JP2003347530A - 画像記録媒体 - Google Patents
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- JP2003347530A JP2003347530A JP2002157578A JP2002157578A JP2003347530A JP 2003347530 A JP2003347530 A JP 2003347530A JP 2002157578 A JP2002157578 A JP 2002157578A JP 2002157578 A JP2002157578 A JP 2002157578A JP 2003347530 A JP2003347530 A JP 2003347530A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線を透過する第１電極１、放射線の照射
により電荷を発生する記録用光導電層２、電荷輸送層
３、上記電荷を静電潜像として蓄積する蓄電部８、読取
光の照射により電荷を発生する読取用光導電層４および
第２電極６がこの順で積層されてなり、読取用光導電層
４と第２電極６との間に読取用光導電層４において生じ
る界面結晶化を防止する抑制層５を有する静電記録体１
０において、読取効率を低下させることなく読取用光導
電層４の界面結晶化を防止する。 【解決手段】 抑制層５の材料としてＯＨ基を有する有
機ポリマーであるポリビニルアルコールを使用する。
により電荷を発生する記録用光導電層２、電荷輸送層
３、上記電荷を静電潜像として蓄積する蓄電部８、読取
光の照射により電荷を発生する読取用光導電層４および
第２電極６がこの順で積層されてなり、読取用光導電層
４と第２電極６との間に読取用光導電層４において生じ
る界面結晶化を防止する抑制層５を有する静電記録体１
０において、読取効率を低下させることなく読取用光導
電層４の界面結晶化を防止する。 【解決手段】 抑制層５の材料としてＯＨ基を有する有
機ポリマーであるポリビニルアルコールを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像情報を静電潜
像として記録することのできる画像記録媒体に関するも
のである。
像として記録することのできる画像記録媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、照射された記録用の電磁波に
応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有す
る画像記録媒体として、例えば、医療用放射線撮影等に
おいて、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電
体を有する放射線画像記録媒体（静電記録体）を感光体
として用い、該放射線画像記録媒体にＸ線を照射し、照
射されたＸ線の線量に応じた量の電荷を放射線画像記録
媒体内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像
情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム或
いはライン光で放射線画像情報が記録された放射線画像
記録媒体を走査することにより、前記放射線画像記録媒
体から放射線画像情報を読み取る方法が知られている
（例えば、米国特許第４５３５４６８号明細書等）。上
記放射線画像記録媒体を利用することにより被験者の受
ける被爆線量の減少、診断性能の向上等を図ることがで
きる。
応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有す
る画像記録媒体として、例えば、医療用放射線撮影等に
おいて、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電
体を有する放射線画像記録媒体（静電記録体）を感光体
として用い、該放射線画像記録媒体にＸ線を照射し、照
射されたＸ線の線量に応じた量の電荷を放射線画像記録
媒体内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像
情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム或
いはライン光で放射線画像情報が記録された放射線画像
記録媒体を走査することにより、前記放射線画像記録媒
体から放射線画像情報を読み取る方法が知られている
（例えば、米国特許第４５３５４６８号明細書等）。上
記放射線画像記録媒体を利用することにより被験者の受
ける被爆線量の減少、診断性能の向上等を図ることがで
きる。
【０００３】本願出願人は、特開２０００−１０５２９
７号公報や特開２０００−１６２７２６号公報などにお
いて、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取出し
を両立させることを可能ならしめる放射線画像記録媒
体、この放射線画像記録媒体に放射線画像情報を記録す
る記録方法および装置、並びに上記放射線画像記録媒体
から放射線画像情報を読み取る読取方法および装置を提
案している。
７号公報や特開２０００−１６２７２６号公報などにお
いて、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取出し
を両立させることを可能ならしめる放射線画像記録媒
体、この放射線画像記録媒体に放射線画像情報を記録す
る記録方法および装置、並びに上記放射線画像記録媒体
から放射線画像情報を読み取る読取方法および装置を提
案している。
【０００４】特開平２０００−１０５２９７号公報等に
は、記録用の放射線またはこの放射線の励起により発せ
られる光を透過する第１の電極層、放射線または上記光
の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電
層、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用し、且つ潜
像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体として作
用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を受けること
により導電性を呈する読取用光導電層、および読取用の
電磁波を透過する第２の電極層をこの順に積層して成る
放射線画像記録媒体を使用し、放射線画像記録媒体の第
１の電極層に記録用の放射線を照射し、照射された放射
線の線量に応じた量の電荷を記録用光導電層と電荷輸送
層との略界面に形成される蓄電部に蓄積せしめることに
より、放射線画像情報を静電潜像として記録し、記録さ
れた静電潜像を読取用の電磁波の照射により読み出して
放射線画像情報を得る放射線画像記録読取方法および装
置が記載されている。
は、記録用の放射線またはこの放射線の励起により発せ
られる光を透過する第１の電極層、放射線または上記光
の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電
層、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用し、且つ潜
像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体として作
用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を受けること
により導電性を呈する読取用光導電層、および読取用の
電磁波を透過する第２の電極層をこの順に積層して成る
放射線画像記録媒体を使用し、放射線画像記録媒体の第
１の電極層に記録用の放射線を照射し、照射された放射
線の線量に応じた量の電荷を記録用光導電層と電荷輸送
層との略界面に形成される蓄電部に蓄積せしめることに
より、放射線画像情報を静電潜像として記録し、記録さ
れた静電潜像を読取用の電磁波の照射により読み出して
放射線画像情報を得る放射線画像記録読取方法および装
置が記載されている。
【０００５】さらに、本出願人は上記第２の電極層が読
取用の電磁波を透過する多数の線状電極をストライプ状
に配列してなるストライプ電極である放射線画像記録媒
体も提案しており、この放射線画像記録媒体においては
ストライプ電極の各線状電極に応じた蓄電部に上記潜像
電荷を集中して蓄積することができるので画像の鮮鋭度
の向上を図ることができる。
取用の電磁波を透過する多数の線状電極をストライプ状
に配列してなるストライプ電極である放射線画像記録媒
体も提案しており、この放射線画像記録媒体においては
ストライプ電極の各線状電極に応じた蓄電部に上記潜像
電荷を集中して蓄積することができるので画像の鮮鋭度
の向上を図ることができる。
【０００６】上記のような放射線画像記録媒体において
は、第１の電極層が負の電位、第２の電極層が正の電位
となるように直流電圧が印加されるとともに、被写体を
透過した放射線が第１の電極層に照射され、第１の電極
層を透過した放射線の照射により記録用光導電層におい
て放射線の線量に応じた電荷対が発生し、負の電荷が蓄
電部に潜像電荷として蓄積されて放射線画像が静電潜像
として記録される。
は、第１の電極層が負の電位、第２の電極層が正の電位
となるように直流電圧が印加されるとともに、被写体を
透過した放射線が第１の電極層に照射され、第１の電極
層を透過した放射線の照射により記録用光導電層におい
て放射線の線量に応じた電荷対が発生し、負の電荷が蓄
電部に潜像電荷として蓄積されて放射線画像が静電潜像
として記録される。
【０００７】そして、上記放射線画像記録媒体の第２の
電極層に読取用の電磁波を照射すると、この電磁波は第
２の電極層を透過して読取用光導電層に照射され、読取
用光導電層において電荷対が発生する。そして、この電
荷対のうち正の電荷は電荷輸送層を通過して蓄電部に蓄
積された負の電荷と結合し、負の電荷は第２の電極層に
帯電された正電荷と再結合することによって放電が生じ
る。この放電により第１の電極層と第２の電極層との間
で発生した電圧変化を電流検出アンプなどで電流変化と
して検出することにより静電潜像の読取りが行なわれ
る。
電極層に読取用の電磁波を照射すると、この電磁波は第
２の電極層を透過して読取用光導電層に照射され、読取
用光導電層において電荷対が発生する。そして、この電
荷対のうち正の電荷は電荷輸送層を通過して蓄電部に蓄
積された負の電荷と結合し、負の電荷は第２の電極層に
帯電された正電荷と再結合することによって放電が生じ
る。この放電により第１の電極層と第２の電極層との間
で発生した電圧変化を電流検出アンプなどで電流変化と
して検出することにより静電潜像の読取りが行なわれ
る。
【０００８】ところで、上記のような放射線画像記録媒
体における読取用光導電層は、高い暗抵抗を有し、読取
りの応答速度が優れているという利点からa−Ｓｅ（ア
モルファスセレン）により形成されることが多いが、ア
モルファス状態のセレン膜は、製膜時の蒸着過程におい
て、他の物質との界面において界面結晶化（interfacia
l crystallization）が進行し、この界面結晶化により
電極からの電荷注入が増えるためにＳ／Ｎが低下すると
いう問題が生じる。電極材料として、透明酸化被膜、特
にＩＴＯを用いた場合には、電極材料とａ−Ｓｅの界面
での界面結晶化が顕著に進行する。
体における読取用光導電層は、高い暗抵抗を有し、読取
りの応答速度が優れているという利点からa−Ｓｅ（ア
モルファスセレン）により形成されることが多いが、ア
モルファス状態のセレン膜は、製膜時の蒸着過程におい
て、他の物質との界面において界面結晶化（interfacia
l crystallization）が進行し、この界面結晶化により
電極からの電荷注入が増えるためにＳ／Ｎが低下すると
いう問題が生じる。電極材料として、透明酸化被膜、特
にＩＴＯを用いた場合には、電極材料とａ−Ｓｅの界面
での界面結晶化が顕著に進行する。
【０００９】そこで、上記のような読取用光導電層にお
ける界面結晶化の問題を回避するため、本出願人は、読
取光が照射される電極層と読取用光導電層との間に、界
面結晶化を抑制するための有機ポリマーからなる抑制層
を設けることを提案している。
ける界面結晶化の問題を回避するため、本出願人は、読
取光が照射される電極層と読取用光導電層との間に、界
面結晶化を抑制するための有機ポリマーからなる抑制層
を設けることを提案している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように読取用の電磁波が照射される電極層と読取用光導
電層との間に抑制層を設けた場合、読取りの際に読取用
光導電層において生じた負電荷と読取用の電磁波が照射
される電極における正電荷との結合が妨げられ、つま
り、読取用光導電層における光誘起放電効率が低下して
しまい読取効率が低下してしまうという欠点があった。
この読取効率の低下は、記録用の電磁波の照射強度が弱
い領域、つまり、低電界の下で光誘起放電をしなければ
ならない領域で顕著にみられた。
ように読取用の電磁波が照射される電極層と読取用光導
電層との間に抑制層を設けた場合、読取りの際に読取用
光導電層において生じた負電荷と読取用の電磁波が照射
される電極における正電荷との結合が妨げられ、つま
り、読取用光導電層における光誘起放電効率が低下して
しまい読取効率が低下してしまうという欠点があった。
この読取効率の低下は、記録用の電磁波の照射強度が弱
い領域、つまり、低電界の下で光誘起放電をしなければ
ならない領域で顕著にみられた。
【００１１】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、上記のような画像記録媒体において、読取効
率を低下させることなく読取光導電層の界面結晶化を防
止することができる画像記録媒体を提供することを目的
とするものである。
のであり、上記のような画像記録媒体において、読取効
率を低下させることなく読取光導電層の界面結晶化を防
止することができる画像記録媒体を提供することを目的
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の画像記録媒体
は、記録用の電磁波を透過する第１電極と、記録用の電
磁波の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光
導電層と、記録用光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄
電部と、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電
性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過す
る第２電極とがこの順に積層されてなり、読取用光導電
層と第２電極との間に前記読取用の電磁波を透過し、読
取用光導電層における界面結晶化を抑制する抑制層を有
する画像記録媒体において、抑制層が、極性基を有する
有機ポリマーからなることを特徴とするものである。
は、記録用の電磁波を透過する第１電極と、記録用の電
磁波の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光
導電層と、記録用光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄
電部と、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電
性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過す
る第２電極とがこの順に積層されてなり、読取用光導電
層と第２電極との間に前記読取用の電磁波を透過し、読
取用光導電層における界面結晶化を抑制する抑制層を有
する画像記録媒体において、抑制層が、極性基を有する
有機ポリマーからなることを特徴とするものである。
【００１３】ここで、上記「記録用の電磁波」とは、例
えば、放射線などを意味するが、放射線画像情報を担持
した放射線の照射によって蛍光体などから発せられた蛍
光なども含むものとする。
えば、放射線などを意味するが、放射線画像情報を担持
した放射線の照射によって蛍光体などから発せられた蛍
光なども含むものとする。
【００１４】また、上記極性基としてＯＨ基またはＣＯ
ＯＨ基を有する有機ポリマーを抑制層の材料として利用
することが望ましい。
ＯＨ基を有する有機ポリマーを抑制層の材料として利用
することが望ましい。
【００１５】ここで、上記「ＯＨ基を有する有機ポリマ
ー」としては、たとえば、ポリビニルアルコールなど、
「ＣＯＯＨ基を有する有機ポリマー」としては、たとえ
ば、ポリアクリル酸などがあるが、ＯＨ基およびＣＯＯ
Ｈ基の両方を含む変性ポリビニルアルコールなどを使用
してもよい。また、ＯＨ基とＯＨ基とは異なる極性基と
の両方を含む有機ポリマーを利用することもできるが、
この場合には、ＯＨ基の割合の方が多い有機ポリマーを
利用することが望ましい。
ー」としては、たとえば、ポリビニルアルコールなど、
「ＣＯＯＨ基を有する有機ポリマー」としては、たとえ
ば、ポリアクリル酸などがあるが、ＯＨ基およびＣＯＯ
Ｈ基の両方を含む変性ポリビニルアルコールなどを使用
してもよい。また、ＯＨ基とＯＨ基とは異なる極性基と
の両方を含む有機ポリマーを利用することもできるが、
この場合には、ＯＨ基の割合の方が多い有機ポリマーを
利用することが望ましい。
【００１６】また、上記極性基の割合が４〜４０ｗｔ％
である有機ポリマーを抑制層の材料として利用すること
が望ましい。
である有機ポリマーを抑制層の材料として利用すること
が望ましい。
【００１７】また、本発明の画像記録媒体は、上記に示
す層からなるものだけでなく、上記層にさらに電荷輸送
層などの層を設けたものも含むものとする。
す層からなるものだけでなく、上記層にさらに電荷輸送
層などの層を設けたものも含むものとする。
【００１８】
【発明の効果】本発明の画像記録媒体によれば、読取用
光導電層と読取用の電磁波が照射される第２電極との間
に、極性基を有する有機ポリマーからなる抑制層を設け
るようにしたので、読取効率を低下させることなく読取
用光導電層における界面結晶化を抑制することができ
る。
光導電層と読取用の電磁波が照射される第２電極との間
に、極性基を有する有機ポリマーからなる抑制層を設け
るようにしたので、読取効率を低下させることなく読取
用光導電層における界面結晶化を抑制することができ
る。
【００１９】図２に抑制層の材料として極性基（ＯＨ
基）を有するポリビニルアルコール（ＯＨ基の割合は１
８ｗｔ％）を使用した場合のにおける読取効率の実験デ
ータと、抑制層の材料として極性基を有しないポリカー
ボネートを使用した場合における読取効率の実験データ
とを示す。図２に示すように抑制層の材料としてポリビ
ニルアルコールを使用した方が読取効率が向上すること
がわかる。
基）を有するポリビニルアルコール（ＯＨ基の割合は１
８ｗｔ％）を使用した場合のにおける読取効率の実験デ
ータと、抑制層の材料として極性基を有しないポリカー
ボネートを使用した場合における読取効率の実験データ
とを示す。図２に示すように抑制層の材料としてポリビ
ニルアルコールを使用した方が読取効率が向上すること
がわかる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明の画像記録媒
体の一実施形態を適用した静電記録体の概略構成図であ
る。図１（Ａ）は静電記録体の斜視図、図１（Ｂ）は図
１（Ａ）の一部断面図である。
施の形態について説明する。図１は本発明の画像記録媒
体の一実施形態を適用した静電記録体の概略構成図であ
る。図１（Ａ）は静電記録体の斜視図、図１（Ｂ）は図
１（Ａ）の一部断面図である。
【００２１】本実施の形態の静電記録体１０は、記録光
（例えばＸ線などの放射線）を透過する第１電極１、こ
の第１電極１を透過した記録光の照射を受けることによ
り導電性を呈する記録用光導電層２、第１電極１に帯電
される電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該
潜像極性電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として
作用する電荷輸送層３、読取光（例えば波長５５０ｎｍ
以下の青色域光）の照射を受けることにより導電性を呈
する読取用光導電層４、読取光に対して透過性を有し、
且つ読取用光導電層４における界面結晶化を抑制する抑
制層５、読取光を透過する第２電極６、読取光を透過す
る支持体７を、この順に積層してなるものである。そし
て、本実施の形態の静電記録体１０は、記録用光導電層
２と電荷輸送層３との界面に、記録用光導電層２内で発
生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部８を有するもので
ある。
（例えばＸ線などの放射線）を透過する第１電極１、こ
の第１電極１を透過した記録光の照射を受けることによ
り導電性を呈する記録用光導電層２、第１電極１に帯電
される電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該
潜像極性電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として
作用する電荷輸送層３、読取光（例えば波長５５０ｎｍ
以下の青色域光）の照射を受けることにより導電性を呈
する読取用光導電層４、読取光に対して透過性を有し、
且つ読取用光導電層４における界面結晶化を抑制する抑
制層５、読取光を透過する第２電極６、読取光を透過す
る支持体７を、この順に積層してなるものである。そし
て、本実施の形態の静電記録体１０は、記録用光導電層
２と電荷輸送層３との界面に、記録用光導電層２内で発
生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部８を有するもので
ある。
【００２２】第１電極１および第２電極６の材料として
は、それぞれ記録光あるいは読取光を透過するものであ
ればよく、例えば、共に、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化
膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide
；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして
用いることができる。なお、記録光としてＸ線を使用
し、第１電極１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する
場合、可視光に対する透過性が不要であるから、第１電
極１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなどを用いる
こともできる。
は、それぞれ記録光あるいは読取光を透過するものであ
ればよく、例えば、共に、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化
膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide
；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして
用いることができる。なお、記録光としてＸ線を使用
し、第１電極１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する
場合、可視光に対する透過性が不要であるから、第１電
極１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなどを用いる
こともできる。
【００２３】また、第１電極１および第２電極６は、本
実施形態のように、その全体が電極のみからなるもの
（いわゆる平板電極）であってもよいし、例えば、線状
電極を、その長手方向と直行する方向に配列してなるス
トライプ電極を有するものであってもよい。
実施形態のように、その全体が電極のみからなるもの
（いわゆる平板電極）であってもよいし、例えば、線状
電極を、その長手方向と直行する方向に配列してなるス
トライプ電極を有するものであってもよい。
【００２４】記録用光導電層２としては、記録光の照射
を受けることにより導電性を呈するものであればよく、
例えば、ａ−Ｓｅ，ＰｂＯ，ＰｂＩ２などの酸化鉛（I
I）やヨウ化鉛（II），Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）
Ｏ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジットな
どのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が
適当であるが、本実施の形態では、放射線に対して比較
的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れて
いるａ−Ｓｅを使用する。
を受けることにより導電性を呈するものであればよく、
例えば、ａ−Ｓｅ，ＰｂＯ，ＰｂＩ２などの酸化鉛（I
I）やヨウ化鉛（II），Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）
Ｏ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジットな
どのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が
適当であるが、本実施の形態では、放射線に対して比較
的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れて
いるａ−Ｓｅを使用する。
【００２５】このａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電
層２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするた
め、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好まし
い。
層２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするた
め、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好まし
い。
【００２６】電荷輸送層３としては、第１電極１に帯電
される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移
動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましく
は１０３以上）、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｋ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェ
ニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）やディスコティック液晶などの有機系化合物、或い
はＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ＰＶＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープ
したａ−Ｓｅなどの半導体物質が適当である。
される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移
動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましく
は１０３以上）、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｋ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェ
ニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）やディスコティック液晶などの有機系化合物、或い
はＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ＰＶＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープ
したａ−Ｓｅなどの半導体物質が適当である。
【００２７】読取用光導電層４は、ａ−Ｓｅが主成分で
あり読取光の照射を受けることにより導電性を呈する光
導電性物質により形成されている。
あり読取光の照射を受けることにより導電性を呈する光
導電性物質により形成されている。
【００２８】抑制層５は、第２電極６の電極材料と読取
用光導電層４のａ−Ｓｅとの直接接触を妨げることで、
界面におけるＳｅの化学変化を防止し、界面結晶化を抑
制するものである。
用光導電層４のａ−Ｓｅとの直接接触を妨げることで、
界面におけるＳｅの化学変化を防止し、界面結晶化を抑
制するものである。
【００２９】ここで、上記のように抑制層５を設けた場
合、読取用光導電層４における界面結晶化を抑制するこ
とが可能であるが、材料によっては読取用光導電層にお
ける光誘起放電効率を低下させ、読取効率を低下させて
しまうものがある。従って、本実施の形態では、このよ
うな弊害を招くことのないように抑制層５の材料として
極性基を有するものを利用する。例えば、抑制層５の材
料としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いる。ポ
リビニルアルコールはＯＨ基を有する有機ポリマーであ
り、本実施の形態においてはＯＨ基の割合が１８ｗｔ％
であるポリビニルアルコールを使用するものとする。
合、読取用光導電層４における界面結晶化を抑制するこ
とが可能であるが、材料によっては読取用光導電層にお
ける光誘起放電効率を低下させ、読取効率を低下させて
しまうものがある。従って、本実施の形態では、このよ
うな弊害を招くことのないように抑制層５の材料として
極性基を有するものを利用する。例えば、抑制層５の材
料としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いる。ポ
リビニルアルコールはＯＨ基を有する有機ポリマーであ
り、本実施の形態においてはＯＨ基の割合が１８ｗｔ％
であるポリビニルアルコールを使用するものとする。
【００３０】また、本実施の形態では、抑制層５の材料
として、ポリビニルアルコールを使用するようにした
が、酢酸ビニル／ポリビニルアルコール共重合体、塩化
ビニル／酢酸ビニル／ポリビニルアルコール共重合体な
どを使用してもよいし、ポリビニルアルコール以外のＯ
Ｈ基を有する有機ポリマーやゼラチンなどを使用するよ
うにしてもよい。また、ＯＨ基に限らず、ＣＯＯＨ基な
どの極性基を有する有機ポリマーを使用するようにして
もよい。また、上記極性基としては、−ＣＯＯＸ（Ｘは
Ｈまたはアルカリ金属、以下同じ）、−ＯＳＯ３Ｘ、−
ＳＯ３Ｘ、−ＰＯ（ＯＸ）２、−ＣＮ、−ＳＨ、−ＣＨ
２ＯＣＨ２、−Ｃｌ、−ＣＯＮＨ、−ＮＨＣＯＯ−、−
ＮＨ２、−Ｎ＋Ｈ３、または、
として、ポリビニルアルコールを使用するようにした
が、酢酸ビニル／ポリビニルアルコール共重合体、塩化
ビニル／酢酸ビニル／ポリビニルアルコール共重合体な
どを使用してもよいし、ポリビニルアルコール以外のＯ
Ｈ基を有する有機ポリマーやゼラチンなどを使用するよ
うにしてもよい。また、ＯＨ基に限らず、ＣＯＯＨ基な
どの極性基を有する有機ポリマーを使用するようにして
もよい。また、上記極性基としては、−ＣＯＯＸ（Ｘは
Ｈまたはアルカリ金属、以下同じ）、−ＯＳＯ３Ｘ、−
ＳＯ３Ｘ、−ＰＯ（ＯＸ）２、−ＣＮ、−ＳＨ、−ＣＨ
２ＯＣＨ２、−Ｃｌ、−ＣＯＮＨ、−ＮＨＣＯＯ−、−
ＮＨ２、−Ｎ＋Ｈ３、または、
【化１】
などがある。また、上記のような極性基を有する有機ポ
リマーとしては、例えば、ポリエーテル、ポリウレタ
ン、ポリアミド、ポリエステル、セルロース、タンパク
質、デンプン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルキラール、エポキ
シ樹脂、ポリアクリロニトリルおよびシリコーン樹脂な
どがある。
リマーとしては、例えば、ポリエーテル、ポリウレタ
ン、ポリアミド、ポリエステル、セルロース、タンパク
質、デンプン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルキラール、エポキ
シ樹脂、ポリアクリロニトリルおよびシリコーン樹脂な
どがある。
【００３１】また、抑制層５の材料としては、上記の性
質の他に熱ストレスを和らげる弾力性のあるものを使用
することが望ましい。さらに、読取用光導電層４と第２
電極６とを密着強化する層としても機能させるのが好ま
しい。
質の他に熱ストレスを和らげる弾力性のあるものを使用
することが望ましい。さらに、読取用光導電層４と第２
電極６とを密着強化する層としても機能させるのが好ま
しい。
【００３２】支持体７としては、読取光に対して透明で
あることに加えて、環境の温度変化に対して変形可能で
あり、また支持体７の熱膨張率が読取用光導電層４の物
質の熱膨張率の数分の１〜数倍以内、好ましくは両者の
熱膨張率が比較的近い物質を使用する。
あることに加えて、環境の温度変化に対して変形可能で
あり、また支持体７の熱膨張率が読取用光導電層４の物
質の熱膨張率の数分の１〜数倍以内、好ましくは両者の
熱膨張率が比較的近い物質を使用する。
【００３３】上記実施の形態の静電記録体１０によれ
ば、読取用光導電層４と読取光が照射される第２電極６
との間に、極性基を有する有機ポリマーであるポリビニ
ルアルコールを材料とした抑制層を設けるようにしたの
で、読取効率を低下させることなく読取用光導電層４に
おける界面結晶化を抑制することができる。
ば、読取用光導電層４と読取光が照射される第２電極６
との間に、極性基を有する有機ポリマーであるポリビニ
ルアルコールを材料とした抑制層を設けるようにしたの
で、読取効率を低下させることなく読取用光導電層４に
おける界面結晶化を抑制することができる。
【図１】本発明の画像記録媒体を適用した静電記録体の
斜視図（Ａ）およびその一部の断面図（Ｂ）
斜視図（Ａ）およびその一部の断面図（Ｂ）
【図２】抑制層の材料としてポリビニルアルコールを使
用した場合における読取効率の実験データとポリカーボ
ネートを使用した場合における読取効率の実験データと
を示す図
用した場合における読取効率の実験データとポリカーボ
ネートを使用した場合における読取効率の実験データと
を示す図
１０ 静電記録体
１ 第１電極
２ 記録用光導電層
３ 電荷輸送層
４ 読取用光導電層
５ 抑制層
６ 第２電極
７ 支持体
８ 蓄電部
Claims (3)
- 【請求項１】 記録用の電磁波を透過する第１電極と、
前記記録用の電磁波の照射を受けることにより導電性を
呈する記録用光導電層と、該記録用光導電層で発生した
電荷を蓄積する蓄電部と、読取用の電磁波の照射を受け
ることにより導電性を呈する読取用光導電層と、前記読
取用の電磁波を透過する第２電極とがこの順に積層され
てなり、前記読取用光導電層と前記第２電極との間に前
記読取用の電磁波を透過し、前記読取用光導電層におけ
る界面結晶化を抑制する抑制層を有する画像記録媒体に
おいて、 前記抑制層が、極性基を有する有機ポリマーからなるこ
とを特徴とする画像記録媒体。 - 【請求項２】 前記極性基が、ＯＨ基またはＣＯＯＨ基
であることを特徴とする請求項１記載の画像記録媒体。 - 【請求項３】 前記有機ポリマーにおける極性基の割合
が４〜４０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１また
は２記載の画像記録媒体。
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| EP0898421A3 (en) * | 1997-08-19 | 2001-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrostatic recording member, electrostatic latent image recording apparatus, and electrostatic latent image read-out apparatus |
| JP4267136B2 (ja) | 1998-09-25 | 2009-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出読取装置 |
| JP3792433B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2006-07-05 | シャープ株式会社 | 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法 |
| JP2001245100A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蓄積性蛍光体を用いた画像情報読取方法および装置並びに固体画像検出器 |
| JP2001264442A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録媒体 |
| JP2001281345A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
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| JP2005032365A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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- 2003-05-15 DE DE60302102T patent/DE60302102T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-15 EP EP03010916A patent/EP1367448B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2007-02-26 US US11/710,421 patent/US7361923B2/en not_active Expired - Fee Related
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