JP2003508908A - 超高解像度リソグラフィック描画と印刷、および近臨界状態での露光による欠陥の低減 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 超高解像度リソグラフィ描画および印刷は、印刷フィーチャーサイズの低減、すなわち「バイアス」を用いることにより得られる「縮小」に関する。我々は新たな意義を「次世代リソグラフィ」に与える。レジストの現像に現代制御を用いる。古典的フレネル回折を適用することによりマスクパターンフィーチャーが「バイアス」により「縮小」されることを示す。「バイアス」を効果的に用いて、ｉ）マスク−ウエハギャップと、ｉｉ）マスクフィーチャーとを拡大して所定の印刷フィーチャーサイズを得る。ｉｉｉ）この技術は２５ｎｍを超えるフィーチャーサイズに対しても利用可能であり、ｉｖ）露光回数が削減される。本発明は特に近接Ｘ線リソグラフィにおいて実証されるが、一般に焦点外れの描画を用いることができるすべてのリソグラフィにも利用される。回折の結果、マスクの疵による印刷欠陥が減少する。さらに、種々のサイズのマスクフィーチャーからの露光照射量は種々の技術により制御される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） 本発明は、マイクロリソグラフィの分野および、超小型電子素子と集積回路の
開発・製造における手段としてのマイクロリソグラフィの用途に適用される。

【０００２】 （背景技術） リソグラフィすなわち表面上へのパターンの印刷は、半導体製造および微細加
工において推進力と困難との両方である。古典的リソグラフィは、ウエハ上に忠
実にマスクパターンを再現するという概念に基づいている。半導体製造における
クリティカルディメンション（ＣＤ）の縮小要求は、所望のパターンを生成する
リソグラフィ技術の発展を求めてはいるが、必ずしもマスクパターンの複製であ
る必要はない。

【０００３】 次世代リソグラフィ（ＮＧＬ）は、マスクの複製における忠実性の古典的概念
からの脱却を示すとともにここに定義されるものである。ＮＧＬは下位概念語−
ポスト光学リソグラフィにとって代わるものである。

【０００４】 １００ｎｍ以下のパターニングを目指すＮＧＬの中で、近接Ｘ線リソグラフィ
（ＰＸＬ）が最新の発達したものである。ＰＸＬは当初ポスト光学リソグラフィ
として導入され、必然的に複製忠実性の古典的傾向を継承した。この概念に規制
されて、ＰＸＬは、実際の製造には７〜１０ｕｍの最小ワーキングマスク/ウエ
ハギャップを用いて７０〜７５ｎｍの描画および印刷性能に限定されると考えら
れた。

【０００５】 本発明はレジストの現像に現代制御を用いる。

【０００６】 （本発明の目的） 本発明の目的は、印刷ウエハまたは他の表面上にマスクフィーチャーを縮小す
ることにより超高解像度近接リソグラフィを行うことである。

【０００７】 本発明の第２の目的は、所定サイズの印刷フィーチャーに対して、従来技術で
用いられるものより大きいマスク/ウエハギャップで超高解像度近接リソグラフ
ィを行うことである。

【０００８】 本発明の第３の目的は、従来技術より低い総照射量レベルで現像することによ
り露光回数を削減することである。

【０００９】 本発明の第４の目的は、ステッピングによる多重露光を用いることにより高密
度、ネスト状、またはハーフピッチフィーチャーを印刷することである。概して
、ステッピングは見えないであろう。

【００１０】 本発明の第５の目的は、ＮＧＬの概念を適用することにより２５ｎｍ以下まで
のフィーチャーサイズの超高解像度を達成することである。

【００１１】 本発明の第６の目的は、超高解像度近接リソグラフィを用いることによりクリ
ティカルディメンション（ＣＤ）制御を改善することであり、印刷ウエハまたは
他の表面上にマスクフィーチャーを縮小することを含む。改善されたＣＤ制御は
まず、最適化された現像レベルにおける露光照射量の比較的大きい勾配（例えば
、図３のレベルＢ）に現れる。これに下記の目的が付加される。

【００１２】 本発明の第７の目的は、超高解像度近接リソグラフィを用いることにより印刷
フィーチャーのエッジラフネスを減少させることである。フレネル回折において
、二次元透明マスクフィーチャーの異なる部分からの光線による干渉から像が生
じるため、エッジラフネスが減少し、凸凹のエッジが平滑化されることになる。

【００１３】 本発明の第８の目的は、超高解像度近接リソグラフィを用いることにより、付
着する塵埃を始めとする他の大きなマスク書き込み欠陥による印刷フィーチャー
の欠陥を減少させることである。このメカニズムは上述と同様である。

【００１４】 本発明の第９の目的は、縮小エリアにおいて集光する高感度で低い総照射量（
例えば、図３のレベルＢ）を使用する超高解像度近接リソグラフィを用いること
により、印刷フィーチャーのＣＤエラーを減少させることであり、これにより遮
蔽エリアにおいて透過する照射量によるエラーを防止することができる（例とし
て図３のν＝２のピーク参照、但しこのようなピークは透明フィーチャーを繰り
返してマスク内でさらに大きくなり得る）。これらのエリアは残余照射量を含ん
でいるが、これは一つにはフレネル回折のため、また一つには（次の目的にある
ように）吸収材が実際には１００％有効でないためである。

【００１５】 本発明の第１０の目的は、縮小エリアにおいて集光する高感度で低い総照射量
を使用する超高解像度近接リソグラフィを用いることにより、印刷フィーチャー
のＣＤエラーを減少させることであり、これにより吸収材の厚さのばらつきによ
るエラーを防止することができる。

【００１６】 本発明の第１１の目的は、本来の結像面から離れた平面上のウエハを露光する
ことにより、上記の目的のいくつかまたはすべてを投影リソグラフィに適用する
ことである。

【００１７】 本発明の第１２の目的は、マスクが種々のサイズのフィーチャーを含む場合、
（ａ）ステッピングされたギャップを用いる多重露光、（ｂ）連続変化ギャップ
を用いる連続露光、（ｃ）２つ以上のマスクを用いる多重露光、により露光照射
量を制御することである。

【００１８】 本発明の第１３の目的は、上記の目的に記載のプロセスにより電子的、機械的
、磁性的または他のデバイスを製造することである。

【００１９】 （発明の開示） 本発明は、縮小の結果生じる超高解像度のリソグラフィ像の露光を含み、ウエ
ハ上の印刷フィーチャー寸法がマスク上のものより小さい。露光は図３のレベル
Ｂと同様な現像レベルの近臨界状態（以下に定義する）で行われるのが好ましい
が、必ずしも必要ではない。

【００２０】 本発明はこの超高解像度を用いてリソグラフィ印刷における欠陥範囲を減少さ
せる。この減少はリソグラフィ印刷中のマスク像の作成における干渉（すなわち
回折）から生じる輝度の平均化による。光線が２次元マスクフィーチャー内を移
動して、レジストの１次元現像エッジにおいて干渉するため、各種の欠陥を平滑
化する平均化効果がある。その主なものを以下で明らかにする。

【００２１】 本発明は超高解像度リソグラフィにおける難題も克服する。近臨界状態では、
バイアスにより縮小が起こるため、拡大は異なる幅のフィーチャーに対して均一
ではない。そのため照射量も均一ではない。本発明はこの事実を、上記の第１２
の目的に列挙した方法を用いて適合する、適宜各種の技術により克服する。

【００２２】 本発明のさらなる適用範囲は、以下に示す詳細な説明から明らかになるであろ
う。しかしながら、詳細な説明と具体例とは本発明の好適な実施形態を示してい
るが、単に例として示すものであることは理解されよう。本発明の精神と範囲に
おいて種々の変形や変更はこの詳細な説明により当業者にとって明らかになるで
あろう。

【００２３】 （発明を実施するための最良の形態） 次世代リソグラフィ（ＮＧＬ）定義： マスクの複製における忠実性の古典的概念からの脱却。

【００２４】 これは縮小を含む。臨界状態を用いることが好ましいが、必ずしも必要ではな
い。

【００２５】 超高解像度定義 本発明は、リソグラフィ描画および印刷において二面バイアスを意図的に適用
することから生じる解像度の向上を利用する。これは二面バイアスが「臨界状態
」でまたはその近辺であるマスクの下流側のどこかで、制御されたレジスト処理
およびバイアスによる縮小を用いて最適化される場合が好ましいが、必ずしも必
要というわけではない。「バイアス」または「二面バイアス」という用語は、マ
スクフィーチャーサイズＷと印刷フィーチャーサイズω、すなわち選択された現
像レベルにおけるパターン幅、との間の相違として定義される。さらに正式には
、バイアスｂは次のように、以下の数式１に規定される：ｂ＝Ｗ−ω。

【００２６】 縮小の結果生じる超高解像度：ウエハ上の印刷フィーチャー寸法がマスク上の
ものより小さい。露光は図３のレベルＢと同様な現像レベルの近臨界状態（以下
に定義する）で行われることが好ましいが、必ずしも必要ではない。

【００２７】 臨界状態： 図１は概略露光システムを示す。遠い点光源からの光線はスリットを通過し、
スリットの背後の距離Ｇにおいてフレネルパターン、すなわち像を形成する。各
種の光線が位相遅れを起こすが、それはそれぞれスリットの中心線からの距離ｓ
によるものであり、すなわち、ｓ²/λで決まる位相遅れである（図１参照）。

【００２８】 図１は本発明に利用される原理を示し、ここで遠いシンクロトロン源からの２
光線は幅Δｓの（透過マスクフィーチャーに相当する）スリットを通過し、ウエ
ハの平面上の軸点Ａにおいて像を作成する（次の図２参照）。上部光線はｓ²/λ
に比例した位相遅れを起こす。

【００２９】 図２はコルニュスパイラルを示し、ウエハの平面上の点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ（図１
参照）におけるフレネル回折の波の振幅を表すベクトルを示している。

【００３０】 Ａの振幅は最大である。この振幅が臨界状態を表しているからであり、そのス
リット幅Δｓ＝２．４（λＧ/２）^1/2である。軸から結像面に沿ってｘ方向（図
１）に走査すると、振幅はＢにおいて急速に減少し、Ｃにおいて肩部をなし、Ｄ
において再び急速に減少する。対応する輝度が図３に示されている。

【００３１】 さらに具体的には、図２はスリットを通過して各点Ａ（結像面上の軸、図１参
照），Ｂ，Ｃ，Ｄにおいて強め合うように干渉をする光線の振幅のベクトルの和
を示している。振幅は数学的にフレネル積分で表されるか、画像的にコルニュス
パイラル（図２）、すなわち振動曲線で表される。臨界状態は、透過マスクフィ
ーチャーの幅が、以下の数式によるマスク/ウエハギャップＧとＸ線波長λとに
関連付けられる場合に起こる。

【数４】

【００３２】 この状態は、図２にベクトルＡとして示された最大発生振幅に相当する。（こ
のベクトルの二乗はスリットまたは透明マスクフィーチャーの軸上の結像面にお
ける輝度を表す。）結像面上のＢ，Ｃ，Ｄ（図１）における各振幅も示されてい
る。

【００３３】 図３は臨界状態でのウエハに沿って分布した露光照射量を示す。露光照射量は
２つの肩部の上方に急峻なピークを含んでいる。ピークの幅ωは透明マスクフィ
ーチャーの間隔Δｓのほんの一部である。

【００３４】 さらに具体的には、図３において、臨界状態でのスリットの空中像はＡにおい
てピークを示す。また、現像レベルＢにおけるスリットの４ｘ縮小像（図１にあ
るように）と、現像レベルＤにおける等倍像も示されている。ウエハにおいて正
規化座標ν＝ｘ（２/Ｇλ）^1/2であり、マスクにおける２．４２＝Δｓ（２/Ｇ
λ）^1/2に対応し、透過性が示される。

【００３５】 縮小露光方式 図４は、近接印刷する際のマスクとレジスト塗布ウエハの配置を示し、ここで
マスク透明フィーチャーサイズはＷ（Ｗ＝Δｓ）でギャップはＧである。

【００３６】 図５は近臨界状態でｘ線露光後に現像されたレジスト側面の概略図であり、こ
こで現像レベルは空中像（中央像）に示す通りである。二面バイアスｂ＝Ｗ−ω
であり、ここでωは印刷フィーチャーサイズ、すなわち選択された現像レベルに
おけるパターン幅である。

【００３７】 図６は、ウエハ/マスク配列をステッピングし、１回の現像工程により、ネガ
型またはポジ型レジストのいずれかに多重連続露光して得られたフィーチャーの
ネスティングを示している。

【００３８】 好適な手順 図９は好適な手順を示すハイレベルフローチャートである。そこに示すように
、手順は、縮小レベルを選択することと、マスクフィーチャーを縮小することと
、縮小されたマスクフィーチャーを用いてフォトレジストを露光することと、露
光されたフォトレジストを現像することとを含む。マスクのフィーチャーは、マ
スクをフォトレジストに対して、ギャップ幅Ｇがその間に形成されるとともにフ
ォトレジストがマスクおよび露光源に対する実結像面に位置しないように配置す
ることにより縮小される。上記の原理を利用して、この好適な手順のさらなる詳
細を以下に述べる： １．所望のパターンフィーチャーサイズωとマスクフィーチャーサイズＷに関
して、 −１ｘと６ｘとの間の縮小を次の通り選択する。 ２．フレネル回折解析を用いて、ピーク露光照射量の９０％が典型ではあるが
、ピーク露光照射量の２５％と１００％との間のある所定レベルでの現像を推定
し（図３参照） −この縮小を達成するために必要な二面バイアスを算出する ３．この算出された二面バイアスと、露光に使用する照度帯域幅内の波長（典
型としては１．２ｎｍと０．６ｎｍとの間の波長）に対して、好ましくは、必ず
しも必要ではないが、約２．４２、すなわち１．４と３．０との間の値の無次元
空間座標（以下に定義する）とを用いて、 −最適ギャップ幅Ｇを算出する（図３および数式２） ４．ギャップをこの最適条件に設定する ５．ステップ２で選択したレベルの現像（典型としてはピーク照射量の９０％
）を達成するために露光照射量と現像手順をパラメータで表す。続く手順６〜７
において最適露光照射量を用いる。 ６．高密度線幅/ピッチ比が必要であれば、最適なギャップ（ステップ４）と
露光量（ステップ５、図５）で、マスクをステップさせるステッパなどの従来の
装置を用いることにより適宜印刷をネスティングして（図６）、レジストを露光
する。 ７．すでに最適化された露光照射量に適した最適現像を用いてレジストを現像
する。 数式２：

【数５】 無次元空間座標、

【数６】

【数７】 ここで： −ｂは、二面バイアス（図５）であり −ｓは、その平面内のスリット/透明マスクフィーチャーの軸からの測定距離
（図１）であり −Ｇは、マスク/ウエハギャップの幅（図４）であり −λは、使用放射線の波長であり、 −Ｎ_Fは、スリット/透明マスクフィーチャーに亘るフレネルハーフゾーンの数
であり −ｆ（Ｉ）は、空中像の輝度の関数（例えば、図３。但し、ｆは露光時および
レジスト処理を通して、現像のために選択した輝度によって決まり、またｆは空
中像の形状にもよっても決まる）であり −νは、無次元空間座標であり −Δｓは、スリット幅（Ｗに等しい）であり −Δνは、所定のＧおよびλにおけるΔｓに対する無次元空間座標である。

【００３９】 縮小を伴う試験的露光 図７は、Ｘ線マスクを介して露光されたネガ型レジストにおいて実証された３
ｘ縮小を示す。エッジは平滑化され、ＣＤ制御が高められ、結像における他のマ
スク欠陥が減少する。

【００４０】 具体的には、図７において、６１ｎｍ線が、１８０ｎｍ公称線/空間フィーチ
ャーを有するマスクを使用してＳＡＬ６０５ネガ型レジストに印刷されている（
３６０ｎｍ期）。

【００４１】 図８は、４３ｎｍのフィーチャーサイズによりネガ型レジストにおいて実証さ
れた３．５ｘ縮小を示す。レジストの極端に高いアスペクト比は物理的欠損につ
ながっていたが、これはより薄いレジスト層により補正される。

【００４２】 具体的には、図８において、５０ｎｍ未満の線が、マスク（図７と同様のマス
ク）上の１５２ｎｍの線を用いてＳＡＬ６０５ネガ型レジストに印刷されている
。レジストの物理的欠損は過度に厚いレジストの高アスペクトに帰する。

【００４３】 さらに、本発明はバイアスを用いることにより、従来の等倍近接印刷において
必要とされるより大きな、必要であれば３０マイクロメータ以上までのマスク/
ウエハギャップで微細なフィーチャーを印刷し、同等のフィーチャーサイズを得
ることができる。本発明はさらにバイアスを用いることにより、１ｎｍ近接リソ
グラフィにまで利用され、好ましくは５マイクロメータを超えるマスク/ウエハ
ギャップで印刷された２５ｎｍ以下までのフィーチャーサイズを得ることができ
る。

【００４４】 本発明は、選択された縮小に関して望ましい現像レベルを選択することも可能
にする。

【００４５】 縮小像においてフレネル回折を用いることにより、現像の選択レベルにおける
高輝度勾配の空中像を用いる露光によるＣＤエラーが減少する。縮小像において
フレネル回折を用いることにより、印刷像のエッジラフネスとともに他のマスク
書き込み欠陥による印刷エラーも減少する。縮小像においてフレネル回折を用い
ると、フォトレジストを高現像レベル、低い総露光照射量で現像することにより
クリティカルディメンション（ＣＤ）エラーが減少する。これらのエラーは遮蔽
エリアにおける光によるものであり、回折や、不均一な吸収材厚さによるばらつ
きを始めとする吸収材透過の結果生じる。

【００４６】 本発明において、マスクが種々のサイズのフィーチャーを含む場合、（ａ）ス
テッピングされたギャップを用いる多重露光、（ｂ）連続変化ギャップを用いる
連続露光、（ｃ）２つ以上のマスクを用いる多重露光により、露光照射量が制御
される。

【００４７】 本発明は、電子やイオンを始めとする素粒子に加えて、Ｘ線を始めとするいか
なる波長の電磁波を利用してレジストを露光してもよい。

【００４８】 上述の本発明は、種々の方法でこれが変更され得ることは明らかであろう。こ
のような変更は本発明の精神と範囲とから逸脱するもとはみなさず、当業者にと
っては明らかであろうそのような変形例はすべて請求の範囲に含まれるものとす
る。

【図面の簡単な説明】

本発明は、以下に記載の詳細な説明と添付の図面によりさらに充分に理解され
るであろう。これらは例示としてのみ提供されるものであるため、本発明を限定
するものではない。

【図１】 本発明による露光システムの図であり、ここで遠いシンクロトロ
ン源からの２光線が幅Δｓ（透過マスクフィーチャーに相当する）のスリットを
通過し、ウエハ平面上の軸点Ａにおいて像を作成する（次の図２参照）。

【図２】 本発明に用いられ、ウエハ平面上の点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ（図１参照
）におけるフレネル回折の波の振幅を表すベクトルを示すコルニュスパイラルを
示す図である。

【図３】 本発明の原理による臨界状態におけるウエハに沿って分布した露
光照射量を示す図である。

【図４】 近接印刷する際のマスクとレジスト塗布ウエハの配置を示す図で
あり、マスク透明フィーチャーサイズはＷ、ギャップはＧである。

【図５】 近臨界状態での本発明によるｘ線露光後に現像されたレジスト側
面の概略図であり、現像レベルは空中像に示す通りである。

【図６】 ウエハ/マスク配列をステッピングすることにより、ネガ型また
はポジ型レジストのいずれかに多重露光して本発明により得られたフィーチャー
のネスティングを示す図である。

【図７】 本発明によるＸ線マスクを介して露光されたネガ型レジストにお
いて実証された３ｘ縮小を示す図である。

【図８】 本発明によるＸ線マスクを介して露光されたネガ型レジストにお
いて実証された３．５ｘ縮小を示す図である。

【図９】 本発明の手順を示すハイレベルフローチャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ ５０２Ｃ ５４１Ｓ ５５１ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ボーディロン アントニー シンガポール国、シンガポール 119260 ケント リッジ クレセント 10 ナショ ナル ユニバーシティ オブ シンガポー ル アイエヌティーアールオー Ｆターム(参考） 2H097 AA12 BA06 CA15 CA16 GA45 JA02 JA03 LA10 5F046 AA13 BA02 GA02 5F056 AA06 AA25 EA08 FA03

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクを用いるフォトレジストの露光方法であって、 マスクをフォトレジストに対して、ギャップ幅がその間に形成されるとともに
   フォトレジストがマスクと露光源に対する実結像面には位置しないように配置す
   ることによりマスクフィーチャーを縮小することと、 フォトレジストを露光源を用いて露光することと、 を含み、 露光されたフォトレジストフィーチャーがマスクフィーチャーよりも小さいこ
   とを特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、 縮小値を選択することをさらに含み、 前記縮小するステップは該縮小値でマスクフィーチャーを縮小することを特徴
   とする方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の方法であって、前記選択するステップは１
   ｘから約６ｘまでの範囲から上記縮小値を選択することを特徴とする方法。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の方法であって、前記選択するステップは、 上記選択された縮小値でマスクフィーチャーを縮小するための二面バイアスを
   算出することと、 マスクとフォトレジストとの間のギャップ幅を算出することと、 を含むことを特徴とする方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の方法であって、 上記ギャップ幅を算出されたギャップ幅に設定することをさらに含むことを特
   徴とする方法。
6. 【請求項６】 請求項４に記載の方法であって、前記二面バイアスを算出す
   るステップは、 前記露光するステップにより利用される現像レベルを推定することと、 該推定された現像レベルを用いてフレネル回折解析を適用し、上記縮小値でマ
   スクフィーチャーを縮小するための二面バイアスを算出することと、 を含むことを特徴とする方法。
7. 【請求項７】 請求項４に記載の方法であって、 前記二面バイアスおよびギャップ幅を算出するステップは次の数式を利用する
   ことを特徴とする方法。 【数１】 【数２】 【数３】 ここで、 −ｂは、二面バイアスであり、 −ｓは、光学軸からスリット/透明マスクフィーチャーまでの測定距離であり
   、 −Ｇは、算出されたギャップ幅であり、 −λは、使用される放射線の波長であり、 −Ｎ_Fは、スリット/透明マスクフィーチャーに亘るフレネルハーフゾーンの数
   であり −ｆ（Ｉ）は、空中像の輝度の関数であり、 −νは、無次元空間座標であり −Δｓは、スリット幅（Ｗに等しい）であり −Δνは、所定のＧおよびλにおけるΔｓに対応する無次元空間座標である。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の方法であって、無次元空間座標Δνは任意
   の電磁波の任意の波長λまたは素粒子に対して１．４から３．０の範囲であるこ
   とを特徴とする方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の方法であって、無次元空間座標Δνは任意
   の電磁波の波長λまたは素粒子に対して約２．４であることを特徴とする方法。
10. 【請求項１０】 請求項１に記載の方法であって、 上記フォトレジストを現像することをさらに含むことを特徴とする方法。
11. 【請求項１１】 請求項１に記載の方法であって、 前記露光するステップは電磁波をマスクを通過させることによりフォトレジス
    トを露光することを特徴とする方法。
12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の方法であって、上記電磁波はＸ線であ
    ることを特徴とする方法。
13. 【請求項１３】 請求項１に記載の方法であって、 前記露光するステップはイオンまたは素粒子をマスクを通過させることにより
    ウエハを露光することを特徴とする方法。
14. 【請求項１４】 請求項１に記載の方法であって、 前記露光するステップは、マスクが種々のサイズのフィーチャーを含む場合、
    ステッピングされたギャップを用いて多重露光することにより露光照射量を制御
    することを特徴とする方法。
15. 【請求項１５】 請求項１に記載の方法であって、 前記露光するステップは、マスクが種々のサイズのフィーチャーを含む場合、
    ステッピングされたギャップを用いて連続露光を行うことにより露光照射量を制
    御することを特徴とする方法。
16. 【請求項１６】 請求項１に記載の方法であって、 前記露光するステップは、マスクが種々のサイズのフィーチャーを含む場合、
    ２つ以上のマスクで多重露光を行うことにより露光照射量を制御することを特徴
    とする方法。
17. 【請求項１７】 請求項１に記載の方法により製造されたデバイス。