JP2004022636A - Ceramic electronic part and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミック電子部品の製造方法およびセラミック電子部品に関するもので、特に、セラミック電子部品に備える電子部品本体となるチップの面取り方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図8および図9には、それぞれ、この発明にとって興味あるセラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサが示されている。
【0003】
図8に示した積層セラミックコンデンサ1は、一般的な構造を有するものである。積層セラミックコンデンサ1は、セラミックをもって構成される直方体状のチップによって与えられる電子部品本体2を備えている。電子部品本体2は、誘電体セラミックからなる複数のセラミック層3を備える積層構造を有している。セラミック層3間の特定の界面に沿って、第1および第2の内部電極4および5が互いに対向しかつ交互に配置されるように形成されている。
【0004】
第1の内部電極4は、電子部品本体2の特定の側面6にまで到達するように形成され、第2の内部電極5は、側面6に対向する側面7にまで到達するように形成される。側面6および7上には、それぞれ、第1および第2の外部電極8および9が形成され、第1および第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続される。
【0005】
このような積層セラミックコンデンサ1を製造するため、焼成工程を経て電子部品本体2が作製され、次いで、電子部品本体2の欠けや割れを防止することを主な目的として、面取り処理が実施され、その後、側面6および7の各々上に導電性ペーストをディッピングによって付与し、これを焼き付けることによって、第1および第2の外部電極8および9が形成される。
【0006】
図9に示した積層セラミックコンデンサ11は、薄型の積層セラミックコンデンサにおいて有利に採用される構造を有している。積層セラミックコンデンサ11は、セラミックをもって構成される直方体状のチップによって与えられる電子部品本体12を備えている。電子部品本体12は、誘電体セラミックからなる複数のセラミック層13を備える積層構造を有している。セラミック層13間の特定の界面に沿って、第1および第2の内部電極14および15が互いに対向しかつ交互に配置されるように形成されている。
【0007】
電子部品本体12の相対向する端部には、第1および第2の貫通導体16および17がそれぞれ厚み方向に貫通するように設けられている。第1および第2の貫通導体16および17は、電子部品本体2の内部において、それぞれ、第1および第2の内部電極14および15と電気的に接続されている。
【0008】
第1の貫通導体16に電気的に接続されるように、第1の外部電極18および19が、電子部品本体12の主面20および21上にそれぞれ形成され、第2の貫通導体17に電気的に接続されるように、第2の外部電極22および23が、電子部品本体12の主面20および21上にそれぞれ形成されている。
【0009】
このような積層セラミックコンデンサ11を製造するため、電子部品本体12の生の状態において、第1および第2の貫通導体16および17のための貫通孔24および25が設けられ、貫通孔24および25内に導電性ペーストが充填される。導電性ペーストは、貫通孔24および25の内周面上にのみ付与されてもよい。次に、生の電子部品本体12が焼成され、次いで、電子部品本体12の欠けや割れを防止することを主な目的として面取り処理が施され、その後、導電性ペーストをスクリーン印刷によって付与し、これを焼き付けることによって、外部電極18、19、22および23が形成される。
【0010】
これら積層セラミックコンデンサ1および11の製造において、前述した面取り処理は、通常、バレル研磨によって行なわれている。バレル研磨によって、電子部品本体2または12となる焼結後のチップの各稜線部分での面取りが行なわれかつ表面が研磨され、それによって、バリが除去され、バリの残存等によるチップの欠けや割れ等のチッピングを防止するようにされる。
【0011】
また、図8に示した電子部品本体2の場合には、面取り処理によって、その側面6および7に内部電極4および5を確実に露出させることができる。図9に示した電子部品本体12の場合には、面取り処理によって、貫通導体16および17を主面20および21上に確実に露出させることができる。また、複数個のチップを得るため、分離により複数個のチップを与えるマザー構造物をダイシングカットする場合には、このバレル研磨によって、ソーマークも除去される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したバレル研磨の結果、チップに欠けや割れが生じることがあった。特に、図9に示した電子部品本体12のためのチップのように、その厚みが薄いもの、たとえば、厚みがたとえば0.15mmあるいは0.1mmというように0.3mm以下のものでは、欠けや割れといったチッピングがより生じやすい。
【0013】
このようなチッピングを防止するため、バレル研磨を実施する時間を短縮したり、バレル研磨において適用される単位時間あたりの回転数を減らしたりするなど、バレル研磨での条件を緩やかにすると、十分な研磨状態を達成できず、そのため、後の工程において、チッピングが生じやすくなったり、図8に示した積層セラミックコンデンサ1について言えば、内部電極4および5と外部電極8および9との間で接続不良が生じたりすることがある。
【0014】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、セラミック電子部品の製造方法およびセラミック電子部品を提供しようとすることである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明は、まず、セラミック電子部品の製造方法に向けられ、上述した技術的課題を解決するため、簡単に言えば、面取り工程において、ブラスト処理が採用されることを特徴としている。
【0016】
より詳細には、この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミック電子部品に備える電子部品本体のためのセラミックをもって構成される複数個の直方体状のチップを、各チップの主面が平面的に並びかつ互いに所定の間隔を隔てた状態で支持台上に整列させて配置する工程と、チップを面取りするため、支持台上で複数個のチップに対してブラスト処理する工程とを備えることを特徴としている。上述のブラスト処理する工程は、チップの第1の主面を外側に向けた状態と第2の主面を外側に向けた状態との双方について実施される。
【0017】
上述の支持台は、好ましくは、粘着面を有するシートによって与えられる。したがって、チップを支持台上に配置するため、複数個のチップを、粘着面に粘着する工程が実施される。
【0018】
上述したシートは、好ましくは、発泡剥離シートによって与えられる。発泡剥離シートは、半導体素子やその他の電子部品の分野において、ダイシングカットされるべき構造物を粘着により固定するために一般的に用いられているものである。
【0019】
この発明に係るセラミック電子部品の製造方法において、支持台として、上述の発泡剥離シートが用いられる場合、チップを支持台上に配置する工程は、分離により複数個のチップを与えるマザー構造物を発泡剥離シート上に粘着する工程と、複数個のチップを得るため、マザー構造物を発泡剥離シート上で分離する工程とを備えることが好ましい。このような構成を採用すれば、マザー構造物を分離した段階で、複数個のチップが支持台上で整列されて配置された状態を得ることができる。
【0020】
上述のマザー構造物を分離する工程において、マザー構造物をダイシングカットすることが好ましい。これによれば、ダイシングカット後の段階で、複数個のチップの互いの間に所定の間隔を自然に形成することができる。
【0021】
この発明において、支持台として、前述したような粘着面を有するシートが用いられる場合、チップを支持台上に配置する工程において、シートを面方向に引張り、それによって、チップの互いの間に所定の間隔を形成するようにしても、あるいは、チップが配置された側を外側に向けてシートを湾曲させることによって、チップの互いの間に所定の間隔を形成するようにしてもよい。
【0022】
この発明に係るセラミック電子部品の製造方法において、ブラスト処理する工程において、好ましくは、複数個のチップが配置された領域の幅をカバーする長手のブラストノズルが用いられる。この場合、ブラスト処理する工程において、ブラストノズルがチップの上方に配置され、ブラストノズルの長手方向とは交差する方向にブラストノズルと支持台とを相対的に移動させ、それによって、複数個のチップが配置された全領域に対してブラスト処理を達成するようにされる。この場合において、ブラストノズルと支持台との相対的移動は、ブラストノズルのみを移動させても、支持台のみを移動させても、ブラストノズルおよび支持台の双方を移動させてもよい。
【0023】
上述のブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向は、各チップの主面に対して30〜60度の範囲になるように選ばれることが好ましい。
【0024】
上述した好ましい実施態様において、ブラストノズルと支持台とが相対的に往復移動する場合には、往方向の移動と復方向の移動との間で、ブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向が、チップの主面に対して直交する面を対称面として対称となるように変更されることが好ましい。
【0025】
上述の実施態様に代えて、2個のブラストノズルが用いられてもよい。この場合には、第1のブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向と第2のブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向とが、チップの主面に対して直交する面を対称面として互いに対称となるようにされることが好ましい。
【0026】
また、ブラストノズルと支持台とを相対的に移動させる方向は、各チップの主面を規定する辺の延びる方向に対して実質的に45度の角度をなす方向に選ばれてもよい。
【0027】
前述したように、ブラスト処理する工程を、チップの第1の主面を外側に向けた状態と第2の主面を外側に向けた状態との双方について実施するため、好ましくは、チップを第1のシートから第2のシートへと粘着面の粘着力の差により移し替える工程を実施することが好ましい。
【0028】
この発明は、また、上述のような製造方法によって得られた、チップを電子部品本体とする、セラミック電子部品にも向けられる。この発明による効果は、電子部品本体が0.3mm以下の厚みを有するとき、特に顕著となる。
【0029】
上述の電子部品本体は、複数のセラミック層を備える積層構造を有していることが好ましい。
【0030】
この発明に係るセラミック電子部品は、次のような構造的特徴を有している。すなわち、この発明に係るセラミック電子部品は、互いに対向する第1および第2の主面ならびに第1および第2の主面間を連結する4つの側面とを有し、かつセラミックをもって構成される、直方体状のチップを電子部品本体とするものであり、上述のチップの第1および第2の主面の各々と側面とが交差する稜線での面取りが、隣り合う側面が互いに交差する稜線での面取りに比べてより深い。
【0031】
【発明の実施の形態】
図1ないし図4は、この発明の第1の実施形態を説明するためのものである。ここで、図1には、複数個のチップ31が、支持台としての発泡剥離シート32上に配置された状態が平面図で示されている。チップ31は、前述の図8または図9に示した電子部品本体2または12となるべきもので、比較的薄型の直方体形状をなしている。これらチップ31は、各々の主面33が平面的に並びかつ互いに所定の間隔34を隔てた状態で整列されて発泡剥離シート32上に配置されている。
【0032】
発泡剥離シート32は、チップ31を粘着により保持するための粘着面35を有している。発泡剥離シート32は、詳細には図示しないが、たとえば、ポリエチレンテレフタレートからなる基材を備え、その上に発泡剥離層が形成された構造を有し、その厚みは、全体として約0.15mm程度である。発泡剥離層は、たとえば熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂から構成され、これら樹脂の硬化前の状態で有する粘着力によって前述した粘着面35が与えられる。また、チップ31を発泡剥離シート32から剥離したい場合には、発泡剥離層に熱または紫外線を付与すれば、これが硬化され、それによって、粘着性を失うので、このような剥離を容易に行なうことができる。
【0033】
図1に示すような状態を得るため、複数個のチップ31を用意した後、これらを発泡剥離シート32上に整列させて配置してもよいが、好ましくは、次のような工程が実施される。すなわち、分離により複数個のチップ31を与えるマザー構造物が用意され、このマザー構造物が発泡剥離シート32上に粘着される。そして、複数個のチップ31を得るため、マザー構造物が発泡剥離シート32上で分離される。この分離工程において、マザー構造物をダイシングカットするようにすれば、ダイシングカットによって形成される溝を、そのまま、前述した間隔34として機能させることができる。
【0034】
この実施形態において、チップ31は、一例として、1.0〜1.6mmの長手方向寸法、0.5〜0.8mmの幅方向寸法および0.1〜0.3mmの厚み方向寸法を有している。また、発泡剥離シート32上での隣り合うチップ31間の間隔は、たとえば0.15mm程度とされる。
【0035】
図2には、ブラスト処理工程を実施している状態が正面図で示されている。
【0036】
ブラスト処理するにあたって、ブラストノズル36が、チップ31の上方に配置される。このブラストノズル36は、図1において1点鎖線で示すように、複数個のチップ31が配置された領域の幅をカバーする長手の形状を有している。また、複数個のチップ31が配置された全領域に対してブラスト処理を達成するため、ブラストノズル36は、矢印37で示すように、ブラストノズル36の長手方向とは交差する方向に移動される。
【0037】
また、ブラストノズル36によるブラスト材38の好ましい吹き付け方向は、チップ31の厚み方向寸法や間隔34の大きさによっても異なるが、一般的に、各チップ31の主面33に対して30〜60度の範囲になるように選ばれることが好ましい。これによって、ブラスト材38を、チップ31の主面33と側面39との双方に同時にかつほぼ均等に吹き付けることができる。
【0038】
このようなブラスト処理において、たとえば、メディアでありブラスト材38としては、アルミナ粉が用いられ、このアルミナ粉をエアーで吹き付けるサンドブラスト(乾式ブラスト)が行なわれる。
【0039】
また、上述のように、ブラストノズル36を矢印37方向へ移動させた後、破線の矢印40で示すように、ブラストノズル36を逆方向に移動させることが好ましい。このように、ブラストノズル36を往復移動させる場合、矢印37で示す往方向の移動と矢印40で示す復方向の移動との間で、ブラストノズル36によるブラスト材38の吹き付け方向を、図2に示すように、チップ31の主面33に対して直交する面を対称面として対称となるように変更することが好ましい。これによって、ブラストノズル36の復方向の移動では、チップ31の前述した側面39に対向する側面41と主面33との双方にブラスト材38を同時に吹き付けることができる。
【0040】
また、この実施形態において、ブラストノズル36を、その長手方向が図1において横方向に向くように配置し、両方向矢印42で示すように、さらに往復移動させることが好ましい。
【0041】
図2に示したように、チップ31の主面33を外側に向けた状態でブラスト処理が実施された後、主面33と対向する主面43を外側に向けた状態で同様のブラスト処理が繰り返される。このように、主面43を外側に向けた状態でのブラスト処理を実施するため、チップ31は、図示した第1の発泡剥離シート32から別の第2の発泡剥離シートへと移し替えられる。このとき、第2の発泡剥離シートは、第1の発泡剥離シート32より粘着面での粘着力の強いものとされることが好ましい。このような構成を採用することにより、第1の発泡剥離シート32上に配置されたチップ31の上に第2の発泡剥離シートを重ね、適当にプレスした後、第1の発泡剥離シート32を剥離すれば、第2の発泡剥離シート上にチップ31を能率的かつ確実に移し替えることができる。
【0042】
図3は、チップ31の外観を示す斜視図であり、ブラスト処理による面取りの度合いを説明するためのものである。なお、図3では、面取りされた状態が図示されておらず、したがって、図示されたチップ31はブラスト処理前の状態であると理解すればよい。
【0043】
図3を参照して、チップ31は、前述した相対向する主面33および43を有するとともに、これら主面33および43間を連結する4つの側面として、前述した側面39および41に加えて、側面44および45を有する、直方体形状をなしている。
【0044】
図2に示したブラスト処理工程でのブラスト材38が吹き付けられる頻度は、主面33および43の各々と側面39、41、44および45とが交差する稜線46において比較的高く、他方、隣り合う側面39、41、44および45が互いに交差する稜線47において比較的低くなる。その結果、図4に示すように、前者の稜線46での面取りは、後者の稜線47での面取りに比べてより深くなる。図4は、図3の破線で囲んだ稜線46の部分における断面と稜線47の部分における断面とを重ねて図示したものである。
【0045】
上述のように、稜線46での面取りが、稜線47での面取りより深くなるため、稜線46での面取り半径は、稜線47での面取り半径より大きくなる。このようなチップ31によって与えられた図8または図9に示す電子部品本体2および12において、それぞれ、外部電極8および9ならびに18、19、22および23が形成されたとき、このような外部電極に対する半田付け性は、稜線46での面取り半径が大きい方がより良好になる。他方、稜線47での面取り半径は、半田付け性にそれほど大きな影響を及ぼさない。したがって、この実施形態のように、稜線46での面取りがより深くされると、良好な半田付け性を得ることができる。
【0046】
図5は、この発明の第2の実施形態を説明するための図1に対応する図である。図5において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0047】
この第2の実施形態では、ブラストノズル36の移動の方向は、矢印48で示すように、各チップ31の主面33を規定する辺の延びる方向に対して実質的に45度の角度をなすよう方向に選ばれることを特徴としている。
【0048】
この実施形態によれば、チップ31の2つの側面、たとえば、側面39および44または側面41または45に対して、同時にかつほぼ均等にブラスト材を吹き付けることができる。したがって、ブラストノズル36を、上述の矢印48方向へ移動させた後、破線の矢印49で示す方向へ戻すように移動させるといった一方向についての往復移動だけで、チップ31の4つの側面39、41、44および45のすべてに対してブラスト材を十分に吹き付けることができる。言い換えると、矢印48および49に直交する方向にブラストノズル36を移動させる必要はない。
【0049】
なお、この第2の実施形態においても、ブラストノズル36によるブラスト材の吹き付け方向は、図2を参照して前述したとおりに選ばれる。すなわち、ブラスト材の吹き付け方向は、各チップ31の主面33に対して30〜60度の範囲になるように選ばれ、また、ブラストノズル36の矢印48方向の移動と矢印49方向の移動との間で、ブラスト材の吹き付け方向が、チップ31の主面33に対して直交する面を対称面として対称となるように変更される。
【0050】
また、ブラストノズル36は、この実施形態においても、複数個のチップ31が配置された領域の幅をカバーする長手の形状を有していて、ブラストノズル36の移動方向が、ブラストノズル36の長手方向とは交差する方向に選ばれる。
【0051】
図6は、この発明の第3の実施形態を説明するための図2に対応する図である。図6において、図2に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0052】
この第3の実施形態では、2個のブラストノズル36aおよび36bが用いられることを特徴としている。また、第1のブラストノズル36aによるブラスト材38の吹き付け方向と第2のブラストノズル36bによるブラスト材38の吹き付け方向とは、チップ31の主面33に対して直交する面を対称面として互いに対称となるようにされる。
【0053】
この実施形態によれば、ブラストノズル36aおよび36bを往復移動させる必要はなく、たとえば矢印37で示すように、片道のみ移動させればよい。その他の構成は、前述した第1の実施形態の場合と同様である。
【0054】
図7は、この発明の第4の実施形態を説明するための図2に対応する図である。図7において、図2に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0055】
この第4の実施形態は、発泡剥離シート32上でマザー構造物を分離して複数個のチップ31を得たとき、チップ31の互いの間の間隔34が実質的にないか所定の大きさより小さい場合に有利に適用される。たとえば、マザー構造物をダイシングカットによって分離する場合には、間隔34として比較的大きなものが形成されるが、押し切りなどが適用される場合には、間隔34が実質的にないか間隔34としてわずかなものしか形成されない。
【0056】
上述のような場合、発泡剥離シート32が、たとえば円筒部材51上に配置され、それによって、チップ31が配置された側を外側に向けて発泡剥離シート32を湾曲させることが行なわれる。これによって、チップ31の互いの間に所定の間隔34を確実に形成することができる。
【0057】
また、この実施形態では、ブラストノズル36によるブラスト材38の吹き付け方向を、円筒部材51の中心に向けるようにすれば、間隔34を規定する隣り合うチップ31の各側面、たとえば側面39および41がV字状に開いた状態となっているので、間隔34を規定するチップ31の2つの側面、たとえば側面39および41に同時にかつほぼ均等にブラスト材38を吹き付けることができる。
【0058】
また、この実施形態では、円筒部材51を回転させることにより、発泡シート32を移動させることができるので、ブラストノズル36を固定したままで、複数個のチップ31が配置された全領域に対してブラスト処理を達成することができる。
【0059】
また、前述した説明では、チップ31が配置された側を外側に向けて発泡剥離シート32を湾曲させることによって、隣り合うチップ31の側面39および41がV字状に開く状態としたが、この実施形態では、通常、隣り合うチップ31の側面44および45がV字状に開く状態とするようにも、発泡剥離シート32を湾曲させることが繰り返される。
【0060】
チップ31の互いの間に所定の間隔34を形成するため、図7に示した方法に代えて、次のような方法が採用されてもよい。すなわち、図2を参照して説明すると、発泡剥離シート32を、矢印52および53で示すように、面方向に引張れば、間隔34を所定の大きさに広げることができる。
【0061】
以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変形例が可能である。
【0062】
たとえば、図1ないし図4を参照して説明した第1の実施形態において、ブラストノズル36が移動するように構成されたが、この移動は、発泡剥離シート32に対して相対的であればよく、たとえば、発泡剥離シート32が移動されても、ブラストノズル36および発泡剥離シート32の双方が移動されてもよい。
【0063】
同様に、図7を参照して説明した第4の実施形態においても、発泡剥離シート32が移動するのではなく、ブラストノズル36が移動するように構成されても、発泡剥離シート32およびブラストノズル36の双方が移動するように構成されてもよい。
【0064】
また、図示したブラストノズル36は長手の形状を有していたが、たとえば円形など、任意の形状のブラストノズルを用いることができる。
【0065】
また、ブラスト処理に際しては、ブラスト処理されるべきチップ31の種類に応じて、前述した乾式のほか、たとえば、アルミナ粉を水で吹き付ける湿式ブラストを採用してもよく、また、ブラスト材38についても、その種類および粒径等を適宜変更することができる。
【0066】
また、図示した実施形態では、複数個のチップ31を配置するための支持台として、発泡剥離シート32を用いたが、これに代えて、発泡剥離シート以外のシートであって粘着面を有するものが用いられても、さらには、シート状のものではなく、たとえば剛体からなる板状のものが用いられてもよい。
【0067】
また、チップ31は、積層セラミックコンデンサのための電子部品本体を構成するものが例示され、複数のセラミック層を備える積層構造を有するものであったが、単層の板状のものであってもよい。
【0068】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、セラミック電子部品に備える電子部品本体のためのセラミックをもって構成されるチップを面取りするため、各チップの主面が平面的に並びかつ互いに所定の間隔を隔てた状態で支持台上に整列させて配置した状態とし、この状態で、チップに対してブラスト処理するようにしているので、支持台が補強の役割を果たし、たとえば0.3mm以下といった厚みの薄いチップであっても、バレル研磨を適用する場合に比べて、欠けや割れを生じにくくすることができる。
【0069】
また、バレル研磨では、その処理を行ないながらチップの面取り状態を目視等で観察することは不可能であるが、この発明のように、ブラスト処理を適用すれば、この処理を実施している間、チップの面取り状態を目視等で観察することができる。
【0070】
また、この発明によれば、ブラスト処理を終えた後であっても、複数個のチップが支持台上に整列した状態が維持されているので、直ちに、チップの外観検査等の工程を実施することができる。
【0071】
この発明において、支持台として、粘着面を有するシートが用いられると、複数個のチップを支持台上に整列させて配置する工程を能率的に進めることができる。
【0072】
上述のシートとして、発泡剥離シートが用いられると、分離により複数個のチップの与えるマザー構造物を発泡剥離シート上に粘着した状態で、複数個のチップを得るためのマザー構造物の分離工程を実施することができるので、個々のチップを支持台上に配置する煩雑な工程を省略することができる。
【0073】
上述のマザー構造物を分離する工程において、ダイシングカットが適用されると、分離された隣り合うチップの間に所定の間隔が自然に形成されので、わざわざ所定の間隔を形成するための手間を省くことができる。
【0074】
この発明において、支持台として、発泡剥離シートを一例とする粘着面を有するシートが用いられたとき、シートを面方向に引張ったり、チップが配置された側を外側に向けてシートを湾曲させたりすれば、チップの互いの間に所定の間隔を確実に形成することができ、あるいは間隔を所定の大きさに広げることができる。
【0075】
この発明において、複数個のチップが配置された領域の幅をカバーする長手のブラストノズルが用いられると、その長手方向とは交差する方向にブラストノズルと支持台とを相対的に移動させるだけで、複数個のチップが配置された全領域に対してブラスト処理を達成することができるので、ブラスト処理工程を能率的に進めることができる。
【0076】
上述の場合、ブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向が、各チップの主面に対して30〜60度の範囲になるように選ばれると、チップの主面と側面との双方に同時にかつほぼ均等にブラスト材を吹き付けることが可能となり、ブラスト処理工程の能率性をより高めることができる。
【0077】
また、上述の場合において、ブラストノズルと支持台とを相対的に往復移動させるようにしながら、往方向の移動と復方向の移動との間で、ブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向が、チップの主面に対して直交する面を対称面として対称となるように変更されると、チップの各側面でのブラスト材の吹き付け頻度の平均化を図ることが容易になる。
【0078】
上述の方法に代えて、2個のブラストノズルを用い、第1のブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向と第2のブラストノズルによるブラスト材の吹き付け方向とが、チップの主面に対して直交する面を対称面として互いに対称となるようにされると、片道移動のみで、チップの各側面に対するブラスト材の吹き付け頻度の平均化を図ることが容易になり、ブラスト処理工程の一層の能率化を図ることができる。
【0079】
また、ブラストノズルと支持台とを相対的に移動させるにあたって、各チップの主面を規定する辺の延びる方向に対して実質的に45度の角度をなす方向への移動が採用されると、チップの隣り合う2つの側面に対して同時にかつほぼ均等にブラスト材を吹き付けることが可能となり、この方法を採用することによっても、ブラスト処理工程の一層の能率化を図ることができる。
【0080】
ブラスト処理工程を、チップの第1の主面を外側に向けた状態と第2の主面を外側に向けた状態との双方について実施するため、チップを第1のシートから第2のシートへと粘着面の粘着力の差により移し替えるようにすれば、このような移し替えを能率的に行なうことができる。
【0081】
この発明に係るセラミック電子部品によれば、チップの第1および第2の主面の各々と側面とが交差する稜線での面取りが、隣り合う側面が互いに交差する稜線での面取りに比べてより深いので、主面と側面とが交差する稜線に関連して外部電極が形成される場合、この外部電極に対する半田付け性の向上のために最も効率的な面取り状態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態を説明するためのもので、複数個のチップ31が発泡剥離シート32上に配置された状態を示す平面図である。
【図2】図1に示したチップ31に対してブラスト処理を実施している状態を示す正面図である。
【図3】ブラスト処理による面取り状態を説明するためのチップ31の外観を示す斜視図である。
【図4】ブラスト処理による面取りの度合いを説明するためのもので、図3の破線で囲んだ稜線46での面取り状態を示す断面図と破線で囲んだ稜線47での面取り状態とを示す断面図とを重ねて図示したものである。
【図5】この発明の第2の実施形態を説明するための図1に対応する図である。
【図6】この発明の第3の実施形態を説明するための図2に対応する図である。
【図7】この発明の第4の実施形態を説明するための図2に対応する図である。
【図8】この発明にとって興味あるセラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ1を示す断面図である。
【図9】この発明にとって興味あるセラミック電子部品の他の例としての積層セラミックコンデンサ11を示す断面図である。
【符号の説明】
1,11 積層セラミックコンデンサ
2,12 電子部品本体
3,13 セラミック層
31 チップ
32 発泡剥離シート
33,43 主面
34 間隔
35 粘着面
36,36a,36b ブラストノズル
38 ブラスト材
39,41,44,45 側面[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component and a ceramic electronic component, and more particularly to an improvement in a method for chamfering a chip serving as an electronic component body provided in the ceramic electronic component.
[0002]
[Prior art]
8 and 9 each show a multilayer ceramic capacitor as an example of a ceramic electronic component that is of interest to the present invention.
[0003]
The multilayer
[0004]
The first internal electrode 4 is formed so as to reach a
[0005]
In order to manufacture such a multilayer
[0006]
The multilayer
[0007]
At opposite ends of the
[0008]
First
[0009]
In order to manufacture such a multilayer
[0010]
In the production of the multilayer
[0011]
Further, in the case of the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, as a result of the above-mentioned barrel polishing, chips may be chipped or cracked. In particular, a chip having a small thickness such as a chip for the
[0013]
In order to prevent such chipping, reducing the time for performing barrel polishing or reducing the number of rotations per unit time applied in barrel polishing, if conditions for barrel polishing are moderated, it is sufficient. Since the polished state cannot be achieved, chipping is likely to occur in a later step. In the case of the multilayer
[0014]
Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a ceramic electronic component and a ceramic electronic component that can solve the above-described problems.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is first directed to a method for manufacturing a ceramic electronic component, and is characterized in that, in order to solve the above-described technical problem, blasting is simply employed in a chamfering step.
[0016]
More specifically, the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention includes the steps of: forming a plurality of rectangular parallelepiped chips formed of ceramic for an electronic component body provided in the ceramic electronic component; And a step of aligning and arranging the chips on the support table at a predetermined interval from each other, and a step of blasting a plurality of chips on the support table to chamfer the chips. Features. The above-described blasting step is performed for both a state in which the first main surface of the chip faces outward and a state in which the second main surface faces outward.
[0017]
The support described above is preferably provided by a sheet having an adhesive surface. Therefore, in order to arrange the chips on the support, a step of adhering the plurality of chips to the adhesive surface is performed.
[0018]
The sheet described above is preferably provided by a foam release sheet. The foamed release sheet is generally used in the field of semiconductor devices and other electronic components to fix a structure to be cut by dicing with an adhesive.
[0019]
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, when the above-described foamed release sheet is used as the support, the step of disposing the chips on the support includes the step of foaming a mother structure that provides a plurality of chips by separation. It is preferable to include a step of sticking on a release sheet and a step of separating the mother structure on a foamed release sheet to obtain a plurality of chips. With such a configuration, it is possible to obtain a state in which a plurality of chips are arranged and arranged on the support table when the mother structure is separated.
[0020]
In the step of separating the mother structure, it is preferable to dice and cut the mother structure. According to this, at the stage after the dicing cut, a predetermined interval can be naturally formed between the plurality of chips.
[0021]
In the present invention, when the sheet having the adhesive surface as described above is used as the support, in the step of arranging the chips on the support, the sheet is pulled in the surface direction, whereby a predetermined distance is set between the chips. May be formed, or a predetermined space may be formed between the chips by bending the sheet with the side on which the chips are arranged facing outward.
[0022]
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, in the step of performing the blast processing, preferably, a longitudinal blast nozzle that covers a width of a region where a plurality of chips is arranged is used. In this case, in the blasting step, the blast nozzle is arranged above the chip, and the blast nozzle and the support are relatively moved in a direction intersecting with the longitudinal direction of the blast nozzle, whereby a plurality of chips are formed. To achieve the blasting process for the entire area where. In this case, the relative movement between the blast nozzle and the support may be such that only the blast nozzle is moved, only the support is moved, or both the blast nozzle and the support are moved.
[0023]
The direction in which the blast material is sprayed by the blast nozzle is preferably selected so as to be in the range of 30 to 60 degrees with respect to the main surface of each chip.
[0024]
In the preferred embodiment described above, when the blast nozzle and the support base relatively reciprocate, between the forward movement and the backward movement, the direction in which the blast material is sprayed by the blast nozzle is such that the chip is blown. It is preferable that the surface is changed to be symmetrical with a plane orthogonal to the main surface as a plane of symmetry.
[0025]
Instead of the above embodiment, two blast nozzles may be used. In this case, the direction in which the blast material is sprayed by the first blast nozzle and the direction in which the blast material is sprayed by the second blast nozzle are symmetric with respect to each other, with the plane orthogonal to the main surface of the chip as the plane of symmetry. It is preferred that
[0026]
Further, the direction in which the blast nozzle and the support table are relatively moved may be selected to be a direction that forms an angle of substantially 45 degrees with the direction in which the side that defines the main surface of each chip extends.
[0027]
As described above, the step of blasting is performed for both the state in which the first main surface of the chip is directed outward and the state in which the second main surface is directed outward. It is preferable to carry out a step of transferring from the first sheet to the second sheet due to the difference in adhesive strength of the adhesive surface.
[0028]
The present invention is also directed to a ceramic electronic component having a chip as an electronic component body obtained by the above-described manufacturing method. The effect of the present invention is particularly remarkable when the electronic component body has a thickness of 0.3 mm or less.
[0029]
The electronic component body described above preferably has a laminated structure including a plurality of ceramic layers.
[0030]
The ceramic electronic component according to the present invention has the following structural features. That is, the ceramic electronic component according to the present invention has first and second main surfaces facing each other, and four side surfaces connecting between the first and second main surfaces, and is made of ceramic. A chip having a rectangular parallelepiped shape is used as a main body of the electronic component, and chamfering at a ridge line at which each of the first and second main surfaces of the chip and the side surface intersect is performed at a ridge line at which adjacent side surfaces intersect with each other. Deeper than chamfer.
[0031]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
1 to 4 illustrate a first embodiment of the present invention. Here, FIG. 1 is a plan view showing a state in which a plurality of
[0032]
The
[0033]
In order to obtain the state shown in FIG. 1, after preparing a plurality of
[0034]
In this embodiment, the
[0035]
FIG. 2 is a front view showing a state where the blasting process is being performed.
[0036]
In performing the blast processing, the
[0037]
The preferred direction of spraying the
[0038]
In such a blasting process, for example, alumina powder is used as the
[0039]
Further, as described above, after the
[0040]
In this embodiment, it is preferable that the
[0041]
As shown in FIG. 2, after the blast processing is performed with the
[0042]
FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the
[0043]
Referring to FIG. 3,
[0044]
The frequency at which the
[0045]
As described above, since the chamfer at the
[0046]
FIG. 5 is a diagram corresponding to FIG. 1 for describing a second embodiment of the present invention. 5, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.
[0047]
In the second embodiment, the direction of movement of the
[0048]
According to this embodiment, the blast material can be sprayed simultaneously and substantially evenly on two side surfaces of the
[0049]
In the second embodiment as well, the direction in which the blast material is sprayed by the
[0050]
Also, in this embodiment, the
[0051]
FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 2 for describing a third embodiment of the present invention. 6, elements corresponding to the elements shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
[0052]
The third embodiment is characterized in that two
[0053]
According to this embodiment, it is not necessary to reciprocate the
[0054]
FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 2 for describing a fourth embodiment of the present invention. 7, elements corresponding to the elements shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
[0055]
In the fourth embodiment, when the mother structure is separated on the
[0056]
In the case described above, the
[0057]
Further, in this embodiment, if the blasting direction of the
[0058]
Further, in this embodiment, since the
[0059]
Further, in the above description, the side where the
[0060]
In order to form a
[0061]
Although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiment, various other modifications are possible within the scope of the present invention.
[0062]
For example, in the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 4, the
[0063]
Similarly, in the fourth embodiment described with reference to FIG. 7, even if the
[0064]
Further, although the illustrated
[0065]
Further, at the time of the blasting, in addition to the above-mentioned dry type, for example, a wet blast in which alumina powder is sprayed with water may be employed depending on the type of the
[0066]
Further, in the illustrated embodiment, the
[0067]
Further, the
[0068]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in order to chamfer chips made of ceramics for the electronic component body provided in the ceramic electronic component, the main surfaces of the chips are arranged in a plane and are spaced apart from each other by a predetermined distance. In this state, the chips are blasted with respect to the chips in this state, and the chips play a role of reinforcement, and have a thin thickness of, for example, 0.3 mm or less. Even in the case of chips, chipping and cracking can be less likely to occur as compared with the case where barrel polishing is applied.
[0069]
In the barrel polishing, it is impossible to visually observe the chamfered state of the chip while performing the processing. However, if the blast processing is applied as in the present invention, the processing is performed during the processing. The state of the chamfer of the chip can be visually observed.
[0070]
Further, according to the present invention, even after the blast processing is completed, the state in which the plurality of chips are aligned on the support base is maintained, so that a process such as a visual inspection of the chips is immediately performed. be able to.
[0071]
In the present invention, when a sheet having an adhesive surface is used as the support, the process of aligning and arranging a plurality of chips on the support can be efficiently performed.
[0072]
When a foam release sheet is used as the above-described sheet, a mother structure separation step of obtaining a plurality of chips is performed in a state where a mother structure provided by a plurality of chips is adhered to the foam release sheet by separation. Since it can be performed, a complicated step of arranging the individual chips on the support table can be omitted.
[0073]
In the step of separating the mother structure described above, when dicing cut is applied, a predetermined interval is naturally formed between the separated adjacent chips, so that the trouble of forming the predetermined interval is omitted. be able to.
[0074]
In the present invention, when a sheet having an adhesive surface such as a foamed release sheet is used as the support base, the sheet is pulled in the surface direction, or the sheet is bent with the side where the chips are arranged facing outward. By doing so, a predetermined interval can be reliably formed between the chips, or the interval can be expanded to a predetermined size.
[0075]
In the present invention, when a long blast nozzle covering the width of the region where a plurality of chips are arranged is used, it is only necessary to relatively move the blast nozzle and the support base in a direction intersecting the longitudinal direction. Since the blast processing can be achieved for the entire area where a plurality of chips are arranged, the blast processing step can be efficiently performed.
[0076]
In the above case, if the blasting direction of the blast material by the blast nozzle is selected so as to be in a range of 30 to 60 degrees with respect to the main surface of each chip, the main surface and side surfaces of the chip are simultaneously and substantially evenly applied. Blast material can be sprayed on the blasting device, and the efficiency of the blasting process can be further improved.
[0077]
Further, in the above-described case, while the blast nozzle and the support table are relatively reciprocated, the direction of spraying of the blast material by the blast nozzle between the forward movement and the backward movement is determined by the tip of the chip. If the plane orthogonal to the main surface is changed to be symmetrical with respect to the plane of symmetry, it is easy to average the frequency of spraying the blast material on each side surface of the chip.
[0078]
Instead of the above method, two blast nozzles are used, and the blast material spray direction of the first blast nozzle and the blast material spray direction of the second blast nozzle are orthogonal to the main surface of the chip. If the surfaces are symmetrical to each other and are symmetrical, it becomes easy to average the frequency of blasting of the blasting material to each side of the chip only by one-way movement, thereby further improving the efficiency of the blasting process. Can be planned.
[0079]
Further, when relatively moving the blast nozzle and the support base, a movement in a direction substantially at an angle of 45 degrees with respect to a direction in which a side that defines a main surface of each chip extends is adopted. The blast material can be sprayed simultaneously and substantially evenly on two adjacent side surfaces of the chip, and this method can further increase the efficiency of the blasting process.
[0080]
In order to perform the blasting process in both the state where the first main surface of the chip is directed outward and the state where the second main surface is directed outward, the chip is transferred from the first sheet to the second sheet. If the transfer is performed based on the difference in adhesive strength between the adhesive and the adhesive surface, such transfer can be performed efficiently.
[0081]
According to the ceramic electronic component of the present invention, the chamfer at the ridge line at which each of the first and second principal surfaces of the chip and the side surface intersect is more than the chamfer at the ridge line at which the adjacent side surfaces intersect each other. When the external electrode is formed in relation to the ridgeline where the main surface and the side surface intersect, the most efficient chamfering state can be obtained for improving the solderability to the external electrode.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view for explaining a first embodiment of the present invention and showing a state in which a plurality of
FIG. 2 is a front view showing a state where blast processing is being performed on the
FIG. 3 is a perspective view showing an appearance of a
4 is a cross-sectional view illustrating a degree of chamfering by blast processing, and is a cross-sectional view illustrating a chamfering state at a
FIG. 5 is a diagram corresponding to FIG. 1 for describing a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 2 for describing a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 2 for describing a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a sectional view showing a multilayer
FIG. 9 is a sectional view showing a multilayer
[Explanation of symbols]
1,11 multilayer ceramic capacitors
2,12 Electronic component body
3,13 ceramic layer
31 chips
32 Foam release sheet
33, 43 main surface
34 intervals
35 adhesive surface
36, 36a, 36b Blast nozzle
38 Blast material
39,41,44,45 side view
Claims (17)
前記チップを面取りするため、前記支持台上で複数個の前記チップに対してブラスト処理する工程と
を備え、
前記ブラスト処理する工程は、前記チップの第1の主面を外側に向けた状態と第2の主面を外側に向けた状態との双方について実施される、セラミック電子部品の製造方法。A plurality of rectangular parallelepiped chips made of ceramic for an electronic component main body provided in a ceramic electronic component are placed on a support table in a state where the main surfaces of the respective chips are arranged in a plane and separated from each other by a predetermined distance. Arranging and arranging;
Blasting the plurality of chips on the support base to chamfer the chips,
The method of manufacturing a ceramic electronic component, wherein the step of performing the blast processing is performed in both a state in which a first main surface of the chip faces outward and a state in which a second main surface faces outward.
前記チップの前記第1および第2の主面の各々と前記側面とが交差する稜線での面取りが、隣り合う前記側面が互いに交差する稜線での面取りに比べてより深い、セラミック電子部品。A rectangular parallelepiped chip having first and second main surfaces facing each other and four side surfaces connecting the first and second main surfaces and made of ceramic is used as an electronic component body. , A ceramic electronic component,
A ceramic electronic component, wherein a chamfer at a ridge line at which each of the first and second main surfaces of the chip intersects with the side surface is deeper than a chamfer at a ridge line at which the adjacent side surfaces cross each other.
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