JP2004022670A - Multilayer ceramic substrate and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層セラミック基板及びその製造方法に関し、より詳細には、互いに熱収縮率の異なるセラミック絶縁層を積層してなる多層セラミック基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話やブルートゥース(Bluetooth)等のモバイル端末機器が広く普及し、そこにおける無線情報通信や無線LAN(Local Area Network)では、音声、画像、データ等の大容量の情報がより高速に伝送されることが望まれている。その要求をかなえるべく、現在、モバイル端末機器の小型化・多機能化・高性能化が急速に進んでいるが、これらを更に推し進めるには、セラミック多層基板等の実装基板をより一層高密度化したり、或いは高周波回路のモジュール化をセラミック多層基板上で行うことが望まれる。このように、セラミック多層基板は、モバイル端末機器等の性能を向上させるうえで大きな役割を担う。
【0003】
そのような従来例に係る多層セラミック基板を図1に示す。その多層セラミック基板は、セラミック絶縁層101〜104を複数積層してなり、その各絶縁層101〜104の表面には配線パターン105が形成される。また、上下の配線パターン105同士は、ビアホール102a〜104a内の導電性ビア充填材106により電気的に接続される。
【0004】
その多層セラミック基板は、薄膜状のグリーンシートを複数積層し、それらを加熱して焼成することで得られ、焼成後のグリーンシートが各セラミック絶縁層101〜104となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のセラミック多層基板においては、各セラミック絶縁層101〜104内にアンテナ、フィルタ、及びキャパシタ等の受動部品が埋め込まれて形成される場合がある。その場合、各受動部品の電気的な特性や配線パターン105の信号伝達速度を設計値に合わせ込むべく、絶縁層101〜104の各々に対して異種の材料を使用し、各層の電気的特性が変えられる。
【0006】
しかしながら、そのように材料の電気的な特性が異なると、通常はその熱収縮率も異なるので、グリーンシートを焼成する際、平面方向(グリーンシートの法線に垂直な方向)の熱収縮量が各絶縁層101〜104によって異なり、絶縁層101〜104にクラックが入ったり、或いは上下の絶縁層101〜104が剥離するデラミネーションが発生するといった不都合が生じる。
【0007】
この不都合を解消すべく、図2に示す方法も提案されている。この方法では、グリーンシートの積層膜を焼成する際、その積層膜の上下をアルミナの焼結体108をセッターにして加圧することにより、グリーンシートの横方向への熱膨張を強制的に抑える。
【0008】
しかしながら、この方法では、加圧時の圧力により配線パターン105が浮き出たり、最上層のセラミック絶縁層104にキャビティ104bを設けてそこに受動素子107を収める場合、そのキャビティ104bが圧力によって崩れてしまうという新たな不都合が生じる。
【0009】
本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、セラミック絶縁層のクラック及びデラミネーションを防止することができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、互いに熱収縮率が異なるセラミック絶縁層を少なくとも二層有する多層セラミック基板において、少なくとも一層の前記セラミック絶縁層に熱収縮率調整用ビアホールを形成してそこに熱収縮率調整用材料を埋め込んだことを特徴とする多層セラミック基板によって解決する。
【0011】
又は、互いに熱収縮率の異なる第1グリーンシートと第2グリーンとを作製する工程と、前記第2グリーンシートに熱収縮率調整用ビアホールを形成する工程と、前記熱収縮率調整用ビアホールに熱収縮率調整用材料を埋め込む工程と、前記熱収縮率調整用材料を埋め込んだ後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程とを有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法によって解決する。
【0012】
次に、本発明の作用について説明する。
【0013】
本発明によれば、第2グリーンシートの熱収縮率調整用ビアホール内に熱収縮率調整用材料を埋め込み、その熱収縮率調整用材料の熱収縮量によって第2グリーンシート全体の熱収縮量を調節して、第1グリーンシートと第2グリーンシートとの間の熱収縮量の差を小さくする。これにより、各グリーンシートを焼成して得られるセラミック絶縁層にクラックやデラミネーションが発生するのが防がれ、多層セラミック基板の品質が向上する。
【0014】
また、上記の熱収縮率調整用ビアホールに代えて凹部を第2グリーンシートに形成し、その凹部に熱収縮率調整用材料を埋め込んでも上記と同じ作用が奏される。
【0015】
更に、上記ビアホールや凹部に代えて熱収縮率調整用材料のパターンを第2グリーンシート上に形成しても上記と同じ作用が奏される。しかも、この場合は、熱収縮率調整用材料のパターンの側面が支えとなるので、各グリーンシートが平面方向に収縮するのが抑制され、クラックやデラミネーションがより一層発生し難くなる。
【0016】
また、上記のいずれの発明においても、熱収縮率調整用材料として第1セラミック絶縁層の構成材料と同じものを使用すると、第1グリーンシートの熱収縮率を第2グリーンシートの熱収縮率により一層近づけ易くなる。
【0017】
また、熱収縮率調整用材料として導電性材料よりなるものを使用すると、層間の電気的接続に使用される導電性ビア充填材の埋め込みと同時に上記熱収縮率調整用材料を上記ビアホール又は凹部に埋め込むことができるので、工程数を増やさずに熱収縮率調整用材料が形成される。
同様に、第2グリーンシート上に配線パターンを形成するのと同時に熱収縮率調整用材料のパターンを形成することができるので、やはり工程数が増えることが無い。
【0018】
一方、熱収縮率材料としてセラミック材料を使用すると、セラミック材料は安価であるため、導電性材料を使用する場合と比較して多層セラミック基板のコストが安くなる。
【0019】
なお、第2グリーンシートに凹部を形成する場合は、凹部を形成する前に、第2グリーンシートの表面を保護フィルムで覆い、突起片を該保護フィルムに貫通させることにより上記凹部を形成するのが好適である。そして、その保護フィルムが残存する状態で熱収縮率調整用材料を凹部に埋め込むことで、熱収縮率調整用材料が第2グリーンシート内の導電性ビア充填材等と混ざり合うのが防がれる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0021】
(1)第1の実施の形態
図3は、本発明の各実施形態で使用されるグリーンシート法について示す斜視図であり、図4〜図6は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0022】
まず最初に、溶媒としてアセトンを用い、該アセトン中にバインダーとしてPVB(ポリビニルブチラール)を8wt%溶解し、更に可塑剤としてDBP(ジブチルフタレート)を5wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径5μmのAl2O3粉末を体積分率で40vol%含み、且つ粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で60vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストAを作製する。
【0023】
続いて、そのセラミックペーストAを図3に示すドクターブレード7内に入れ、そのセラミックペーストをドクターブレード7の下方の隙間7aから流しながら、キャリアフィルムとして厚さ40μmのシリコンフィルム2を使用してそれを長手方向に送る。これにより、図4(a)に示すように、上記セラミックペーストAよりなる厚さ約200μmの第1グリーンシート1とシリコンフィルム2との積層体が作製される。
【0024】
次に、第1グリーンシート1とシリコンフィルム2との積層体を90mm×90mmの平面形状に切断した後、図4(b)に示すようにシリコンフィルム2側からNCパンチャーの針を穿通させることにより、第1グリーンシート1にビアホール1aを形成する。
【0025】
次いで、印刷法によりAgペーストをビアホール1a内に埋め込み、そのAgペーストと第1グリーンシート1とを80℃で10分乾燥させる。これにより、図4(c)に示すように、Agペーストは乾燥して導電性ビア充填材3となる。なお、Agペーストを印刷する際、Agペーストがグリーンシート1の主面に付着するとそれを除去するのが困難となるので、上記の印刷はシリコンフィルム2側で行うのが好ましい。また、この工程を終了した後のグリーンシート1の斜視図は図7(a)のようになり、先の図4(c)は図7(a)のI−I線断面図に相当する。
【0026】
その後、シリコンフィルム2を剥離し、グリーンシート1の一方の面にAgペーストのパターンを印刷法により形成して、それを80℃で10分乾燥させる。これにより、図4(d)に示すように、Agペーストは乾燥して配線パターン4となる。その配線パターン4は、導電性ビア充填材3の上を通って形成され、該導電性ビア充填材3と電気的に接続される。なお、この工程を終了した後のグリーンシート1の斜視図は図7(b)のようになり、先の図4(d)は図7(b)のI−I線断面図に相当する。
【0027】
上記の工程は、第1グリーンシート1をベースにしたものであったが、続いての工程は、第1グリーンシート1とは別の組成の第2グリーンシートをベースにするものである。
【0028】
その第2グリーンシートを作製するには、まず、溶媒としてアセトンを用い、該アセトン中にバインダーとしてPVBを8wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを5wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径3μmのTiO2粉末を体積分率で30vol%含み、且つチタン酸ネオジウム(NdTiO3)結晶を析出するの粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積70vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストBを作製する。
【0029】
そして、図3に示すグリーンシート法によりシリコンフィルム2上に上記のセラミックペーストBを塗布する。これにより、図5(a)に示すように、上記のセラミックペーストBよりなる厚さ約200μmの第2グリーンシート5とシリコンフィルム2との積層体が得られる。この第2グリーンシート5は、既述の第1グリーンシート1用のセラミックペーストAとは別のセラミックペーストBよりなるので、その熱収縮率は第1グリーンシート1のそれと異なることになる。
【0030】
次に、第2グリーンシート5とシリコンフィルム2との積層体を90mm×90mmの平面形状に切断した後、図5(b)に示すようにシリコンフィルム2側からNCパンチャーの針を穿通させることにより、第2グリーンシート5にビアホール5aと熱収縮率調整用ビアホール5bを形成する。
【0031】
熱収縮率調整用ビアホール5bは、第2グリーンシート5の回路機能に関係の無い部位、例えば配線パターンの非形成領域に開口するのが好ましく、その径は約10μm〜2cmである。
【0032】
次いで、Agの粉末と有機溶媒とバインダーとを混合してAgペーストを作製し、そのAgペーストを印刷法によりビアホール5a内と熱収縮率調整用ビアホール5b内とに埋め込み、その後Agペーストと第1グリーンシート1とを80℃で10分乾燥させる。これにより、図5(c)に示すように、Agペーストは乾燥し、ビアホール5a内で導電性ビア充填材3となると共に、熱収縮率調整用ビアホール5b内では熱収縮率調整用材料6となる。
【0033】
なお、Agペーストが第2グリーンシート5の主面に付着するとそれを除去するのが困難となるので、Agペーストの印刷はシリコンフィルム2側で行うのが好ましい。また、この工程を終了した後のグリーンシート1の斜視図は図8(a)のようになり、先の図5(c)は図8(a)のI−I線断面図に相当する。
【0034】
その後、シリコンフィルム2を剥離し、第2グリーンシート5の一方の面にAgペーストのパターンを印刷法により形成して、それを80℃で10分乾燥させる。これにより、図5(d)に示すように、Agペーストは乾燥して配線パターン4となる。その配線パターン4は、熱収縮率調整用材料6を外して形成されるので、該熱収縮率調整用材料6には信号の入出力や電力の供給が行われない。すなわち、熱収縮率調整用材料6は、電気的に孤立した状態となる。なお、この工程を終了した後のグリーンシート1の斜視図は図8(b)のようになり、先の図5(d)は図8(b)のI−I線断面図に相当する。
【0035】
次に、図6(a)に示すように、この第2グリーンシート5と、先に完成させておいた第1グリーンシート1(図4(d)参照)とを各々10枚づつ計20枚交互に積層する。但し、同図では、図が煩雑になるので第1、第2グリーンシート1、5を各3枚だけ示してある。その後、その積層体を金型(不図示)の中に入れ、100MPaの圧力で100℃、30分間加圧し、更に、その積層体を大気炉中のアルミナセッター上に置いてバインダー抜き(脱脂)をする。
【0036】
次に、図6(b)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【0037】
まず、上記の積層体を900℃、5時間で焼成することにより、第1グリーンシート1を第1セラミック絶縁層1dにすると共に、第2グリーンシート5を第2セラミック絶縁層5dにする。
【0038】
このとき、第1グリーンシート1と第2グリーンシート5とでは熱収縮率が異なるので、従来ならばクラックやデラミネーション等が発生し易い。
【0039】
そこで、本実施形態では、第2グリーンシート5に熱収縮率調整用材料6を埋め込み、その熱収縮率調整用材料6の熱収縮量によって第2グリーンシート6全体の熱収縮量を調節し、第1、第2グリーンシート1、5間の熱収縮量の差をできるだけ小さくするようにした。これにより、クラックやデラミネーションの発生を防ぐことができ、多層セラミック基板の品質を向上させることができる。
【0040】
本発明者が実際に調査したところ、上記によって得られた多層セラミック基板の密度は95%以上(即ち隙間が5%未満)となり、またその平面方向の収縮率は約11%、厚さ方向の収縮率は約8%であり、クラックやデラミネーションは観測されなかった。
【0041】
また、この方法では焼成の際に多層セラミック基板を厚さ方向に加圧しないので、配線パターン4が浮き上がることが無く、また、受動素子収納用のキャビティを各セラミック絶縁層1d、5dに設ける場合でも、そのキャビティが崩れることが無い。
【0042】
熱収縮率調整用材料6の組成は限定されない。例えば、上記ではAgペーストを使用したが、それに代えて、Pd、Au、Pt、Cu、W、Mo、及びNiのうちの少なくとも一つを含む導電性ペーストを使用して熱収縮率調整用材料6を形成してもよい。更に、導電性ペーストではなく、Al2O3、SiO2、B2O3、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO、TiO2、PbO、BiO3、Li2O、ZrO2、Y2O3のうちの少なくとも一つを含有するセラミックペーストを使用して熱収縮率調整用材料6を形成してもよい。
【0043】
これらのうち、導電性ペーストを使用する場合は、導電性ビア充填材3の形成と同時に熱収縮率調整用材料6が形成されるので、工程数の増加を招くこと無く上記の利点を得ることができる。
【0044】
一方、セラミックペーストを使用する場合は、セラミックペーストが安価なため、導電性ペーストを使用する場合と比較して多層セラミック基板のコストを安くすることができる。
【0045】
この後は、最上層の配線パターン4上に抵抗やキャパシタ等の受動素子8を電気的に接続し、この多層セラミック基板を電子機器等に搭載する。
【0046】
(2)第2の実施の形態
図9〜図11は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0047】
まず最初に、図9に示す第1グリーンシート1を作製するのであるが、その製造工程は第1実施形態と同様なので説明を省略する。但し、その組成は第1実施形態で説明したものに限定されない。そこで、本実施形態では、第1グリーンシート用のセラミックペーストの組成を第1実施形態と変えて次のようにする。
【0048】
まず最初に、溶媒としてアセトンを用い、該アセトン中にバインダーとしてPVBを8wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを3wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径5μmのAl2O3粉末を体積分率で45vol%含み、且つディオプサイド(CaMgSi2O6)結晶を析出する粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で55vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストCを作製する。そして、そのセラミックペーストCを使用して第1実施形態と同様の工程を行い、図9に示す第1グリーンシート1を作製する。
【0049】
次に、第2グリーンシートの製造工程に移る。
【0050】
第2グリーンシートを作製するには、まず、溶媒としてアセトンを用い、該アセトン中にバインダーとしてPVBを8wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを3wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径3μmのTiO2粉末を体積分率で30vol%含み、且つNd2O3結晶を析出する粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で70vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストDを作製する。
【0051】
その後、第1実施形態の図5(a)〜図5(c)と同じ工程を行い、図10(a)に示す構造を得る。但し、本実施形態では、熱収縮率調整用ビアホール5bは必須ではないので、以下では熱収縮率調整用ビアホール5bを形成しないものとして説明をする。
【0052】
次に、図10(b)の断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、シリコンフィルム2を剥離した後、熱硬化性接着層(不図示)が裏面に形成されたポリエチレンフィルム等の保護フィルム10を第2グリーンシート5に密着させ、該保護フィルム10を加熱して第2グリーンシート5に接着する。そして、例えば打ち抜きパンチ等の突起片(不図示)を熱可塑性フィルム10側から押し当て、その突起片を熱可塑性フィルム10に貫通させると共に、第2グリーンシート5に凹部5cを形成する。その凹部5cの形状は限定されないが、本実施形態ではその平面形状は幅が約1mm、長辺の長さが約40mmの長方形であり、その深さは約100μmである。また、凹部5cの形成部位も限定されないが、後述の配線パターンの非形成領域に形成するのが好ましい。
【0053】
次いで、図10(c)に示すように、保護フィルム10側から印刷法によりセラミックペーストを凹部5c内に埋め込み、それを80℃で約10分間乾燥させて熱収縮率調整用材料11とする。なお、保護フィルム10側からセラミックペーストの印刷を行うのは、第2グリーンシート5の主面にセラミックペーストが付着するのを防止するためである。
【0054】
セラミックペーストは特に限定されない。第1実施形態において熱収縮用調整材料6の代替物として挙げた種々のセラミックペーストや導電性ペーストを本実施形態でも使用することができる。以下では、第1グリーンシート1と同じセラミックペーストCを使用する場合について説明する。
【0055】
なお、上記では、セラミックペーストを印刷する前にシリコンフィルム2を剥離して新たに保護フィルム10を接着し、導電性ビア充填材3が保護フィルム10で覆われた状態でセラミックペーストを印刷したが、こうすることで、導電性ビア充填材3とセラミックペーストとが混ざり合うのが防止される。但し、導電性ビア充填材3とセラミックペーストとが同じ組成である場合は、保護フィルム10を省いてもよい。
【0056】
また、この工程を終了後の第2グリーンシート5の斜視図は図12(a)のようになり、同図のI−I線断面図が先の図10(c)に相当する。
【0057】
その後、保護フィルム10を剥離し、第2グリーンシート5の一方の面にAg−Pdペーストのパターンを印刷法により形成して、それを80℃で10分乾燥させる。これにより、図10(d)に示すように、Ag−Pdペーストは乾燥して配線パターン4となる。なお、この工程を終了した後の第2グリーンシート5の斜視図は図12(b)のようになり、同図のI−I線断面図が先の図10(d)に相当する。
【0058】
次に、図11(a)に示すように、7枚の第2グリーンシート5と、先に完成させておいた8枚の第1グリーンシート1(図9参照)との計15枚を交互に積層する。但し、同図では、図が煩雑になるので第1、第2グリーンシート1、5を各3枚だけ示してある。その後、その積層体を金型(不図示)の中に入れ、100MPaの圧力で100℃、30分間加圧し、更に、その積層体を大気炉中のアルミナセッター上に置いてバインダー抜き(脱脂)をする。
【0059】
次に、図11(b)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【0060】
まず最初に、上記の積層体を900℃、5時間で焼成し、第1グリーンシート1を第1セラミック絶縁層1dにすると共に、第2グリーンシート5を第2セラミック絶縁層5dにする。
【0061】
この焼成の際、第2グリーンシート5の凹部5cには収縮率調整用材料11が埋め込まれており、第1実施形態と同様の理由で第1、第2グリーンシート1、5間の熱収縮率の差が小さくされているので、クラックやデラミネーションの発生を防ぐことができ、多層セラミック基板の品質を向上させることができる。
【0062】
特に、本実施形態のように収縮率調整用材料11として第1グリーンシート1と同じ材料のものを使用することで、第2グリーンシート5の熱収縮率を第1グリーンシート1の熱収縮率により一層近づけ易くすることができる。
【0063】
本発明者が実際に調査したところ、上記によって得られた多層セラミック基板の密度は98%以上(即ち隙間が2%未満)となり、またその平面方向の収縮率は約13%、厚さ方向の収縮率は約7%であり、クラックやデラミネーションは観測されなかった。
【0064】
この後は、最上層の配線パターン4上に抵抗やキャパシタ等の受動素子8を電気的に接続し、この多層セラミック基板を電子機器等に搭載する。
【0065】
(3)第3の実施の形態
本実施形態では、第1〜2実施形態で既に説明した部材に対しては該第1〜2実施形態と同様の符号を使用し、以下ではその説明を省略する。
【0066】
上記した第1〜第2実施形態では、グリーンシートとして、熱収縮率が互いに異なる二種類のものを使用した。
【0067】
これに対し、本実施形態では、熱収縮率が異なる3種類のグリーンシートを使用する。3種類のうちの一つは、第1実施形態で説明した第1グリーンシート1であり、その斜視図と断面図をそれぞれ図13(a)、(b)に示す。図13(b)は、図13(a)のI−I線断面図に相当する。
【0068】
この第1グリーンシート1の製造工程は、第1実施形態と同様なので、以下ではその説明を省略する。但し、その組成は、第1実施形態のものに限定されるものではないので、本実施形態では、第1グリーンシート用のセラミックペーストの組成を第1実施形態と変えて次のようにする。
【0069】
まず最初に、溶媒としてアセトン又はエタノールを用い、該溶媒中にバインダーとしてPVBを5〜10wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを3〜5wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径5μmのAl2O3粉末を体積分率で40vol%含み、且つ粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で60vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストFを作製する。そして、そのセラミックペーストFを使用して第1実施形態と同様の工程を行い、図13(a)、(b)に示す第1グリーンシート1を作製する。
【0070】
一方、三種類のうちの残りの2つのグリーンシートは、共に第1実施形態で説明した第2グリーンシート5であり、熱収縮率調整用ビアホール5bが形成されるが、その組成は二枚とも第1実施形態と異なる。
【0071】
一枚目の第2グリーンシート5の斜視図と断面図とをそれぞれ図14(a)、(b)に示す。図14(b)は、図14(a)のI−I線断面図である。この一枚目の第2グリーンシート5を作製するには次のようにする。
【0072】
まず最初に、溶媒としてアセトン又はエタノールを用い、該溶媒中にバインダーとしてPVBを5〜10wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを3〜5wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径5μmのAl2O3粉末を体積分率で45vol%含み、且つディオプサイド(CaMgSi2O6)結晶が析出する粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で55vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストGを作製する。そして、そのセラミックペーストGを使用して第1実施形態と同様の工程を行い、図14(a)、(b)に示す第2グリーンシート5を作製する。
【0073】
その第2グリーンシート5には、既述の熱収縮率調整用ビアホール5bが形成されており、そこには既述の熱収縮率調整用材料6が埋め込まれている。
【0074】
次に、ニ枚目の第2グリーンシート5について説明する。その第2グリーンシート5の斜視図と断面図とをそれぞれ図15(a)、(b)に示す。図15(b)は、図15(a)のI−I線断面図である。このニ枚目の第2グリーンシート5を作製するには次のようにする。
【0075】
まず最初に、溶媒としてアセトン又はエタノールを用い、該溶媒中にバインダーとしてPVBを5〜10wt%溶解し、更に可塑剤としてDBPを3〜5wt%溶解させた溶液を作製する。次いで、粒径3μmのTiO2粉末を体積分率で30vol%含み、且つNd2O3結晶を析出する粒径3μmの硼珪酸ガラス粉末を体積分率で70vol%含む混合材料を作製し、それを上記の溶液と共にポットに入れる。そして、ボールミル法によりポットを回転数100rpmで16時間回転させ、ポット内の混合材料と溶液とを混練してセラミックペーストHを作製する。そして、そのセラミックペーストHを使用して第1実施形態と同様の工程を行い、図15(a)、(b)に示す第2グリーンシート5を作製する。
【0076】
その第2グリーンシート5には、やはり既述の熱収縮率調整用ビアホール5bが形成されており、そこには既述の熱収縮率調整用材料6が埋め込まれている。
【0077】
これ以降は、上述の三種類のグリーンシートを積層して焼成する工程に移る。
【0078】
まず、上述の三種類のグリーンシート、すなわち第1グリーンシート1と、二種類の第2グリーンシート5とを各10枚づつ、計30枚を交互に図16(a)の如く積層する。但し、同図では、図が煩雑になるので全部で6枚のグリーンシートだけを示してある。その後、その積層体を金型(不図示)の中に入れ、80MPaの圧力で100℃、30分間加圧し、更に、その積層体を大気炉中のポーラスなアルミナセッター上に置いてバインダー抜き(脱脂)をする。
【0079】
次に、図16(b)に示すように、上記の積層体を900℃、5時間で焼成し、第1グリーンシート1を第1セラミック絶縁層1dにすると共に、第2グリーンシート5を第2セラミック絶縁層5dにする。
【0080】
以上説明した本実施形態によれば、組成が異なる二種類の第2グリーンシート5の各々に熱収縮率調整用ビアホール5bを形成し、その中に熱収縮率調整用材料6を埋め込むようにしたので、第1実施形態で説明したように、各グリーンシート間の熱収縮量の差が小さくなるので、クラックやデラミネーションの発生を防ぐことができ、多層セラミック基板の品質を向上させることができる。
【0081】
本発明者が実際に調査したところ、上記によって得られた多層セラミック基板の密度は95%以上(即ち隙間が5%未満)となり、またその平面方向の収縮率は約10%、厚さ方向の収縮率は約6%であり、クラックやデラミネーションは観測されなかった。
【0082】
この後は、最上層の配線パターン4上に抵抗やキャパシタ等の受動素子8を電気的に接続し、この多層セラミック基板を電子機器等に搭載する。
【0083】
(4)その他の実施の形態
上記第1〜第3の実施形態では、熱収縮率調整用材料6、11を第2セラミック絶縁層5dの中に埋め込んだが、本発明はこれに限定されない。例えば、図17に示すように、第2セラミック絶縁層5d上に熱収縮率調整用材料のパターン12を形成しても上記各実施形態と同様の利点が得られる。しかも、熱収縮率調整用材料のパターン12は、その側面が支えとなってその上の第1セラミック絶縁層1dが平面方向に収縮するのを抑制するように機能するので、クラックやデラミネーションの発生をより一層防止し易くなる。
【0084】
そのような熱収縮率調整用パターン12は、例えばAgペーストを第2グリーンシート5上に印刷して配線パターン4を形成する工程(図5(d)、図10(d)の工程)と同一工程で形成されるので、熱収縮率調整用パターン12を設けることにより工程数が増えることは無い。勿論、Agペーストに代えて、上記各実施形態で挙げた収縮率調整用材料6、11の代替物も熱収縮率調整用パターン12として使用することができる。
【0085】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、各グリーンシートの積層枚数や積層順序は任意でよい。また、上記各実施形態はそれ単独で行われてもよいし、或いは各実施形態を任意に組み合わせてもよい。
【0086】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【0087】
(付記1) 互いに熱収縮率が異なるセラミック絶縁層を少なくとも二層有する多層セラミック基板において、
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層に熱収縮率調整用ビアホールを形成してそこに熱収縮率調整用材料を埋め込んだことを特徴とする多層セラミック基板。
【0088】
(付記2) 互いに熱収縮率が異なるセラミック絶縁層を少なくとも二層有する多層セラミック基板において、
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層に凹部を形成してそこに熱収縮率調整用材料を埋め込んだことを特徴とする多層セラミック基板。
【0089】
(付記3) 互いに熱収縮率が異なるセラミック絶縁層を少なくとも二層有する多層セラミック基板において、
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層の表面上に熱収縮率調整用材料のパターンを形成したことを特徴とする多層セラミック基板。
【0090】
(付記4) 前記熱収縮率調整用材料と同じ材料よりなるセラミック絶縁層を有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の多層セラミック基板。
【0091】
(付記5) 前記熱収縮率調整用材料は、Al2O3、SiO2、B2O3、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO、TiO2、PbO、BiO3、Li2O、ZrO2、及びY2O3の少なくとも一つを含むセラミック材料であることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の多層セラミック基板。
【0092】
(付記6) 前記熱収縮率調整用材料は、Ag、Pd、Au、Pt、Cu、W、Mo、及びNiの少なくとも一つを含む導電性材料であることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の多層セラミック基板。
【0093】
(付記7) 前記熱収縮率調整用材料は電気的に孤立していることを特徴とする付記1乃至付記6のいずれかに記載の多層セラミック基板。
【0094】
(付記8) 互いに熱収縮率の異なる第1グリーンシートと第2グリーンとを作製する工程と、
前記第2グリーンシートに熱収縮率調整用ビアホールを形成する工程と、
前記熱収縮率調整用ビアホールに熱収縮率調整用材料を埋め込む工程と、
前記熱収縮率調整用材料を埋め込んだ後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程と
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【0095】
(付記9) 互いに熱収縮率の異なる第1グリーンシートと第2グリーンとを作製する工程と、
前記第2グリーンシートに凹部を形成する工程と、
前記凹部に熱収縮率調整用材料を埋め込む工程と、
前記熱収縮率調整用材料を埋め込んだ後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程と
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【0096】
(付記10) 前記凹部を形成する工程は、前記第2グリーンシートの表面を保護フィルムで覆い、突起片を該保護フィルムに貫通させることにより前記凹部を形成し、
前記凹部に熱収縮率調整用材料を埋め込む工程は、前記保護フィルムが残存する状態で行われることを特徴とする付記9に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【0097】
(付記11) 互いに熱収縮率の異なる第1グリーンシートと第2グリーンとを作製する工程と、
前記第2グリーンシート上に熱収縮率調整用材料のパターンを形成する工程と、
前記熱収縮率調整用材料のパターンを形成後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程と
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【0098】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第2グリーンシートの凹部又は熱収縮率調整用ビアホールに熱収縮率調整用材料を埋め込み、第2グリーンシートの熱収縮率を第1グリーンシートの熱収縮率に近づけたので、焼成時にクラックやデラミネーションが発生するのを防止でき、多層セラミック基板の品質を向上させることができる。
【0099】
また、第2グリーンシート上に熱収縮率調整用のパターンを形成しても上記と同様の利点が得られるが、この場合は、上記パターンの側面が支えになるので、各グリーンシートが平面方向に収縮するのが抑制され、クラックやデラミネーションがより一層発生し難くなる。
【0100】
特に、熱収縮率調整用材料として第1セラミック絶縁層の構成材料と同じものを使用すると、第1グリーンシートの熱収縮率を第2グリーンシートの熱収縮率により一層近づけ易くすることができる。
【0101】
更に、熱収縮率調整用材料として導電性材料よりなるものを使用すると、工程数を増やさずに熱収縮率調整用材料を形成することができる。
【0102】
そして、熱収縮率調整用材料としてセラミック材料よりなるものを使用すると、導電性材料を使用する場合よりも多層セラミック基板のコストを安くすることができる。
【0103】
更に、第2グリーンシートの表面を保護フィルムで覆ってから凹部を第2グリーンシートに形成し、その保護フィルムが残存する状態で凹部に熱収縮率調整用材料を埋め込むことで、該熱収縮率調整用材料が第2グリーンシート内の導電性ビア充填材等と混ざり合うのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来例に係る多層セラミック基板の断面図である。
【図2】従来例に係る別の多層セラミック基板の断面図である。
【図3】本発明の各実施の形態に係る多層セラミック基板の製造工程で使用されるグリーンシート法について示す斜視図である。
【図4】図4(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その1)である。
【図5】図5(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その2)である。
【図6】図6(a)、(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その3)である。
【図7】図7(a)は、図4(c)の工程を終了後の第1グリーンシートの斜視図であり、図7(b)は、図4(d)の工程を終了後の第1グリーンシートの斜視図である。
【図8】図8(a)は、図5(c)の工程を終了後の第2グリーンシートの斜視図であり、図8(b)は、図5(d)の工程を終了後の第2グリーンシートの斜視図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その1)である。
【図10】図10(a)〜(d)は、本発明の第2の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その2)である。
【図11】図11(a)、(b)は、本発明の第2の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図(その3)である。
【図12】図12(a)は、図10(c)の工程を終了後の第2グリーンシートの斜視図であり、図12(b)は、図10(d)の工程を終了後の第2グリーンシートの斜視図である。
【図13】図13(a)は、本発明の第3の実施の形態における第1グリーンシートの斜視図であり、図13(b)は、図13(a)のI−I線断面図である。
【図14】図14(a)は、本発明の第3の実施の形態における一枚目の第2グリーンシートの斜視図であり、図14(b)は、図14(a)のI−I線断面図である。
【図15】図15(a)は、本発明の第3の実施の形態におけるニ枚目の第2グリーンシートの斜視図であり、図15(b)は、図15(a)のI−I線断面図である。
【図16】本発明の第3の実施の形態に係る多層セラミック基板の製造方法について示す断面図である。
【図17】本発明のその他の実施の形態に係る多層セラミック基板の断面図である。
【符号の説明】
1・・・第1グリーンシート、1a、5a・・・ビアホール、1d・・・第1セラミック絶縁層、2・・・シリコンフィルム、3、106・・・導電性ビア充填材、4、105・・・配線パターン、5・・・第2グリーンシート、5b・・・熱収縮率調整用ビアホール、5c・・・凹部、5d・・・第2セラミック絶縁層、6、11・・・熱収縮率調整用材料、7・・・ドクターブレード、7a・・・隙間、8・・・受動素子、10・・・保護フィルム、12・・・熱収縮率調整用材料のパターン、101〜104・・・セラミック絶縁層、102a〜104a・・・ビアホール。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer ceramic substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a multilayer ceramic substrate formed by laminating ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, mobile terminal devices such as mobile phones and Bluetooth have become widespread, and wireless information communication and wireless LAN (Local Area Network) have a large volume of information such as voice, images, and data transmitted at a higher speed. It is hoped that it will be. Currently, mobile terminal devices are rapidly becoming smaller, more multifunctional, and more sophisticated in order to meet these demands, but in order to further promote these, the density of mounting substrates such as ceramic multilayer substrates must be further increased. It is desired that the high frequency circuit be modularized on a ceramic multilayer substrate. Thus, the ceramic multilayer substrate plays a significant role in improving the performance of mobile terminal devices and the like.
[0003]
FIG. 1 shows such a conventional multilayer ceramic substrate. The multilayer ceramic substrate is formed by laminating a plurality of ceramic
[0004]
The multilayer ceramic substrate is obtained by laminating a plurality of thin-film green sheets, heating and firing them, and the fired green sheets become the ceramic
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, in the above-described ceramic multilayer substrate, passive components such as an antenna, a filter, and a capacitor may be embedded in each of the ceramic
[0006]
However, if the electrical characteristics of the materials differ, the thermal shrinkage usually differs, so that when the green sheet is fired, the amount of thermal shrinkage in the plane direction (the direction perpendicular to the normal line of the green sheet) is reduced. Depending on each of the
[0007]
In order to solve this inconvenience, a method shown in FIG. 2 has also been proposed. In this method, when firing the laminated film of the green sheet, the upper and lower portions of the laminated film are pressed using the alumina sintered
[0008]
However, in this method, when the
[0009]
The present invention has been made in view of the problems of the related art, and has as its object to provide a multilayer ceramic substrate capable of preventing cracks and delamination of a ceramic insulating layer, and a method of manufacturing the same.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The above object is achieved by forming a thermal shrinkage adjusting via hole in at least one of the ceramic insulating layers in a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different thermal shrinkage rates, and forming a heat shrinkage adjusting material there. The problem is solved by a multilayer ceramic substrate characterized by embedding.
[0011]
Alternatively, a step of producing a first green sheet and a second green having different heat shrinkage rates from each other; a step of forming a via hole for adjusting a heat shrinkage rate in the second green sheet; A step of embedding a material for adjusting shrinkage, and after embedding the material for adjusting heat shrinkage, laminating and firing the first green sheet and the second green sheet to form the first green sheet into the first green sheet. Forming a ceramic insulating layer and the second green sheet as a second ceramic insulating layer.
[0012]
Next, the operation of the present invention will be described.
[0013]
According to the present invention, the heat shrinkage adjusting material is embedded in the heat shrinkage adjusting via hole of the second green sheet, and the heat shrinkage of the entire second green sheet is determined by the heat shrinkage of the heat shrinkage adjusting material. By adjusting, the difference in the amount of heat shrinkage between the first green sheet and the second green sheet is reduced. This prevents cracks and delaminations from occurring in the ceramic insulating layer obtained by firing each green sheet, and improves the quality of the multilayer ceramic substrate.
[0014]
In addition, the same effect as described above can be obtained by forming a recess in the second green sheet instead of the above-described via hole for adjusting heat shrinkage and embedding a material for adjusting heat shrinkage into the recess.
[0015]
Further, the same effect as described above can be obtained by forming a pattern of a heat shrinkage rate adjusting material on the second green sheet instead of the via hole or the concave portion. Moreover, in this case, since the side surface of the pattern of the heat shrinkage adjusting material serves as a support, the shrinkage of each green sheet in the planar direction is suppressed, and cracks and delaminations are further less likely to occur.
[0016]
In any of the above inventions, when the same material as the material of the first ceramic insulating layer is used as the material for adjusting the heat shrinkage, the heat shrinkage of the first green sheet is determined by the heat shrinkage of the second green sheet. It is easier to get closer.
[0017]
Further, when a material made of a conductive material is used as the heat shrinkage adjusting material, the heat shrinkage adjusting material is embedded in the via hole or the recess at the same time as the conductive via filler used for the electrical connection between the layers is embedded. Since it can be embedded, the heat shrinkage rate adjusting material is formed without increasing the number of steps.
Similarly, since the pattern of the heat shrinkage adjusting material can be formed simultaneously with the formation of the wiring pattern on the second green sheet, the number of steps does not increase.
[0018]
On the other hand, when a ceramic material is used as the heat shrinkage material, the cost of the multilayer ceramic substrate is lower than when a conductive material is used because the ceramic material is inexpensive.
[0019]
In the case where the concave portion is formed in the second green sheet, the surface of the second green sheet is covered with a protective film before the concave portion is formed, and the concave portion is formed by penetrating the projection piece through the protective film. Is preferred. By embedding the heat shrinkage adjusting material in the recesses while the protective film remains, it is possible to prevent the heat shrinkage adjusting material from being mixed with the conductive via filler and the like in the second green sheet. .
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0021]
(1) First embodiment
FIG. 3 is a perspective view showing a green sheet method used in each embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 6 are cross-sectional views showing manufacturing steps of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG.
[0022]
First, acetone is used as a solvent, and a solution in which 8 wt% of PVB (polyvinyl butyral) is dissolved as a binder and 5 wt% of DBP (dibutyl phthalate) as a plasticizer is dissolved in the acetone is prepared. Then, Al having a particle size of 5 μm 2 O 3 A mixed material containing 40 vol% of powder in volume fraction and 60 vol% of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm in volume fraction is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated at a rotation speed of 100 rpm for 16 hours by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste A.
[0023]
Subsequently, the ceramic paste A is put into the
[0024]
Next, after cutting the laminate of the first
[0025]
Next, an Ag paste is embedded in the via hole 1a by a printing method, and the Ag paste and the first
[0026]
Thereafter, the silicon film 2 is peeled off, and a pattern of an Ag paste is formed on one surface of the
[0027]
The above steps are based on the first
[0028]
To prepare the second green sheet, first, acetone is used as a solvent, and PVB as a binder is dissolved in the acetone by 8 wt%, and DBP as a plasticizer is further dissolved in 5 wt% to prepare a solution. Next, TiO having a particle size of 3 μm 2 Powder containing 30 vol% in volume fraction and neodymium titanate (NdTiO 3 A) A mixed material containing 70 vol% of a borosilicate glass powder having a particle diameter of 3 μm for depositing crystals is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated at a rotation speed of 100 rpm for 16 hours by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste B.
[0029]
Then, the ceramic paste B is applied on the silicon film 2 by the green sheet method shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 5A, a laminate of the second
[0030]
Next, after cutting the laminate of the second
[0031]
The thermal shrinkage adjusting via
[0032]
Next, an Ag powder is mixed with an organic solvent and a binder to prepare an Ag paste. The Ag paste is embedded in the via
[0033]
When the Ag paste adheres to the main surface of the second
[0034]
Thereafter, the silicon film 2 is peeled off, an Ag paste pattern is formed on one surface of the second
[0035]
Next, as shown in FIG. 6A, the second
[0036]
Next, steps required until a sectional structure shown in FIG.
[0037]
First, the above-described laminate is fired at 900 ° C. for 5 hours, so that the first
[0038]
At this time, since the first
[0039]
Therefore, in the present embodiment, the heat
[0040]
As a result of actual investigation by the present inventors, the density of the multilayer ceramic substrate obtained as described above is 95% or more (that is, the gap is less than 5%), the shrinkage in the plane direction is about 11%, and the thickness in the thickness direction is about 11%. The shrinkage was about 8%, and no crack or delamination was observed.
[0041]
In this method, since the multilayer ceramic substrate is not pressed in the thickness direction during firing, the
[0042]
The composition of the heat
[0043]
Among these, when the conductive paste is used, the
[0044]
On the other hand, when a ceramic paste is used, since the ceramic paste is inexpensive, the cost of the multilayer ceramic substrate can be reduced as compared with the case where a conductive paste is used.
[0045]
Thereafter,
[0046]
(2) Second embodiment
9 to 11 are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
[0047]
First, the first
[0048]
First, a solution is prepared by using acetone as a solvent, dissolving 8 wt% of PVB as a binder in the acetone, and further dissolving 3 wt% of DBP as a plasticizer. Then, Al having a particle size of 5 μm 2 O 3 45 vol% of powder in volume fraction and diopside (CaMgSi 2 O 6 A) A mixed material containing 55 vol% in volume fraction of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm for precipitating crystals is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated for 16 hours at a rotation speed of 100 rpm by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste C. Then, using the ceramic paste C, the same steps as in the first embodiment are performed to produce the first
[0049]
Next, the process proceeds to the second green sheet manufacturing process.
[0050]
To prepare the second green sheet, first, acetone is used as a solvent, PVB is dissolved in the acetone as 8 wt% as a binder, and DBP as a plasticizer is further dissolved in 3 wt% to prepare a solution. Next, TiO having a particle size of 3 μm 2 Containing 30 vol% of powder in volume fraction and Nd 2 O 3 A mixed material containing 70 vol% in volume fraction of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm for precipitating crystals is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated by a ball mill method at a rotation speed of 100 rpm for 16 hours, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste D.
[0051]
Thereafter, the same steps as in FIGS. 5A to 5C of the first embodiment are performed to obtain the structure shown in FIG. However, in the present embodiment, the via
[0052]
Next, steps required until a sectional structure in FIG. First, after the silicon film 2 is peeled off, a
[0053]
Next, as shown in FIG. 10C, a ceramic paste is embedded in the
[0054]
The ceramic paste is not particularly limited. Various ceramic pastes and conductive pastes mentioned as substitutes for the heat
[0055]
In the above description, before the ceramic paste is printed, the silicon film 2 is peeled off and the
[0056]
FIG. 12A is a perspective view of the second
[0057]
Thereafter, the
[0058]
Next, as shown in FIG. 11A, a total of 15 sheets of seven second
[0059]
Next, steps required until a sectional structure shown in FIG.
[0060]
First, the above-mentioned laminate is fired at 900 ° C. for 5 hours, so that the first
[0061]
During this firing, a
[0062]
In particular, by using the same material as the first
[0063]
As a result of actual investigation by the present inventors, the density of the multilayer ceramic substrate obtained as described above is 98% or more (that is, the gap is less than 2%), the shrinkage in the plane direction is about 13%, and the thickness in the thickness direction is about 13%. The shrinkage was about 7%, and no crack or delamination was observed.
[0064]
Thereafter,
[0065]
(3) Third embodiment
In the present embodiment, the same reference numerals as those in the first and second embodiments are used for members already described in the first and second embodiments, and description thereof will be omitted below.
[0066]
In the first and second embodiments described above, two types of green sheets having different heat shrinkage rates are used.
[0067]
On the other hand, in this embodiment, three types of green sheets having different heat shrinkage rates are used. One of the three types is the first
[0068]
Since the manufacturing process of the first
[0069]
First, acetone or ethanol is used as a solvent, 5 to 10 wt% of PVB is dissolved as a binder in the solvent, and 3 to 5 wt% of DBP is further dissolved as a plasticizer to prepare a solution. Then, Al having a particle size of 5 μm 2 O 3 A mixed material containing 40 vol% of powder in volume fraction and 60 vol% of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm in volume fraction is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated for 16 hours at a rotation speed of 100 rpm by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste F. Then, the same steps as in the first embodiment are performed by using the ceramic paste F, and the first
[0070]
On the other hand, the remaining two green sheets of the three types are both the second
[0071]
FIGS. 14A and 14B show a perspective view and a sectional view of the first second
[0072]
First, acetone or ethanol is used as a solvent, 5 to 10 wt% of PVB is dissolved as a binder in the solvent, and 3 to 5 wt% of DBP is further dissolved as a plasticizer to prepare a solution. Then, Al having a particle size of 5 μm 2 O 3 45 vol% of powder in volume fraction and diopside (CaMgSi 2 O 6 A) A mixed material containing 55 vol% in volume fraction of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm on which crystals are precipitated is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated at a rotation speed of 100 rpm for 16 hours by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste G. Then, the same steps as in the first embodiment are performed using the ceramic paste G, and the second
[0073]
In the second
[0074]
Next, the second
[0075]
First, acetone or ethanol is used as a solvent, 5 to 10 wt% of PVB is dissolved as a binder in the solvent, and 3 to 5 wt% of DBP is further dissolved as a plasticizer to prepare a solution. Next, TiO having a particle size of 3 μm 2 Containing 30 vol% of powder in volume fraction and Nd 2 O 3 A mixed material containing 70 vol% in volume fraction of borosilicate glass powder having a particle size of 3 μm for precipitating crystals is prepared and put into a pot together with the above solution. Then, the pot is rotated at a rotation speed of 100 rpm for 16 hours by a ball mill method, and the mixed material and the solution in the pot are kneaded to produce a ceramic paste H. Then, the same steps as in the first embodiment are performed using the ceramic paste H, and the second
[0076]
The second
[0077]
Thereafter, the process proceeds to the step of laminating and firing the three types of green sheets described above.
[0078]
First, the three types of green sheets described above, that is, the first
[0079]
Next, as shown in FIG. 16B, the above-described laminate is fired at 900 ° C. for 5 hours to make the first green sheet 1 a first ceramic insulating
[0080]
According to this embodiment described above, the thermal shrinkage adjusting via
[0081]
As a result of actual investigation by the present inventors, the density of the multilayer ceramic substrate obtained as described above is 95% or more (that is, the gap is less than 5%), the shrinkage in the plane direction is about 10%, and the thickness in the thickness direction is about 10%. The shrinkage was about 6%, and no crack or delamination was observed.
[0082]
Thereafter,
[0083]
(4) Other embodiments
In the first to third embodiments, the heat
[0084]
Such a heat shrinkage
[0085]
As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail, but the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the number of layers and the order of lamination of each green sheet may be arbitrary. Further, each of the above embodiments may be performed independently, or each embodiment may be arbitrarily combined.
[0086]
Hereinafter, features of the present invention will be additionally described.
[0087]
(Supplementary Note 1) In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a thermal shrinkage adjusting via hole is formed in at least one of the ceramic insulating layers, and a heat shrinkage adjusting material is embedded therein.
[0088]
(Supplementary Note 2) In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a concave portion is formed in at least one of the ceramic insulating layers, and a material for adjusting heat shrinkage is embedded therein.
[0089]
(Supplementary Note 3) In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a pattern of a material for adjusting heat shrinkage is formed on a surface of at least one of the ceramic insulating layers.
[0090]
(Supplementary Note 4) The multilayer ceramic substrate according to any one of
[0091]
(Supplementary Note 5) The heat shrinkage rate adjusting material is Al 2 O 3 , SiO 2 , B 2 O 3 , CaO, MgO, ZnO, SrO, BaO, TiO 2 , PbO, BiO 3 , Li 2 O, ZrO 2 , And Y 2 O 3 5. The multilayer ceramic substrate according to any one of
[0092]
(Supplementary Note 6) The supplementary notes 1 to 3, wherein the heat shrinkage rate adjusting material is a conductive material containing at least one of Ag, Pd, Au, Pt, Cu, W, Mo, and Ni. The multilayer ceramic substrate according to any one of the above.
[0093]
(Supplementary Note 7) The multilayer ceramic substrate according to any one of
[0094]
(Supplementary Note 8) a step of producing a first green sheet and a second green having mutually different heat shrinkage rates;
Forming a heat shrinkage rate adjusting via hole in the second green sheet;
Embedding a heat shrinkage adjusting material in the heat shrinkage adjusting via hole,
After embedding the heat shrinkage rate adjusting material, the first green sheet and the second green sheet are laminated and fired to form the first green sheet into a first ceramic insulating layer and the second green sheet. Turning the sheet into a second ceramic insulating layer;
A method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, comprising:
[0095]
(Supplementary Note 9) a step of producing a first green sheet and a second green having mutually different heat shrinkage rates;
Forming a recess in the second green sheet;
A step of embedding a heat shrinkage adjusting material in the recess,
After embedding the heat shrinkage rate adjusting material, the first green sheet and the second green sheet are laminated and fired to form the first green sheet into a first ceramic insulating layer and the second green sheet. Turning the sheet into a second ceramic insulating layer;
A method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, comprising:
[0096]
(Supplementary Note 10) In the step of forming the concave portion, the concave portion is formed by covering a surface of the second green sheet with a protective film, and penetrating a projection piece through the protective film.
The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 9, wherein the step of embedding the heat shrinkage rate adjusting material in the concave portion is performed in a state where the protective film remains.
[0097]
(Supplementary Note 11) a step of producing a first green sheet and a second green having mutually different heat shrinkage rates;
Forming a pattern of a heat shrinkage adjusting material on the second green sheet;
After forming the pattern of the heat shrinkage rate adjusting material, the first green sheet and the second green sheet are laminated and fired, so that the first green sheet becomes the first ceramic insulating layer and the second green sheet becomes the second ceramic insulating layer. Turning the green sheet into a second ceramic insulating layer;
A method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, comprising:
[0098]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the material for adjusting the heat shrinkage is embedded in the concave portion of the second green sheet or the via hole for adjusting the heat shrinkage, and the heat shrinkage of the second green sheet is reduced by the heat of the first green sheet. Since the shrinkage ratio is approximated, the occurrence of cracks and delamination during firing can be prevented, and the quality of the multilayer ceramic substrate can be improved.
[0099]
The same advantage as described above can be obtained by forming a pattern for adjusting the heat shrinkage on the second green sheet. In this case, since the side surface of the pattern serves as a support, each green sheet is placed in the planar direction. Shrinkage is suppressed, and cracks and delaminations are more unlikely to occur.
[0100]
In particular, when the same material as the material of the first ceramic insulating layer is used as the material for adjusting the heat shrinkage, the heat shrinkage of the first green sheet can be made closer to the heat shrinkage of the second green sheet.
[0101]
Further, when a material made of a conductive material is used as the heat shrinkage adjusting material, the heat shrinkage adjusting material can be formed without increasing the number of steps.
[0102]
When a material made of a ceramic material is used as the material for adjusting the heat shrinkage, the cost of the multilayer ceramic substrate can be reduced as compared with the case where a conductive material is used.
[0103]
Further, a concave portion is formed in the second green sheet after the surface of the second green sheet is covered with the protective film, and a material for adjusting the heat shrinkage is embedded in the concave portion in a state where the protective film remains. The adjustment material can be prevented from being mixed with the conductive via filler and the like in the second green sheet.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate according to a conventional example.
FIG. 2 is a cross-sectional view of another multilayer ceramic substrate according to a conventional example.
FIG. 3 is a perspective view showing a green sheet method used in a manufacturing process of the multilayer ceramic substrate according to each embodiment of the present invention.
FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views (part 1) illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views (part 2) illustrating the method for manufacturing the multilayer ceramic substrate according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views (part 3) illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the first embodiment of the present invention.
7 (a) is a perspective view of the first green sheet after the step of FIG. 4 (c), and FIG. 7 (b) is a perspective view of the first green sheet after the step of FIG. 4 (d). It is a perspective view of a 1st green sheet.
8 (a) is a perspective view of the second green sheet after the step of FIG. 5 (c), and FIG. 8 (b) is a view after the step of FIG. 5 (d). It is a perspective view of a 2nd green sheet.
FIG. 9 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing the multilayer ceramic substrate according to the second embodiment of the present invention.
FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views (part 2) illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to a second embodiment of the present invention.
FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views (part 3) illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to a second embodiment of the present invention.
12 (a) is a perspective view of the second green sheet after the step of FIG. 10 (c), and FIG. 12 (b) is a view after the step of FIG. 10 (d). It is a perspective view of a 2nd green sheet.
FIG. 13 (a) is a perspective view of a first green sheet according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 13 (b) is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 13 (a). It is.
FIG. 14A is a perspective view of a first second green sheet according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line I- of FIG. 14A. It is an I line sectional view.
FIG. 15A is a perspective view of a second second green sheet according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line I- of FIG. It is an I line sectional view.
FIG. 16 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate according to another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (5)
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層に熱収縮率調整用ビアホールを形成してそこに熱収縮率調整用材料を埋め込んだことを特徴とする多層セラミック基板。In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a thermal shrinkage adjusting via hole is formed in at least one of the ceramic insulating layers, and a heat shrinkage adjusting material is embedded therein.
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層に凹部を形成してそこに熱収縮率調整用材料を埋め込んだことを特徴とする多層セラミック基板。In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a concave portion is formed in at least one of the ceramic insulating layers, and a material for adjusting heat shrinkage is embedded therein.
少なくとも一層の前記セラミック絶縁層の表面上に熱収縮率調整用材料のパターンを形成したことを特徴とする多層セラミック基板。In a multilayer ceramic substrate having at least two ceramic insulating layers having different heat shrinkage rates from each other,
A multilayer ceramic substrate, wherein a pattern of a material for adjusting heat shrinkage is formed on a surface of at least one of the ceramic insulating layers.
前記第2グリーンシートに熱収縮率調整用ビアホールを形成する工程と、
前記熱収縮率調整用ビアホールに熱収縮率調整用材料を埋め込む工程と、
前記熱収縮率調整用材料を埋め込んだ後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程と
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。Producing a first green sheet and a second green having different heat shrinkage rates from each other;
Forming a heat shrinkage rate adjusting via hole in the second green sheet;
Embedding a heat shrinkage adjusting material in the heat shrinkage adjusting via hole,
After embedding the heat shrinkage adjusting material, the first green sheet and the second green sheet are laminated and fired to form the first green sheet into a first ceramic insulating layer and the second green sheet. Forming a second ceramic insulating layer from the sheet.
前記第2グリーンシートに凹部を形成する工程と、
前記凹部に熱収縮率調整用材料を埋め込む工程と、
前記熱収縮率調整用材料を埋め込んだ後、前記第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層してそれらを焼成し、前記第1グリーンシートを第1セラミック絶縁層にすると共に前記第2グリーンシートを第2セラミック絶縁層にする工程と
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。Producing a first green sheet and a second green having different heat shrinkage rates from each other;
Forming a recess in the second green sheet;
A step of embedding a heat shrinkage adjusting material in the recess,
After embedding the heat shrinkage adjusting material, the first green sheet and the second green sheet are laminated and fired to form the first green sheet into a first ceramic insulating layer and the second green sheet. Forming a second ceramic insulating layer from the sheet.
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