JP2003512730A - ライン幅を狭められたシードビームを有する単一チャンバ式のガス放電レーザ - Google Patents

ライン幅を狭められたシードビームを有する単一チャンバ式のガス放電レーザ

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Abstract

(57)【要約】 少なくとも毎秒１０００パルスの繰返数で放電を発生するためのパルス電源を有する単一チャンバ式のガス放電レーザシステム。放電は、レーザ光学器械と共に、２つの持続期間の短いゲイン手段を生成し、一方はシードビームを生成するためのものであり、他方は、該シードビームを増幅するためのものである。チャンバの循環パスに沿ってレーザガスが循環され、電極（１８Ａ）及び放電は、ゲイン手段の一方から生じるデブリが、放電時に、チャンバの循環パスの少なくとも９０％の周りを廻るまでは、該デブリが他方のゲイン手段に循環しないように配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、ガス放電レーザシステムに関し、詳細には、波長選択のためのシー
ドビームを有するガス放電レーザシステムに関する。
【０００２】 （背景技術） 多くのガス放電レーザの固有帯域幅は比較的広く、その様なレーザの多くの用
途では、非常に狭い帯域幅を必要とする。例えば、高度技術水準の集積回路リソ
グラフィーシステムでは、帯域幅がその固有帯域幅である約３００ピコメートル
（ｐｍ）から１．０ｐｍより小さくなるまで小さくされたＫｒＦエキシマレーザ
を利用する。
【０００３】 図１は、集積回路リソグラフィー光源として現在使用されているＫｒＦエキシ
マレーザのレーザ室の断面を示している。図２Ａ及び図２Ｂは、レーザシステム
の一部の組合せブロック線図及び概略図である。３気圧のレーザガス（本ケース
では、約１．０％のクリプトン、０．１％のフッ素、及び残りがネオンの混合物
）が、チャンバ１０に入れられ、ファン５０によって、ミリ秒当たり約２センチ
メートル（ｃｍ）の速度で、熱交換器１１を越えて細長い電極１８及び２０の間
を循環される。ゲイン手段は、高電圧放電（約１６，０００から２０，０００ボ
ルト）によって電極間に形成され、該高電圧放電は、２８個の０．５９ナノファ
ラド（ｎｆ）のコンデンサ１９からなるピーキング・コンデンサバンクによって
、例えば１０００ヘルツ（Ｈｚ）のパルス繰返数で加えられる。電極及びピーキ
ング・コンデンサバンクは、高電圧パルス電力システムの最終段階であり、該高
電圧パルス電力システムは、標準２３０ボルトの交流電源のような標準的なプラ
ント電力システムから高電圧パルス放電エネルギーを供給する。このタイプのレ
ーザは、本明細書に参考文献として組み込まれている、米国特許第４，９５９，
８４０号を含む幾つかの特許に詳細に記載されている。これらのレーザの高電圧
電源は、約５０ナノ秒（ｎｓ）の持続時間をもつ高電圧パルスを生成する磁気圧
縮回路を利用する。その様な回路の１つは、本明細書に参考文献として組み込ま
れている、米国特許第５，９３６，９８８号に記載されている。高電圧は、高電
圧バス２３から陰極支持棒５３に至る１５本の真鍮高電圧フィード棒２１を通し
て陰極１８へと伝えられる。陽極２０は、陽極支持棒４４に取り付けられ、該陽
極支持棒４４は、ガス流に殆ど影響を与えないロッドからなる接地ケージ５２を
使用して接地されている。この実施形態においては、レーザガス流は、Ａｌ2Ｏ3 絶縁材料によって構成される流れ制御ベーン４６、４７、及び流れリストリクタ
４９によって導かれる。
【０００４】 この従来技術のレーザシステムにおいては、２つのプレイオナイザ５６によっ
てプレイオン化が行われる。これら多くの高度技術ＫｒＦエキシマレーザのライ
ン幅を狭めることは、ライン幅狭めパッケージ（ＬＮＰ）１５を使用して行われ
、該ライン幅狭めパッケージ（ＬＮＰ）は、図２Ａに示されているような、リト
ロー構成に配置された３つのプリズム式ビーム拡大器７、反射鏡１４、及び格子
１６からなっている。
【０００５】 過去１０年以上にわたり、この基本的なレーザシステム構成は非常な成功を収
めてきたので、これらのレーザが、殆どの新しい高生産速度の集積回路用リソグ
ラフィー機械の光源となっている。現在、数百台が稼動中であり、年間数百万の
ＩＣチップを生産している。レーザシステムは非常に信頼性が高く、通常１％に
も満たない強制的休止時間で２４時間を通して稼動している。
【０００６】 ＫｒＦレーザから得られる２４８ナノメートル（ｎｍ）の波長、及び約０．８
ｐｍの帯域幅により、リソグラフィー装置は約１／４ミクロン程度の形状をもつ
集積回路を生産することができる。しかしながら、集積回路産業には、形状サイ
ズを一層小さくしたいという強い要望がある。ムーア（インテル社の以前の社長
であるゴードン・ムーア）の法則として知られている、通常言われている工業上
の経験則によると、形状サイズは３年毎に２倍小さくなるというものである。形
状サイズの一層の減少を可能にする幾つかのパラメータの１つが、より小さな帯
域幅である。
【０００７】 ガス放電レーザシステム（エキシマレーザシステムを含む）の帯域幅を減少さ
せる幾つかの周知の技法では、２つの独立したレーザを利用している。その様な
システムの１つにおいては、「主発振器」と呼ばれる第１のレーザが、非常に狭
い帯域ビームを供給し、そのビームが第２のレーザにおいてシードビームとして
使用されるように設計される。第２のレーザが出力増幅器として機能する場合は
、このシステムは、主発振器出力増幅器（ＭＯＰＡ）システム、又はマスタスレ
ーブ・レーザシステムと呼ばれる。図２Ａに示されているシステムと比較したＭ
ＯＰＡ設計の第一の利点は、ＬＮＰ光学機器に対する熱負荷の著しい低減である
。第２のレーザそれ自体が共鳴空洞を有している場合は、システムは注入シード
式発振器と呼ばれ、シードレーザは主発振器、また下流側レーザは電力発振器と
呼ばれる。
【０００８】 ２つの独立したレーザからなるレーザシステムは、比較される単一レーザシス
テムよりかなり高価で、大きく、一層複雑になりがちである。したがって、２つ
レーザのシステムの商業的用途は限られていた。
【０００９】 ２組の電極を含む単一レーザチャンバを使用するシステムが、提案されてきた
。例えば、図３Ａは、Ｌｅｔａｒｄｉによって米国特許第５，０７０，５１３号
において記載されている並列配置を示している。図３Ｂは、Ｌｏｎｇによって米
国特許第４，５３４，０３５号において記載されている別の配置を示しており、
ここでは、細長い電極の組がチャンバの両側に配置されている。ガスは、共通の
「入」プレナムから２組の電極間を別々に共通の「出」プレナムへと流れる。Ｍ
ｃＫｅｅによって米国特許第４，４１７，３４２号において提案されている配置
が図３Ｃに示されている。このシステムは、チャンバの半分に互いに平行に取り
付けられた２組の細長い電極を含んでいる。横流ファン及び交換機が、残りの半
分に配置されている。ガスは２組の電極の間を平行に流れる。図３Ａに示されて
いるシステムは、上流側の放電から生じるデブリが下流側の放電に干渉するので
、高パルス繰返数レーザには適切ではないと考えられてきた。「応用物理学Ｂレ
ーザ及び光学、１９９８」において発表された論文によると、このレーザは、毎
秒約１００パルスのパルス繰返数で作動されている。著者は、１０００Ｈｚで作
動させようとすると、高品質のビームを発生させるのには望ましくない乱流が生
じるようなることを指摘している。図３Ｃに示されているシステムは、ガス流の
分割により電極間のガス速度が図３Ａに示されているシステムの単一の組の電極
に比較して約５０％低下するので、高パルス繰返数レーザには不適切であると考
えられてきた。図３Ｂに示されているシステムは、ブロワによる循環が、図１に
示されているにいるように接線方向ではなくて軸方向であるので、高パルス繰返
数レーザに対しては満足できないものと考えられてきた。
【００１０】 上記で説明した商業的に成功している単一チャンバ式のライン幅を狭められた
ガス放電レーザの概念を、ＩＳＯにおけるＰＯＭＡの利点と組合せた、高パルス
繰返数レーザシステムに対する需要が存在する。
【００１１】 （発明の開示） 本発明は、放電を少なくとも毎秒１０００パルスの繰返数で発生するためのパ
ルス電力源を有する、単一チャンバ式のガス放電レーザシステムを提供する。放
電は、レーザ光学機器と共に、２つの寿命の短いゲイン手段、すなわち１つはシ
ードビームを発生するためのものであり、もう一方は該シードビームを増幅する
ためのものである手段を構成する。チャンバの循環パスに沿うレーザガス循環が
与えられ、電極及び放電は、放電時に、ゲイン手段の一方から生じるデブリが循
環パスの少なくとも９０％の周りを廻るまでは、該デブリが他方のゲイン手段に
循環しないように配置されている。
【００１２】 （発明を実施するための最良の形態） 直列型ゲイン手段 本発明の出願人が完成しテストした本発明の第１の好ましい実施形態の図面を
、図４Ａ及び図４Ｂに示す。このケースにおいては、図２Ａ及び図２Ｂに示され
ている先行技術によるレーザの陰極１８は、図４Ｂに示すように、短い陰極１８
Ａと長い陰極１８Ｂに分割される。短い陰極１８Ａは、陽極２０の約１７ｍｍ上
方に配置され、図１に示されると同様に、高電圧バス２３から５本の真鍮高電圧
フィード棒２１によって電力を供給され、他方、長い陰極１８Ｂは、陽極２０の
上方約２０ｍｍの先行技術の位置に配置され、同じ高電圧バス２３から１０個の
真鍮高電圧フィード棒２１によって電力を供給される。その結果、短い陰極１８
Ａと陽極２０との間の放電は、長い陰極１８Ｂと陽極２０との間の放電より約１
０ｎｓ先行して開始する。従って、放電の初期において、短い陰極１８Ａ及び陽
極２０によって生成されたレーザ光は、長い陰極１８Ｂと陽極２０との間で放電
が開始する前に、ライン幅狭めパッケージ１５を２回トリップするまでの時間が
ある。結果として、パルス持続時間が増加し、ビームのライン幅が減少する。
【００１３】 図４Ａ及び図４Ｂに示す実施形態の代替的形態は、２つの陰極と陽極との間の
間隔を同一にするが、電極１８Ｂを含む回路に追加のインダクタンスを加えるな
どによって、電子的に放電を早めるものである。これらの代替的実施形態におい
ては、陽極２０は、陰極１８Ａ及び１８Ｂに対応する陽極２０Ａ及び２０Ｂに分
割することができる。さらに複雑な手法では、高電圧バス２３を分割して、各陰
極に別々のピーキング・コンデンサバンクを設けることができる。
【００１４】 オフセット型ゲイン手段 図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃは、図４Ａ及び図４Ｂに示す実施形態に類似してい
るが、ゲイン手段が互いにオフセットしている本発明の実施形態を示している。
陰極５０Ａ及び陽極２０は、レーザシステムのシード部のゲイン手段を形成する
。シード部の共鳴空洞は、ＬＮＰ１５と、反射率が約２０％の部分反射鏡とする
ことができる出力カプラ５２とによって形成される。この実施形態においては、
シードビームは全反射鏡５４及び５６で反射し、陰極５０Ｂ及び陽極２０によっ
て形成されるゲイン手段におけるレーザシステムの増幅部において増幅される。
【００１５】 図６Ａ及び図６Ｂに示す実施形態において、全反射鏡５５を追加し、電極を移
動させることによって、増幅ゲイン手段を通る２つの通路が可能になる。両方の
実施形態において、電極又は電気回路は、シード部に数ナノ秒のヘッドスタート
を与えるように配置される。（例えば、ＫｒＦレーザの場合、シード部のヘッド
スタートは、約２０ｎｓにする場合がある。ＡｒＦの場合、熱リードタイムは、
ＡｒＦレーザの高い状態での寿命がより短いので、比較的短くなるはずである。
これらの時間は、空洞の形状が変わるにつれ変化させてもよい。）図５Ｃは、こ
れらの２つの実施形態の場合に合わせて、図１のレーザの陰極及び陽極をどのよ
うに変更することができるかを示す。図５Ｄは、図５Ａの配置に対する代替的実
施形態を示している。
【００１６】 並列型ゲイン手段 図Ａ７及び図７Ｂと図８Ａ及び８Ｂとは、２つのゲイン手段が並列配置されて
いる実施形態を示している。図７Ａ及び図７Ｂの実施形態は、増幅ゲイン手段の
部分を通る２つの通路に備えている。本明細書の背景技術の項において述べたよ
うに、上流側の放電から生じたデブリが、下流側の放電を妨げることがある。こ
の問題は、この実施形態において、電極間を通る非常に安定したレーザガス流を
供給し、かつ、上流側の放電から生じるデブリが次のパルスの前に下流側ゲイン
領域を通過するのに十分な速さの流速を与えることによって、処理される。別の
代替的実施形態は、上流側の放電から生じたデブリが、後続のパルスの時には、
電極間の距離の約２／３の位置にくるように、ガス流の速度を調節することであ
る。例えば、レーザが２０００Ｈｚのパルス繰返数で作動しており、上流側電極
と下流側電極の間の距離が６ｃｍであるとすると、上流側の放電から生じたデブ
リの中心が、第１回目の後続パルスの間には下流側電極の約２ｃｍ上流にあり、
第２回目の後続パルスの間には下流側電極の２ｃｍ下流にくるように、電極間の
ガス速度を約８０００ｃｍ／ｓｅｃとすることができる。
【００１７】 図７Ａ及び図７Ｂと図８Ａ及び図８Ｂとの実施形態においては、パルス電力は
、図１と図２Ａ及び図２Ｂとに示されている先行技術のレーザにおける先行技術
のパルス電力システムに小さな修正を施したものとすることが好ましい。好まし
い実施形態においては、レーザチャンバの一側のピーキング・コンデンサバンク
の部分が陰極７０Ａに電力を供給し、他側のコンデンサが陰極７０Ｂに電力を供
給する。この実施形態においては、コンデンサの総数は、２８個から４０個（各
側に２０個）へと増加させることが好ましい。陰極７０Ａは、シードにヘッドス
タートを与えるために、陰極７０Ｂよりも陽極２０に僅かに近い。
【００１８】 傾斜したシードビーム 本発明の別の実施形態を図９に示す。この実施形態においては、レーザシステ
ムのシード部の共鳴空洞は、先行技術のＬＮＰ１５と、このケースでは反射率５
０％の鏡である先行技術の出力カプラ５２Ａとによって形成される。図９に示す
ように、シード空洞は、電極間に形成されたゲイン手段を完全に横切って傾斜し
ている。ＫｒＦエキシマレーザの通常のパルスの間に、ビームはシードゲイン手
段を通って約５回トリップする。各トリップで、光はシード空洞内で増幅される
こととラインを幅狭められることの両方を受ける。各トリップで、光の約５０％
が出力カプラ５２Ａを通り抜け、鏡８０Ａ及び８０Ｂによって反射され、鏡８０
Ｂと８０Ｃの間のゲイン手段において、さらに増幅される。この実施形態に対し
て、レーザ用のパルス電力システムは、図１０Ｃに示されているパルス形状と類
似のパルス形状を生成するように配置することが好ましい。このことにより、主
としてシードビームのための第１のパルスと、該ビームを増幅するための第２の
重なり合ったより大きなパルスとを供給することになる。
【００１９】 傾斜ビームによる優れたライン幅狭め 電極間のゲイン手段を横切ってシードビームを傾けることで、図２Ａ及び図２
Ｂで説明したような先行技術のシステムに伴う重大な問題が除去される。この問
題は、ゲイン手段の縁部近くの屈折率ｎ（これはビームの位相速度の尺度である
）は、ゲイン手段の中心部よりかなり高いという事実から生じる。これは、ビー
ムの両側の光の位相は、それがゲイン手段を越えていくとき、ビームの中心の光
の位相よりも緩やかに進むことを意味している。これが、ＬＮＰに入る波頭のゆ
がみを生じる。このゆがみは、次に、非常に狭い帯域のライン幅を生成するＬＮ
Ｐ１５の能力を制限する。このゆがみは、格子を僅かに傾けることによって幾分
かは補償することができるが、出願人は、ゲイン手段におけるゆがみの多くはナ
ノ秒間隔の時間に依存しているものと判断した。格子はこの速い変化に対応する
ことができない。ビームを傾けてゲイン手段を横切るように方向付けることによ
って、ビームの全部分は同一の屈折率の変動を示す。図１０Ｂは、屈折率ｎが水
平方向にゲイン手段を横切ってどのように変化するかを定性的に示す。（ゲイン
手段は、通常のリソグラフィーエキシマレーザにおいては、水平方向に幅５ｍｍ
、垂直方向に高さ約１８ｍｍである。屈折率は、垂直方向には、ゲイン手段ほぼ
全体にわたり比較的平坦である。
【００２０】 図１０Ａにおいては、３本の光のビームがゲイン手段の軸に沿ってゲイン手段
を通過しているのを示しており、１本はゲイン手段の中央部、他の２本は水平方
向の縁部にある。８２で示すように、縁部のビームは、中央部のビームより緩や
かに進むので、波頭がゆがんでいる。しかしながら、８４で示すように、３本の
同様なビームがゲイン手段を横切って斜めに通過する時には、３本のビームはそ
れぞれ屈折率の同一の変動を受けるので、それらは８６で示すように「頭を並べ
て」反対側に現れる。より平坦な波頭によって、ＬＮＰはより効果的にビームの
ライン幅を狭めることができる。
【００２１】 本発明は、レーザリソグラフィー用の紫外線を生成するガス放電レーザにとり
わけ適用性がある。本発明は、ＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレーザ、並びにＦ2レ
ーザを含む。本発明によって、非常に狭い帯域幅が可能になり、それによってス
テッパ及びスキャナ機械が、先行技術によるシステムに比較し解像度が改善され
た集積回路を生産することが可能になる。
【００２２】 当業者であれば、上記に開示した教示に基づき、詳細に説明した実施形態以外
にも本発明の多くの実施形態が可能であることが理解できるであろう。したがっ
て、本明細書を読むものは、本発明の範囲を添付の特許請求の範囲及びその法的
同等物によって判断すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 先行技術のレーザチャンバの断面図である。
【図２Ａ】 先行技術のライン幅を狭められたレーザシステムを示す図である。
【図２Ｂ】 先行技術のライン幅を狭められたレーザシステムを示す図である。
【図３Ａ】 単一チャンバにおいて注入シーディングを行う先行技術の手法を示す図である
。
【図３Ｂ】 単一チャンバにおいて注入シーディングを行う先行技術の手法を示す図である
。
【図３Ｃ】 単一チャンバにおいて注入シーディングを行う先行技術の手法を示す図である
。
【図４Ａ】 １つの電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】 １つの電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図５Ａ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図５Ｂ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図５Ｃ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図６Ａ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図７Ａ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図７Ｂ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図８Ａ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図８Ｂ】 別の電極配置を有する本発明の実施形態を示す図である。
【図９】 ゲイン手段を横切る屈折率の変動によって引き起こされるシードビームのゆが
みを防ぐ手法を説明する図である。
【図１０Ａ】 好ましい実施形態の特徴を説明する図である。
【図１０Ｂ】 好ましい実施形態の特徴を説明する図である。
【図１０Ｃ】 好ましい実施形態の特徴を説明する図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 パートロ ウィリアム エヌ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92064 ポウェイ ペドリザ ドライヴ 12634 (72)発明者 パン シャアオジャング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92127 サン ディエゴ メイヤン コー ト 11220 (72)発明者 オンケルス エケハード ディー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92128 サン ディエゴ カミニト ライ オン 12008 Ｆターム(参考） 5F071 AA06 CC01 DD05 EE04 JJ07 JJ10 【要約の続き】

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ライン幅を狭められたシードビームを有する単一チャンバ式
    のガス放電レーザシステムであって、 Ａ）レーザガス及び熱交換機を含む単一放電チャンバと、 Ｂ）該単一放電チャンバ内部に配置され、少なくとも１つの放電領域を備える
    ように構成された、少なくとも２つの細長い電極と、 Ｃ）前記少なくとも１つの放電領域の各々において、少なくとも毎秒１０００
    パルスの繰返数で放電を発生するように高電圧電気パルスを供給するパルス電力
    源と、 Ｄ）少なくとも１つの共鳴空洞を形成し、前記少なくとも１つの放電領域及び
    前記パルス電力源と共に、前記放電の間のみ存在する第１のゲイン手段及び第２
    のゲイン手段を形成し、また前記シードビームのライン幅を狭めるためのライン
    幅狭め手段を含む光学手段と、 Ｅ）ほぼ全ての前記レーザガスを、循環パスを形成する連続したパスにおいて
    、前記少なくとも１つの共鳴空洞の各々を通り、前記熱交換機を過ぎ、前記少な
    くとも１つの共鳴空洞の各々を通って戻るように循環させるように構成された横
    流ブロワを含む循環手段と、を含み、 前記電極は、放電時に、前記第１又は第２のゲイン手段の一方から生じるデブ
    リが前記循環パスの少なくとも９０％の周りを廻るまでは、該デブリが他方のゲ
    イン手段に循環しないように配置されている、 ことを特徴とするシステム。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも２つの電極は、第１の陰極、第２の陰極、及
    び単一の陽極からなる３つの電極であり、前記第１の陰極は、前記第２の陰極よ
    りも前記陽極に近く、前記第１の陰極及び陽極は、前記第１のゲイン手段を形成
    することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
  3. 【請求項３】 前記光学手段は、唯一の共鳴空洞を形成し、前記第１及び第
    ２のゲイン手段は、互いに整列していることを特徴とする請求項２に記載のシス
    テム。
  4. 【請求項４】 前記光学手段は、２つの共鳴空洞を形成し、前記第１及び第
    ２のゲイン手段は、互いに整列していないことを特徴とする、請求項２に記載の
    システム。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも２つの電極は、第１の陰極、第２の陰極、及
    び単一の陽極からなる３つの電極であり、前記第１の陰極及び陽極は、前記第１
    のゲイン手段を形成し、前記パルス電力手段は、前記第２の陰極に電気パルスを
    供給するより数ナノ秒先行して、前記第１の陰極に電気パルスを供給するように
    構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
  6. 【請求項６】 ビーム拡大手段及び格子を含むライン幅狭めモジュールをさ
    らに含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
  7. 【請求項７】 前記第２のゲイン手段は、前記第１のゲイン手段の下流側に
    １０センチメートルより近い距離に配置され、前記循環手段は、前記第１のゲイ
    ン手段における特定の放電から生じるデブリが、該特定の放電に続く第１回目の
    放電の時に、前記第１のゲイン手段と第２のゲイン手段との間の距離の約２／３
    のところに中心をもち、また該デブリが、前記特定の放電に続く第２回目の放電
    の時に、前記第１のゲイン手段と第２のゲイン手段との間の距離の約１１／３の
    ところに中心をもつような速度で、前記第１及び第２のゲイン手段を連続して通
    る流れを発生するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシ
    ステム。
  8. 【請求項８】 前記少なくとも２つの電極は２つの平行な電極であり、前記
    少なくとも１つの放電領域は１つの放電領域であり、前記光学手段は、前記１つ
    の放電領域を横切る斜めの線で通る第１のゲイン手段を形成するように配置され
    、また２つの平行な電極の間をそれらと平行に通る第２のゲイン手段を形成する
    ように配置されることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
  9. 【請求項９】 ビーム拡大手段及び格子を含むライン幅狭めモジュールをさ
    らに含み、該モジュールは、前記光学手段の一部を構成し、前記シードビームの
    ライン幅を狭めるように構成されていることを特徴とする、請求項８に記載のシ
    ステム。
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