JP2003515186A - オプトエレクトロニクスアセンブリにおける位置合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、例えば光ファイバ（８０）といったようなアセンブリの外部に配置された部材を、デバイス（４０，４００）に対して取り付けることなく、アセンブリ（１０，８００）内におけるデバイス（４０，４００）に対して位置合わせし得るような、位置合わせ特徴物（２００，３００）をオプトエレクトロニクスアセンブリ（１０，８００）内に形成するための方法を提供する。本発明による方法においては、デバイスが発光デバイス（４０）である場合には、デバイスからの放射を使用して、位置合わせ特徴物の位置を規定する。デバイスが検出デバイス（４００）である場合には、外部装置（５００）からの放射をデバイス（４００）によって案内した後、この放射を使用して、位置合わせ特徴物の位置を規定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、オプトエレクトロニクスアセンブリにおける位置合わせ方法に関す
るものであり、限定するものではないけれども、特に、アセンブリ内におけるデ
バイスに対して、例えば光ファイバといったような他の部材を位置合わせし得る
よう、オプトエレクトロニクスアセンブリ内に位置合わせ特徴物を形成するため
の方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】

従来より、例えば単一チップ光検出器やレーザー源デバイスといったような微
小形成されたオプトエレクトロニクスデバイスは、保護のために密封シールされ
たパッケージ内にパッケージングされる。デバイスに対して電磁放射を導入また
は導出するための光ファイバが、パッケージに対して取り付けられ、パッケージ
を貫通して、直接的にデバイス上へと接触される。これに代えて、光ファイバは
、パッケージを貫通し、デバイスに対して遠隔的に位置合わせされる。二次的構
造がデバイスに対して物理的に連結されており、光ファイバの端部を受領すると
ともに、デバイスに対して位置合わせしつつ光ファイバを固定する。デバイスに
対しての光ファイバの位置合わせは、多くの場合、得ることが困難であり、特に
、光ファイバが単一モードファイバであって数μｍという程度のコア直径を有し
ているものである場合には、得ることが困難である。デバイスが、例えばガリウ
ム−インジウム−ヒ素からなるレーザー源といったようなIII−V化合物デバイス
である場合には、デバイスに対しての光ファイバの位置合わせは、重要なものと
なる。０．１μｍという程度の位置合わせ誤差が、デバイスと光ファイバとの結
合効率に悪影響を与えることとなる。また、光ファイバがデバイス上に当接する
場所における機械的安定性という課題がある。光ファイバとデバイスとの間にお
ける数十ｎｍという程度の相対変位が、デバイスから光ファイバ内への伝送効率
に悪影響を与える、あるいは、光ファイバから入射してくる放射に関してのデバ
イスの検出効率に悪影響を与える。

【０００３】 関連するデバイスに対しての光ファイバの位置合わせを補助するためのものと
して、従来より様々な手法が知られている。

【０００４】 従来技術による第１手法においては、オプトエレクトロニクスデバイスが、密
封シールされたパッケージ内に収容される。このデバイスの内部には、光ファイ
バのコアを受領するためのチャネルが、エッチングによって形成されている。光
ファイバは、パッケージの外部領域からパッケージ内へと貫通導入され、デバイ
ス上において終端する。デバイスと光ファイバとの組付に際しては、かなりの操
作者の熟練を必要とし、組付時に光ファイバの案内位置がずれてしまうと、例え
ば光ファイバがデバイスの金属電極を引っ掻いたり傷つけたりするといったよう
に、デバイスに損傷が発生し得る。チャネル内におけるコアの位置は、機械的当
接によって引き起こすことができる。しかしながら、例えば Norland Inc. 社に
よる透明ＵＶ硬化接着剤といったような光学的に透明な接着剤を使用することに
よって丈夫な接合を得ることが、有利である。

【０００５】 従来技術による代替可能な第２手法においては、デバイス上に、エピタキシャ
ル位置合わせ構造が形成される。これにより、コアを当接することができる側部
当接エッジが形成される。しかしながら、この第２手法においては、デバイスに
対して損傷をもたらすことなくデバイスに対してコアを正確に位置決めするため
の操作を行うに際して熟練した操作者が必要であるという、第１手法の場合と同
じ欠点を有している。

【０００６】 許可された米国特許明細書第４，８９２，３７７号においては、本発明者は、
例えば複数の導波管といったような複数の対応光学素子に対して光ファイバアレ
イを正確に位置決めするための手法を開示している。複数の光ファイバは、複数
の光学素子に対して連結された基板内にエッチングによって正確に形成されたＶ
字形グルーブ内に固定される。複数の光ファイバは、半田を使用して基板に対し
て固定することができる。このような手法は、許容可能な適合性をもたらすよう
にして満足な位置合わせを得るためにＶ字形グルーブ内に複数のファイバを案内
するに際して、熟練した操作者を必要とする。

【０００７】 本発明者は、デバイスに対して光ファイバを物理的に接着したりまたは当接さ
せたりする必要なく、デバイスに対して光ファイバを正確に位置合わせすること
が望ましいと考えている。デバイスに対して空間的に光ファイバを空間的に固定
するためには、各光ファイバを関連する中間領域に対して正確に位置合わせしな
ければならずかつデバイスを中間領域に対して正確に位置合わせしなければなら
ないことにより、一見、そのような手法は、実行不可能であるように思われるか
もしれない。その場合、各段階における許容誤差が蓄積されることとなり、上述
の第１および第２手法よりも、制御が困難となる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

本発明者は、従来技術の場合のようなアセンブリ内のデバイスに対しての光フ
ァイバの直接的な連結を行う必要なくアセンブリ内のデバイスに対しての光ファ
イバの位置を空間的に規定したいという上記課題を解決し得るような、オプトエ
レクトロニクスアセンブリ内における位置合わせ方法を開発した。

【０００９】 本発明の第１見地においては、オプトエレクトロニクスアセンブリにおける位
置合わせ方法が提供され、オプトエレクトロニクスアセンブリが、１つまたは複
数のオプトエレクトロニクスデバイスと；このような１つまたは複数のオプトエ
レクトロニクスデバイスと、アセンブリの外部に位置するとともにデバイスと対
応して１つまたは複数のものとされたオプトエレクトロニクス素子と、の間のイ
ンターフェースをなすインターフェース手段と；を具備している場合において、
本発明による方法は、 （ａ）インターフェース手段において、１つまたは複数のデバイスからの放射を
受けるまたは１つまたは複数のデバイスに対して放射を行う１つまたは複数の領
域を規定するとともに、処理の目的のために、このような１つまたは複数の領域
を区画し； （ｂ）アセンブリ内の１つまたは複数のデバイスのそれぞれに対しての１つまた
は複数の外部素子の位置合わせを補助するように機能する１つまたは複数の位置
合わせ特徴物を、１つまたは複数の領域のところに形成するようにアセンブリを
処理し； （ｃ）１つまたは複数の外部素子が、１つまたは複数のデバイスのそれぞれに向
けて放射を行い得るようまたは１つまたは複数のデバイスのそれぞれからの放射
を受領し得るよう、各特徴物に対して１つまたは複数の外部素子を位置合わせし
； （ｄ）１つまたは複数の外部素子を各特徴物に対して位置合わせした状態でアセ
ンブリに対して１つまたは複数の外部素子を取り付けるために、取付手段を適用
し、これにより、１つまたは複数の外部素子が、アセンブリ内のそれぞれ対応す
る１つまたは複数のデバイスに対して光学的に位置合わせする； ことを特徴としている。

【００１０】 本発明による方法は、１つまたは複数のデバイスによって、インターフェース
手段内の各位置合わせ特徴物の位置を決定できる（規定できる）という利点をも
たらす。これにより、１つまたは複数のデバイスに対してのインターフェース手
段の位置を前もって正確に決定する必要なく、１つまたは複数の外部素子を位置
合わせすることができる。

【００１１】 有利には、ステップ（ａ）において、インターフェース手段が、アセンブリの
壁を構成し、この壁には、層構成が設けられ、この層構成は、この層構成内に１
つまたは複数の領域を規定し得るよう、アセンブリ内の１つまたは複数のデバイ
スからの放射に感応し得るものとされ、層構成をなす複数の層が、ステップ（ｂ
）において１つまたは複数の特徴物を形成する際のテンプレートをもたらす。１
つまたは複数のデバイスからの放射に対して感応性を有した層構成を有している
ことにより、１つまたは複数のデバイスによって、１つまたは複数の位置合わせ
特徴物の位置を規定することができる。

【００１２】 実用的には、層構成は、 （ａ）壁に１つまたは複数の特徴物を形成する際に壁に対しての処理可能性をも
たらすためのエッチングレジスト層と； （ｂ）外部から印加された放射によって駆動され得るとともに、局所領域におい
て１つまたは複数のデバイスから受領した放射に応答してその局所領域について
は透過性をもたらし得るものとされた、フォトクロミック層と； を備え、これにより、外部から放射を印加することによって、１つまたは複数の
特徴物に対応する領域をレジスト層において規定することができ、レジスト層が
、１つまたは複数の特徴物を形成する際のテンプレートをもたらす。フォトクロ
ミック層を使用することにより、暗室条件下での操作を不要とした簡便な方法が
もたらされる。

【００１３】 これに代えて、層構成は、アセンブリ内の１つまたは複数のデバイスから放出
される放射の周波数を増倍させるための周波数増倍手段を備えることができ、こ
れにより、層構成をなす１つまたは複数の層内において１つまたは複数の領域を
規定し得るよう、対応した比較的短波長の放射を生成する。周波数増倍手段を使
用することにより、１つまたは複数のデバイスが１３００〜１５５０ｎｍという
程度の波長を有した赤外放射を放出する場合において、層構成内に潜像を形成す
ることができる。潜像を処理することによって層構成内にテンプレートが形成さ
れ、このテンプレートを通して壁をエッチングすることにより、壁内に位置合わ
せ特徴物が形成される。

【００１４】 周波数増倍手段は、好ましくは、１つまたは複数のデバイスから放出された比
較的長波長の放射によって励起（刺激）されたときに比較的短波長の放射を放出
し得るリン酸チタニルカリウムを含有した周波数増倍層を有している。リン酸チ
タニルカリウム材料を使用することにより、アセンブリ内の１つまたは複数のデ
バイスからの赤外放射出力を、可視電磁放射スペクトル内の放射へと、変換する
ことができる。変換によって得られた可視放射に対して、層構成内の他の層が感
応性を示す。

【００１５】 位置合わせ特徴物の規定に際しての空間的解像度を適切なものとし得るよう、
周波数増倍層は、有利には、リン酸チタニルカリウムからなる連続フィルムを有
している。

【００１６】 有利には、層構成は、アセンブリ内の１つまたは複数のデバイスから放出され
た放射に応答した周波数増倍手段における周波数増倍作用に感応し得る感光層を
備え、この感光層は、層構成の中のエッチングレジスト層に対して転写可能とさ
れた第１テンプレートを形成することができ、エッチングレジスト層は、壁に１
つまたは複数の特徴物を形成する際に壁に対しての処理可能性をもたらす第２テ
ンプレートを形成する。感光層を使用することにより、可視範囲内の放射によっ
て、感光層内に特徴物を形成することができる。この感光層内の特徴物は、紫外
（ＵＶ）放射を照射することによって、感光層からフォトレジスト層へと転写す
ることができる。フォトレジスト層は、位置合わせ特徴物が形成されない壁部分
においては、エッチングガスやエッチング溶液に対しての耐性を有している必要
がある。

【００１７】 実用的には、層構成内において赤外放射に対しての直接的な感応性が必要とさ
れている場合には、層構成は、アセンブリ内の１つまたは複数のデバイスから放
出された放射に対して直接的に感応し得るものとされた感光層を備え、この感光
層は、層構成の中のエッチングレジスト層に対して転写可能とされた第１テンプ
レートを形成することができ、エッチングレジスト層は、壁に１つまたは複数の
特徴物を形成する際に壁に対しての処理可能性をもたらす第２テンプレートを形
成する。

【００１８】 上述したような本発明の第１見地による方法は、アセンブリが、非放射性（非
発光性）とされた１つまたは複数のデバイスを備えている場合には、変形される
。好ましくは、インターフェース手段が、アセンブリの壁を構成し、この壁には
、層構成が設けられ、この層構成は、この層構成内に１つまたは複数の領域を規
定し得るよう、アセンブリの外部に配置された外部光源からの放射に感応し得る
ものとされ、この場合、外部光源からの放射は、この放射を、アセンブリ内の１
つまたは複数のデバイスが受光することによって、位置合わせされ、層構成をな
す複数の層が、ステップ（ｂ）において１つまたは複数の特徴物を形成する際の
テンプレートをもたらす。外部光源の使用は、１つまたは複数のデバイスが発光
性ではなく放射応答性（受光性）とされていることを補償する。

【００１９】 実用的には、層構成は、外部光源から放出された放射に対して感応し得るもの
とされた感光層を備え、この感光層は、層構成の中のエッチングレジスト層に対
して転写可能とされた第１テンプレートを形成することができ、エッチングレジ
スト層は、壁に１つまたは複数の特徴物を形成する際に壁に対しての処理可能性
をもたらす第２テンプレートを形成する。感光層は、例えば、外部光源からの放
射に対して感応性を有した感光乳剤から形成することができる。外部光源は、１
３００〜１５５０ｎｍという程度の波長の赤外放射を放出する光源に限定される
ものではない。

【００２０】 有利には、エッチングレジスト層は、ＵＶ感応性有機レジスト層を有したもの
とされる。このようなレジスト層は、実用的には、エッチングプロセスにおける
テンプレートを構成するためのものとして、半導体製造工程において使用される
ものとされる。

【００２１】 例えば緩衝されたフッ酸（ＨＦ）を使用した等方性酸エッチングを行う場合に
、レジスト層の付着性や耐性が問題視される場合には、エッチングレジスト層は
、有利には、ＵＶ感応性有機レジスト層と、窒化シリコン層と、を有したものと
され、窒化シリコン層に対しては、有機レジスト層内の第２テンプレートを転写
することにより、窒化シリコン層内に第３テンプレートを形成し、この第３テン
プレートを通して、１つまたは複数の特徴物が形成される。窒化シリコンは、従
来より使用されている多くのシリコンエッチング剤に関して、有機レジスト材料
よりも、エッチング剤による侵食作用に対してより良好な耐性を有している。

【００２２】 実用的には、壁内に位置合わせ特徴物を形成するに際しては、いくつもの代替
可能なエッチングプロセスを使用することができる。位置合わせ特徴物は、異方
性ウエットエッチングと等方性ウエットエッチングとドライプラズマエッチング
とドライ反応性イオンエッチングとの中の１つまたはいくつかを使用することに
よって、形成することができる。好ましくは、１つまたは複数の特徴物は、アセ
ンブリ内の１つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して位置合わせするために
１つまたは複数の外部素子が内部に配置される凹所とされる。

【００２３】 アセンブリが、１３００〜１５５０ｎｍの程度の波長の赤外放射を受光したり
放射したりする場合には、壁は、実用的には、赤外放射に対して透過性であるシ
リコンから形成される。

【００２４】 アセンブリの製造を容易なものとするために、取付手段は、有利には、実質的
に透明なＵＶ硬化可能な接着剤とされる。

【００２５】 本発明の第２見地においては、本発明の第１見地による方法によって形成され
たアセンブリが提供され、このアセンブリは、ハウジング内に収容された１つま
たは複数のオプトエレクトロニクスデバイスを具備し、ハウジングが、壁の形態
とされたインターフェース手段を備え、壁が、１つまたは複数のデバイスのそれ
ぞれに対して１つまたは複数の外部素子を位置合わせし得るよう、１つまたは複
数の外部素子を配置可能とされた１つまたは複数の特徴物を有していることを特
徴としている。

【００２６】 実用的には、壁は、＜１００＞カット単結晶シリコンから形成されていて、１
つまたは複数の外部素子を配置可能とされた１つまたは複数の特徴物をもたらす
ために壁内にピラミッド状凹所を形成し得るよう、異方性ウェットエッチング可
能なものとされる。ピラミッド状凹所は、異方性ウェットエッチングにより形成
されることに基づいて、サイズが自己制限されるという有利な特徴点をもたらす
。これにより、例えば等方性ウェットエッチングの場合に起こり得るようなオー
バーエッチングを防止するためのエッチング観測を、それほど厳しく行う必要が
ない。

【００２７】 好ましくは、より凹凸の激しいアセンブリが得られるよう、壁は、ハウジング
の内方位置（奥まった位置）に配置され、これにより、アセンブリに対して１つ
または複数の外部素子を固定するに際して、ハウジングのうちの、取付手段を適
用し得る露出表面積が大きなものとされる。

【００２８】 実用的には、１つまたは複数の外部素子は、１つまたは複数の光ファイバを備
え、各光ファイバは、クラッドから突出したコアを有し、この突出コアが、１つ
または複数の特徴物内に配置されるものとされる。特徴物に対してのコアのこの
ような位置合わせは、１つまたは複数の外部素子と、アセンブリ内における対応
する１つまたは複数のデバイスと、の間の結合効率を向上させる。

【００２９】 本発明の第３見地においては、本発明の第２見地による複数のアセンブリから
構成されたアレイが提供される。

【００３０】

【発明の実施の形態】

以下、添付図面を参照しつつ、本発明の単なる例示としてのいくつかの実施形
態について説明する。

【００３１】 図１においては、符号（１０）によって、オプトエレクトロニクスアセンブリ
が示されている。このアセンブリ（１０）は、シリコン基板（２０）を備えてい
る。シリコン基板（２０）は、主面をなす上面を有しており、この上面上に、１
μｍ厚さの窒化シリコン製絶縁層が形成されている。絶縁層上には、例えばパッ
ド（２２）といったような１μｍ厚さのアルミニウム製電極接続パッドが支持さ
れている。アルミニウム製電極接続パッドに対しては、例えばトラック（２４）
といったような関連するアルミニウム製導電トラックが接続されている。

【００３２】 アセンブリ（１０）は、さらに、＜１００＞結晶配向を有したシリコン製キャ
ップ（３０）と、シリコン製端部プレート（７０）と、を備えている。シリコン
製キャップ（３０）の内部には、異方性ウェットエッチングによって前もって凹
所が形成されている。アセンブリ（１０）においては、キャップ（３０）と基板
（２０）とプレート（７０）とが、相互に融着結合されているあるいは溶接され
ているあるいは接着されている。キャップ（３０）の凹所は、密封シールされた
キャビティを形成する。このキャビティは、従来構成でもって微小形成された赤
外レーザーデバイス（４０）を収容する。デバイス（４０）は、基板（２０）の
トラック上において、半田バンプ連結されている。これにより、パッドとデバイ
ス（４０）とを電気的に接続することができる。製造時には、トラック上へとデ
バイス（４０）を固定した後に、キャップ（３０）とプレート（７０）とが、基
板（２０）に対して固定され、また、互いに固定される。

【００３３】 デバイス（４０）は、発光領域（５０）を有している。動作時には、この発光
領域（５０）から、赤外放射ビーム（６０）が放出される。ビーム（６０）が伝
搬して、シリコン製端部プレート（７０）の領域（６５）を照射する。プレート
（７０）は、主面をなす平面状外表面を有している。この外表面上に、単一モー
ド光ファイバ（８０）が当接して固定されている。光ファイバ（８０）は、単一
モードコア（８５）を、領域（６５）に対応する位置において外表面にエッチン
グ形成された凹所内に、位置している。プレート（７０）は、さらに、デバイス
（４０）を向く側に、主面をなす平面状内表面を有している。内表面は、外表面
と実質的に平行である。

【００３４】 次に、アセンブリ（１０）の製造およびアセンブリ（１０）に対しての光ファ
イバ（８０）の位置合わせに関する第１方法について、図１を参照して説明する
。この方法においては、以下の各ステップを順に行う。

【００３５】 ［ステップ１］ 基板（２０）を準備し、窒化シリコン層を形成し、関連するトラックとパッド
とを形成する。これを第１部材とする。

【００３６】 ［ステップ２］ 従来の微小形成技術を使用してデバイス（４０）を形成する。これを第２部材
とする。

【００３７】 ［ステップ３］ ＜１００＞カットシリコンウェハの一部から、キャップ（３０）を形成し、こ
れを第３部材とする。キャップの形成に際しては、まず最初に、断面内において
光リソグラフィー的に第１エッチングウィンドウを線引きし、次に、イソプロパ
ノールと水酸化カリウム（ＫＯＨ）との混合溶液中においてウィンドウに沿って
断面を異方的に選択エッチングすることにより、断面内に凹所を形成する。

【００３８】 ［ステップ４］ 前面と背面とが研磨された＜１００＞カットシリコンウェハを切開する（スク
ライブする）ことにより、プレート（７０）を形成し、これを第４部材とする。

【００３９】 ［ステップ５］ 特に基板（２０）上のトラックの上へとデバイス（４０）をバンプ接続するこ
とによって、第１部材と第２部材とを組み付ける。これにより、基板（２０）上
のパッドから、デバイス（４０）を駆動制御できるようにする。

【００４０】 ［ステップ６］ 基板（２０）上においてキャップ（３０）を特に融着結合するあるいは溶接す
るあるいは接着することによって、第１部材と第２部材とからなるアセンブリ上
に、第３部材を組み付ける。これにより、デバイス（４０）のためのキャビティ
を形成する。

【００４１】 ［ステップ７］ 図１に示すようにしてキャップ（３０）のエッジ上においてかつ基板（２０）
のエッジ上においてプレート（７０）を特に融着結合するあるいは溶接するある
いは接着することによって、第１部材と第２部材と第３部材とからなるアセンブ
リに対して、第４部材を組み付ける。これにより、デバイス（４０）のための密
封シールされたハウジングを形成する。付加的に、プレート（７０）とキャップ
（３０）と基板（２０）との間に、ウィンドウ層付きの金属化層を設置すること
ができる。

【００４２】 ［ステップ８］ プレート（７０）の外表面を、感光性のエッチング耐性を有した層構成によっ
てコーティングする。

【００４３】 ［ステップ９］ パッドを介してデバイス（４０）を駆動し、プレート（７０）上へと、デバイ
スから放射ビーム（６０）を放出させる。これにより、プレート（７０）上の領
域（６５）を照射するとともに、層構成のうちの、領域（６５）に対応した領域
を露光する。

【００４４】 ［ステップ１０］ 層構成を現像することによって、領域（６５）の近傍における層を通して第２
エッチングウィンドウを残す。

【００４５】 ［ステップ１１］ 異方性エッチングを行うことによって、プレート（７０）の外表面内において
、層構成内の第２ウィンドウを通して露光される場所に、ピラミッド状の凹所を
形成する。

【００４６】 ［ステップ１２］ 層構成を除去することによって、プレート（７０）の外表面に、エッチング形
成された凹所を、露出状態で残す。

【００４７】 ［ステップ１３］ 光ファイバ（８０）の端部において、わずかな長さにわたって光ファイバクラ
ッドを剥がすことによって、コア（８５）を突出状態でもって残す。

【００４８】 ［ステップ１４］ 突出コア（８５）を凹所に対して案内し、突出コア（８５）を凹所内に配置す
る。

【００４９】 ［ステップ１５］ 光ファイバの端部に対しておよびプレート（７０）に対して、例えば Norland
Inc. 社による透明ＵＶ硬化可能接着剤といったような光学的に透明な接着剤を
塗布し、その後、接着剤をＵＶ硬化させ、これにより、プレート（７０）に対し
て光ファイバ（８０）を接着し固定する。凹所内にインターフェースレンズが配
置されかつこのインターフェースレンズの近傍に光ファイバが配置するようにな
っている場合には、レンズの非コリメート側においては、エアインターフェース
が必要とされ、したがって、硬化可能接着剤が付加的に充填されることとなる。

【００５０】 一体部材としてのアセンブリ（１０）の形成に関して説明を行ったけれども、
本発明においては、上記第１方法を、並列バッチプロセス技術を使用することに
よってこのようなデバイスを複数個にわたって同時に形成することへと、拡張す
ることができる。

【００５１】 第１方法においては、基板（２０）とキャップ（３０）とデバイス（４０）と
プレート（７０）とを所定の空間的相対配置へと固定した後に、デバイス（４０
）が、プレート（７０）上の凹所位置を、デバイス（４０）から放射されるビー
ム（６０）に対して正確に位置合わせされた場所に、規定することができるとい
う利点がもたらされる。よって、基板（２０）とキャップ（３０）とデバイス（
４０）とプレート（７０）とのいずれの部材も、組立時に、何らの特別の相互位
置合わせ操作によって位置合わせされる必要がない。デバイス（４０）に対して
の凹所位置の正確さは、ビーム（６０）自体が、凹所に関する正確な位置を決定
することによって、得られている。これにより、光ファイバ（８０）に対しての
放射ビームの有効な結合が確保される。この利点は、かなりの商業的重要性を有
している。それは、複数の構成部材を、高精度でもって互いに適合するようにし
て形成する必要がなくなるからであり、それによって、製造コストを低減できる
からである。

【００５２】 ステップ８〜ステップ１２における層構成は、第１方法に独自のものである。
このような層構成について、図２を参照して詳細に説明する。層構成は、符号（
１００）によって示されている。層構成は、プレート（７０）の主面をなす外表
面（１２０）から順に、以下の構成要素を備えている。 （ａ）例えば AZ1505 といったような Hoechst 社の AZシリーズの有機レジスト
からなる有機レジスト層といったような、有機レジスト層（１３０）。この層の
厚さは、１〜１．５μｍの範囲とされている。 （ｂ）可視電磁放射スペクトル内における２００ｎｍ〜８００ｎｍという範囲の
波長を有した放射に対して応答性を有し、厚さが０．５〜５μｍの程度とされた
、従来技術による銀ベースの感光乳剤（フォトエマルジョン）層（１４０）。 （ｃ）厚さが１〜１０μｍの程度とされた周波数増倍層（１５０）。この周波数
増倍層（１５０）は、リン酸チタニルカリウム（ＫＴＰ）からなる単一層を備え
ている。

【００５３】 次に、図２を参照して、上記第１方法におけるステップ９〜ステップ１５に対
応した、層構成（１００）の動作について説明する。

【００５４】 デバイス（４０）が駆動されたときには、デバイスは、１３００ｎｍ〜１５５
０ｎｍという程度の波長を有した赤外放射ビーム（６０）を生成する。このビー
ム（６０）は、デバイス（４０）から、プレート（７０）の内表面（１１０）上
の領域（６５）へと、伝搬する。ビーム（６０）は、プレート（７０）内を通り
抜けた後、レジスト層（１３０）へと到達し、レジスト層（１３０）内を通って
伝搬した後、感光乳剤層（１４０）へと到達する。ビーム（６０）内のフォトン
の量子エネルギーは、層（１４０）に影響を与えるには不十分なものである。層
（１４０）は、赤外放射に対しては感応することがなく、この層内に潜像を形成
するには、８００ｎｍ以下の波長を有しているような、より短波長の放射が必要
である。よって、ビーム（６０）は、感光乳剤層（１４０）に対して影響を与え
ることなく、この層（１４０）を通過する。ビーム（６０）は、最終的には、周
波数増倍層（１５０）によって吸収される。

【００５５】 層（１５０）は、周波数増倍操作を行う。層（１５０）上に入射する１３００
〜１５５０ｎｍという程度の比較的長波長の放射を構成しているフォトンは、こ
の層（１５０）内において、６５０ｎｍの程度という比較的短波長のフォトンの
生成を誘起する。その後、６５０ｎｍの程度の短波長のフォトンが、層（１５０
）から放出される。つまり、吸収された比較的長波長のフォトンのうちのいくつ
かのフォトンが、比較的短波長のフォトンを生成する。

【００５６】 よって、層（１５０）上にビーム（６０）が入射した場所においては、吸収さ
れた赤外放射フォトンが、可視範囲に属する比較的短波長のフォトンを生成する
。比較的短波長のフォトンは、一部が、層（１４０）に向けて放射される。その
結果、デバイス（４０）からの放射が層（１４０）を通って外向きに伝搬した近
傍位置において、層（１４０）内には、潜像が形成される。

【００５７】 感光乳剤層（１４０）内において潜像を形成し得るだけの十分な持続時間にわ
たってデバイス（４０）が駆動された後に、デバイス（４０）が停止される。そ
の後、層（１５０）を除去することによって、層（１４０）が露出される。ここ
で、層（１５０）の除去は、層（１４０）内に形成された潜像を乱すことがない
よう、層（１４０）がさらに露光されてしまわないように、暗室条件下で行われ
る。その後、層（１４０）が、層（１４０）をなす材料に適した従来の写真プロ
セスによって、現像される。層（１４０）の現像により、層（１４０）がネガと
して機能することのために、領域（６５）の近傍においてのみ、濃い色の不透明
領域が形成される。その後、レジスト層（１３０）が、層（１４０）を通しての
実質的に２５０ｎｍ波長の紫外（ＵＶ）放射によって、露光される。これにより
、重合が起こることによって、レジスト層（１３０）が硬化する。ただし、濃い
色の不透明領域が存在するところにおいては、レジスト層（１３０）は、局所的
に比較的ソフトなままである。この露光後に、層（１４０）の残存トレース量を
溶解させる。さらに、レジスト層（１３０）を、例えばメチルイソブチルケトン
とイソプロパノールとの混合溶媒といった溶媒内において現像する。これにより
、レジスト層（１３０）内には、領域（６５）の近傍に、ウィンドウが残される
。領域（６５）から離間したところに残存しているレジスト層（１３０）は、硬
化した重合状態のままで残されている。

【００５８】 その後、エッチングの目的のために露出状態とされたレジスト層（１３０）を
有したプレート（７０）を除いて、アセンブリ（１０）を、保護樹脂すなわちフ
ォトレジストによって被覆する。保護樹脂すなわちフォトレジストは、例えばＫ
ＯＨ／イソプロパノール混合溶液によるエッチングといったような異方性シリコ
ンエッチングに耐え得るものである。樹脂は、アセンブリ（１０）のうちの例え
ばトラックやパッドといったようなものを、異方性エッチング剤から保護する。

【００５９】 その後、アセンブリ（１０）を、例えばＫＯＨ／イソプロパノール混合溶液と
いったような異方性シリコンエッチング溶液内に浸漬する。異方性シリコンエッ
チング溶液は、領域（６５）の近傍において、ウィンドウを通して、プレート（
７０）に対して作用する。溶液は、エッチング作用によって、プレート（７０）
の表面（１２０）において、図３に示すような自己制限型のピラミッド状凹所を
形成する。この凹所は、符号（２００）によって示されており、例えば表面（２
１０）といったような＜１１１＞結晶平面を４つ備えている。

【００６０】 凹所（２００）をエッチングによって形成した後に、アセンブリ（１０）をエ
ッチング溶液から取り出し、アセンブリ（１０）を保護している樹脂すなわちレ
ジストと、面（１２０）上のレジストとを、除去することにより、デバイス（４
０）に対して正確に位置合わせされた凹所（２００）を有したアセンブリ（１０
）が得られる。

【００６１】 端部においてコア（８５）が突出状態とされている光ファイバ（８０）の端部
を、その後、表面（１２０）へと案内し、図４に示すようにして、コア（８５）
を、凹所（２００）内へと配置する。図４においては、コア（８５）の周縁エッ
ジが、図示のポイント（Ｐ１〜Ｐ４）において、凹所（２００）上に当接してい
る。例えば、コア（８５）の周縁エッジは、ポイント（Ｐ２）において面（２１
０）に対して当接している。

【００６２】 凹所（２００）内にコア（８５）を適切に当接させた後に、プレート（７０）
の近傍に位置した光ファイバ（８０）と面（１２０）とに対して、例えばタイプ
Ｎ６５という Norland Inc. 社による光学的ＵＶ硬化可能樹脂といったような光
学的に透明な接着樹脂を所定量だけ塗布し、その後、接着樹脂をＵＶ（紫外）硬
化させ、これにより、アセンブリ（１０）に対して光ファイバ（８０）を機械的
に接着する。凹所（２００）内にコア（８５）が当接していることは、経時変化
によって接着樹脂がわずかに縮んだり寸法変化を起こしたりしたときであってさ
えもデバイス（４０）に対しての高精度な位置合わせを確実に維持することを補
助する。

【００６３】 図２における層（１３０，１４０）は、ビーム（６０）がこれら層を通過する
際にビーム（６０）の横方向散乱を引き起こさないよう、十分に薄いものである
ように選択されている。同時に、図２における層（１３０，１４０）は、レジス
ト層（１３０）内に信頼性高くウィンドウを形成し得るよう、かつ、凹所（２０
０）を形成するために必要な異方性エッチングに耐え得るよう、十分に厚いもの
であるように選択されている。散乱が層（１３０，１４０）を通して等方的であ
る場合には、限られた程度の散乱であれば許容することができる。なぜなら、凹
所（２００）が、領域（６５）に対して実質的に正確に中心合わせされているか
らである。

【００６４】 上記第１方法においては、デバイス（４０）が、層（１４０）が実質的に感応
可能であるような波長範囲の放射を放出するデバイスによって代替された場合に
は、凹所を形成するにあたって、周波数増倍層（１５０）を省略することができ
る。

【００６５】 上記第１方法においては、ステップ１１において、異方性ウェットエッチング
に代えて、等方性ウェットエッチングを使用することができる。レジスト層（１
３０）のウィンドウを通してプレート（７０）をエッチングするに際しての適切
な等方性エッチング剤には、緩衝されたフッ酸がある。図５においては、そのよ
うな等方性ウェットエッチング剤は、表面（１２０）内において、実質的に半球
状の凹所（３００）の形成をもたらしている。この凹所（３００）内にコア（８
５）が配置されている。コア（８５）は、周縁エッジの全体が凹所（３００）の
内面上に当接するようにして、配置されている。等方性ウェットエッチングは、
等方性エッチング速度がエッチング剤の局所的流通速度に依存することのために
、異方性ウェットエッチングよりも、寸法精度の制御性が劣る傾向がある。よっ
て、異方性ウェットエッチングの自己制限特性は、自己制限特性を有していない
等方性エッチングプロセスによって形成された凹所と比較して、より正確に中心
合わせされた（芯出しされた）凹所をもたらすことができる。

【００６６】 等方性ウェットエッチングや異方性ウェットエッチングを行うことの代替とし
ては、ステップ１１において、気体プラズマエッチングまたは反応性イオンエッ
チングを行うことができる。ただし、そのようなドライエッチングを行う場合に
は、アセンブリ（１０）に対してのプラズマ電界による歪み効果が許容されなけ
ればならない。プラズマエッチングまたは反応性イオンエッチングは、使用され
るエッチングガス圧力に応じて、および、エッチング時のアセンブリ（１０）近
傍における電界分布に応じて、等方的とも異方的ともすることができる。適切な
エッチングガスは、ハロゲン化水素化合物とすることができ、また、酸素とハロ
ゲン化炭素化合物との混合ガスとすることができる。

【００６７】 図２に示す層構成（１００）においては、感光乳剤層（１４０）と周波数増倍
層（１５０）とは、赤外放射に感応する感光乳剤からなる単一層によって代替す
ることができる。そのような赤外用感光乳剤は、道路交通速度カメラにおいて使
用されるような赤外フィルムの製造において使用されるものであり、従来技術に
よる製品である。そのような赤外感応性感光乳剤が使用されたときには、デバイ
ス（４０）は、感光乳剤を直接的に露光することができ、周波数増倍層（１５０
）を使用する必要がない。

【００６８】 ステップ１〜ステップ１５に示す方法は、放射を行うデバイス（４０）を備え
たアセンブリ（１０）に対して好適なものではあるけれども、この方法を修正す
ることによって、デバイス（４０）が例えば実質的に１５５０ｎｍという波長の
赤外放射に対して感応する光検出器といったような検出デバイスによって代替さ
れた場合に対しても、うまく対処することができる。

【００６９】 図６には、第１方法のステップ１〜ステップ６に従って形成されたアセンブリ
（１０）であるもののデバイス（４０）に代えて光検出デバイス（４００）を備
えているアセンブリ（１０）を含めた、全体構成（５００）が示されている。全
体構成（５００）は、さらに、投影器（５５０）と、基台（６１０）と、駆動機
構（６００）と、を備えている。投影器（５５０）と機構（６００）とは、基台
（６１０）上に設置されている。機構（６００）は、上面上にアセンブリ（１０
）を搭載するためのプラットホームを備えている。図６においては、各部材の寸
法比率は互いに正確ではなく、明瞭化のため、いくつかの部材は、誇張して図示
されている。

【００７０】 投影器（５５０）は、光学ユニット（５６０）を備えている。光学ユニット（
５６０）は、１３００〜１５５０ｎｍという程度の赤外放射波長の放射と５６０
ｎｍ近辺の可視放射波長の放射との双方を焦点合わせし得るミラーを有している
。さらに、投影器（５５０）は、ビーム案内ミラー（５７０）と、１３００〜１
５５０ｎｍという程度の波長のビームを放出し得る第１レーザー源（５８０）と
、５６０ｎｍ近辺の波長のビームを放出し得る第２レーザー源（５９０）と、を
備えている。ミラー（５７０）は、片持ち式に回転可能であるようにして、一端
におけるポイント（Ｐ）において取り付けられている。ミラー（５７０）は、図
６に示す第１位置と、破線（６２０）によって示す第２位置と、の間にわたって
移動可能であるように制御される。

【００７１】 アセンブリ（１０）は、プレート（７０）の主面をなす外表面（１２０）上に
成膜されたレジスト層（１３０）と、この層（１３０）上に成膜された従来的な
感光乳剤層（１４０）と、を有している。全体構成（５００）は、レーザー源（
５８０，５９０）からの照射が行われるよりも先に層（１４０）内に潜像が形成
されてしまわないよう、暗室状況下に維持されている。

【００７２】 機構（６００）は、図６に示すように、投影器（５５０）に対して、ｘ，ｙ方
向において、アセンブリ（１０）を制御可能に駆動制御する。ｘ方向とは、紙面
に垂直な方向であり、方向ｘ，ｙ，ｚは、相互に直交しており、ｙ，ｚ方向が、
紙面内に位置する面を形成する。

【００７３】 投影器（５５０）は、デバイス（４００）の領域（４１０）上へと、および、
プレート（７０）の外表面（１２０）上へと、それぞれ、第１レーザー源（５８
０）および第２レーザー源（５９０）からの像を投影することができる。各レー
ザー源からの像は、投影器（５５０）からの互いに異なる距離のところに形成さ
れる。第２レーザー源（５９０）の場合の距離は、第１レーザー源（５８０）の
場合と比較して、ミラー（５７０）から、より遠くに位置している。レーザー源
（５８０，５９０）は、１〜３μｍという程度の直径のポイント対象物を光学ユ
ニット（５６０）に対してもたらすような固体レーザーデバイスである。

【００７４】 次に、デバイス（４００）を有したアセンブリ（１０）の製造に関する第２方
法について、図６を参照して説明する。この方法においては、全体構成（５００
）を使用し、以下の各ステップを行う。

【００７５】 ［ステップＡ］ 上記第１方法におけるステップ１〜ステップ６に従って、デバイス（４００）
を有したアセンブリ（１０）を形成する。ここで、アセンブリ（１０）のパッド
から制御ユニット（図示せず）へと信号を伝達し得るようにして、アセンブリ（
１０）のパッドに対して電気接続を行う。制御ユニットは、また、機構（６００
）と投影器（５５０）とに対しても、接続される。

【００７６】 ［ステップＢ］ 制御ユニットからの指示によって、ミラー（５７０）を第２位置（６２０）へ
と回転させる。そして、第１レーザー源（５８０）を駆動することによって、光
学ユニット（５６０）に向けて、１５５０ｎｍ近辺の波長の赤外放射ビームを放
出させる。これにより、第１レーザー源（５８０）の像が、デバイス（４００）
に向けて投影される。次に、制御ユニットからの指示によって、機構（６００）
を駆動制御することにより、アセンブリ（１０）を投影器（５５０）に対して横
方向に移動させ、像が領域（４１０）へと入射しその結果アセンブリ（１０）に
よって生成される受領信号がパッド上において得られるようにする。受領信号は
、機構（６００）を通しての接続ラインを介して、制御ユニットへと伝達される
。

【００７７】 ［ステップＣ］ 第１レーザー源（５８０）を停止させる。その後、ミラー（５７０）を、図６
に示すような第１位置へと回転させる。そして、第２レーザー源（５９０）を駆
動することによって、５６０ｎｍ近辺の波長の放射ビームを放出させる。このビ
ームは、ミラー（５７０）によって反射されて、光学ユニット（５６０）へと到
達する。これにより、第２レーザー源（５９０）の像が、プレート（７０）の外
表面（１２０）上へと、投影される。第２レーザー源（５９０）の像に関するビ
ームが、層（１４０）に到達したときには、ビームは、層（１４０）内に潜像を
形成する。両レーザー源（５８０，５９０）の像が、これら両レーザー源（５８
０，５９０）に共通した光学軸に沿って形成されていることにより、潜像は、層
（１４０）のうちの、デバイス（４００）に対して位置合わせされた領域に形成
される。そして、第２レーザー源（５９０）を停止させる。

【００７８】 ［ステップＤ］ アセンブリ（１０）を機構（６００）から取り外し、従来技術による現像剤を
使用して層（１４０）内の潜像を現像する。この現像操作は、可視スペクトル内
の雰囲気放射を排除する目的で、暗室環境下で行われる。フィルム（１４０）を
露光することによって第２レーザー源（５９０）の像を現像することにより、層
（１４０）において不透明領域だけが残される。次に、アセンブリ（１０）を一
般のＵＶ放射によって露光することにより、層（１４０）がなす不透明領域に対
応した領域を除いて、層（１３０）を硬化させる。

【００７９】 ［ステップＥ］ 層（１４０）を除去し、レジスト層（１３０）を現像する。現像後においては
、層（１４０）がなす不透明領域によって影となった領域を除いて、レジスト硬
化層が残される。これにより、レジスト層（１３０）において、表面（１２０）
にまで達するウィンドウが形成される。

【００８０】 ［ステップＦ］ そして、プレート（７０）を除いて、アセンブリ（１０）を、樹脂すなわちレ
ジストによって被覆する。その後、特にＫＯＨ／イソプロパノール混合溶液とい
ったような異方性ウェットエッチング溶液内へと、アセンブリを浸漬する。これ
により、ウィンドウに対応した場所において、プレート（７０）に凹所がエッチ
ング形成される。

【００８１】 ［ステップＧ］ アセンブリ（１０）の異方性エッチングが終了した後に、適切な溶媒を使用し
て、樹脂／レジストと、レジスト層（１３０）とを、除去する。端部においてク
ラッドを除去することによって単一モードコア（８５）が所定長さ分だけ突出状
態で露出されている単一モード光ファイバ（８０）を、アセンブリ（１０）へと
案内し、突出コア（８５）を、凹所内へと配置する。その後、光ファイバ（８０
）の端部とプレート（７０）とに対して、ＵＶ硬化可能で実質的に透明な光学的
接着剤を塗布し、これにより、凹所に対して位置合わせされた突出コア（８５）
を、位置合わせ状態でもって固定する。これにより、アセンブリ（１０）と光フ
ァイバ（８０）との連結が完了し、アセンブリ（１０）は、光ファイバ（８０）
に沿ってアセンブリ（１０）に向けて搬送されてくる赤外放射に対して応答する
ことができる。光ファイバ（８０）とデバイスとの間において、より効果的な結
合が要望された場合には、凹所内にレンズが配置されかつこのレンズに対してコ
ア端部（８５）が位置合わせされる、ＵＶ硬化接着剤が光ファイバ（８０）に対
して塗布され、これにより、アセンブリ（１０）に対して光ファイバ（８０）が
固定される。

【００８２】 デバイス（４００）を有したアセンブリ（１０）と同様の複数のアセンブリを
並列プロセスによって形成することによって、コストを低減することができる。
しかしながら、全体構成（５００）における操作は、本質的に、常にただ１個の
アセンブリだけを対象としたシリアルプロセスである。

【００８３】 検出器（４００）を有したアセンブリ（１０）のプレート（７０）に凹所を形
成するに際して、ウェットエッチングを行うことに代えて、等方性ウェットエッ
チングや、あるいは、気体プラズマエッチングや反応性イオンエッチングを、代
替可能に行うことができる。

【００８４】 全体構成（５００）、および、ステップＡ〜ステップＧによって規定された上
記第２方法は、変形することができる。例えば、第２レーザー源（５９０）は、
レジスト層（１３０）を直接的に露光し得るよう、紫外（ＵＶ）放射といったよ
うなより短波長のレーザー源によって代替することができる。これにより、層（
１４０）を省略できるとともに、ステップＤに関する処理操作を省略することが
できる。この変形は、第２方法における暗室環境の確保の必要性を、不要とする
。レーザー源（５９０）の代替としては、ＵＶ放射をもたらし得るコンパクトな
エキシマレーザーを使用することができる。

【００８５】 さらに、全体構成（５００）は、デバイス（４００）が発光デバイス（４０）
によって代替された場合にプレート（７０）に位置合わせ凹所を形成するに際し
て有効なものであるように、変形することができる。その場合、第１レーザー源
（５８０）は、直径が数μｍとされた検出開口をなす開口を有した赤外検出器デ
バイスによって代替される。この赤外検出器デバイスは、制御ユニットに対して
接続される。操作時においては、ミラー（５７０）を第２位置（６２０）へと退
避させる。そして、制御ユニットからの指示によって機構（６００）内の電気接
続を介してアセンブリ（１０）内のデバイス（４０）を駆動し、赤外ビームを放
出させる。そして、赤外検出器デバイスが、アセンブリ（１０）内のデバイス（
４０）からの放射を受領することに応答して信号を生成するようになるまで、機
構（６００）によって、アセンブリ（１０）を投影器（５５０）に対して相対移
動させる。次に、ミラー（５７０）を図６に示すような第１位置へと回転させる
。これにより、第２レーザー源（５９０）からの放射ビームは、ミラー（５７０
）によって反射されて、凹所に対応した潜像を層（１３０，１４０）において形
成する。そして、ステップＤ〜ステップＧにおいて上述した現像プロセスおよび
エッチングプロセスを行い、これにより、凹所を形成する。そして、光ファイバ
（８０）を凹所に対して位置合わせしつつ固定する。

【００８６】 全体構成（５００）に関しての、第１レーザー源（５８０）が赤外検出器デバ
イスによって代替されているような変形例においては、第２レーザー源（５９０
）を、例えばエキシマレーザーといったようなＵＶ放射源によって代替すること
ができる。これにより、層（１４０）を省略できるとともに、第２方法のステッ
プＤに関する処理操作を省略することができる。

【００８７】 全体構成（５００）における投影器（５５０）は、図７に示すような代替可能
な投影器（７００）によって代替することができる。この投影器（７００）は、
第１レーザー源（５８０）と関連コリメータレンズ（７８０）とを有してなる第
１光学アセンブリを備えている。レンズ（７８０）は、ＢＫ７ガラスまたはプラ
スチック材料から従来技術によって形成されたものとされる。しかしながら、レ
ンズ（７８０）は、ゲルマニウムやシリコンから形成することもできる。ただし
その場合には、レンズ（７８０）の製造が高価なものとなる傾向がある。投影器
（７００）は、さらに、第２光学アセンブリを備えている。第２光学アセンブリ
は、５６０ｎｍという程度の波長の放射を放出する第２レーザー源（７１０）と
、軸外れ位置（退避位置）と遮蔽位置（７３０）との間にわたって移動可能とさ
れた関連する駆動シャッタ（７２０）と、関連するシリカガラス製のまたは石英
製のレンズ（７４０）と、を有している。投影器（７００）は、さらに、第３光
学アセンブリを備えている。第３光学アセンブリは、互いに直交している第１光
学アセンブリの光学軸および第２光学アセンブリの光学軸に対して４５°という
角度で配向した平面をなす二色性ミラー（７６０）を有してなるミラーユニット
（７５０）によって構成されている。投影器（７００）は、さらに、第１レーザ
ー源（５８０）の像をポイント（Ｑ２）上に投影しかつ第２レーザー源（７１０
）の像をポイント（Ｑ１）上に投影するように機能する投影レンズ（７７０）を
備えている。ポイント（Ｑ２）は、アセンブリ（１０）内におけるデバイス（４
０，４００）上のポイントに対応している。ポイント（Ｑ１）は、層（１３０，
１４０）内のポイントに対応している。

【００８８】 次に、全体構成（５００）内に組み込まれたときの投影器（７００）の動作に
ついて、アセンブリ（１０）が検出デバイス（４００）を有している場合を参照
して、説明する。

【００８９】 初期状態においては、両レーザー源（５８０，７１０）は、駆動されていない
。シャッター（７２０）は、制御ユニットによって、遮蔽位置（７３０）とされ
ている。そして、第１レーザー源（５８０）を駆動することによって、レンズ（
７８０）に向けて、赤外放射ビームを放出させる。これにより、ビームが平行化
され、平行ビームが形成される。平行ビームは、二色性ミラー（７６０）へと到
達し、この二色性ミラーを通過して、実質的に偏向されることなく伝搬し、レン
ズ（７７０）へと到達する。レンズ（７７０）は、平行ビームを焦点合わせする
ことによって、アセンブリ（１０）内のデバイス（４００）上におけるポイント
（Ｑ２）において像を形成する。次に、制御ユニットからの指示によって、アセ
ンブリ（１０）を投影器（７００）に対して移動させ、放射を受領することに応
答した周波数信号が検出器デバイス（４００）において得られるようにする。こ
れは、第１レーザー源（５８０）からのビームが、デバイス（４００）の領域（
４１０）を照射していることに対応している。その後、制御ユニットは、機構（
６００）上においてアセンブリ（１０）を精密に移動させ、検出器（４００）が
、第１レーザー源（５８０）からのビームの中央領域に対応する放射を受領する
ものとする。その後、第２レーザー源（７１０）を駆動するとともに、シャッタ
（７２０）を軸外れ位置へと退避させる。第２レーザー源（７１０）からのビー
ムは、レンズ（７４０）によって平行化され、これにより、平行ビームが形成さ
れる。平行ビームは、二色性ミラー（７６０）へと到達し、この二色性ミラーに
よって、レンズ（７７０）へと向かう方向に反射される。反射ビームがレンズ（
７７０）を通過することによって、層（１３０，１４０）の面内におけるポイン
ト（Ｑ１）において像が形成される。これにより、層（１４０）内に潜像が形成
される。

【００９０】 そして、ステップＤ〜ステップＧにおいて上述した処理ステップを行い、これ
により、光ファイバ（８０）を受領するための凹所をアセンブリ（１０）に形成
する。

【００９１】 投影器（５５０）の場合と同様に、投影器（７００）内の第１レーザー源（５
８０）は、制御ユニットに対して接続された赤外検出器によって代替することが
できる。これにより、アセンブリ（１０）が、例えばデバイス（４０）といった
ような赤外発光デバイスを備えている場合に、アセンブリ（１０）において凹所
位置を決定するに際して、投影器（７００）を備えた全体構成（５００）を使用
することが可能となる。同様に、第２レーザー源（７１０）は、ＵＶ放射を放出
するエキシマレーザーによって代替することができる。これにより、層（１４０
）を省略できるとともに、ステップＤに関する処理操作を省略することができる
。

【００９２】 図８には、代替可能なアセンブリが、符号（８００）によって示されている。
このアセンブリ（８００）は、上述した第１方法および第２方法を使用して形成
することができる。アセンブリ（８００）は、デバイス（４０）または検出器デ
バイス（４００）のいずれかを備えている。さらに、アセンブリ（８００）は、
アセンブリ（１０）の場合と比較してプレート（７０）がアセンブリ（８００）
の内方側に位置している点を除いては、アセンブリ（１０）と同様である。プレ
ート（７０）が内方側に位置していることにより、プレート（７０）の位置合わ
せ凹所（８２０）に対してコア（８５）を位置合わせした後にＵＶ硬化接着剤を
使用して所定位置に接着する際に、光ファイバ（８０）に対してのより良好な機
械的支持が得られる。図８においては、アセンブリ（８００）に対して光ファイ
バ（８０）を固定するための接着剤の硬化領域は、符号（８１０）によって示さ
れている。

【００９３】 次に、アセンブリ（１０）を形成するための第３方法について、図９を参照し
て説明する。図９においては、第１方法におけるステップ１〜ステップ６によっ
てアセンブリ（１０）が形成され、さらに、プレート（７０）の外表面上に、ポ
ジタイプのエッチングレジスト層（９１０）とフォトクロミック層（９２０）と
がコーティングされてなるものが、全体的に符号（９００）によって示されてい
る。フォトクロミック層の形成および動作は、英国特許出願公開明細書第２２０
８２７１号に記載されている。この文献は、参考のためここに組み込まれる。ア
センブリ（１０）は、発光デバイス（４０）を備えている。

【００９４】 この第３方法においては、以下の各ステップを行う。

【００９５】 ［ステップ１］ 上記第１方法におけるステップ１〜ステップ６に従って、アセンブリ（１０）
を形成する。

【００９６】 ［ステップ２］ プレート（７０）を、エッチングレジスト層（９１０）とフォトクロミック層
（９２０）とによってコーティングする。

【００９７】 ［ステップ３］ アセンブリ（１０）を、２５０ｎｍという程度の波長を有したＵＶ放射によっ
て照射し、これにより、フォトクロミック層（９２０）を活性化させる。

【００９８】 ［ステップ４］ アセンブリ（１０）内のデバイス（４０）を駆動することによって、デバイス
（４０）から赤外放射ビーム（６０）を放出させる。ビーム（６０）は、プレー
ト（７０）および層（９１０）を通過し、層（９２０）のうちの、領域（６５）
に対応する局所領域へと到達する。その局所領域において、ビーム（６０）は、
層（９２０）を消光する。これにより、その局所領域を、外部から印加されたＵ
Ｖ照射に対して局所的に透過性とする。よって、その局所領域において、フォト
クロミック層（９２０）は、レジスト層（９１０）へとＵＶ放射を透過させる。
これにより、層（９２０）の局所領域に対応した部分においてのみ、レジスト層
（９１０）が軟化する。

【００９９】 ［ステップ５］ フォトクロミック層（９２０）を除去し、その後、適切な溶媒内においてエッ
チングレジスト層（９１０）を現像する。これにより、フォトクロミック層（９
２０）における先の局所領域に対応したところにエッチングウィンドウが得られ
る。

【０１００】 ［ステップ６］ 第１方法におけるステップ１１〜ステップ１５を行うことにより、凹所を形成
し、その後、光ファイバ（８０）のコア（８５）を凹所内に配置する。最後に、
ＵＶ硬化可能な透明接着剤を使用して、アセンブリ（１０）に対して光ファイバ
（８０）を固定する。

【０１０１】 第３方法は、暗室状況下における操作を不要とするという利点をもたらす。さ
らに、第３方法は、第１方法および第２方法よりも、単純なプロセスである。し
かしながら、この第３方法は、アセンブリ（１０）が、例えばデバイス（４０）
といったような発光デバイスを備えている場合にのみ適用できる方法である。

【０１０２】 上述したいくつかの実施形態およびいくつかの方法に対しては、本発明の範囲
を逸脱することなく、修正を行うことができる。例えば、層構成（１００）にお
いて、代替可能なタイプの感光乳剤層およびレジスト層を使用することができる
。上述した感光乳剤層（１４０）およびレジスト層（１３０）は、ネガとして機
能する。ポジとして機能する感光乳剤材料およびフォトレジスト材料を使用して
、ステップ９〜１０およびステップＣ〜Ｆを行うことができる。

【０１０３】 さらに、０．５μｍ厚さの窒化シリコン層を、レジスト層（１３０）とプレー
ト（７０）の外表面（１２０）との間に配置することができる。ステップ１０〜
１１およびステップＥ〜Ｆにおいては、レジスト層（１３０）内に形成されたウ
ィンドウは、窒化シリコン層へと、反応性イオンエッチングによってまたはリン
酸エッチング剤によって転写することができ、これにより、窒化シリコン層にも
同じウィンドウを形成することができる。窒化シリコン層は、異方性ウェットエ
ッチングや等方性ウェットエッチングに対して、有機レジスト層よりも有効なバ
リアを形成する。したがって、窒化シリコン層は、本発明による上記方法の実施
に際してレジスト層の耐性が問題視される場合には、組み込むべきである。

【０１０４】 アセンブリ（１０）は、発光デバイス（４０）または検出器デバイス（４００
）のいずれかを備えるものとして説明されているけれども、アセンブリ（１０）
は、発光デバイスと光検出器との双方を備えるものとすることができる。このよ
うな構成の場合には、プレート（７０）内に、位置合わせされた複数の凹所を形
成することができる。これら凹所は、例えばマイクロレンズといったような素子
を受領し得るような適切なサイズをなすように、エッチングすることができる。
この場合、各光ファイバは、対応する各レンズ上に当接して配置することができ
、各レンズは、それぞれ対応する凹所内の所定位置に正確に配置される。

【０１０５】 各凹所内にそれぞれコリメートレンズを備えている複数のアセンブリを、マト
リクスをなすようにして互いに組み立てることができ、これにより、光学的に相
互接続されたアレイを形成することができる。この場合のアセンブリは、コリメ
ートレンズを備えている点を除いては、アセンブリ（１０）と同様のものであっ
て、発光デバイス（４０）を備えているものとすることも、あるいは検出器デバ
イス（４００）を備えているものとすることも、あるいはこれら双方を備えてい
るものとすることも、できる。そのようなアレイは、通信システムにおいて、ま
た、例えば空気流通測定を行う場合に使用するためのシステムといったような光
を光学的に案内して距離計測を行うシステム（light optical directing and
raging system,ＬＩＤＡＲシステム）において、潜在的に有用である。

【０１０６】 上記において、アセンブリ（１０）に形成される凹所（２００，３００）内に
配置される光学レンズは、アセンブリ（１０）に対しての全体的に平行化された
入出力ビームのための成型レンズやボールレンズとすることができる。同様に、
レンズの焦点長さを選択することによって、収束ビームや発散ビームを形成する
ことができる。

【０１０７】 アセンブリ（１０，８００）においては、プレート（７０）は、シリコンから
形成されている。アセンブリ（１０，８００）の変形バージョンにおいては、こ
れに代えて、プレート（７０）を、ゲルマニウムや赤外透過性プラスチック材料
から形成することができる。

【０１０８】 レジスト層（１３０）は、このレジスト層の露光に際して、赤外放射から紫外
放射への直接的かつ非効率的な変換を行うことができる。同様に、周波数増倍層
（１５０）も、また、そのような非効率的な変換を行うことができる。製造時間
という観点から許容されるのであれば、層（１５０，１３０）のこのような特性
を活用することにより、少なくとも層（１４０）を不要とすることができ、これ
により、例えばステップ８，９，１０といったようなステップに関し、第１方法
におけるプロセスステップを簡略化することができる。そのような変換は、『３
個または４個のフォトンによる変換』として公知であり、赤外放射中の３個〜４
個のフォトンがレジスト層（１３０）または周波数増倍層（１５０）内において
吸収され、層内の電子を高エネルギー状態へと励起する。これら電子がそれぞれ
の基底状態へと戻る際に、いくつかの電子は、ＵＶフォトンの量子エネルギーに
対応する分だけ、エネルギー状態を変化させる。これにより、ＵＶフォトンが放
出される。その後、このようなＵＶフォトンが、レジスト層（１３０）内のレジ
ストの露光を引き起こすことができ、これにより、レジストの化学構造を局所的
に変更することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による方法に基づいてオプトエレクトロニクスアセンブリ
に対して位置合わせされた光ファイバを備えたオプトエレクトロニクスアセンブ
リを概略的に示す斜視図である。

【図２】 図１のアセンブリの製造に際して使用される層構成を示す断面図
である。

【図３】 図１において光ファイバを受領するためにアセンブリ内にエッチ
ング形成された位置合わせ凹所を示す斜視図である。

【図４】 図１における光ファイバのコアが図３の凹所内に配置された様子
を示す斜視図である。

【図５】 図１のアセンブリにおいて等方エッチング形成された凹所内に配
置された図１における光ファイバコアを示す断面図である。

【図６】 本発明による方法において使用するための装置構成を示す図であ
る。

【図７】 本発明による方法に基づく図６の装置構成において使用するため
の代替可能な投影器を示す図である。

【図８】 本発明による代替可能なアセンブリを示す図であって、この代替
可能なアセンブリに対して取り付けられる光ファイバに関する支持性の改良をも
たらし得るような凹所付きプレートを備えている。

【図９】 図１のアセンブリの製造時における様子を示す図であって、エッ
チングレジスト層とフォトクロミック層とが形成されている。

【符号の説明】

１０ アセンブリ（オプトエレクトロニクスアセンブリ） ４０ 発光デバイス（オプトエレクトロニクスデバイス） ６０ 放射ビーム ６５ 領域 ７０ プレート（壁、インターフェース手段） ８０ 光ファイバ（オプトエレクトロニクス素子、外部素子） ８５ コア（オプトエレクトロニクス素子、外部素子） １００ 層構成 １３０ レジスト層 １４０ 感光乳剤層（感光層） １５０ 周波数増倍層（周波数増倍手段） ２００ 凹所（位置合わせ特徴物） ３００ 凹所（位置合わせ特徴物） ４００ 検出デバイス（オプトエレクトロニクスデバイス） ５９０ 第２レーザー源（外部光源） ８１０ 接着剤の硬化領域（取付手段） ９１０ エッチングレジスト層 ９２０ フォトクロミック層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 オプトエレクトロニクスアセンブリ（１０）における位置合
   わせ方法であって、 前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１０）が、 １つまたは複数のオプトエレクトロニクスデバイス（４０，４００）と； 該１つまたは複数のオプトエレクトロニクスデバイス（４０，４００）と、前
   記アセンブリ（１０）の外部に位置するとともに前記デバイスと対応して１つま
   たは複数のものとされたオプトエレクトロニクス素子（８０，８５）と、の間の
   インターフェースをなすインターフェース手段（７０）と； を具備している場合において、 前記方法においては、 （ａ）前記インターフェース手段（７０）において、前記１つまたは複数のデバ
   イスからの放射を受けるまたは前記１つまたは複数のデバイスに対して放射を行
   う１つまたは複数の領域（６５）を規定するとともに、処理の目的のために該１
   つまたは複数の領域（６５）を区画し； （ｂ）前記アセンブリ（１０）内の前記１つまたは複数のデバイス（４０，４０
   ０）のそれぞれに対しての前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）の位置
   合わせを補助するように機能する１つまたは複数の位置合わせ特徴物（２００，
   ３００）を、前記１つまたは複数の領域（６５）のところに形成するように前記
   アセンブリ（１０）を処理し； （ｃ）前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）が、前記１つまたは複数の
   デバイス（４０，４００）のそれぞれに向けて放射を行い得るようまたは前記１
   つまたは複数のデバイス（４０，４００）のそれぞれからの放射を受領し得るよ
   う、前記各特徴物（２００，３００）に対して前記１つまたは複数の外部素子（
   ８０，８５）を位置合わせし； （ｄ）前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）を前記各特徴物（２００，
   ３００）に対して位置合わせした状態で前記アセンブリに対して前記１つまたは
   複数の外部素子（８０，８５）を取り付けるために、取付手段（８１０）を適用
   し、これにより、前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）が、前記アセン
   ブリ（１０）内のそれぞれ対応する前記１つまたは複数のデバイス（４０，４０
   ０）に対して光学的に位置合わせする； ことを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 前記ステップ（ａ）において、前記インターフェース手段（７０）が、前記ア
   センブリの壁を構成し、 該壁には、層構成（１００）が設けられ、 該層構成は、該層構成内に前記１つまたは複数の領域（６５）を規定し得るよ
   う、前記アセンブリ（１０）内の前記１つまたは複数のデバイス（４０）からの
   放射に感応し得るものとされ、 前記層構成（１００）をなす複数の層（１３０，１４０，１５０）が、前記ス
   テップ（ｂ）において前記１つまたは複数の特徴物（２００，３００）を形成す
   る際のテンプレートをもたらすことを特徴とする方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の方法において、 前記層構成が、 （ａ）前記壁（７０）に前記１つまたは複数の特徴物（２００，３００）を形成
   する際に前記壁（７０）に対しての処理可能性をもたらすためのエッチングレジ
   スト層（９１０）と； （ｂ）外部から印加された放射によって駆動され得るとともに、局所領域におい
   て前記１つまたは複数のデバイスから受領した放射に応答してその局所領域につ
   いては透過性をもたらし得るものとされた、フォトクロミック層（９２０）と；
   を備え、 これにより、外部から放射を印加することによって、前記１つまたは複数の特
   徴物（２００，３００）に対応する領域を前記レジスト層（９１０）において規
   定することができ、該レジスト層（９１０）が、前記１つまたは複数の特徴物（
   ２００，３００）を形成する際のテンプレートをもたらすことを特徴とする方法
   。
4. 【請求項４】 請求項２記載の方法において、 前記層構成（１００）が、前記アセンブリ（１０）内の前記１つまたは複数の
   デバイス（４０）から放出される放射の周波数を増倍させるための周波数増倍手
   段（１５０）を備え、 これにより、前記層構成（１００）をなす前記１つまたは複数の層内において
   前記１つまたは複数の領域（６５）を規定し得るよう、対応した比較的短波長の
   放射を生成することを特徴とする方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の方法において、 前記周波数増倍手段（１５０）が、前記１つまたは複数のデバイス（４０）か
   ら放出された比較的長波長の放射（６０）によって励起されたときに比較的短波
   長の放射を放出し得るリン酸チタニルカリウムを含有した周波数増倍層（１５０
   ）を有していることを特徴とする方法。
6. 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の方法において、 前記層構成（１００）が、前記アセンブリ内の前記１つまたは複数のデバイス
   （４０）から放出された放射に応答した前記周波数増倍手段（１５０）における
   周波数増倍作用に感応し得る感光層（１４０）を備え、 該感光層は、前記層構成の中のエッチングレジスト層に対して転写可能とされ
   た第１テンプレートを形成することができ、 前記エッチングレジスト層は、前記壁に前記１つまたは複数の特徴物（２００
   ，３００）を形成する際に前記壁に対しての処理可能性をもたらす第２テンプレ
   ートを形成することを特徴とする方法。
7. 【請求項７】 請求項２記載の方法において、 前記層構成（１００）が、前記アセンブリ内の前記１つまたは複数のデバイス
   から放出された放射に対して感応し得るものとされた感光層を備え、 該感光層は、前記層構成の中のエッチングレジスト層に対して転写可能とされ
   た第１テンプレートを形成することができ、 前記エッチングレジスト層は、前記壁に前記１つまたは複数の特徴物（２００
   ，３００）を形成する際に前記壁に対しての処理可能性をもたらす第２テンプレ
   ートを形成することを特徴とする方法。
8. 【請求項８】 請求項１記載の方法において、 前記ステップ（ａ）において、前記インターフェース手段（７０）が、前記ア
   センブリの壁を構成し、 該壁（７０）には、層構成（１００）が設けられ、 該層構成は、該層構成内に前記１つまたは複数の領域（６５）を規定し得るよ
   う、前記アセンブリ（１０）の外部に配置された外部光源（５９０）からの放射
   に感応し得るものとされ、 この場合、外部光源（５９０）からの放射は、この放射を、前記アセンブリ（
   １０）内の前記１つまたは複数のデバイス（４００）が受光することによって、
   位置合わせされ、 前記層構成（１００）をなす複数の層（１３０，１４０）が、前記ステップ（
   ｂ）において前記１つまたは複数の特徴物（２００，３００）を形成する際のテ
   ンプレートをもたらすことを特徴とする方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の方法において、 前記層構成が、レジスト層（１３０）を備え、 前記アセンブリに向けての前記外部光源が、ＵＶ放射を放出するものとされる
   とともに、前記レジスト層（１３０）内において直接的に前記１つまたは複数の
   領域（６５）を規定することができ、 前記レジスト層（１３０）が、前記ステップ（ｂ）において前記１つまたは複
   数の特徴物（２００，３００）を形成する際のテンプレートをもたらすことを特
   徴とする方法。
10. 【請求項１０】 請求項８記載の方法において、 前記層構成（１００）が、前記外部光源（５９０）から放出された放射に対し
    て感応し得るものとされた感光層（１４０）を備え、 該感光層は、前記層構成（１００）の中のエッチングレジスト層（１３０）に
    対して転写可能とされた第１テンプレートを形成することができ、 前記エッチングレジスト層（１３０）は、前記壁（７０）に前記１つまたは複
    数の特徴物（２００，３００）を形成する際に前記壁（７０）に対しての処理可
    能性をもたらす第２テンプレートを形成することを特徴とする方法。
11. 【請求項１１】 請求項６，７，または，１０記載の方法において、 前記エッチングレジスト層（１３０）を、ＵＶ感応性有機レジスト層を有した
    ものとすることを特徴とする方法。
12. 【請求項１２】 請求項６，７，または，１０記載の方法において、 前記エッチングレジスト層を、ＵＶ感応性有機レジスト層と、窒化シリコン層
    と、を有したものとし、 前記窒化シリコン層に対しては、前記有機レジスト層（１３０）内の前記第２
    テンプレートを転写することにより、前記窒化シリコン層内に第３テンプレート
    を形成し、 該第３テンプレートを通して、前記１つまたは複数の特徴物（２００，３００
    ）を形成することを特徴とする方法。
13. 【請求項１３】 請求項１記載の方法において、 前記ステップ（ａ）において、前記インターフェース手段が、前記アセンブリ
    （１０）の壁（７０）を構成し、 該壁（７０）には、層構成（１００）が設けられ、 該層構成は、該層構成（１００）内に前記１つまたは複数の領域（６５）を規
    定し得るよう、前記アセンブリ（１０）の外部に配置された外部光源（５９０）
    からの放射に感応し得るものとされ、 前記アセンブリ（１０）には、該アセンブリ（１０）の外部において検出可能
    とされた放射を放出する第２放射源を備え、該第２放射源からの放射は、前記外
    部光源（５９０）からの放射を案内するために使用され、 前記層構成（１００）をなす複数の層（１３０，１４０）が、前記ステップ（
    ｂ）において前記１つまたは複数の特徴物（２００，３００）を形成する際のテ
    ンプレートをもたらすことを特徴とする方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の方法において、 前記層構成を、１つまたは複数の層を有したものとすることを特徴とする方法
    。
15. 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかに記載の方法において、 異方性ウエットエッチングと等方性ウエットエッチングとドライプラズマエッ
    チングとドライ反応性イオンエッチングとの中の１つまたはいくつかを使用する
    ことによって、前記特徴物を形成することを特徴とする方法。
16. 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれかに記載の方法において、 前記１つまたは複数の特徴物を、前記アセンブリ内の前記１つまたは複数のデ
    バイス（４０，４００）のそれぞれに対して位置合わせするために前記１つまた
    は複数の外部素子（８５）が内部に配置される凹所（２００，３００）とするこ
    とを特徴とする方法。
17. 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかに記載の方法において、 前記１つまたは複数のデバイス（４０，４００）と、前記アセンブリ（１０）
    に対して取り付けられる１つまたは複数の光ファイバと、の間において放射に関
    しての結合を行い得るよう、前記１つまたは複数の特徴物内に配置可能とされた
    １つまたは複数のレンズを、前記１つまたは複数の外部素子に設けることを特徴
    とする方法。
18. 【請求項１８】 請求項２〜１７のいずれかに記載の方法において、 前記壁（７０）を、赤外放射に対して透過性の材料から形成することを特徴と
    する方法。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載の方法において、 前記材料を、シリコンとゲルマニウムと赤外透過性プラスチック材料との中の
    １つまたはいくつかのものとすることを特徴とする方法。
20. 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかに記載の方法において、 前記取付手段（８１０）を、実質的に透明なＵＶ硬化可能な接着剤とすること
    を特徴とする方法。
21. 【請求項２１】 請求項１に記載された方法によって形成されたアセンブリ
    であって、 ハウジング内に収容された１つまたは複数のオプトエレクトロニクスデバイス
    （４０，４００）を具備し、 前記ハウジングが、壁（７０）の形態とされたインターフェース手段（７０）
    を備え、 前記壁（７０）が、前記１つまたは複数のデバイス（４０，４００）のそれぞ
    れに対して前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）を位置合わせし得るよ
    う、前記１つまたは複数の外部素子（８０，８５）を配置可能とされた１つまた
    は複数の特徴物（２００，３００）を有していることを特徴とするアセンブリ。
22. 【請求項２２】 請求項２１記載のアセンブリにおいて、 前記壁（７０）が、＜１００＞カット単結晶シリコンから形成されていて、前
    記１つまたは複数の外部素子（８５）を配置可能とされた前記１つまたは複数の
    特徴物（２００）をもたらすために前記壁（７０）内にピラミッド状凹所（２０
    ０）を形成し得るよう、異方性ウェットエッチング可能なものとされていること
    を特徴とするアセンブリ。
23. 【請求項２３】 請求項２１または２２記載のアセンブリにおいて、 前記１つまたは複数の特徴物に対して、１つまたは複数のプラスチック成型レ
    ンズまたはボールレンズが配置され、 該レンズに対して光ファイバが取り付けられ、 前記レンズは、前記１つまたは複数のデバイスと、前記レンズに対して取り付
    けられた光ファイバと、の間における放射結合を増強することができることを特
    徴とするアセンブリ。
24. 【請求項２４】 請求項２１，２２，または，２３記載のアセンブリ（８０
    ０）において、 前記壁（７０）が、前記ハウジングの内方位置に配置され、 これにより、前記アセンブリ（８００）に対して前記１つまたは複数の外部素
    子（８０，８５）を固定するに際して、前記ハウジングのうちの、前記取付手段
    （８１０）を適用し得る露出表面積が大きなものとされていることを特徴とする
    アセンブリ。
25. 【請求項２５】 請求項２１，２２，２３，または，２４記載のアセンブリ
    において、 前記１つまたは複数の外部素子が、１つまたは複数の光ファイバ（８０）を備
    え、 各光ファイバが、クラッドから突出したコア（８５）を有し、 該コアが、前記１つまたは複数の特徴物内に配置されるものとされていること
    を特徴とするアセンブリ。
26. 【請求項２６】 請求項２１〜２５のいずれかに記載されたアセンブリから
    構成されたアレイであって、 各アセンブリから平行ビームを放射し得るようまたは各アセンブリが１つまた
    は複数の平行ビームを受領し得るよう、アレイをなす各アセンブリが、コリメー
    タレンズを備えていることを特徴とするアレイ。
27. 【請求項２７】 請求項２６記載のアレイにおいて、 平行化された１つまたは複数の放射ビームを使用することによって、アレイを
    なす複数のアセンブリが、光学的に相互接続されていることを特徴とするアレイ
    。