JP2003502991A - 電気回路構成及びエネルギー調整のための万能多機能共通伝導性シールド構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、エネルギーとＥＭＩ調整及び保護のための伝導性伝路（８００Ｄ）を備えた層状の万能多機能共通伝導性シールド構造に関し、当該層状の万能多機能共通伝導性シールド構造はまた、普通に分けられそして中央に配置された、シールドすることと、寄せ集められ付勢された伝導性伝路電極（８０５）間にスムースなエネルギーの相互作用を容認することとが同時にできるその構造の伝導性伝路又は電極（８０９）を有している。本発明は、付勢されたとき、含まれた伝導性伝路又は電極を、お互いに関して調和しているがそれぞれ正反対に同調又は付勢された仕方で動作させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】

本出願は、２０００年５月２６日に出願された係属中の出願０９／５７９，６
０６の一部継続出願であり、当該係属中の出願０９／５７９，６０６の出願は、
１９９９年１２月１３日に出願された共通の係属中の出願シリアル番号０９／４
６０，２１８の一部継続出願であり、当該シリアル番号０９／４６０，２１８の
一部継続出願は、１９９８年４月７日に出願されたシリアル番号０９／０５６，
３７９の継続出願で、今では米国特許第６，０１８，４４８として公表されてい
る。当該米国特許第６，０１８，４４８は、１９９８年１月１９日に出願された
シリアル番号０９／００８，７６９の一部継続出願であり、当該シリアル番号０
９／００８，７６９の一部継続出願は、１９９７年４月８日に出願されたシリア
ル番号０８／８４１，９４０の一部継続出願で、今では米国特許第５，９０９，
３５０として公表されている。

【０００２】 また本出願は、１９９９年５月２８日に出願された米国仮出願番号６０／１３
６，４５１、１９９９年６月１５日に出願された米国仮出願番号６０／１３９，
１８２、１９９９年８月３日に出願された米国仮出願番号６０／１４６，９８７
、１９９９年１１月１２日に出願された米国仮出願番号６０／１６５，０３５、
２０００年２月３日に出願された米国仮出願番号６０／１８０，１０１、２００
０年２月２８日に出願された米国仮出願番号６０／１８５，３２０、２０００年
４月２８日に出願された米国仮出願番号６０／２００，３２７、及び２０００年
５月１２日に出願された米国仮出願番号６０／２０３，８６３の利益を要求して
いる。

【０００３】

【発明の背景】

本発明は、同時に、シールドされることができ、そして寄せ集められ付勢され
た伝導性伝路の電極間にスムースなエネルギーの相互作用を容認する、共通的に
分けられ中央に配置された伝導性伝路又は電極をもまた備えた回路構成（ｃｉｒ
ｃｕｉｔｒｙ）及びエネルギー調整のための伝導性供給伝路又はバイパス路を有
する層状万能多機能共通伝導性シールド構造（ｌａｙｅｒｅｄ，ｕｎｉｖｅｒｓ
ａｌ，ｍｕｉｔｉ−ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｍｍｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
ｓｈｉｅｌｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に関するものである。

【０００４】 本発明は、付勢されたとき、含まれた伝導性伝路又は電極を、お互いに関して
調和しているがそれぞれ正反対に同調又は付勢された仕方で動作することを許す
。本発明はまた、回路内に置かれそして付勢されたとき、供給源とエネルギー利
用負荷との間で明らかに同一かバランスされた電圧供給が維持されている間、Ｅ
ＭＩフィルタとサージ保護とを提供する。

【０００５】 本発明はまた、バイパス、エネルギーと信号との分離、エネルギーの貯蔵及び
集積回路ゲートの同時切換え動作（ＳＳＯ）中での連続したバランスを含むエネ
ルギー調整機能を、同時に、そして効果的に提供することができる。これらの調
整機能はすべて、本発明が回路内で受動的に動作しているとき、混乱に陥れるエ
ネルギーの寄生振動振動をその回路構成に引き起こすことなく提供される。

【０００６】 電気システムは、この１０年にわたて製品寿命サイクルが短くなってきている
。たった２年前に作られたシステムは、同じ出願の三又は四世代の変形に対して
時代遅れと考えることができる。従って、システムは、これらに組み込まれる受
動的構成部品や回路構成を極めて急速に発展させる必要がある。しかしながら、
受動的構成部品の発展は歩調をそろえていない。コンピュータ或いは他の電子シ
ステムの成果は、その最も遅い能動素子の動作周波数によって典型的に制約され
ている。

【０００７】 これらの素子は、最近まで、マイクロプロセッサや全システム中の特別の機能
と計算を制御するメモリ部品であった。しかしながら、新しいマイクロプロセッ
サ、メモリ部品及びそのデータの出現で、焦点が変わった。強化された処理能力
とスピードとをもって低製品価格でシステムユーザに提供する産業に強烈な圧力
が今や掛かっている。

【０００８】 この環境の下で引き起こされたＥＭＩはまた、国際的な放出及び／又は敏感な
要求に出会うと排斥されるか軽視されるに違いない。

【０００９】 １９８０以来、主流のマイクロプロセッサの典型的な動作周波数は、２０００
年末までに５ＭＨｚ（毎秒百万回）から約１２００５ＭＨｚ＋まで約２４０倍に
増大した。プロセッサの周波数動作スピードは今や超高速ＲＡＭアーキテクチャ
ーの発展とその態勢の完備との調和にかかっている。

【００１０】 これらの躍進のおかげで、能動構成部品の総合体系の周波数動作スピードが１
ＧＨｚ台以上に引き上げられた。しかしながら、この同じ時期に、能動構成部品
の技術はこれらの新たな躍進に追いつけず、構成や遂行においてわずかな変化を
もたらしたにしかすぎなかった。受動部品の設計におけるこれらの進歩及び変化
とは、主に部品サイズの小型化、個別部品の電極層形成のわずかな変更、電気絶
縁物の発見、そして装置製造技術或いは製品生産サイクル時間を短縮させる製造
費用の変更に焦点を合わせていた。

【００１１】 過去において、システムエンジニヤは、電気回路に配置する多くの受動部品を
減らすことによって設計問題を解決していた。これらの解決は一般に、増加する
インダクタの増加と、フィルタ、分離、そしてサージ保護のような別々の機能を
発揮するための先行技術のキャパシタと共に使用される抵抗の増加とを含んでい
る。１つ以上の機能を同時になし得るディバイスが数個存在はするけれど、これ
らのディバイスは、支援構成部品を必要とする受動ネットワークから成り立って
いる。

【００１２】 しかしながら、これらの受動ネットワークや先行技術の単一受動部品のライン
調整能力において大きな制限が存在することを見落とされるべきではない。この
制限は技術進歩の障害と電子及びコンピュータ産業における経済的成長の障害を
起こし、そして＋ＧＨｚスピードシステムの最後に残されている難問の１つとし
て存続する。

【００１３】 ハイスピードシステムの遂行に対する制約の焦点は、伝送されたエネルギー、
、プロセッサへ行き来するデータ信号、メモリ技術及び特別の電気システムの外
部にあるこれらの付加システムを順に助け、調整するところの支援受動構成部品
を構成する物理的アーキテクチャーの限界に集中している。

【００１４】 単一受動部品は一般に、５と２５０ＭＨｚとの間の限界を調整する物理的機能
ラインを持っている。高周波では大体において、負荷はいまだに、システム負荷
に送り届けられたエネルギーを適合させ又は制御する色々なＬ−Ｃ−Ｒ、Ｌ−Ｃ
及びＲ−Ｃのネットワークの様な塊なった要素向けの個別の受動素子との結合を
要求している。しかしながら、２００−２５０ＭＨｚ以上の周波数では、これら
の先行技術の個別のＬ−Ｃ−Ｒ、Ｌ−Ｃ、Ｒ−Ｃのネットワークは、伝送ライン
の特性や塊なったキャパシタンス、抵抗又はそのようなネットワークが目指して
いるインダクタンスをもたらすよりむしろマイクロ波のような特徴さえ呈し始め
ている。

【００１５】 この遂行の相違は、より高い動作周波数のマイクロプロセッサ、クロック、供
給源供給バスラインそして記憶装置との間の回路構成におけるここ２−３年来の
回路システムの異様或いは故障という形で現れ、支援受動素子のそれはシステム
の機能停止で終わっている。

【００１６】 加えて、これらの高周波数では、電気的な相補性要素又は付勢されたシステム
内で調和しバランスして電気的にも磁気的にも同時に作動する要素として、エネ
ルギー伝路は寄せ集められるか組み合わせられるのが通常である。先行技術の回
路構成備えた伝送エネルギーを調整するラインへの努力はＥＭＩ、ＲＦＩそして
容量性や誘導性寄生振動振動という形の妨害レベルを増加させた。

【００１７】 これらの増加の一つには、アンバランスと、妨害を作りだし或いは妨害を結合
電気回路構成の中に誘導する受動回路構成の遂行不足とにある。これは受動回路
構成に焦点を当てた新たな産業を生み出した。ところが焦点は主に、供給源や条
件、たとえば共通基準すなわち接地ラインの両側にある電圧の不平衡、供給源サ
ージからの不要の電圧過渡現象、人間、他の電磁波発生器などによって生み出さ
れた妨害にある。

【００１８】 高動作スピードでは、ＥＭＩはまた電気回路の伝路自体から発生しうることが
あり、ＥＭＩからシールドすることが望ましい。特異共通モードのノイズエネル
ギーが発生し、そしてケーブルに沿うと共にその周囲や、回路板の導体路やほと
んどの高速伝送ライン或いはバスライン伝路に沿って往復する。多くの場合、こ
れらの臨界エネルギー伝導体から放射されるエネルギーの場はアンテナとして振
る舞い、それ故、問題をさらに大きく悪化させる。

【００１９】 ＥＭＩ妨害の他の源は、活性シリコン部品の動作、すなわちスイッチ動作をす
るとき活性シリコン部品から発生する。ＳＳＯのようなこれらの問題は、回路崩
壊のよく知られた原因である。他の問題は、シールドされていないことと、電気
回路に或いはその上に思いのまま接続し、高周波の重大な妨害を発生させる寄生
振動振動エネルギーとを含む。

【００２０】 その他の回路崩壊は、微妙にバランスがとられているコンピュータ或いは電気
システムを使用不可能にする接地電位を変えることで生じる接地障害と同様に、
大きな電圧の過渡現象から派生する。サージの存在とＥＭＩ保護ディバイスは単
一集積パッケージ内で充分に保護することができなかった。いろいろな部品やネ
ットワーク化された塊のフィルタ、分離器、サージ抑制ディバイス、結合器そし
て回路構成は、先行技術不足によって立証されているように効果的ではないこと
を示した。

【００２１】 出願人によって、２０００年４月２８日に出願された米国特許出願０９／５６
１，２８３と２０００年５月２６日に出願された米国特許出願０９／５７９，６
０６は、新ファミリーの部品、多機能エネルギー調整器へのたゆまぬ改良を述べ
ている。これらの多機能エネルギー調整器は、共通的に分けられ中央に配置され
た、付勢されエネルギー伝送伝導性伝路を含み対をなす伝導性伝路電極と同時に
相互作用が可能な構造の伝導性伝路電極を有している。これらのエネルギー伝送
伝導性伝路は、それぞれに関して正反対に同調し又は充電された仕方で動作でき
、物理的なシールドによってそれぞれから分離されている。

【００２２】 本出願はこの発想をさらに詳しく述べ、回路保護及び、産業問題や障害を簡単
で絶大な効果をもって解決或いは減少させるに役立つ調整についての新規で幅広
いシステムであると出願人が信ずる物の付加的で非自明な実施例の変形の新しい
幅と広がりとをさらに開示する。本発明の変形はまた、多くの極ありふれ受け入
れられている材料やその生産手法を用いることができる。

【００２３】 出願人はまた、本発明及びその変形が今日の経済的な基準に沿った効果的なコ
ストであり、絶えず増加する将来の動作周波数にもかかわらず、長い寿命を有し
、広く役に立つ解決法であると信じている。出願人はまた、本発明及び創作され
るその変形はその技術を採用する人にとって生産と兵站上の中断とを最小にする
とを信じている。

【００２４】 本発明の変形は、一般に極ありふれ受け入れられている材料やその技術を採用
する人にとって生産と兵站上の中断とを最小にするその生産手法を用いる。基本
的施設を造るに当たり、先行技術と比較したとき、融通性或いは製造転換に今ま
でにない容易さを提供する。

【００２５】

【発明の開示】

前述の事項を根拠に、一つの包括的な実施例或いは同時に生じる他の多くの機
能と同様にエネルギー調整を具備する構造の一部として共通的に分けられ中央に
置された伝導性伝路又は電極を有する実施例の変形の内部に、その構造の一部と
して共通的で中央に配置された伝導性伝路又は電極を分けているエネルギー伝導
性伝路を含んだ層状多機能共通伝導性シールド構造を提供する要求が見い出され
た。

【００２６】 層状多機能共通伝導性シールド構造はまた、寄せ集められそして付勢された伝
導伝路と実施例の要素とは無縁のいろいろな伝導性伝路との間で生じる、予め定
められ同時に起こるエネルギー相互作用を許すことにより、伝送エネルギーの部
分に同時に起こる自然な電気的シールドを提供する。

【００２７】 現存の先行技術の個別の分離キャパシタは、約５００ＭＨｚでその効果を消失
する。例えば、０６０３サイズのキャパシタの取り付けインダクタンスは、およ
そ３００ｐＨにまで減少してしまう。キャパシタの内部インダクタンスが２００
ｐＨと仮定して、これは全部で５００ｐＨとして扱い、５００ＭＨｚで９４２Ｍ
Ωに一致する。したがって、電流個別キャパシタは効果がない。直列共振周波数
と５００ＭＨｚの低インピダンス向けに駆動する低ＥＳＲキャパシタに使用する
ことはできるが、５００ｐＨ ＥＳＬで５００ＭＨｚを獲得するよう要求されて
いるキャパシタはおよそ２００ｐＨである。電流優先ディバイスは、平方インチ
毎に１個以上の個別キャパシタを必要とする電力平面平方インチ当たり２２５ｐ
Ｆを得る。

【００２８】 優れた接近方法は、電力平面から低インピダンスを得ることである。もし低イ
ンピダンス電力平面が低インピダンス分離キャパシタとつながらないなら、ＰＣ
Ｂの多くの低インピダンス分離キャパシタを用いることは実用的でない。したが
って、５〜６百ＭＨｚ以上の低インピダンス電力配布の解決法は、個別の分離キ
ャパシタよりずっと有効な本発明と一致する薄い絶縁電力平面技術にある。

【００２９】 そのため、本発明の目的はまた、単一の部品又は複合受動調整ネットワークと
比較されたとき、広い周波数帯域を超えて効果的に動作することである。理想を
言えば、本発明はその応用面の潜在力では万能であり、そして予め定められ寄せ
集められ素子のいろいろな実施例を利用することによって、効果的な発明は１Ｇ
Ｈｚを超えた周波数で動作する装置で有効に仕事をなし遂げ続ける。

【００３０】 本発明の目的は、能動部品やその回路構成のそれと同じ部分のために、一定の
識別できる電位を同時に維持している間、動作中のシステム負荷のエネルギーを
分離することを提供することである。

【００３１】 本発明の目的は、発明の影響のため生じることになった電気路に流れる、特異
共通モードの電流に起因した望ましくない電磁放射を最小又は抑制することであ
る。

【００３２】 本発明の目的は、多種多様な多層の実施例を取り入れられることができ、回路
構成に取り込まれ付勢されたとき、同時に起きるラインの調整機能と保護とが記
述のとおりできる特殊な物理的特性によって制限されることなしに、多数の絶縁
材料を利用できる伝導性エネルギー伝路のための多機能共通伝導性シールド及び
エネルギー調整構造を提供することである。

【００３３】 本発明の目的は、負荷に対する供給源及び／又は供給源に対する負荷の分離、
特異モード及び共通モードのＥＭＩフィルタ、エネルギー寄生振動振動の抑制と
追放の抑制及び追放、その上に独創的に作られた実施例とは無縁の伝導性領域又
は伝路を使用したとき、これらの説明された可能性をなし遂げる統合された一実
施例でのサージ保護とを同時に含むが、制限されない先行技術の装置で出合った
ことのない問題や制限を解決する能力をユーザに提供することである。

【００３４】 本発明の目的は、電気装置回路構成の保護を提供するところの本発明の実施例
の手助けとなる独創的に作られた発明とは無縁で配列された伝導性領域へ、１つ
以上の外部の伝導性固定物を用いて利用し易くすることである。加えて、保護は
、電磁界妨害（ＥＭＩ）、過電圧、そして先行技術ディバイスならばホスト回路
構成に寄生振動振動として返されるような発明自体から与えられた電磁放射の衰
弱を基に、現職研修から能動電気部品に差し出される。

【００３５】 本発明の目的は、作られたとき、特別の形、形状、又は創作されることができ
るがここで示された実施例に制限されない本発明の多数の可能な実施例のための
大きさに対し本発明を制限することのない、独自の電極材料及び／又は独自の絶
縁材料構成物で使用するための、物理的に統合されたシールドの封じ込め伝導性
電極アーキテクチャーを提供することである。

【００３６】 本発明の目的は、ユーザにユーザに比較的安価で、小型化され、多数の電気製
品の中に統合や合体に利用し得る解決の実現能力を付与する実施例を提供するこ
とである。

【００３７】 本発明の目的は、所望のフィルタ及び／又は先行技術部品では提供不可なライ
ン調整を行うため、付加的な個別受動部品を使う必要性のない実施例を提供する
ことである。

【００３８】 本発明の目的は、容易に作られ、受け入れられ、先行技術ディバイスを用いた
とき最近直面する広範囲の電気的な問題及び拘束を同質的に解決するための、多
機能な電気的実施例を実現する能力をユーザに付与する実施例を提供することで
ある。

【００３９】 本発明の他の目的は、個別或いは非個別ディバイス、又は多機能な電気的実施
例を構成する伝導性伝路の予め定められた配置の形で、そして当該多機能な電気
的実施例は外部の伝導性伝路又は予め定められた伝導性表面に取り付けられたと
き、広い周波数の範囲に及んで効果的に動作し、そして回路構成部に明らかに一
定の電位を維持している間能動回路構成部品にエネルギーの分離を同時にもたら
す実施例を提供することである。

【００４０】 本発明の他の目的は、個別或いは非個別ディバイス、又は阻止回路或いは固有
の共通伝導性伝路を用いる回路を実施例に固有のとするために、多機能な電気的
実施例を構成する伝導性伝路の予め定められた配置の形で、そして当該固有の実
施例は伝導性表面又は、ＥＭＩと過電圧とを低減させるために対をなした伝導性
伝路のコンダクタから付加的なエネルギー伝路へ連結させる接地領域で接続され
ている実施例を提供することである。

【００４１】 本発明の他の目的は、標準的な製造工程を使用し、普通に見られる絶縁物と伝
導性又は伝導性を持ってつくられた、供給源からエネルギー利用負荷へエネルギ
ー伝送のための不変で妨害されることのない伝導性伝路を同時に維持する間、実
施例内の電気伝路間の厳しい容量性許容範囲に達する材料でできている実施例を
提供することである。

【００４２】 最後に本発明の他の目的は、電気導体の対を、互いに関して、普通に取り付け
られた伝導性電極板又は伝路によって部分的に包囲された領域又は空間に極めて
接近して結合させ、そして外部の導体又は伝路を別々或いは共通伝導性伝路或い
は同じ実施例内に配置されている電極板に選択して接続することをユーザに選ば
せる実施例を提供することである。

【００４３】 本発明の範囲内で、エネルギーとＥＭＩの調整及び保護のための、伝導性伝路
を備えた万能多機能共通伝導性シールド構造の万能性と広く広がった出願を証明
するために、本発明の目的と利益とを上に補いまとめあげられた多数の脚色や形
態が、また開示されている。

【００４４】

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のファラデー籠状シールド構造部分の部分平面図。 第２図は、連結された平行な共通伝導性シールド構造を備えた本発明の部分分
解図。 第２Ｂ図は、第２図図示の連結された平行な共通伝導性シールド構造を備えた
本発明の部分と、エネルギーが構造内で調整を受けているときの構造内の特異伝
導性伝路の動作と場の流れとの描写部分分解図。 第３Ａ図は、外部イメージシールドを備えた本発明の一実施例層状バイパス配
列の分解断面図。 第３Ｂ図は、第３Ａ図図示の層状バイパスを９０度回転させたときの第２番目
の分解断面図。 第４Ａ図は、第４Ｂ図図示の供給伝路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｆ）を備えた非個別
万能多機能共通伝導性シールド構造と比較するための、第２図図示の４つの共通
伝導性籠状構造容器を描写した分解図。 第４Ｂ図は、供給伝路（ＵＭＦ−ＣＣＳＳ−Ｆ）を備えた万能多機能共通伝導
性シールド構造を構成する伝導性伝路を備えた４つの共通伝導性籠状構造容器を
描写した分解図。 第４Ｃ図は、第４Ｄ図図示のバイパス伝路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ）を備えた非
個別万能多機能共通伝導性シールド構造と比較するための、第２図図示の４つの
共通伝導性籠状構造容器を描写した分解図。 第４Ｄ図は、ＰＣＢ又は回路基板又はシリコーンダイの一部分、例えばＭＰＵ
、ＤＳＰ或いは類似のもの（マイクロプロセッサユニット又はディジタルシング
ルプロセッサ又はその他のシリコン及び／又は銅ベースのダイス又はダイ）にな
るダイのように作られる非個別の一実施例として使用されたとき、バイパス伝路
（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ）を備えた万能多機能共通伝導性シールド構造として使用
するための、第４Ｃ図図示の如く共通伝導性伝路電極層を備えた４つの共通伝導
性籠状構造を描写した分解図。 第５Ａ図は、単一回路配列に配置され伝送エネルギーで付勢されたＵＭＦＣＣ
ＳＳ ３８００（バイパス内の）の内部に重なっている最小数で設計の５つの伝
導性伝路電極を描写の瞬間凍結時の分解及び裏表図。 第５Ｂ図は、第５Ａ図図示の電気システムに配列された本発明のスナップ写真
を撮った一実施例部分断面図。 第５Ｃ図は、第５Ａ図と第５Ｂ図に図示の回路システムと、類似の回路システ
ムでＭＯＶ絶縁体及びＸ７Ｒ絶縁体で製造され５００ＭＨｚまで試験されたバイ
パス伝路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ）を備えた万能多機能共通伝導性シールド構造の
同じ大きさで類似の容量値を持つ実施例を比較しているデータ曲線図。 第５Ｄ図は、１２００ＭＨｚまで行った終端構造すべてに共通の、バイパス伝
路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ）及び外部の伝導性表面を備えた万能多機能共通伝導性
シールド構造の内の、いろいろな固定物と固定物のない共通伝導性終端構造とを
比較しているデータ曲線図。

【００４５】

【発明を実施するための最良の形態】

ここで使用されているように、頭字用語『ＵＭＦＣＣＳＳ』は、伝導性伝路を
有する多機能共通伝導性シールド構造のあらゆるタイプの個別、非個別両方の変
形物に当てはまり、『ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｆ』は、伝導性供給伝路を有する多機能
共通伝導性シールド構造の個別、非個別の変形物に当てはまる。用語『ＵＭＦＣ
ＣＳＳ−Ｓ』は、すべての公表目的のための伝導性バイパス伝路を有する多機能
共通伝導性シールド構造の個別及び非個別両方の変形物に当てはまる。

【００４６】 更にここで使用されているように、「物理的収束又は接合するため予め定めら
れた空間域」という言葉の頭字用語の“ＡＯＣ”は、一緒に作られた発明要素の
物理的な限界として定義される。非付勢と付勢は、“ＡＯＣ”中の電子が行動し
ており、そして電気伝導性伝路又はＵＭＦＣＣＳＳ−ＡＯＣの個別か非個別かい
ずれかの変形物を含む付勢された回路の予め定められた限界外の領域へ及び／又
はから伝送している範囲又は程度と定義される。それ故伝送されたエネルギーは
発明の要素及び／又は同調され付勢されてバランスされた状態の電子の交換を導
くための要素の結合体と反応する。

【００４７】 本発明は、電気的伝導性、電気的半伝導性及び非伝導性の絶縁独立材料として
始まり、個別及び非個別構造のように、いろいろな実施例で層にされ、積み重ね
られる。これらの層はシステムに配置され付勢されると、ユニークな回路を作成
するために結合される。本発明の実施例は、電気的伝導性、電気的半伝導性及び
共通伝導性伝路電極、半導体、固定物、板（ここではすべて伝路という）及び絶
縁板の塊を生成する非伝導性板を備えている。

【００４８】 これらの層は、お互いにそして予め定められた対をなし又要素の塊に関して一
般に平行の関係で配置される。

【００４９】 この要素の塊はいろいろな伝路や層を予め定められた、生産されるタイプの実
施例では広く行われている構造の中に閉じ込めている。

【００５０】 他の要素は共通伝導性板を伝導的に結合するいくつかの手段を備えている。こ
れらの装置は、絶縁層、多数の電極伝導性伝路、シート、薄層又は固定物に全く
制限されない。本発明はまた、重ねたり、重ねなかったりする手順の織り混ざっ
た配列にそれらを一緒に結合させる、特別なタイプの板を付勢するために予め定
められた方法でより大きな電気システムへ一緒に接続する要素体系を含む。

【００５１】 この方法は、今まで見つけられていないが効果的で同時に起こり、先行技術デ
ィバイスの多くの実施例で通常遂行される他と全く別の回路機能をもたらす。

【００５２】 構築された層配置が作られた時又は後、それは分けられ、埋め込まれ、覆われ
或いはいろいろな電気システム又は他の補助システムに挿入される。その構造の
回路は、ラインを調整し、分離し、及び／又はエネルギーの電気的伝送を望まし
い電気的な形又は電気的な形態に変える手助けをするための、ほとんどのより大
きな回路構成と容易に結合される。

【００５３】 本発明は、分離した独立型の実施例であるか、塊として生産されそして集積回
路と同様のより大きな電気的構造に欠かせないものとなる。それはまた、例えば
、制限されるものではないが、印刷回路板（ＰＣＢ）、インタポーザ、回路基板
、コネクタ、集積回路又は原子構造物のような他の実施例の中に見られるより大
きな回路構成のための補助回路の如き結合でふせけいる非印加独立型個別ディバ
イスとして存在する。

【００５４】 本発明の替わりの実施例ではまた、例えばＰＣＢ、インタポーザ又は本発明の
より小さい個別の変形物の目的以外の目的を持つ回路基板のような他のディバイ
スとして造られ得る。

【００５５】 この実施例の替わりのタイプは、回路構成に加え能動又は受動部品の両者を含
むが、供給源から負荷へ、そして送り返される伝送エネルギーを調整するため記
述された大多数の利益を容易するために重ねられる、実行可能なシステム又は補
助システムの踏台として使える。

【００５６】 ＰＣＢは予め定められ重ねられた構成をＶＩＡでいろいろな電力、信号そして
絶縁物と挿入材料との間にある接地層に使うため、また入力するために既に使用
している。ここで述べられた特性はそのようなディバイスから容易に得られる。

【００５７】 １つの中央に集められ分けられた共通伝導性伝路又は領域で構成されたファラ
デーの籠状構造を有する伝導性伝路の電極板を取り囲むことにより、伝路又は板
は中心に集められ分けられた共通伝導性の層の反対側に配置された２つの正反対
に同調され又は潜在力を有する伝導性構造物間の回路電圧のための０基準の接地
板となる。この構成は、電界と磁界、浮遊インダクタンス、キャパシタンスを排
除し抑制することに大いに助けとなる。ディバイスで組み立てられたＰＣＢのた
めの外部伝導性接続は、今や大型ＰＣＢ製品によって使用され、多くの接地計画
に活用することができる。

【００５８】 電磁妨害エネルギーを伝えるためには２つの場が要求され、それは電界と磁界
である。電界は２つ又はそれ以上の点の間の特異電圧を介しエネルギーを回路に
結び付ける。空間の電界の変化が磁界を生じさせる。磁束の時間変化は磁界を生
じさせる。結果として単なる電気的又は磁気的に時間の変化がある場は互いに独
立して存在することはできない。

【００５９】 例えば本発明に利用されているような受動アーキテクチャーは、電気システム
で見られる両タイプのエネルギー界を調整又は最小化するように組み立てられる
。本発明はもう１つのもの以上の１つのタイプの場を調整するように必ずしも組
み立てられないが、しかし違うタイプの材料が加えられ或いは１つのエネルギー
場を他のものを超えてそのように特別の調整をし得る実施例を組み立てるために
使用されることが考えられる。

【００６０】 大体において、今日の回路の高い動作周波数は、ユーザにインダクタ、キャパ
シタ又は抵抗のような単一或いは複合の受動素子を結合させることを要求し、ま
たシステム負荷に供給のエネルギーを制御するために用いられるＬ−Ｃ−Ｒ、Ｌ
−ＣやＲ−Ｃの個別の部品ネットワークを作ることを要求する。

【００６１】 しかしながら、先行技術で個別の周波数２００ＭＨｚ以上のＬ−Ｃ−Ｒ、Ｌ−
Ｃ、Ｒ−Ｃ部品ネットワークは、伝送ラインの特性を呈し始め、またさらに高い
周波数ではマイクロ波のような特性さえ示す。これらの状況下にある先行技術の
部品の使用は、先行技術装置の内部に配置された伝導性伝路からの抑制されない
か減じられていない寄生振動振動を許し、また周波数動作の広い範囲を超え、回
路に沿った伝送するエネルギーの顕著な低下を弱め、ゆっくりと落とし、さもな
ければ寄生振動するために、ネットワークに個別の素子のすべての間に外部で結
合する結合構造物からの放射を許す。

【００６２】 ネットワークが取り付けられている大きな回路には、害となる。高い周波数で
ネットワークが設計されたような塊のキャパシタンス、抵抗又はインダクタンス
を用意するよりむしろ、先行技術部品のネットワーク内に配置された内部電極に
帰するこれらの容量性寄生振動振動は、全体として回路に衰弱又は実らない成果
を引起し、エネルギーの衰弱、電圧及び特異的に対をなすライン間の容量のアン
バランスの根源となる。例えばデータ下落、ライン遅延などのせいにする実のな
い成果とエネルギー損失は、また測定可能な回路を無能にするだけである。

【００６３】 叙述された本発明のあらゆる実施例及び叙述されなかった本発明の実施例に関
しては、本発明の電気的機能の希望した度合いが幾らか又は全部がまだ維持され
ている間に製造されたとき、選択され、本発明を構成する材料の中に結合された
数多くて広範囲の可能性のある材料を結合す事態に至った製造者を出願人は注意
深く観察する。

【００６４】 かくして、本発明の結合のための材料は、効果的な製造技術に替えての製造技
術による材料要素が１以上の層からなり、いかなる絶縁体材料に対しても制限さ
れることはない。これらの材料は例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−
砒素化合物のような半導体材料であり、また半絶縁体か絶縁体材料及び類似物、
例えばどのようなＫ、高いＫと低いＫの絶縁物にも制限されるものではない。だ
から、同様に、本発明は可能性のあるいかなる伝導性材料の磁石、ニッケルベー
スの材料、ＭＯＶタイプの材料、フェライト材料、マイラのようなフィルム、伝
導性材料のための伝導性伝路を作り得るいかなる材質及び／又は製造工程、及び
例えば、制限されないが、ドープされたポリシリコン、焼結された多結晶体、金
属又はポリシリコン硅酸塩、ポリシリコン硅化物のような伝導性領域を作り得る
いかなる材質及び／又は製造工程に制限されもではない。

【００６５】 本発明は、回路に配置され、そしてバイパス分離として知られている帰路と接
続の２つの個別のキャパシタのラインよりもずっと特異に付勢された対又は多く
のライン間でバランスしている障害物の容量性負荷を排除する、同じ生産群で製
造された先行技術のキャパシタは、１５％−２５％のどこかで変動しながら、容
量において極めて不安定さを抱えている。

【００６６】 かくして先行技術のキャパシタが回路に配置され付勢されると、製造公差が回
路まで運ばれ、この場合特異に対をなす回路とこれらの容量のアンバランスが拡
大され、回路に電圧のアンバランスを引き起こす。先行技術のユニットが、製造
された時でさえ、例えば個別のユニットの間の各々の容量の変化量が１０％以下
であることが可能であっても、しかしながら製造者がテストや製造されたロット
を選び出す手間のコスト、同様にさらに特別化した絶縁物や特異な信号発生に要
求される減少した個々の相違でこれらの部品を生産するに必要な製造技術の付随
コストを取り戻すために、普通の絶縁物以上にユーザはコスト又はかなりの割増
金を支払わなければならない。

【００６７】 本発明は非常に安価な絶縁材料（他のものにも利用可能）を用いて、２つの特
異なライン間のバランスを確保するために使用されるようにしている。工業生産
基準は、正確でかなりの量の絶縁板及び伝導板の材料が用意され又コンデンサの
ような標準受動部品として使用されるために製造されるものである。

【００６８】 この製法は同じ製品群の個別ユニット間で変化量を１％から５％に保証する優
れた制御構造を有している。本発明は特異的に動作する回路又は、電気的な方法
で分けられ実質的に１つの対をなすラインのそれぞれの間にある発明ユニットの
バランスし実質的に等しい容量の公差を提供する、対をなすライン回路構成に利
用できる。

【００６９】 Ｘ７Ｒ個別スイッチを用いてさえ工場で製造中に作り出されたレベルで維持さ
れる一般的に分けられ中央伝導性伝路間の発明の公差又は容量のバランスが、同
じ製造作業時間の個別のユニットの間で２０％と同じ程度又は許容できる容量の
変化を持って広くそしてごく普通に述べられている。

【００７０】 先行技術のユニットよりむしろ付勢された対をなすライン間に１つの発明ユニ
ットを使用することにより、対をなすライン間で、特に鋭敏な高周波動作で生じ
る容量の公差の問題が緩和する。万能機能共通伝導シールド構造が製造され、引
続き外部で製造された伝導性伝路（本発明以外）に、本発明の実施例をまた利用
している特異伝路とは異なる伝導性伝路に取り付けられると、ディバイスはシー
ルド構造内に囲われた特異電極がほとんどすべての内部で発生するところの、伝
導性伝路電極を取り囲んでいる覆われた封じ込め領域から逃れようとこころみる
容量性又はエネルギー寄生振動振動から自由であるようなバイパス、エネルギー
、パワーライン分離、エネルギー貯蔵を含む、エネルギー調整機能を提供すると
同時に、物理的シールド及び、共通伝導性構造と、その技術について知られた一
般的な手段で外部に配置された伝導性領域への固定物との付勢によって作り出さ
れる静電気シールド効果から離れるとの理由で、外部で発生の゛浮遊キャパシタ
ンス¨のような容量性又はエネルギー寄生振動振動を、極めて同じ特異伝導性伝
路の上へ結合するのを防ぐように振る舞う。

【００７１】 かくして、これらすべてのタイプの寄生振動振動が、付勢されていない発明の
中で製造された容量のバランスを狂わせることで防止され最小化され、伝導性シ
ールド構造を使用していないあらゆる他の先行技術ディバイスで発生するものと
正反対となる。今までのところすべての先行技術ディバイスで正反対の最大の努
力をしてきたにもかかわらず、先行技術は自由な寄生振動振動からの両方向の効
果に回路の混乱を陥れることを許している。

【００７２】 このようにして、公開文献に記述されたようにして製造されると、公差１％で
製造されたディバイスは、付勢されたシステムの対をなすライン間で１％の容量
公差の相関関係を有し、そしてまた追加された利益として１つの発明の実施例で
先行技術ディバイスをバイパスの対をなすラインと取り換える。新しいディバイ
スは対の間が対をなす複数の特異伝導性伝路との間に配置されるのに対し、本発
明をまた構成している共通伝導性伝路はありとあらゆる要素の共通伝導性伝路と
共通であり、外部伝導性領域の３番目の伝導性伝路に接続される。

【００７３】 かくして、高価で一般的な使用がなく、特殊な絶縁材料は、全回路内で構成さ
れる材料に同質の容量要素を使用する機会を発明のユーザに与えると同様に、２
つのシステム伝導性伝路間の容量バランスを維持しようとするこころみにおいて
、繊細なバイパス及び／又は分離動作で、もはや必要とされない。

【００７４】 外部伝導性領域との取り付けは、一般的に記述されているような゛浮遊¨電位
のない伝導性領域、回路システムの帰路、シャーシ又はＰＢＣ接地、又はアース
接地さえも領域として含まれる。相互的に反対の伝導体を解消するような他の機
能を通しての本発明は、外部に配置された伝導性領域にエネルギーを移動させ続
けることのできる囲い込み伝導性共通シールド伝路に関し、低インピーダンス伝
路を、ファラデー籠状ユニット内に作り出させ、かくして望ましくないＥＭＩノ
イズに対しても低インピーダンスのエネルギー伝路を完成する。

【００７５】 この取り付け案は、中央分配共通伝導性伝路と反対側に配置された各特異伝導
体に関して、０電圧基準をもし何か外部に使用される伝導性表面があればその終
端構造に作り出させる。かくして例えば、高周波の応用で供給源とエネルギー利
用負荷との間の電圧バランスを維持する必要性があるような状況時、本発明は理
想的で広範囲の解決となる。それ故電圧は集積回路内に配置されているゲート間
のＳＳＯ（同時スイッチング動作）でも、そして本発明が内部で受動的に動作し
ているとき崩壊させるエネルギーを回路システムに返却させることなしに、維持
されバランスされる。

【００７６】 個別の受動部品は、外部電気製品やトレース又は内外で見られる伝路、限定さ
れるのではないが、プリント回路板（ＰＣＢ）、マルチ−シリコン・チップ・モ
ジュール（ＭＣＭ）、シリコン・チップ・スケール・バッケージ（ＣＳＰ）イン
タポーザ、回路基板、コネクタ、集積回路と物理的、電気的に接続するため、表
装技術を必要とする。

【００７７】 本発明は、非常に多くの実施例が存在する。多くのタイプの層状構成の例が考
えられたが、本発明に限定しようとしたものではなく、マルチコンポーネント・
フィルタの色々な追加的実施例が記述さる。各図で５つの伝路がそれぞれ示され
ていて、その後平面図と最後に側面図が示されている。本発明の他の変形は、望
ましくない電磁放射、すなわち他の供給源から受けるこれらの望ましくない電磁
放射や、例えば特異的共通モード電流の如き多層電気回路調整アセンブリの内部
電気回路構成内で内部的に作り出される望ましくないこれらの両方を抑制する、
物理的に積み重ねるアーキテクチャを有する多層電気回路調整アセンブリの改良
に関するものである。

【００７８】 加えて、発明の物理的なアーキテクチャと構成物を構成するいろいろな材料の
ため、過電圧サージ保護と磁気特性とが不可欠的に多くの改良、又は、分離、接
地バイパス、特異共通モードフィルタ機能及び類似物に限定されないいろいろな
多層電気回路調整アセンブリに組み入れられることが可能である。

【００７９】 以前のように注目され、広められた電磁障害は、電界、磁界両者それぞれの製
造物になり得る。最近までこの技術での力点は、ＤＣエネルギー又は電流と共に
高周波ノイズを運ぶ回路又はエネルギー伝導体からのＥＭＩをフィルタリングす
ることに置かれてきた。しかしながら、本発明は、電気システムやテスト装置に
見られる伝導性伝路に沿って、ＤＣ、ＡＣ、そしてＡＣ／ＤＣハイブリッドタイ
プのエネルギー伝送に利用のエネルギー調整ができる。これは同じ電気テシステ
ムの舞台で多くの種類の回路構成の伝送特性を含むシステム内に見られる多くの
異なったタイプのエネルギー伝送形式を含むシステムで、エネルギーを調整する
本発明の利用を含む。

【００８０】 放射された放射物問題の主な原因は、伝送された電流と特異共通モードエネル
ギーとの２つのタイプに依るとすることができる。これらの電流によって生じる
場はＥＭＩ放射のいろいろなタイプに帰着する。特異モード（ＤＭ）電流は、ワ
イヤ、回路板トレースや他の伝導体の巡回伝路に流れるこれらの電流である。こ
れらの電流に関連する場は、伝導体によって定義されるループから作り出される
。いくつかの点で本発明に限定することなく、本発明に従ったアセンブリの例は
下の如くである。

【００８１】 ファラデー籠状構造の原理は、共通板が互いに接続され、そして共通伝導性伝
路の寄せ集めがより大きな外部の伝導性領域と一緒に働くか放射された電磁放射
を抑制する表面が、過電圧とサージと最初のファラデーの籠状静電気の寄生振動
振動の抑制と他の過渡現象とを同時に追い払うため、より大きな伝導性領域を用
意するとき利用される。多くの共通伝導性伝路が電気的にシステム、接地シャー
シに接続されそして本発明がその中に配置され付勢される回路の基準接地のため
に配置されたとき、これは真実である。

【００８２】 より早くで述べたように、異なる電気特性を有する１以上の複数の材料が、共
通伝導性伝路と両電極伝路との間に挿入され維持される。特異な層状終端構造は
、常に回路内で互いから電気的に離され、ディバイス内で接触することはない。
これらは常に介在の対をなす共通伝路、又は単一の伝路と絶縁材料とによって互
いに物理的に離されている。 ファラデー籠状構造又は構成の本発明の概念が詳細に示される。

【００８３】 本発明によれば、第１図は２つの特異な電極の中に１つを間に挟む２つの空間
領域からなっているファラデー籠状構造８００の一部を含んでいる。伝導性電極
伝路８０９は中央共通伝導性分配伝路８０４と共通伝導性伝路８０８（図示せず
）との間に挟まれている。共通伝導性伝路８０４、８０８（図示せず）及び８１
０（図示せず）は、予め定められた絶縁材料の全面平行挿入物によって、そして
各外側の伝路８１０と中央共通伝導性分配伝路８０４に対し各伝路のそれぞれの
位置と関係がある８０８との間で、伝路８０８と８０４とのそれぞれでほとんど
完全に覆われシールドされた伝導性伝路８０９のように特異伝導性電極を特徴づ
ける、特異伝導性の電極伝路８０９及び８０９´（図示せず）によって、すべて
お互いから離されている。そして伝路８０８と８０４は発明の範囲内でこの場合
、上下に伝路８０９を挟んでいる。

【００８４】 伝路８０４、８０８及び８１０はまた、支持と部品の外部ケースを用意する絶
縁材料８０１で取り囲まれている。両方の共通シールド終端構造物８０２を同じ
共通伝導性伝路８０８、８０４、８１０を別々に接続する手段が望まれている。
すべての発明が回路に配置されると、終端構造物８０２は、同じ外部伝導性領域
又は同じ外部伝導性伝路の技術で知られている標準的手段によって、中断やそれ
ぞれの終端構造物との間に伝導性間隙無しで取り付けられる。

【００８５】 その技術で知られている標準的手段は、３つの伝路８０４、８０８及び８１０
すべてが一緒にそれぞれ取り付けられたなら、１つの共通伝導性籠状構造８００
として演じるべく単一の構造を造る共通シールド終端構造物８０２の接続を容易
にする。

【００８６】 図示されていないが、８００´は、内部に含まれた特異電極８０９´が、充分
にシールドされていないが伝導性終端構造物８０９Ａ´（図示せず）で接合する
ために伝導性終端構造物８０９Ａ´と特異電極８０９との方向に対し、一般に１
８０度の反対方向の入出部８１２Ａ（図示せず）を備えていることを除き、単一
のファラデー籠状構造８００を正確に模倣している。

【００８７】 これらの２つのファラデー籠状構造８００と８００´が配置され、平行な関係
があるが、最も重要なことは構造８００と８００´は、同様の中央共通伝導性分
配伝路８０４の層、又は別々に用いられたとき各ファラデー籠状構造を構成する
伝路であるということである。８００と８００´は一緒に、二重の容器の役割を
果たす単一のより大きな伝導性ファラデー籠状シールド構造８００¨（図示せず
）を作る。各容器８００と８００´は、それぞれ全面平行状態でより大きな前記
構造８００の内部にお互いに対立して、等しい数の同じ大きさで作られた他と格
差のある電極を持つ。

【００８８】 付勢され同じ外部共通伝導性伝路と取り付けられとき、協力する８００と８０
０´のそれぞれのシールド状構造を備えたより大きな伝導性ファラデー籠状シー
ルド構造８００¨は、電気的に１つとなる。付勢時、中央に配置された共通シー
ルドを備えた特異な挟持物に共通伝導性電極を予め定められたとおり配置するの
は、本発明、すなわちファラデー籠状構造８００¨の基本要素である１つのファ
ラデー籠状構造８００¨を構成する要素である。

【００８９】 構造は本質的に、本発明の重ねられた実施例すべての中で多機能ライン調整装
置を構成するために要求されているファラデー籠の最低２つで構成する。特異電
極間のその挿入物について、中央共通伝導性分配伝路８０４は、非付勢のファラ
デー籠状シールド構造８００¨とみなされる外部の２つの付加的に挟持する共通
電極伝路８０８と８１０を必要とする。

【００９０】 さらに言えば、中央共通伝路８０４は、特異電極８０９と８０９´の両方とも
同時に使用されるが、スイッチをいれると反対の結果となる。

【００９１】 実施例を通してたいていの破片、ノン−ホールにとって新しい装置は、例えば
それらは単一のより大きなファラデー籠状構造８００¨をつくるために伝導性的
に言って１つであるかのように接続された、３つの共通伝導性電極と接続された
外部構造との間に挟まれた最小２つの電極を持っている。そして単一のより大き
なファラデー籠状構造８００¨は、より大きな外部伝導性領域に取り付けられた
とき、付勢されたライン調整とフィルタ機能を伝導体に沿って伝送しているエネ
ルギーになるのを助け、そして正反対に同調され又は充電された仕方で籠状構造
に挟む助けをすることに注目されなければならない。

【００９２】 ファラデー籠状構造を構成し続いて付勢中の、今取り付けられた内部共通伝導
性電極伝路は、外部伝導性領域又は伝路を、本質的に拡大し、緊密に配置し、予
め定められた層状ＰＣＢ又は類似の電気回路内に内部的に配置されたその配置に
関して、本質的に平行な伝導性要素の配置となる。

【００９３】 接合された普通の伝導性を有して囲っている外部拡張要素となるところの普通
に中央に配置された共通伝導性電極伝路８０４を備えた多くのシールド伝路の接
続は、自身挟まれているがまだ絶縁介在物を含んでいる距離だけ拡張から離れて
いるところの敬意を表し同調した特異電極に関し、ミクロンの距離だけ隔て、ま
た小窓領域を持つ。

【００９４】 これは拡張を、付勢された結合が能率的で同時に起きているエネルギーの継続
的伝送についての又は組み立てた特異伝導体の前記一部分に沿っての調整を高め
生み出す、他のものの間で静電シールド機能を遂行する囲いシールド状要素にす
る。

【００９５】 結合された共通伝導性板又は領域の内部及び外部の平行配列の寄せ集めはまた
、望ましくない寄生振動振動と、エネルギーが伝導性伝路に沿って能動アセンブ
リ負荷に伝送されているとき前記エネルギーを一部だけを使って、前記特異伝導
体の一部分に出入りする電磁放射とを解消及び／又は減少させる。

【００９６】 次の章で、共通伝導性伝路８０４の言及が共通伝導性伝路８０８と８１０に注
ぐ。共通伝導性伝路８０４は、支距であり、本発明の縁からの間隔８１４である
。共通接地共用伝導性伝路８０４の１以上の一部分８１１は材料８１１を通して
広がり、共通接地終端帯又は構造物８０２に取り付けられる。図示されていない
が、共通接地終端帯８０２は電気的に共通伝導性伝路８０４、８０８及び８１０
を互いに接続し、そして使用されるならフィルタの他のすべての共通伝導性伝路
と接続している。

【００９７】 伝導性電極伝路８０９は、支距間隔及び領域８０６が電極伝路８０９の縁８０
３と中央の伝導性配分伝路８０４の縁８０５との間に存在する共通伝導性伝路８
０４ほど大きくはない。この支距及び領域８０６は、結果として、フィルタ内の
他の電極伝路又はそのフィルタと無縁の要素と結合している近くの場の減衰又は
除去している、電極伝路８０９の縁８０３を超えて拡張させる磁束ラインに対し
シールドを用意するために、共通伝導性伝路８０４を電極伝路８０９を超えて拡
張させている。

【００９８】 水平支距、電極伝路８０９と共通伝導性伝路８０４との間の垂直間隔のおよそ
０から２０＋倍である。しかしながら支距間隔８０６は特別な利用で最大限に利
用され得るが、それぞれの伝路の各々の間の重なり合ったすべての間隔８０６は
、理想的には概略製造公差が認められるのと同程度である。小さいほうの公差は
構造８００の静電シールド機能が譲歩されない限り、伝路間の間隔／領域８０６
において重要ではない。

【００９９】 電極８０９をエネルギー伝路（図示せず）に接続するために、電極８０９は共
通伝導性伝路８０４及び８０８の縁８０５を超えて広がっている１又は２個の一
部分８１２を持っている。これらの一部分８１２は、はんだ又は類似物で電極８
０９を電気的にエネルギー路に接続している電極終端帯８０７と接続されている
。要素８１３は、本発明内で生じる３次元エネルギー調整機能の中心軸点を力学
的に表しており、そして付勢された回路の実施例での最終的な大きさ、形状、配
置について関連している。

【０１００】 第２図について説明すると、万能多機能共通伝導性シールド構造（ＵＭＦＣＣ
ＳＳ）の概念が示されている。図示のＵＭＦＣＣＳＳは、全面が平行な関係で多
くの積み重ねられた共通伝導性籠状構造８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ、８００
Ｄ（それぞれ一般に８００Ｘという）を備えている。各共通伝導性籠状構造８０
０Ｘは少なくとも２つの共通伝導性伝路電極８３０、８１０、８０４、８０８、
８４０を有している。積み重ねられた共通伝導性籠状構造８００Ｘは、ここで示
された数に限定されるものではなく、偶数の整数である。出願では図示されてい
ないが、各共用伝導性籠状構造体は、第１図と関連して前に説明した如く、伝導
性伝路電極を挟んでいる。

【０１０１】 共通伝導性籠状構造８００Ｘは、伝導性伝路電極がいかなるタイプでも共通伝
導性籠状構造８００Ｘ内に挿入され得るという事情を強調するために離されて示
されている。そのようなものとして、共通伝導性籠状構造８００Ｘは使い途が広
く、個別又は非個別の形状で、例えば、限定されるものではないが、シリコン内
又はＰＣＢの一部として埋め込まれるの如く、伝導性伝路電極と結合して用いら
れる。共通伝導性伝路電極８３０、８１０、８０４、８０８、８４０は、外部の
伝導性領域とつながっている接続点８０２で示されている如く、すべての伝導的
に互いに連結された終端を持っている。

【０１０２】 各共通伝導性伝路電極８３０、８１０、８０４、８０８、８４０は、絶縁材料
８０１の板上に形成され、そして絶縁材料８０１で形成された絶縁帯８０５によ
って反対側で絶縁されている。第１図で説明した如く、絶縁材料８０１は個々の
共通伝導性伝路電極を挟んだ伝導性伝路電極（図示せず）から伝導性的にその点
で分離させている。また第１図で説明したように、最低限２つのファラデー籠８
００と８００´は、本発明のすべての層状実施例において、多機能ライン調整装
置を構成することを要求している。

【０１０３】 従って、第２図で９００Ａ、９００Ｂと８００Ｃによって表されているいによ
うに、最低限２つの共通伝導性籠状構造８００Ｘが要求されている。集合領域（
ＡＯＣ）が８１３で描かれており、以下に詳細に論ぜられる。

【０１０４】 今、第２Ｂ図について説明すると、万能多機能共通伝導性シールド構造（ＵＭ
ＦＣＣＳＳ）は、一般に６８０５として描かれている如く、はんだや類似物によ
ってより大きな外部の回路構成システム内に取り付けられ付勢され、万能多機能
共通伝導性シールド構造バイパスＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ形状を形成するために、構
造内で動作する特異伝導性エネルギー伝路４８８０Ｃ、４８９０Ｃと結合されて
示されている。

【０１０５】 特異伝導性エネルギー伝路４８８０Ｃと４８９０Ｃとに沿って伝わるエネルギ
ーはお互いに関連して反対方向に伝えている。エネルギーの伝送は、要素８７５
によって示されているように、エネルギー伝送方向に関して反時計方向に回転す
る磁界の場で伝導性的結合を作りだす。特異伝導性エネルギー伝路４８８０Ｃと
４８９０Ｃのエネルギー伝達の反対方向は、磁界の相互磁束の相殺又は最小限化
をもたらす反対方向に回転の電流によって作られる磁界８７５に帰着する。

【０１０６】 共通伝導性籠状構造の構造８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄは、特異
伝導性エネルギー伝路４８８０Ｃ、４８９０Ｃを挟んでいる間、構造８００Ａ、
８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄの間に分けられた分配共通伝導性伝路は、取り付
けの回路に電圧をバランスを提供する。上下の特異伝導性エネルギー伝路のほと
んどは、集合領域と反対側にある他と特異対応伝導性エネルギー伝路を持ってい
ない。

【０１０７】 共通伝導性終端構造８０２と結合の伝導性的に取り付けられた共通伝導性籠状
構造８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄは挟まれ、そして特異伝導性エネ
ルギー伝路４８８０Ｃ、４８９０Ｃをほとんど完全に覆っている。特に伝導性的
に接続された籠状構造は、寄生振動振動の抑制と同様に電圧のバランス改善を手
助けする共通伝導性終端構造８０２と結合し二重の囲いを提供する。

【０１０８】 今、第３Ａ図と第３Ｂ図とについて説明すると、本発明の層状万能多機能共通
伝導性シールド構造は、以下“バイパスシールド構造”というバイパス形状６８
００に示されている。バイパスシールド構造６８００はまた、それぞれの静止状
実施例の相対的に積み重なっている配置の点から見て、“供給シールド構造”の
形状を採用し得る。積み重ねられた２つの共通伝導性シールド構造１０００Ａと
１０００Ｂ又は、共通伝導性伝路６８０８、６８０４、６８１０、６８１１、６
８１２及び中央分配共通伝導性伝路６８０４の配置を調べたとき、これら２つの
可能な形状の間には比較的相違はない。

【０１０９】 “供給シールド構造”６８００と“バイパスシールド構造”との配置で物理的
な類似性が現れるので、それぞれは回路のエネルギー調整に対しても依然として
同様の機能を果たすことが可能である。しかしながら非共通伝路６８０９と６８
０７のどちらが配置されるかの方策は、エネルギー調整の期待され得る程の結果
が得られる方の最終場面のタイプに決定されることになる。 ６８００の供給又
はバイパスのＡＯＣにおける伝達されたエネルギーに関して、どんな形状であれ
、いろいろなシールド機能が物理的及び電気的に概略同じ程度に動作する。

【０１１０】 特に第３Ａ図について説明すると、バイパスシールド構造６８００は縦の線に
沿って拡張している断面に示されており、そして本発明のバイパスシールド構造
を構成する２つの共通伝導性シールド構造中で７つの層状共通伝導性伝路の積み
重ねを備えている。第３Ｂ図において、バイパスシールド構造は、第３Ａ図に示
された断面と直角をなす断面に示されている。

【０１１１】 第３Ａ図と第３Ｂ図との両者を説明すると、バイパスシールド構造６８００は
、要素と接続され、そして新設の６８０４−１Ｍ、６８１１−１Ｍ及び６８１２
−１Ｍを備えた回路構成（図示せず）に０電圧基準を作る中央の共通伝導性分配
伝路６８０４を備えている。新設の６８０４−１Ｍ、６８１１−１Ｍ及び６８１
２−１Ｍを備えた回路構成が形成され、そして普通に取り付けられた能動回路要
素だけに関係があるが、接続手段６８０５で外部の伝導性表面６８０３を６８０
２を接続する前は関係がない。

【０１１２】 付勢後、能動エネルギー両用負荷を新設する付勢された回路（図示せず）は、
一部の伝達されたエネルギーを要素と、例えばはんだ材料又はその技術で一般的
に見られる他の固定手段のような取り付け手段６８０５によって外部共通伝導性
分配伝路６８０３に両方とも順に連結された外部共通伝導性構造６８０２にすべ
て固定されている中央共通伝導性分配伝路６８０４、６８０８、６８１０、６８
１１、６８１２とで使用する。

【０１１３】 付勢と同時に回路構成は、付勢された前記回路（図示せず）内の能動部品が前
記エネルギーの一部を要求するとき、役立つであろうバランスされた仕方で伝送
されたエネルギーをで、エネルギー源とエネルギー利用負荷とによって使用され
る受動万能多機能共通伝導性シールド構造を含むことになる。

【０１１４】 今述べた６８０３との一連の接続において、共通伝導性要素すべての大部分を
含んで描写されている要素は、前記付勢された回路素子、それぞれの０電圧基準
の６８１１−１Ｍ、６８０４−１Ｍ、６８１２−１Ｍ及び、中央共通伝導性分配
伝路６８０４で、３番目の構造だが特異伝導性伝路６８０９と６８０７とそれら
に伝導性的にリンクしている要素によって使用された２つの別個の隔たった特異
ノードから離れている共通の電気的ノードを備えた回路内エネルギーと結合され
たバランスために新設されている。

【０１１５】 バイパスシールド構造６８００を付勢された回路に接続するために、特異伝導
性伝路６８０７と６８０９は２つの共通伝導性シールド構造内にそれぞれ挿入さ
れる。１番目の共通伝導性シールド構造は共通伝導性伝路６８１０と中央共通伝
導性シールド分配伝路６８０４との間に形成される。２番目の共通伝導性シール
ド構造は共通伝導性伝路６８０８と中央共通伝導性シールド分配伝路６８０４と
の間に形成される。バイパスシールド構造６８００を使用するため、１番目と共
通伝導性伝路６８０７が１番目の共通伝導性シールド構造内に配置され、共通伝
導性伝路６８１０と中央共通伝導性分配伝路６８０４から絶縁材料６８０１だけ
引き離される。絶縁材料６８０１は１番目の共通伝導性伝路６８０７を１番目の
共通伝導性シールド構造から引き離し絶縁させる。

【０１１６】 さらに、２番目と特異伝導性伝路６８０９は、２番目の共通伝導性シールド構
造内に配置され、共通伝導性伝路６８０８と中央共通伝導性分配伝路６８０４か
ら絶縁材料６８０１だけ引き離される。

【０１１７】 １番目と２番目の他と特異伝導性伝路６８０７と６８０９は、それぞれ外部伝
導性エネルギー伝路６８２０と６８２１にそれぞれ電気的にそのとき接続される
。電気的接続はその技術の通常の技術を有する人に知られている手段、はんだに
制限されることなく、抵抗フィットソケット及び伝導性接着剤を含む。付加され
た外側シールド構造体６８１１と６８１２がバイパスシールド構造６８００を仕
上げており、この付加された外側シールド構造体６８１１と６８１２が間に介在
された絶縁材料６８０１で両方の共通シールド構造体を挟んでいる。

【０１１８】 各外側共通伝導性シールドは、丁度描写されているようにイメージ構造体６８
０８−１Ｍと６８１０−１Ｍを形成し、付勢されたとき、それはシールド６８１
１と６８１２（図示せず）の外側伝導性一部分及び、比較的大きな皮膜を形成し
そして外部共通伝導性構造体６８０２によって６８０４−１Ｍで０電圧基準を形
成する外部共通伝導性電極構造体６８０２の外部伝導性一部分を含む。

【０１１９】 外部共通伝導性電極構造体６８０２と外部シールドイメージ構造体６８１１及
び６８１２との結合によって形成される外側皮膜表面は、回路が付勢されたとき
エネルギーを吸収し、その後６８０９と６８０７の特異伝導性路に関し、付加的
な囲いシールド構造体としてその後振る舞う。もしバイパスシールド構造６８０
０がはんだ材料６８０５のような知られた手段によってエネルギー調整回路アセ
ンブリ（“ＥＣＣＡ”）の外部共通伝導性伝路６８０３に取り付けられていると
、一部分のエネルギーは共通伝導性構造体要素と３番目の伝導性伝路６８０３と
共に内部に存在する新設された低インピーダンス伝路に沿って移動し、この伝路
でその供給源まで帰路することになる。

【０１２０】 外部共通電極構造体６８０２は、この技術で知られている手段によって電気的
回路に接続されており、それ故本発明は個別の構造物に限定されるものではない
が、例えば集積回路内ではシリコン中に形成される。稼動中、バイパスシールド
構造６８００と２つの共通伝導性シールド構造（構造８８０Ｃと８００Ｄを含ん
だものとして応用の中の他のどこかで言及）は、集合点領域（“ＡＯＣ”）６８
１３内で０電圧基準の６８１１−１Ｍ、６８１１−１Ｍ、６８１２−１Ｍを効果
的に大きくする。ＡＯＣ６８１３は回路のエネルギー中心バランス点である。

【０１２１】 使用のシールド層の総数がどのようであれ、最も基本の伝導性伝路の製造順序
（絶縁材料その他を含め）は、次のようで、常に最初に共通伝導性伝路、それか
ら伝導性伝路、その後２番目の共通伝導性伝路、２番目の伝導性伝路、そして３
番目の共通伝導性伝路である。

【０１２２】 追加する順序ならその後次のようで、３番目の伝導性伝路、４番目の共通伝導
性伝路、４番目の伝導性伝路、５番目の共通伝導性伝路となる。もしシールド構
成が６８００のバイパス又は供給のように使用されることを希望ならば、違いは
なく最後に挟む共通伝導性伝路６８１１と６８１２は、製造順序で次のように配
置される。（絶縁材料、その他を排除して）６８１２、その後伝導性伝路、その
後共通伝導性伝路、その後２番目の伝導性伝路、その後共通伝導性伝路、その後
３番目の伝導性伝路、その後共通伝導性伝路、その後４番目の伝導性伝路、その
後共通伝導性伝路そして最終に６８１１である。

【０１２３】 回路内で付勢されたとき、バイパスシールド構造の結果は、外部的に発生しそ
して内部的に伝達している寄生振動振動６８１６（両側に２つの矢印で表現）、
その上に共通伝導性伝路電極表面に沿って発生のより低いインピーダンス伝路を
生み出すことから外部伝導性伝路６８０３までの物理的シールドの増加である。

【０１２４】 両側に２つの矢印は、付勢状態中に外部的にも内部的にもエネルギー寄生振動
振動がまた生じていることを表している寄生振動振動６８１６に対して生じる静
電機能を表現している。さもなければ、そんは伝送されたエネルギーの一部を表
現していることになる。両側に２つの矢印は、付勢状態中にシールドされた容器
内の寄生振動振動を取り込むために静電機能を表示する付勢された電子交換を示
している。両側に２つの矢印はまた、同時に生じるが各容器それぞれの内部に配
置されている伝導性材料の゛皮膜゛に沿って発生する反対の電荷性向をまた表示
している。

【０１２５】 今第４Ａ図と第４Ｂ図とを説明すると、供給伝路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｆ）を備
えた万能多機能共通シールド構造が述べられている。 第４Ａ図は４つの重ねて積まれた（前に第２図で示した如く全面平行な関係の
）共通伝導性籠状構造容器８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃと８００Ｄ（一般にそ
れぞれ８００Ｘという）を備えた万能多機能共通伝導性シールド構造を示してい
る。

【０１２６】 各共通伝導性籠状構造８００Ｘは、少なくとも２つ共通伝導性伝路電極４８３
０、４８１０、４８０４、４８０８、４８４０を備えている。各共通伝導性伝路
電極４８３０、４８１０、４８０４、４８０８、４８４０は、接続点を外部伝導
領域（図示せず）に用意している８０２に示されている如く、すべて伝導的にお
互いが連結された終端を有している。

【０１２７】 第４Ｂ図に戻って、４つの重ねて積まれた各共通伝導性籠状構造容器８００Ａ
、８００Ｂ、８００Ｃ及び８００Ｄは、伝導性伝路電極４８０９Ａ、４８０７Ａ
、４８０９Ｂ及び４８０７Ｂをそれぞれ含んでいる。伝導性伝路電極４８０９Ａ
、４８０９Ｂは、供給関係中において、万能多機能共通伝導性構造を通じて、終
端帯４８８０Ａと４８８０Ｂによって平行に伝導性的に接続されている。終端帯
４８８０Ａと４８８０Ｂはエネルギーパワー源（図示せず）からパワーエネルギ
ー伝路まで伝導性的に接続されている。終端帯４８８０Ａと４８８０Ｂはエネル
ギー利用負荷（図示せず）から帰路エネルギー伝路へ伝導性的に接続されている
。

【０１２８】 パワー伝導性伝路電極４８０９Ａと４８０９Ｂは、帰路エネルギー伝導性伝路
電極４８０７Ａと４８０７Ｂとで差し入れられていることが第４Ｂ図から見られ
る。第４Ａ図に戻って、共通伝導性籠状構造容器８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ
及び８００Ｄの間の分配共通伝導性伝路電極４８１０、４８０４、４８０８は、
第４Ｂ図で、パワー伝導性伝路電極と帰路伝導性伝路電極との間に各々挟まれて
いることが見られる。

【０１２９】 これは、万能多機能共通伝導性シールド構造を第５Ｂ図との関連で詳しく説明
されるようなバランスされた仕方で動作させる。中央共通伝導性分配伝路電極４
８０４は、各側に１つのパワー伝導性伝路電極と１つの帰路伝導性伝路電極をも
つて中央に配置されていることをまた指摘している。

【０１３０】 それ故中央共通伝導性分配伝路電極４８０４は、近くの伝導性伝路電極４８０
７Ａと４８０９Ｂ間のバランスのみならず集中点８１３の領域の中心と呼ぶ伝導
性伝路電極との間のバランスも生じさせる。

【０１３１】 今第４Ｃ図と第４Ｄ図とを説明すると、供給伝路を備えた万能多機能共通シー
ルド構造が述べられている。 第４Ｃ図は再び、４つの重ねて積まれた（前に第２図で示した如く全面平行な
関係の）共通伝導性籠状構造容器８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃと８００Ｄ（一
般にそれぞれ８００Ｘという）を備えた万能多機能共通伝導性シールド構造を示
している。

【０１３２】 各共通伝導性籠状構造８００Ｘは、少なくとも２つ共通伝導性伝路電極４８３
０、４８１０、４８０４、４８０８、４８４０を備えている。各共通伝導性伝路
電極４８３０、４８１０、４８０４、４８０８、４８４０は、接続点を外部伝導
領域（図示せず）に用意している８０２に示されている如く、すべて伝導的にお
互いが連結された終端を有している。

【０１３３】 第４Ｄ図に戻って、４つの重ねて積まれた各共通伝導性籠状構造容器８００Ａ
、８００Ｂ、８００Ｃ及び８００Ｄは、伝導性伝路電極４８０９Ｃ、４８０７Ｃ
、４８０９Ｄ及び４８０７Ｄをそれぞれ含んでいる。

【０１３４】 伝導性伝路電極４８０９Ｃ、４８０９Ｄは、バイパス関係中において、万能多
機能共通伝導性構造を通じて、終端帯４８８０Ｃによって平行に伝導性的に接続
されている。終端帯４８８０Ｃはエネルギーパワー源（図示せず）からパワーエ
ネルギー伝路まで伝導性的に接続されている。終端帯４８０９Ｃはエネルギー利
用負荷（図示せず）から帰路エネルギー伝路へ伝導性的に接続されている。

【０１３５】 パワー伝導性伝路電極４８０９Ｃと４８０９Ｄは、帰路エネルギー伝導性伝路
電極４８０７Ｃと４８０９Ｄとで差し入れられていることが第４Ｄ図から見られ
る。第４Ｃ図に戻って、共通伝導性籠状構造容器８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ
及び８００Ｄの間の分配共通伝導性伝路電極４８１０、４８０４、４８０８は、
第４Ｄ図で、パワー伝導性伝路電極と帰路伝導性伝路電極との間に各々挟まれて
いることが見られる。

【０１３６】 これは、万能多機能共通伝導性シールド構造を第５Ｂ図との関連で詳しく説明
されるようなバランスされた仕方で動作させる。中央共通伝導性分配伝路電極４
８０４は、各側に１つのパワー伝導性伝路電極と１つの帰路伝導性伝路電極をも
つて中央に配置されていることをまた指摘している。

【０１３７】 それ故、中央共通伝導性分配伝路電極４８０４は、近くの伝導性伝路電極４８
０７Ｃと４８０９Ｄ間のバランスのみならず集中点８１３の領域の中心と呼ぶ伝
導性伝路電極との間のバランスも生じさせる。

【０１３８】 第５Ａ図と第５Ｂ図とに話題を転じ、両者はＵＭＦＣＣＳＳ３８００−ＢＹ−
ＰＡＳＳについてのと殆ど同一の描写であり、そして両者は、本発明に用いられ
る簡単な回路を説明し明らかにし、かつリストされるであろう他の発明要素の関
係を描写された回路内でエネルギーの一部が如何に伝送するかを説明し明らかに
すべく、自由に前後から記述されるであろう。

【０１３９】 第５Ａ図は、ＵＭＦＣＣＳＳ３８００−ＢＹ−ＰＡＳＳ以上の、システム図で
あるが、一方、第５Ｂ図は、システム・エネルギー伝送効果についての大写しで
あり、エネルギーの部分が本発明の要素のＡＯＣ内で条件づけを受けるところで
のＵＭＦＣＣＳＳ３８００−ＢＹ−ＰＡＳＳの構造的表示である。

【０１４０】 第５Ｂ図は、簡単回路構成内に置かれかつ伝送エネルギーＥＥＥ（伝送するエ
ネルギーの部分）でもって、要素が０００を含み、その回路システムが００（シ
ステムのためのエネルギー源）でそしてエネルギー利用負荷が０１（システムの
エネルギー利用負荷）のためのＥＥＥでもって付加された、ＵＭＦＣＣＳＳ３８
００（ｉｎ−ＢＹ−ＰＡＳＳ）内で、最小的構成の５伝導性伝路電極層のものの
、分解されたそして裏表図または描写についての、一瞬間またはスナップショッ
トについて、描きまたは表している。

【０１４１】 ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂｙｐａｓｓ３８００は本発明の実施例であり、システム０
００内のｕｎｄｅｒｗａｙである所のエネルギー伝送ＥＥＥの一部のためのライ
ン調整機能のスナップショットの描写である。

【０１４２】 誘導材料３８０１は、他の実施例で前述した如く、伝導性層を全体的に支えか
つお互から伝導性層を絶縁している。

【０１４３】 静電電荷スイッチング交換３８０２は３８１８からの寄生振動エネルギーのＥ
−フィールド抑圧の部分であり、ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂのエネルギーの打消し導体
３８０４がまた示されている。伝導性伝路材料３８０３は、特異伝導性伝路また
は電極３８０４を意味するアタッチメントのためのものである。

【０１４４】 要素３８０５（図示せず）はしかし、伝導性マウンテングパット平面（図示せ
ず）または領域または３８１８間特異伝導性アタッチメントに沿って３８１５Ｖ
ＩＡ３８０９へ伝送されたエネルギーの部分のための、もしも必要ならば負荷０
０から３８２０へそしてソース０１へそして３８０４から３８０３へ３８０９へ
３８１１へソース０１から負荷００へそして３８０９（図示せず）を通って３８
１８へ伝送されたエネルギーの部分のための手段である。

【０１４５】 要素３８０６は共通伝導性伝路または電極であり、一方要素３８０８は、ＡＯ
Ｃ内に通過した後にそして可能ならばエネルギーの部分がソース００へ伝送する
際に（既述の如く）共通伝導性伝路要素を利用して移動するための伝送エネルギ
ーの部分のための、外部共通伝導性伝路または領域であり、そして更に、可能な
らばソース００へ戻るための低インピーダンス領域または前記エネルギーＥＥＥ
として働くだろう。

【０１４６】 要素３８０９は伝導性ＶＩＡを表し、 ３８１３はＡＯＣ、 ３８１５は、外部特異伝導性伝路３８１８と外部特異伝導性伝路３８０４との
ためのアタッチメント手段用伝導性伝路材料、 ３８１６は中央共通伝導性分配伝路または電極、 ３８１７は中央共通的分配“０”電圧基準平面、 ３８１８は特異伝導性伝路または電極、 ３８１９は共通伝導性伝路または電極、 ３８２０は外部特異伝導性伝路、 ３８２１Ａは、すべての共通伝導性伝路３８０６、３８１６、３８１９と共通
的分配“０”電圧基準平面３８１７とを接続するための伝導性材料手段、 ３８２１Ｂはまた、共通伝導性伝路３８０６、３８１６、３８１９と共通的分
配“０”電圧基準平面３８１７とを接続する、３８２１Ａ同様の、伝導性材料手
段、 ３８２４は、相互インダクティブ消去部分または示されるＵＭＦＣＣＳＳのエ
ネルギーのＨフィールド消去である。

【０１４７】 ＵＭＦＣＣＳＳ３８００−ＢＹ−ＰＡＳＳは最小ユニットとして記述されてお
り、当該最小ユニット内で、キャパシタンスが内部伝導性伝路電極３８１８と３
８０４との対によって形成される。当該電極３８１４と３８０４とは、夫々の誘
電体層または材料３８０１によって、そして中央分配共通伝導性シールド伝路電
極３８１６によって、分離されている。

【０１４８】 記述されたグループは全体としてさらに、サンドイッチされまたは外側共通伝
導性伝路電極３８０６と３８１９とによって殆ど包まれる。これが、層のサンド
イッチを含んでいるバイパス伝路をもつトータル最小万能機能共通伝導性シール
ド構造であり、それは、伝導性伝路電極要素の、夫々の主エネルギー（図示せず
）伝送表面のすべての、殆どすべての側面に位置し側面に対して所定の程度に接
近している、複数の誘電層または材料３８０１である。それらは次の如きである
。

【０１４９】 ＥＥＥは伝送するエネルギー（図示せず）の部分である。 ０００はシステムである。 ００はシステムのためのエネルギー源（ソース）であり、そしてエネルギー利
用負荷０１はシステムのエネルギー利用負荷である。 ３８０１は誘電体材料である。 ３８０２は静電気負荷スイッチング交換または３８１８からの寄生振動振動エ
ネルギーのＥフィールド抑圧部分であり、３８０４は第５Ａ図に示されるＵＭＦ
ＣＣＳＳ−Ｂのエネルギーの消去導体である。 ３８０３はアタッチメント手段のための伝導性伝路材料である。 ３８０４は特異伝導性伝路または電極である。 ３８０５は、伝導性マウンティングパッド表面（必要であるとして）または領
域または３８１８から３８１５、ＶＩＡ３８０９への間の、また（必要ならば０
０から０１への間に位置する特異伝路３８２０への間特異伝導性アタッチメント
に沿って伝送するエネルギーの部分のための手段であり、そして対向する側に特
異伝導性マウンティングパッド３８０５（もし必要ならば）があって、伝導性伝
路の流れは３８０４から３８０３、３８０５（もし必要ならば）、３８０９、ソ
ース００とエネルギー利用負荷の間に位置する特異伝導性伝路３８１１である。

【０１５０】 ３８０６は共通伝導性伝路または電極である。 ３８０８は、ＡＯＣに入って通過した後にそしてエネルギーの部分がソース０
０にもしも可能ならば伝送した際に上述の如く共通伝導性伝路を利用した後に移
動するように伝送されたエネルギーの部分のための領域であり、更にもし可能な
らばソース００へ戻るための低インピーダンス領域または上記エネルギーＥＥＥ
として働く。 ３８０９は伝導性ＶＩＡである。 ３８１１は外部特異伝導性伝路である。 ３８１３はＡＯＣである。 ３８１５は、外部特異伝導性伝路３８１８と外部特異伝導性伝路３８０４との
ためのアタッチメント手段用の伝導性伝路材料であり、３８１６は中央共通伝導
性分配伝路または電極である。 ３８１７は中央共通的分配“０”電圧基準平面である。 ３８１８は特異伝導性伝路または電極である。 ３８１９は共通伝導性伝路または電極である。 ３８２０は外部特異伝導性伝路である。 ３８２１Ａは、すべての共通伝導性伝路３８０６、３８１６、３８１９の接続
のための伝導性材料であり、共通的分配“０”電圧基準平面３８１７を形成する
。

【０１５１】 ３８２１Ｂはまた、共通伝導性伝路３８０６、３８１６、３８１９と共通的分
配“０”電圧基準平面３８１７との同じグループへの接続のための３８２１Ａと
同様の伝導性材料手段である。 ３８２４は、相互インダクティブ消去部分または示されるＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ
のエネルギーのＨフィールド消去である。並列的層形成は１つの中央分配共通伝
導性シールド伝路３８１６でスタートし、次いで３８１６の夫々の側の大きい伝
導性表面に関して両方の方向から外側に、誘電材料３８０１、夫々の伝導性伝路
３８１８および／または３８０４、誘電材料３８０１、そして夫々の外部共通伝
導性伝路３８１９と３８０６とが材料３８０１によって続けられる。

【０１５２】 本発明を製造することにどのような層形成が用いられようとも、ＵＭＦＣＣＳ
Ｓ３８００−ＢＹ−ＰＡＳＳまたはＵＭＦＣＣＳＳ−ＦＥＥＤ−ＴＨＲＵのいず
れかのための最小限の結果としての実施例は、この結果としての手順をもつべき
であろう。

【０１５３】 第５Ｂ図は、シールドされた囲い内での寄生振動振動を捕捉するように付加さ
れた状態の下で生じる静電気的機能についての記述的表示として役立つ所の、チ
ャージされた電子交換を表している。これはまた、中央共通分配伝導性伝路３８
１６の反対側上で、各夫々の囲い内に位置する伝導性材料の表面に沿って生じる
所の、瞬間的ではあるが反対チャージ効果を表している。大きい伝導性が、３８
１６の夫々の側と、共通電極３８１９と３８０６との２つの大きい伝導性領域の
１つとに現れる。この共通電極３８１９と３８０６とは電極３８１６の各大きい
側に位置している伝導性材料の各大きい領域に面している。

【０１５４】 ３８１８と３８０４とに伝送されたエネルギーは、積層される伝導性囲いの数
に関係なく、また多重伝導性伝路が追加的なペアとされたプレート３８１８Ａと
３８０４Ａ（図示せず）との如く囲われるかどうかに関係なく、いずれの実施例
においても、部分的に、瞬間的に条件づけられる。上記３８１８Ａと３８０４Ａ
とは、近くで対向している対の伝導性要素の如く、特異的に作動する伝導性伝路
の組になったグループをもつ誘電体ケース内に折畳まれかつ埋め込まれた、多数
の追加された特異のかつ対の伝路電極とからなる。ここでの近くで対向している
対の伝導性要素は、特異的作動伝導性伝路の対のグループの全体での領域を有意
的に増加し、そして全実施例の静電容量に関与する電流において対応的に増加す
る。

【０１５５】 この開示されたものはＵＭＦＣＣＳＳ−ＦＥＥＤ−ＴＲＵ ＵＳＡＧＥＷＨＥ
ＲＥ３８０４と３８１８とコンパニオン電極３８０４Ａ、３８１８Ｂ（図示せず
）において役立つが、ＵＭＦＣＣＳＳ−ＦＥＥＤ−ＴＲＵにおいて実施例は、バ
イパス様式内での動きよりはむしろＡＯＣを通過するエネルギーにもとづいて常
に電流制限が生じるだろう。 バイパス様式において、すべての伝導性積層電極または伝路が、クリティカル
で中央位置共通伝導性伝路電極と“０”電圧基準平面との反対面に位置する伝送
されたエネルギーの部分によって利用される。

【０１５６】 電気的並列とは、アタッチされた際に、ここに現れた如き方法で開示されるよ
うなことを意味する。電気的並列様式は、作動ソースからＡＯＣに伝送されたエ
ネルギーによって利用される伝導性エネルギー伝路に関連することを意味し、さ
らにエネルギー利用ソースへ伝送し、そして次いでエネルギーの部分がエネルギ
ー利用負荷からＡＯＣへ、そして次いでＡＯＣへの道によってソース伝路または
部分に戻るエネルギー部分は、伝路の第３の伝導性セットによって高められる低
インピーダンス伝路を通って取り除かれる。 ここでの伝路の第３の伝導性セットは、ＡＯＣ内で共通のものであり、互いに
外部位置共通伝導性外部伝路に導かれるものである。

【０１５７】 述べられた如く、デイスクリートであろうと非デイスクリートであろうと適正
にアタッチされた本発明は多重で独得なエネルギー調整機能を実行する瞬間的能
力を達成する上で役立つだろう。ここで、多重で独得なエネルギー調整機能は、
デカップリング、フィルタリング、エネルギーソースや伝導性エネルギー伝路や
エネルギー利用負荷や回路を完成すべくソースに戻ってくる伝導性エネルギー伝
路にいつも関連する所の並列電気的位置決め原理を用いる電圧バランシングの如
きものである。

【０１５８】 これはまた、かなめの中央位置共通分配伝導性電極伝路を瞬間的に用いて生成
された“０”電圧基準の反対側に平衡した方法で伝導性伝路上に作動する所の伝
送エネルギーの部分の、反対側ではあるが電気的消去と優先的位置決めとを含ん
でいる。

【０１５９】 この全体的常時並列エネルギー分布スキームは、製造された発明要素のすべて
の材料仕上げを、回路内に位置する負荷とソース伝路でもっと効果的にかつ効率
良く作動させるようにする。平衡した方法で作動することによって、材料歪は従
来技術にくらべて大幅に減少された。このような弾性材料の記憶またはヒステリ
シス効果は最小化された。

【０１６０】 ピエゾ電気効果はまた同時に最小化され、そして、エネルギーは、ＡＯＣ内で
非効率的に内部的に利用されるように廻り道することがなく、ＡＯＣや回路内に
、広くかつ非限定的な使用の下で、機能を発揮させるように、標準的で登場の誘
電材料の能力を大幅にドラマティックに、負荷による使用のために自動的に利用
可能となり、そして、従来技術のそれより以上の性能レベルを許しつつコストを
減少する。

【０１６１】 タンタル材料でつくられた本発明の実施例ではそれらの支持のために必要とさ
れたインダクティブ要素と同様に抹消できることがテストで確かめられた。これ
は第１に静的に生じるファクタの結合にもとづく利点であり、静的状態から回路
内への付勢の間に発明のディスクリートな変形の製造が標準的な工業的製造方法
と装置使用とを以て可能となり、標準的で通常の伝導性材料と誘電材料とが効力
向上のために従来技術において用いられたもっと風変わりな材料に代えて利用で
き、付勢状態の下での本発明のＡＯＣ内の誘電材料や伝導性材料の歪にもとづく
ヒステイシス効果とピエゾ電気効果との減少がＳＳＯ状態やパワーをデカップリ
ングするシステムの如き応用のために性能レベルを向上させることになり、アク
ティブ構成体による受動構成体を早期に利用可能にすることがまたこれら歪の減
少と、伝送されたエネルギーがＵＭＦＣＣＳＳを利用する平衡された方法とを達
成する。

【０１６２】 標準Ｘ７ｒ材料を減少でき、Ｂｙｐａｓｓ，ｔｈｒｕ−ｆｅｅｄ−ｔｈｒｕと
エネルギー調整との両者に対するより良いかつより効果的な解決が３８１８と３
８０４電極伝路間に生じ、中央分配共通伝導性シールド伝路電極３８１６が、構
造内で、３８１６の全体的な並列で反対側上で（それ自身に関して）エネルギー
発生のためのバランス点であり、３８００全体の物理的３次元中心（エネルギー
調整と抑圧とシールドとの中心）に略近い所に位置することになり、付勢前に自
由電子がすべての伝導性伝路の外側表面上に分布し、接地を構成するプレートが
夫々互いに平行となるがボードに直列な低い静電容量値となる。

【０１６３】 第５Ｃ図と第５Ｄ図とに目を転じ、第５Ａ図ないし５Ｄ間を自由に移動しつつ
、可能なバイパス構成におけるＵＭＦＣＣＳＳのＡＯＣ回路機能の部分の開示が
示される。第５Ｃ図は本発明の要素に関連して構成されたキャパシティブ型に組
立てられた２つの３８００（in-bypass)のグラフ化した応答を表している。第５
Ｄ図は、バイパス伝路（ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ）３８００−Ａと３８００−Ｂとを
もつ、２つの万能多機能共用伝導性シールド構造を比較したテストデータを示し
ている。 ３８００−Ａと３８００−Ｂとは、ディスクリートな受動構成要素の如き工業
商品用実施例を製造する受動構成要素によって使用される標準パッケージサイズ
の１２０６サイズパッケージにつくられており、容量的または誘導的な１２０６
は当業者にとって広く知られているものである。

【０１６４】 実施例３８００−Ａと３８００−Ｂとは略同じ静電容量をもっている。３８０
０−Ａと３８００−Ｂとは、内部の共通伝導性伝路電極に関するいずれかの伝導
性伝路の配置構成において大きくは異なってはいない。３８００−Ａと３８００
−Ｂとは、接続を物理的につくるべく用いられる何らかの溶着剤において大きく
は異なってはいない。３８００−Ａと３８００−Ｂとは、内部の共通伝導性伝路
電極のいずれかの配置も大きくは異なってはいなく、３８００−Ａと３８００−
Ｂとをテスト回路に接続するのに用いられる夫々の伝導性ターミナル構成間でも
大きくは異なってはいない。

【０１６５】 ３８００−Ａと３８００−Ｂとは、静電容量において僅かに異なっているが、
両者は各製造プロセスユニットに使用される誘電材料によって非常に大きく異な
っている。３８００−Ａは、線と大地との間のキャパシタンスが略９１２ｐＦの
平均値をもつＭＯＶ誘電体でつくられ、一方３８００−Ｂは、線と大地との間の
キャパシタンスが略１，０００ｐＦの平均ロット値をもつＸ７Ｒ誘電体でつくら
れている。

【０１６６】 ３８００−Ａと３８００−Ｂとは第５Ａ図に示されるシステム３８２９へと同
じような態様でテストセットアップ回路に取付けられる。第５Ｃ図は、線３８０
０−Ａ１、３８００−Ｂ１のようなグラフ化されたテスト結果を示している。

【０１６７】 ３８００−Ａと３８００−Ｂとの静電容量値は同じようなものであるけれども
、誘電材料はそうではなく、もっと高価で一般的に用いられるものではないＭＯ
Ｖ材料がもっと一般的Ｘ７Ｒ材料のすばらしいフィルタ効果に仲間入りすること
を示す結果ではまだない。

【０１６８】 これら３８００−Ａ１と３８００−Ｂ１とのテスト結果は、３８００−Ａのよ
うに構成された発明のユーザーが、この特定の誘電体がこの技術において知られ
ている所の電圧トランジエントの高速クランプングとサージ抑圧可能性という、
優利で望ましいＭＯＶの誘電体特徴のすべてを利用し得るだろうことを示してい
る。

【０１６９】 期待されていない点は、ＭＯＶ材料を用いた３８００−Ａに示されかつ得られ
ている所の周波数挿入損についての明白な終焉しないゆらぎである。 周波数スペクトラルにまたがって、トレンド線は、伝送されたエネルギーへの
殆ど純粋な静電容量リアクションが１，２００ＨＭｚへのグラフ線に記されてい
るように示されていることを、示している。１，２００ＨＭｚが使用されたテス
ト装置の限界であったことは銘記されるべきである。

【０１７０】 トレンド線３８０１Ａ−ＴＸ７Ｒと３８０１−ＴＭＯＶは、テスト装置の知ら
れている限界から殆ど容量的反応を高めている。逆に、同じ値でのＭＯＶやＸ７
Ｒ構成に対するＸ７Ｒについてのサージテストにおいて、３８０１−Ａと３８０
１−Ｂの夫々が、付勢された回路状態に発生するコモンモードのトランジエント
に対する所の早いＭＯＶトランジエント応答特性の下で反応するような、Ｘ７Ｒ
誘電体の期待しなかった能力を示している。

【０１７１】 かくて、または標準手段によって同じように構成されまたは製造され、標準の
多機能の対ライン回路を使用され、そして同様に構成された本発明実施例間での
重要な変動だけのような誘電体差をもっている本発明のすべての実施例及び変形
例は、従来技術での夫々既知の誘電材料反応を考慮しても期待されずまた明らか
でもなかった方法で挿入損性能の測定結果を生じるだろう。

【０１７２】 似たような発明ユニット（誘電材料以外で）の比較はこの結果を生じる第１の
理由またはファクタを明確にかつまぎらわしさなしに現している。 そして、回路性能は、静電気抑圧と物理的シールドとを用いかつ本発明が協同
している回路システム内に伝送されたエネルギーの調整に影響を与える、ガウス
・ファラデー籠状ファッション（Ｇａｕｓｓ−Ｆａｒａｄａｙ ｃａｇｅ−ｌｉ
ｋｅ Ｆａｓｈｉｏｎ）内に結合されて働く所の、新しい共通伝導性シールド構
成と外部伝導性アタッチメント素子とである。

【０１７３】 既述されまたは考慮された如く、共通伝導性シールド構造と外部伝導性アタッ
チメント素子とを用いそして所定の電気的調整様式または結果に第一義的に分類
された誘電体を用いる所の、デイスクリートおよび／または非デイスクリートな
実施例は、ここに組上げられたような発明要素の使用あるいは同様な要素で構成
された発明が、使用された誘電材料についての、以前の限定された使用知識に加
えて、期待されてはなくかつ有利な特性を達成し得るだろうことを見いだすだろ
う。

【０１７４】 このことは、デイスクリートなシリコン・ダイなどの内に本発明の変形物を組
上げ得る非デイスクリートキャパシティブまたはインダクティブ構造を用いた所
の、層状化装置をまたは例えばスーパー・キャパシタ装置をまたは原子レベルエ
ネルギー調整構造さえもを得ることを可能にする。

【０１７５】 第５Ｄ図は、バイパス伝路をもつ万能多機能共用伝導性シールド構造（ＵＭＦ
ＣＣＳＳ−Ｂ）についての共通伝導性終端構造の、各種のアタッチメント接続と
非アタッチメント非接続とを比較するデータ・グラフである。ここで当該ＵＭＦ
ＣＣＳＳ−Ｂは、第５Ａ図と第５Ｂ図とに示されと同様に接続されたテスト回路
システム内で５００ＭＨｚを越えて走るすべての終端構造に対して、すべての共
通伝導性伝路電極と外部共通伝導性表面に電気的に接続されている。

【０１７６】 同じ本発明の実施例である伝導性伝路電極３８１５（Ａ）と３８０３（Ｂ）と
は、伝導性伝路電極３８１５（Ａ）と３８０３（Ｂ）とは別の共通伝導性伝路と
、外部に位置するもの（ＡＯＣに関して）とへのアタッチメントについての４つ
の順序ステージに関連して測定される。

【０１７７】 この共通伝導性伝路は上へ延びて３８２１Ａや３８２１Ｂのような伝導性接続
によってＡＯＣ内に延びている。この３８２１Ａや３８２１Ｂは、回路内に適正
に配置されて付勢され製造された発明内に発生する対向する磁束の相互キャンセ
ルによってつくられる所の、内部伝導性電極の低インピーダンス特性を促進する
。

【０１７８】 アタッチメントのこれらの順序ステージはテストされ、それらの結果は３８０
０−１，２，３，４と夫々ラベル付けされ挿入損のために正現化される。利用さ
れたパッケージ・サイズは、ＮＰＯ誘電材料内に構成された線路から大地へ２２
０ｐＦの静電容量をもって積層されたサイズの１２０６である。

【０１７９】 プロット３８００−１は伝導性電極伝路要素３８１５と３８０３とだけにアタ
ッチされたものである。このテスト・ランは、本発明のＡＯＣ内に伝送されたエ
ネルギーへの効果は少ないことを示している。しかし、それは、第５Ａ図と第５
Ｂ図とに示される如く、付加的に配置された共通伝導性伝路（それらは（＃−Ｉ
Ｍ）とマークされている）は固有中央分配イメージ“０”電圧基準表面と接して
いる。共通伝導性電極伝路であり、各方面に本発明のシールドの有効性を増大す
るだろうことを開示している。

【０１８０】 これらは、対にされた伝導性シールド様コンテナの本質的に組分けされたもの
の外に位置する付加的配置共通伝導性伝路であり、それは、外部アタッチ共通伝
導エリアに関連してのエネルギー伝送を効果的にする上でいくらか貢献するだろ
う。

【０１８１】 プロット３８００−２は、伝導性電極伝路要素３８１５と３８０３とにアタッ
チされ、かつ３８２１Ａと３８２１Ｂとの両者が外部位置共通伝導性キャリヤ・
グランドにアタッチされたものである。テストが３８００−２について行われる
際に、３８２１Ａへの接続だけが共通外部伝導性伝路に対して行われ、３００Ｍ
Ｈｚの共振周波数をもつ４６ｄＢを超えるものが見られる。

【０１８２】 この構成の下では、本発明はＵＭＦＣＣＳＳとしては本当には働いていない。
その理由は、コンポーネント内の共通伝導性伝路電極が互いに物理的に平行であ
るけれども、これらは主回路帰路または大地の一部である所の外部伝導性共通伝
路と直列であると考えられているからである。

【０１８３】 この構成３８００−２はまた、４つのターミナルの３つが接続されているにも
関わらず、特異伝路がエネルギー利用負荷および回路のエネルギー帰路伝路と電
気的に直列にあることを示している。分配共通伝導性中央位置伝路はまた重要で
はなくなり、行われつつあるエネルギー調整に関して、ＡＯＣ内に位置する他の
共通プレートと同様である。

【０１８４】 回路のための直列関係において、共通プレートは、“０”ボルト・イメージ基
準機能が達成されないように、相互インダンスと静電気スイッチングとの消去（
これらは寄生振動抑圧のための本値的なものである）が達成されないように、正
に、共通である。この構成が共振すると、本発明のインダクティブ資産がキャパ
シタンスを圧倒し、従来技術の性能が現れる。

【０１８５】 外部伝導性伝路アタッチメントに位置しまたはアクセスできるすべての付勢さ
れている共通伝導性電極伝路の完全をアタッチメントについてのこの限界的な性
質は、供給源と位置とのデカップリングやフィルタリングや単一の中央位置共通
分配伝導性電極伝路の反対側につくられる”０”電圧基準の反対側に関連する電
動的位置決めを用いる電圧バランシングのような多重独得エネルギー調整機能を
実行する上での同時的能力を達成する際に、きわめて限界的なものとして現れる
。

【０１８６】 判るように本発明の３８２１Ａと３８２１Ｂとが共通伝導性外部エリアとアタ
ッチされる際に、すべての共通伝導性分配電極要素は、ソースと負荷とに関して
、エネルギーが、電気的に並列に、他の共通伝導性構造位置と、お互いにのみな
らず、主回路帰路パス、シャーシ・グランドまたは低インピーダンス伝路と同様
に並列に働くことを許す。

【０１８７】 この構成において、判る如く、アタッチメント・メソッド３８００−３におい
ては共振周波が３０１ＭＨｚから外れた略８６ＭＨｚから３８７ＭＨｚにまで移
動することが測定された。これは、同等の効果を達成すべく異なった値のものと
従来技術の受動成分を追加することによって、従来の成分で通常的に達成される
だろう。

【０１８８】 ３８００−３は、ＵＭＦＣＣＳＳ−Ｂ３８２１Ａから３８２１Ｂを越えて包か
れた追加外部伝導性ストラップを用いて、そして公開された内部伝路に並列に共
通伝導性伝路を加えて、性能向上が達成されたことを示している。それによって
３８００−３は、伝送エネルギー帰路パスへのＡＯＣ内の第３伝導性共通伝路の
インピーダンスを改善して低めていることを示している。ここでの、伝送エネル
ギー帰路パスは、同じソースからエネルギー発生の部分として利用され得るもの
である。 伝導性伝路が内部的にバランスされてはいるが、テストが共通伝導性プレート
（クリティカルではないとして銘記されるが）内に僅かな非重要なアンバランス
をつくっている間に、発明品がこねられた接着剤によってつくられた共通伝導性
エリア上に置かれるという点は銘記されるべきである。

【０１８９】 ３８２１Ａから３８２１Ｂへ外部伝導性ストラップを追加することは、伝導性
伝路バランスを回復させ、自己共振点を３８ＭＨｚ（３８７ＭＨｚないし４２５
ＭＨｚ）へ移行する。この構成は、ユニットの自己共振点を向上させ更に外側に
移行するように置かれる追加外側接近位置プレート６８０８−ＩＭと６８１０−
ＩＭとによって模造される。

【０１９０】

【産業上の利用可能性】

もしも本発明でつくられるコンテナ構造が示されるスタッキング・シーケンス
にしたがってインバランスであるならば、間違いによってまたは予見をもって追
加された何らかの追加されたまたは特別の共通伝導性シールド構造は、エネルギ
ー調整操作を十分にじゃましまたは退化させはせず、自動化された層プロセスが
上述した如く追加外側層または複数の追加外側層を追加させるかも知れない場合
において製造プロセス内で潜在的なコスト軽減を実際上考えることは銘記される
べきである。

【０１９１】 これら意図的または不注意のエラーは、コンテナの既述の適正に順次づけられ
たスタッキングを含む発明品のバランスを有害的に害することはないだろうし、
そして出願人によって完全にもくろまれている。

【０１９２】 少なくとも３つの、明瞭に異なったエネルギー調整機能がＵＭＦＣＣＳＳの変
形例内に生じるだろう。 殆ど全シールド包装によって寄生振動エネルギーの静電的最小化； 特異伝導性伝路の物理的シールド；対向特異伝導性伝路の電磁的シールド機能
または相互磁束消去； ２つの独得の共通伝導性シールド構造の一部である所の中央共通分配伝路によ
ってつくられる“０”電圧基準の使用、 ＡＯＣ（（（ＡＯＣ内では電気的および／または磁気的作動内での中央共通分
配伝導性エネルギー伝路の一側の上で作動する各エネルギー部分が、全般的対向
消去型方法（（全般的直列型式（対向する特異伝導性伝路の相互磁束消去を用い
るが、ここで開示している如き瞬間スイッチング静電シールド機能を用いること
には失敗する）で働く従来技術のそれと同様に有害な力を補強しない））の下で
働く並列非補強裏付体をもつだろう）））を用いるエネルギーの部分の大部分に
よって直列移動効果に反対するような並列移動シールド効果。

【０１９３】 第２に、示されようと示されまいと、多数の伝路と２つの共通伝導路電極と特
異伝導性伝路電極とは、複数の伝導性伝路要素結合体（回路ソースに関して付勢
された存在の下でのこれらの要素に関連して電気的並列を考慮される全般的物理
的並列関係が並列に追加的に存在し、それによって静電容量が増加されている）
をつくる決まった方法で多重化され得る。

【０１９４】 第３に、中央伝導性伝路と複数の伝導性電極との組合わせを包囲する追加的共
通伝導性伝路は、増加された本来の大地と、最適化されたファラデー籠状機能お
よびサージ消散領域とを、すべての実施例において供給するよう、用いることが
できる。

【０１９５】 第４に、２つの追加的位置付け共通伝導性伝路またはシールドで対にされた１
つの中央共通伝導性シールドの最小のものは、中央共通伝導性シールドの反対側
上に、位置されるよう望まれかつそうすべきであるけれども、誘電材料特異伝導
性電極の如き他の要素は、既述された如く、これらシールドの間に置かれること
ができる。追加的共通伝導性伝路は、示されたいずれの実施例を用いることがで
き、出願人によって完全にもくろまれたものである。

【０１９６】 実際に、多機能エネルギー調節装置は、示されなかったが、回路構成またはチ
ップに集積された通信マイクロプロセッサの如き応用装置に用いるために、シリ
コンで容易につくられかつ集積回路内へ直接組立てられ得るだろう。集積回路は
既に、本発明のアーキテクチャを今回利用できる技術と協同させ得るシリコン基
盤内にエッチングされたキャパシタをつくっている。

【０１９７】 多機能エネルギー調整装置は埋め込まれ、またそれらの回路ボード端子接続か
ら通信またはデータをしみ込み得る。そしてこれによって、回路ボード資源要求
を減少させ、更により簡単な生産要求をもつが全体回路サイズを減少することに
なる。

【０１９８】 最後に、無数の実施例についての参照から、形状、厚さ、またはサイズが、望
まれる電気的特性によって、またその中で共通伝導性電極伝路とそれらのアタッ
チメント構造とから導出されおよび少なくとも１つの単独伝導性均質ファラディ
かご状構造と他の伝導性電極伝路とから導出された所の物理的アーキテクチャに
もとづいて、フィルタが使用される応用によって、変化するだろうことが明らか
であろう。

【０１９９】 本発明の、主要な好ましい実施例や好ましい動作がここに詳細に記述されてい
るが、これが開示された特定の描かれた形態に限定される如く解釈されるべきで
はない。ここでの好ましい実施例についての多数の変形がクレームによって限定
された如き発明の精神と範囲とから離れることなしにつくられ得ることが、当業
者にここに明らかになるだろう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ６０／１６５，０３５ (32)優先日 平成11年11月12日(1999．11．12) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ０９／４６０，２１８ (32)優先日 平成11年12月13日(1999．12．13) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／１８０，１０１ (32)優先日 平成12年２月３日(2000．2．3) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／１８５，３２０ (32)優先日 平成12年２月28日(2000．2．28) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／１９１，１９６ (32)優先日 平成12年３月22日(2000．3．22) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／２００，３２７ (32)優先日 平成12年４月28日(2000．4．28) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／２０３，８６３ (32)優先日 平成12年５月12日(2000．5．12) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ０９／５７９，６０６ (32)優先日 平成12年５月26日(2000．5．26) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ， ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ， ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ， ＺＷ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エネルギー源とエネルギー利用負荷との間の外部伝導性エネ
   ルギー伝路接続のための伝導性エネルギー伝路を備えた多機能共通伝導性シール
   ド及びエネルギー調整構造において、 複数の共通伝導性伝路電極と、 前記複数の共通伝導性伝路電極の少なくとも１つが、前記複数の共通伝導性伝
   路電極の内の等しい数の残りの間に、全面が平行な関係で配置された中央に配置
   の共通伝導性伝路である、複数の伝導性伝路電極と、 少なくとも１つの前記複数の伝導性伝路電極の内、前記複数の共通伝導性伝路
   電極の内の各近くの共通伝導性伝路電極の少なくとも１つの近い平行側だけで、
   大部分の伝導性伝路電極領域をシールドする手段と、 前記複数の伝導性伝路電極と複数の共通伝導性伝路電極との間の直接的な電気
   接続を防止する手段と、 前記複数の共通伝導性伝路電極を普通の伝導性的接続をするための手段と、 前記複数の伝導性伝路電極の内の少なくとも１つに沿って伝送する前記エネル
   ギーを同時に調整する手段と を備えたことを特徴とするエネルギー源とエネルギー利用負荷との間の外部伝
   導性エネルギー伝路接続のための伝導性エネルギー伝路を備えた多機能共通伝導
   性シールド及びエネルギー調整構造。
2. 【請求項２】 エネルギー源とエネルギー利用負荷との間に接続された複数
   の外部伝導性エネルギー伝路に接続するための多機能共通伝導性シールド及びエ
   ネルギー調整構造において、 複数の共通伝導性伝路電極と、 前記複数の共通伝導性伝路電極の内の等しい数の残りの間に、全面が平行な関
   係で配置された前記複数の共通伝導性伝路電極の少なくとも１つである、前記複
   数の伝導性伝路電極と を備えたことを特徴とするエネルギー源とエネルギー利用負荷との間に接続さ
   れた複数の外部伝導性エネルギー伝路に接続するための多機能共通伝導性シール
   ド及びエネルギー調整構造。
3. 【請求項３】 回路電圧バランスとエネルギー調整とが同時に行われるため
   の多機能伝導性構造において、 少なくとも２つの伝導性伝路電極と、 しっかりとした平行な関係でお互いを結び付けている少なくとも２つの共通伝
   導性籠状構造であって、 当該各共通伝導性籠状構造は、少なくとも２つの共通伝導性伝路電極を備え、 前記少なくとも２つの共通伝導性伝路電極の内の少なくとも１つは、前記結び
   付いている構造で分けられてなり、 かつ前記伝導性伝路電極の内の１つは、前記１つの分けられた共通伝導性伝路
   電極と前記少なくとも２つの共通伝導性伝路電極の内の少なくとも１つとの間で
   しっかりとした平行な関係で挟まれてなり、 予め定められた電気的属性を有する材料であって、 当該材料は前記少なくとも２つの共通伝導性籠状構造と前記少なくとも２つの
   伝導性伝路電極との間で、前記伝導性伝路電極と共通伝導性伝路電極との間の直
   接電気的接続を防止しながら維持されてなり、 前記共通伝導性伝路電極はお互いに伝導性的に接続されてなること を特徴とする回路電圧バランスとエネルギー調整とが同時に行われるための多
   機能伝導性構造。
4. 【請求項４】 特許請求の範囲の請求項３の多機能伝導性構造は、前記少な
   くとも２つの共通伝導性籠状構造の総数が偶数で数えられる整数であることを特
   徴とする回路電圧バランスとエネルギー調整とが同時に行われるための多機能伝
   導性構造。
5. 【請求項５】 特許請求の範囲の請求項３の多機能伝導性構造は、前記少な
   くとも２つの共通伝導性籠状構造の総数が奇数で数えられる整数であることを特
   徴とする回路電圧バランスとエネルギー調整とが同時に行われるための多機能伝
   導性構造。
6. 【請求項６】 特許請求の範囲の請求項３の多機能伝導性構造は、前記共通
   伝導性伝路電極と伝導性伝路電極の総数が奇数で数えられる整数であることを特
   徴とする回路電圧バランスとエネルギー調整とが同時に行われるための多機能伝
   導性構造。