JP2004028538A - マイクロガスタービン用再生熱交換器 - Google Patents

Abstract

【課題】高温低圧の排気ガスと低温高圧の空気との熱交換を流体の漏洩を防止して効率よく熱交換が可能で、例えば厚みが数ｍｍ以下のボタン型で超小型のシステム等に利用できるサイズから厚みが数ｃｍ程度の小型の構成からなり、かつ製造が容易な構成からなるマイクロガスタービン用再生熱交換器。
【解決手段】溝を多数並列させた並列溝を形成して流体通路とした構成の基板を積層配置する基本構成で、並列溝をＳ字型に蛇行、すなわち３パス配置し、かつ各パス間にスリットを入れることで各パス間の壁熱伝導を遮断した構成とすることで、特に温度効率を大きく向上させることが可能である。
【選択図】　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、超小型のガスタービンにおける燃焼排気ガスと空気との熱交換を行うガスタービン用再生熱交換器に係り、例えばシリコンウェーハにフォトリソエッチングにて通路形成した燃焼排気ガスと空気用の２種の通路基板を積層して構成した小型で構造の簡単なマイクロガスタービン用再生熱交換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、非常用自家発電装置あるいは中小規模の分散電源として、マイクロガスタービン発電装置が見直されて実用化されている。ガスタービンは他の内燃機関に比べて単純な構成で量産可能であり、また保守点検が容易で、低ＮＯｘであることを特徴としている。
【０００３】
例えば、一般的な一軸式の再生サイクルガスタービンは、圧縮機、タービン、発電機が一軸に配置され、燃焼器からの燃焼ガスはタービンを回転させた後、熱交換器で圧縮機を経た空気と熱交換を行い、燃焼ガスエネルギーの損失を少しでも小さくして、高い熱変換効率となるよう工夫されている。
【０００４】
前記用途の一軸式の再生サイクルガスタービンの構成では、希薄燃焼による低ＮＯｘの実現と、熱交換器にプレートフィン型を使用して熱交換効率を９０％程度に高めることが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一方今日では、電子機器の小型化が急速に進み、従来は所要箇所に設置して利用されていたものが、ポータブル機器として容易に持ち運べるようになってきた。ポータブルな電子機器の動力源としてのバッテリーにも持続性に限度があるため、超小型の燃料電池やガスタービン発電装置の開発が進められている。
【０００６】
超小型のガスタービン発電システムとして、シリコンウェーハを用いて半導体デバイスの製造システムを活用し、外径が数センチ程度で数十万〜百万回転／分の高速回転が可能なガスタービンが開発されつつある。（ＵＳＰ５，９３２，９４０公報等参照）
【０００７】
大きさが小さくとも、例えば一軸式の再生サイクルガスタービンシステムに高効率を実現するには、燃焼排気ガスと空気との熱交換を行うガスタービン用再生熱交換器が不可欠である。
【０００８】
この発明は、高温低圧の排気ガスと低温高圧の空気との熱交換を流体の漏洩を防止して効率よく熱交換が可能で、例えば厚みが数ｍｍ以下のボタン型で超小型のシステム等に利用できるサイズから厚みが数ｃｍ程度の小型の構成からなり、かつ製造が容易な構成からなるマイクロガスタービン用再生熱交換器の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、半導体デバイスの製造プロセスによる製造に最適な構成で、流体の漏洩がなく、かつ高効率な熱交換が実現できるマイクロガスタービン用再生熱交換器の構成を目的に種々検討した結果、溝を多数並列させた並列溝を形成して流体通路とした構成の基板を積層配置する基本構成で、並列溝をＳ字型に蛇行、すなわち３パス配置し、かつ各パス間にスリットを入れることで各パス間の壁熱伝導を遮断した構成とすることで、特に温度効率を大きく向上させることが可能であることを知見し、この発明を完成した。
【００１０】
すなわち、この発明は、基板の一対の角部に厚み方向にガス通路口を貫通配置し、複数の溝を並列した並列溝群を複数パスで蛇行配置して前記ガス通路口間を接続し、並列溝が各パス間でスリットにて分離した通路基板からなり、低温流体用と高温流体用の各通路基板を所要パターンで積層して密閉し、各流体の入口及び出口通路が積層方向に連通したことを特徴とするマイクロガスタービン用再生熱交換器である。
【００１１】
また、この発明は、上記構成の再生熱交換器において、
蛇行配置するパス数が２〜５である構成、
蓋基板を最外側通路基板上に積層配置して密閉する構成、
拡散接合により一体化密閉した構成、
基板材料が、シリコン、シリコンカーバイト、ステンレス鋼、耐熱合金鋼のうちいずれかである構成、を併せて提案する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この発明において、再生熱交換器を構成する基板には、特に限定しないが、シリコンウェーハ、シリコンカーバイトウェーハなど、種々公知の耐熱特性にすぐれた半導体デバイス用基板、あるいはさらにステンレス鋼、耐熱合金鋼などを利用することが可能である。
【００１３】
かかる基板への加工方法は、半導体デバイスの製造に用いられる公知の切断、切削を初め、ドライエッチング、ウエットエッチング等の手段並びに装置を用いることが可能であり、効率よく量産を行うことができる。また、ステンレス鋼等にも同様の加工方法が採用できる。さらに、かかる材料からなる基板は、積層後に材料種に応じた温度、圧力にて拡散接合にて一体化することができる。
【００１４】
この発明による再生熱交換器は、上述の単なる基板が構成要素であり、これらの基板毎に通路を通過する流体が異なる低温流体用基板と高温流体用基板を所要パターンで積層するだけの簡単な構成で、また、積層した基板は拡散接合により一体化することが可能である。従って、基板毎に流体が異なり、対向流又は平行流の熱交換が可能となり、かつ拡散接合にて積層基板が一体化され、さらに熱的バランスにすぐれるため、反りなども防止されて流体漏洩が防止できる。
【００１５】
以下にこの発明による再生熱交換器の構成例を図面に基づいて詳述する。図１に示す再生熱交換器１は、図２の矩形基板からなる低温流体用通路基板１０と高温流体用通路基板２０を交互に複数枚を積層して密閉用の蓋基板２を載置して一体化してある。
【００１６】
低温流体用通路基板１０及び高温流体用通路基板２０には、積層した際に積層方向に通路孔が形成されるように同じ箇所に貫通孔が穿孔されている。すなわち、各基板１０，２０には、図で左上と右下の対向位置にある角部に基板厚み方向に穿孔した矩形の貫通孔が２か所ずつ設けられている。
【００１７】
低温流体用通路基板１０は、上記の角部に設けた貫通孔のうち、図で基板の上下辺に沿うよう配置され、図で上側に位置する貫通孔３を低温流体入口、下側に位置する貫通孔４を低温流体出口として利用し、この出入口間に溝を多数並列させた並列溝１１を形成しかつこの並列溝１１をＳ字型に蛇行、すなわち３パス配置し、かつ各パス間にスリット７，８を入れることで各パス間の壁熱伝導を遮断した構成となしてある。
【００１８】
高温流体用通路基板２０は、低温流体用通路基板１０とほぼ同様構成であり、上記の角部に設けた貫通孔のうち、図で基板の左右辺に沿うよう配置され、図で右下側に位置する貫通孔５を高温流体入口、左上側に位置する貫通孔６を高温流体出口として利用し、この出入口間に溝を多数並列させた並列溝２１を形成しかつこの並列溝２１をＳ字型に蛇行、すなわち３パス配置し、かつ各パス間にスリット７，８を入れることで各パス間の壁熱伝導を遮断した構成となしてある。
【００１９】
また、低温流体用通路基板１０と高温流体用通路基板２０を積層した際、各基板の並列溝１１と並列溝２１の上下位置で各流体が対向流又は平行流となるように前記の蛇行配置を合わせてあり、当然スリット７，８位置も一致し、並列溝１１，２１底の基板を介して熱交換する通路長さができるだけ長くなるように構成してある。
【００２０】
さらに、低温流体又は高温流体に応じて、各基板１０，２０の各貫通孔３，４，５，６の孔径、溝数、溝通路幅、溝通路長さを適宜選定してあり、各基板上の外周側と内周側、さらに流体の入口側と出口側での流速の変化がないように構成してある。
【００２１】
この発明において、通路基板に設けた並列溝の蛇行配置の通路パス数は、上述の３パスの他、いずれのパス数の配置も採用可能であるが、製造性、熱効率、流体圧力損失等を考慮すると、Ｕターンの２パスから５パス程度が好ましい。
【００２２】
この発明において、低温流体用通路基板と高温流体用通路基板の積層パターンは、上述の交互又は高温側を２層にして低温側で挟む構成の他、高温側を多層にするなど種々の構成を採用できるが、高温側流体の熱が低温側流体に移動しやすいように構成し、積層方向に熱バランスが均等になるように構成することが望ましい。同様に基板側も各基板表面上の熱バランスが均等になるよう通路構成を選定することが望ましい。
【００２３】
この発明による再生熱交換器は、通路基板のいずれも積層方向、各基板平面方向のいずれも熱的なバランスが対称でかつ均等であるため、基板に歪みが発生して反ることがなく、流体の漏れなどが発生し難いことが特徴である。
【００２４】
【実施例】
厚みが０．６２５ｍｍのシリコンウェーハを用いて、図２に示す構成の低温流体用通路基板と高温流体用通路基板を作製した。各通路基板は２２ｍｍ×２７．２ｍｍ×０．６２５ｍｍ寸法で、蓋基板は厚み０．３ｍｍであり、低温用、高温用が６枚、７枚と蓋基板を積層一体化後の総厚みは８．３ｍｍであった。
【００２５】
高温流体と低温流体を基板で層状に分離し、各層とも１２本の並列流路をＳ字型に蛇行させ（３パス）、各パス間にスリットを入れることで各パス間の壁熱伝導を遮断している。すなわち、図１の熱交換器の全体寸法（ｌ×ｄ×ｈ）２２×２０×８．３ｍｍの中に長さ５９ｍｍ、等価直径約０．４ｍｍの流路が排ガス側８４本（７層×１２流路）、高圧空気側７２本（６層×１２流路）形成されている。なお、ここでは高圧空気に比べて比体積の大きい排ガス側の層数を多くすることで排ガス側の圧力損失増加を緩和している。
【００２６】
高温流体としてタービン排気ガスを高圧空気の低温流体と熱交換する性能試験を行った。高温流体は、流量０．１５ｇ／ｓ、入口温度１２６０Ｋ、入口圧力１１０ｋＰａであり、低温流体は、流量０．１５ｇ／ｓ、入口温度５２６Ｋ、入口圧力３３０ｋＰａであった。その結果、排気ガスと高圧空気の出口温度がそれぞれ６７２Ｋ、１１１４Ｋと良好な熱交換が実施できたことを確認した。
【００２７】
得られた上記構成の再生熱交換器において、流れ方向に沿った各流体温度及び壁温の分布を測定した結果を図３に示す。この発明の再生熱交換器では、断面積を小さくし流路長を長くしたため、流れ方向に適切な壁温勾配が生じていることが確認できる。
【００２８】
上記構成の再生熱交換器は、温度効率が０．８であった。ここで、温度効率を変化させた時の必要伝熱面積を求めた結果を図４に示す。ただし圧力損失は一定に保つものとした。このグラフより温度効率が約０．８以上では必要伝熱面積が急激に増加することが分かる。すなわち効率を重視する場合でも温度効率０．８程度が適当と考えられる。
【００２９】
【発明の効果】
この発明による再生熱交換器は、基板を構成要素として基板毎に流体が異なる低温流体用基板と高温流体用基板を所要パターンで積層する簡単な構成であり、積層した基板は拡散接合により一体化することができ、実施例に示すごとく極小サイズから小型サイズまで容易に作製でき、さらに熱的バランスにすぐれるため、熱交換効率が高く、反りや剥離が防止されて流体漏洩が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による再生熱交換器の斜視説明図である。
【図２】この発明による矩形基板を用いた再生熱交換器の構成を示す説明図であり、Ａは低温流体用通路基板の上面、Ｂは高温流体用通路基板の上面を示す。
【図３】この発明による再生熱交換器において、流れ方向に沿った各流体温度及び壁温の分布を示す、位置と温度との関係のグラフである。
【図４】伝熱面積と温度効率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１　再生熱交換器
２　蓋基板
３，４，５，６　貫通孔３
７，８　スリット
１０　低温流体用通路基板
１１，２１　並列溝
２０　高温流体用通路基板

Claims (5)

1. 基板の一対の角部に厚み方向にガス通路口を貫通配置し、複数の溝を並列した並列溝群を複数パスで蛇行配置して前記ガス通路口間を接続し、並列溝が各パス間でスリットにて分離した通路基板からなり、低温流体用と高温流体用の各通路基板を所要パターンで積層して密閉し、各流体の入口及び出口通路が積層方向に連通したマイクロガスタービン用再生熱交換器。
2. 蛇行配置するパス数が２〜５である請求項１に記載のマイクロガスタービン用再生熱交換器。
3. 蓋基板を最外側通路基板上に積層配置して密閉する請求項１に記載のマイクロガスタービン用再生熱交換器。
4. 拡散接合により一体化密閉した請求項１に記載のマイクロガスタービン用再生熱交換器。
5. 基板材料が、シリコン、シリコンカーバイト、ステンレス鋼、耐熱合金鋼のうちいずれかである請求項１に記載のマイクロガスタービン用再生熱交換器。

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