, the light intersecting within the critical angle close to the interface and 90 ° can be removed after passing through the air layer, the light intersecting inclined it more obliquely emitted into the air layer is totally reflected not. 全反射する入射角の範囲は、発光素子の屈折率が大きくなるほど顕著になる。 Range of incident angles to total reflection becomes more remarkable as the refractive index of the light emitting element is increased. 図23は全反射の原理を説明する図である。 Figure 23 is a diagram for explaining the principle of total internal reflection. 屈折率が大きい媒体(発光素子)から屈折率が小さい媒体(空気)に向って光が進むとき、入射角が臨界角θ より小さい場合には、図中の破線のように光は外の空気内に出て伝播する。 When the light toward the refractive index lower medium (air) from the refractive index is large medium (light emitting element) advances, when the incident angle is smaller than the critical angle theta c, the light as shown by a broken line in the figure out of to propagate out into the air. しかし、入射角が臨界角より大きい場合には、図中の細線のように媒体の界面で反射して、外部の空気に光が伝播しない。 However, when the incident angle is greater than the critical angle is reflected at the interface of the medium as a thin line in the figure, the light is not propagated to the outside air.
【0009】 [0009]
このような全反射は、スネルの法則をもとに説明することができる。 Such total internal reflection, can be described on the basis of Snell's law. スネルの法則によれば、屈折率の異なる2媒体の界面に入射する光の入射角および屈折角の間には、n sinθ =n sinθ が成立する。 According to Snell's law, between the incident angle and refraction angle of light incident on the interface between the refractive index of two different media, n 1 sinθ 1 = n 2 sinθ 2 is established. 全反射が生じる場合、図中の太線のように、空気内を光が伝播しない条件として屈折角90°とする。 If the total reflection occurs, so that the thick line in the figure, light in the inside of the air is the refractive angle 90 ° as conditions that do not propagate. したがって、空気の屈折率を1とし、空気における屈折角θ は90°で、sinθ =1となるので、発光素子における全反射角θ と屈折率との条件:sinθ =1/n が成り立つ。 Accordingly, the refractive index of air is 1, the refractive angle theta 2 is 90 ° in air, since the sin [theta 2 = 1, the condition of the total reflection angle theta 1 and the refractive index in the light-emitting element: sinθ 1 = 1 / n 1 is established. このθ が上述の全反射の臨界角θ である。 The theta 1 is a critical angle theta c of total reflection described above. 臨界角θ より斜めに傾いた角度で発光素子の表面にいたる光は全反射して、空気に取り出すことができない。 Light reaching the surface of the light emitting element at an oblique angle obliquely than the critical angle theta c is totally reflected and can not be taken out to the air. 臨界角θ は、発光素子の屈折率n が大きいほど、sinθ =1/n にしたがって小さくなり、空気内に光を取り出しにくくなる。 Critical angle theta c, the higher the refractive index n 1 of the light-emitting element is large, becomes smaller as sinθ c = 1 / n 1, hardly removed light in the air. すなわち、屈折率が大きい媒体ほど垂直入射に近い光でないと、全反射する光量が多くなり光を空気側に取り出しにくくなる。 That is, unless a light close to the normal incidence larger medium refractive index, the light quantity is increased to the total reflection becomes difficult to take out the air side.
【0010】 [0010]
図24は、1つの発光点135を基準に、全反射しない範囲または全反射する範囲を示す図である。 Figure 24 is based on the one light-emitting point 135 is a diagram showing the range of the range or the total reflection without total reflection. 1つの発光中心135を基準にして、全反射しないで空気中に取り出すことができる範囲は、発光中心を頂点とする円錐136の内部の範囲である。 And one luminescent center 135 to the reference, the range which can be taken out into the air without total reflection is the internal range of the cone 136 whose apex an emission center. ZnSe系化合物の屈折率は窒化ガリウム(GaN)系化合物より大きいので、全反射の影響をより強く受け、上記の円錐はより細い円錐となる。 Since the refractive index of the ZnSe-based compound is greater than gallium nitride (GaN) based compound, more affected total reflection, cone above the thinner cone.
【0011】 [0011]
上記の問題点をまとめると、ZnSe系発光装置では、光が出射されるp型電極側で出射光がp型電極を構成する金膜により吸収を受け、かつ全反射により空気中に取り出すことができる光量が絞られる。 To summarize the above problems, in ZnSe-based light emitting device, based on the absorption by the gold film emitted light constitutes a p-type electrode of a p-type electrode side where light is emitted, and be taken out into the air by total reflection the amount of light that can be squeezed. 上記の2つの問題点は、ともにZnSe発光装置の輝度を低下させる。 Two problems described above, thereby both decreasing the luminance of the ZnSe light-emitting device. このため、ZnSe発光素子の輝度を高めるための方策が強く望まれていた。 Therefore, measures to increase the brightness of the ZnSe light-emitting element has been strongly desired.
【0012】 [0012]
LED素子の輝度を高める手段として、LEDを構成する半導体基板が、LEDの発光波長に対して透明であるような場合、活性層を形成するエピタキシャル層を実装面側に配置する、いわゆるエピダウン構造の採用が知られている。 As a means of increasing the brightness of the LED elements, the semiconductor substrate constituting the LED is, if such transparent to the emission wavelength of the LED, placing the epitaxial layer forming an active layer on the mounting surface side, of the so-called epi-down structure adopted is known. 通常のLEDの構造では、実装面側は半導体基板であり(エピアップ構造)、実装面と反対側である素子発光の出射面は、活性層のあるエピ層側となっているが、このエピダウン構造では、出射面は半導体基板側となる。 In the structure of conventional LED, mounting surface is a semiconductor substrate (epi-up structure), the exit surface of the element emitting a mounting surface opposite to the side, although a epitaxial layer side of the active layer, the epi-down structure in the exit plane is the semiconductor substrate side. 本発明のZnSe系白色発光素子においても、エピダウン構造の採用により、発光色の空間分布の改善などの効果が得られることは既に示されている(特許公報第3087742号)。 Also in ZnSe-based white light emitting device of the present invention, by adopting the epi-down structure, the effects such as improvement of the spatial distribution of the emission color can be obtained has already been shown (Japanese Patent No. 3087742). しかしながら、従来の技術では、n型ZnSe基板の不純物濃度が低いため、低い接触抵抗を有する良好なn型電極を構成することができず、所望の低電圧にて素子を発光させるためには、ZnSe基板面側に形成するn型電極は、上記のエピタキシャル層側のp型電極と同様に基板表面全体を覆うような前面電極が必要となった。 However, in the conventional art, the impurity concentration of the n-type ZnSe substrate is low, can not constitute a satisfactory n-type electrode having low contact resistance, in order to emit light element at a desired low voltage, n-type electrode formed ZnSe substrate surface side, the front electrode to cover the entire surface of the substrate similarly to the p-type electrode of the epitaxial layer side is needed. そのため、上記のp型電極と同様の素子の発光を吸収してしまうようなn型電極を有するエピダウン構造は、高輝度の素子とならず、エピダウン構造のメリットが得られない問題があった。 Therefore, epi-down structure having an n-type electrode as absorbs the emission of the p-type electrode and like elements are not the high brightness of the device, there is a merit is not obtained problems epi-down structure.
【0013】 [0013]
本発明は、輝度を向上させることができるZnSe系発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a ZnSe-based light emitting device and a manufacturing method thereof capable of improving the luminance.
【0014】 [0014]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明のZnSe系発光装置は、発光素子が実装基板に実装された発光装置である。 ZnSe-based light-emitting device of the present invention is a light-emitting device emitting element is mounted on the mounting substrate. この発光素子は、第1導電型ZnSe基板上に形成された第1導電型ZnSe系化合物層と、第1導電型ZnSe基板から見て第1導電型ZnSe系化合物層より遠い位置に位置する第2導電型ZnSe化合物層と、第1導電型ZnSe系化合物層と第2導電型ZnSe系化合物層との間に位置する活性層とを備える。 The light emitting element includes a first positioned in a first conductivity type ZnSe-based compound layer formed on the first conductivity-type ZnSe substrate, farther than the first conductivity type ZnSe-based compound layer as viewed from the first conductivity type ZnSe substrate comprising a second conductivity type ZnSe compound layer, and an active layer located between the first conductive type ZnSe-based compound layer and the second conductivity type ZnSe-based compound layer. そして、発光素子は、その第1導電型ZnSe基板に自己活性発光中心を含み、実装基板に対して、第2導電型ZnSe系化合物層ダウンの配置で実装され、第1導電型ZnSe基板の表面上に、その第1導電型ZnSe基板の第1導電型不純物濃度より高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型不純物ZnSe層を備え、発光の出射面は高濃度第1導電型不純物ZnSe層を含む第1導電型ZnSe基板表面によって構成されている。 The light emitting element includes a self-activity luminescence center to the first conductivity type ZnSe substrate, the mounting substrate is mounted in the arrangement of the second conductivity type ZnSe-based compound layer down the surface of the first conductivity type ZnSe substrate above, with a high concentration first conductivity type impurity ZnSe layer including a first conductive type impurity concentration higher than the first conductivity type impurity concentration of the first conductivity type ZnSe substrate, the exit surface of the light emitting high concentration first conductivity It is constituted by a first conductivity type ZnSe substrate surface including the type impurity ZnSe layer.
【0015】 [0015]
上記の第2導電型ZnSe層ダウン実装とは、ZnSe基板アップ実装と同じであり、また上記第1導電型ZnSe層および第2導電型ZnSe層がともにエピタキシャル成膜されるため、エピダウン実装と呼ぶこともある。 The second conductive type ZnSe layer down mounting described above is the same as the ZnSe substrate up mounting, also for the first conductivity type ZnSe layer and the second conductive type ZnSe layer is epitaxially deposited together, be referred to as epi-down mounting there is also. 上記の構成により、エピダウン実装がなされ、光の出射面はZnSe基板の表面(底面)となる。 With the above configuration, epi-down mounting is performed, the exit surface of the light becomes surface (bottom surface) of the ZnSe substrate. 上記の出射面は高濃度不純物第1導電型ZnSe層を含む第1導電型ZnSe基板表面によって構成されることとなる。 It said exit surface becomes to be composed of a first conductivity type ZnSe substrate surface including the high concentration impurity first conductivity type ZnSe layer.
【0016】 [0016]
この高濃度不純物第1導電型ZnSe層を形成することにより、その上に配置する金属電極とその層との接触抵抗が著しく低減できるため、ZnSe基板側表面に設ける電極は、エピタキシャル層表面に設ける金膜電極のように全面に設ける必要がない。 By forming the high concentration impurity first conductivity type ZnSe layer, it is possible to contact resistance is significantly reduced with a metal electrode placed thereon and the layer, electrodes provided on the ZnSe substrate surface is provided on the surface of the epitaxial layer it is not necessary to provide the entire surface as the gold film electrode. 比較的小さいな面積を覆う金属電極にて、所望の低電圧にて素子に電流注入を行うことができるようになる。 A metal electrode covering a relatively small Do area, it is possible to perform the current injection device in a desired low voltage.
【0017】 [0017]
青色光が活性層の全面で発生さえすれば、第1導電型ZnSe基板側の高濃度不純物第1導電型ZnSe膜上に設けられる、上記の低接触抵抗第1導電型電極はどのような形状でもよい。 If blue light even occurs in the entire surface of the active layer is provided on the first conductivity-type ZnSe substrate side of the high concentration impurity first conductivity type ZnSe film, such as how the low contact resistance first conductivity type electrode of the shape But good. 活性層に近い第2導電型電極は、第2導電型ZnSe系化合物層が薄いため、そのシート抵抗を避ける必要性から、全面に設けることが必須である。 Second conductivity type electrode close to the active layer, since the second conductivity-type ZnSe-based compound layer thin, the need to avoid the sheet resistance, it is essential to provide the entire surface. しかし、活性層から遠い位置にある高濃度第1導電型ZnSe膜に設けられる電極は、上記のように接触抵抗が十分低いと言う条件のもとでは、必ずしも全面を覆う必要がない。 However, the electrode provided on the high-concentration first-conductivity-type ZnSe film located far from the active layer, under the conditions that the contact resistance as described above say sufficiently low, need not necessarily cover the entire surface. なぜなら、第1導電型ZnSe基板が十分厚いため、そのシート抵抗は低く、基板中にて電流は全面に広がるからである。 This is because the first conductivity type ZnSe substrate is thick enough, its sheet resistance is low, the current at the substrate is because spread over the entire surface. 第2導電型ZnSe系化合物層全面を覆う第2導電型電極と組み合わせて、活性層の各領域に所定の電圧が印加されればよい。 In combination with a second conductivity type electrode covering the second conductive type ZnSe-based compound layer over the entire surface, a predetermined voltage to each region of the active layer need be applied. このため、たとえば、ZnSe基板表面には周縁部に沿って格子状電極を形成すればよい。 Thus, for example, on the ZnSe substrate surface may be formed lattice-like electrode along the periphery. そのため、電極が配置されない出射面の領域では、光は青色光および黄色光ともに吸収層を通らずに出射される。 Therefore, in the region of the exit surface electrode is not disposed, light is emitted without passing through the absorption layer in both blue and yellow light.
【0018】 [0018]
また、とくに黄色光は、基板ダウン実装する場合、基板の底面全面に配置されていた第1導電型電極に反射されてから、出射方向へ出射される成分が多くなるが、その底面電極での反射率は低く、吸収される比率が高かったが、上記のエピダウン実装の配置では、大部分の成分がZnSe基板側からそのまま出射されるので、金膜電極の存在だけでなく、配置上からも黄色光の強度を高めることができる。 Further, in particular yellow light in the case of the substrate down mounted, after being reflected on the first conductive type electrode is arranged on the entire bottom surface of the substrate, the component but increases emitted to the exit direction, at the bottom electrode reflectance is low, but higher proportion absorbed, in the arrangement of the above epi-down mounting, the component of the majority is directly emitted from the ZnSe substrate side, not only the presence of the gold film electrode, from the arrangement it is possible to increase the strength of yellow light. このため、白色光の色度をより暖色系にすることが可能となる。 Therefore, it is possible to make the chromaticity of the white light more warm.
【0019】 [0019]
なお、上述のように、第1導電型および第2導電型ZnSe系化合物層は、エピタキシャル成長法により形成されるが、通常、「エピタキシャル」を省略する。 As described above, the first conductivity type and the second conductivity type ZnSe-based compound layer is formed by epitaxial growth, usually omitted "epitaxial".
【0020】 [0020]
また、ある層がZnSe基板の上に形成されたとは、形成されたときZnSe基板の上に形成されていればよい。 Further, a certain layer is formed on the ZnSe substrate may be formed on a ZnSe substrate when formed. また、ある層をZnSe基板の上に形成するとき、そのZnSe基板の表面が上向きになっていても下向きになっていてもよい。 Moreover, certain layers when formed on the ZnSe substrate, the surface of the ZnSe substrate may be directed downward be made upwards.
【0021】 [0021]
また、上記の第1導電型電極の1例としては、上記の高濃度不純物第1導電型ZnSe層の上の周縁部に沿って設けられた金属層の格子状電極を備えることができる。 Further, as one example of a first conductivity type electrode described above may be provided with a grid-like electrode metal layer provided along the periphery of the top of the high concentration impurity first conductivity type ZnSe layer.
【0022】 [0022]
さらに、上記の発光素子の実装面側と反対側の出射面を構成する表層部に、凹凸模様からなるテクスチャが形成されるのがよい。 Further, the surface layer portion constituting the exit surface of the mounting surface and the opposite side of the light emitting element, it is preferable texture consisting of concave and convex pattern is formed.
【0023】 [0023]
上記の凹凸模様のテクスチャを設けることにより、従来全反射していた部分からも光の向きによっては斜面において透過する条件を満たし単位面積あたりの出射光量、すなわち輝度を高めることができる。 By providing the texture of the uneven pattern, the amount of light emitted per unit area satisfies the condition to transmit in slope depending on the direction of light from the portion that has been totally reflected conventional, i.e. it is possible to increase the luminance. テクスチャを構成する凹凸模様における各凹凸を形成する面は、表面に対してどのような角度で交差してもよく、また平面状でも曲面状でもよい。 Surface forming the respective irregularities of the concavo-convex pattern constituting the texture may be crossed at any angle relative to the surface, or may be curved in a plane. 曲面の場合、凸曲面でも凹曲面でもよい。 For curved surfaces, it may be concave curved surface in a convex curved surface. 畝状に延びる凹凸模様でもよいし、点状凹凸がランダムに領域を覆うような凹凸模様であってもよい。 May be a concavo-convex pattern extending ridged, punctate irregularities may be uneven pattern to cover the area randomly.
【0024】 [0024]
ZnSe基板は比較的脆弱であるため、直接、基板表面にテクスチャを形成しようとすると、基板中の結晶欠陥や基板表面上の酸化物や汚れなどが原因となって、形成したテクスチャ構造中の意図しない部分に欠け落ちなどが生じ、形状的に不揃いの凹凸模様が形成されやすい。 Since ZnSe substrate is relatively fragile, directly, in order to form a texture on the substrate surface, such as oxides and dirt on the crystal defects in the substrate or substrate surface causing, intended for forming the textured structure such as occurs chipping the parts not, geometrically easily uneven uneven pattern is formed. これに対し、上記の高濃度不純物第1導電型ZnSe膜は、基板表面より清浄な表面を有し、また結晶欠陥の少ないエピタキシャル層からなっていることから、その表層部にテクスチャを形成することにより、意図した通りに整列した凹凸模様を形成することができる。 In contrast, the above high-concentration impurity first conductivity type ZnSe film has a clean surface from the substrate surface, and since has become a little epitaxial layer having crystal defects, forming a texture on the surface portion Accordingly, it is possible to form the uneven pattern aligned as intended. この場合、より多くの光に対して透過条件を満たす凹凸模様を形成しやすくなる。 In this case, it is easy to produce a transmission condition is satisfied uneven pattern to more light.
【0025】 [0025]
格子電極が形成される場合にテクスチャを形成するとき、当然、格子状電極で囲まれた中にテクスチャが形成されることになる。 When forming a texture when the grid electrode is formed, of course, it would be a texture in surrounded by the lattice-like electrode. この場合、出斜面の正面中心部の輝度を高めることができる。 In this case, it is possible to increase the luminance in the front center of the exit slope.
【0026】 [0026]
上記の高濃度不純物第1導電型ZnSe膜の形成とテクスチャを設けることにより、全面を覆う第2導電型電極と全反射という2つの輝度低下要因を除くことができる。 By providing the formation and texture of the high concentration impurity first conductivity type ZnSe film can be removed two luminance reduction factor of the second conductivity type electrode and the total reflection which covers the entire surface. この結果、発光装置の輝度を大きく向上させることができる。 As a result, it is possible to greatly improve the brightness of the light emitting device.
【0027】 [0027]
本発明のZnSe系発光装置の製造方法は、自己活性発光中心を有する第1導電型ZnSe基板上に、第1導電型ZnSe系化合物層、その上に形成された活性層およびその上に形成された第2導電型ZnSe系化合物層を含む発光素子が、実装基板に実装された発光装置の製造方法である。 Method for producing a ZnSe-based light-emitting device of the present invention, the first conductivity-type ZnSe substrate having a self-active emission center, the first conductivity type ZnSe-based compound layer, is formed thereon over the formed active layer and its light emitting device including a second conductive type ZnSe-based compound layer is a method of producing the mounting luminescent device on the mounting substrate. この製造方法は、自己活性発光中心を含む第1導電型ZnSe基板を準備する工程と、第1導電型ZnSe基板の表面を洗浄する工程と、第1導電型ZnSe基板の表面にその第1導電型不純物の濃度よりも高濃度の第1導電型不純物を含むZnSe膜を形成する工程とを備える。 This manufacturing method includes a step of preparing a first conductivity type ZnSe substrate including self active emission center, the step of cleaning the surface of the first conductivity type ZnSe substrate, a first conductivity on the surface of the first conductivity type ZnSe substrate than the concentration of impurity and forming a ZnSe film containing a high concentration first conductivity type impurity. そして、発光素子を、実装基板に対して、第2導電型ZnSe系化合物層ダウンの配置で実装する工程とを備える。 Then, comprising a light-emitting element, the mounting substrate, and a step of mounting the arrangement of the second conductivity type ZnSe-based compound layer down.
【0028】 [0028]
上記により、エピダウン実装による出射面の第2導電型電極の全面被覆の廃止、白色光中のSA発光成分を高めることができる。 Above, the abolition of the entire surface coating of the second conductivity type electrode of the emission surface by epi-down mounting, it is possible to improve the SA emission component in the white light.
【0029】 [0029]
また、発光素子の発光の出射面を構成する第1導電型ZnSe基板表面の高濃度不純物ZnSe膜の周縁部に沿って、金属膜を形成する格子状電極形成工程を備えることができる。 Further, along the periphery of the high concentration impurity ZnSe film of the first conductivity type ZnSe substrate surface constituting the exit surface of the light emission of the light emitting element can be provided with a grid-like electrode forming step of forming a metal film.
【0030】 [0030]
この方法により、オーミックな基板電極を形成することができる。 By this method, it is possible to form an ohmic substrate electrode.
さらに、上記の発光素子の実装面側と反対側の出射面を構成する表層部に、凹凸模様からなるテクスチャを形成する工程を備えることが望ましい。 Further, the surface layer portion constituting the exit surface of the mounting surface and the opposite side of the light emitting element, it is desirable to provide a process for forming a texture consisting of concave and convex pattern. この結果、透過条件をより多く充足できる出射面を形成することができる。 As a result, it is possible to form the emission surface capable of more satisfy the transmission condition. とくに高濃度不純物ZnSe膜を形成した後にテクスチャを設けることにより、凹凸模様を意図した通りの整列した模様を形成することができる。 Particularly by providing the texture after forming the high concentration impurity ZnSe film, it is possible to form the ordered pattern as intended the uneven pattern. この結果、各方向に進む光に対して系統的に透過条件を満たす斜面を形成することができる。 As a result, it is possible to form a systematically transmitted satisfies slope to light traveling in each direction.
【0031】 [0031]
また、上記の凹凸模様形成工程では、イオンミリングにより凹凸模様を形成するのがよい。 In the above uneven pattern forming step, it is preferable to form an uneven pattern by ion milling. イオンミリングによれば比較的脆いZnSe基板に対して、整列した凹凸模様を系統的に、かつ結晶に損傷を与えることなく、形成することが可能になる。 Relatively fragile ZnSe substrate according to the ion milling, systematically aligned uneven pattern, and crystals without damaging, can be formed.
【0032】 [0032]
さらに、上記の洗浄工程では、250℃以下の温度域で、ZnSe基板の表面を塩酸ガスでエッチングする第1洗浄工程と、その後、表面をラジカル水素処理する第2洗浄工程とを行うのがよい。 Furthermore, in the above washing step, in a temperature range of 250 ° C. or less, and the first cleaning step of etching the surface of the ZnSe substrate with hydrochloric acid gas, then, the good to carry out a second cleaning step of the radical hydrotreatment surface .
【0033】 [0033]
この方法により、ZnSe層の活性層を高温加熱で損傷を与えることなく、確実にオーミックの電極を得ることができる。 In this way, without damaging the active layer of ZnSe layer at a high temperature heating, it is possible to obtain a reliable ohmic electrode.
【0034】 [0034]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。 It will now be described embodiments of the present invention with reference to the drawings.
【0035】 [0035]
(実施の形態1) (Embodiment 1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるZnSe系発光装置を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a ZnSe-based light-emitting device according to the first embodiment of the present invention. 図1において、n型ZnSe基板1の上面に接して基板1よりも高濃度にn型不純物を含む高濃度ZnSeエピタキシャル層15が設けられている。 In Figure 1, a high concentration ZnSe epitaxial layer 15 containing an n-type impurity in a higher concentration than the substrate 1 in contact with the upper surface of the n-type ZnSe substrate 1 is provided. この高濃度ZnSeエピタキシャル層15の上面に接してTi/Auからなる格子状電極12が設けられている。 Lattice-like electrode 12 made of Ti / Au is provided in contact with the upper surface of the high concentration ZnSe epitaxial layer 15. この高濃度ZnSeエピタキシャル層15は、Ti/Au格子状電極12がオーミック電極となることが容易となるように設けられている。 The high concentration ZnSe epitaxial layer 15, Ti / Au electrode matrix 12 is provided so as to be easy to become an ohmic electrode. この高濃度ZnSeエピタキシャル層15は、またこの発光装置における出射面16を形成する。 The high concentration ZnSe epitaxial layer 15, also forms the output surface 16 of the light emitting device.
【0036】 [0036]
この高濃度ZnSe膜15の製造方法を以下に説明する。 Illustrating a method of manufacturing the high-concentration ZnSe layer 15 below. まず、図2に示すように、SA発光中心を有するZnSe基板をケモメカニカルポリッシュ法により、400μm厚みから200μm厚みに研磨する。 First, as shown in FIG. 2, the chemometric polishing method ZnSe substrate having a SA emission center, it is polished from 400μm thickness 200μm thickness. 次いで、図3に示すように、重クロム酸と硫酸とを含む溶液を用いて鏡面エッチングを行う。 Then, as shown in FIG. 3, performing the mirror-etched with a solution containing a bichromate and sulfuric acid. この段階では、まだエッチングされた表面には酸化物や雰囲気中の埃などのパーティクル22が付着している。 At this stage, the still etched surface are adhered particles 22 such as dust in the oxide and atmosphere.
【0037】 [0037]
次いで、真空チャンバ内で、250℃以下で塩酸ガスを用いてZnSe基板に対してエッチングを行う。 Then, in a vacuum chamber, for etching a ZnSe substrate with hydrochloric acid gas at 250 ° C. or less. 250℃以下でエッチングを行うのは、ZnSeエピタキシャル発光層などを高温で損傷させないためである。 250 ° C. The etched below is order not to damage the like ZnSe epitaxial light emitting layer at a high temperature. 250℃以下で塩酸ガスエッチングを行うために、基板表面には塩素が吸着残留する。 To perform hydrochloride gas etching at 250 ° C. or less, on the substrate surface chlorine remains adsorbed. このため、ラジカル水素処理を行い、吸着した塩素を除去し、清浄表面を得る(図4)。 Therefore, it performs radical hydrotreatment to remove chlorine adsorbed to obtain a clean surface (Figure 4). 次いで、大気にさらすことなく、上記の清浄表面にn型ZnSe基板1よりも高濃度のn型不純物を含むn+型ZnSe膜15をn型ZnSe基板1の上に形成する(図5)。 Then, without exposure to the air, to form an n + -type ZnSe film 15 including the n-type impurity concentration higher than the n-type ZnSe substrate 1 to the cleaning surface on the n-type ZnSe substrate 1 (FIG. 5).
【0038】 [0038]
n型ZnSe基板には、n型不純物であるヨウ素、アルミニウム、塩素、臭素、ガリウム、インジウム等を1種類以上ドーピングし、510nm以短の波長の光の照射により550nm〜650nmの波長域の発光をするSA発光中心を形成している。 The n-type ZnSe substrate, iodine is an n-type impurity, aluminum, chlorine, bromine, gallium, indium doped one or more, the emission wavelength region of 550nm~650nm by irradiation of light having a wavelength of 510nm 以短forming the SA emission centers. このSA発光の光を蛍光と呼ぶこともある。 It is sometimes called the light of this SA emission and fluorescence. 以後、ZnSe基板に形成される各層はいずれもエピタキシャル層であるが、上述したように、エピタキシャル層であることを一々断らない。 Thereafter, although any layers formed on the ZnSe substrate is an epitaxial layer, as described above, not otherwise specified every time that the epitaxial layer.
【0039】 [0039]
ZnSe基板の下面側には、順に、n型ZnSeバッファ層2と、n型ZnMgSSeクラッド層3と、ZnSe/ZnCdSe多重量子井戸活性層4と、p型ZnMgSSeクラッド層5およびp型ZnTe/ZnSe超格子コンタクト層7が配置されている。 The lower surface of the ZnSe substrate is, in turn, the n-type ZnSe buffer layer 2, an n-type ZnMgSSe cladding layer 3, and ZnSe / ZnCdSe multiple quantum well active layer 4, p-type ZnMgSSe cladding layer 5 and the p-type ZnTe / ZnSe greater lattice contact layer 7 is disposed. p型ZnTe/ZnSe超格子コンタクト層7には格子状のTi/Au電極10bと、その格子状電極で囲まれた中に金膜からなるp型電極10aとを備えている。 The p-type ZnTe / ZnSe superlattice contact layer 7 is provided with a grid-like Ti / Au electrode 10b, and a p-type electrode 10a made of gold film within surrounded by the lattice-like electrode. Ti/Au電極10bと金膜10aとから構成されるp型電極10は、実装基板31の側に向いて実装されている。 Ti / Au electrode 10b gold film p-type electrode 10 composed of a 10a is mounted towards the side of the mounting board 31.
【0040】 [0040]
図6にp型電極10の分解斜視図を示す。 It shows an exploded perspective view of a p-type electrode 10 in FIG. 6. 図6に示すように、枠状(格子状)のTi/Au膜10bと、その中に位置する金膜10aとによって、p型電極10が構成されている。 As shown in FIG. 6, a Ti / Au film 10b of the frame-shaped (lattice-like), the gold film 10a located therein, p-type electrode 10 is formed. また、n型電極は、枠状(格子状)のTi/Au膜12から構成される。 Further, n-type electrode is composed of a Ti / Au film 12 of the frame-shaped (lattice-like).
【0041】 [0041]
上記の構造によれば、エピダウン実装がなされ、発光の出射面はZnSe基板の表面(底面)となる。 According to the above structure, epi-down mounting is performed, the exit surface of the light emission becomes surface (bottom surface) of the ZnSe substrate. この配置の場合、青色光が活性層の全面で発生さえすれば、n型ZnSe基板に設けられる電極はどのような形状でもよい。 In this arrangement, when the blue light is even occur on the entire surface of the active layer, the electrode provided on the n-type ZnSe substrate may be any shape. すなわち、活性層に近いp型電極はp型ZnSe層全面に設けることが必須であるが、活性層から遠い位置にあるn型ZnSe基板に設けられる電極は必ずしも全面を覆う必要がない。 That is, p-type electrode close to the active layer is essential to provide the p-type ZnSe layer over the entire surface, the electrode provided on the n-type ZnSe substrate which is farther from the active layer need not necessarily cover the entire surface. p型ZnSe層全面を覆うp型電極と組み合わせて、活性層の各領域に所定の電圧が印加されればよい。 In combination with p-type electrode covering the p-type ZnSe layer entirely, the predetermined voltage to each region of the active layer need be applied. このため、たとえば、図7に示すように、ZnSe基板表面には周縁部に沿って格子状電極を形成すればよい。 Thus, for example, as shown in FIG. 7, the ZnSe substrate surface may be formed lattice-like electrode along the periphery.
【0042】 [0042]
このため、活性層の短波長域の青色光およびSA発光(蛍光)の黄色光ともに、p型電極を構成する金膜によって吸収されることがなくなり、発光装置の輝度を高めることができる。 Therefore, the yellow light both of the blue and SA emission of a short wavelength region of the active layer (fluorescence), prevents absorbed by the gold film constituting the p-type electrode, it is possible to increase the brightness of the light emitting device. また、とくに黄色光は、基板ダウン実装する場合、基板の底面全面に配置されていたn型電極に反射されてから、出射方向へ出射される成分が多く、その底面n型電極での反射率は低く、吸収される比率が高かったが、上記のエピダウン実装の配置では、大部分の成分がZnSe基板側からそのまま出射されるので、金膜電極の存在だけでなく、配置上からも黄色光の強度を高めることができる。 Further, in particular yellow light in the case of the substrate down mounted, reflectance from being reflected in the n-type electrode are arranged on the entire bottom surface of the substrate, many components emitted to the exit direction, at the bottom n-type electrode low, but higher proportion absorbed, in the arrangement of the above epi-down mounting, the component of the majority is directly emitted from the ZnSe substrate side, not only the presence of the gold film electrode, the yellow light from the arrangement strength it is possible to increase the of. このため、寒色光の色度をより白色に近づけることが可能となる。 Therefore, it is possible to approach the whiter the chromaticity of cold light.
【0043】 [0043]
例えば、エピタキシャル発光構造として、485nmに鋭い発光ピークを持つ活性層の構造を選択し、基板としてヨウ素(I)をドーパントとしたZnSe基板を採用すると、基板からのSA発光は585nmを重心とするブロードなピークを持つ発光となる。 For example, broad as an epitaxial light emission structure, select the structure of the active layer having a sharp emission peak at 485 nm, the iodine (I) employing a ZnSe substrate having a dopant as the substrate, the SA emission from the substrate to the center of gravity of 585nm light-emitting and made with a peak. この両者の発光色を、(X,Y)色度図上で表現すると、図8のようになる。 The emission color of both, (X, Y) is expressed on the chromaticity diagram is as shown in FIG. エピタキシャル発光構造からの発光(青色発光)が図8上の黒四角点、ZnSe基板のSA発光(蛍光)が図8上の黒丸点となり、両者の混合色はこの2つの点を結ぶ線分上の点として表現される。 Light emission from epitaxial light emission structure (blue emission) is a black square point on the FIG. 8, SA emission of a ZnSe substrate (fluorescent) become black dots on FIG. 8, mixed colors both on a line segment connecting points of the two It is expressed as a point of. 従来のように、活性層からの青色発光の割合が多めの時は、点Aに示されるような青みがかった白色、つまり寒色系の白色となる。 As is conventional, the proportion of blue light emission from the active layer when the generous, such bluish white as shown at point A, i.e. the white cold colors. 上記の本実施例のように、SA発光の黄色発光の割合を高めることにより、純白色の点Bに近づけることができる。 As in the above embodiment, by increasing the proportion of the yellow emission of SA luminescence can be brought close to pure white point B. 参考のために、黄色発光が強過ぎる場合は、点Cに示されるような黄みがかった白色、つまり暖色系の白色となる。 For reference, if the yellow light is too strong, white yellowish as shown at point C, that is, a white warm.
【0044】 [0044]
(実施例) (Example)
上記の実施例を本発明例1として、表1に示す。 The above example as the present invention Example 1 are shown in Table 1. ただし、n型ZnSe基板として、アルミニウム(Al)をドーパントとして採用したものを用いた。 However, as the n-type ZnSe substrate, an aluminum (Al) was used employing as a dopant.
【0045】 [0045]
【表1】 [Table 1]
【0046】 [0046]
表1によれば、本発明例1は、基板ダウンの比較例と比べて、輝度が2.0mWから2.6mWへと、約30%向上したことが分る。 According to Table 1, the present invention Example 1, compared with comparative example of the substrate down, the brightness is to 2.6mW from 2.0 mW, it is understood that was improved by about 30%. また、色度についても、図8も合わせて参照して、とくに直上色度が(0.26,0.28)から(0.28,0.29)へと、寒色系からより白色系に近づいたことが分る。 As for the chromaticity, with reference to FIG. 8 also fit, in particular directly above the chromaticity from (0.26,0.28) to (0.28, 0.29), more white from cold color it can be seen that approached. 45°方向色度についても、寒色系から少し白色系に近づいたことが分る。 For even 45 ° direction chromaticity, it can be seen that the closer a little white from cold color. また動作電圧についても、基板ダウンのものと同等の低電圧が得られた。 The operation voltage, equal to the low voltage and that of the substrate down is obtained.
【0047】 [0047]
上記のように、高濃度不純物ZnSe膜を備え、蛍光中心を含有するn型ZnSe基板を出射面側にして、エピタキシャル層を実装基板側に配置した基板アップ(エピタキシャル層ダウン)の実装を用いることにより、動作電圧を変化させることなく、輝度を向上することができた。 As described above, with a high concentration impurity ZnSe film, the n-type ZnSe substrate containing a fluorescent centers in the emitting side, the use of a mounting substrate up placing the epitaxial layer to the mounting substrate side (epitaxial layer down) Accordingly, without changing the operation voltage, it is possible to improve the luminance. また、寒色系の色度をより完全な白色に近づけることができるようになった。 Moreover, it has become possible to bring the chromaticity of cold color to a more complete white.
【0048】 [0048]
(実施の形態2) (Embodiment 2)
図9は、本発明の実施の形態2におけるZnSe系発光装置を示す断面図である。 Figure 9 is a sectional view showing a ZnSe-based light-emitting device according to a second embodiment of the present invention. 本実施の形態では、エピダウン実装により出射面を形成するZnSe基板1の出射面にテクスチャ30を設けることに特徴がある。 In the present embodiment, it is characterized in providing a texture 30 on the exit surface of the ZnSe substrate 1 to form the emitting surface by epi-down mounting. 他の部分の構造は、実施の形態1におけるZnSe系発光装置の構造と同様である。 Structure of other portions is the same as the structure of the ZnSe-based light-emitting device of the first embodiment. ただし、出射面を形成するZnSe基板の表面には、高濃度不純物n型ZnSe膜は形成していない点が、形態1と異なる。 However, the surface of the ZnSe substrate forming the exit surface, the high concentration impurity n-type ZnSe film that it does not form is different from Embodiment 1.
【0049】 [0049]
この構造によれば、実施の形態1の発光装置に加えて、テクスチャによる界面での透過光の増大をはかることにより、輝度上昇を得ることができる。 According to this structure, in addition to the light-emitting device of the first embodiment, by measuring the increase of the transmitted light at the interface due to the texture, it is possible to obtain a brightness increase. このテクスチャは、比較的脆弱な材料であるZnSe基板に加工によって得ることは、それほど容易なことではない。 This texture can be obtained by processing the ZnSe substrate is a relatively fragile material, it is not so easy. 次に、ZnSe基板にテクスチャを形成する方法について説明する。 Next, a method for forming a texture on the ZnSe substrate.
【0050】 [0050]
まず、図10に示すように、n型ZnSe基板1の出射面に格子状電極12を形成し、その上にフォトリソグラフィ用のフォトレジスト23をパターニング配置する。 First, as shown in FIG. 10, a grid electrode 12 is formed on the exit surface of the n-type ZnSe substrate 1, is patterned arrangement photoresist 23 for photolithography thereon. 次いで、図11に示すように、±45°方向からキセノンイオンXe+を照射してイオンミリングを行う。 Then, as shown in FIG. 11, ion milling is irradiated with xenon ions Xe + from ± 45 ° directions. イオンミリング後にフォトレジストを除去すると、テクスチャ30が形成された基板表面が暴露される(図12)。 When the photoresist is removed after the ion milling, the substrate surface on which the texture 30 is formed is exposed (FIG. 12). このテクスチャは、図13(a)に示す整列された凹凸模様を形成することを意図して行う。 This texture is carried out intended to form a aligned concave and convex pattern shown in FIG. 13 (a). しかしながら、実際はZnSe基板表面には、酸化物や汚れが多く、また結晶欠陥も高密度で存在するため、図13(a)のような整然としたテクスチャは容易には形成されず、図13(b)に示すような不揃いの畝状凹凸模様が形成される。 However, in practice the ZnSe substrate surface, since the oxide and dirt often also present crystal defects at high density, orderly texture as shown in FIG. 13 (a) is not formed easily in the FIG. 13 (b ) irregular ridged uneven pattern such as shown in is formed. この結果、全反射しないで、発光素子/空気の界面を透過する光量を増やし、輝度向上に貢献することはできるが、素子全面では意図した斜面角度を実現できない。 As a result, without total reflection, increasing the amount of light transmitted through the interface of the light emitting element / air, although it is possible to contribute to brightness improvement can not be realized a slope angle intended by the element entirely.
【0051】 [0051]
(実施例) (Example)
上記の実施の形態2の発光装置の実施例を本発明例2として、上述の表1に示す。 The embodiment of a light emitting device of the above-described Embodiment 2 as Example 2 of the present invention, shown in Table 1 above. 表1によれば、本発明例2は、テクスチャのない本発明例1に比べて、輝度が2.6mWから3.7mWへと、40%強向上したことが分る。 According to Table 1, Inventive Example 2, as compared to the present invention Example 1 with no texture, and luminance to 3.7mW from 2.6 mW, it can be seen that improved than 40%. また、比較例と比べると、実に85%も輝度が向上している。 Further, as compared with Comparative Example, also improved luminance indeed 85%. 色度については、図8も合わせて参照して、直上色度が(0.28,0.29)から(0.30,0.31)へと、寒色系からより完全な白色系に近づいたことが分る。 The chromaticity, with reference to FIG. 8 also fit, just above the chromaticity from (0.28, 0.29) to (0.30,0.31), approaching more complete white from cold color and it can be seen. 45°方向色度については、変わりない。 For the 45 ° direction chromaticity not changed. しかし、素子の動作電圧は著しく高いものとなった。 However, the operating voltage of the device becomes significantly high.
【0052】 [0052]
上記のように、蛍光中心を有するZnSe基板を出射面側にしてエピダウン実装を用い、さらに出射面にテクスチャを形成することにより、輝度を大幅に向上することができた。 As described above, using the epi-down mounting by a ZnSe substrate having a fluorescent center on the exit surface side, by further forming a texture on the exit surface, was able to significantly improve the luminance. また、直上から見た寒色系の色度をより完全な白色に近づけることができるようになった。 Moreover, it has become possible to close the cold color chromaticity as viewed from directly above a more complete white. しかしながら、本構造では、ZnSe基板に直接形成したn型格子状電極(Ti/Au)の接触抵抗が著しく高いため、従来の技術と同様に、良好なオーミック電極は得られず、動作電圧の高い素子となってしまい、所望の特性を得ることはできなかった。 However, in this structure, remarkably high contact resistance of the n-type electrode matrix formed directly ZnSe substrate (Ti / Au), as in the conventional art, good ohmic electrode can not be obtained, a high operating voltage becomes an element, it was not possible to obtain desired characteristics.
【0053】 [0053]
(実施の形態3) (Embodiment 3)
本発明の実施の形態3では、出射面を構成するn型ZnSe基板の表層部に、高濃度不純物n型ZnSe膜を形成し、さらにテクスチャを、その高濃度不純物n型ZnSe膜とその下のn型ZnSe基板の表層部に形成することに特徴がある。 In Embodiment 3 of the present invention, the surface portion of the n-type ZnSe substrate which constitutes the output surface, to form a high concentration impurity n-type ZnSe film, a further texture, the underlying and its high concentration impurity n-type ZnSe film it is characterized in that formed in the surface portion of the n-type ZnSe substrate. 他の部分の構造は、実施の形態1におけるZnSe系発光装置の構造と同様である。 Structure of other portions is the same as the structure of the ZnSe-based light-emitting device of the first embodiment.
【0054】 [0054]
製造方法の一部を以下に説明する。 Illustrating part of a method for manufacturing the following.
図14に示すように、Ti/Auからなる格子状電極12をn+型ZnSe膜15の周縁部に形成する。 As shown in FIG. 14, to form a grid-like electrode 12 made of Ti / Au on the periphery of the n + -type ZnSe film 15. この後、図15に示すようにフォトリソグラフィ用のフォトレジストをパターン配置して、±45°方向からイオンミリングする(図16)。 Thereafter, the pattern arrangement photoresist for photolithography as shown in FIG. 15, ion milling from ± 45 ° direction (Fig. 16). この結果、図17に示すように、n+型ZnSe膜15を含むn型ZnSe基板1の表面にテクスチャ30が形成される。 As a result, as shown in FIG. 17, n + -type ZnSe film 15 texture 30 on the surface of the n-type ZnSe substrate 1 including is formed. このテクスチャは、ZnSe基板の上に形成されるものの、n+型ZnSe膜15という、基板表面よりも清浄な表面を有し、また結晶欠陥の少ないエピタキシャル層から成る膜上に形成されている。 This texture, but is formed on a ZnSe substrate, as n + -type ZnSe film 15 has a clean surface than the substrate surface and is formed on a film made of low epitaxial layer crystal defects. このため、イオンミリングにより、意図しない凹凸部分が、結晶欠陥や汚れの影響で、欠け落ちることはなく、図18に示すような周期性をもった配列の畝状溝を得ることができる。 Therefore, by ion milling, unintended uneven portion, the influence of crystal defects and contamination, not to fall missing, it is possible to obtain a ribbed groove array having a periodicity as shown in FIG. 18. この結果、テクスチャの効果をフルに引き出すことができる凹凸模様を形成することができる。 As a result, it is possible to form an uneven pattern can be drawn effects of texture full.
【0055】 [0055]
(実施例) (Example)
上記の実施の形態3の発光装置の実施例を本発明例3として、上述の表1に示す。 The embodiment of a light emitting device of the above third embodiment as the invention example 3 are shown in Table 1 above. 表1によれば、本発明例3は、ZnSe基板上の高濃度不純物n型ZnSeエピタキシャル層のない本発明例2に比べて、輝度が3.7mWから4.4mWへと、20%弱向上したことが分る。 According to Table 1, the present invention Example 3, in comparison with the present invention Example 2 with no high concentration impurity n-type ZnSe epitaxial layer on the ZnSe substrate, to 4.4mW luminance from 3.7 mW, increase less than 20% it can be seen that the. また、比較例と比べると、実に120%も輝度が向上している。 Further, as compared with Comparative Example, also improved luminance indeed 120%. 色度については、図8も合わせて参照して、直上色度がほぼ完全な白色に近い(0.31,0.32)を、直上でも45°方向でも得ることが可能となる。 The chromaticity, with reference also to the FIG. 8, a nearly perfect white just above chromaticity (0.31,0.32), it is possible to obtain even be 45 ° direction just above. また素子の動作電圧も、所望の低電圧となった。 The operating voltage of the device was also a desired low voltage.
【0056】 [0056]
上記のように、蛍光中心を有するZnSe基板を出射面側にしてエピタキシャル層を実装基板側に配置したエピダウン実装を用い、さらに出射面に意図した通り完全なテクスチャを形成することにより、動作電圧を変化させることなく、輝度を大幅に向上することができた。 As described above, by using the epi-down mounting of arranging the epitaxial layer and the exit surface side ZnSe substrate on the mounting substrate side having a fluorescent centers, further formed as complete texture intended to emission surface, the operating voltage without changing, it was possible to significantly improve the luminance. また、テクスチャの形成における製造歩留りを向上させることができる。 Further, it is possible to improve the production yield in the formation of the texture.
【0057】 [0057]
上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態はあくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。 In the above, although been explained embodiments of the present invention, the embodiment of the present invention disclosed above are and the scope of the present invention is not limited to these embodiments. 本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことを意図するものである。 The scope of the invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the description of the scope of that further claims indicated by the appended claims.
【0058】 [0058]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明のZnSe系発光装置およびその製造方法によれば、自己活性発光中心を含むZnSe基板を出射面側に配置するエピダウン実装により、輝度を向上させ、さらに白色光中のSA発光成分の比率を高めることができる。 According to ZnSe-based light-emitting device and its manufacturing method of the present invention, the epi-down mounting placing the ZnSe substrate including self active emission center toward the exit surface, to improve the luminance, the more the ratio of the SA emission component in the white light it is possible to increase. さらに、基板の出射面にテクスチャを設けることにより、発光素子の表面を透過する光量を増し、輝度をさらに向上し、またさらに完全な白色光とすることができる。 Further, by providing a texture to the exit surface of the substrate, increasing the amount of light transmitted through the surface of the light emitting element, and further improve the brightness, and it may be a more complete white light.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の実施の形態1におけるZnSe系発光装置の断面図である。 1 is a cross-sectional view of a ZnSe-based light-emitting device according to the first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施の形態1におけるZnSe系発光装置の製造において、ZnSe基板をケモメカニカルポリッシュ法で研磨した状態を示す図である。 In the production of ZnSe-based light emitting device in the first embodiment of Figure 2 the present invention, illustrating a state in which polishing the ZnSe substrate in chemomechanical polishing method.
【図3】重クロム酸溶液と硫酸との混合液でエッチングした状態を示す図である。 3 is a diagram showing a state in which etching with a mixed solution of bichromate solution and sulfuric acid.
【図4】真空チャンバ内で、かつ250℃以下で、塩酸ガスでエッチングし、次いでラジカル水素処理をした状態を示す図である。 [4] In a vacuum chamber, and at 250 ° C. or less, and the etching with hydrochloric acid gas, and then is a diagram showing a state in which the radical hydrotreatment.
【図5】図4の状態の後、大気に暴露しないで、高濃度のn型不純物を含むn+型ZnSeエピタキシャル層をn型ZnSe基板上に形成した状態を示す図である。 After the state of FIG. 5 FIG. 4, not exposed to the air, is a diagram showing a state in which the n + -type ZnSe epitaxial layer containing a high concentration n-type impurity is formed on the n-type ZnSe substrate.
【図6】図1のZnSe系発光装置のp型電極を示す斜視図である。 6 is a perspective view of a p-type electrode of a ZnSe light emitting device of FIG.
【図7】図1のZnSe系発光装置のn型電極を示す斜視図である。 7 is a perspective view showing an n-type electrode of a ZnSe light emitting device of FIG.
【図8】図1のZnSe系発光装置において白色光を得る原理を説明する色度図である。 8 is a chromaticity diagram for explaining the principle of obtaining white light in ZnSe-based light-emitting device of FIG.
【図9】本発明の実施の形態2におけるZnSe系発光装置の断面図である。 9 is a cross-sectional view of a ZnSe-based light-emitting device according to a second embodiment of the present invention.
【図10】図9のZnSe系発光装置の製造において、出射面側にフォトレジストを形成した状態を示す図である。 In the production of a ZnSe light emitting device of FIG. 10 FIG. 9 is a diagram showing a state of forming a photoresist on the output surface side.
【図11】イオンミリングしている状態を示す図である。 11 is a diagram showing a state of ion milling.
【図12】フォトレジストを除去した状態の図である。 12 is a diagram of a state in which the photoresist is removed.
【図13】テクスチャの形状を示す図であり、(a)は理想的な形状であり、(b)は実際に得られる形状を示す図である。 [Figure 13] is a diagram showing a shape of the texture, the (a) is the ideal shape is a diagram showing a (b) is actually obtained shape.
【図14】n+型ZnSeエピタキシャル層の上にTi/Auの格子状電極を形成した段階の図である。 14 is a diagram of a step of forming a grid-like electrode of Ti / Au on the n + -type ZnSe epitaxial layer.
【図15】フォトレジストを形成した状態を示す図である。 15 is a diagram showing a state of forming a photoresist.
【図16】イオンミリングを行っている状態を示す図である。 16 is a diagram showing a state of performing ion milling.
【図17】フォトレジストを除去した状態を示す図である。 17 is a diagram showing a state in which the photoresist is removed.
【図18】テクスチャの拡大図である。 FIG. 18 is an enlarged view of the texture.
【図19】従来のZnSe系発光装置を示す図である。 19 is a diagram showing a conventional ZnSe-based light-emitting device.
【図20】図19の発光装置の活性層から出射される青色光およびSA発光からの光の波長分布を示す図である。 20 is a diagram showing the wavelength distribution of light from the blue light and SA luminescence emitted from the active layer of the light-emitting device of FIG.
【図21】従来のZnSe系発光装置におけるp型電極を示す図である。 21 is a diagram showing a p-type electrode in a conventional ZnSe-based light-emitting device.
【図22】発光点からの光の透過挙動を示す図である。 22 is a diagram showing the transmission behavior of light from the emission point.
【図23】全反射を説明する図である。 23 is a diagram illustrating a total reflection.
【図24】発光素子中の発光点から外部に取り出される光束(円錐)を示す図である。 24 is a diagram showing a light flux taken out from the light emitting point in the light-emitting device (cone).
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 n型ZnSe基板、2 n型ZnSeバッファ層、3 n型ZnMgSSeクラッド層、4 ZnSe/ZnCdSe多重量子井戸活性層、5 p型ZnMgSSeクラッド層、7 p型ZnTe/ZnSe超格子コンタクト層、8 p型ZnTe層、10 p型電極、10a Au膜、10b 格子状Ti/Au膜、12 n型電極、15 n+型ZnSe層、16 出射面、22 パーティクル、23 フォトレジスト、30 テクスチャ、31 実装基板、SA 自己活性中心。 1 n-type ZnSe substrate, 2 n-type ZnSe buffer layer, 3 n-type ZnMgSSe cladding layer, 4 ZnSe / ZnCdSe multiple quantum well active layer, 5 p-type ZnMgSSe cladding layer, 7 p-type ZnTe / ZnSe superlattice contact layer, 8 p -type ZnTe layer, 10 p-type electrode, 10a Au film, 10b lattice form Ti / Au film, 12 n-type electrode, 15 n + -type ZnSe layer, 16 emission surface, 22 particles, 23 photoresist 30 texture 31 mounting board, SA self-activity center.

Claims (8)

  1. 発光素子が実装基板に実装された発光装置であって、 A light emitting device emitting element is mounted on the mounting substrate,
    前記発光素子は、第1導電型ZnSe基板上に形成された第1導電型ZnSe系化合物層と、前記第1導電型ZnSe基板から見て前記第1導電型ZnSe系化合物層より遠い位置に位置する第2導電型ZnSe系化合物層と、前記第1導電型ZnSe系化合物層と第2導電型ZnSe系化合物層との間に位置する活性層とを備え、 The light emitting element includes a first conductive type ZnSe-based compound layer formed on the first conductivity-type ZnSe substrate, located at a position farther than the first conductivity type ZnSe-based compound layer as viewed from the first conductivity type ZnSe substrate comprising a second conductivity type ZnSe-based compound layer and an active layer located between the first conductive type ZnSe-based compound layer and the second conductivity type ZnSe-based compound layer,
    前記発光素子は、その第1導電型ZnSe基板に自己活性発光中心を含み、前記実装基板に対して、前記第2導電型ZnSe系化合物層ダウンの配置で実装されており、 The light emitting element includes a self-activity luminescence center to the first conductivity type ZnSe substrate, with respect to the mounting board are implemented in the arrangement of the second conductivity type ZnSe-based compound layer down,
    前記第1導電型ZnSe基板の表面上に、その第1導電型ZnSe基板の第1導電型不純物濃度より高濃度の第1導電型不純物を含む高濃度第1導電型不純物ZnSe層を備え、発光の出射面は前記高濃度第1導電型不純物ZnSe層を含む前記第1導電型ZnSe基板表面によって構成される、ZnSe系発光装置。 On the surface of the first conductivity type ZnSe substrate, with a high concentration first conductivity type impurity ZnSe layer including a first conductive type impurity concentration higher than the first conductivity type impurity concentration of the first conductivity type ZnSe substrate, the light emitting the exit surface is constituted by the first conductivity type ZnSe substrate surface including the high concentration first conductivity type impurity ZnSe layer, ZnSe-based light-emitting device.
  2. 前記高濃度第1導電型不純物ZnSe層の上の周縁部に沿って設けられた金属層の格子状電極を備える、請求項1に記載のZnSe系発光装置。 The high-concentration comprises a grid-like electrode metal layer provided along the periphery of the top of the first conductivity type impurity ZnSe layer, ZnSe-based light-emitting device according to claim 1.
  3. 前記発光素子の実装面側と反対側の出射面を構成する表層部に、凹凸模様からなるテクスチャが形成されている、請求項1または2に記載のZnSe系発光装置。 The surface layer portion constituting the exit surface of the mounting surface opposite of the light emitting element, the texture consisting of concave and convex pattern is formed, ZnSe-based light-emitting device according to claim 1 or 2.
  4. 自己活性発光中心を有する第1導電型ZnSe基板上に、第1導電型ZnSe系化合物層、その上に形成された活性層およびその上に形成された第2導電型ZnSe系化合物層を含む発光素子が、実装基板に実装された発光装置の製造方法であって、 A first conductivity-type ZnSe substrate having a self-active emission center, the first conductivity type ZnSe-based compound layer, the light emitting containing thereon formed active layer and the second conductive type ZnSe-based compound layer formed thereon element, a manufacturing method of the mounted light emitting device on the mounting substrate,
    前記自己活性発光中心を含む第1導電型ZnSe基板を準備する工程と、 Preparing a first conductivity type ZnSe substrate including the self-active luminescent center,
    前記第1導電型ZnSe基板の表面を洗浄する工程と、前記第1導電型ZnSe基板の表面にその第1導電型不純物の濃度よりも高濃度の第1導電型不純物を含むZnSe膜を形成する工程とを備え、 A step of cleaning the surface of the first conductivity type ZnSe substrate, to form a ZnSe film containing a first conductivity type impurity in a higher concentration than the concentration of the first conductivity type impurity into a surface of the first conductivity type ZnSe substrate and a step,
    前記発光素子を、前記実装基板に対して、前記第2導電型ZnSe系化合物層ダウンの配置で実装する工程とを備える、ZnSe系発光装置の製造方法。 It said light emitting element, relative to the mounting substrate, and a step of mounting the arrangement of the second conductivity type ZnSe-based compound layer down method for producing a ZnSe-based light-emitting device.
  5. 前記発光素子の発光の出射面を構成する前記第1導電型ZnSe基板表面の前記高濃度不純物ZnSe膜の周縁部に沿って金属膜を形成する格子状電極形成工程を備える、請求項4に記載のZnSe系発光装置の製造方法。 Comprises a grid-like electrode forming step of forming the high concentration impurity ZnSe film metal film along the periphery of said first conductivity type ZnSe substrate surface constituting the exit surface of light emission of the light emitting device, according to claim 4 the method for producing ZnSe-based light-emitting device.
  6. 前記発光素子の実装面側と反対側の出射面を構成する表層部に、凹凸模様からなるテクスチャを形成する工程を備える、請求項4または5に記載のZnSe系発光装置の製造方法。 The surface layer portion constituting the exit surface of the mounting surface opposite of the light emitting element, comprising forming a texture consisting of concave and convex pattern, the manufacturing method of the ZnSe-based light-emitting device according to claim 4 or 5.
  7. 前記テクスチャ形成工程では、イオンミリングにより前記テクスチャを形成する、請求項6に記載のZnSe系発光装置の製造方法。 Wherein in the texture forming process, the texture by the ion milling method for producing a ZnSe-based light-emitting device according to claim 6.
  8. 前記第1導電型ZnSe基板の表面を洗浄する工程においては、250℃以下の温度域で、前記第1導電型ZnSe基板の表面を塩酸ガスでエッチングする第1洗浄工程と、その後、前記表面をラジカル水素処理する第2洗浄工程とを行う、請求項4〜7のいずれかに記載のZnSe系発光装置の製造方法。 In the step of cleaning the surface of said first conductivity type ZnSe substrate, a temperature range of 250 ° C. or less, and the first cleaning step of etching the surface of said first conductivity type ZnSe substrate with hydrochloric acid gas, then, the surface performing a second cleaning step of the radical hydrotreatment, manufacturing method of a ZnSe light emitting device according to any one of claims 4-7.
JP2002189291A 2002-06-28 2002-06-28 ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD Withdrawn JP2004031856A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002189291A JP2004031856A (en) 2002-06-28 2002-06-28 ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002189291A JP2004031856A (en) 2002-06-28 2002-06-28 ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004031856A true JP2004031856A (en) 2004-01-29

Family

ID=31183760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002189291A Withdrawn JP2004031856A (en) 2002-06-28 2002-06-28 ZnSe-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004031856A (en)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007069774A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 Showa Denko K.K. Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
JP2008505507A (en) * 2004-07-02 2008-02-21 クリー インコーポレイテッドCree Inc. LED using substrate modification to improve light extraction and method of making the same
JP2008103627A (en) * 2006-10-20 2008-05-01 Hitachi Cable Ltd Semiconductor light emitting element
JP2010517290A (en) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー インコーポレイテッドCree Inc. Wafer level phosphor coating method and apparatus fabricated using the method
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
US8778601B2 (en) 2010-03-05 2014-07-15 Rohm and Haas Electronic Materials Methods of forming photolithographic patterns
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US8967821B2 (en) 2009-09-25 2015-03-03 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9093616B2 (en) 2003-09-18 2015-07-28 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9196799B2 (en) 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US9093616B2 (en) 2003-09-18 2015-07-28 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US9105817B2 (en) 2003-09-18 2015-08-11 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US10164158B2 (en) 2003-09-18 2018-12-25 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP2008505507A (en) * 2004-07-02 2008-02-21 クリー インコーポレイテッドCree Inc. LED using substrate modification to improve light extraction and method of making the same
KR101007202B1 (en) 2005-12-13 2011-01-12 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Gallium nitride compound semiconductor ligth-emitting device
US8258541B2 (en) 2005-12-13 2012-09-04 Showa Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device
WO2007069774A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 Showa Denko K.K. Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
US8390022B2 (en) 2006-04-24 2013-03-05 Cree, Inc. Side view surface mount LED
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
US8487337B2 (en) 2006-04-24 2013-07-16 Cree, Inc. Side view surface mount LED
JP2008103627A (en) * 2006-10-20 2008-05-01 Hitachi Cable Ltd Semiconductor light emitting element
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR101398655B1 (en) 2007-01-22 2014-06-19 크리, 인코포레이티드 Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9196799B2 (en) 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
JP2010517290A (en) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー インコーポレイテッドCree Inc. Wafer level phosphor coating method and apparatus fabricated using the method
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8967821B2 (en) 2009-09-25 2015-03-03 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8778601B2 (en) 2010-03-05 2014-07-15 Rohm and Haas Electronic Materials Methods of forming photolithographic patterns
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9865773B2 (en) Semiconductor light emitting device
US7276737B2 (en) Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7012279B2 (en) Photonic crystal light emitting device
KR100753710B1 (en) Improved light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
CN101330120B (en) Nitride-based semiconductor light emitting diode
JP4960712B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device
US6903374B2 (en) Structure of p-electrode at the light-emerging side of light-emitting diode
EP0922306B1 (en) Uv/blue led-phosphor device with enhanced light output
KR200370465Y1 (en) Vertical electrode structure of gallium nitride based light emitting diode
US7436001B2 (en) Vertical GaN-based LED and method of manufacturing the same
CN101636852B (en) Vertical light emitting diodes and its manufacture method
KR101119727B1 (en) Nitride semiconductor light emitting element
KR100638666B1 (en) Nitride based semiconductor light emitting device
US20110272723A1 (en) Rod Type Light Emitting Device And Method For Fabricating The Same
EP3166152A1 (en) Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
JP2011205144A (en) AlGaInN-BASED LED WITH EPITAXIAL LAYER
JP2005183911A (en) Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
US20070108459A1 (en) Methods of Manufacturing Light Emitting Devices
US7190004B2 (en) Light emitting device
JP4762849B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device
JP3972216B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
CN102460744B (en) Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
CN103828073B (en) Light emitting diode and the method manufacturing this light emitting diode
Orita et al. High-extraction-efficiency blue light-emitting diode using extended-pitch photonic crystal
KR100969100B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the same and light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050906