JP2003535374A - ポリシロキサンとポリビニルブチラールとのブレンドを備えた光導電体 - Google Patents

ポリシロキサンとポリビニルブチラールとのブレンドを備えた光導電体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 【解決手段】 顔料の電荷発生層、ならびに、ポリビニルブチラールと、ポリシロキサンと、好ましくはフェノール樹脂との完全な混合物から成るバインダを有する光導電体。最適な処方は、50重量部のポリビニルプチラール、45重量部のポリ(メチル−フェニル)シロキサン及び5重量部のポリヒドロキシスチレンから成るバインダ中のTypeIVオキソチタニウムフタロシアニンであった。この光導電体は、優れた電気的特性と矛盾のない経済的なコーティング結果を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】技術分野 本発明は、静電画像のための改善された光導電体要素に関する。より詳細には
、本発明は、電気的特性と製造効率を向上させるポリマーのブレンドである電荷
発生ポリマーバインダに関する。
【0002】発明の背景 有機光導電体は、典型的には、アルミニウムドラムのような導電性基板上に陽
極酸化された層又はバリアー層と、電荷発生層(CGL)と、電荷移動層(CT
L)とを備える。電荷発生層は、バインダ層中に分散された顔料から作られる。
ルオ(Luo)らの米国特許第6,033,816号(特許‘816)は、CG
Lバインダ層としてポリマーのブレンドを用いたこのような光導電体の実例であ
る。
【0003】 ポリマーバインダの使用は、分散安定性を改善し、かつ、金属コアへのCGL
の接着を改善するのに役立つ。しかしながら、用いられるポリマーバインダのタ
イプに依存して、光受容体の感度は影響を受ける。CGL分散体又は溶液のバイ
ンダとして典型的に用いられるポリマーは、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リカーボネート及びポリアクリレートのような様々な樹脂でブレンドされたポリ
ビニルブチラールである。このようなポリマーは、電子写真特性に対して不活性
である。しかしながら、幾つかの場合に、ポリマーはCGLの感度(感度とは、
光源、典型的にはレーザビームに露光された際に、ドラム上に帯電された電気ポ
テンシャルの放電の程度である)を増加させる。光導電体の感度における改善の
必要性は、この光導電体を用いた画像プロセス速度に結び付けられる。速度が増
加し、かつ、レーザの光学パワーが一定に保たれるときには、次第に少なくなる
エネルギーが帯電した光導電体に供給される。
【0004】 1分当たりに8と1/2インチ掛ける11インチの標準頁の35枚を超える速
度の性能を期待されるプリンタでは、非常に短時間の間隔における光導電体の帯
電と放電が必要である。このような1分当たり35頁に必要とされる時間枠は、
50〜80msのオーダーの露光から現像への時間に関係する。したがって、接
着や疲労のような他の特性を損なうことなく電子写真特性を改善するシステムを
明らかにするために、生長ニーズが存在する。
【0005】 第2のニーズは、光導電体の電気的な均一性を得ることである。印刷媒体を横
切る均一な印刷密度を有することの要求は、ドラムの端部から端部及びその周囲
において光導電体が低変動を有することを必要とする。電気的性能の均一性は、
コーティングの均一性及び分散の均等性に結び付けられる。
【0006】 また、長い製造工程と安定な顔料分散性のニーズとにおいて、全製造工程を持
続しないように分散体が特性を変化させる場合は、各ドラムのコストは増加する
。分散体が工程間において蓄えられない場合にも、コスト増加は現実に起こる。
現在の分散システムは、このような目的を満たすための十分な貯蔵寿命又は電気
的な均一性を有しておらず、例外的な電気的特性、分散安定性及び電気的均一性
を提供することができるシステムのニーズを置き去りにしている。
【0007】発明の開示 フタロシアニン顔料を備えた、ポリビニルブチラール(PVB)、ならびに、
ポリシロキサン、特定的には、ポリ(メチル−フェニル)シロキサン(PMPS
i)、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン又はポリジメチルポリシロキサ
ンの完全な混合物から成るCGLバインダ樹脂は、優れた電気特性と、ならびに
、矛盾のない経済的なコーティング結果を提供する。
【0008】好適な実施態様の説明 下記において議論する実施態様の基板は、陽極酸化された標準的なアルミニウ
ムドラムである。このようなドラムは、中間的な抵抗率の外面を備えた導電性基
板を提供する。同様に、CTLは、ポリカーボネート及び25重量%〜40重量
%のN,N‘−ジフェニル−N,N‘−ジ(3−トリル)−p−ベンジジン(T
PD)又は30重量%〜40重量%のp−(ジエチルアミノ)ベンズアルデヒド
ジフェニルヒドラゾン(DEH)又は一般にアリールアミン又はヒドラゾン、及
びこれらの混合物のようなバインダ樹脂を含む標準的なブレンドであってよい。
【0009】 以下の実施例は全て、その材料が実施例において用いられる場合に、同じポリ
マー又は樹脂を使用する。フェノール樹脂はポリヒドロキシスチレン(PHS)
である。下記の表は、g/モルにおける数平均(Mn)及び重量平均(Mw)分
子量、多分散値、ならびに、温度Cにおけるガラス転移温度(Tg)を示す。も
ちろん、異なる分子量と多分散値が、本発明により望まれる物理的特性及び他の
特性全体に依存して使用される。
【0010】
【表1】
【0011】実施例1 前述のドラムは、27.5重量部のポリビニルブチラール、27.5重量部の
ポリ(メチル−フェニル)シロキサン及び45重量部のTypeIVオキソチタ
ニウムフタロシアニンの完全な混合物によってコーティングされている。次に、
この層の上に外側層として電荷移動層がコーティングされる。
【0012】 この実施態様と以下の実施態様のポリビニルブチラールは、セキスイケミカル
カンパニー(Sekisui Chemical Co.)のBX−55Zである。特許‘816の構造
式によって示されるように、ポリビニルブチラールは、ポリマー主鎖における3
つの炭素と、この3つの炭素における外側の2つに結合する酸素と、他の全ての
元素である水素とを備えた3つの炭素と2つの酸素の環状構造を有する。ポリビ
ニルブチラールはまた、エチレンアルコール基とエチレンアセテート基を有する
【0013】 本発明のポリシロキサンは商業的な純度を備えた標準的なポリシロキサンであ
ってよく、下記実施態様のポリシロキサン(ダウコーニング710Fluidで
ある)は、商業的な純度を備えた標準的なポリシロキサンである。ポリシロキサ
ンの主鎖は、珪素原子と酸素原子とによって交互に構成される。鎖中の各珪素原
子は、2つの置換基を有する。ポリ(メチル−フェニル)シロキサンは、各珪素
に1つのメチル基と1つのフェニル基を有する。ポリ(ジメチル−ジフェニル)
シロキサンは、鎖中の各珪素に2つのメチル基と2つのフェニル基を有し、ジメ
チル基とジフェニル基の数はほぼ同じで、分布はランダムである。ポリジメチル
ポリシロキサンは、鎖中の各珪素に2つのメチル基を有する。
【0014】 ポリビニルブチラールとポリシロキサンを同部ずつ有する上述のドラムを、バ
インダの全てがポリビニルブチラールであることを除いて他は全部同じであるド
ラムとの比較のために試験した。これは、15%減少した暗衰微と42%低下し
た放電電圧を示した。
【0015】実施例2 45重量部のTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン、ならびに、ポリ
ビニルブチラール、ポリ(メチル−フェニル)シロキサン及びポリヒドロキシス
チレン(特定的には、TriQuestLP)から成る55重量部のブレンドで
あって、50重量部のポリビニルブチラール、45重量部のポリシロキサン及び
5重量部のポリヒドロキシスチレン(50/45/5)から成るブレンドを、C
GL混合物が含有すること以外は、実施例1のような光導電性ドラムを形成した
【0016】 ポリヒドロキシスチレンは、スチレンのエチレン置換特性基において1つのヒ
ドロキシル置換基で付加重合された簡単なスチレンである。ポリヒドロキシスチ
レンはフェノール樹脂である。フェノール樹脂は、ポリビニルブチラールを含む
バインダブレンドの電気的特性を向上させることが知られているが、フェノール
樹脂の他の効果、特定的には電気的疲労によって多量の使用が不可能になる。1
0,000印刷後に全黒頁が白となる程にこの効果は大きい。これは、放電残留
の大きな変化によって引起される。
【0017】 フェノール樹脂による暗衰微と放電への効果は理解されていないが、フェノー
ル樹脂の量を減少することは、得られる光導電体の電気的性能を安定化する。本
発明によって、ポリビニルブチラールとポリシロキサンでブレンドされたフェノ
ール樹脂は、バインダ樹脂の全重量の1〜20重量%以下、より好ましくは2〜
10重量%とすべきである。
【0018】 実施例2のドラムを、下記結果を備え、バインダ樹脂の全てがポリビニルブチ
ラールであること以外は同じドラムと比較した。
【0019】 分散安定性:60日にわたる電気放電変化は71%の低下であった。 コーティング均一性:電気放電に対するコーティング均一性は50%改善され
た。
【0020】 電気的性能:所望の組み合わされた低放電電圧及び減少した暗衰微の放電電気
特性は、30%改善された。ポリシロキサンのパーセントを増加させ、かつ、ポ
リヒドロキシスチレンのパーセントを減少させることにより、これらの放電電気
特性が改善される。
【0021】 全ての効果、特に分散安定性に対する最適な処方は、実施例2の50/45/
5であることが見出された。
【0022】実施例3 バインダブレンドが、重量比率において50重量部のポリビニルブチラール、
47重量部のポリシロキサン及び3重量部のポリヒドロキシスチレンから成り、
電荷移動層が、30重量%のTPDと70重量%のポリカーボネートA(MAK
ROLON−5208)を含有する。また、ドラムは、CGLの全重量の35、
45及び55重量%の濃度に顔料を変化させて作られる。これらを、45重量%
の顔料と55重量%のポリビニルブチラールを有する以外は同じドラムと比較し
、下記の結果を得た。
【0023】 初期の静電特性(放電ライトに対する初期感度):初期の静電特性が、35%
の分散に対して10%、45%の分散に対して20%、55%の分散に対して2
7%改善された。
【0024】 サイクリング疲労:1000回の電気的サイクルを超える暗衰微の変化が、3
5%の分散に対して10%、45%の分散に対して36%、55%の分散に対し
て25%改善された。
【0025】実施例4 CTLが、ポリカーボネート中における40重量%のジエチルアミノベンズア
ルデヒド(ジフェニルヒドラゾン)(DEH)であること以外は、実施例3を繰
り返し、下記の結果を得た。
【0026】 初期の静電特性(放電ライトに対する初期感度):初期の静電放電が、35%
の分散に対して16%、45%の分散に対して24%、55%の分散に対して3
0%減少した。
【0027】 サイクリング疲労:サイクリング疲労に対して、測定可能な相違が試料間にお
いて見られなかった。
【0028】 実施例3及び4におけるように35〜45重量部の間で顔料の量を変化させて
も、特性に殆ど変化が見られなかった。しかしながら、これは、限定された範囲
内の選択特性に最終製品が設計されることを許容する。
【0029】実施例5 CGL全重量の45重量部の顔料と、ポリビニルブチラール、ポリシロキサン
及びポリヒドロキシスチレンの重量部がそれぞれ50、45及び5(50/45
/5)のバインダ比率を有するもの、45重量部の顔料と、ポリビニルブチラー
ル、ポリシロキサン及びポリヒドロキシスチレンの重量部がそれぞれ86、7及
び7(86/7/7)のバインダ比率を有するもの、CGL全重量の55重量部
の顔料と、ポリビニルブチラール、ポリシロキサン及びポリヒドロキシスチレン
の重量部がそれぞれ50、45及び5(50/45/5)のバインダ比率を有す
るもの、CGL全重量の55重量部の顔料と、ポリビニルブチラール、ポリシロ
キサン及びポリヒドロキシスチレンの重量部がそれぞれ86、7及び7(86/
7/7)、90、3及び7(90/3/7)、92、1及び7(92/1/7)
の様々のバインダ比率を有するもの以外は、ドラムは実施例2と同じである。
【0030】 これらのドラムの疲労結果に基づいて、50/45/5、86/7/7、90
/3/7及び92/1/7比率のいずれかを含有する光導電体の性能は、非常に
類似している。全てのドラムは、類似したコーティング品質を示した。
【0031】 バインダブレンド残存混合物 上述のブレンドによるバインダは、化学反応に対して研究されてきた。分子量
が、3つのポリマーバインダを含有する溶液に対して測定され、この溶液からキ
ャストされ100℃で20分間乾燥された薄いフィルムと比較された。分子量は
、ポリスチレン・スタンダードを用いたGet Permeation Chr
omatography(GPC)によって決定された。ガラス転移温度も決定
された。溶液とフィルムの分子量における大きな差異は見られなかった。全ての
GPCクロマトグラムは、バイモデル及びトリモデルの分布を有していた。
【0032】 また、ガラス転移温度(Tg)の変化によって、架橋反応が付随して生起すべ
きである。フィルム試料のTgは、ポリビニルブチラールのそれと類似しており
、反応が何も生起しなかったことを示している。
【0033】 また、ブレンド溶液とフィルムとの赤外線透過スペクトルが比較された。化学
反応による認知可能な相違がないことが、赤外線透過スペクトルから明らかであ
る。架橋反応によってヒドロキシ基のような官能基に対する透過パーセントが低
下するが、これは観察されなかった。
【0034】 さらに、フィルム又はCGLをテトラヒドロフランのような溶媒に溶解した試
験を行なった。架橋又は膨潤した物質は観察されなかった。
【0035】 上述の試験及び観察に基づき、バインダ混合物は新たな化学的架橋物質を生成
していないようである。
【0036】 ポリビニルブチラール及びポリシロキサンのブレンドに基づく他の処方が、上
述のことから明らかであり、かつ、上述のことに基づいて将来開発されるであろ
う。
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月9日(2002.12.9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
請求項5】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の約50重量
%の量である、請求項3又は請求項4のいずれか一項に記載の光導電性部材。
請求項6】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキサ
ンである、請求項2〜請求項5のいずれか一項に記載の光導電性部材。
請求項7】 導電性基板と、該基板上の電荷発生層であって、フタロシア
ニン顔料と、ポリビニルブチラールと、メチル又はフェニルポリシロキサンと、
フェノール樹脂との完全な混合物を含み、前記ポリビニルブチラールと、前記ポ
リシロキサンと、前記フェノール樹脂とは前記顔料のバインダであり、前記フェ
ノール樹脂の重量は、前記ポリビニルブチラールと、前記ポリシロキサンと、前
記フェノール樹脂との全重量の1〜20重量%の範囲である電荷発生層と、を含
む光導電性部材。
請求項8】 前記フェノール樹脂の重量範囲が2〜7重量%である、請求 項7 に記載の光導電性部材。
請求項9】 前記ポリビニルブチラールが約55重量部であり、前記ポリ
シロキサンが約45重量部であり、前記フェノール樹脂が約5重量部である、 求項7又は請求項8 に記載の光導電性部材。
請求項10】 前記フェノール樹脂がポリヒドロキシスチレンである、 求項7〜請求項9のいずれか一項 に記載の光導電性部材。
請求項12】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
も1重量%の量である、請求項7〜請求項11のいずれか一項に記載の光導電性
部材。
請求項13】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
である、請求項7〜請求項12のいずれか一項に記載の光導電性部材。
請求項14】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
サンである、請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の光導電性部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK ,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE, GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK, MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN, YU,ZA,ZW (72)発明者 モーシャー、スコット、トーマス アメリカ合衆国 80303 コロラド、ボー ルダー、ペンシルヴァニア・アヴェニュ 5594 (72)発明者 スリニヴァサン、カストゥリ、ランガン アメリカ合衆国 80503 コロラド、ロン グモント、ブルーグラス・ドライブ 740 Fターム(参考) 2H068 AA13 AA19 AA34 BA39 BB16 BB33 BB35 BB54 FA12 FA30

Claims (47)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性基板と、該基板上の電荷発生層であって、フタロシア
    ニン顔料と、ポリビニルブチラールと、メチル又はフェニルポリシロキサンとの
    完全な混合物を含み、前記ポリビニルブチラールと前記ポリシロキサンは前記顔
    料のバインダである電荷発生層と、を含む光導電性部材。
  2. 【請求項2】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキサ
    ン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルポリシロキサン
    から成る群から選択される、請求項1に記載の光導電性部材。
  3. 【請求項3】 前記ポリポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なく
    とも10重量%の量である、請求項2に記載の光導電性部材。
  4. 【請求項4】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニンで
    ある、請求項1に記載の光導電性部材。
  5. 【請求項5】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニンで
    ある、請求項2に記載の光導電性部材。
  6. 【請求項6】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニンで
    ある、請求項3に記載の光導電性部材。
  7. 【請求項7】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の約50重量
    %の量である、請求項6に記載の光導電性部材。
  8. 【請求項8】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)ポリシロ
    キサンである、請求項6に記載の光導電性部材。
  9. 【請求項9】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)ポリシロ
    キサンである、請求項7に記載の光導電性部材。
  10. 【請求項10】 導電性基板と、該基板上の電荷発生層であって、フタロシ
    アニン顔料と、ポリビニルブチラールと、メチル又はフェニルポリシロキサンと
    、フェノール樹脂との完全な混合物を含み、前記ポリビニルブチラールと、前記
    ポリシロキサンと、前記フェノキシ樹脂とは前記顔料のバインダであり、前記フ
    ェノール樹脂の重量は、前記ポリビニルブチラールと、前記ポリシロキサンと、
    前記フェノール樹脂との全重量の1〜20重量%の範囲である電荷発生層と、を
    含む光導電性部材。
  11. 【請求項11】 前記フェノール樹脂の重量範囲が2〜7重量%である、請
    求項10に記載の光導電性部材。
  12. 【請求項12】 前記ポリビニルブチラールが約55重量部であり、前記ポ
    リシロキサンが約45重量部であり、前記フェノール樹脂が約5重量部である、
    請求項11に記載の光導電性部材。
  13. 【請求項13】 前記フェノール樹脂がポリヒドロキシスチレンである、請
    求項10に記載の光導電性部材。
  14. 【請求項14】 前記フェノール樹脂がポリヒドロキシスチレンである、請
    求項11に記載の光導電性部材。
  15. 【請求項15】 前記フェノール樹脂がポリヒドロキシスチレンである、請
    求項12に記載の光導電性部材。
  16. 【請求項16】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)ポリシ
    ロキサン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)ポリシロキサン及びポリジメチルシロ
    キサンから成る群から選択される、請求項10に記載の光導電性部材。
  17. 【請求項17】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルシロキサンか
    ら成る群から選択される、請求項11に記載の光導電性部材。
  18. 【請求項18】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルシロキサンか
    ら成る群から選択される、請求項12に記載の光導電性部材。
  19. 【請求項19】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルシロキサンか
    ら成る群から選択される、請求項13に記載の光導電性部材。
  20. 【請求項20】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルシロキサンか
    ら成る群から選択される、請求項14に記載の光導電性部材。
  21. 【請求項21】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サン、ポリ(ジメチル−ジフェニル)シロキサン及びポリジメチルシロキサンか
    ら成る群から選択される、請求項15に記載の光導電性部材。
  22. 【請求項22】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項21に記載の光導電性部材。
  23. 【請求項23】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項16に記載の光導電性部材。
  24. 【請求項24】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項17に記載の光導電性部材。
  25. 【請求項25】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項18に記載の光導電性部材。
  26. 【請求項26】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項19に記載の光導電性部材。
  27. 【請求項27】 前記ポリシロキサンが、前記バインダの全重量の少なくと
    も1重量%の量である、請求項20に記載の光導電性部材。
  28. 【請求項28】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項10に記載の光導電性部材。
  29. 【請求項29】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項11に記載の光導電性部材。
  30. 【請求項30】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項12に記載の光導電性部材。
  31. 【請求項31】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項13に記載の光導電性部材。
  32. 【請求項32】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項14に記載の光導電性部材。
  33. 【請求項33】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項15に記載の光導電性部材。
  34. 【請求項34】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項16に記載の光導電性部材。
  35. 【請求項35】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項17に記載の光導電性部材。
  36. 【請求項36】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項18に記載の光導電性部材。
  37. 【請求項37】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項19に記載の光導電性部材。
  38. 【請求項38】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項20に記載の光導電性部材。
  39. 【請求項39】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項21に記載の光導電性部材。
  40. 【請求項40】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項22に記載の光導電性部材。
  41. 【請求項41】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項23に記載の光導電性部材。
  42. 【請求項42】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項24に記載の光導電性部材。
  43. 【請求項43】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項25に記載の光導電性部材。
  44. 【請求項44】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項26に記載の光導電性部材。
  45. 【請求項45】 前記顔料がTypeIVオキソチタニウムフタロシアニン
    である、請求項27に記載の光導電性部材。
  46. 【請求項46】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サンである、請求項27に記載の光導電性部材。
  47. 【請求項47】 前記ポリシロキサンが、ポリ(メチル−フェニル)シロキ
    サンである、請求項21に記載の光導電性部材。
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