JP2003514056A - ポリカーボネート基体 - Google Patents

ポリカーボネート基体

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、ポリカーボネート基体、および特に高純度でしかも極度に高い表面輝度を有する成形部材の製造におけるその使用に関する。本発明は、また、本発明のポリカーボネート基体から製造される成形部材に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、ポリカーボネート基体、および特に高純度でかつ極めて高い表面輝
度(brilliance)を有する成形部材を製造するための前記ポリカーボネート基体の
使用、および前記ポリカーボネート基体から製造される成形部材を提供する。
【0002】 特に自動車両やヘッドライトのための透明板ガラス、いわゆる二重シートまた
は中空チャンバーシートまたは充実シート等の他の種類の透明板ガラスなどの特
定の成形部材には、高純度のポリカーボネートが必要とされている。
【0003】 ポリカーボネートは、いわゆる相境界法により調製される。前記方法では、ジ
ヒドロキシジアリールアルカンをそのアルキル金属塩の形態で、ホスゲンと、水
酸化ナトリウム溶液などの無機塩基や、生成物であるポリカーボネートが非常に
溶解し易い有機溶媒の存在下、不均一な相中で反応させる。反応中、水相は、有
機相内に分散されており、そして反応後、ポリカーボネーを含む有機相を、水性
の液体(特に電解質を除去したもの)で洗浄し、次いで洗浄液を分離する。
【0004】 前記ポリカーボネートを含む溶液を洗浄するために、欧州特許出願公開第A-26
4885号公報には、水性洗浄液をポリカーボネート溶液と撹拌混合し、そして遠心
分離により水相を分離することが提案されている。
【0005】 特開平07-196783号公報には、好ましい色特性を発現するために、使用される
水酸化ナトリウム溶液中の鉄濃度を2ppm以下にする、ポリカーボネートの製
造方法が開示されている。
【0006】 本発明の課題は、純粋なポリカーボネート基体の代替の改良された製造方法の
提供、および特に高純度でかつ高い表面輝度を有するポリカーボネート成形部材
の提供である。
【0007】 驚くべきことに、特に高純度でかつ高い表面輝度を有するポリカーボネート成
形部材が、特定の方法で製造されたポリカーボネート基体から得られることが分
かった。
【0008】 従って、本出願は、相境界法によるポリカーボネートの製造方法により得られ
る低い濃度の異種粒子を有するポリカーボネート基体、および該ポリカーボネー
トから製造される高い表面輝度のポリカーボネート成形部材を提供するものであ
って、前記製造方法は、供給材料から成る群のうち、少なくとも供給原料である
水酸化ナトリウム溶液は、非常に少量のFe、Cr、Ni、Zn、Ca、Mg、
Alまたはそれらの化学同族体を含有することを特徴とするものである。
【0009】 すなわち、本出願は、ジヒドロキシジアリールアルカンをそのアルキル金属塩
の形態で、ホスゲンと、水酸化ナトリウム溶液および有機溶媒の存在下、不均一
な相中で反応させる、相境界法によるポリカーボネートの製造方法であって、 a)供給原料の金属Fe、Cr、Ni、Zn、Ca、Mg、Alまたはそれらの化
学同族体含量が乏しく、 b)有機溶媒を分離し、そして c)得られたポリカーボネートを精製する ことを特徴とする、相境界法によるポリカーボネートの製造方法を提供する。
【0010】 本発明に関し、前記金属またはその化学同族体含量が乏しいとは、合計金属、
特に前記金属およびその同族体が好ましくは2ppm以下、より好ましくは1p
pm以下、特に好ましくは0.5ppm以下、更に好ましくは0.2ppm以下
の量で供給原料に含まれていることを意味する。この限界値は、アルカリ金属に
は適用しない。
【0011】 供給原料である水酸化ナトリウム溶液の前記金属含量は、好ましくは乏しくて
よい。特に、100重量%強のNaOH濃度に関し、水酸化ナトリウム溶液は、
1ppm以下、好ましくは0.5ppm以下、より好ましくは0.3ppm以下
のアルカリ土類金属またはその同族体を含有していてよい。特に、100重量%
強NaOH濃度に関し、供給原料である水酸化ナトリウム溶液は、鉄を1ppm
以下、有利には0.5ppm以下、好ましくは0.1ppm以下含有していてよ
い。
【0012】 水酸化ナトリウム溶液は、好ましくは本発明の方法において20〜55重量%
強、特に好ましくは30〜50重量%強の溶液として使用される。
【0013】 前記限定値の水酸化ナトリウム溶液は、文献公知のメンブラン法により得られ
る。
【0014】 好ましい態様において、水酸化ナトリウム溶液に加えて、供給原料であるビス
フェノール、特にビスフェノールおよび水、更に好ましくはビスフェノール、水
および有機溶媒は、金属含量が乏しく、特にFe、Cr、Ni、Zn、Ca、M
g、Alまたはこれらの化学同族体の含量が少ない。
【0015】 ナトリウムビスフェノラート(溶液)を、水酸化ナトリウム溶液とビスフェノ
ールから予め調製する態様も包含される。
【0016】 金属含量が少ない前記供給原料は、好ましい態様では、溶媒を蒸留して、ビス
フェノールを結晶化し、好ましくはビスフェノールを数回結晶化または蒸留し、
そして完全に脱イオン化した品質の水を用いることにより得られる。
【0017】 完全な脱イオン水は、好ましくは脱塩、脱気および/または脱珪化される。導
電率(水中に未だ微量に含まれている塩に起因する無機物質についての合計パラ
メータ)を品質基準として用いる。その点で、本発明の方法では、完全な脱イオ
ン水は、導電率(DIN38404C8)0.2μS/cmおよびSiO濃度(V
GB3.3.1.1)0.02mg/kg、あるいはこれらの値以下の値を有する。
【0018】 完全な脱イオン水中の溶存酸素濃度は、有利には、1ppm以下、好ましくは
100ppb以下である。この酸素濃度は、全ての出発物質および工程において
好ましく適用される。
【0019】 更に好ましい態様では、供給原料から成る群のうち、少なくとも水酸化ナトリ
ウム溶液、好ましくは更にビスフェノールも、特に好ましくは水酸化ナトリウム
溶液、ビスフェノールおよび水、最も好ましくは水酸化ナトリウム溶液、ビスフ
ェノール、水および有機溶媒を、一回、好ましくは2回、特に好ましくは3回、
段階を追って、反応開始前に濾過する。
【0020】 本発明は、ジヒドロキシジアリールアルカンをそのアルキル金属塩の形態で、
ホスゲンと、水酸化ナトリウム溶液および有機溶媒の存在下、不均一な相中で反
応させる、相境界法によるポリカーボネートの製造方法であって、 a)供給原料の金属Fe、Cr、Ni、Zn、Ca、Mg、Alまたはこれらの化
学同族体含量が乏しく、 b)反応中に生成される水相を分離し、そして分離されたポリカーボネート有機相
を水性の液体で洗浄し、そして c)洗浄されかつ洗浄液から分離されたポリカーボネート有機相を、任意に濾過後
、加熱して、少なくとも一回熱濾過し、 d)有機溶媒を分離し、そして e)得られたポリカーボネートを精製する ことを特徴とする、相境界法によるポリカーボネートの製造方法も提供する。
【0021】 好ましい態様において、工程d)では、反応混合物を反応直後に濾過し、および
/または生成されかつ分離されたポリカーボネート有機相を濾過し、および/ま
たは工程e)では、分離されたポリカーボネート有機相を濾過する。
【0022】 好ましくは、前記濾過手順のうち少なくとも2種、特に前記濾過手順3種全て
を行う。
【0023】 好ましい態様において、特に熱濾過する場合、混合物は、少なくとも一回、好
ましくは2回、特に好ましくは少なくとも3回、特に段階を追って、濾過する。
段階を追って濾過する場合、最初は目の粗いフィルターを使用し、次いで、より
微細なフィルターで置き換える。工程d)での2相媒体のための濾過手順は、好ま
しくは、目の粗い方のフィルターで行う。
【0024】 工程e)では、より小さな細孔寸法のフィルターを熱濾過に使用する。この場合
、ポリカーボネート相は、できるかぎり均一な溶液として存在することが重要で
ある。このことは、一般には水性洗浄液の残りをまだ含有するポリカーボネート
有機相を加熱することで達成される。洗浄液はその後、溶解されて、透明な溶液
が得られる。予め溶解されている汚染物質、特に溶解されたアルカリ金属塩は、
沈殿させて、濾別することができる。
【0025】 均一な溶液を達成するために、前記方法に加えて、周知の凝結法(freezing ou
t method)を使用してもよい。
【0026】 本発明の濾過を行うために、メンブランフィルターおよび焼結金属フィルター
またはバッグフィルターをフィルターとして使用してもよい。フィルターの細孔
寸法は、一般には0.01〜5μm、好ましくは0.02〜1.5μm、より好
ましくは0.05〜1.0μmである。この種のフィルターは、例えば、ポール
・ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング、D−63363、ドライ
アイヒから、およびクレープスベーゲ・ゲゼルシャフトミットベシュレンクテル
ハフツング、D−42477、ラーデフォルムヴァルド(SIKA-R CU1ASタイプ)
から市販されている。
【0027】 本発明の方法では、組み合わせにより、大いに改良されたフィルター寿命が得
られる。
【0028】 他の工程を行うことは、一般に周知である。そのため、水相は、反応中、有機
相内に乳化される。その結果、異なる寸法の液滴が生成される。反応後、ポリカ
ーボネートを含む有機相は、通常、水性の液体で数回洗浄され、そして各洗浄工
程後に、水相からできる限り分離される。洗浄は、好ましくは非常に微細なフィ
ルターで濾過された、金属含量の非常に少ない水を用いて行われる。ポリマー溶
液は、通常、洗浄および洗浄液の分離後、濁っている。使用される洗浄液は、水
性の液体、触媒を分離するためのHClまたはHPOなどの希薄無機酸、そ
して更に精製するための完全な脱イオン化された水である。洗浄液中のHClま
たはHPOの濃度は、例えば、0.5〜1.0重量%であってよい。有機相
は、例えば、5回好ましく洗浄される。
【0029】 十分に認可された分液漏斗、相分離器、遠心分離器またはコアレッサー、また
はこれら装置の組み合わせを、相分離装置として用いて、洗浄液を有機相から分
離してよい。
【0030】 溶媒を蒸発させて、高純度のポリカーボネートを得る。蒸発は、数段階で行わ
れてよい。本発明の更に好ましい態様によれば、溶媒またはある種の溶媒は、噴
霧乾燥により除去される。これにより、高純度のポリカーボネートが粉末として
得られる。同様の結果は、有機溶液からの沈降により高純度のポリカーボネート
を回収した後、残りを乾燥により除去することでも得られる。例えば押出しは、
残留溶媒を蒸発させるのに好適な手段である。押出し−蒸発法はもう一つの手段
である。
【0031】 供給原料として好ましく用いられる化合物は、一般式HO−Z−OHで表され
るビスフェノールである。ここで、Zは、炭素原子数6〜30の有機基であって
、1種以上の芳香族基を含有する。前記化合物の例としては、ジヒドロキシジフ
ェニル、ビス(ヒドロキシフェニル)アルカン、インダンビスフェノール、ビス(
ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(ヒド
ロキシフェニル)ケトンおよびα,α'-ビス(ヒドロキシフェニル)ジイソプロピル
ベンゼンの群に属するビスフェノールが挙げられる。
【0032】 前記の化合物群に属する特に好ましいビスフェノールは、2,2-ビス-(4-ヒドロ
キシフェニル)-プロパン(BPA/ビスフェノール-A)、テトラアルキルビス
フェノール-A、4,4-(メタ-フェニレンジイソプロピル)-ジフェノール(ビスフ
ェノールM)、1,1-ビス-(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキ
サノン、および任意にこれらの混合物である。特に好ましいコポリカーボネート
は、ビスフェノール-Aモノマーおよび1,1-ビス-(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5
-トリメチルシクロヘキサンをベースとするものである。本発明により、使用さ
れるビスフェノール化合物は、炭酸化合物、特にホスゲンと反応させる。
【0033】 ポリエステルカーボネートは、前述のビスフェノールを、少なくとも1種の芳
香族ジカルボン酸、および任意に二酸化炭素と反応させることにより得られる。
好適な芳香族ジカルボン酸の例は、オルトフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸、3,3'-または4,4'-ジフェニルジカルボン酸、およびベンゾフェノンジカルボ
ン酸である。
【0034】 前記工程で使用される不活性な有機溶媒の例は、ジクロロメタン、種々のジク
ロロエタンおよびクロロプロパン化合物、クロロベンゼンおよびクロロトルエン
である。ジクロロメタンおよびジクロロメタンの混合物、およびクロロベンゼン
が好ましく使用される。
【0035】 反応は、3級アミン、N-アルキルピペリジンまたはオニウム塩などの触媒に
よって促進され得る。トリブチルアミン、トリエチルアミンおよびN-エチルピ
ペリジンが好ましく使用される。フェノール、クミルフェノール、p-tert-ブチ
ルフェノールまたは4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)フェノールなどの単官能フ
ェノールを、連鎖停止剤および分子量制御剤として使用してよい。枝分かれ剤と
しては、例えばイサチン−ビスクレゾールが使用され得る。
【0036】 高純度のポリカーボネートを調製するために、ビスフェノールを水性アルカリ
相、好ましくは水酸化ナトリウム溶液に溶解する。コポリカーボネートを製造す
るのに任意に必要とされる連鎖停止剤は、ビスフェノール1モルにつき1.0〜
20.0モル%の量で、水性アルカリ相中に溶解するか、あるいはそれ自体を不
活性な有機相中に添加する。次いで、ホスゲンを、反応成分の残りを含むミキサ
ーに入れて、重合を行う。
【0037】 場合により使用される連鎖停止剤は、モノフェノールか、あるいはモノカルボ
ン酸である。好適なモノフェノールは、フェノールそのもの、クレゾール、p-te
rt-ブチルフェノール、p-クミルフェノール、p-n-オクチルフェノール、p-イソ
オクチルフェノール、p-n-ノニルフェノールおよびp-イソノニルフェノールなど
のアルキルフェノール、p-クロロフェノール、2,4-ジクロロフェノール、p-ブロ
モフェノールおよび2,4,6-トリブロモフェノールなどのハロフェノール、および
これらの混合物である。
【0038】 好適なモノカルボン酸は、安息香酸、アルキル安息香酸およびハロ安息香酸で
ある。
【0039】 好ましい連鎖停止剤は、下記の式(I)で表されるフェノールである。
【化1】 ここで、Rは、水素、tert-ブチル、または分枝もしくは非分枝のCおよび
/またはCアルキル基である。
【0040】 好ましい連鎖停止剤は、フェノールおよびp-tert-ブチルフェノールである。
【0041】 使用される連鎖停止剤の量は、用いられるジフェノールのモル数と関連して、
0.1モル%〜5モル%である。連鎖停止剤の添加は、ホスゲン化の前、間また
は後で行われてよい。
【0042】 場合により、枝分かれ剤を前記反応に加えてもよい。好ましい枝分かれ剤は、
ポリカーボネート化学から公知の3官能以上の化合物であって、特にフェノール
性OH基を3個以上有するものである。
【0043】 枝分かれ剤の例は、好ましくはフロログルシン、4,6-ジメチル-2,4,6-トリ-(4
-ヒドロキシフェニル)-ヘプト-2-エン、4,6-ジメチル-2,4,6-トリ-(4-ヒドロキ
シフェニル)-ヘプタン、1,3,5-トリ-(4-ヒドロキシフェニル)-ベンゼン、1,1,1-
トリ-(4-ヒドロキシフェニル)-エタン、トリ-(4-ヒドロキシフェニル)-フェニル
メタン、2,2-ビス-[4,4-ビス-(4-ヒドロキシフェニル)-シクロヘキシル]-プロパ
ン、2,4-ビス-(4-ヒドロキシフェニル-イソプロピル)-フェノール、2,6-ビス-(2
-ヒドロキシ-5'-メチルベンジル)-4-メチルフェノール、2-(4-ヒドロキシフェニ
ル)-2-(2,4-ジヒドロキシフェニル)-プロパン、ヘキサ-(4-(4-ヒドロキシフェニ
ル-イソプロピル)-フェニル)-オルトテレフタル酸のエステル、テトラ-(4-ヒド
ロキシフェニル)-メタン、テトラ-(4-(4-ヒドロキシフェニル-イソプロピル)-フ
ェノキシ)-メタン、および1,4-ビス-(4',4'',-ジヒドロキシトリフェニル)-メチ
ル)-ベンゼン、更には2,4-ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌール酸
クロライドおよび3,3-ビス-(3-メチル-4-ヒドロキシフェニル)-2-オキソ-2,3-ジ
ヒドロインドールである。
【0044】 場合により用いられる枝分かれ剤の量は、用いられるジフェノールのモル数に
関連して、0.05モル%〜2モル%である。
【0045】 枝分かれ剤は、水性アルカリ相にジフェノールおよび連鎖停止剤と共に最初に
導入されても、あるいはホスゲン化の前に、有機溶媒に溶解して添加されてもよ
い。
【0046】 ポリカーボネート中の炭酸エステル(carbonate)基の幾つか、80モル%まで
、好ましくは20〜50モル%を芳香族ジカルボン酸エステル基で置き換えても
よい。
【0047】 本発明のポリカーボネートは、ホモポリカーボネートまたはコポリカーボネー
ト、およびそれらの混合物である。本発明のポリカーボネートは、芳香族ポリエ
ステルカーボネート、または芳香族ポリエステルカーボネートとの混合物中に含
まれるポリカーボネートであってよい。ポリカーボネートという表現は、本発明
の方法によって得られるポリカーボネート基体を表すものとみなされる。
【0048】 本発明のポリカーボネートは、平均分子量Mw(ジクロロメタン中での25℃
における相対粘度をジクロロメタン100mL中ポリカーボネート0.5gの濃
度で測定することにより求められるもの)12,000〜400,000、好まし
くは23,000〜80,000、特に24,000〜40,000を有する。
【0049】 本発明の高純度のポリカーボネートから製造され得る本発明の成形部材は、特
に、自動車両およびヘッドランプ用の透明板ガラス、温室用などの他の種類の透
明板ガラス、いわゆる二重シートまたは中空チャンバーシートまたは充実シート
である。前記の成形部材は、例えば、射出成形法、押出成形法および押出ブロー
成形法などの公知の方法により、本発明のポリカーボネートを用いて製造される
【0050】 本発明のポリカーボネートから製造される成形部材は、200μmの押出され
たフィルム上で測定される欠陥の数が特に少なく、1m当たり250個以下、
好ましくは150個以下である。
【0051】 特に充実シートや二重シート用の本発明の成形部材の利点は、極めて少数の光
学的に検出され得る表面欠陥と、その優れた輝度である。
【0052】 特にディスクおよびヘッドランプディフューザー用の本発明の成形部材のもう
一つの利点は、長期耐久性と関連した、0.5%以下、特に0.4%以下の低い
曇りである。
【0053】 以下の実施例を用いて、本発明を説明する。本発明は、これら実施例に限定さ
れない。
【0054】実施例 実施例1 ポリカーボネートを調製するために、BPA(BPAは溶融物として水酸化ナ
トリウム溶液と連続して接触させたる)を、酸素を排除して水酸化ナトリウムと
混合する。使用される水酸化ナトリウム溶液は、種々の濃度と純度を有する(表
1参照)。ここでは、元となる水酸化ナトリウム溶液を、ビスフェノールを溶解
するために、濾過した完全な脱イオン水を用いて6.5%強の水酸化ナトリウム
まで更に希釈する。このナトリウムビスフェノラート溶液は、濾過して(0.6
μaフィルター)、ポリカーボネート反応に使用する。反応後、反応溶液を1.
0μnomバッグフィルターで濾過して、洗浄手順に移す。ここで、前記混合物
は、0.6%強の塩酸で洗浄した後、濾過した完全な脱イオン水を用いて更に5
回、後洗浄する。有機溶液を、この水性溶液から分離して、有機溶液を55℃に
加熱した後、最初は0.6μaフィルターで濾過し、次いで0.2μaフィルタ
ーで濾過する。単離後、ポリ-2,2-ビス-(4-ヒドロキシフェニル)-プロパン-カー
ボネートが得られる。得られたポリカーボネートの平均分子量Mwは、31,0
00である。
【0055】
【表1】
【0056】 種々のフィルターの所在についてのフィルター寿命はそれぞれ以下の通りであ
る。
【表2】
【0057】 試験1〜3からの水酸化ナトリウム溶液を用いて調製したポリカーボネートか
らフィルムを押出成形して、それらを以降に記載する公知の方法を用いたフィル
ムレーザ探査試験に付す。
【0058】 押出成形フィルムは、厚さ200μmおよび幅60mmである。He/Neレ
ーザ(「スポット径」0.1mm)は、フィルムをスキャン振動数5000Hz
で幅を横断し、そして移動速度5m/秒で長手方向に走査する。(直径0.10
mmから上方へ)透過したレーザビームの散乱を生じる欠陥を全て、光電子増倍
管で検出し、そしてソフトウェアーパッケージを用いてカウントする。ポリカー
ボネート1kg当たりのまたはフィルム1m当たりの光学欠陥の数は、前記フ
ィルムの表面品質およびPCの純度の測度である。
【0059】
【表3】
【0060】 種々の品質のポリカーボネートから、カラー試料小平板が製造される。カラー
試料小平板は、ASTM D1003に準拠して、様々な曇り値を有していたが、試
験番号3の水酸化ナトリウム溶液から調製したポリカーボネートを用いて製造し
たカラー試料小平板(4mm厚)が、特に低い曇り値0.38%を有していた。
このことは、透明板ガラス/ヘッドランプディフューザーとして使用されたとき
に、光散乱の乱反射をより少なくする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM ,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH, GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS ,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN, MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM ,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN, YU,ZA,ZW (72)発明者 シュテフェン・キューリング ドイツ連邦共和国デー−40670メーアブッ シュ、ゴッヒャー・ヴェーク5番 (72)発明者 フランキー・ブラインセールス ベルギー、ベー−9170シント−ヒリス−ワ ース、オウデ・モレンストラート9ヘー番 (72)発明者 ディルク・ファン・メイルフェンネ タイ20250チョンブリ、ソイ・ターン−ヌ ム−ジャイ、ムー2、23/99番、ブルー・ ラグーン・ハウス・エル5 (72)発明者 レネ・デ・クレイン ベルギー、ベー−2990ウーストウェゼル、 クライスウェッヒ30番 Fターム(参考) 4F071 AA50 AF32Y AH19 BB05 BB06 BC01 BC10 BC13 BC17 4J029 AA09 AB04 AD10 AE03 AE04 AE18 BB13 HC01 KE11 KH05 LB05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 200μm押出成形フィルムで測定される欠陥濃度が1m 当たり250個以下であるポリカーボネート基体。
  2. 【請求項2】 200μm押出成形フィルムで測定される欠陥濃度が1m 当たり150個以下であるポリカーボネート基体。
  3. 【請求項3】 ポリカーボネート成形部材を製造するための請求項1または
    2記載のポリカーボネート基体の使用。
  4. 【請求項4】 請求項1または2記載のポリカーボネート基体を出発基体と
    して用いる、欠陥の数が少ないポリカーボネート成形部材の製造方法。
  5. 【請求項5】 200μm押出成形フィルムで測定される欠陥の数が1m 当たり250個以下である、ポリカーボネートから製造される成形部材。
  6. 【請求項6】 曇り値0.5%以下を有する請求項5記載の成形部材。
  7. 【請求項7】 200μm押出成形フィルムで測定される欠陥の数が1m 当たり250個以下および曇り値が0.5%以下であるポリカーボネートを用い
    て製造されるディスク。
  8. 【請求項8】 200μm押出成形フィルムで測定される欠陥の数が1m 当たり250個以下および曇り値が0.5%以下であるポリカーボネートを用い
    て製造されるシート。
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