JP2003510464A5

JP2003510464A5 -

Info

Publication number: JP2003510464A5
Application number: JP2001527013A
Authority: JP
Filing date: 2000-09-27
Publication date: 2006-12-28

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】回転マグネトロン・スパッタリング・システム用の磁石アレイであって、
プレート上に配設され、かつ磁路を形成するように配置された複数の磁石を備え、磁路の形状が、プレートの平面内の第１および第２の軸に対して対称的な第１および第２のローブを含み、軸が、該プレートの回転中心と交差し、かつ互いに異なり、
複数の磁石の構成が、
磁路の第１および第２のローブに対応する二重ローブ構造を有する第１の磁石列と、
第２および第３の磁石列とを備え、第２の列が、該磁路の該第１のローブの内側にリング状に配置され、第３の列が、該磁路の該第２のローブの内側にリング状に配置される、磁石アレイ。
【請求項２】複数の磁石の構成が、
プレートの中央上に配設された磁石をさらに備える、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項３】複数の磁石の構成が、
プレートの中央の近傍に配設された磁石セットをさらに備える、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項４】第１、第２、および第３の列の周囲領域が、スパッタリング・ターゲットの周囲領域の腐食を推進するために平坦な湾曲を有する、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項５】磁石アレイが、基板上に誘電コーティングを付着させるために使用される、請求項4記載の磁石アレイ。
【請求項６】磁石アレイが、基板上に導電性コーティングを付着させるために使用される、請求項4記載の磁石アレイ。
【請求項７】磁路の第１および第２のローブが楕円形である、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項８】磁路の第１および第２のローブが円形である、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項９】第１および第２の軸が互いに直交する、請求項1記載の磁石アレイ。
【請求項１０】基板上にコーティング付着させるスパッタリング・システムであって、
電源に結合された環状の金属スパッタリング・ターゲットと、
スパッタリング・ターゲット上に配設された回転可能な磁石アレイとを備え、磁石アレイが、プレート上に配設され、かつ磁路を形成するように配置された複数の磁石を含み、磁路の形状が、プレートの平面内の第１および第２の軸に対して対称的な第１および第２のローブを含み、軸が、該プレートの回転中心と交差し、かつ互いに異なり、該磁路が、該スパッタリング・ターゲットを実質的に一様に腐食させ、
複数の磁石の構成が、
磁路の第１および第２のローブに対応する二重ローブ構造を有する第１の磁石列と、
第２および第３の磁石列とを備え、第２の列が、該磁路の該第１のローブの内側にリング状に配置され、第３の列が、該磁路の該第２のローブの内側にリング状に配置される、スパッタリング・システム。
【請求項１１】基板上に金属反応性ガス・コーティングを付着させる、請求項10に記載のスパッタリング・システムであって、
基板の近傍に位置しており、大気圧よりも低い圧力で動作できる反応室に反応性ガスを導入する反応性ガス・インジェクタをさらに備え、金属原子が、反応性ガスに反応して誘電コーティングを形成し、誘電コーティングが基板上に付着する、請求項10記載のスパッタリング・システム。
【請求項１２】反応性ガスが酸素であり、スパッタリング・ターゲットがアルミニウムから成る、請求項11記載のスパッタリング・システム。
【請求項１３】スパッタリング・ターゲットの非腐食部分の近傍に配設されたセラミック・インサートをさらに備える、請求項11記載のスパッタリング・システム。
【請求項１４】スパッタ・ガス媒質を半径方向外側に周囲の方へ、かつスパッタリング・ターゲットの表面に実質的に平行に導入する中央ガス送り装置をさらに備え、セラミック・インサートが、スパッタ・ガス媒質が流れる導管を提供する、請求項13記載のスパッタリング・システム。
【請求項１５】複数の磁石の構成が、
プレートの中央上に配設された磁石をさらに備える、請求項10記載のスパッタリング・システム。
【請求項１６】複数の磁石の構成が、
プレートの中央の近傍に配設された磁石セットをさらに備える、請求項10記載のスパッタリング・システム。
【請求項１７】金属反応性ガスの付着速度が少なくとも1500オングストローム／分である、請求項10記載のスパッタリング・システム。
【請求項１８】コーティングが金属である、請求項10記載のスパッタリング・システム。
【請求項１９】基板上に金属反応性ガス材料を付着させる方法であって、
プレート上に配設され、かつ磁路を形成するように配置された複数の磁石を含む磁石アレイを設けることを含み、磁路の形状が、プレートの平面内の第１および第２の軸に対して対称的な第１および第２のローブを含み、軸が、該プレートの回転中心と交差し、かつ互いに異なり、
複数の磁石の構成が、
磁路の第１および第２のローブに対応する二重ローブ構造を有する第１の磁石列と、
第２および第３の磁石列とを備え、第２の列が、該磁路の該第１のローブの内側にリング状に配置され、第３の列が、該磁路の該第２のローブの内側にリング状に配置され、
金属のスパッタリング・ターゲットの近傍で磁石アレイを回転させ、該磁路を回転させることによって、スパッタリング・ターゲットを実質的に一様に腐食させ、
基板の表面の近傍に反応性ガスを導入し、スパッタリング・ターゲットから放出されたスパッタリングされた金属原子と反応させ、金属反応性ガスのコーティングを形成し、金属反応性ガスのコーティングを基板の表面上に付着させることを含む方法。
【請求項２０】スパッタリング・プレートの中央領域にスパッタ・ガス媒質を導入することをさらに含む、請求項19記載の方法。
【請求項２１】ターゲットがアルミニウムから成り、反応性ガスが酸素である、請求項19記載の方法。
【請求項２２】誘電コーティングの付着速度が少なくとも1500オングストローム／分である、請求項19記載の方法。
【請求項２３】磁石アレイが、プレートの中央上に配設された磁石をさらに備える、請求項19記載の方法。
【請求項２４】磁石アレイが、プレートの中央の近傍に配設された磁石セットをさらに備える、請求項19記載の方法。
【請求項２５】磁路の第１および第２のローブが楕円形である、請求項19記載の方法。
【請求項２６】弧状化を軽減するために、スパッタリング・ターゲットの非腐食部分の近傍に配設されたセラミック・インサートを提供することをさらに含む、請求項19記載の方法。
【請求項２７】単一基板上で使用される、請求項19記載の方法。