JP2004001527A - チャンバおよび流体噴出器ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】保護層を有する流体チャンバおよび該流体チャンバを備えるプリントヘッドを提供することにある。
【解決手段】本発明のチャンバ108は、基板110と、基板上に配置され、チャンバの側壁122を画定し、チャンバ表面124を有するチャンバ層120であって、チャンバ表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有するチャンバ層と、チャンバ層の上方に配置され、第1のオリフィス表面131および第2のオリフィス表面132を有し、穴134を備えたオリフィス層130であって、前記穴は、第1のオリフィス表面が形成する平面において、チャンバ面積よりも小さい面積を有するオリフィス層と、前記穴を通じて、チャンバ層の側壁の上、第1のオリフィス表面の一部の上、オリフィス層の穴の上および基板の一部の上に堆積された保護層140とを備えている。
【選択図】 図1a
【解決手段】本発明のチャンバ108は、基板110と、基板上に配置され、チャンバの側壁122を画定し、チャンバ表面124を有するチャンバ層120であって、チャンバ表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有するチャンバ層と、チャンバ層の上方に配置され、第1のオリフィス表面131および第2のオリフィス表面132を有し、穴134を備えたオリフィス層130であって、前記穴は、第1のオリフィス表面が形成する平面において、チャンバ面積よりも小さい面積を有するオリフィス層と、前記穴を通じて、チャンバ層の側壁の上、第1のオリフィス表面の一部の上、オリフィス層の穴の上および基板の一部の上に堆積された保護層140とを備えている。
【選択図】 図1a
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリントヘッドに関し、特に、プリントヘッドの流体チャンバの保護に関する。
【0002】
【従来の技術】
流体噴出カートリッジは、通常は、基板に液通した流体槽を備えている。この基板は通常、エネルギー発生素子を備えており、該エネルギー発生素子は、1つまたはそれよりも多いノズルを通って流体を噴出するのに必要な力を発生させている。エネルギー発生素子として広く用いられているものに、熱抵抗器と圧電素子の2つがある。前者は、流体の一部(component)を沸点よりも上まで急速に加熱して気泡を作り出し、それによって流体の滴を噴出するようにしている。後者は、電圧パルスを利用してメンブレンを動かし、それによって流体を押し退け、その結果、流体の滴を噴出するようになっている。
【0003】
現在、幅広くさまざまな高効率のインクジェットプリントシステムが用いられている。このようなシステムは、迅速かつ正確な方法でインクを施すことが可能である。しかし、より低価格で消費者にシステムを提供しながら、信頼性および画像品質を絶えずますます改善することもまた、消費者によって要求されている。インクジェットプリンタの価格を下げサイズを小さくし、かつプリントページ当たりのコストを下げようとして、小型の移動するプリントヘッドを有するプリンタが開発されている。このようなプリントヘッドは、通常、より大きな静止したインク供給源に接続されている。この開発品は「オフ・アクシス」のプリントと呼ばれ、これによって、流体噴出器およびノズルシステムを含む高価なプリントヘッドを頻繁に交換する必要がなく、より大きなインク供給源である「インクカートリッジ」を使い果たしたときに交換すればよくなった。
【0004】
画像品質を改善すると、通常、インクジェットのインクにおける有機化合物の含有率が高くなるということになる。このように有機化合物の含有率が高くなると、通常、インクがより強い腐食性を示すことになり、場合によっては、そのようなインクに接触する物質(materials)が劣化する結果となる。より腐食性の強いインクによってこのような物質が劣化すると、信頼性や物質の適合性(compatibility)の問題が生じることになる。このような物質の適合性の問題は、一般的に、インクが接触するすべての物質に関係している。しかし、プリントヘッド内ではこのような問題が悪化している。オフ・アクシスのシステムにおいて、流体噴出器やノズルの周りにある物質は、インクカートリッジを少なくとも数回交換する間、適切に機能し続けるのに必要で、より高い信頼性を達成するために、その機能性をより長期にわたって維持する必要があるからである。したがって、このような物質が劣化すると、プリントヘッドが場合によっては破滅的に故障してしまうことになる可能性がある。
【0005】
例えば、多くのプリントヘッドにおいては、流体噴出器の周りに流体チャンバを形成している層はポリマー物質である。このようなポリマー物質は、可塑剤、粘着付与剤、重合触媒および硬化剤等、低分子量の添加剤を含んでいてもよい。このような低分子量の添加剤とインクの成分とが相互作用することによって、基板/ポリマーフィルム(膜)の境界面が脆弱化するかもしれない。基板表面からポリマーフィルムが剥離すると、作動中の回路が配置されている領域にインクがしみ込み、腐食と短絡のどちらか、または両方が生じる可能性がある。これらはすべて、場合によってはプリントヘッドの動作にとって致命的なものになる可能性がある。さらに、このような添加剤は、ポリマーと比較して分子量が小さいので、インクによってポリマー層の外に浸出する可能性も、インクの成分と反応する可能性もあり、その結果、インクの特性またはポリマー物質の特性が変化してしまうことになる。低分子量の物質がインクと反応するにせよ、インクによって浸出するにせよ、このように変化すると、結局沈殿物やゼリー状物質が形成されることになる可能性があり、それによってさらに、ノズルの発射特性が変化したり、ノズルが詰まったりしてしまう可能性がある。さらに、多湿の環境においては、そのようなポリマー物質の化学的および物理的特性を維持することもまた、問題になる可能性がある。このような問題はすべて、より低価格、より小型、かつより信頼性の高いプリンタの製造に影響を与える可能性がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、保護層を有する流体チャンバを備えるプリントヘッドを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
チャンバは、基板と、基板上に配置されチャンバの側壁を画定するチャンバ層とを備えている。チャンバ層は、チャンバ表面を有している。チャンバは、チャンバ表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有している。チャンバはまた、チャンバ層の上方に配置されたオリフィス層も備えている。オリフィス層は、第1および第2のオリフィス表面と、穴とを有している。穴は、第1のオリフィス表面が形成する平面において、チャンバの面積よりも小さい面積を有している。チャンバはさらに、穴を通じてチャンバ層の側壁および第1のオリフィス表面の一部の上に堆積された(deposited)保護層を備えている。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1aには、本発明の実施形態が簡略断面図で示されている。本実施形態において、流体噴出器ヘッド100は、流体噴出チャンバ108内に収容された流体の湿気および腐食から周囲領域を保護する保護層140を備えている。本実施形態において、基板110は、厚さが約300〜700マイクロメートルのシリコンウエハーである。他の実施形態において、さまざまなガラス、酸化アルミニウム、ポリイミド基板、炭化ケイ素、およびガリウムヒ素等、他の物質もまた、基板110に利用してもよい。したがって、本発明は、シリコンの半導体物質で製造した素子(デバイス、装置、devices)に限定する意図ではない。
【0009】
基板110上には、流体噴出器発生器(噴出器/発生器、噴出発生器、ejector generator)106が形成されている。本実施形態において、流体噴出器発生器106は熱抵抗器である。他の実施形態において、圧電、超音波、または静電発生器等、他の流体噴出器発生器もまた、利用してもよい。本実施形態において、基板110はまた、流体噴出器発生器106に電気的に連結合された1つまたはそれよりも多いトランジスタ(図示せず)も備えている。他の実施形態において、ダイオードなどの能動素子やメモリ論理セルもまた、このような1つまたはそれよりも多いトランジスタと別個にあるいは組み合わせて利用してもよい。さらに他の実施形態において、基板110が能動素子なしに流体噴出器発生器を備えていてもよく、通常「直接駆動」流体噴出器ヘッドと呼ばれるものもまた、利用してもよい。能動素子と流体噴出器発生器との特定の組み合わせは、流体噴出器ヘッドを用いる特定の用途および噴出される特定の流体によって決められることになる。
【0010】
各図面は、正確な縮尺率で書かれてはいないということに注意すべきである。本発明がよりはっきりと示され、かつ理解されるようにするために、いくつかの寸法は他の寸法に対して誇張されている。さらに、わかりやすくするために、それぞれの断面図において、ノズル層の穴を横切る線等、すべての線を示しているわけではない。さらに、本明細書において示す実施形態は二次元の図で示され、さまざまな領域が深さおよび幅を有しているが、このような領域は、実際には三次元の構造のデバイスの一部のみを示すものである、ということが理解されるべきである。したがって、このような領域は、実際のデバイス上に製造されるときには、長さ、幅、および深さを含む3つの寸法を有している。
【0011】
基板110の上方にはチャンバ層120が配置されており、チャンバ層120において、側壁122が流体噴出チャンバ108の一部を画定、すなわち形成している。チャンバ層120の上方にはノズルすなわちオリフィス層130が配置されており、ノズル層130は、そこを通って流体が噴出される、1つまたはそれよりも多い穴すなわちノズル134を備えている。さらに、ノズル層130は、チャンバ表面124に接して配置された第1のノズル表面131と、第2のノズル表面132とを有している。穴134は、第1のノズル表面131から第2のノズル表面132まで延在している。他の実施形態において、チャンバ層120およびノズル層130に利用する特定の物質次第では、ノズル層130をチャンバ層120に付着させる接着層もまた、利用してもよい。流体噴出チャンバ108は、側壁122、第1のノズル表面131、および基板表面112によって形成されている。本実施形態において、第2のノズル表面132における穴の直径は、約2マイクロメートルから約50マイクロメートルの範囲である。特に、約5マイクロメートルから約35マイクロメートルの範囲、およびより詳細には約15マイクロメートルから約30マイクロメートルの範囲、の直径のノズル穴を利用することができる。ノズル層130の厚さは、約1マイクロメートルから約50マイクロメートルの範囲である。
【0012】
保護層140は、側壁122、基板表面112の一部、第1のノズル表面131の一部、穴134の表面、および第2のノズル表面132をコーティングしている。本実施形態において、保護層140の厚さは約0.01マイクロメートルから約1.5マイクロメートルの範囲であり、これは平均の厚さを表している。さまざまな表面の上でのコーティングの厚さは、例えば、チャンバの幾何学的形状、チャンバのサイズ、穴のサイズ、ノズル層の厚さ、および、用いる特定の堆積のパラメータ次第で、さまざまである。他の実施形態において、流体噴出器ヘッド100内で利用する特定のチャンバおよびノズル層、ならびに、流体噴出器ヘッド100を利用する特定の用途次第では、保護層140がこのような表面すべてをコーティングしなくともよい。さらに、保護層140の厚さもまた、流体噴出器ヘッド100内で利用する特定のチャンバおよびノズル層、ならびに、流体噴出器ヘッド100を利用する特定の用途次第で、さまざまである。例えば、基板表面112上に堆積される保護層140の厚さは、側壁122上に堆積される保護層140よりも薄いかもしれない。
【0013】
本実施形態において、チャンバ層120は、従来のフォトリソグラフィ装置を利用して基板110上にチャンバ層120を形成し、次に流体噴出チャンバ108を画定して現像するもので、光によって画像形成可能なフィルムである。チャンバ層120の厚さは約1マイクロメートルから約100マイクロメートルの範囲である。ノズル層130は、金属、ポリマー、ガラス、その他セラミック等、好適な物質で形成されていてもよい。本実施形態において、ノズル層130はポリイミドフィルムである。市販されているノズル層物質の例としては、「カプトン」という商標名でE.I.デュポン・ド・ノムール・アンド・カンパニー(E.I. DuPont de Nemours & Co.)から入手可能なポリイミドフィルムや、「ユーピレックス」という商標名で宇部興産(日本)から入手可能なポリイミド物質が含まれている。他の実施形態において、ノズル層130は、薄い金、パラジウム、タンタル、またはロジウムの層で封入した(メッキした、enclosed)ニッケルのベース等の金属で形成されている。他の実施形態において、ノズル層130は、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート(PEN)、エポキシ、またはポリカーボネート等のポリマーで形成されていてもよい。
【0014】
保護層140は、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、およびそれらの混合物等の金属またはセラミック物質から形成されていてもよい。本実施形態において、保護層140は金属フィルムである。利用してもよい金属の例としては、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、金、ロジウム、パラジウム、プラチナ、ニオブ、ニッケル、またはそれらの組み合わせたものがある。他の実施形態において、保護層140は、少数の例を挙げれば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化タングステン、窒化チタン、およびホウ化モリブデンから形成されていてもよい。
【0015】
図1aに示す実施形態の平面図は図1bに示されている。本実施形態において、流体噴出チャンバ108は略正方形である。しかし、他の実施形態においては、長方形、楕円形、円形等、他の構造もまた利用してもよい。本実施形態において、流体噴出チャンバ108の厚さすなわち高さは、約1マイクロメートルから約100マイクロメートルの範囲であってもよい。特に、厚さは約2マイクロメートルから約35マイクロメートルの範囲であってもよく、より詳細には、約5マイクロメートルから約25マイクロメートルの範囲であってもよい。特定の用途および流体噴出チャンバ108から噴出されている流体次第では、他の形状および寸法を利用してもよい。さらに、わかりやすくするために、図1bにおいては、1つまたはそれよりも多い流体チャネル126のうちの一部のみを示している。本実施形態において、チャンバ層120に形成された流体チャネル126は、基板110の縁から流体噴出チャンバ108までの流体経路を提供するものである。これは通常、「縁供給(edgefeed)」流体噴出器ヘッドと呼ばれている。他の実施形態において、ノズル層130のうちの流体チャネル126の上方に位置する部分もまたオリフィスを備え、そのようなオリフィスを通じてチャネル表面は保護層140でコーティングされている。さらに他の実施形態において、それぞれの流体噴出器発生器106について基板110を貫いて流体チャネルが形成され、基板底面111から基板表面112まで流体チャネルが設けられていてもよい。さらに他の実施形態において、基板110の基板底面111から基板表面112まで、多数の流体噴出器発生器106に流体を供給するスロットが形成されている。
【0016】
上述のように、穴134は、第1のノズル表面131から第2のノズル表面132まで延在している。本実施形態において、第1のノズル表面131における穴134の面積は、図1aに示すチャンバ表面124において画定された流体噴出チャンバ108の面積よりも小さくなっている。さらに、通常は、第1のノズル表面131における穴134の面積は、第2のノズル表面132における穴134の面積よりも大きくなっている。
【0017】
他の実施形態において、ノズル層130に用いる特定の物質、および、流体噴出器ヘッド100を用いる特定の用途次第で、真っ直ぐな穴、凹んだ壁を有する穴、または略砂時計の形状を有する穴等、他の穴壁構造もまた、利用してもよい。さらに、他の実施形態において、このような穴壁構造は、他の穴形状と組み合わせてもよい。さらに、凹形または凸形等の他の壁構造もまたチャンバ層120の側壁122に利用してもよい。本発明において説明する流体噴出器ヘッド100では、流体噴出器の周りのチャンバのサイズおよび幾何学的形状、流体噴出器のサイズおよび幾何学的形状、ならびにノズルのサイズおよび幾何学的形状等、流体噴出器ヘッドのパラメータおよび構造次第で、約1フェムトリットルから約10ナノリットルの範囲の滴を再現可能にかつ確実に噴出することができる。
【0018】
図1aおよび図1bは流体噴出器ヘッドを示しているが、他の実施形態において、流体噴出器発生器106を省いてもよく、流体噴出チャンバ108は、例えばチャンバを提供するものである。このチャンバは、微小電気機械デバイス(microelectromechanical device)またはラブオンチップデバイス(lab−on−a−chip−device)の内等で、混合、反応実行、その他の用途に利用することが可能である。他の本実施形態において、チャンバ表面124が形成する平面において、チャンバの面積は約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲である。特に、面積が約1平方マイクロメートルから約2500平方マイクロメートルの範囲、およびより詳細には約1平方マイクロメートルから約1000平方マイクロメートルの範囲のチャンバを利用することができる。チャンバおよびオリフィス層、ならびに基板および保護層は、流体噴出器ヘッドについて上述した物質で形成されていてもよく、上述と同様の構造を含んでいてもよい。さらに他の実施形態において、チャンバは、チャンバに液通する1つまたはそれよりも多い流体チャネルを備えていてもよい。流体チャネルは、適切に間隔を置いて配置したオリフィスを備えている。このようなオリフィスを通じて、チャネル表面を保護層でコーティングすることができる。特定の間隔は、例えば、流体チャネルの寸法、オリフィスすなわち穴のサイズ、およびオリフィス層の厚さによって決められる。チャンバを用いる特定の用途次第では、保護層の堆積の完了後、適切な物質を用いて、チャンバと流体チャネルのオリフィスとを閉じてもよい。この、利用する特定の物質は、例えば、オリフィス層の物質や、チャンバを用いる特定の用途によって決められることになる。
【0019】
図2a〜図2dには、保護層240の作成要領が簡略断面図で示されている。わかりやすくするために、作成中および修正中の保護層240は240’で示されている。図2aは、保護層の作成前における流体噴出器ヘッド200の簡略断面図である。基板210は流体噴出器発生器206を備えている。基板210の上方にはチャンバ層220が配置されており、チャンバ層220において、側壁222が流体噴出チャンバ208の一部を画定している。チャンバ層220の上方にはノズル層230が配置されており、ノズル層230は、そこを通って流体が噴出される1つまたはそれよりも多い穴、すなわちノズル234を備えている。
【0020】
流体噴出器ヘッド200、または多数の流体噴出器ヘッドを含むウエハーのどちらかが、イオン化物理蒸着(PVD)を行う状態にした従来の半導体薄膜スパッタリング堆積システム内に装填される。例えば、アプライド・マテリアルズ社(Applied Materials Corporation)が製造しEnduraという名前で販売している自己イオン化プラズマを有する一体システムや、トライコンテクノロジー社(Trikon Technologies Inc.)が製造しSigma(登録商標)fxP(商標)の名前で販売されているイオン化PVD堆積ツールを利用してもよい。
【0021】
このスパッタリング堆積プロセスにおいて、スパッタリングターゲットからスパッタリングされる粒子のうちのかなりの部分が、プラズマにおいてイオン化される。イオン化物理蒸着チャンバは、コーティングする流体噴出器ヘッド200、または多数の流体噴出器ヘッドを備えたウエハーのどちらかを支持する器具と、タンタルのプレート等のターゲットとから構成されている。基台(ペデスタル)は、RF電力バイアス源を有していてもよく、堆積チャンバは、RF電源を備えていてもよく、または、プラズマと結合して、ターゲットからスパッタリングされるイオン化粒子のプラズマ内の濃度を上げる固定もしくは時間依存の磁力線を有していてもよい。ターゲットは、RFまたはDC電源を有していてもよい。そのようなイオン化プラズマは、さまざまな方法によって生成されてもよい。また、通常「ロングスロー」スパッタリングと呼ばれている他の技術を利用してもよい。
【0022】
図2bにおいて、スパッタリング中に、低基板バイアス電力が流体噴出器ヘッド200またはウエハーのどちらかに印加されると、第2のノズル表面232の上および基板表面212のうちの流体噴出チャンバ208内にある部分の上に、スパッタリングターゲット物質が堆積され、保護層240’の最初の堆積物が作成される。本実施形態において、スパッタリングターゲット物質はタンタルである。しかし、上述のように、チャンバ層220およびノズル層230に利用する特定の物質、ならびに流体噴出器ヘッド200を用いる用途次第で、広範囲のターゲット物質を利用するようにしてもよい。
【0023】
図2cにおいて、高基板バイアス電力を用いてスパッタリングを行い、保護層240’の物質をぶつかった衝撃によって飛ばしている(off on impact)。図2bに示す保護層240’の物質が少なくなっているのは、スパッタリングによって側壁222上に飛ばされているからである。さらに、この物質はまた、第1のノズル表面231のうちの流体噴出チャンバ208内にある部分の上にも堆積され、穴234内にも堆積される。
【0024】
図2dにおいて、低基板バイアス間隔を用いて、図2cにおいて上述した基板表面からこれまでに取り除かれた保護層物質を補充している。このプロセスは、図3に示すように、繰り返して、または異なる順序で組み合わせて、特定の用途に最適の厚さおよびトポグラフィを作成してもよい。図3は、時間の関数として基板バイアス電力の理想的なタイミング図を示している。これは、時間とバイアス電力とを別個に制御することができる、ということを示している。図3において、低基板バイアス電力144の期間は、低基板バイアスを基板に印加して最初の堆積物を形成する時間を表している。高基板バイアス電力期間147は、物質が側壁その他特定の用途によって決まる構造の上に再分配されるサイクルを表している。低基板バイアス電力期間145は堆積のサイクルを表しており、時間および印加する電力は、低基板バイアス電力期間144と同じであっても異なっていてもよい。高基板バイアス電力期間148は、物質が流体噴出チャンバおよび穴の中において再分配されるサイクルを表している。高基板バイアス電力期間148の時間および印加する電力は、高基板バイアス電力期間147と同じであっても異なっていてもよい。通常、このプロセスは低基板バイアス電力期間146で終わり、その結果、基板上およびノズル層上に物質が堆積されることになる。
【0025】
他の実施形態において、異なるスパッタリングターゲットもまた異なるサイクル中に利用されて、多層の保護層を作成したり、基板表面および第2のノズル表面の上に堆積する物質とは異なる物質を側壁上に堆積したりしてもよい。さらに、他の実施形態において、イオン化物理蒸着は、例えば、無電解メッキ、電気メッキ、または原子層堆積等、他の堆積技法と組み合わせてもよい。例えば、イオン化物理蒸着を利用して薄い導電層を形成し、次に電気メッキまたは無電解メッキを利用してその層を増大し、保護層240を形成してもよい。他の例では、無電解メッキまたは原子層堆積を利用して薄いシード(seed)層を形成し、次に電気メッキまたは無電解メッキを利用してその層を増大して保護層240を形成してもよい。後者の技法を利用して、より厚い適応した保護層240を成長させ、次に、流体噴出チャンバ208の底面をコーティングする低バイアスイオン化スパッタリングを用いてタンタルその他好適な物質を堆積して、流体と境界を接するのに適切な厚みを形成してもよい。さらに、このような技術およびプロセスはまた、流体噴出器発生器206が省かれ、流体噴出チャンバ208がチャンバまたは流体チャネルである、上述したような他の実施形態においても利用してよい。
【0026】
図4には、チャンバノズル層428が単一の層として形成される、本発明の例示的実施形態を示している。本実施形態において、基板410は、厚さが約300〜700マイクロメートルのシリコンウエハーである。当業者に既知の従来の半導体処理設備を用いて、トランジスタ(図示せず)および流体噴出器ヘッド400に必要なその他論理デバイスは基板410に形成されている。当業者であれば、トランジスタおよびその他論理デバイスを、薄膜層を積み重ねたものとして実現することができる、ということを理解しよう。トランジスタの特定の構造は本発明に関係するものではないが、本実施形態においては、金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)等、あるタイプのソリッドステート電子デバイスが存在している。前述したように、他の基板物質もまた利用してもよい。したがって、このような基板物質は、ガラス基板上のポリシリコンを用いる薄膜トランジスタ(TFT)技術等、当該技術分野において周知の利用できる半導体物質および技術のうちの1つまたはそれよりも多くを含むことになる。
【0027】
基板410上には、流体噴出器発生器406が配置されている。基板410および流体噴出器発生器406の上方には、窒化ケイ素層414が配置されている。窒化ケイ素層414の上方には、炭化ケイ素層416が配置されている。炭化ケイ素層416の一部の上方には、タンタル層418が配置されている。他の実施形態において、タンタル層418には、金属やセラミック等、他の物質を利用してもよい。本実施形態において、上述の高バイアス電力再分配サイクルを利用して、タンタル層418からのタンタルを側壁422上にスパッタリングして、保護層440を形成してもよい。次に低バイアス電力サイクルを利用して、流体噴出チャンバ408の底面を増大しても、または再形成してもよい。他の実施形態において、タンタル層418は省いてもよく、低バイアス堆積サイクルを利用して、穴434を通じて炭化ケイ素層416上にタンタルが堆積されている。
【0028】
炭化ケイ素層416の上方には、チャンバノズル層428が配置されており、チャンバノズル層428において、側壁422は流体噴出チャンバ408の一部を形成している。チャンバノズル層428は、そこを通って流体が噴出される、1つまたはそれよりも多い穴、すなわちノズル434を備えている。さらに、チャンバノズル層428は、流体噴出チャンバ408を略覆う領域に、第1のノズル表面431を備えている。チャンバノズル層428はまた、第2のノズル表面432も備えている。穴434は、第1のノズル表面431から第2のノズル表面432まで延在している。
【0029】
図4は、側壁422、第1のノズル表面431、およびタンタル層418が流体噴出チャンバ408を形成しているのを示している。本実施形態において、保護層440は、側壁422、タンタル層418、第1のノズル表面431、穴434の表面、および第2のノズル表面432をコーティングしている。他の実施形態において、保護層440は、チャンバノズル層428に利用する特定の物質および流体噴出器ヘッド400を利用する特定の用途次第で、すべての表面をコーティングするわけではない。さらに、保護層440の厚さもまた、利用するチャンバノズル層428に利用する特定の物質、および、流体噴出器ヘッド400を利用する特定の用途次第で、さまざまであってもよい。本実施形態において、保護層440の厚さは、約0.01マイクロメートルから約1.25マイクロメートルの範囲である。さらに、保護層440の厚さは、層の部分々でさまざまであってもよい。例えば、側壁422上の厚さは約0.05マイクロメートルであってもよく、流体噴出チャンバ408の底面上の厚さは約0.3マイクロメートルであってもよく、第2のノズル表面432上の厚さは約1.25マイクロメートルであってもよい。保護層440は、チャンバノズル層428の上の保護トップコートの役割を果たしてもよい。保護層440は、前述のさまざまな物質で形成されていてもよい。
【0030】
本実施形態において、チャンバノズル層428は、マイクロケム社(MicroChemCorp.)から入手可能であり、Nano SU−8という名前で販売されている、光によって画像形成可能なエポキシである。少数の例を挙げれば、光によって画像形成可能なポリイミド、光によって画像形成可能な他のエポキシ、またはベンゾシクロブテン等、他の物質もまた、利用してもよい。本実施形態において、それぞれの流体噴出器発生器406に関連して、基板410、窒化ケイ素層414、および炭化ケイ素層416を貫いて流体チャネルが形成され、基板底面411から流体噴出チャンバ408へと貫く流体チャネルが設けられている。他の実施形態において、例えば流体チャネルは、基板410の縁から、または基板410に形成したスロットを介して、形成されてもよい。わかりやすくするために、図4からは流体チャネルを省いている。一体型のチャンバノズル層を利用する本実施形態はまた、図1および図2において前述した他の実施形態にも適用でき、ここでは流体噴出器発生器を省き、流体噴出チャンバがチャンバまたは流体チャネルである。
【0031】
図5は、本発明の流体噴出カートリッジ502の例示的実施形態を斜視図で示している。本実施形態において、流体噴出カートリッジ502は、流体を収容する槽560を備えている。この流体は、基板の流体噴出器発生器(図示せず)と流体噴出チャンバ(図示せず)とに供給されるようになっている。ノズル層530の第2のノズル表面532は、そこを通って流体が噴出される1つまたはそれよりも多いノズル534を備えている。流体噴出器ヘッド500は、上述の流体噴出器ヘッドのうちのいずれであってもよい。
【0032】
例示的実施形態のフレキシブル回路550は、ポリマーフィルムであり、電気接点554に接続された電気トレース552を備えている。電気トレース552は、電気接点554から、基板上の電気コネクタまたはボンディングパッド(bond pads)(図示せず)にルーティングされており、流体噴出カートリッジ502に電気接続を提供している。第2のノズル表面532の縁、ならびに、電気トレース552の端部を封入する基板の縁および基板上のボンディングパッドに沿って、封入ビード556が施されている。他の実施形態において、一体型のノズル層とフレキシブル回路とが利用されている。
【0033】
図5に示すように、流体噴出カートリッジ502上には、情報記憶素子562が配置されている。好ましくは、情報記憶素子562はフレキシブル回路550に電気的に連結されている。情報記憶素子562は、流体または流体噴出器ヘッド500の特性またはパラメータに関係するかもしれない情報を記憶し出力するのに好適な、いかなるタイプのメモリデバイスであってもよい。本実施形態において、情報記憶素子562は、フレキシブル回路550に取付けられ、記憶装置の電気トレース564を通じて記憶装置の電気接点566に電気的に連結されているメモリチップである。または、情報記憶素子562は、自らのパッケージ内に封入され、対応する別個の電気トレースおよび電気接点を有していてもよい。流体噴出カートリッジ502が、流体を施すシステムに挿入されるかそのようなシステムにおいて利用される場合、情報記憶素子562がコントローラ(図示せず)と電気的に連結し、そのコントローラが情報記憶素子562と通信して、情報記憶素子562に記憶されている情報またはパラメータを用いている。しかし、情報記憶素子562には、バーコードまたはその他情報を記憶することができるデバイス等、他の形式の情報記憶装置を利用してもよい。
【0034】
図6は、本発明の流体噴出システムの例示的実施形態の斜視図を示している。図示のように、流体噴出システム670は、流体またはインク供給源672を備えている。流体供給源672は、1つまたはそれよりも多い補助流体またはインク槽674を有している。補助流体槽674は、通常流体またはインクカートリッジと呼ばれ、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602に流体を供給するものである。流体噴出カートリッジ602は、流体噴出カートリッジ502と同様であるが、他の流体噴出カートリッジもまた利用してよい。補助流体槽674は、柔軟性を有する管路675を介して流体噴出カートリッジに液通している。流体噴出カートリッジ602は、キャリッジ676に半永久的に搭載されていても、着脱可能に取付けられていてもよい。流体噴出カートリッジ602は、滴発射コントローラ(図示せず)に電気的に連結されており、流体噴出カートリッジ上の流体噴出器発生器を作動する信号を供給している。本実施形態において、紙やプリントシステムに吸い込み可能なシート等、流体受取り媒体すなわちプリント媒体678が、当該技術分野において既知の機構によって搬送されるプラテンまたはシートアドバンサー(図示せず)が設けられている。キャリッジ676は、通常は摺動バー677または流体噴出システム670内の同様の機構によって支持されており、摺動バー677に沿って物理的に進み、キャリッジ676がプリント媒体678を横切って平行移動して往復運動するすなわち左右に走査することができるようにしている。また、流体噴出システム680は、コード化ストリップ680を用いてもよい。コード化ストリップ680は、キャリッジ676における光検出器(図示せず)が光学的に検出して、キャリッジ676を正確に配置してもよい。キャリッジ676は、好ましくはステッパモータ(図示せず)を用いて平行移動させてもよいが、他の駆動機構もまた利用してよい。さらにモータは、駆動ベルト、ねじ駆動装置、またはその他好適な機構によってキャリッジ676に接続されていてもよい。
【0035】
プリント動作を開始すると、トレイ682内のプリント媒体678が流体噴出システム680のプリント領域(図示せず)内に供給される。いったんプリント媒体678が適切に配置されると、キャリッジ676はプリント媒体678を横切って、プリント媒体678のさまざまな部分上の適切な位置に、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602がインクを噴出するようになっている。次にプリント媒体678を増加させて(インクリメント)に動かし、キャリッジ676が再びプリント媒体678を横切って、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602が、プリント媒体678上の第1の部分と重なり合わない新しい位置すなわち部分上にインクを噴出することができるようにしてもよい。通常、滴が噴出されて所定のドットマトリクスパターンを形成し、例えば画像や英数字を形成することになる。
【0036】
データのラスタ化は、システム制御コマンドとともにラスタ化したデータをシステムに送る前に、パーソナルコンピュータすなわちPC(図示せず)等のホストコンピュータにおいて行われてもよいが、他のシステム構成またはシステムのアーキテクチャでデータをラスタ化することも可能である。この動作は、システムのコンピュータに常駐しているシステムドライバソフトウェアの制御下にある。システムは、そのようなコマンドおよびラスタ化したデータを解釈し、どの滴噴出器を発射するかを決定する。したがって、プリント媒体678上にデポジットしたインクのスワスが完了すると、プリント媒体678は、次のスワスに備えて、適切な距離だけ動く。このようにして、二次元のアレイになった流体をプリント媒体上に噴出したものを得ることができる。本発明はまた、固定した流体噴出カートリッジを有し、プリント媒体を1つまたはそれよりも多い方向に動かすもの、および、固定したプリント媒体を有し、流体噴出カートリッジを1つまたはそれよりも多い方向に動かすもの等、流体噴出カートリッジとプリント媒体との間を相対運動させる他の手段を用いる流体を施すシステムにも、適用できる。
【0037】
図7は、本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの製造方法のフローチャートを示している。能動素子を形成するプロセス786では、従来の半導体処理設備を利用して、トランジスタおよびその他流体噴出器ヘッドの動作に必要な論理デバイスを基板に形成している。当業者であれば、トランジスタおよびその他論理デバイスは、通常、薄膜層を積み重ねたものとして形成される、ということを理解しよう。トランジスタの特定の構造は本発明に関係するものではなく、金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)、等、さまざまなタイプのソリッドステート電子デバイスを利用してもよい。
【0038】
流体滴発生器、通常、タンタルアルミニウム合金として形成されている抵抗器、を作成するプロセス790では、抵抗器を形成するスパッタ堆積システムや、抵抗器層の位置および形状を画定するエッチングおよびフォトリソグラフィのシステム等、従来の半導体処理設備を利用している。他の実施形態において、タングステン窒化ケイ素等の抵抗器合金やポリシリコンもまた、利用してよい。他の実施形態において、圧電、超音波等、熱抵抗器以外の流体滴発生器もまた利用してよい。プロセス792では、能動素子が集積回路技術において通常用いられるアルミニウム銅シリコン等のアルミニウム合金から形成した電気トレースによって、流体滴発生器に電気的に連結合される。金、銅等、他の相互接続合金もまた利用してもよい。
【0039】
流体噴出チャンバまたはその他の用途のチャンバを形成するプロセス794は、チャンバ層、またはチャンバ層とノズル層とが一体になったものを用いる場合にはチャンバオリフィス層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくに噴出している流体、プリントヘッドの予想寿命、流体噴出チャンバおよび流体供給チャネルの寸法、等のパラメータによって決められる。一般的には、従来のフォトレジストおよびフォトリソグラフィの処理設備を用いたり、または、従来の回路基板処理設備を利用したりしている。例えば、光によって画像形成可能なポリイミドのチャンバ層を形成するのに用いるプロセスは、スピンコーティング、ソフトベーク、露光、現像、およびその後における最終のベークプロセス、というものであってもよい。しかし、一般的にはんだマスクと呼ばれるものからチャンバ層を形成するには、通常、積層プロセスを利用して、その物質を基板に付着させている。残りのステップは、フォトリソグラフィにおいて通常利用されるものである。スパッタリングや化学蒸着等の堆積ツール、およびパターニング用のフォトリソグラフィのツールを用いて、酸化ケイ素や窒化ケイ素等、他の物質もまた利用してよい。さらに他の実施形態はまた、通常ロストワックスプロセスと呼ばれるものと同様の技法を利用してもよい。このプロセスにおいては、通常、例えば溶解、エッチング、熱、光化学反応、またはその他適切な手段によって取り除くことができるロストワックス物質を用いて、流体チャンバおよび流体チャネルの構造、ならびにオリフィスすなわち穴を形成している。通常、ロストワックス物質によって形成したこのような構造は、ポリマー物質でコーティングされる。ロストワックス物質は、上述のプロセスのうちの1つまたはそれらの組み合わせによって取り除かれると、コーティングされた物質内に形成された流体チャンバ、流体チャネルおよびオリフィスが残ることになる。
【0040】
ノズルすなわち穴を作成するプロセス796では、ノズル層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくに噴出している流体、プリントヘッドの予想寿命、穴の寸法、穴の形状、および穴壁構造等のパラメータによって決められる。一般的には、レーザ・アブレーションを利用してもよい。しかし、パンチング、化学的ミリング、またはマイクロモールディング等、他の技法もまた用いてよい。ノズル層をチャンバ層に取り付けるのに用いる方法もまた、ノズル層およびチャンバ層用に選択する特定の物質によって決まる。一般的に、チャンバ層とノズル層との間に挟まれる接着層を用いるか、接着層でまたは接着層なしにノズル層をチャンバ層に積層するかのどちらかによって、ノズル層をチャンバ層に取り付けたり、あるいは貼ったりする。
【0041】
上述のように(図4を参照されたい)、実施形態によっては、チャンバオリフィス層またはチャンバノズル層と呼ばれる、一体になったチャンバおよびノズル層構造を利用している。この層は、一般的に、一体層に選択する特定の物質によって決まる上述した各プロセスのなんらかの組み合わせを用いている。例えば、一実施形態において、通常ノズル層に用いるフィルムには、レーザ・アブレーションや化学的ミリング等の技法によって、ノズルと流体噴出チャンバの両方をその層内に形成してもよい。次にそのような層は、接着剤を用いて基板に固定することが可能になる。他の実施形態において、光によって画像形成可能なエポキシを基板上に配置し、次に、従来のフォトリソグラフィ技法を用い、例えば現像サイクルの前に多数回露光することによって、チャンバ層とノズルとを形成してもよい。さらに他の実施形態において、ロストワックスプロセスを利用して、チャンバ層とノズル層とが一体になった構造を形成してもよい。
【0042】
保護層を作成するプロセス798は、保護層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくにチャンバ層を形成するのに選択する物質、噴出している流体、およびプリントヘッドの予想寿命等のパラメータによって決められる。一般的には、上述のように、従来のイオン化物理蒸着のツールおよびプロセスを利用している。しかし、電気メッキ、無電解メッキ、および原子層堆積等、他の技法もまた、イオン化物理蒸着と別個にまたはそれと組み合わせて利用してもよい。その場合、ノズルすなわち穴を通じて側壁、基板、および穴の表面、ならびに第1および第2のノズル表面の上に保護層が堆積される。保護層がこれら表面のうちのすべてに堆積されるか一部のみに堆積されるかは、チャンバまたは流体噴出チャンバを利用する特定の用途によって決まることになる。
【0043】
本発明の例示的実施形態は、流体噴出器ヘッドおよび流体噴出器カートリッジに関するが、本発明は、混合チャンバ、液体と気体の両方を利用する反応チャンバ、および微小電気機械デバイス等その他の用途において使用可能である。
【0044】
本発明は、前述の好ましい実施形態および他の実施形態を参照しながら、特に示して説明したが、当業者には、特許請求の範囲において規定する本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明に多くの変形を行ってもよい、ということを理解しよう。本発明のこの説明は、本明細書において説明した要素の新規かつ非自明の組み合わせをすべて含むよう理解されるべきであり、本願または後の出願について、このような要素のいかなる新規かつ非自明の組み合わせにも、特許請求の範囲が及ぶものである。前述の実施形態は例示的なものであり、いかなる単一の特徴または要素も、本願または後の出願において特許を請求するかもしれないすべての可能性のある組み合わせにとって不可欠というわけではない。特許請求の範囲が「1つの」または「第1の」要素またはその均等物と言うときには、そのような特許請求の範囲は、2つまたはそれよりも多くのそのような要素を必要とすることを除外することもなく、1つまたはそれよりも多くのそのような要素を組み込んだものを含むということを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図1b】本発明の実施形態による図1aに示す流体噴出器ヘッドの平面図である。
【図2a】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2b】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2c】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2d】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図3】本発明の実施形態による基板バイアス電圧のタイミング図である。
【図4】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図5】本発明の実施形態による流体噴出カートリッジの斜視図である。
【図6】本発明の実施形態による流体噴出システムの斜視図である。
【図7】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの製造方法のフローチャートである。
【符号の説明】
100,200 流体噴出器ヘッド
106,206 流体噴出発生器
108,208 チャンバ
110,210 基板
120,220 チャンバ層
122,222 側壁
124,224 チャンバ表面
130,230 オリフィス層
131,231 第1のオリフィス表面
132,232 第2のオリフィス表面
134,234 穴
140,240 保護層
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリントヘッドに関し、特に、プリントヘッドの流体チャンバの保護に関する。
【0002】
【従来の技術】
流体噴出カートリッジは、通常は、基板に液通した流体槽を備えている。この基板は通常、エネルギー発生素子を備えており、該エネルギー発生素子は、1つまたはそれよりも多いノズルを通って流体を噴出するのに必要な力を発生させている。エネルギー発生素子として広く用いられているものに、熱抵抗器と圧電素子の2つがある。前者は、流体の一部(component)を沸点よりも上まで急速に加熱して気泡を作り出し、それによって流体の滴を噴出するようにしている。後者は、電圧パルスを利用してメンブレンを動かし、それによって流体を押し退け、その結果、流体の滴を噴出するようになっている。
【0003】
現在、幅広くさまざまな高効率のインクジェットプリントシステムが用いられている。このようなシステムは、迅速かつ正確な方法でインクを施すことが可能である。しかし、より低価格で消費者にシステムを提供しながら、信頼性および画像品質を絶えずますます改善することもまた、消費者によって要求されている。インクジェットプリンタの価格を下げサイズを小さくし、かつプリントページ当たりのコストを下げようとして、小型の移動するプリントヘッドを有するプリンタが開発されている。このようなプリントヘッドは、通常、より大きな静止したインク供給源に接続されている。この開発品は「オフ・アクシス」のプリントと呼ばれ、これによって、流体噴出器およびノズルシステムを含む高価なプリントヘッドを頻繁に交換する必要がなく、より大きなインク供給源である「インクカートリッジ」を使い果たしたときに交換すればよくなった。
【0004】
画像品質を改善すると、通常、インクジェットのインクにおける有機化合物の含有率が高くなるということになる。このように有機化合物の含有率が高くなると、通常、インクがより強い腐食性を示すことになり、場合によっては、そのようなインクに接触する物質(materials)が劣化する結果となる。より腐食性の強いインクによってこのような物質が劣化すると、信頼性や物質の適合性(compatibility)の問題が生じることになる。このような物質の適合性の問題は、一般的に、インクが接触するすべての物質に関係している。しかし、プリントヘッド内ではこのような問題が悪化している。オフ・アクシスのシステムにおいて、流体噴出器やノズルの周りにある物質は、インクカートリッジを少なくとも数回交換する間、適切に機能し続けるのに必要で、より高い信頼性を達成するために、その機能性をより長期にわたって維持する必要があるからである。したがって、このような物質が劣化すると、プリントヘッドが場合によっては破滅的に故障してしまうことになる可能性がある。
【0005】
例えば、多くのプリントヘッドにおいては、流体噴出器の周りに流体チャンバを形成している層はポリマー物質である。このようなポリマー物質は、可塑剤、粘着付与剤、重合触媒および硬化剤等、低分子量の添加剤を含んでいてもよい。このような低分子量の添加剤とインクの成分とが相互作用することによって、基板/ポリマーフィルム(膜)の境界面が脆弱化するかもしれない。基板表面からポリマーフィルムが剥離すると、作動中の回路が配置されている領域にインクがしみ込み、腐食と短絡のどちらか、または両方が生じる可能性がある。これらはすべて、場合によってはプリントヘッドの動作にとって致命的なものになる可能性がある。さらに、このような添加剤は、ポリマーと比較して分子量が小さいので、インクによってポリマー層の外に浸出する可能性も、インクの成分と反応する可能性もあり、その結果、インクの特性またはポリマー物質の特性が変化してしまうことになる。低分子量の物質がインクと反応するにせよ、インクによって浸出するにせよ、このように変化すると、結局沈殿物やゼリー状物質が形成されることになる可能性があり、それによってさらに、ノズルの発射特性が変化したり、ノズルが詰まったりしてしまう可能性がある。さらに、多湿の環境においては、そのようなポリマー物質の化学的および物理的特性を維持することもまた、問題になる可能性がある。このような問題はすべて、より低価格、より小型、かつより信頼性の高いプリンタの製造に影響を与える可能性がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、保護層を有する流体チャンバを備えるプリントヘッドを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
チャンバは、基板と、基板上に配置されチャンバの側壁を画定するチャンバ層とを備えている。チャンバ層は、チャンバ表面を有している。チャンバは、チャンバ表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有している。チャンバはまた、チャンバ層の上方に配置されたオリフィス層も備えている。オリフィス層は、第1および第2のオリフィス表面と、穴とを有している。穴は、第1のオリフィス表面が形成する平面において、チャンバの面積よりも小さい面積を有している。チャンバはさらに、穴を通じてチャンバ層の側壁および第1のオリフィス表面の一部の上に堆積された(deposited)保護層を備えている。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1aには、本発明の実施形態が簡略断面図で示されている。本実施形態において、流体噴出器ヘッド100は、流体噴出チャンバ108内に収容された流体の湿気および腐食から周囲領域を保護する保護層140を備えている。本実施形態において、基板110は、厚さが約300〜700マイクロメートルのシリコンウエハーである。他の実施形態において、さまざまなガラス、酸化アルミニウム、ポリイミド基板、炭化ケイ素、およびガリウムヒ素等、他の物質もまた、基板110に利用してもよい。したがって、本発明は、シリコンの半導体物質で製造した素子(デバイス、装置、devices)に限定する意図ではない。
【0009】
基板110上には、流体噴出器発生器(噴出器/発生器、噴出発生器、ejector generator)106が形成されている。本実施形態において、流体噴出器発生器106は熱抵抗器である。他の実施形態において、圧電、超音波、または静電発生器等、他の流体噴出器発生器もまた、利用してもよい。本実施形態において、基板110はまた、流体噴出器発生器106に電気的に連結合された1つまたはそれよりも多いトランジスタ(図示せず)も備えている。他の実施形態において、ダイオードなどの能動素子やメモリ論理セルもまた、このような1つまたはそれよりも多いトランジスタと別個にあるいは組み合わせて利用してもよい。さらに他の実施形態において、基板110が能動素子なしに流体噴出器発生器を備えていてもよく、通常「直接駆動」流体噴出器ヘッドと呼ばれるものもまた、利用してもよい。能動素子と流体噴出器発生器との特定の組み合わせは、流体噴出器ヘッドを用いる特定の用途および噴出される特定の流体によって決められることになる。
【0010】
各図面は、正確な縮尺率で書かれてはいないということに注意すべきである。本発明がよりはっきりと示され、かつ理解されるようにするために、いくつかの寸法は他の寸法に対して誇張されている。さらに、わかりやすくするために、それぞれの断面図において、ノズル層の穴を横切る線等、すべての線を示しているわけではない。さらに、本明細書において示す実施形態は二次元の図で示され、さまざまな領域が深さおよび幅を有しているが、このような領域は、実際には三次元の構造のデバイスの一部のみを示すものである、ということが理解されるべきである。したがって、このような領域は、実際のデバイス上に製造されるときには、長さ、幅、および深さを含む3つの寸法を有している。
【0011】
基板110の上方にはチャンバ層120が配置されており、チャンバ層120において、側壁122が流体噴出チャンバ108の一部を画定、すなわち形成している。チャンバ層120の上方にはノズルすなわちオリフィス層130が配置されており、ノズル層130は、そこを通って流体が噴出される、1つまたはそれよりも多い穴すなわちノズル134を備えている。さらに、ノズル層130は、チャンバ表面124に接して配置された第1のノズル表面131と、第2のノズル表面132とを有している。穴134は、第1のノズル表面131から第2のノズル表面132まで延在している。他の実施形態において、チャンバ層120およびノズル層130に利用する特定の物質次第では、ノズル層130をチャンバ層120に付着させる接着層もまた、利用してもよい。流体噴出チャンバ108は、側壁122、第1のノズル表面131、および基板表面112によって形成されている。本実施形態において、第2のノズル表面132における穴の直径は、約2マイクロメートルから約50マイクロメートルの範囲である。特に、約5マイクロメートルから約35マイクロメートルの範囲、およびより詳細には約15マイクロメートルから約30マイクロメートルの範囲、の直径のノズル穴を利用することができる。ノズル層130の厚さは、約1マイクロメートルから約50マイクロメートルの範囲である。
【0012】
保護層140は、側壁122、基板表面112の一部、第1のノズル表面131の一部、穴134の表面、および第2のノズル表面132をコーティングしている。本実施形態において、保護層140の厚さは約0.01マイクロメートルから約1.5マイクロメートルの範囲であり、これは平均の厚さを表している。さまざまな表面の上でのコーティングの厚さは、例えば、チャンバの幾何学的形状、チャンバのサイズ、穴のサイズ、ノズル層の厚さ、および、用いる特定の堆積のパラメータ次第で、さまざまである。他の実施形態において、流体噴出器ヘッド100内で利用する特定のチャンバおよびノズル層、ならびに、流体噴出器ヘッド100を利用する特定の用途次第では、保護層140がこのような表面すべてをコーティングしなくともよい。さらに、保護層140の厚さもまた、流体噴出器ヘッド100内で利用する特定のチャンバおよびノズル層、ならびに、流体噴出器ヘッド100を利用する特定の用途次第で、さまざまである。例えば、基板表面112上に堆積される保護層140の厚さは、側壁122上に堆積される保護層140よりも薄いかもしれない。
【0013】
本実施形態において、チャンバ層120は、従来のフォトリソグラフィ装置を利用して基板110上にチャンバ層120を形成し、次に流体噴出チャンバ108を画定して現像するもので、光によって画像形成可能なフィルムである。チャンバ層120の厚さは約1マイクロメートルから約100マイクロメートルの範囲である。ノズル層130は、金属、ポリマー、ガラス、その他セラミック等、好適な物質で形成されていてもよい。本実施形態において、ノズル層130はポリイミドフィルムである。市販されているノズル層物質の例としては、「カプトン」という商標名でE.I.デュポン・ド・ノムール・アンド・カンパニー(E.I. DuPont de Nemours & Co.)から入手可能なポリイミドフィルムや、「ユーピレックス」という商標名で宇部興産(日本)から入手可能なポリイミド物質が含まれている。他の実施形態において、ノズル層130は、薄い金、パラジウム、タンタル、またはロジウムの層で封入した(メッキした、enclosed)ニッケルのベース等の金属で形成されている。他の実施形態において、ノズル層130は、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート(PEN)、エポキシ、またはポリカーボネート等のポリマーで形成されていてもよい。
【0014】
保護層140は、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、およびそれらの混合物等の金属またはセラミック物質から形成されていてもよい。本実施形態において、保護層140は金属フィルムである。利用してもよい金属の例としては、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、金、ロジウム、パラジウム、プラチナ、ニオブ、ニッケル、またはそれらの組み合わせたものがある。他の実施形態において、保護層140は、少数の例を挙げれば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化タングステン、窒化チタン、およびホウ化モリブデンから形成されていてもよい。
【0015】
図1aに示す実施形態の平面図は図1bに示されている。本実施形態において、流体噴出チャンバ108は略正方形である。しかし、他の実施形態においては、長方形、楕円形、円形等、他の構造もまた利用してもよい。本実施形態において、流体噴出チャンバ108の厚さすなわち高さは、約1マイクロメートルから約100マイクロメートルの範囲であってもよい。特に、厚さは約2マイクロメートルから約35マイクロメートルの範囲であってもよく、より詳細には、約5マイクロメートルから約25マイクロメートルの範囲であってもよい。特定の用途および流体噴出チャンバ108から噴出されている流体次第では、他の形状および寸法を利用してもよい。さらに、わかりやすくするために、図1bにおいては、1つまたはそれよりも多い流体チャネル126のうちの一部のみを示している。本実施形態において、チャンバ層120に形成された流体チャネル126は、基板110の縁から流体噴出チャンバ108までの流体経路を提供するものである。これは通常、「縁供給(edgefeed)」流体噴出器ヘッドと呼ばれている。他の実施形態において、ノズル層130のうちの流体チャネル126の上方に位置する部分もまたオリフィスを備え、そのようなオリフィスを通じてチャネル表面は保護層140でコーティングされている。さらに他の実施形態において、それぞれの流体噴出器発生器106について基板110を貫いて流体チャネルが形成され、基板底面111から基板表面112まで流体チャネルが設けられていてもよい。さらに他の実施形態において、基板110の基板底面111から基板表面112まで、多数の流体噴出器発生器106に流体を供給するスロットが形成されている。
【0016】
上述のように、穴134は、第1のノズル表面131から第2のノズル表面132まで延在している。本実施形態において、第1のノズル表面131における穴134の面積は、図1aに示すチャンバ表面124において画定された流体噴出チャンバ108の面積よりも小さくなっている。さらに、通常は、第1のノズル表面131における穴134の面積は、第2のノズル表面132における穴134の面積よりも大きくなっている。
【0017】
他の実施形態において、ノズル層130に用いる特定の物質、および、流体噴出器ヘッド100を用いる特定の用途次第で、真っ直ぐな穴、凹んだ壁を有する穴、または略砂時計の形状を有する穴等、他の穴壁構造もまた、利用してもよい。さらに、他の実施形態において、このような穴壁構造は、他の穴形状と組み合わせてもよい。さらに、凹形または凸形等の他の壁構造もまたチャンバ層120の側壁122に利用してもよい。本発明において説明する流体噴出器ヘッド100では、流体噴出器の周りのチャンバのサイズおよび幾何学的形状、流体噴出器のサイズおよび幾何学的形状、ならびにノズルのサイズおよび幾何学的形状等、流体噴出器ヘッドのパラメータおよび構造次第で、約1フェムトリットルから約10ナノリットルの範囲の滴を再現可能にかつ確実に噴出することができる。
【0018】
図1aおよび図1bは流体噴出器ヘッドを示しているが、他の実施形態において、流体噴出器発生器106を省いてもよく、流体噴出チャンバ108は、例えばチャンバを提供するものである。このチャンバは、微小電気機械デバイス(microelectromechanical device)またはラブオンチップデバイス(lab−on−a−chip−device)の内等で、混合、反応実行、その他の用途に利用することが可能である。他の本実施形態において、チャンバ表面124が形成する平面において、チャンバの面積は約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲である。特に、面積が約1平方マイクロメートルから約2500平方マイクロメートルの範囲、およびより詳細には約1平方マイクロメートルから約1000平方マイクロメートルの範囲のチャンバを利用することができる。チャンバおよびオリフィス層、ならびに基板および保護層は、流体噴出器ヘッドについて上述した物質で形成されていてもよく、上述と同様の構造を含んでいてもよい。さらに他の実施形態において、チャンバは、チャンバに液通する1つまたはそれよりも多い流体チャネルを備えていてもよい。流体チャネルは、適切に間隔を置いて配置したオリフィスを備えている。このようなオリフィスを通じて、チャネル表面を保護層でコーティングすることができる。特定の間隔は、例えば、流体チャネルの寸法、オリフィスすなわち穴のサイズ、およびオリフィス層の厚さによって決められる。チャンバを用いる特定の用途次第では、保護層の堆積の完了後、適切な物質を用いて、チャンバと流体チャネルのオリフィスとを閉じてもよい。この、利用する特定の物質は、例えば、オリフィス層の物質や、チャンバを用いる特定の用途によって決められることになる。
【0019】
図2a〜図2dには、保護層240の作成要領が簡略断面図で示されている。わかりやすくするために、作成中および修正中の保護層240は240’で示されている。図2aは、保護層の作成前における流体噴出器ヘッド200の簡略断面図である。基板210は流体噴出器発生器206を備えている。基板210の上方にはチャンバ層220が配置されており、チャンバ層220において、側壁222が流体噴出チャンバ208の一部を画定している。チャンバ層220の上方にはノズル層230が配置されており、ノズル層230は、そこを通って流体が噴出される1つまたはそれよりも多い穴、すなわちノズル234を備えている。
【0020】
流体噴出器ヘッド200、または多数の流体噴出器ヘッドを含むウエハーのどちらかが、イオン化物理蒸着(PVD)を行う状態にした従来の半導体薄膜スパッタリング堆積システム内に装填される。例えば、アプライド・マテリアルズ社(Applied Materials Corporation)が製造しEnduraという名前で販売している自己イオン化プラズマを有する一体システムや、トライコンテクノロジー社(Trikon Technologies Inc.)が製造しSigma(登録商標)fxP(商標)の名前で販売されているイオン化PVD堆積ツールを利用してもよい。
【0021】
このスパッタリング堆積プロセスにおいて、スパッタリングターゲットからスパッタリングされる粒子のうちのかなりの部分が、プラズマにおいてイオン化される。イオン化物理蒸着チャンバは、コーティングする流体噴出器ヘッド200、または多数の流体噴出器ヘッドを備えたウエハーのどちらかを支持する器具と、タンタルのプレート等のターゲットとから構成されている。基台(ペデスタル)は、RF電力バイアス源を有していてもよく、堆積チャンバは、RF電源を備えていてもよく、または、プラズマと結合して、ターゲットからスパッタリングされるイオン化粒子のプラズマ内の濃度を上げる固定もしくは時間依存の磁力線を有していてもよい。ターゲットは、RFまたはDC電源を有していてもよい。そのようなイオン化プラズマは、さまざまな方法によって生成されてもよい。また、通常「ロングスロー」スパッタリングと呼ばれている他の技術を利用してもよい。
【0022】
図2bにおいて、スパッタリング中に、低基板バイアス電力が流体噴出器ヘッド200またはウエハーのどちらかに印加されると、第2のノズル表面232の上および基板表面212のうちの流体噴出チャンバ208内にある部分の上に、スパッタリングターゲット物質が堆積され、保護層240’の最初の堆積物が作成される。本実施形態において、スパッタリングターゲット物質はタンタルである。しかし、上述のように、チャンバ層220およびノズル層230に利用する特定の物質、ならびに流体噴出器ヘッド200を用いる用途次第で、広範囲のターゲット物質を利用するようにしてもよい。
【0023】
図2cにおいて、高基板バイアス電力を用いてスパッタリングを行い、保護層240’の物質をぶつかった衝撃によって飛ばしている(off on impact)。図2bに示す保護層240’の物質が少なくなっているのは、スパッタリングによって側壁222上に飛ばされているからである。さらに、この物質はまた、第1のノズル表面231のうちの流体噴出チャンバ208内にある部分の上にも堆積され、穴234内にも堆積される。
【0024】
図2dにおいて、低基板バイアス間隔を用いて、図2cにおいて上述した基板表面からこれまでに取り除かれた保護層物質を補充している。このプロセスは、図3に示すように、繰り返して、または異なる順序で組み合わせて、特定の用途に最適の厚さおよびトポグラフィを作成してもよい。図3は、時間の関数として基板バイアス電力の理想的なタイミング図を示している。これは、時間とバイアス電力とを別個に制御することができる、ということを示している。図3において、低基板バイアス電力144の期間は、低基板バイアスを基板に印加して最初の堆積物を形成する時間を表している。高基板バイアス電力期間147は、物質が側壁その他特定の用途によって決まる構造の上に再分配されるサイクルを表している。低基板バイアス電力期間145は堆積のサイクルを表しており、時間および印加する電力は、低基板バイアス電力期間144と同じであっても異なっていてもよい。高基板バイアス電力期間148は、物質が流体噴出チャンバおよび穴の中において再分配されるサイクルを表している。高基板バイアス電力期間148の時間および印加する電力は、高基板バイアス電力期間147と同じであっても異なっていてもよい。通常、このプロセスは低基板バイアス電力期間146で終わり、その結果、基板上およびノズル層上に物質が堆積されることになる。
【0025】
他の実施形態において、異なるスパッタリングターゲットもまた異なるサイクル中に利用されて、多層の保護層を作成したり、基板表面および第2のノズル表面の上に堆積する物質とは異なる物質を側壁上に堆積したりしてもよい。さらに、他の実施形態において、イオン化物理蒸着は、例えば、無電解メッキ、電気メッキ、または原子層堆積等、他の堆積技法と組み合わせてもよい。例えば、イオン化物理蒸着を利用して薄い導電層を形成し、次に電気メッキまたは無電解メッキを利用してその層を増大し、保護層240を形成してもよい。他の例では、無電解メッキまたは原子層堆積を利用して薄いシード(seed)層を形成し、次に電気メッキまたは無電解メッキを利用してその層を増大して保護層240を形成してもよい。後者の技法を利用して、より厚い適応した保護層240を成長させ、次に、流体噴出チャンバ208の底面をコーティングする低バイアスイオン化スパッタリングを用いてタンタルその他好適な物質を堆積して、流体と境界を接するのに適切な厚みを形成してもよい。さらに、このような技術およびプロセスはまた、流体噴出器発生器206が省かれ、流体噴出チャンバ208がチャンバまたは流体チャネルである、上述したような他の実施形態においても利用してよい。
【0026】
図4には、チャンバノズル層428が単一の層として形成される、本発明の例示的実施形態を示している。本実施形態において、基板410は、厚さが約300〜700マイクロメートルのシリコンウエハーである。当業者に既知の従来の半導体処理設備を用いて、トランジスタ(図示せず)および流体噴出器ヘッド400に必要なその他論理デバイスは基板410に形成されている。当業者であれば、トランジスタおよびその他論理デバイスを、薄膜層を積み重ねたものとして実現することができる、ということを理解しよう。トランジスタの特定の構造は本発明に関係するものではないが、本実施形態においては、金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)等、あるタイプのソリッドステート電子デバイスが存在している。前述したように、他の基板物質もまた利用してもよい。したがって、このような基板物質は、ガラス基板上のポリシリコンを用いる薄膜トランジスタ(TFT)技術等、当該技術分野において周知の利用できる半導体物質および技術のうちの1つまたはそれよりも多くを含むことになる。
【0027】
基板410上には、流体噴出器発生器406が配置されている。基板410および流体噴出器発生器406の上方には、窒化ケイ素層414が配置されている。窒化ケイ素層414の上方には、炭化ケイ素層416が配置されている。炭化ケイ素層416の一部の上方には、タンタル層418が配置されている。他の実施形態において、タンタル層418には、金属やセラミック等、他の物質を利用してもよい。本実施形態において、上述の高バイアス電力再分配サイクルを利用して、タンタル層418からのタンタルを側壁422上にスパッタリングして、保護層440を形成してもよい。次に低バイアス電力サイクルを利用して、流体噴出チャンバ408の底面を増大しても、または再形成してもよい。他の実施形態において、タンタル層418は省いてもよく、低バイアス堆積サイクルを利用して、穴434を通じて炭化ケイ素層416上にタンタルが堆積されている。
【0028】
炭化ケイ素層416の上方には、チャンバノズル層428が配置されており、チャンバノズル層428において、側壁422は流体噴出チャンバ408の一部を形成している。チャンバノズル層428は、そこを通って流体が噴出される、1つまたはそれよりも多い穴、すなわちノズル434を備えている。さらに、チャンバノズル層428は、流体噴出チャンバ408を略覆う領域に、第1のノズル表面431を備えている。チャンバノズル層428はまた、第2のノズル表面432も備えている。穴434は、第1のノズル表面431から第2のノズル表面432まで延在している。
【0029】
図4は、側壁422、第1のノズル表面431、およびタンタル層418が流体噴出チャンバ408を形成しているのを示している。本実施形態において、保護層440は、側壁422、タンタル層418、第1のノズル表面431、穴434の表面、および第2のノズル表面432をコーティングしている。他の実施形態において、保護層440は、チャンバノズル層428に利用する特定の物質および流体噴出器ヘッド400を利用する特定の用途次第で、すべての表面をコーティングするわけではない。さらに、保護層440の厚さもまた、利用するチャンバノズル層428に利用する特定の物質、および、流体噴出器ヘッド400を利用する特定の用途次第で、さまざまであってもよい。本実施形態において、保護層440の厚さは、約0.01マイクロメートルから約1.25マイクロメートルの範囲である。さらに、保護層440の厚さは、層の部分々でさまざまであってもよい。例えば、側壁422上の厚さは約0.05マイクロメートルであってもよく、流体噴出チャンバ408の底面上の厚さは約0.3マイクロメートルであってもよく、第2のノズル表面432上の厚さは約1.25マイクロメートルであってもよい。保護層440は、チャンバノズル層428の上の保護トップコートの役割を果たしてもよい。保護層440は、前述のさまざまな物質で形成されていてもよい。
【0030】
本実施形態において、チャンバノズル層428は、マイクロケム社(MicroChemCorp.)から入手可能であり、Nano SU−8という名前で販売されている、光によって画像形成可能なエポキシである。少数の例を挙げれば、光によって画像形成可能なポリイミド、光によって画像形成可能な他のエポキシ、またはベンゾシクロブテン等、他の物質もまた、利用してもよい。本実施形態において、それぞれの流体噴出器発生器406に関連して、基板410、窒化ケイ素層414、および炭化ケイ素層416を貫いて流体チャネルが形成され、基板底面411から流体噴出チャンバ408へと貫く流体チャネルが設けられている。他の実施形態において、例えば流体チャネルは、基板410の縁から、または基板410に形成したスロットを介して、形成されてもよい。わかりやすくするために、図4からは流体チャネルを省いている。一体型のチャンバノズル層を利用する本実施形態はまた、図1および図2において前述した他の実施形態にも適用でき、ここでは流体噴出器発生器を省き、流体噴出チャンバがチャンバまたは流体チャネルである。
【0031】
図5は、本発明の流体噴出カートリッジ502の例示的実施形態を斜視図で示している。本実施形態において、流体噴出カートリッジ502は、流体を収容する槽560を備えている。この流体は、基板の流体噴出器発生器(図示せず)と流体噴出チャンバ(図示せず)とに供給されるようになっている。ノズル層530の第2のノズル表面532は、そこを通って流体が噴出される1つまたはそれよりも多いノズル534を備えている。流体噴出器ヘッド500は、上述の流体噴出器ヘッドのうちのいずれであってもよい。
【0032】
例示的実施形態のフレキシブル回路550は、ポリマーフィルムであり、電気接点554に接続された電気トレース552を備えている。電気トレース552は、電気接点554から、基板上の電気コネクタまたはボンディングパッド(bond pads)(図示せず)にルーティングされており、流体噴出カートリッジ502に電気接続を提供している。第2のノズル表面532の縁、ならびに、電気トレース552の端部を封入する基板の縁および基板上のボンディングパッドに沿って、封入ビード556が施されている。他の実施形態において、一体型のノズル層とフレキシブル回路とが利用されている。
【0033】
図5に示すように、流体噴出カートリッジ502上には、情報記憶素子562が配置されている。好ましくは、情報記憶素子562はフレキシブル回路550に電気的に連結されている。情報記憶素子562は、流体または流体噴出器ヘッド500の特性またはパラメータに関係するかもしれない情報を記憶し出力するのに好適な、いかなるタイプのメモリデバイスであってもよい。本実施形態において、情報記憶素子562は、フレキシブル回路550に取付けられ、記憶装置の電気トレース564を通じて記憶装置の電気接点566に電気的に連結されているメモリチップである。または、情報記憶素子562は、自らのパッケージ内に封入され、対応する別個の電気トレースおよび電気接点を有していてもよい。流体噴出カートリッジ502が、流体を施すシステムに挿入されるかそのようなシステムにおいて利用される場合、情報記憶素子562がコントローラ(図示せず)と電気的に連結し、そのコントローラが情報記憶素子562と通信して、情報記憶素子562に記憶されている情報またはパラメータを用いている。しかし、情報記憶素子562には、バーコードまたはその他情報を記憶することができるデバイス等、他の形式の情報記憶装置を利用してもよい。
【0034】
図6は、本発明の流体噴出システムの例示的実施形態の斜視図を示している。図示のように、流体噴出システム670は、流体またはインク供給源672を備えている。流体供給源672は、1つまたはそれよりも多い補助流体またはインク槽674を有している。補助流体槽674は、通常流体またはインクカートリッジと呼ばれ、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602に流体を供給するものである。流体噴出カートリッジ602は、流体噴出カートリッジ502と同様であるが、他の流体噴出カートリッジもまた利用してよい。補助流体槽674は、柔軟性を有する管路675を介して流体噴出カートリッジに液通している。流体噴出カートリッジ602は、キャリッジ676に半永久的に搭載されていても、着脱可能に取付けられていてもよい。流体噴出カートリッジ602は、滴発射コントローラ(図示せず)に電気的に連結されており、流体噴出カートリッジ上の流体噴出器発生器を作動する信号を供給している。本実施形態において、紙やプリントシステムに吸い込み可能なシート等、流体受取り媒体すなわちプリント媒体678が、当該技術分野において既知の機構によって搬送されるプラテンまたはシートアドバンサー(図示せず)が設けられている。キャリッジ676は、通常は摺動バー677または流体噴出システム670内の同様の機構によって支持されており、摺動バー677に沿って物理的に進み、キャリッジ676がプリント媒体678を横切って平行移動して往復運動するすなわち左右に走査することができるようにしている。また、流体噴出システム680は、コード化ストリップ680を用いてもよい。コード化ストリップ680は、キャリッジ676における光検出器(図示せず)が光学的に検出して、キャリッジ676を正確に配置してもよい。キャリッジ676は、好ましくはステッパモータ(図示せず)を用いて平行移動させてもよいが、他の駆動機構もまた利用してよい。さらにモータは、駆動ベルト、ねじ駆動装置、またはその他好適な機構によってキャリッジ676に接続されていてもよい。
【0035】
プリント動作を開始すると、トレイ682内のプリント媒体678が流体噴出システム680のプリント領域(図示せず)内に供給される。いったんプリント媒体678が適切に配置されると、キャリッジ676はプリント媒体678を横切って、プリント媒体678のさまざまな部分上の適切な位置に、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602がインクを噴出するようになっている。次にプリント媒体678を増加させて(インクリメント)に動かし、キャリッジ676が再びプリント媒体678を横切って、1つまたはそれよりも多い流体噴出カートリッジ602が、プリント媒体678上の第1の部分と重なり合わない新しい位置すなわち部分上にインクを噴出することができるようにしてもよい。通常、滴が噴出されて所定のドットマトリクスパターンを形成し、例えば画像や英数字を形成することになる。
【0036】
データのラスタ化は、システム制御コマンドとともにラスタ化したデータをシステムに送る前に、パーソナルコンピュータすなわちPC(図示せず)等のホストコンピュータにおいて行われてもよいが、他のシステム構成またはシステムのアーキテクチャでデータをラスタ化することも可能である。この動作は、システムのコンピュータに常駐しているシステムドライバソフトウェアの制御下にある。システムは、そのようなコマンドおよびラスタ化したデータを解釈し、どの滴噴出器を発射するかを決定する。したがって、プリント媒体678上にデポジットしたインクのスワスが完了すると、プリント媒体678は、次のスワスに備えて、適切な距離だけ動く。このようにして、二次元のアレイになった流体をプリント媒体上に噴出したものを得ることができる。本発明はまた、固定した流体噴出カートリッジを有し、プリント媒体を1つまたはそれよりも多い方向に動かすもの、および、固定したプリント媒体を有し、流体噴出カートリッジを1つまたはそれよりも多い方向に動かすもの等、流体噴出カートリッジとプリント媒体との間を相対運動させる他の手段を用いる流体を施すシステムにも、適用できる。
【0037】
図7は、本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの製造方法のフローチャートを示している。能動素子を形成するプロセス786では、従来の半導体処理設備を利用して、トランジスタおよびその他流体噴出器ヘッドの動作に必要な論理デバイスを基板に形成している。当業者であれば、トランジスタおよびその他論理デバイスは、通常、薄膜層を積み重ねたものとして形成される、ということを理解しよう。トランジスタの特定の構造は本発明に関係するものではなく、金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)、等、さまざまなタイプのソリッドステート電子デバイスを利用してもよい。
【0038】
流体滴発生器、通常、タンタルアルミニウム合金として形成されている抵抗器、を作成するプロセス790では、抵抗器を形成するスパッタ堆積システムや、抵抗器層の位置および形状を画定するエッチングおよびフォトリソグラフィのシステム等、従来の半導体処理設備を利用している。他の実施形態において、タングステン窒化ケイ素等の抵抗器合金やポリシリコンもまた、利用してよい。他の実施形態において、圧電、超音波等、熱抵抗器以外の流体滴発生器もまた利用してよい。プロセス792では、能動素子が集積回路技術において通常用いられるアルミニウム銅シリコン等のアルミニウム合金から形成した電気トレースによって、流体滴発生器に電気的に連結合される。金、銅等、他の相互接続合金もまた利用してもよい。
【0039】
流体噴出チャンバまたはその他の用途のチャンバを形成するプロセス794は、チャンバ層、またはチャンバ層とノズル層とが一体になったものを用いる場合にはチャンバオリフィス層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくに噴出している流体、プリントヘッドの予想寿命、流体噴出チャンバおよび流体供給チャネルの寸法、等のパラメータによって決められる。一般的には、従来のフォトレジストおよびフォトリソグラフィの処理設備を用いたり、または、従来の回路基板処理設備を利用したりしている。例えば、光によって画像形成可能なポリイミドのチャンバ層を形成するのに用いるプロセスは、スピンコーティング、ソフトベーク、露光、現像、およびその後における最終のベークプロセス、というものであってもよい。しかし、一般的にはんだマスクと呼ばれるものからチャンバ層を形成するには、通常、積層プロセスを利用して、その物質を基板に付着させている。残りのステップは、フォトリソグラフィにおいて通常利用されるものである。スパッタリングや化学蒸着等の堆積ツール、およびパターニング用のフォトリソグラフィのツールを用いて、酸化ケイ素や窒化ケイ素等、他の物質もまた利用してよい。さらに他の実施形態はまた、通常ロストワックスプロセスと呼ばれるものと同様の技法を利用してもよい。このプロセスにおいては、通常、例えば溶解、エッチング、熱、光化学反応、またはその他適切な手段によって取り除くことができるロストワックス物質を用いて、流体チャンバおよび流体チャネルの構造、ならびにオリフィスすなわち穴を形成している。通常、ロストワックス物質によって形成したこのような構造は、ポリマー物質でコーティングされる。ロストワックス物質は、上述のプロセスのうちの1つまたはそれらの組み合わせによって取り除かれると、コーティングされた物質内に形成された流体チャンバ、流体チャネルおよびオリフィスが残ることになる。
【0040】
ノズルすなわち穴を作成するプロセス796では、ノズル層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくに噴出している流体、プリントヘッドの予想寿命、穴の寸法、穴の形状、および穴壁構造等のパラメータによって決められる。一般的には、レーザ・アブレーションを利用してもよい。しかし、パンチング、化学的ミリング、またはマイクロモールディング等、他の技法もまた用いてよい。ノズル層をチャンバ層に取り付けるのに用いる方法もまた、ノズル層およびチャンバ層用に選択する特定の物質によって決まる。一般的に、チャンバ層とノズル層との間に挟まれる接着層を用いるか、接着層でまたは接着層なしにノズル層をチャンバ層に積層するかのどちらかによって、ノズル層をチャンバ層に取り付けたり、あるいは貼ったりする。
【0041】
上述のように(図4を参照されたい)、実施形態によっては、チャンバオリフィス層またはチャンバノズル層と呼ばれる、一体になったチャンバおよびノズル層構造を利用している。この層は、一般的に、一体層に選択する特定の物質によって決まる上述した各プロセスのなんらかの組み合わせを用いている。例えば、一実施形態において、通常ノズル層に用いるフィルムには、レーザ・アブレーションや化学的ミリング等の技法によって、ノズルと流体噴出チャンバの両方をその層内に形成してもよい。次にそのような層は、接着剤を用いて基板に固定することが可能になる。他の実施形態において、光によって画像形成可能なエポキシを基板上に配置し、次に、従来のフォトリソグラフィ技法を用い、例えば現像サイクルの前に多数回露光することによって、チャンバ層とノズルとを形成してもよい。さらに他の実施形態において、ロストワックスプロセスを利用して、チャンバ層とノズル層とが一体になった構造を形成してもよい。
【0042】
保護層を作成するプロセス798は、保護層を形成するのに選択する特定の物質によって決めている。選択する特定の物質は、とくにチャンバ層を形成するのに選択する物質、噴出している流体、およびプリントヘッドの予想寿命等のパラメータによって決められる。一般的には、上述のように、従来のイオン化物理蒸着のツールおよびプロセスを利用している。しかし、電気メッキ、無電解メッキ、および原子層堆積等、他の技法もまた、イオン化物理蒸着と別個にまたはそれと組み合わせて利用してもよい。その場合、ノズルすなわち穴を通じて側壁、基板、および穴の表面、ならびに第1および第2のノズル表面の上に保護層が堆積される。保護層がこれら表面のうちのすべてに堆積されるか一部のみに堆積されるかは、チャンバまたは流体噴出チャンバを利用する特定の用途によって決まることになる。
【0043】
本発明の例示的実施形態は、流体噴出器ヘッドおよび流体噴出器カートリッジに関するが、本発明は、混合チャンバ、液体と気体の両方を利用する反応チャンバ、および微小電気機械デバイス等その他の用途において使用可能である。
【0044】
本発明は、前述の好ましい実施形態および他の実施形態を参照しながら、特に示して説明したが、当業者には、特許請求の範囲において規定する本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明に多くの変形を行ってもよい、ということを理解しよう。本発明のこの説明は、本明細書において説明した要素の新規かつ非自明の組み合わせをすべて含むよう理解されるべきであり、本願または後の出願について、このような要素のいかなる新規かつ非自明の組み合わせにも、特許請求の範囲が及ぶものである。前述の実施形態は例示的なものであり、いかなる単一の特徴または要素も、本願または後の出願において特許を請求するかもしれないすべての可能性のある組み合わせにとって不可欠というわけではない。特許請求の範囲が「1つの」または「第1の」要素またはその均等物と言うときには、そのような特許請求の範囲は、2つまたはそれよりも多くのそのような要素を必要とすることを除外することもなく、1つまたはそれよりも多くのそのような要素を組み込んだものを含むということを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図1b】本発明の実施形態による図1aに示す流体噴出器ヘッドの平面図である。
【図2a】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2b】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2c】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図2d】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図3】本発明の実施形態による基板バイアス電圧のタイミング図である。
【図4】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの断面図である。
【図5】本発明の実施形態による流体噴出カートリッジの斜視図である。
【図6】本発明の実施形態による流体噴出システムの斜視図である。
【図7】本発明の実施形態による流体噴出器ヘッドの製造方法のフローチャートである。
【符号の説明】
100,200 流体噴出器ヘッド
106,206 流体噴出発生器
108,208 チャンバ
110,210 基板
120,220 チャンバ層
122,222 側壁
124,224 チャンバ表面
130,230 オリフィス層
131,231 第1のオリフィス表面
132,232 第2のオリフィス表面
134,234 穴
140,240 保護層
Claims (14)
- 基板と、
該基板上に配置され、チャンバの側壁を画定し、チャンバ表面を有するチャンバ層であって、前記チャンバ表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有するチャンバ層と、
該チャンバ層の上方に配置され、第1のオリフィス表面および第2のオリフィス表面を有し、穴を備えたオリフィス層であって、前記穴は、前記第1のオリフィス表面が形成する平面において、前記チャンバ面積よりも小さい面積を有するオリフィス層と、
前記穴を通じて、前記チャンバ層の前記側壁の上、前記第1のオリフィス表面の一部の上、前記オリフィス層の前記穴の上および前記基板の一部の上に堆積された保護層と、
を備えているチャンバ。 - 前記チャンバに液通した流体チャネルをさらに備え、前記オリフィス層のうちの前記流体チャネルの上方に配置された部分は、前記第1のオリフィス表面から前記第2のオリフィス表面まで延在する1つまたはそれよりも多いチャネルオリフィスを有し、前記保護層は、前記1つまたはそれよりも多いチャネルオリフィスを通じて、前記流体チャネルの表面の上および前記第1のオリフィス表面のうちの前記流体チャネルの上方に配置された前記部分の表面の上に堆積されている、請求項1に記載のチャンバ。
- 少なくとも1つの請求項1に記載のチャンバと、
前記基板上に配置された流体噴出器発生器とを備えている、流体噴出器ヘッド。 - 基板と、
該基板上に配置され、チャンバの側壁を画定し、第1のオリフィス表面および第2のオリフィス表面を有するチャンバオリフィス層であって、前記第1のオリフィス表面が形成する平面において、約1平方マイクロメートルから約10,000平方マイクロメートルの範囲の面積を有し、前記チャンバオリフィス層は、前記第1のオリフィス表面から前記第2のオリフィス表面まで延在する穴を備え、該穴は、前記第1のオリフィス表面が形成する平面において、前記チャンバ面積よりも小さい面積を有するチャンバオリフィス層と、
前記穴を通じて、前記チャンバ層の前記側壁の上、前記第1のオリフィス表面の一部の上、および前記基板の一部の上に堆積された保護層と、
を備えているチャンバ。 - 少なくとも1つの請求項4に記載のチャンバと、
前記基板上に配置された流体噴出器発生器とを備えている、流体噴出器ヘッド。 - その上に少なくとも1つの流体噴出器発生器を有する基板と、
該基板上に配置され、流体噴出チャンバの側壁を画定するチャンバ層と、
該チャンバ層の上方に配置され、第1のノズル表面を第2のノズル表面に接続する少なくとも1つの穴を備えたノズル層と、
前記少なくとも1つの穴を通じて、前記チャンバ層の前記側壁の上および前記ノズル層の前記第1の表面の一部の上に堆積された保護層と、
を備えている流体噴出器ヘッド。 - 前記少なくとも1つの流体噴出器発生器が作動すると、流体の滴を実質的に1つ噴出し、該実質的に1つの滴の前記流体の体積は、約1フェムトリットルから約10ナノリットルの範囲である、請求項6に記載の流体噴出器ヘッド。
- 前記ノズル層の前記少なくとも1つの穴はさらに、前記第1のノズル表面が形成する平面において面積を有し、前記チャンバ層はチャンバ表面を備え、前記流体噴出チャンバは、前記チャンバ表面が形成する平面において、前記ノズル層の前記少なくとも1つの穴の前記面積よりも大きいチャンバ面積を有している、請求項6に記載の流体噴出器ヘッド。
- 少なくとも1つの請求項6に記載の流体噴出器ヘッドと、
該少なくとも1つの流体噴出器ヘッドに液通した少なくとも1つの流体槽と、を備えている流体噴出カートリッジ。 - 少なくとも1つの請求項9に記載の流体噴出カートリッジと、
前記少なくとも1つの流体噴出器発生器を作動する滴発射コントローラであって、前記少なくとも1つの流体噴出器発生器が、流体受取り媒体の第1の部分の上に少なくとも1つの流体滴を噴出する滴発射コントローラと、
前記受取り媒体を前進させる受取り媒体アドバンサーであって、該受取り媒体アドバンサーと前記滴発射コントローラとは前記受取り媒体の第2の部分の上に前記流体を施す受取り媒体アドバンサーと、
を備えている流体を施すシステム。 - その上に少なくとも1つの流体噴出器発生器を有する基板と、
該基板上に配置され、流体噴出チャンバの側壁を画定するチャンバノズル層であって、該チャンバノズル層は、前記チャンバノズル層の第1のノズル表面から第2のノズル表面まで延在する穴を有しているチャンバノズル層と、
前記穴を通じて、前記チャンバ層の前記側壁の上、および前記ノズル層の前記第1の表面の一部の上に堆積された保護層と、
を備えている流体噴出器ヘッド。 - 基板上に少なくとも1つの流体滴発生器を作成するプロセスと、
前記基板の上方にチャンバ層を形成することによって、前記少なくとも1つの流体滴発生器について、少なくとも1つの流体噴出チャンバの側壁を画定するプロセスと、
前記チャンバ層の上方に、少なくとも1つの穴を備えたノズル層を作成するプロセスと、
前記少なくとも1つの穴を通じて、前記チャンバ層の前記側壁の上、および前記ノズル層の前記少なくとも1つの穴の上に保護層を作成するプロセスと、
を含む流体噴出器ヘッドの製造方法。 - 前記保護層を作成するプロセスは、高基板バイアス電圧と低基板バイアス電圧との間での基板バイアス電圧の変化を利用することを含み、前記少なくとも1つの流体噴出チャンバの前記側壁上に物質を堆積して前記保護層を形成するプロセスは、前記物質の一部を前記高バイアス電圧において堆積し、前記物質の一部を前記低バイアス電圧において堆積することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記保護層を作成するプロセスは、多数のターゲットを利用して多層の保護層を形成することを含む、請求項12に記載の方法によって製造される流体噴出器ヘッド。
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