JP2003504863A - ソレノイドを駆動する方法およびシステム - Google Patents

ソレノイドを駆動する方法およびシステム

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タマス アイ. パッタンティウス,
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ミリポール・コーポレイシヨン
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Abstract

(57)【要約】 低電力消費速度を有するパルス幅変調式(PMW)ソレノイドドライバのシステムおよび方法。ソレノイドを駆動するためのシステムは、ソレノイドと、ソレノイドを流れる所望の電流フローを確定するための電流設定点と、ソレノイドを流れる所望の電流フローと実際の電流フローとの間の差に基づいて、ソレノイドを流れる電流を制御するための逓降調整器回路とを含む。逓降調整器回路は、PMWソレノイドドライバの低電力消費速度に寄与する約1オーム以下の低内部抵抗を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の技術分野) 本発明は、概してソレノイドを駆動するシステムおよび方法に関し、特に、質
量流量コントローラ(MFC)内の弁を制御するソレノイドを駆動するシステム
および方法に関する。
【0002】 (発明の背景) 多くの製造プロセスは、プロセスチャンバ内に導入されるプロセス気体の導入
速度を厳密に制御することを必要とする。これらのタイプのプロセスは、質量流
量コントローラ(MFC)を使用し、気体のフロー速度を制御する。MFCは、
弁を制御するソレノイドドライバ回路を実施することによってガスを制御し得る
。チャンバ内へのフロー速度は、弁の開放に比例する。これに対し、弁の開放は
、ソレノイドの巻きを介して流れる電流に比例する。
【0003】 典型的なソレノイドドライバの基本回路を図1に示す。ソレノイドドライバ1
0は、電圧源12、トランジスタなどの制御要素14、および負荷デバイスのソ
レノイド16を含む。ソレノイド16を介した電流は、VL/ RLによって示さ
れ、ここでVLはデバイス14によって制御されるようなソレノイド16にわた
る電圧であり、RLはソレノイド16の抵抗である。RLは、ソレノイド16にお
ける動作温度に応じて変化し得る。ソレノイドドライバ10は、制御要素14の
使用を介してソレノイド16にわたる電圧を変化させることによって継続的に制
御される。ソレノイド16のインピーダンスは、誘導的でもあり、抵抗でもある
。典型的なインダクタンス値は、1H〜4Hに及び、対応する抵抗値は100Ω
〜300Ωに及ぶ。ソレノイドドライバ10内の電流を駆動するために使用され
る供給電圧12は、24ボルト(±12ボルト)から36ボルト(±18ボルト
)の範囲であり得る。ソレノイド16にわたって印加される電圧VLは、所望の
弁開放およびMFCデバイスにわたる電圧降下などの動作パラメータに依存して
、典型的には10ボルト〜18ボルトである。
【0004】 残念ながら、図1に示す典型的なソレノイドドライバ10には2つの不利点が
ある。第1の不利点は、ソレノイド16が出す力が、その巻きを介して流れる電
流には比例するが、巻きにわたる電圧には間接的にしか比例しないことである。
ソレノイド電圧が制御される場合、追加の時間的遅延がフィードバックループに
導入され、この遅延が安定性に問題を引き起こし得る。
【0005】 図1に示す回路の第2の不利点は、特に供給電圧12とソレノイド16にわた
る電圧VLとの差異が大きい場合に、電力が制御要素14内でしばしば無駄にさ
れることである。供給電圧12を、VSならびに所定のVS 、VLおよびRL
表すと、制御要素14内で散逸される電力は、(VS―L)×VL/RLに等しい
。無駄にされる電力は、制御要素14内で熱として散逸される。この散逸は、2
つの理由から望ましくない。第1に、散逸された電力は、システムの総合電力予
算を縮小させ、MFCに対して課された電力制限を顧客が破るかもしれない。さ
らに、制御要素14を介して生成される熱は、ユニット内のファンなど、強制冷
却器がないために問題を引き起こし得る。
【0006】 したがって、ソレノイドドライバができるだけ熱を散逸しないことが望ましく
、これにより、冷却メカニズムの必要性が減少または排除される。さらに、ソレ
ノイドドライバ内の制御要素のエネルギー消費を減少させることが望ましく、こ
れにより、制御要素がシステムの総合電力予算に対する要求を最小限に抑えるこ
とができる。
【0007】 (発明の要旨) 本発明は、ソレノイドを駆動するために以前に開発されたシステムおよび方法
に関連する不利点および問題を実質的に排除または減少する、ソレノイドを駆動
するシステムおよび方法を提供する。
【0008】 さらに詳細には、本発明は、パルス幅変調式(PWM)ソレノイドドライバの
システムおよび方法を提供する。ソレノイドを駆動するシステムは、ソレノイド
、ソレノイドを介して所望の電流フローを確立する電流設定点、および所望の電
流フローとソレノイドを介した実際の電流フローとの差異に基づいて、ソレノイ
ドを介した電流を制御する逓降調整器回路を含む。
【0009】 本発明は、トランジスタなどの制御要素を介する散逸に起因して、無駄にされ
る電力量を減少することによって重要な技術的利点を提供する。逓降調整器は、
逓降調整器に関する抵抗の低さに帰する最低電圧降下を提供する。したがって、
最低電力は逓降調整器の内部抵抗を介して散逸される。これは、ソレノイドを駆
動するために必要な総合電力予算を縮小し、結果、ソレノイドドライバを実施す
ることに関するコストを減少する。
【0010】 本発明の別の技術的利点は、典型的なソレノイドドライバで使用されるトラン
ジスタなどの制御要素を介したエネルギーの損失に関する熱が、ずいぶん減少さ
れることである。したがって、ユニット内のファンなどの強制冷却器の必要性が
排除される。
【0011】 (発明の詳細な説明) 本発明のより完全な理解およびその利点は、添付の図面とともに以下の記載を
参照することによって得られ得る。添付の図面においては、同様の参照符号は同
様の特徴を示す。
【0012】 本発明の好適な実施形態を、図面に示す。同様の参照符号は、種々の図面にお
いて同様および対応する部分を示すために使用される。
【0013】 本発明は、逓降調整器をソレノイド電力制御に適用するシステムおよび方法を
提供する。さらに詳細には、本発明は、ソレノイドを駆動するシステムを提供す
る。システムは、ソレノイド、ソレノイドを介して所望の電流を確立するための
電流設定点、および所望の電流フローとソレノイドを介した実際の電流フローと
の差異に基づいて、ソレノイドを介した電流を制御する逓降調整器回路を含む。
【0014】 パルス幅変調式(PWM)ソレノイド電流コントローラ20の基本回路を図2
および3に示す。この回路において、電圧源22は、スイッチコントローラによ
って制御され得る電子スイッチ24と直列に接続される。電子スイッチ24は、
ダイオード32と並列に接続されるソレノイド26からなる負荷と直列に接続さ
れる。ソレノイド26は、抵抗30と直列であるインダクタンス28として表さ
れる。図2は、電子スイッチ24が閉じている場合の回路状態を表し、図3は、
電子スイッチ24が開いている場合の回路状態を表す。図2に示すように、電子
スイッチ24が閉じている場合、電流は、抵抗30とソレノイド26のインダク
タンス28とによって表される負荷に集まる。この「on」期間中に集まる電流
は、インダクタンス28内に蓄積される。図3に示すように、電子スイッチ24
が開いている場合、インダクタンス28内に蓄積された電流は、抵抗30によっ
て生じる逆電圧降下と、ダイオード32にわたって生じる電圧降下に起因して減
少する。この切替電源(switched power source)を実施
することによって、ソレノイド26にわたって印加される等価な定常状態駆動電
圧VSSDは、VSSD=V*[ton/(ton+toff)]であり、ここでVは電圧源2
2であり、tonはスイッチが閉じている時間の長さであり、toffはスイッチが
開いている時間の長さである。
【0015】 図4は、電子スイッチ24の開いている間および閉じている間の、ソレノイド
26におけるピーク・トゥ・ピーク電流のグラフ表示である。ピーク・トゥ・ピ
ーク電流i(t)は、インダクタンス28、抵抗30、およびPWM信号の期間
(ton+toff)に依存する。ソレノイド26内に所望の電流レベルi(t)を
維持するように電子スイッチ24のon/off期間が適切に制御される場合、
電流制御が達成され得る。[ton/(ton+toff)]の割合は、デューティサ
イクルと呼ばれる。電子スイッチ24が閉じた瞬間に、ソレノイド26内の電流
i(t)が、初期値i1から増加し始め、最終値i2に達したとき、電子スイッチ
24が開く。インダクタを介した電流が瞬時に変化し得ないため、この増加は瞬
時に行われない。その代わりに、急激なカーブが、電子スイッチ24の閉じる時
間と電子スイッチ24の開く時間との間に見られる。同様に、電子スイッチ24
が開いている場合、インダクタンス28内の電流i(t)が、初期値i2から急
激に減少し始め、最終値i1に達したとき、電子スイッチ24が再度閉じられる
。このプロセスは、電子スイッチ24の開閉する回数分繰り返される。ソレノイ
ド26を介した電流の平均値iAVは、[(i1+i2)/2]にほぼ等しい。
【0016】 図5は、5ボルトの逓降スイッチング調整器34である。この回路の中心は、
逓降調整器集積回路36(バックスイッチング調整器)である。逓降調整器集積
回路36は、5ボルト(3.3ボルトまたは2.7ボルトなど)のスイッチング
電力供給制御で概して使用される、一般に市販されている、低価格な精密な集積
回路であり得る。図5において、逓降調整器集積回路36は、LM2674とし
て表され、これは、CaliforniaのSanta ClaraのNati
onal Semiconductor Corporationの製品である
。この特定の逓降調整器集積回路36は、内部で制御される260kHzの周波
数、PWM制御、フィードバック補正、および約0.25ohmの低い内部抵抗
を有する。本発明は、LM2674デバイスに限定されない。多くの逓降調整器
が市場に出回っており、本発明において同様に使用され得る。市場に出回ってい
る逓降調整器の内部抵抗の典型的な範囲は、約0.1から1ohmである。
【0017】 逓降調整器集積回路36は、通常、接地38を基準とし、ストレージコンデン
サ50にわたって5ボルトの出力40を生成する。5ボルトの出力40は、「o
n」期間中には、正のスイッチング電圧供給44と5ボルトの出力40との間に
あり、「off」期間中には、接地38と5ボルトの出力40との間にある、適
切にサイズが調整されたインダクタ42を切り替えることによって維持される。
インダクタ42が、正のスイッチング電圧44と5ボルトの出力40との間で接
続されるとき、正のスイッチング電圧44が、逓降コントローラ36内にあるス
イッチングデバイスを介して、入力電圧43(8ボルト以上)に接続される。
【0018】 インダクタ42のスイッチング電圧供給44はまた、ダイオード46のカソー
ドに接続される。ダイオード46のアノードは、接地されて、「off」期間中
に電流パスを提供する。ストレージコンデンサ50は、5ボルトの出力40と接
地38との間に接続される。負荷52は、5ボルトの供給電圧を必要とし、スト
レージコンデンサ50と並列に接続される。逓降調整器集積回路36が開いたス
イッチ48によってまず「on」にされるとき、ストレージコンデンサ50にわ
たる5ボルトの出力40は0である(コンデンサにわたる電圧は瞬時に変化し得
ない)。したがって、全スイッチング電圧供給44が、PWM期間内に最大パル
ス幅となるようにインダクタ42に印加される。インダクタ電流54は、インダ
クタ42を介して流れ始め、制御サイクルの「off」部の間に、電力がインダ
クタ42から排除されるときでさえも、ダイオード46を介して維持され得る。
インダクタ電流54は、平衡がインダクタ電流54と負荷電流56との間に確立
されるまで、連続するon/offサイクルの間中、集められる。
【0019】 図5における回路が定常状態動作モードにあるとき、ストレージコンデンサ5
0にわたる5ボルトの出力40が、逓降調整器集積回路36内の制御回路によっ
て正確に調整される。負荷電流56が定常状態レベルより増加または減少する場
合、フィードバック制御VFBにより、逓降調整器集積回路36が、スイッチング
電圧供給44のデューティサイクル[ton/(ton+toff)]をそれぞれ増加
または減少させ、これにより、負荷52にわたって5ボルトの出力40が維持さ
れる。同様に、5ボルトの出力40が増加または減少する場合、スイッチング電
圧供給44のパルス幅は、それぞれ減少または増加し、負荷52にわたって5ボ
ルトが維持される。
【0020】 本発明の1実施形態を図6に示す。この回路は、逓降調整器集積回路60をソ
レノイド62内の電圧制御に使用できるように組み込む。逓降調整器は、入力電
圧ピン、フィードバック電圧ピン、リセットピン、接地ピンおよびスイッチング
電圧ピンを含み得る。ソレノイド62は、質量流量コントローラ(MFC)内の
弁を制御し得る。逓降調整器集積回路60は、正の電圧供給64および負の電圧
供給66から供給される。正の供給電圧64および負の供給電圧66用の電圧線
は、対のコンデンサC1、C2およびC6、C7によってフィルタリングされる。フ
ィルタリングは、供給線と、逓降調整器集積回路60のスイッチング動作によっ
て生成される過渡電流から供給線に接続される任意の他の回路部とを保護し得る
。正の供給電圧64および負の供給電圧66の範囲は、接地68に関して、それ
ぞれ(+12ボルト−+18ボルト)および(-12ボルト−-18ボルト)であり
得る。
【0021】 ソレノイド62は、逓降調整器集積回路60のスイッチング電圧70と、電圧
感知レジスタR26にわたる負の供給電圧66との間に接続される。ダイオードD 1 もまた、逓降調整器集積回路60のスイッチング電圧70と、負の供給電圧6
6との間に接続される。電流感知レジスタR26にわたる小さな電圧降下(典型的
には、最大ソレノイド電流において数百mV)は、オペアンプ72および支援コ
ンポーネント(R17-25、C8-10)によって増幅され得、ソレノイド電流76の
電圧アナログ74を生成する。オペアンプ72は、接地68を基準とする入力に
よって、差動アンプとして接続され得る。したがって、図7に列挙するコンポー
ネント値を使用して、電流が0mAである場合、ソレノイド電流76の電圧アナ
ログ74は0vであり、110mAである場合、ソレノイド電流76の電圧アナ
ログ74は5ボルトである。
【0022】 ソレノイド62を介したソレノイド電流76がMFC内の弁を作動させるため
に必要な所望のソレノイド電流に合致するとき、逓降調整器集積回路60は、フ
ィードバック電圧104が調整器接地78の電位より5ボルト高くある必要があ
る。しかし、調整器接地78は、負の供給電圧66に接続される。したがって、
電圧アナログ74が、−V2+5ボルトによって負の方向に移行される必要があ
る。ここで、−V2は負の供給電圧66である。このタスクは、オペアンプ80
およびその支援コンポーネント(R8-13)によって実行され得る。R12の値がR 11 に比べてごく少量であると仮定し、図7で指定されるR8-13の場合の抵抗値を
使用すると、オペアンプ80の正のノード電圧82は、
【0023】
【数1】 に等しい。線形動作モードにおいて、オペアンプ80の負のノード電圧84は、
ごく少量のオフセット電圧内で、オペアンプ80の正のノード電圧82に合致す
る必要がある。したがって、これらの電圧は、
【0024】
【数2】 である場合のみ、等しい。ここでVBは、バイアス電圧86、つまり、オペアン
プ80の出力電圧である。それ故、図7に指定するコンポーネント値でバイアス
電圧86を解決すると、 VB=5−V2 (式3) がもたらされる。
【0025】 フロー設定点電圧88は、オペアンプ90および対応コンポーネント(R1
2、C4、C5)に入力される。フロー設定点電圧88は、MFCの一部である
デジタル信号プロセッサによって確立され得る。デジタル信号プロセッサは、M
FCの弁を介して、フロー速度の弁と所望のフロー速度とを比較するソフトウェ
アを含み得る。ソフトウェアは、次いで弁設定点電圧88を生成し得る。弁設定
点電圧88は、フィードバック電圧104を生成するために使用される設定点電
圧92を生成するために使用される。設定点電圧92は、比例してサイズ調整さ
れ、移行された電圧アナログ74と比較される。設定点電圧92と電圧アナログ
74との差異は、逓降調整器集積回路60によって使用され、スイッチング電圧
70のパルス幅を決定し、これによりスイッチング電圧70は、ソレノイド電流
76を制御する。
【0026】 弁設定点電圧88は、オペアンプ90および支援コンポーネントR1-2、C4-5 に接続され、アクティブローパスフィルタ94を形成する。アクティブローパス
フィルタ94は、図7におけるコンポーネント値の場合、59.2Hzおよび0
.686減衰係数(ほぼバターワースローパスフィルタ応答に相当)においてー
3dBの減衰を有し得る。バターワースローパスフィルタ応答はここでは必要で
はないことに留意されたい。これは、チェビシェフフィルタまたはベッセルフィ
ルタなど、他のフィルタによって達成することもできたが、バターワースフィル
タが、フラット周波数応答に適切な時間領域のオーバーシュートを提供する。弁
設定点88は、0〜5ボルトの定常DCレベルであるか、1秒当たり610(ま
たはそれより大きい)パルス(pps)におけるパルス幅変調式信号のいずれか
であり得る。アクティブローパスフィルタ94は、要素100によって基本コン
ポーネントまたは610Hzコンポーネントを、そして要素200によって第2
高調波を減少させ得る。それ故、アクティブローパスフィルタ94の出力は、設
定点電圧92であり、これはDC設定点電圧か、または平均PWM設定点電圧の
いずれかであり得、双方が0ボルト〜5ボルトの範囲に及ぶ。
【0027】 設定点電圧92、電圧アナログ74およびバイアス電圧86は、差動アンプス
テージ96において接続される。図7に指定するようなコンポーネント値を使用
すると、オペアンプ100の正のノード電圧98は、
【0028】
【数3】 によって示される。ここで、V(i)は、ソレノイド電流76の電圧アナログ7
4を表す。図7のコンポーネント値を使用すると、オペアンプ100の負のノー
ド102における電圧は、
【0029】
【数4】 によって示される。ここで、VSPは、設定点電圧92であり、VFBは、フィード
バック電圧102である。式5に等しい設定式4によって、 VFB=V(i)―VSP +(5−V2) (式6) がもたらされる。オペアンプ100の出力、VFBは、電圧アナログ74と設定点
電圧92との差異からなるフィードバック電圧102である。フィードバック電
圧74は、負の供給電圧66(−V2)より5ボルト高くバイアスされ、逓降調
整器集積回路60の動作条件を満たす。
【0030】 MFCのデジタル信号プロセッサの初期化プロセスの場合には、初期化が完了
するまで、図6に示すPWMソレノイドドライバをディセーブルにすることが望
ましいかもしれない。さらに緊急の終了または保持の場合にも、PWMソレノイ
ドドライバをディセーブルにすることが望ましいかもしれない。いずれの場合に
おいても、抵抗コンポーネントのR5-7、R12、R15-16と、ダイオードD1およ
びD2とともに、トランジスタQ1およびトランジスタQ2は、図6に示すPW
Mソレノイドドライバ回路をディセーブルにする手段を提供し得る。
【0031】 リセットノード106またはoffノード108は、ほぼ接地レベルにまで駆
動され得、これにより、トランジスタQ1がonとなり、コレクタが5ボルトに
まで引き上げられる。トランジスタQ1のコレクタは、R15を介してトランジ
スタQ2のベースに接続される。このようにトランジスタQ2のベースをバイア
スすることによって、トランジスタQ2がonとなる。一方、逓降調整器集積回
路60の
【0032】
【数5】 ピン110が、負の供給66にまで引き上げられ、逓降調整器集積回路60がo
ffとなり得る。リセットノード106またはoffノード108が引き下げら
れない場合(すなわち、+5ボルトに接続されるか、または浮いたままにされる
)、トランジスタQ1およびトランジスタQ2の双方がディセーブルにされ、
【0033】
【数6】 ピン110が負の供給電圧66から切断された状態のままであり、逓降調整器集
積回路60がonの状態のままであるかもしれない。抵抗R12は、オペアンプ8
0の出力86をやや正の方向にバイアスするために使用され、設定点電圧92が
0ボルトである場合に逓降調整器集積回路60が終了されることを保証し得る。
【0034】 本発明は、質量流量コントローラ内の弁を駆動するために使用され得る。質量
流量コントローラは、インターフェース回路部、センサー線形化、微分制御、比
例制御、および閉ループ制御アルゴリズムを備えたフローセンサーを含み得る。
1999年7月9日にT.I.Pattantyusらによって出願された「I
mproved Mass Flow Sensor Interface C
ircuit」と題する米国特許出願第09/350、746号に開示されるフ
ローセンサーインターフェース回路部を参照する。さらに、1999年7月9日
にT.I.PattantyusおよびF.Tariqによって出願された「M
ethod and System for Sensor Response
Linearization」と題する米国特許出願第09/350、747
号に開示される線形化方法を参照する。さらに、1999年7月9日にE.Vy
ersらによって出願された「A System and Method Fo
r A Digital Mass Flow Controller」と題す
る米国特許出願第09/351、120号に開示される微分制御を参照する。さ
らに、1999年7月9日にE.Vyersによって出願された「System
and Method for a Variable Gain Prop
ortional−Integral(PI)Controller」と題する
米国特許出願第09/351、098号に開示される比例制御を参照する。最後
に、1999年7月9日にK.Tinsleyによって出願された「Syste
m and Method of Operation of a Digit
al Mass Flow Controller」と題する米国特許出願第0
9/350、744号に開示される上級デジタル制御アルゴリズムを参照する。
本発明が上述のコンポーネントを含む質量流量コントローラにおける使用に限定
されないことに留意することは重要である。
【0035】 逓降調整器の詳細な記載を与える、多くのソース、データシートおよびアプリ
ケーションの報告がある。ここで、「LM2674 SIMPLE SWITC
HER(R) Power Converter High Efficien
cy 500mA Step−Down Voltage Regulator
」(1998年9月)と題するNational Semiconductor
のデータシートを参照する。本使用がNational Semiconduc
torのデバイスに限定されないことに留意することは重要である。他の調整器
ICも同様に使用され得る。
【0036】 この回路の技術的利点は、電力が逓降調整器集積回路60でほとんど無駄にさ
れないことである。図6に示すソレノイドドライバによって散逸される電力量は
、ソレノイド62、ダイオードD1、正の供給電圧64、負の供給電圧66およ
び逓降調整器集積回路60を含むすべてのコンポーネントに依存する。逓降調整
器集積回路60がonである間は、電力は逓降調整器集積回路60によってほと
んど散逸されない。これは、逓降調整器集積回路60にわたる電圧降下が綿密な
設計によって最小限に抑えられるからである。綿密な設計によって、逓降調整器
集積回路60内の内部抵抗を低くすることが可能になる(〜0.1−〜1.0o
hm)。「off」サイクル中も(逓降調整器集積回路60内部へのスイッチが
開いているとき)、特にショットキダイオードが使用される場合も、ダイオード
D1にわたる電圧は、小さい。結果、図6の回路内に散逸される電力のほとんど
が、ソレノイド電流76を保持するために使用される。逓降調整器集積回路60
内の内部抵抗が低いため、従来技術による制御要素に消費される電力に比べ、逓
降調整器は電力消費の速度を遅くし得る。結果、ソレノイドドライバ回路が、従
来技術の方法より、電力消費の速度が遅くあり得る。
【0037】 本発明の別の技術的利点は、電圧アナログ74が2つの目的のために使用され
ることである。第1の目的は、電圧アナログ74がMFCが適切に動作している
ことをユーザに示すために使用され得ることである。第2に、電圧アナログ74
が、逓降調整器集積回路60のフィードバック電圧104を決定するために、設
定点電圧92(弁設定点電圧88の機能)と比較される動的なフィードバック信
号として使用される。フィードバック電圧104は、ソレノイド62にわたるス
イッチング電圧70のデューティサイクルを制御し、これにより(in tur
n)ソレノイド62は、ソレノイド電流76を制御する。
【0038】 市販の逓降調整器集積回路のほとんどによって提供されるさらなる利点は、組
み込まれた短絡防止である。ソレノイド62が短絡される場合、逓降調整器集積
回路60の出力電流が最大許容を越え、これにより、スイッチング電圧30がほ
ぼ瞬時にoffとなる。図6の回路は、回路の任意な部分にいかなる損害も与え
ることなしに、不定に短絡された出力で実行され得る。
【0039】 本発明が例示的な実施形態を参照しながら本明細書において詳細に記載されて
きたが、記載は単なる例のみから行われており、本発明を限定する意味では解釈
されないことが理解されるべきである。したがって、本発明の実施形態および本
発明のさらなる実施形態における多くの詳細な変更が、本記載を参照する当業者
にとって明白であり、本記載を参照する当業者によって行われることがさらに理
解されるべきである。すべてのそのような変更およびさらなる実施形態が、上掲
の特許請求の範囲にあるように、本発明の精神および真の範囲内であることが考
えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、制御要素としてのトランジスタを備えたコントローラのための基本線
形制御回路を示す図である。
【図2】 図2は、スイッチが閉じているパルス幅変調式ソレノイド電流コントローラの
基本回路を示す図である。
【図3】 図3は、スイッチが開いているパルス幅変調式ソレノイド電流コントローラの
基本回路を示す図である。
【図4】 図4は、図2および3のソレノイドにおけるピーク・トゥ・ピーク電流のグラ
フを示す図である。
【図5】 図5は、5ボルトの逓降調整器のための典型的な回路図である。
【図6】 図6は、質量フローコントローラ内の弁を制御するソレノイドを介して電流を
統制するPWMシステムのための本発明の1実施形態を示す図である。
【図7】 図7は、図6で示す回路の1実施形態のコンポーネント値を含む表を示す図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AG,AL,AM,AT,AU, AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,CA,C H,CN,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ,EE ,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,HR, HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,K P,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU ,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX, MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S E,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT ,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA,ZW

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 低電力消費速度を有するパルス幅変調式ソレノイドドライバ
    であって、 ソレノイドと、 該ソレノイドを流れる所望の電流フローを確定するためのフロー設定点電圧と
    、 該ソレノイドを流れる該所望の電流フローと実際の電流フローとの間の差に基
    づいて、該ソレノイドを流れる該実際の電流フローを制御するための逓降調整器
    回路と を含む、パルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  2. 【請求項2】 前記逓降調整器は、約1オーム以下の低内部抵抗を有する、
    請求項1に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  3. 【請求項3】 前記低内部抵抗は、前記パルス幅変調式ソレノイドドライバ
    の前記低電力消費速度に寄与する、請求項2に記載のパルス幅変調式ソレノイド
    ドライバ。
  4. 【請求項4】 前記逓降調整器は、入力電圧ピンと、フィードバック電圧ピ
    ンと、リセットピンと、接地ピンと、スイッチング電圧ピンとを備える、請求項
    1に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  5. 【請求項5】 前記逓降調整器の前記入力ピンに接続された第1の供給電圧
    と、 前記スイッチング電圧ピンに接続された前記ソレノイドの第1の端子と、 第2の供給電圧にも接続された電流感知レジスタと直列接続された該ソレノイ
    ドの第2の端子と、 該スイッチング電圧ピンに接続されたダイオードのカソードと、 第3の供給電圧に接続された該ダイオードのアノードと、 該第3の供給電圧に接続された該逓降調整器の前記接地ピンと をさらに含む、請求項4に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  6. 【請求項6】 前記ダイオードはショットキーダイオードである、請求項5
    に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  7. 【請求項7】 前記電流感知レジスタ全体にかかる電圧をフィルタリングし
    、かつ増幅し、前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローの電圧アナログを
    生成するための第1の増幅器段をさらに含む、請求項5に記載のパルス幅変調式
    ソレノイドドライバ。
  8. 【請求項8】 前記電圧アナログは、前記パルス幅変調式ソレノイドドライ
    バのパフォーマンスをモニタリングするための診断ツールとして用いられる、請
    求項7に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  9. 【請求項9】 前記増幅器段は、作動増幅器と、抵抗性コンポーネントと、
    容量性コンポーネントとを含む、請求項7に記載のパルス幅変調式ソレノイドド
    ライバ。
  10. 【請求項10】 前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローが前記所望
    の電流フローと一致する場合、前記フィードバック電圧ピンは、前記接地ピンの
    電圧以上の逓降調整器の作動上の所定電圧にバイアスされる、請求項7に記載の
    パルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  11. 【請求項11】 前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローの前記電圧
    アナログを、前記第2の供給電圧と前記逓降調整器の作動上の所定電圧との合計
    だけ負にシフトさせ、該実際の電流フローのスケーリングされバイアスされた電
    圧アナログを生成するための第2の増幅器段をさらに含む、請求項10に記載の
    パルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  12. 【請求項12】 前記第2の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トとを含み、該第2の増幅器段は、倍非反転増幅器である、請求項11に記載の
    パルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  13. 【請求項13】 前記フロー設定点電圧をフィルタリングして、設定点電圧
    を生成するための第3の増幅器段をさらに含む、請求項11に記載のパルス幅変
    調式ソレノイドドライバ。
  14. 【請求項14】 前記第3の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トと容量性コンポーネントとを含むローパスフィルタであり、該抵抗性コンポー
    ネントおよび該容量性コンポーネントは、該ローパスフィルタのカットオフ周波
    数を決定する、請求項13に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  15. 【請求項15】 前記実際の電流フローの前記スケーリングされバイアスさ
    れた電圧アナログと前記設定点電圧とを比較して、前記逓降調整器の前記フィー
    ドバック電圧ピンにおけるフィードバック電圧を生成するための第4の増幅器段
    をさらに含み、該逓降調整器は、該フィードバック電圧に応答して前記スイッチ
    ングピンのスイッチング電圧のデューティサイクルを生成する、請求項13に記
    載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  16. 【請求項16】 前記第4の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トとを含む、請求項15に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  17. 【請求項17】 前記ソレノイドは、質量フローコントローラの弁を制御す
    る、請求項15に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  18. 【請求項18】 前記フロー設定点電圧は、前記質量フローコントローラ内
    のデジタル信号プロセッサによって決定される、請求項17に記載のパルス幅変
    調式ソレノイドドライバ。
  19. 【請求項19】 前記デジタル信号プロセッサは、前記弁を流れる実際の流
    量を比較して、該弁を流れる所望の流量に基づいて前記フロー設定点電圧を算出
    し、該弁を流れる該所望の流量は、該所望の電流フローの関数である、請求項1
    8に記載のパルス幅変調式ソレノイドドライバ。
  20. 【請求項20】 前記逓降調整器の前記リセットピンに接続された、リセッ
    ト信号を生成するための回路網をさらに含む、請求項19に記載のパルス幅変調
    式ソレノイドドライバ。
  21. 【請求項21】 低電力消費速度を有するパルス幅変調式ソレノイドドライ
    バを駆動する方法であって、 逓降調整器から出力されたパルス幅変調信号を用いて、該ソレノイドを流れる
    実際の電流フローを生成する工程と、 該ソレノイドを流れる該実際の電流フローを、該ソレノイドを流れる該実際の
    電流フローの電圧アナログに変換する工程と、 設定点電圧および該ソレノイドを流れる該実際の電流フローの該電圧アナログ
    の関数である誤差信号を生成する工程であって、該設定点電圧は、該ソレノイド
    を流れる所望の電流フローの関数である、工程と、 該誤差信号を該逓降調整器にフィードバックして、該パルス幅変調信号のパル
    ス幅を変更する工程と を包含する、方法。
  22. 【請求項22】 前記逓降調整器は、約1オーム以下の低内部抵抗を有する
    、請求項21に記載の方法。
  23. 【請求項23】 前記低内部抵抗は、前記パルス幅変調式ソレノイドドライ
    バの前記低電力消費速度に寄与する、請求項22に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記逓降調整器は、入力電圧ピンと、フィードバック電圧
    ピンと、リセットピンと、接地ピンと、スイッチング電圧ピンとを備える、請求
    項21に記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローを生成する
    前記工程は、 第1の供給電圧を前記逓降調整器の前記入力電圧ピンに接続する工程と、 前記ソレノイドの第1の端子を前記スイッチング電圧ピンに接続する工程と、 該ソレノイドの第2の端子を電流感知レジスタの第1の端子に接続する工程と
    、 該電流感知レジスタの第2の端子を第2の供給電圧に接続する工程と、 ダイオードのカソードを該スイッチング電圧ピンに接続する工程と、 該ダイオードのアノードを第3の供給電圧に接続する工程と、 該逓降調整器の前記接地ピンを該第3の供給電圧に接続する工程と をさらに包含する、請求項24に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記ダイオードはショットキーダイオードである、請求項
    25に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローを変換する
    前記工程は、前記電流感知レジスタ全体にかかる電圧を第1の増幅器段を用いて
    増幅し、フィルタリングし、該ソレノイドを流れる該実際の電流フローの前記電
    圧アナログを生成する工程をさらに包含する、請求項25に記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記電圧アナログを用いて、前記パルス幅変調式ソレノイ
    ドドライバのパフォーマンスをモニタリングする工程をさらに包含する、請求項
    27に記載の方法。
  29. 【請求項29】 前記増幅器段は、作動増幅器と、抵抗性コンポーネントと
    、容量性コンポーネントとを含む、請求項27に記載の方法。
  30. 【請求項30】 前記ソレノイドを流れる前記実際の電流フローが前記所望
    の電流フローに一致する場合、前記フィードバック電圧ピンは、前記接地ピンの
    電圧以上の逓降調整器の作動上の所定電圧にバイアスされる、請求項27に記載
    の方法。
  31. 【請求項31】 前記誤差信号を生成する工程は、前記ソレノイドを流れる
    前記実際の電流フローの前記電圧アナログを、第2の増幅器段を用いて前記第2
    の供給電圧と前記逓降調整器の作動上の所定電圧との合計だけ負にシフトさせ、
    該実際の電流フローのスケーリングされバイアスされた電圧アナログを生成する
    工程をさらに包含する、請求項30に記載の方法。
  32. 【請求項32】 前記第2の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トとを含み、該第2の増幅器段は、倍非反転増幅器である、請求項31に記載の
    方法。
  33. 【請求項33】 前記誤差信号を生成する工程は、前記設定点電圧を生成す
    るために、第3の増幅器段を用いて前記フロー設定点電圧をフィルタリングする
    工程をさらに包含する、請求項31に記載の方法。
  34. 【請求項34】 前記第3の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トと容量性コンポーネントとを含むローパスフィルタであり、該抵抗性コンポー
    ネントおよび該容量性コンポーネントは、該ローパスフィルタのカットオフ周波
    数を決定する、請求項33に記載の方法。
  35. 【請求項35】 前記誤差信号を生成する工程は、前記ソレノイドを流れる
    前記実際の電流フローの前記スケーリングされバイアスされた電圧アナログと前
    記設定点電圧とを比較して、第4の増幅器段を用いて前記逓降調整器の前記フィ
    ードバック電圧ピンにおけるフィードバック電圧を生成する工程をさらに包含す
    る、請求項33に記載の方法。
  36. 【請求項36】 前記第4の増幅器段は、作動増幅器と抵抗性コンポーネン
    トとを含む、請求項35に記載の方法。
  37. 【請求項37】 前記ソレノイドは、質量フローコントローラの弁を制御す
    る、請求項35に記載の方法。
  38. 【請求項38】 前記フロー設定点電圧は、前記質量フローコントローラ内
    のデジタル信号プロセッサによって決定される、請求項37に記載の方法。
  39. 【請求項39】 前記デジタル信号プロセッサは、前記弁を流れる実際の流
    量を比較して、該弁を流れる所望の流量に基づいて前記フロー設定点電圧を算出
    し、該弁を流れる該所望の流量は、該所望の電流フローの関数である、請求項3
    8に記載の方法。
  40. 【請求項40】 質量フローコントローラの弁を駆動するための低電力消費
    速度を有するパルス幅変調式ソレノイドドライバであって、該パルス幅変調式ソ
    レノイドドライバは、 ソレノイドと、 該ソレノイドを流れる所望の電流フローを確定するためのフロー設定点電圧と
    、 該パルス幅変調式ソレノイドドライバのパフォーマンスをモニタリングするた
    めの診断ツールとして用いられる、該ソレノイドを流れる実際の電流フローの電
    圧アナログと、 該ソレノイドを流れる実際の電流フローを制御するために、該フロー設定点電
    圧と該電圧アナログとの関数を用いた逓降調整器回路であって、該逓降調整器回
    路は、該低電力消費速度に寄与する約1オーム以下の低内部抵抗を有する、逓降
    調整器回路と を含む、パルス幅変調式ソレノイドドライバ。
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