JP2004006592A - Semiconductor laser device and mounting structure thereof, and mounting structure of light source unit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型の半導体レーザーチップをレーザー光源として備えた半導体レーザー装置及び、その半導体レーザー装置を結像光学系が搭載される支持構造体に取り付けるための半導体レーザー装置の取付構造、並びに半導体レーザーチップ等を光源とする光源装置を光走査装置に取り付けるための光源装置の取付構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、画像形成装置としては、レーザープリンター等のレーザー光を作像プロセスに用いるものが普及しており、この種の画像形成装置では、感光材料や感光体等の像担持体上をレーザー光により走査して、像担持体上に画像(潜像)を形成するために光走査装置が多く用いられている。また、このような画像形成装置では、画像形成の高速化に対する強い要求があり、これを実現するために手段として、例えば、複数本のレーザー光により像担持体を同時に走査して画像を形成する方法、所謂、マルチビーム化が採用されている。このマルチビーム化を達成する手段としては、特許文献1に開示されているものがあり、この公報には、1個の半導体レーザーチップ上に複数の発光部が容易に配列できる面発光型レーザー(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser−Diode)を光源とするレーザー走査装置が示されている。
【0003】
上記のようなレーザー走査装置では、半導体レーザーチップが実装された半導体レーザー装置が結像光学系及び偏向器が搭載された支持構造体に取り付けられ、この半導体レーザー装置から出射されたレーザー光が結像光学系及び偏向器により像担持体上にビームスポットとして結像すると共に像担持体上を走査する。このレーザー走査装置では、半導体レーザーチップから出射される光束の方向(光軸方向)が結像光学系の光学特性に影響を与えるため、半導体レーザーチップの結像光学系に対する相対的な位置調整がミクロン単位の精度で行われる。
【0004】
また、上記のようなレーザー走査装置に光源として用いられる従来の半導体レーザーとしては、例えば、特許文献2に開示されているものがある。この半導体レーザー140には、図16に示されるように、円板状のステム142の表面側中央部にブロック状の支持台144が固着されており、この支持台144の一側面には、ヒートシンク146を介して端面発光型の半導体レーザーチップ(以下、「LD」とい。)148が取り付けられている。またステム142の表面部には、LD148に正対するように光量モニター用のフォトダイオード(以下、「MPD」という。)150が固着されている。半導体レーザー140には、ステム142の表面部を覆うようにキャップ152が設けられ、このキャップ152の頂面中央部にはレーザー光Bが透過する窓部154が開口している。半導体レーザー140には、ステム142を貫通するように複数本の電極端子156が設けられており、これらの電極端子156には、ボンディングワイヤ158によりステム142上のLD148、MPD150等の電子部品が結線されている。これにより、LD148、MPD150等の電子部品は、ボンディングワイヤ158及び電極端子156を介して駆動制御回路(図示省略)に接続される。
【0005】
上記のように構成された半導体レーザー140をレーザー走査装置に取り付ける際には、先ず、半導体レーザー140をステム142の裏面部を基準面として回路基板(図示省略)上に固定した後、この半導体レーザー140をレーザー走査装置へ取り付けるためのホルダ部材(図示省略)内へ圧入固定する。このホルダ部材にはレーザー走査装置への取付時に基準なる突当面が設けられ、またレーザー走査装置における半導体レーザー140が取り付けられる光源取付部にも基準となる取付面が設けられている。半導体レーザー140を保持したホルダ部材は、その突当面を取付面へ当接させた状態でビス等により光源取付部へ固定される。
【0006】
また、光走査装置の光源取付部に半導体レーザーを取り付けるための半導体レーザーの取付構造としては、例えば、特許文献3や特許文献4に開示されているものもある。この特許文献3及び特許文献4に開示されている半導体レーザーの取付構造では、半導体レーザーを保持したホルダ部材の基準面(光源側基準面)を光源取付部の基準面(取付基準面)に当接させた状態で、半導体レーザーから出射されるレーザーの光軸方向及び光軸直角方向に沿った光軸位置を調整した後、ホルダ部材の貫通穴に挿通された固定ネジを光源取付部に穿設されたネジ穴に捻じ込むことで、ホルダ部材を介して半導体レーザーを光源取付部へ固定している。ここで、ホルダ部材の光源側基準面と光源取付部の取付基準面とは、半導体レーザーから出射されるレーザー光の光軸に直交する平面となるように加工されている。
【0007】
【特許文献1】
特開平5−294005号公報(第5頁、第1図)
【特許文献2】
特開平9−102650号公報(第2頁、第23図)
【特許文献3】
特開平5−297303号公報(第4−5頁、第4図)
【特許文献4】
特開平7−168109号公報(第4頁、第2図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
レーザー走査装置においては、レーザ光源によるレーザー光の出射位置が光軸方向(深度方向)に沿った所定の位置に対して前後すると、その誤差が感光体上では数百倍に拡大して感光体表面に対するレーザー光の焦点位置の誤差(以下、「フォーカス差」という)として現れ、すなわち、結像光学系の縦倍率に応じて拡大されたフォーカス差が生じる。具体的は、例えば、感光体上でのビーム径を50μm、焦点深度を4mm、像面湾曲を2mmとした場合、許容できる深度方向のフォーカス差は2mmとなる。このとき、レーザー走査装置における縦倍率を200倍とすると、許容できるレーザ光源における出射位置の光軸方向の差は10μm以下となる。
【0009】
上記の関係を2個の発光点間隔が14μmの2ビームレーザーアレイを光源とする半導体レーザー装置に当てはめると、2個の発光点の深度方向に沿った位置差に対応する光源の傾きは35°まで許容される。これに対し、発光点の数が数個から数十個になるマルチビームアレイを光源とする半導体レーザー装置においては、例えば、レーザーアレイにおける両端の発光点の間隔が200μmであると、発光点間の深度方向に沿った誤差を10μm以下とするためには、光源の傾きは2.5°以下にしなければならない。
【0010】
しかしながら、図16に示される半導体レーザー140では、LD148が支持台144の一側面(取付面)にヒートシンク146を介して固定されている構造であることから、前記取付面に直交する方向をY方向、結像光学系の光軸方向をZ方向、これらのY及びZ方向に直交する方向をX方向とした場合、LD148のY−Z平面に沿った傾き誤差については、取付面を基準としてLD148を支持台144へ取り付けることで、十分に小さくすることができるが、LD148のZ−X平面に沿った傾き誤差については、基準となる面が存在しないことから、LD148を支持台144へ取り付ける際に大きくなり易い。このような問題は、図16に示されるような半導体レーザー装置に、光源として面発光型のLDを用いた場合にも同様に生じ得る。
【0011】
一方、特許文献3及び特許文献4に開示されているような半導体レーザーの取付構造(以下、単に「取付構造」という。)では、光源である半導体レーザーの位置決め調整後に固定を行うが、ホルダ部材の光源側基準面の平面度と光源取付部の取付基準面の平面度に差があるため、固定時に一方の基準面が他方の基準面にならってしまい、半導体レーザーを精度よく位置調整しても、固定時に半導体レーザーの位置等が変動してしまうという問題があった。
【0012】
図17に基づいて特許文献3及び特許文献4に開示されているような従来の取付構造における問題を詳細に説明する。
【0013】
図17は従来の取付構造による半導体レーザーの光源取付部への取付方法を説明するために側面断面図である。この取付構造300には、半導体レーザー302を保持するプレート状のレーザー駆動基板304が設けられると共に、このレーザー駆動基板304を介して半導体レーザー302が取り付けられる光源取付部309が光走査装置の筐体に設けられている。ここで、レーザー駆動基板304は、その片側の面が光源側基準面308とされており、また光源取付部309には、レーザー駆動基板304の光源側基準面308と当接して半導体レーザー302を位置決めするための取付基準面310が平面状に形成されると共に、半導体レーザー302から出射されたレーザー光Bが通過する窓部312が貫通している。
【0014】
上記のような取付構造300では、理想的には、図17(D)に示すように、レーザー駆動基板304の光源側基準面308及び光源取付部309の取付基準面310がそれぞれ平面に維持されたままで、レーザー駆動基板304を介して半導体レーザーが固定される。しかし、図17(A)に示すように部品の製造誤差により、レーザー駆動基板304の光源側基準面308及び光源取付部309の取付基準面310の双方はそれぞれ形状誤差を有する。この例では、取付基準面310における片側の端部に誤差(傾き)が生じている例で説明する。調整時には、図17(B)に示されるように、レーザー駆動基板304の光源側基準面308は、取付基準面310の高点の部分に接している。この状態で、図示しない組み立て治具などにより、基準面308,310同士を押し当てつつ、半導体レーザー302の位置調整が行われる。
【0015】
しかしながら、半導体レーザー302の位置調整完了後に、図17(C)に示されるように示すように、締結部材であるネジ314によりレーザー駆動基板304を固定すると、締結力により光源側基準面308と取付基準面310が完全に一致するように締結され、レーザー駆動基板304及び光源取付部309の一方又は双方(ここでは、主としてレーザー駆動基板304)に変形が生じ、レーザー駆動基板304により保持された半導体レーザー302が調整時とは異なった姿勢になってしまう。特に、半導体レーザー302と光走査装置の筐体内に配置されたコリメーターレンズ(図示省略)の相対的な位置関係については、非常に厳しい精度が要求され、製造後の衝撃などによりズレが生じた場合には所望の性能が得られないことになり、レーザー駆動基板304を光源取付部309に強固に固定する必要がある。このよう取付構造300では、組立時の調整の困難さ、調整精度の悪化や調整工数の増大という問題が生じ易い。
【0016】
本発明による第1の目的は、上記事実を考慮して、結像光学系が搭載される支持構造体に簡単に取り付けることができ、かつ結像光学系に対する面発光型の半導体レーザーチップの傾き誤差を十分に小さくできる半導体レーザー装置を提供することにある。
【0017】
また本発明による第2の目的は、上記事実を考慮して、面発光型の半導体レーザーチップをレーザー光源とする半導体レーザー装置を結像光学系が搭載される支持構造体に簡単に取り付けることができ、かつレーザー光源の傾き誤差を十分に小さくできる半導体レーザー装置の取付構造を提供することにある。
【0018】
また本発明による第3の目的は、上記事実を考慮して、光源取付部に取り付けられた光源装置を精度良く位置調整することが容易で、かつ位置調整後に光源装置を光源取付部に固定する際に、光源装置に位置変化が生じない光源装置の取付構造を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る請求項1記載の半導体レーザー装置は、表面部にレーザー発光部が設けられた面発光型の半導体レーザーチップと、前記半導体レーザーチップを保持すると共に、支持構造体の光源取付部に取り付けられるパッケージ部材と、を有する半導体レーザー装置であって、前記パッケージ部材には、前記半導体レーザーチップが載置される平面状の第1基準面と、前記第1基準面と実質的に平行とされ、前記パッケージ部材を前記光源取付部へ取り付ける際に位置決め用の基準面とされる平面状の第2基準面と、が設けられたことを特徴とする。
【0020】
上記請求項1記載の半導体レーザー装置によれば、パッケージ部材に第1基準面及び第2基準面が互いに平行となるように設けられ、このパッケージ部材の第1基準面上に半導体レーザーチップが載置されると共に、第2基準面がパッケージ部材を前記光源取付部へ取り付ける際に位置決め用の基準面とされることにより、半導体レーザーチップを、第1基準面に対して傾きが生じないようにパッケージ部材により保持できると共に、パッケージ部材及び半導体レーザーチップを光源取付部における所定位置へ傾き誤差が生じないように取り付けることができるので、例えば、支持構造体に搭載される結像光学系の光軸に対して半導体レーザーチップの傾き誤差が十分小さくなるように、半導体レーザーチップを簡単にパッケージ部材に組み付け、このパッケージ部材を簡単に支持構造体の光源取付部に取り付けることができる。
【0021】
ここで、面発光型の半導体レーザーチップは、一般的には、その表面部に設けられたレーザー発光部からレーザー光が表面部に対して垂直に発光され、また端面発光型の半導体レーザーチップと異なり裏面部からはバックビームが出射されない。このような面発光型の半導体レーザーチップ(VCSEL)の特性を前提として、上記のような半導体レーザー装置が実現可能になり、例えば、半導体レーザーチップの結像光学系に対する傾き誤差を十分に小さくできるという効果が得られる。
【0022】
なお、半導体レーザーチップは、パッケージ部材における第1基準面上に直接載置されても、またプレート状のスペーサ等の何らかの部材が介在した状態で第1基準面上に載置されても良い。
【0023】
また本発明に係る請求項2記載の半導体レーザー装置の取付構造は、請求項1記載の半導体レーザー装置を、そのレーザー発光部から出射されるレーザー光を結像するための結像光学系が搭載される支持構造体の光源取付部に取り付けるための半導体レーザー装置の取付構造であって、前記支持構造体に搭載される結像光学系の光軸を基準として光源取付部に設けられた平面状の取付基準面と、前記第2基準面を前記取付基準面に当接させつつ、前記パッケージ部材を前記光源取付部に固定する拘束手段と、を有することを特徴とするものである。
【0024】
上記請求項2記載の半導体レーザー装置の取付構造によれば、光源取付部に支持構造体に搭載される結像光学系の光軸を基準として平面状の取付基準面が設けられ、拘束手段がパッケージ部材の第2基準面が支持構造体の光源取付部の取付基準面に当接させつつ、このパッケージ部材を光源取付部に固定することにより、半導体レーザーチップを保持したパッケージ部材を支持構造体に対して傾きが生じないように位置決めし、このように位置決めされたパッケージ部材を支持構造体の光源取付部に固定できる。
【0025】
このとき、半導体レーザーチップの表面部が第1基準面と平行となるようにパッケージ部材により半導体レーザーチップが保持されていることから、拘束手段によりパッケージ部材が光源取付部に固定された状態で、支持構造体に対する半導体レーザーチップの傾き誤差を十分小さくできる。
【0026】
また本発明に係る請求項7記載の光源装置の取付構造は、光源装置の光出射部から出射された光線により像坦持体を走査露光する光走査装置における光源取付部に、前記光源装置を取り付けるための光源装置の取付構造であって、前記光源装置に設けられた光源側基準面と、前記光源取付部に設けられ、前記光源側基準面に当接して該光源側基準面と共に前記光出射部から出射される光線の光軸方向を設定し、かつ光軸直角方向に沿った光軸位置を調整するための取付基準面と、前記光源装置及び前記光源取付部にそれぞれ連結されて前記光軸方向に沿って弾性的に変形すると共に、該光軸方向に沿った弾性的な復元力により前記光源側基準面を前記取付基準面上に圧接させる弾性連結部材と、を有することを特徴とする。
【0027】
図11に基づいて、上記請求項7に記載された光源装置の取付構造による作用を具体的に説明する。
【0028】
図11には、請求項7に記載された構成を具備した光源装置の取付構造の具体例が示されている。この光源装置の取付構造(以下、単に「取付構造」という。)150には、光源装置であるレーザーパッケージ152が実装されると共に、レーザー駆動回路(図示省略)が配設されたプレート状のレーザー駆動基板154が設けられている。レーザーパッケージ152は、レーザー光源として面発光型のレーザーアレイ156及び、このレーザーアレイ156を収納するセラミック製のパッケージ部材158を備えている。このパッケージ部材158は、レーザー駆動基板154とは反対側の表面部が光源側基準面160とされており、この光源側基準面160は高い平滑度を有する平面に加工されている。
【0029】
取付構造150は、光走査装置の筐体162に一体的に設けられた光源取付部164を備えている。この光源取付部164は、筐体162の側板部を貫通する窓部166及び、この窓部166の外周側に筐体162の側板部から突出するように設けられた筒部168を備えている。ここで、筒部168の先端面は取付基準面170とされており、この取付基準面170も、光源側基準面160と同様に、高い平滑度を有する平面に加工されている。また光源取付部164には、筒部168の外周側に一対のネジ穴172が筐体162の側板部を貫通するように設けられている。
【0030】
取付構造150には、レーザー駆動基板154と光源取付部164との間に弾性連結部材174が設けられている。この弾性連結部材174は、弾性を有する樹脂等を素材として、例えば、一方向へ細長いプレート状に形成されており、その長手方向に沿った両端部には、レーザー駆動基板154側へ突出するボス部176がそれぞれ一体的に形成されている。このボス部176には、板厚方向に沿って弾性連結部材174を貫通するネジ穴178が穿設されている。一方、レーザー駆動基板154には、弾性連結部材174の一対のネジ穴178に対応する一対の挿通穴182が穿設されている。また弾性連結部材174には、その長手方向に沿った中央部に光源取付部164の筒部168に対応する開口部180が穿設されると共に、この開口部180の上下にそれぞれ光源取付部164の一対のネジ穴172に対応する一対の挿通穴184が穿設されている。
【0031】
取付構造150では、レーザーパッケージ152を光源取付部164に取り付ける際には、先ず、図11(B)に示されるように、一対のネジ186を弾性連結部材174における一対の挿通穴184にそれぞれ挿通させ、これらのネジ186の先端部を光源取付部164における一対のネジ穴172にそれぞれ捻じ込むことにより、弾性連結部材174を光源取付部164に締結固定する。このとき、光源取付部164の筒部168は、弾性連結部材174の開口部180内を通ってレーザー駆動基板154側へ突出する。
【0032】
次いで、位置調整治具(図示省略)によりレーザーパッケージ152の光源側基準面160が光源取付部164の取付基準面170に当接するように、レーザー駆動基板154を保持する。この状態で、レーザーパッケージ152が位置調整治具によりレーザー駆動基板154と共に、レーザーパッケージ152から出射されるレーザー光Bの光軸SBと直交する方向(軸直角方向)へ位置調整される。この位置調整時には、弾性連結部材174のボス部176とレーザー駆動基板154との間には、光軸方向に沿って狭い隙間が形成される。
【0033】
取付構造150では、レーザーパッケージ152の位置調整完了後に、一対のネジ188をレーザー駆動基板154における一対の挿通穴182内を挿通させ、これら一対のネジ188の先端部を弾性連結部材174における一対のネジ穴178内へ捻じ込むことで、レーザー駆動基板154を弾性連結部材174に連結する。このとき、一対のネジ188を一対のネジ穴178内へそれぞれ均等に捻じ込んで行くことにより、図11(C)に示されるように、弾性連結部材174の両端部付近がそれぞれレーザー駆動基板154側へ弾性的に変形(撓み変形)し、一対のボス部176の先端面がそれぞれレーザー駆動基板154の表面部へ圧接する。更に、一対のネジ188を所定の締め付けトルクが生じるまで捻じ込むことにより、弾性連結部材174がレーザー駆動基板154の表面部にならうように密着固定されると共に、弾性連結部材174の弾性的な復元力に対応する圧力で光源側基準面160が取付基準面170へ圧接する。
【0034】
すなわち、取付構造150では、ネジ188を所定の締め付けトルクが生じるまで捻じ込みレーザーパッケージ152を、弾性連結部材174を介して光源取付部164へ固定することにより、光源側基準面160及び取付基準面170に寸法誤差がある場合でも、この寸法誤差が、弾性連結部材174が弾性変形することで吸収されるので、光源側基準面160及び取付基準面170の寸法誤差の影響によりレーザーパッケージ152の位置調整後における姿勢変化の発生を防止できる。
【0035】
なお、図11に示される取付構造150では、光源側基準面160がパッケージ部材158に形成されているが、図12(A)に示されるように、一般によく使用される管状のパッケージ部材に収納されている端面発光型の半導体レーザーをレーザー光源とするレーザーパッケージ190をレーザー駆動基板154上に実装し、このレーザー駆動基板154における表面部を光源側基準面192にするようにしても良く、また図12(B)に示されるようにレーザーパッケージ191をプレート状の保持部材194上に実装する共に、FPC等の回路接続部材196により回路基板上に半導体レーザー190を接続し、保持部材194の光源取付部側の表面部を光源側基準面198にするようにしても良い。このようにレーザー駆動基板154の表面部を光源側基準面192にした場合でも、また保持部材194の表面部を光源側基準面198にした場合でも、パッケージ部材158の表面部を光源側基準面160にした場合と基本的に同一の作用及び効果が得られる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体レーザー装置及び、その取付構造について図面を参照して説明する。
【0037】
[第1び実施形態]
【0038】
(レーザー走査装置の構成)
【0039】
先ず、本発明の実施形態に係る半導体レーザー装置が光源装置として適用されたレーザー走査装置について説明する。図1には、本発明の実施形態に係る半導体レーザーが適用されたレーザー走査装置の光学系の構成が示されている。このレーザー走査装置10は、ドラム状の感光体12を画像信号により変調されたレーザー光Bにより走査し、感光体12に静電潜像を形成するためのものであり、電子写真プロセスにより画像形成が行われるレーザープリンター、複写機等の画像形成装置へ適用される。
【0040】
図1に示されるように、レーザー走査装置10は、レーザー光Bの光源装置として半導体レーザー14を備えており、この半導体レーザー14は、マルチビーム光源として面発光型のレーザーアレイ60(図3参照)を内蔵している。レーザーアレイ60は、その駆動時に略ガウシアン分布を有する複数本のレーザー光B(但し、図1には1本のレーザー光Bのみが示されている。)を発光する。レーザーアレイ60から出射されたレーザー光Bは、ファーフィールドパターン(FFP)が主走査方向及び副走査方向にそれぞれ略均等な拡がり角を持つビーム光となる。レーザー走査装置10には、半導体レーザー14から出射されるレーザー光Bの光路に沿ってコリメータレンズ18、光ビーム整形用のスリット部材20、シリンドリカルレンズ24、ハーフミラー22が半導体レーザー14側から順に配置されている。
【0041】
ここで、コリメータレンズ18は、レーザー光Bの光軸に沿ったレーザーアレイ60との間隔がコリメータレンズ18の焦点距離と一致するよう配置されており、これにより、コリメータレンズ18を透過した光ビームは略平行光となる。このレーザー光Bは、スリット部材20のスリットを通過することで所定の断面形状に整形され、副走査方向に沿って曲率を有するシリンドリカルレンズ24に入射する。
【0042】
ハーフミラー22は、シリンドリカルレンズ24を透過したレーザー光Bの全光量うち約30%を透過させ、残りのレーザー光Bを回転多面鏡26へ向って反射する。ハーフミラー22の裏面側は主走査方向に沿って曲率を有するシリンドリカルレンズとして構成されており、シリンドリカルレンズ24及びハーフミラー22を透過したレーザー光Bは、副走査方向及び主走査方向ヘそれぞれ集光されて光量モニター用のフォトダイオード(以下、「MPD」という。)28の受光部に光スポットを形成する。
【0043】
回転多面鏡26は正多角柱形状に形成されており、その外周側の複数の平面がそれぞれ反射偏向面30とされている。また回転多面鏡26には、同軸的にステッピングモータ等からなる偏向駆動手段(図示省略)が連結されており、この偏向駆動手段からの伝達トルクにより、回転多面鏡26は軸心を中心として一方向へ等各速度で回転する。ハーフミラー22により反射されたレーザー光Bは、シリンドリカルレンズ24のレンズパワーにより反射偏向面30上で副走査方向に沿って収束される。回転多面鏡26は反射偏向面30によりレーザー光Bを反射し、レーザー光Bが主走査方向に沿って等角速度で移動するようにレーザー光Bを偏向する。
【0044】
レーザー走査装置10には、回転多面鏡26によるレーザー光Bの偏向方向に沿って一対のFθレンズ32,34が配置されている。これらのFθレンズ32,34は、それぞれ主走査方向に沿って細長いロッド状に形成されており、回転多面鏡26により反射されたレーザー光Bを主走査方向に沿って集光すると共に、レーザー光Bの主走査方向に沿った移動を等角速度から等線速度に変換する。Fθレンズ32,34を透過したレーザー光Bは、第1シリンドリカルミラー36及び平面ミラー38によって光路が略コの字状に屈曲され、さらに第2シリンドリカルミラー40により感光体12へ向って反射される。第2シリンドリカルミラー40により反射されたレーザー光Bは、防塵用のウインドガラス42を透過して感光体12の外周面上に達する。
【0045】
シリンドリカルミラー36,40は、副走査方向に沿ってレーザー光Bを収束させるための光学的なパワーを有する。レーザー走査装置10では、回転多面鏡26の反射偏向面30と感光体12の外周面とが略共役関係にされており、これにより、回転多面鏡26の偏向方向のばらつき(面倒れ)により生じる感光体12上での副走査方向に沿った光スポットの位置ずれが補正されることになる。また、コリメータレンズ18、シリンドリカルレンズ24、シリンドリカルミラー36,40の副走査方向の曲率は、感光体12上での副走査方向に沿ったビーム間隔と感光体12から数ミリ離れた位置でのビームの間隔とが互いに等しいテレセントリックな関係とするように設定されている。
【0046】
感光体12は軸方向に沿って細長い略円柱状に形成され、その外周面がレーザー光Bに感応する感光面13とされている。また感光体12は、その軸方向がレーザー走査装置10による主走査方向と一致するように支持されている。すなわち、レーザー走査装置10では、半導体レーザー14から出射されたレーザー光Bが感光体12上に光スポットとして収束し、この光スポットが主走査方向に沿って感光体12上を移動して主走査線上に沿って潜像が記録される。また感光体12には副走査駆動手段(図示省略)が連結されており、この副走査駆動手段は、感光体12に対する1回の主走査完了に同期し、感光体12を所定量だけ回転させる。これにより、感光体12における副走査方向(周方向)に沿って画素密度に対応する距離だけ異なる部位が順次、レーザー光Bにより主走査され、感光体12に2次元的な潜像が形成されて行く。
【0047】
レーザー走査装置10には、平面ミラー38の一端部により感光体12の外側へ反射されたレーザー光Bの光路上に平面ミラー44が配置されており、この平面ミラー44により反射されたレーザー光Bの光路上には、シリンドリカルレンズ46及び同期センサ48が平面ミラー44側から順に配置されている。従って、平面ミラー38の一端部により反射されたレーザー光Bは、さらに平面ミラー44により反射されてシリンドリカルレンズ46へ入射し、シリンドリカルレンズ46により同期センサ48の受光部上に結像する。このレーザー光Bの入射と同時に、同期センサ48はSOS信号を後述するビデオコントローラ52(図2参照)へ出力し、このSOS信号に基づいて、ビデオコントローラ52は、感光体12に対する主走査方向に沿った書出しタイミング及び感光体12の副走査方向への移動(回転)タイミングをそれぞれ決定する。
【0048】
図2には、本発明の実施形態に係る半導体レーザー装置が適用されたレーザー走査装置における駆動・制御回路の構成が示されている。この駆動・制御回路50には、ビデオコントローラ52、レーザーアレイ制御部54及びレーザーアレイ駆動回路58がが設けられている。ビデオコントローラ52には同期センサ48が接続され、レーザーアレイ制御部54にはMPD28が接続されている。またレーザーアレイ駆動回路58はレーザーアレイ60に駆動信号を出力し、レーザーアレイ60によるレーザー光Bの発光を制御する。ここで、レーザーアレイ制御部54及びレーザーアレイ駆動回路58は、後述するプリント配線基板80(図5参照)又はプリント配線基板108(図7参照)上に設けられる。
【0049】
(半導体レーザの構成)
【0050】
次に、本発明の実施形態に係る半導体レーザの構成について図面を参照して説明する。図3及び図4には本発明の実施形態に係る半導体レーザー14が示されている。この半導体レーザー14は、レーザー光Bを発光する半導体レーザーチップとして面発光型のレーザーアレイ60、所謂、(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser−Diode)を用いている。レーザーアレイ60はパッケージ部材68上に固定されており、その表面部62には、図3に示されるように32個のレーザー発光部64がマトリックス状に配置されている。これらのレーザー発光部64からはそれぞれレーザー光Bが表面部62に対して垂直に発光される。
【0051】
図3に示されるように、レーザーアレイ60では、32個のレーザー発光部64は、副走査方向(矢印S方向)に沿って所定ピッチだけ互いにずれるように配置されており、各レーザー発光部64のピッチは、感光体12(図1参照)上での走査線の間隔、すなわち副走査方向に沿った解像度に対応して設定されている。本実施形態では、レーザーアレイ60におけるレーザー発光部64間のピッチが7μmとされ、感光体12上での走査線間隔が10.6μmとなるように結像光学系の倍率を設定され、これにより、感光体12には2400DPIの画像が形成可能になっている。また、レーザー走査装置10では、各レーザー発光部64の主走査方向(矢印M方向)における位置に応じて画像信号の遅延時間を調整することで、感光体12上での主走査方向に沿った書出しタイミングのずれを補正している。
【0052】
図4に示されるように、半導体レーザー14は、プレート状のレーザーアレイ60及び、このレーザーアレイ60を保持するパッケージ部材68を備えている。レーザーアレイ60は、その厚さ方向に沿った表面部62及び裏面部66がそれぞれ平面状に形成されている。このレーザーアレイ60はVCSELとして構成されていることから、表面部62と裏面部66とが精度良く互いに平行となるように形成され、かつレーザー発光部64から発光されるレーザー光Bの光軸が表面部62に対して精度良く垂直に保たれるという特性を有している。
【0053】
パッケージ部材68は、レーザー光Bの光軸方向に沿って扁平なブロック状に形成されており、その表面中央部には凹状に窪んだ収納室70が形成されている。収納室70の底面部は、十分に平滑な平面となるように精度良く加工されており、レーザーアレイ60が載置される第1基準面72とされている。レーザーアレイ60は、その裏面部66を第1基準面72に当接させた状態で第1基準面72の中央部上に載置され、固着されている。なお、レーザーアレイ60の裏面部66と第1基準面72との間に接着剤等からなる中間層が介在する場合でも、このような中間層の厚さは十分に薄く、かつ均一厚さになるように形成される。
【0054】
パッケージ部材68の表面部には、収納室70の外周側に第2基準面74が設けられており、この第2基準面74は、第1基準面72と同様に十分に平滑な平面とされ、かつ第1基準面72と平行になるように精度良く加工されている。これにより、レーザーアレイ60がパッケージ部材68に固定された状態で、レーザーアレイ60の表面部62、パッケージ部材68における第1基準面72及び第2基準面74は互いに精度良く平行になり、これらの基準面72,74に対してレーザー発光部64から発光されるレーザー光Bの光軸は精度良く垂直に保たれる。
【0055】
ここで、パッケージ部材68は、Al2O3、SiO2、TiO2等のセラミックを素材として、例えば、研削加工により成形されている。パッケージ部材68をAl2O3、SiO2、TiO2等のセラミックにより成形したことにより、レーザー走査装置10の光源装置として使用された場合に、結露に強い、導電率が低く静電ノイズに強い等の良好な特性が得られ、また一般的にセラミックは、その材質の特性からサブミクロンのオーダーで精度を容易に出せるためパッケージ部材68の素材として適している。
【0056】
図4に示されるように、パッケージ部材68に固定(実装)されたレーザーアレイ60は、複数本のボンディングワイヤー76によりパッケージ部材68側に設けられたプリント配線(図示省略)等からなる接続回路に結線される。また収納室70の頂面側の開口には透明材料からなる防塵ガラス78が嵌め込まれ、これにより、収納室70内には外部から密閉された空間が形成される。半導体レーザー14は、図5に示されるようにプレート状に形成されたプリント配線基板80における所定の実装部82上に載置され、パッケージ部材68の接続回路の端子部がプリント配線基板80上に形成されたプリント配線の端子部にケーブル、半田等を介して接続される。また、このプリント配線基板80にはレーザーアレイ駆動回路58が実装されるか、或いはプリント配線基板80はレーザーアレイ駆動回路58が実装された回路基板等に接続されており、これにより、プリント配線基板80を介して、半導体レーザー14のレーザーアレイ60とレーザーアレイ駆動回路58とが互いに電気的に接続される。また半導体レーザー14は、複数本のビス(図示省略)によりプリント配線基板80に締結固定されており、これにより、半導体レーザー14は、その裏面部が実装部82に密着した状態でプリント配線基板80に十分な強度で連結固定される。
【0057】
(半導体レーザの取付構造)
【0058】
次に、上記のように構成されたレーザー走査装置10に本実施形態に係る半導体レーザー14を取り付けるための取付構造について図面を参照して説明する。
【0059】
図5及び図6には、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザの取付構造が示されている。この取付構造90は、光源装置としての半導体レーザー14をレーザー走査装置10における結像光学系が搭載される光学箱92に取り付けるためのものである。ここで、レーザー走査装置10における結像光学系とは、半導体レーザー14から出射されたレーザー光Bを光スポットとして感光体12上に結像するためのレンズ、ミラー等の光学部品の集合であり、本実施形態では、図1に示されるコリメータレンズ18、スリット部材20、ハーフミラー22、シリンドリカルレンズ24、Fθレンズ32,34等から構成されている。光学箱92は結像光学系を構成する光学部品の収納し、支持すると共に、これらの光学部品への塵埃等の異物付着を防止するための防塵空間を構成している。また光学箱92には、回転多面鏡26、同期センサ48、MPD28等が搭載される。
【0060】
図5に示されるように、光学箱92には、その外側面に半導体レーザー14を取り付けるための光源取付部93が設けられている。この光源取付部93には、中央部に光学箱92内へレーザー光Bを通過させるためのレーザー導入口94が形成されると共に、レーザー導入口94の周縁部に光学箱92の側面から突出するように支持基台96が設けられている。また光源取付部93には、支持基台96の外周側に複数のねじ穴98が穿設され、これらのねじ穴98は、プリント配線基板80に穿設された複数の挿通穴84にそれぞれ対応するように配置されている。一方、プリント配線基板80における複数の挿通穴84は、面方向に沿って半導体レーザー14が実装される実装部82の外側の部位にそれぞれ穿設され、実装部82までの距離が互いに略等しくなるように配置されている。
【0061】
光源取付部93の支持基台96は、その先端面が十分に平滑な平面となるように加工されており、この支持基台96の先端面は半導体レーザー14から出射されるレーザー光Bの光軸SB(図6参照)の方向(半導体レーザー14の光軸方向)を決めるための取付基準面97とされている。この取付基準面97は、その光学箱92に搭載された結像光学系の光軸を基準として面方向が決められており、具体的には、結像光学系のレーザー光Bの入射部から延長された光軸SO(図6参照)に対して直交するように精度良く形成されている。ここで、支持基台96は、その取付基準面97の平面性を十分に高くでき、かつ面方向の傾き誤差を十分に小さくできるならば、樹脂等により光学箱92と一体成形しても良いが、このような成形方法では十分な精度が得られない場合には、支持基台96は、例えば、セラミック等の高い加工精度を得られる素材により成形し、光学箱92の側面部に光軸SOに対する傾きを調整しつつ固定することにより設けられる。
【0062】
一方、本実施形態に係る取付構造90では、プリント配線基板80が撓み方向へ十分な弾性を有するFPC(Flexible Printed Circuit)により構成されており、プリント配線基板80は複数本のビス100により光源取付部93に締結固定される。このとき、ビス100が挿通するプリント配線基板80の挿通穴84は、その内径がビス100のねじ部外径よりも大径で、ビス100の頭部外径よりも小径とされている。
【0063】
次に、上記のように構成された取付構造90を用いた半導体レーザー14の光学箱92への取付方法について説明する。図5に示される半導体レーザー14を光源取付部93に取り付ける際には、先ず、パッケージ部材68の第2基準面74を支持基台96における取付基準面97に当接させつつ、プリント配線基板80の各挿通穴84にそれぞれビス100を挿通させ、これらのビス100の先端部を光源取付部93のねじ穴98に捻じ込んで行く。複数本のビス100はそれぞれ略均等量ずつねじ穴98へ捻じ込まれ、これらのビス100により光源取付部93に拘束されたプリント配線基板80は、パッケージ部材68の第2基準面74が支持基台96の取付基準面97に当接するように半導体レーザー14を光源取付部93に拘束する。このとき、図6の2点鎖線で示されるように、複数本のビス100は、プリント配線基板80における実装部82の外側部分を僅かに光源取付部93側へ撓み変形するまで、ねじ穴98へそれぞれ均等に捻じ込まれる。これにより、パッケージ部材68は第2基準面74が取付基準面97に当接する状態に保持され、第2基準面74と取付基準面97との間には弱い摩擦力が生じる。
【0064】
前述したように、第2基準面74はパッケージ部材68に実装されたレーザーアレイ60の光軸SBに対して実質的に直交する平面であり、取付基準面97は光学箱92に搭載された結像光学系の光軸SOに対して実質的に直交する平面である。このことから、第2基準面74が取付基準面97に当接すると、パッケージ部材68に実装されたレーザーアレイ60の光軸SBは取付基準面97にも実質的に直交することになる。すなわち、図6に示されるように、結像光学系を基準とする光軸方向をZ軸、主走査方向をX軸、副走査方向をY軸としてそれぞれ表した場合、レーザーアレイ60はZ−X平面及びX−Y平面に沿って傾きが無い状態に調整(傾き調整)される。
【0065】
次いで、半導体レーザー14のX軸方向及びY軸方向に沿った、X−Y平面に沿った位置調整と、Z軸を中心とする回転方向への調整(位相調整)とが同時に行われる。X−Y平面に沿った位置調整は、第2基準面74を取付基準面97に当接させつつ、第2基準面74と取付基準面97との摩擦力に抗し、半導体レーザー14をスライド(平行移動)させることにより行われる。これにより、半導体レーザー14は、レーザーアレイ60の光軸SBを結像光学系の光軸SOと一致するようにX−Y平面に沿って位置決めされる。
【0066】
またZ軸を中心とする位相調整は、第2基準面74を取付基準面97に当接させつつ、Z軸を中心として半導体レーザー14を回転させることにより行われる。これにより、半導体レーザー14は、レーザーアレイ60における複数個のレーザー発光部64がX軸及びY軸に対して所定の方向ヘ配列される。これらのX−Y平面に沿った位置調整の許容量及びZ軸を中心とする位相調整の許容量は、プリント配線基板80における挿通穴84の内径とビス100の外径との差により定まる。このことから、挿通穴84の内径をビス100の外径に対してどの程度、拡大するかが決められる。
【0067】
X−Y平面に沿った位置調整及びZ軸を中心とする位相調整が完了したならば、複数本のビス100をそれぞれ所定の締結トルクが生じるまでねじ穴98へ捻じ込み、プリント配線基板80の実装部82の外側を撓み量を十分に大きくする。この撓み量の増加に従って、第2基準面74と取付基準面97との間の摩擦力が増大し、この摩擦力を十分に大きくすることにより、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った移動及び回転が拘束される。このとき、第2基準面74と取付基準面97との間の摩擦力は、ビス100の締結トルクに対応する大きさになるので、ビス100をねじ穴98へ捻じ込む際の締結トルクを適宜設定することで、第2基準面74と取付基準面97との間の摩擦力を十分な大きさにできる。具体的には、ポリイミド系樹脂を基材として厚さが1.0mm〜2.0mmのプリント配線基板80を用いた場合、各ビス100の締結トルクを0.1N・m〜0.5N・mの範囲内で適宜設定することで、半導体レーザー14を十分な拘束力で光源取付部93へ固定できる。
【0068】
以上説明したように、図5及び図6に示される取付構造90によれば、半導体レーザー14を結像光学系が搭載される光学箱92における光源取付部93に簡単に取り付けることができ、かつ半導体レーザー14におけるレーザーアレイ60の結像光学系の光軸SOに対する傾き誤差、X−Y平面に沿った位置決め誤差及び、Z軸まわりの位相誤差をそれぞれ十分に小さくできる。また取付構造90では、プリント配線基板80としてFPCを用いていることから、プリント配線基板80が撓み方向へ十分な弾性を有し、かつ任意の方向へ一定の柔軟性を有しているので、何れかのビス100における締結トルクが過剰になり、プリント配線基板80の撓み変形が局部的に大きくなった場合や、複数本のビス100のねじ穴98への捻じ込み量が不均一になり、プリント配線基板80に捻れ変形が生じた場合でも、プリント配線基板80に亀裂、断線等の破損が生じたり、第2基準面74と取付基準面97との間の密着性が低下することを防止できる。
【0069】
次に、本発明の第1の実施形態に係る取付構造の第1変形例について説明する。図7に示される取付構造104では、半導体レーザー14が実装されるプリント配線基板106としてガラスエポキシ系樹脂を基材とする比較的、硬質のものを用いている。ガラスエポキシ系樹脂を基材するプリント配線基板106は、FPCと比較して殆ど柔軟性を有しておらず、かつ撓み方向へ許容される弾性変形量も小さいものになっている。このため、何れかのビス100における締結トルクが過剰になった場合や、複数本のビス100のねじ穴98への捻じ込み量が不均一になった場合には、プリント配線基板106に亀裂、断線等の破損が生じ易く、また第2基準面74と取付基準面97との間の密着性が低下し易くなる。
【0070】
上記のような問題が考慮されて、取付構造104には、光源取付部93に円筒状のボス108がねじ穴98に対応して設けられている。ボス108は光源取付部93のねじ穴98の外周側に同軸的に配置され、光源取付部93からプリント配線基板80側へ突出している。ボス108の内径はビス100の外径よりも僅かに長くなっており、また複数本のボス108の光源取付部93表面からの突出長Pは互いに等しくなっている。この突出長Pは、支持基台96の光源取付部93からの突出長とパッケージ部材68の厚さとの和よりも所定長だけ短くなっており、このボス108の支持基台96及びパッケージ部材68に対する短縮量は、半導体レーザー14が光源取付部93に取り付けられた状態で、プリント配線基板106に付与すべき撓み変形量に応じて設定される。
【0071】
取付構造104により半導体レーザー14を光源取付部93に取り付ける際には、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った位置調整及び位相調整については、基本的に取付構造90の場合と同一の方法により行われる。これら一連の半導体レーザー14の位置調整及び位相調整が完了した後、取付構造104では、複数本のビス100の頭部がそれぞれプリント配線基板106を介してボス108の先端面に当接し、それ以上の捻じ込みが制限されるまで、ねじ穴98にそれぞれ捻じ込まれる。これにより、プリント配線基板106には、実装部82外側の周辺部に撓み変形が均等に生じ、この撓み変形により生じる復元力により第2基準面74が取付基準面97に十分な圧接力で圧接し、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った移動及び回転が拘束される。
【0072】
以上説明したように、図7に示される取付構造104によっても、取付構造90の場合と同様に、半導体レーザー14を結像光学系が搭載される光学箱92における光源取付部93に簡単に取り付けることができ、かつ半導体レーザー14におけるレーザーアレイ60の結像光学系の光軸SOに対する傾き誤差、X−Y平面に沿った位置決め誤差及び、Z軸まわりの位相誤差をそれぞれ十分に小さくできる。また取付構造104では、プリント配線基板106がガラスエポキシ系樹脂製により形成されていることから、FPCとして構成されたプリント配線基板80と比較し、亀裂、断線等が生じない程度の僅かな撓み変形量を付与すれば、半導体レーザー14に十分な復元力を作用させて半導体レーザー14を確実に光源取付部93の所定位置に拘束可能になる。
【0073】
なお、プリント配線基板がFPCとして構成されている場合でも、光源取付部93に複数個のボス108を設け、これらのボス108によりビス100の捻じ込み量を一定にすることで、プリント配線基板から半導体レーザー14に作用する復元力を確実に一定の大きさにできるので、ビス100の捻じ込み量の不足等に起因して半導体レーザー14の光源取付部93への取付状態が不安定になることを防止できる。
【0074】
[第2の実施形態]
【0075】
図8〜図10には、それぞれ本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザの取付構造が示されている。なお、この第2の実施形態に係る半導体レーザの取付構造において、第1の実施形態に係る半導体レーザの取付構造と基本的に構成が共通な部材については同一符合を付して説明を省略する。
【0076】
図8には、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザの取付構造の一例が示されている。この取付構造110では、光源取付部93とプリント配線基板106との間におけるビス100の外周側に肉厚円筒状のスペーサ部材112が配置されている。このスペーサ部材112はゴム等の弾性材料により形成されており、その軸心部にはビス100のねじ部が挿通可能な貫通穴114が形成されている。スペーサ部材112の軸方向に沿った自由長L(図8(B)参照)(は、支持基台96の光源取付部93からの突出長とパッケージ部材68の厚さとの和よりも所定長だけ長くなっており、このスペーサ部材112の自由長Lは、スペーサ部材112の軸方向に沿った弾性係数と、半導体レーザー14を光源取付部93に固定するためにパッケージ部材68に付与すべき付勢力の大きさ等に応じて設定される。
【0077】
取付構造110により半導体レーザー14を光源取付部93に取り付ける際には、先ず、ビス100をプリント配線基板106における複数個の挿通穴84にそれぞれ挿通し、このビス100のねじ部の外周側にスペーサ部材112を嵌挿する。この後、パッケージ部材68における第2基準面74が支持基台96の取付基準面97に軽く当接するまで、複数本のビス100をそれぞれ均等にねじ穴98に捻じ込み、この状態で半導体レーザー14の位置調整及び位相調整を行う。この半導体レーザー14のX−Y平面に沿った位置調整及び位相調整の方法については、基本的に第1の実施形態に係る取付構造90,104の場合と同一の方法により行われる。
【0078】
取付構造110では、半導体レーザー14の位置調整及び位相調整が完了した後、複数本のビス100を更にねじ穴98に捻じ込み、これらのビス100からの加圧力によりスペーサ部材112を所定の圧縮長Pになるように軸方向に沿って弾性変形させる。このとき、プリント配線基板106には、その剛性に応じて実装部82外側の周辺部に僅かな撓み変形が生じる。このとき、半導体レーザー14には、複数個のスペーサ部材112の復元力とプリント配線基板106の復元力との和に対応する付勢力が作用し、この付勢力によりパッケージ部材68における第2基準面74が取付基準面97に十分な圧接力で圧接し、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った移動が拘束される。
【0079】
以上説明したように、図8に示される取付構造110によっても、第1の実施形態に係る取付構造90,104の場合と同様に、半導体レーザー14を結像光学系が搭載される光学箱92における光源取付部93に簡単に取り付けることができ、かつ半導体レーザー14におけるレーザーアレイ60の結像光学系の光軸SOに対する傾き誤差、X−Y平面に沿った位置決め誤差及び、Z軸まわりの位相誤差をそれぞれ十分に小さくできる。また取付構造110では、プリント配線基板106として高剛性のものを用いた場合でも、スペーサ部材112の弾性変形量を十分に大きくし、プリント配線基板116を介してスペーサ部材112から半導体レーザー14へ十分な大きな付勢力を作用させることで、半導体レーザー14を確実に光源取付部93の所定位置に拘束可能になる。また取付構造110では、プリント配線基板106が複数個のスペーサ部材112を介して光源取付部93に弾性的に連結されていることから、光学箱92に外部からの衝撃が作用した場合でも、スペーサ部材112によりプリント配線基板106側へ伝達される衝撃力を緩和できるので、衝撃力によるプリント配線基板106及び半導体レーザー14の損傷を抑制できる。
【0080】
図9には、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザの取付構造の第1変形例が示されている。この取付構造120では、光源取付部93における支持基台96の外側に複数個(例えば、4個)の板ばね部材122が片持ち状態で取り付けられている。複数個の板ばね部材122は、それぞれ金属を素材として細長い薄板状に形成されており、支持基台96を中心として外側へ延出するように配置されている。板ばね部材122は、支持基台96側に配置された基端部がビス124により光源取付部93の外側面に固着され、基端部から先端側へ向って光源取付部93の外側面から徐々に離間するように湾曲されている。これにより、板ばね部材122はZ軸方向に沿って撓み変形可能となっている。また板ばね部材122の先端部には、プリント配線基板106の挿通穴84に対応する連結用のねじ穴126が穿設されている。
【0081】
ここで、図9(A)に示されるように、板ばね部材122が変形していない自由状態では、光源取付部93の外側面から板ばね部材122の先端部までのZ軸方向に沿った間隔Tが支持基台96の光源取付部93からの突出長とパッケージ部材68の厚さとの和よりも所定長だけ短くなっている。この板ばね部材122の光源取付部93からの間隔Tは、板ばね部材122の撓み方向(Z軸方向)に沿った弾性係数と、半導体レーザー14を光源取付部93に固定するためにパッケージ部材68に付与すべき付勢力の大きさ等に応じて設定される。
【0082】
取付構造120により半導体レーザー14を光源取付部93に取り付ける際には、先ず、ビス100をプリント配線基板106の複数個の挿通穴84にそれぞれ挿通し、これらのビス100のねじ先端部をそれぞれ板ばね部材122のねじ穴126に捻じ込み、板ばね部材122をプリント配線基板106側へ撓み変形させる。このとき、パッケージ部材68における第2基準面74が支持基台96の取付基準面97に軽く当接するまで、複数本のビス100をそれぞれ均等にねじ穴126に捻じ込み、この状態で、半導体レーザー14の位置調整及び位相調整を行う。この半導体レーザー14のX−Y平面に沿った位置調整及び位相調整については、基本的に第1の実施形態に係る取付構造90,104の場合と同一の方法により行われる。
【0083】
取付構造120では、半導体レーザー14の位置調整及び位相調整が完了した後、図9(B)に示されるように、複数本のビス100を更に板ばね部材122のねじ穴126に捻じ込み、板ばね部材122の撓み変形を増大させることで、板ばね部材122の先端部をプリント配線基板80に当接させる。これにより、板ばね部材122によりビス100のねじ穴126への捻じ込みが制限され、プリント配線基板106には、その剛性に応じて実装部82外側の周辺部に僅かな撓み変形が生じる。また半導体レーザー14には、複数個の板ばね部材122の復元力とプリント配線基板106の復元力との和に対応する付勢力が作用し、この付勢力によりパッケージ部材68における第2基準面74が取付基準面97に十分な圧接力で圧接し、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った移動が拘束される。
【0084】
図9に示される取付構造120によっても、図8に示される取付構造110の場合と同様の作用効果が得られると共に、半導体レーザー14を光源取付部93側へ付勢する弾性部材として金属製の板ばね部材122を用いているので、ゴム製のスペーサ部材112を用いた場合と比較して、化学変化等による機械的な特性変化が少なく、半導体レーザー14に対する付勢力の経時的な変化を抑制できる。
【0085】
図10には、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザの取付構造の第2変形例が示されている。この取付構造130で用いられるビス134には、頭部135と先端側のねじ部136との間に頭部135よりも小径で、かつねじ部136よりも大径とされた円柱状のスペーサ部137が設けられている。また取付構造130は、半導体レーザー14を光源取付部93側へ付勢する弾性部材として波形ワッシャ132を備えており、この波形ワッシャ132は、ビス100の頭部135とプリント配線基板106との間であってビス100のねじ部の外周側にリング状の波形ワッシャ132が介装されている。波形ワッシャ132は、図10(B)に示されるように、周方向に沿って波形に湾曲した薄い金属板により形成されており、その厚さ方向に沿って弾性変形可能とされている。
【0086】
取付構造130により半導体レーザー14を光源取付部93に取り付ける際には、先ず、ビス134のスペーサ部137の外周側に波形ワッシャ132を嵌めた後、ビス134をプリント配線基板106の複数個の挿通穴84にそれぞれ挿通させ、これらのビス134のねじ部136をそれぞれ各波形ワッシャ132が僅かに弾性変形するまで、均等にねじ穴98に捻じ込む。この状態で、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った位置調整及び位相調整が行われる。この半導体レーザー14の位置調整及び位相調整については、基本的に第1の実施形態に係る取付構造90,104の場合と同一の方法により行われることから説明を省略する。
【0087】
半導体レーザー14の位置調整及び位相調整が完了した後、複数本のビス100を更に光源取付部93のねじ穴98に捻じ込み、各ビス134におけるスペーサ部137の先端面をそれぞれ支持基台96へ圧接させる。これにより、波形ワッシャ132の厚さ方向に沿った弾性変形量が十分に増大すると共に、プリント配線基板106には実装部82外側の周辺部に僅かな撓み変形が生じる。このとき、半導体レーザー14には、複数個の波形ワッシャ132の復元力とプリント配線基板106の復元力との和に対応する付勢力が作用し、この付勢力によりパッケージ部材68における第2基準面74が取付基準面97に十分な圧接力で圧接し、半導体レーザー14のX−Y平面に沿った移動が拘束される。
【0088】
図10に示される取付構造130によっても、本実施形態に係る他の取付構造110,120の場合と同様の作用効果が得られると共に、半導体レーザー14を光源取付部93側へ付勢する弾性部材として市販品である波形ワッシャ132を用いているので、ゴム製のスペーサ部材112や板ばね部材122を用いた場合と比較して、弾性部材を設けたことによるコスト上昇を抑制できる。
【0089】
[第3の実施形態]
【0090】
図13及び図14には本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザーの取付構造が示されている。この半導体レーザーの取付構造(以下、単に「取付構造」という。)200には、図14に示されるように、光源装置であるレーザーパッケージ202が実装されると共に、レーザー駆動回路(図示省略)が配設されたプレート状のレーザー駆動基板204が設けられている。レーザーパッケージ202は、レーザー光源として面発光型のレーザーアレイ206及び、このレーザーアレイ206を収納するセラミック製のパッケージ部材208を備えている。このパッケージ部材208は、レーザー駆動基板204とは反対側の表面部が光源側基準面210とされており、この光源側基準面210は高い平滑度を有する平面に加工されている。
【0091】
取付構造200は、光走査装置の筐体212に一体的に設けられた光源取付部214を備えている。この光源取付部214は、筐体212の側板部を貫通する窓部216及び、この窓部216の外周側に筐体212の側板部から外側へ突出するように設けられた略円筒状の筒部218を備えている。ここで、筒部218には、その外周部にリブ状とされた複数個(本実施形態では3個)の当接片219が一体的に形成されており、これら3個の当接片219は、筒部218の外周面に沿って互いに等間隔(120°間隔)となるように配置されている。当接片219のの先端面は取付基準面220とされており、この取付基準面220も、光源側基準面210と同様に、高い平滑度を有する平面に加工されている。また光源取付部214には、筒部218の外周側に一対のネジ穴222が筐体212の側板部を貫通するように設けられている。
【0092】
取付構造200には、レーザー駆動基板204と光源取付部214との間に弾性連結部材224が設けられている。この弾性連結部材224は、弾性を有する樹脂等を素材として、例えば、図中に示される座標軸のX方向を長手方向とするプレート状に形成されており、その長手方向に沿った両端部には、レーザー駆動基板204側へ突出する円柱状のボス部226がそれぞれ一体的に形成されている。このボス部226の中心部には、板厚方向に沿って弾性連結部材224を貫通するネジ穴228が穿設されている。レーザー駆動基板204には、弾性連結部材224の一対のネジ穴228に対応する一対の挿通穴232が穿設されている。これら一対の挿通穴232の内径は、レーザー駆動基板204を弾性連結部材224に連結し、締結固定するためのネジ240の外径よりも若干大きくされており、これらの径の差だけレーザー駆動基板204がX軸及びY軸方向に沿って位置調整可能になる。
【0093】
また弾性連結部材224には、その長手方向に沿った中央部に光源取付部214の筒部218に対応する矩形の開口部230が穿設されると共に、この開口部230の上下にそれぞれ光源取付部214の一対のネジ穴222にそれぞれ対応する一対の挿通穴234が穿設されている。なお、本実施形態では、弾性連結部材224を樹脂により形成したが、弾性限度内で使用可能な素材であるならば金属材料等の他の素材により形成するようにしても良い。
【0094】
次に、図15に基づいて弾性連結部材224の構成を詳細に説明する。弾性連結部材224は、図15(A)に示されるように、光軸方向と一致するZ軸方向へ薄いプレート状に形成されている。これにより、弾性連結部材224は光軸方向に沿った変形(撓み変形)が可能になっている。これに対し、弾性連結部材224は、X軸及びY軸方向へは十分な剛性を有する形状とされている。従って、弾性連結部材224は、光軸方向に沿った復元力を発生しやすい形状ではあるが、光源取付部214への固定後にX軸及びY軸方向に沿った外力が加わっても変形が生じ難くなっている。このため、弾性連結部材224によれば、光軸方向に沿ってレーザー駆動基板204を光源取付部214へ確実に押圧し、かつ光源取付部214への固定後にX軸及びY軸方向への位置ずれを生じ難くできる。
【0095】
弾性連結部材224は、図15(B)に示されるように、レーザーアレイ206から出射されたレーザー光Bの光軸SBの通過点PBを中心として、一対のネジ穴228がX軸方向に沿って互いに等距離となるように配置され、かつ一対の挿通穴232がY軸方向に沿って互いに等距離となるように配置されている。これにより、周辺環境の温度変化により弾性連結部材224に膨張又は収縮が発生した際にも、X軸方向に沿った熱応力及びY軸方向に沿った熱応力が互いに相殺されることから、熱応力の影響によるX軸方向及びY軸方向に沿った弾性連結部材224の位置変化が効果的に防止される。この結果、弾性連結部材224の周辺環境に温度変化があった場合でも、レーザー光Bの位置ずれを防止できる。
【0096】
すなわち、例えば、固定点である一対のネジ穴228から通過点PBまでの距離DAがそれぞれ異なる場合には、周辺環境の温度変化により弾性連結部材224にX軸方向に沿って膨張又は収縮が発生した際に、弾性連結部材224における通過点PBから一方のネジ穴228までの部分に生じる熱応力と通過点PBから他方のネジ穴228までの部分に生じる熱応力とが不均一なものになり、この熱応力の差により弾性連結部材224がX軸方向に沿って位置変化する現象が生じ易くなる。また固定点である一対の挿通穴232から通過点PBまでの距離DBがそれぞれ異なる場合にも、周辺環境の温度変化により弾性連結部材224にY軸方向に沿って膨張又は収縮が発生した際に、弾性連結部材224における通過点PBを中心として生じる熱応力がが不均一なものになり、この熱応力の差により弾性連結部材224がY軸方向に沿って位置変化する現象が生じ易くなる。
【0097】
弾性連結部材224には、図15(C)に示されるように、開口部230と一対のネジ穴228との中間部にそれぞれ弾性連結部材224の短手方向(Y軸方向)へ直線的に延在するスリット溝236が形成されている。これら一対のスリット溝236も、通過点PBからの距離が互いに等しくなるように配置されている。弾性連結部材224は、その撓み方向に沿った剛性がスリット溝236に沿った局部的に低下していることから、光軸方向に沿った外力が加えられた場合には、一対のスリット溝236に沿った部分が他の部分よりも優先的に撓み変形する。またスリット溝236の深さを適宜調整することにより、弾性連結部材224全体の形状や形成素材のヤング率にかかわらず、撓み方向に沿って所望の弾性力を得られるように弾性連結部材224の設計を行う事が可能となっている。またスリット溝236の幅を適宜調整することで、弾性連結部材224が撓み変形した状態でも、弾性連結部材224の一部分に過大な応力を生じさせることなく、光源側基準面210を光源取付部214の取付基準面220と平行にすることが可能になる。
【0098】
本実施形態の取付構造200では、レーザーパッケージ202を光源取付部214に取り付ける際には、先ず、図14(B)に示されるように、一対のネジ238を弾性連結部材224における一対の挿通穴234にそれぞれ挿通させ、これらのネジ238の先端部を光源取付部214における一対のネジ穴222にそれぞれ捻じ込むことにより、弾性連結部材224を光源取付部214に締結固定する。このとき、光源取付部214の筒部218は、弾性連結部材224の開口部230内を通ってレーザー駆動基板204側へ突出する。
【0099】
次いで、位置調整治具(図示省略)によりレーザーパッケージ202の光源側基準面210が光源取付部214の取付基準面220に当接するように、レーザー駆動基板204を保持する。この状態で、レーザーパッケージ202が位置調整治具によりレーザー駆動基板204と共に、レーザーパッケージ202から出射されるレーザー光Bの光軸SBと直交する方向(X軸及びY軸方向)へ位置調整される。この位置調整時には、図14(B)に示されるように、弾性連結部材224のボス部176とレーザー駆動基板204との間には、光軸方向に沿って狭い隙間Gが形成される。
【0100】
取付構造200では、レーザーパッケージ202のX軸及びY軸方向への位置調整完了後に、一対のネジ240をレーザー駆動基板204における一対の挿通穴232内をそれぞれ挿通させ、これら一対のネジ240の先端部を弾性連結部材224における一対のネジ穴228内へ捻じ込むことで、レーザー駆動基板204を弾性連結部材224に連結する。このとき、一対のネジ240を一対のネジ穴228内へそれぞれ均等に捻じ込んで行くことにより、図14(C)に示されるように、弾性連結部材224における一対のスリット溝236に沿った部分がそれぞれ優先的にレーザー駆動基板204側へ撓み変形し、一対のボス部176の先端面がそれぞれレーザー駆動基板204の表面部へ圧接する。更に、一対のネジ240を所定の締め付けトルクが生じるまで捻じ込むことにより、弾性連結部材224がレーザー駆動基板204の表面部にならうように密着固定されると共に、弾性連結部材224の弾性的な復元力に対応する圧力で光源側基準面210が取付基準面220へ圧接する。
【0101】
すなわち、取付構造200では、一対のネジ240を所定の締め付けトルクが生じるまで捻じ込みレーザーパッケージ202を、弾性連結部材224を介して光源取付部214へ固定することにより、光源側基準面210及び取付基準面220に寸法誤差や光軸SBに対する部分的な傾きがある場合でも、この寸法誤差や傾きが、弾性連結部材224が弾性変形することで吸収されるので、光源側基準面210及び取付基準面220の寸法誤差の影響によりレーザーパッケージ202の位置調整後における姿勢変化の発生を防止できる。
【0102】
なお、本実施形態の取付構造200では、コリメートレンズなどの光学部品を備えていない光源装置であるレーザーパッケージ202を筐体212に設けられた光源取付部214に取り付けていたが、レーザーパッケージ202と共にコリメートレンズなどの光学部品を備えて光源装置を、弾性連結部材224を介して筐体212に設けられた光源取付部214に取り付けるようにしても良い。このような場合にも、光学部品を備えた光源装置に光源側基準面210を設けることより、本実施形態の取付構造200と同様の効果を得ることができる。
【0103】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体レーザによれば、結像光学系が搭載される支持構造体に簡単に取り付けることができ、かつ結像光学系に対する面発光型の半導体レーザーチップの傾き誤差を十分に小さくできる。
【0104】
また本発明に係る半導体レーザの取付構造によれば、面発光型の半導体レーザーチップをレーザー光源とする半導体レーザー装置を結像光学系が搭載される支持構造体に簡単に取り付けることができ、かつ結像光学系に対するレーザー光源の傾き誤差を十分に小さくできる。
【0105】
また本発明に係る光源装置の取付構造によれば、光源取付部に取り付けられた光源装置を精度良く容易に位置調整でき、かつ位置調整後に光源装置を光源取付部に固定する際における光源装置に位置変化を効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体レーザが適用されたレーザー光走査装置における光学系の構成を示す斜視図である。
【図2】図1に示されるレーザー走査装置における駆動・制御回路の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の実施形態に係る面発光型半導体レーザの構成を示す平面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る面発光型半導体レーザの構成を示す側面断面図である。
【図5】本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザの取付構造の構成を示す側面断面図であり、半導体レーザの光源取付部への取付前の状態を示している。
【図6】本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザの取付構造の構成を示す側面断面図であり、半導体レーザが光源取付部へ取り付けられた状態を示している。
【図7】本発明の第1の実施形態に係る取付構造の第1変形例の構成を示す側面断面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザーの取付構造及び、この取付構造におけるスペーサ部材の構成を示す側面断面図である。
【図9】本発明の第2の実施形態に係る取付構造の第1変形例の構成を示す側面断面図である。
【図10】本発明の第2の実施形態に係る取付構造の第2変形例及び、この取付構造における波形ワッシャの構成を示す側面断面図である。
【図11】本発明の請求項7に係る光源装置の取付構造の具体的構成を示す側面断面図である。
【図12】図11に示される光源装置の取付構造における光源装置及び光源側基準面の変形例を示す側面断面図である。
【図13】本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザーの取付構造の構成を示す分解斜視図である。
【図14】図13に示される半導体レーザーの取付構造の構成を示す平面図である。
【図15】図13に示される半導体レーザーの取付構造における弾性連結部材を示す平面図、正面図及び斜視図である。
【図16】特開平9−102650号広報に開示された従来の半導体レーザー装置の構成を示す分解斜視図である。
【図17】特許文献3及び特許文献4に開示された従来の取付構造による半導体レーザーの光源取付部への取付方法を説明するために側面断面図である。
【符合の説明】
10 レーザー走査装置
14 半導体レーザー(半導体レーザー装置)
60 レーザーアレイ(半導体レーザーチップ)
62 表面部(半導体レーザーチップ)
64 レーザー発光部
64 各レーザー発光部
66 裏面部(半導体レーザーチップ)
68 パッケージ部材
72 第1基準面
74 第2基準面
80 プリント配線基板(回路基板、フレキシブルプリント配線基板)
90 取付構造
92 光学箱(支持構造体)
93 光源取付部
96 支持基台
97 取付基準面
104 取付構造
108 ボス
110 取付構造
112 スペーサ部材(弾性部材)
116 プリント配線基板(回路基板)
120 取付構造
122 板ばね部材(弾性部材)
130 取付構造
132 波形ワッシャ(弾性部材)
150 取付構造(光源装置の取付構造)
152 レーザーパッケージ(光源装置)
154 レーザーアレイ(光出射部)
160 光源側基準面
164 光源取付部
170 取付基準面
174 弾性連結部材
190 半導体レーザー(光源装置、光出射部)
198 光源側基準面
200 取付構造(光源装置の取付構造)
202 レーザーパッケージ(光源装置)
204 レーザーアレイ(光出射部)
210 光源側基準面
214 光源取付部
220 取付基準面
224 弾性連結部材
228 ネジ穴(第2連結部)
232 挿通穴(第1連結部)
236 スリット溝(剛性低下部)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention provides a semiconductor laser device having a surface emitting semiconductor laser chip as a laser light source, and a mounting structure of the semiconductor laser device for mounting the semiconductor laser device on a support structure on which an imaging optical system is mounted, and The present invention relates to a light source device mounting structure for mounting a light source device using a semiconductor laser chip or the like as a light source to an optical scanning device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, image forming apparatuses that use laser light for an image forming process, such as a laser printer, have become widespread. In this type of image forming apparatus, a laser beam is applied to an image carrier such as a photosensitive material or a photosensitive member. Optical scanning devices are often used to scan and form an image (latent image) on an image carrier. Further, in such an image forming apparatus, there is a strong demand for high-speed image formation, and as a means for realizing this, for example, an image carrier is simultaneously scanned by a plurality of laser beams to form an image. A method, so-called multi-beam, is adopted. As means for achieving this multi-beam formation, there is one disclosed in
[0003]
In the laser scanning device as described above, a semiconductor laser device on which a semiconductor laser chip is mounted is mounted on a support structure on which an imaging optical system and a deflector are mounted, and laser light emitted from the semiconductor laser device is formed. An image is formed as a beam spot on the image carrier by the image optical system and the deflector, and the image carrier is scanned. In this laser scanning device, the direction (optical axis direction) of the light beam emitted from the semiconductor laser chip affects the optical characteristics of the imaging optical system, so that the relative position adjustment of the semiconductor laser chip with respect to the imaging optical system can be performed. Performed with micron accuracy.
[0004]
Further, as a conventional semiconductor laser used as a light source in the laser scanning device as described above, for example, there is one disclosed in Patent Document 2. As shown in FIG. 16, a block-
[0005]
When the
[0006]
Further, as a mounting structure of a semiconductor laser for mounting a semiconductor laser to a light source mounting portion of an optical scanning device, for example, there are structures disclosed in Patent Document 3 and Patent Document 4. In the mounting structure of the semiconductor laser disclosed in Patent Documents 3 and 4, the reference surface (light source side reference surface) of the holder member holding the semiconductor laser contacts the reference surface (mounting reference surface) of the light source mounting portion. After adjusting the optical axis position of the laser emitted from the semiconductor laser along the optical axis direction and the direction perpendicular to the optical axis in the contact state, the fixing screw inserted through the through hole of the holder member is drilled in the light source mounting portion. The semiconductor laser is fixed to the light source mounting portion via the holder member by being screwed into the provided screw hole. Here, the light source side reference surface of the holder member and the mounting reference surface of the light source mounting portion are processed so as to be a plane orthogonal to the optical axis of laser light emitted from the semiconductor laser.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-5-294005 (page 5, FIG. 1)
[Patent Document 2]
JP-A-9-102650 (page 2, FIG. 23)
[Patent Document 3]
JP-A-5-297303 (pages 4-5, FIG. 4)
[Patent Document 4]
JP-A-7-168109 (page 4, FIG. 2)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In a laser scanning device, when the emission position of a laser beam from a laser light source is before or after a predetermined position along an optical axis direction (depth direction), the error is enlarged several hundred times on the photoconductor and the photoconductor is enlarged. This appears as an error in the focal position of the laser beam with respect to the surface (hereinafter, referred to as “focus difference”), that is, a focus difference enlarged according to the vertical magnification of the imaging optical system occurs. Specifically, for example, when the beam diameter on the photoreceptor is 50 μm, the depth of focus is 4 mm, and the field curvature is 2 mm, the allowable depth direction focus difference is 2 mm. At this time, assuming that the longitudinal magnification in the laser scanning device is 200, the allowable difference in the optical axis direction of the emission position of the laser light source is 10 μm or less.
[0009]
When the above relationship is applied to a semiconductor laser device using a two-beam laser array having a light emitting point interval of 14 μm as a light source, the inclination of the light source corresponding to the position difference along the depth direction of the two light emitting points is 35 °. Is allowed up to. On the other hand, in a semiconductor laser device using a multi-beam array as a light source in which the number of light emitting points becomes several to several tens, for example, if the distance between the light emitting points at both ends of the laser array is 200 μm, In order to reduce the error along the depth direction of the light source to 10 μm or less, the inclination of the light source must be 2.5 ° or less.
[0010]
However, the
[0011]
On the other hand, in the mounting structure of a semiconductor laser disclosed in Patent Document 3 and Patent Document 4 (hereinafter simply referred to as “mounting structure”), the semiconductor laser as a light source is fixed after positioning adjustment, but a holder member is used. Because there is a difference between the flatness of the light source side reference plane and the flatness of the mounting reference plane of the light source mounting part, one of the reference planes will be aligned with the other reference plane when fixed, and the semiconductor laser will be precisely positioned. However, there is also a problem that the position of the semiconductor laser fluctuates during fixing.
[0012]
With reference to FIG. 17, the problem in the conventional mounting structure as disclosed in Patent Literature 3 and Patent Literature 4 will be described in detail.
[0013]
FIG. 17 is a side sectional view for explaining a method of mounting a semiconductor laser to a light source mounting portion by a conventional mounting structure. The mounting
[0014]
In the mounting
[0015]
However, after the position adjustment of the
[0016]
A first object of the present invention is to take the above facts into consideration and to easily attach the imaging optical system to a supporting structure, and to tilt the surface emitting semiconductor laser chip with respect to the imaging optical system. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device capable of sufficiently reducing an error.
[0017]
Further, a second object of the present invention is to provide a semiconductor laser device using a surface-emitting type semiconductor laser chip as a laser light source, which can be easily attached to a support structure on which an imaging optical system is mounted, in consideration of the above fact. It is an object of the present invention to provide a mounting structure of a semiconductor laser device which is capable of sufficiently reducing a tilt error of a laser light source.
[0018]
Further, a third object according to the present invention is to easily adjust the position of the light source device attached to the light source attachment portion with high accuracy in consideration of the above fact, and to fix the light source device to the light source attachment portion after the position adjustment. In this case, it is an object of the present invention to provide a light source device mounting structure in which the position of the light source device does not change.
[0019]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to
[0020]
According to the semiconductor laser device of the first aspect, the first reference surface and the second reference surface are provided on the package member so as to be parallel to each other, and the semiconductor laser chip is mounted on the first reference surface of the package member. And the second reference surface is used as a positioning reference surface when the package member is mounted on the light source mounting portion, so that the semiconductor laser chip is not tilted with respect to the first reference surface. Since the package member and the semiconductor laser chip can be mounted at a predetermined position in the light source mounting portion without causing a tilt error, for example, the optical axis of the imaging optical system mounted on the support structure can be held by the package member. The semiconductor laser chip is easily assembled on the package member so that the tilt error of the semiconductor laser chip is sufficiently small. Only, it can be attached to the package member to the light source attachment portion of the easily support structure.
[0021]
Here, a surface emitting semiconductor laser chip generally emits laser light perpendicular to the surface from a laser emitting portion provided on the surface thereof, and also has an edge emitting semiconductor laser chip. Differently, no back beam is emitted from the back surface. The semiconductor laser device as described above can be realized on the premise of the characteristics of such a surface-emitting type semiconductor laser chip (VCSEL). For example, a tilt error of the semiconductor laser chip with respect to the imaging optical system can be sufficiently reduced. The effect is obtained.
[0022]
The semiconductor laser chip may be directly mounted on the first reference surface of the package member, or may be mounted on the first reference surface with some member such as a plate-like spacer interposed.
[0023]
According to a second aspect of the present invention, there is provided the semiconductor laser device mounting structure, wherein the semiconductor laser device according to the first aspect is provided with an imaging optical system for imaging a laser beam emitted from the laser light emitting portion. A mounting structure of a semiconductor laser device for mounting on a light source mounting portion of a supporting structure, wherein the planar structure provided on the light source mounting portion with respect to an optical axis of an imaging optical system mounted on the supporting structure. And a restraining means for fixing the package member to the light source mounting portion while bringing the second reference surface into contact with the mounting reference surface.
[0024]
According to the mounting structure of the semiconductor laser device according to the second aspect, the light source mounting portion is provided with a flat mounting reference surface based on the optical axis of the imaging optical system mounted on the support structure, and the restraining means is provided. The package member holding the semiconductor laser chip is fixed to the supporting structure by fixing the package member to the light source mounting portion while the second reference surface of the package member is in contact with the mounting reference surface of the light source mounting portion of the support structure. The package member positioned in this manner can be fixed to the light source mounting portion of the support structure.
[0025]
At this time, since the semiconductor laser chip is held by the package member so that the surface portion of the semiconductor laser chip is parallel to the first reference plane, the package member is fixed to the light source mounting portion by the restraining means. The inclination error of the semiconductor laser chip with respect to the support structure can be made sufficiently small.
[0026]
The mounting structure of the light source device according to claim 7 of the present invention includes the light source device in a light source mounting portion of an optical scanning device that scans and exposes an image carrier with a light beam emitted from a light emitting portion of the light source device. A light source device mounting structure for mounting, the light source side reference surface provided in the light source device, and the light source together with the light source side reference surface provided in the light source mounting portion and in contact with the light source side reference surface. The mounting reference plane for setting the optical axis direction of the light beam emitted from the emitting unit, and adjusting the optical axis position along the direction perpendicular to the optical axis, the light source device and the light source mounting unit being connected to the light source mounting unit, respectively. An elastic connecting member that elastically deforms along the optical axis direction and presses the light source side reference surface onto the mounting reference surface by elastic restoring force along the optical axis direction. And
[0027]
The operation of the light source device mounting structure according to claim 7 will be specifically described based on FIG.
[0028]
FIG. 11 shows a specific example of a mounting structure of a light source device having the configuration described in claim 7. The mounting structure (hereinafter simply referred to as “mounting structure”) 150 of the light source device is provided with a
[0029]
The mounting
[0030]
In the mounting
[0031]
In the mounting
[0032]
Next, the
[0033]
In the mounting
[0034]
That is, in the mounting
[0035]
In the mounting
[0036]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention and a mounting structure thereof will be described with reference to the drawings.
[0037]
[First Embodiment]
[0038]
(Configuration of laser scanning device)
[0039]
First, a laser scanning device in which a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention is applied as a light source device will be described. FIG. 1 shows a configuration of an optical system of a laser scanning device to which a semiconductor laser according to an embodiment of the present invention is applied. The
[0040]
As shown in FIG. 1, the
[0041]
Here, the
[0042]
The
[0043]
The
[0044]
The
[0045]
The cylindrical mirrors 36 and 40 have an optical power for converging the laser beam B along the sub-scanning direction. In the
[0046]
The
[0047]
In the
[0048]
FIG. 2 shows a configuration of a drive / control circuit in a laser scanning device to which the semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention is applied. The drive /
[0049]
(Structure of semiconductor laser)
[0050]
Next, the configuration of a semiconductor laser according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 3 and 4 show a
[0051]
As shown in FIG. 3, in the
[0052]
As shown in FIG. 4, the
[0053]
The
[0054]
On the surface of the
[0055]
Here, the
[0056]
As shown in FIG. 4, the
[0057]
(Semiconductor laser mounting structure)
[0058]
Next, an attachment structure for attaching the
[0059]
FIGS. 5 and 6 show the mounting structure of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention. The mounting
[0060]
As shown in FIG. 5, the
[0061]
The
[0062]
On the other hand, in the mounting
[0063]
Next, a method of attaching the
[0064]
As described above, the
[0065]
Next, the position adjustment along the XY plane of the
[0066]
The phase adjustment about the Z axis is performed by rotating the
[0067]
When the position adjustment along the XY plane and the phase adjustment about the Z axis are completed, a plurality of
[0068]
As described above, according to the mounting
[0069]
Next, a first modification of the mounting structure according to the first embodiment of the present invention will be described. In the mounting
[0070]
In consideration of the above problems, the mounting
[0071]
When the
[0072]
As described above, also with the mounting
[0073]
Note that even when the printed wiring board is configured as an FPC, a plurality of
[0074]
[Second embodiment]
[0075]
8 to 10 show the mounting structure of the semiconductor laser according to the second embodiment of the present invention. In the mounting structure of the semiconductor laser according to the second embodiment, members having basically the same configuration as the mounting structure of the semiconductor laser according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. .
[0076]
FIG. 8 shows an example of a semiconductor laser mounting structure according to the second embodiment of the present invention. In this mounting
[0077]
When the
[0078]
In the mounting
[0079]
As described above, also with the mounting
[0080]
FIG. 9 shows a first modification of the mounting structure of the semiconductor laser according to the second embodiment of the present invention. In this mounting
[0081]
Here, as shown in FIG. 9A, in a free state in which the
[0082]
When mounting the
[0083]
In the mounting
[0084]
The same operation and effect as those of the mounting
[0085]
FIG. 10 shows a second modification of the semiconductor laser mounting structure according to the second embodiment of the present invention. The
[0086]
When the
[0087]
After the position adjustment and the phase adjustment of the
[0088]
With the mounting
[0089]
[Third Embodiment]
[0090]
FIGS. 13 and 14 show a mounting structure of a semiconductor laser according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 14, a
[0091]
The mounting
[0092]
In the mounting
[0093]
In the elastic connecting
[0094]
Next, the configuration of the elastic connecting
[0095]
As shown in FIG. 15B, the elastic connecting
[0096]
That is, for example, when the distances DA from the pair of screw holes 228, which are fixed points, to the passing points PB are different from each other, expansion or contraction occurs in the elastic connecting
[0097]
As shown in FIG. 15 (C), the elastic connecting
[0098]
In the mounting
[0099]
Next, the
[0100]
In the mounting
[0101]
That is, in the mounting
[0102]
In the mounting
[0103]
【The invention's effect】
As described above, according to the semiconductor laser according to the present invention, the semiconductor laser can be easily attached to the support structure on which the imaging optical system is mounted, and the inclination of the surface emitting semiconductor laser chip with respect to the imaging optical system. The error can be made sufficiently small.
[0104]
Further, according to the mounting structure of the semiconductor laser according to the present invention, a semiconductor laser device using a surface emitting semiconductor laser chip as a laser light source can be easily mounted on a support structure on which an imaging optical system is mounted, and The inclination error of the laser light source with respect to the imaging optical system can be sufficiently reduced.
[0105]
Further, according to the mounting structure of the light source device according to the present invention, the position of the light source device mounted on the light source mounting portion can be easily and accurately adjusted, and the light source device is fixed to the light source mounting portion after the position adjustment. Position change can be effectively prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an optical system in a laser light scanning device to which a semiconductor laser according to an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a drive / control circuit in the laser scanning device shown in FIG.
FIG. 3 is a plan view illustrating a configuration of a surface emitting semiconductor laser according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a surface emitting semiconductor laser according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a semiconductor laser mounting structure according to the first embodiment of the present invention, showing a state before the semiconductor laser is mounted on a light source mounting portion.
FIG. 6 is a side sectional view showing a configuration of a mounting structure of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention, showing a state where the semiconductor laser is mounted on a light source mounting portion.
FIG. 7 is a side sectional view showing a configuration of a first modified example of the mounting structure according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a side sectional view showing a mounting structure of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention and a configuration of a spacer member in the mounting structure.
FIG. 9 is a side sectional view showing a configuration of a first modification of the mounting structure according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a side sectional view showing a second modification of the mounting structure according to the second embodiment of the present invention, and a configuration of a wave washer in the mounting structure.
FIG. 11 is a side sectional view showing a specific configuration of a light source device mounting structure according to claim 7 of the present invention.
12 is a side sectional view showing a modified example of the light source device and the light source side reference surface in the light source device mounting structure shown in FIG.
FIG. 13 is an exploded perspective view showing a configuration of a semiconductor laser mounting structure according to a third embodiment of the present invention.
14 is a plan view showing the configuration of the mounting structure of the semiconductor laser shown in FIG.
15 is a plan view, a front view, and a perspective view showing an elastic connecting member in the semiconductor laser mounting structure shown in FIG.
FIG. 16 is an exploded perspective view showing a configuration of a conventional semiconductor laser device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-102650.
FIG. 17 is a side sectional view for explaining a method of mounting a semiconductor laser to a light source mounting portion by a conventional mounting structure disclosed in Patent Literature 3 and Patent Literature 4.
[Description of sign]
10 Laser scanning device
14 Semiconductor laser (semiconductor laser device)
60 laser array (semiconductor laser chip)
62 Surface (semiconductor laser chip)
64 laser emitting section
64 each laser emitting part
66 Back (semiconductor laser chip)
68 Package material
72 First reference plane
74 Second reference plane
80 Printed wiring board (circuit board, flexible printed wiring board)
90 Mounting structure
92 Optical box (support structure)
93 Light source mounting part
96 Support base
97 Mounting reference plane
104 Mounting structure
108 Boss
110 Mounting structure
112 Spacer member (elastic member)
116 Printed wiring board (circuit board)
120 Mounting structure
122 leaf spring member (elastic member)
130 Mounting structure
132 Wave washer (elastic member)
150 Mounting structure (Light source device mounting structure)
152 laser package (light source device)
154 Laser array (light emitting part)
160 Light source side reference plane
164 light source mounting part
170 Mounting reference plane
174 elastic connecting member
190 Semiconductor laser (light source device, light emitting part)
198 Light source side reference plane
200 mounting structure (light source device mounting structure)
202 Laser package (light source device)
204 laser array (light emitting part)
210 Light source side reference plane
214 Light source mounting part
220 Mounting reference plane
224 elastic connecting member
228 screw hole (second connection part)
232 insertion hole (1st connection part)
236 slit groove (stiffness reduced part)
Claims (11)
前記半導体レーザーチップを保持すると共に、支持構造体の光源取付部に取り付けられるパッケージ部材と、を有する半導体レーザー装置であって、
前記パッケージ部材には、前記半導体レーザーチップが載置される平面状の第1基準面と、前記第1基準面と実質的に平行とされ、前記パッケージ部材を前記光源取付部へ取り付ける際に位置決め用の基準面とされる平面状の第2基準面と、が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。A surface-emitting type semiconductor laser chip having a laser emitting portion on the surface,
A semiconductor laser device that holds the semiconductor laser chip and has a package member attached to a light source attachment portion of a support structure.
The package member has a planar first reference surface on which the semiconductor laser chip is mounted, and is substantially parallel to the first reference surface, and is positioned when the package member is mounted on the light source mounting portion. And a planar second reference surface serving as a reference surface for use in the semiconductor laser device.
前記光源取付部に設けられた平面状の取付基準面と、
前記第2基準面を前記取付基準面に当接させつつ、前記パッケージ部材を前記光源取付部に固定する拘束手段と、
を有することを特徴とする半導体レーザー装置の取付構造。A mounting structure of a semiconductor laser device for mounting the semiconductor laser device according to claim 1 to a light source mounting portion of a support structure,
A planar mounting reference surface provided in the light source mounting portion,
Restraining means for fixing the package member to the light source mounting portion while causing the second reference surface to contact the mounting reference surface;
A mounting structure for a semiconductor laser device, comprising:
前記回路基板は、前記パッケージ部材に弾性的な復元力を作用させて前記第2基準面を前記取付基準面に圧接させることを特徴とする請求項2又は3記載の半導体レーザー装置の取付構造。The restraining means has a plate-shaped circuit board electrically connected to the semiconductor laser chip to drive the semiconductor laser chip, and connected to the light source mounting portion so as to be bent.
4. The mounting structure for a semiconductor laser device according to claim 2, wherein the circuit board applies an elastic restoring force to the package member to press the second reference surface against the mounting reference surface.
ことを特徴とする請求項4記載の半導体レーザー装置の取付構造。5. The mounting structure according to claim 4, wherein said circuit board is a flexible printed circuit board.
前記光源装置に設けられた光源側基準面と、
前記光源取付部に設けられ、前記光源側基準面に当接して該光源側基準面と共に前記光出射部から出射される光線の光軸方向を設定し、かつ光軸直角方向に沿った光軸位置を調整するための取付基準面と、
前記光源装置及び前記光源取付部にそれぞれ連結されて前記光軸方向に沿って弾性的に変形すると共に、該光軸方向に沿った弾性的な復元力により前記光源側基準面を前記取付基準面上に圧接させる弾性連結部材と、
を有することを特徴とする光源装置の取付構造。A light source mounting portion for mounting the light source device to a light source mounting portion in an optical scanning device that scans and exposes the image carrier with a light beam emitted from a light emitting portion of the light source device,
A light source side reference plane provided in the light source device,
The light source mounting portion is provided to set an optical axis direction of a light beam emitted from the light emitting portion together with the light source side reference surface in contact with the light source side reference surface, and an optical axis along a direction perpendicular to the optical axis. A mounting reference plane for adjusting the position,
The light source device and the light source mounting portion are connected to each other and elastically deform along the optical axis direction, and the light source side reference surface is attached to the mounting reference surface by an elastic restoring force along the optical axis direction. An elastic connecting member to be pressed against the top,
A mounting structure for a light source device, comprising:
前記一対の第1連結部を、前記光出射部から出射される光線の光軸に直交する一の直線上に、該光軸からの距離が互いに等しくなるようにそれぞれ配置し、かつ前記一対の第2連結部を、前記光出射部から出射される光線の光軸及び前記一の直線の双方に直交する他の直線上に、該光軸からの距離が互いに等しくなるようにそれぞれ配置したことを特徴とする請求項7、8又は9記載の光源装置の取付構造。The elastic connection member is provided with a pair of first connection portions connected and fixed to the light source device, respectively, and provided with a pair of second connection portions connected and fixed to the light source attachment portion, respectively.
The pair of first connecting portions are arranged on a straight line perpendicular to the optical axis of the light beam emitted from the light emitting portion, so that the distances from the optical axis are equal to each other, and The second connecting portion is arranged on another straight line orthogonal to both the optical axis of the light beam emitted from the light emitting portion and the one straight line so that the distances from the optical axis are equal to each other. The mounting structure of the light source device according to claim 7, 8, or 9.
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