JP2003347048A

JP2003347048A - Ｅｌパネルの製造方法及び成膜装置

Info

Publication number: JP2003347048A
Application number: JP2002156119A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kumagai; 稔熊谷; Satoru Shimoda; 悟下田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2002-05-29
Filing date: 2002-05-29
Publication date: 2003-12-05
Anticipated expiration: 2022-05-29
Also published as: JP4019791B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の課題は、高品質の有機ＥＬ表示パネ
ルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることである。【解決手段】ＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極
１５をパターニングし、全てのアノード電極１５を被覆
するように酸化シリコン下地膜９’を形成し、酸化シリ
コン下地膜９’一面にレジスト膜８’を形成する。次
に、レジスト膜８’を露光した後に現像液で除去するこ
とで、レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８となる。
次に、隔壁８をマスクとして、Ｃ₄Ｆ₈ガスで酸化シリコ
ン下地膜９’をドライエッチングすると、酸化シリコン
下地膜９’の残った部分が下地層９となる。ここで、ド
ライエッチングによって、隔壁８の表層に撥液層１０が
成膜される。次に、隔壁８に囲繞された囲繞領域に成膜
装置５０で有機ＥＬ層１６を成膜して、有機ＥＬ層１６
上にカソード電極１７を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板とこの基板に
設けられたＥＬ素子とを備えるＥＬパネルの製造方法、
及びＥＬ素子のＥＬ層を成膜する成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子はアノード電極、有機材料
からなる有機ＥＬ層、カソード電極の順に積層された積
層構造を為しており、アノード電極とカソード電極の間
に順バイアス電圧が印加されると有機ＥＬ層において発
光する。このような有機ＥＬ素子を画素として基板上に
マトリクス状に配列して、各有機ＥＬ素子を所定の階調
輝度で発光することによって画像表示を行う有機ＥＬ表
示パネルが実現化されている。

【０００３】アクティブマトリクス構造の有機ＥＬ表示
パネルでは、アノード電極又はカソード電極のうちの一
方の電極を全ての画素に共通する共通電極とすることが
できるが、少なくとも他方の電極及び有機ＥＬ層を画素
ごとにパターニングする必要がある。アノード電極やカ
ソード電極を画素ごとにパターニングする手法は従来の
半導体素子製造技術を適用できる。つまり、真空蒸着
法、スパッタ法のようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による
成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工
程、エッチング法等による薄膜の形状加工工程を適宜行
うことで、アノード電極やカソード電極を画素ごとにパ
ターニングすることができる。

【０００４】有機ＥＬ層の成膜方法については、材料等
の条件に応じてドライ蒸着法と湿式コーティング法に大
別できる。ドライ蒸着法を用いる場合には、ドライ蒸着
法により有機ＥＬ層を一面に成膜した後にシャドウマス
クを行い、その後マスクの無い部分をエッチングで除去
すると、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすること
ができる。一方、湿式コーティング法を用いる場合に
は、インクジェット技術を応用することで画素ごとに有
機ＥＬ層をパターニングすることができる。つまり、有
機ＥＬ層になる材料を溶媒で溶解してなるＥＬ溶液の液
滴を画素ごとに噴出することで、画素ごとに有機ＥＬ層
をパターニングすることができる。インクジェット技術
を応用した湿式コーティング法では成膜工程と、画素ご
とのパターニング工程をほぼ同時に行えることから、イ
ンクジェット方式は主流の技術となりつつある。

【０００５】ところで、高解像度の画像表示を行う有機
ＥＬ表示パネルを提供するためには、有機ＥＬ層を微細
パターンで形成しなければならない。インクジェット方
式では、ＥＬ溶液の液滴の粒径が非常に小さいため有機
ＥＬ層を微細パターンで形成することは可能であるが、
液滴が着弾した形状で固化してしまうため、所望の形状
に成膜しにくく、また固化するまでの間に滲んで拡散し
てしまうため、わずかなインクジェットヘッドの位置ズ
レや着弾位置ずれにより隣りの画素の有機ＥＬ層のＥＬ
溶液と混じってしまう恐れがあった。そこで、基板上に
予め網目状の隔壁を微細パターニングしてから、隔壁に
よって囲繞された領域に液滴を噴出することで、隣り合
う画素同士のＥＬ溶液が混ざることを防止する技術が提
案されている。

【０００６】図１１には、隔壁３０８を具備する従来の
有機ＥＬ表示パネル３０１が示されている。この有機Ｅ
Ｌ表示パネル３０１では、平面視して網目状の隔壁３０
８が基板３１２に形成されており、隔壁３０８に囲繞さ
れた一つの領域に一つの有機ＥＬ素子３０２が設けら
れ、このような有機ＥＬ素子３０２が複数マトリクス状
に配列されている。また、隔壁３０８の密着性を向上さ
せるため、酸化シリコンからなる網目状の下地層３０９
が隔壁３０８と基板３１２との間に形成されている。

【０００７】この有機ＥＬ表示パネル３０１の製造方法
としては、まず、基板３１２上に複数のアノード電極３
１５をマトリクス状にパターニングした後、各アノード
電極３１５の間において基板３１２上に下地層３０９を
網目状にパターニングする。次に、下地層３０９上に隔
壁３０８をパターニングする。

【０００８】次に、酸素プラズマクリーニング装置にこ
の基板３１２をセットして、酸素プラズマクリーニング
装置でアノード電極３１５上に付着した有機汚物をアッ
シングすることでアノード電極３１５をクリーニングす
る。アノード電極３１５をクリーニングするのは、有機
ＥＬ層３１６をインクジェット方式で成膜するに際して
ＥＬ溶液の液滴がアノード電極３１５上で濡れやすくす
るためである。

【０００９】次に、フッ化物プラズマ照射装置にこの基
板３１２をセットして、フッ化物プラズマ照射装置で隔
壁３０８にフッ化物プラズマ照射することで隔壁３０８
の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成する。隔壁３０
８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成するのは、隔
壁３０８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が
噴出された場合でも隔壁３０８上にＥＬ溶液が滲むこと
を防止してアノード電極３１５上のみにＥＬ溶液が定着
させるとともに、隔壁３０８上で隣り合う画素のＥＬ溶
液が混じることを防止するためである。

【００１０】次に、インクジェット式成膜装置にこの基
板３１２をセットして、インクジェット式成膜装置で各
アノード電極３１５上にＥＬ溶液を噴出後に乾燥させ
て、各アノード電極３１５上に有機ＥＬ層３１６をパタ
ーニングする。次に、有機ＥＬ層３１２上にカソード電
極３１７を成膜する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記製造方
法では、下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０
８をパターニングしているため、下地層３０９上に隔壁
３０８が確実に成膜されるように、平面視して下地層３
０９の幅を隔壁３０８の幅より広くする必要がある。こ
のように下地層３０９の幅が隔壁３０８の幅より広く、
下地層３０９がアノード電極３１５の周縁部上に形成さ
れるため、発光部分が狭く、所謂開口率が低い。一方、
下地層３０９の幅を狭くすることで開口率を高めたもの
としても、隔壁３０８の形成において隔壁３０８がアノ
ード電極３１５上にはみ出てしまうため隔壁３０８の密
着性が低下する。従って、隔壁３０８はアノード電極３
１５に重なった部分から剥がれてしまう恐れがある。

【００１２】一方、酸素プラズマクリーニングを行わな
ければ、ＥＬ溶液がアノード電極３１５上で広がらず、
アノード電極３１５上において有機ＥＬ層３１６の成膜
されていない部分が生じてしまう恐れがある。また、フ
ッ化物プラズマ照射を行わなければ、ＥＬ溶液が隔壁３
０８上に滲んでしまい、隣り同士の画素同士のＥＬ溶液
が隔壁３０８上で混じってしまう可能性がある。しかし
ながら、酸素プラズマクリーニングやフッ化物プラズマ
照射を行うため、製造工程が煩雑になる。

【００１３】以上のように従来の製造方法では、高品質
の有機ＥＬ表示パネルの提供と、製造工程の簡便さとを
両立するにも限度がある。そこで、本発明の課題は、高
品質のＥＬ表示パネルの提供と製造工程の簡便さの両立
を図ることである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明に係る製造方法は、例えば図
１〜８に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板
６）の一方の面（例えば、表面６ａ）に形成された第一
電極（例えば、アノード電極１５）ごと被覆するように
前記基板の一方の面上に下地膜（例えば、酸化シリコン
下地膜９’）を成膜する下地膜形成工程（例えば図４に
図示）と、前記下地膜上の一面にレジスト膜（例えば、
レジスト膜８’）を形成するレジスト膜形成工程（例え
ば図５に図示）と、前記レジスト膜を部分的に除去する
ことによって残留したレジスト膜（例えば、隔壁８）で
囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を配するように、
前記レジスト膜を形状加工する形状加工工程（例えば図
６に図示）と、前記残留したレジスト膜をマスクとして
前記下地膜をエッチングするエッチング工程（例えば図
７に図示）と、を含むことを特徴とする。

【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の製
造方法において、前記形状加工工程において、前記第一
電極の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるよう
に前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする。

【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の製造方法において、前記基板の一方の面に形成され
た前記第一電極は複数であり、前記下地膜形成工程にお
いて複数の前記第一電極ごと前記下地膜で被覆し、前記
形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成するよう
に、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第一電
極が配されるように前記レジスト膜を形状加工すること
を特徴とする。

【００１７】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
何れかに記載の製造方法において、前記エッチング工程
において、Ｃ₄Ｆ₈又はＣＦ₄を含むガスで前記下地膜を
エッチングすることを特徴とする。

【００１８】請求項５記載の発明は、請求項１から４の
何れかに記載の製造方法において、ＥＬ材料を溶解した
ＥＬ溶液を液滴（例えば、液滴１１６）として前記囲繞
領域に向けて噴出することによって、前記囲繞領域にＥ
Ｌ層（例えば、有機ＥＬ層１６）を形成するＥＬ層形成
工程を更に含むことを特徴とする。

【００１９】請求項１から５の何れかに記載の発明で
は、レジスト膜を形状加工して残留したレジスト膜が従
来の隔壁３０８に相当するものとなる。ここで、残留し
たレジスト膜をマスクとして、下地膜をエッチングして
いるため、残留した下地膜の形状は残留したレジスト膜
の形状に合致する。残留した下地膜は従来の下地層３０
９に相当するものであり、残留した下地膜が残留したレ
ジスト膜（つまり、隔壁）に合致するため、ＥＬ素子の
発光範囲を最大限に広げることができる。また、残留し
たレジスト膜が残留した下地膜に合致しているから、残
留したレジスト膜が下地膜から第一電極や基板にはみ出
てないから、残留したレジスト膜が剥がれにくい。故
に、高品質のＥＬパネルを提供することができる。

【００２０】また、残留したレジスト膜をマスクとして
下地膜を形状加工しているため、従来のように下地層３
０９をパターニングした後に隔壁３０８を下地層３０９
上に成膜する場合と比較しても、工程が省略されて、Ｅ
Ｌパネルの製造方法が簡便化される。以上のように請求
項１から５の何れかに記載の発明では、高品質のＥＬパ
ネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることができ
る。

【００２１】また、請求項４記載の発明では、残留した
レジスト膜をマスクとしてＣ₄Ｆ₈又はＣＦ₄をを含むガ
スで下地膜をエッチングしているため、残留したレジス
ト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成される。フ
ッ素を含む化合物の層は一般的に撥液性が高いため、残
留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照射をしなくて
も、ＥＬ溶液が残留したレジスト膜上に広がらない。従
って、請求項５記載の発明のようにＥＬ溶液でＥＬ層を
成膜しようとした場合、残留したレジスト膜上において
隣り同士の画素のＥＬ溶液が混じることもない。また、
フッ化物プラズマ照射を省略しても残留したレジスト膜
上にＥＬ溶液が広がらないから、従来の製造方法に比較
してもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。

【００２２】請求項６記載の発明は、例えば図１、図２
に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一
方の面（例えば、表面６ａ）に形成された隔壁（例え
ば、隔壁８）によって囲繞され且つ前記基板の一方の面
に形成された電極（例えば、アノード電極１５）にＥＬ
層（例えば、有機ＥＬ層１６）を成膜する成膜装置（例
えば、成膜装置５０）において、前記基板の一方の面の
上方において前記基板に対して相対的に移動する移動体
（例えば、ヘッド部５４）と、前記移動体に設けられ、
前記電極に向けて酸素プラズマを照射する酸素プラズマ
照射部（例えば、酸素プラズマ照射ヘッド５６）と、前
記移動体に設けられ、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液
滴として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部（例え
ば、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）と、を備えること
を特徴とする。

【００２３】請求項６記載の発明では、酸素プラズマ照
射部で電極に酸素プラズマ照射することで電極がクリー
ニングされるが、酸素プラズマ照射部と液滴噴出部が移
動体に設けられているため、電極がクリーニングされて
からすぐに電極に液滴を噴出することができる。そのた
め、電極の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で
液滴が電極に着弾するから、液滴が電極上で広がりやす
く、液滴が固化してなるＥＬ層の膜厚が均等になる上、
電極上においてＥＬ層の成膜されていない部分が無い。
従って、ＥＬ層において全体的に均等な明るさで発光
し、高品質なＥＬパネルを提供することができる。

【００２４】また、基板の上方において基板に対して相
対的に移動する移動体に酸素プラズマ照射部が設けられ
ているから、部分的に酸素プラズマを電極に照射するこ
とができ、酸素プラズマを隔壁に噴射しなくても済む。
従って、酸素プラズマによって隔壁がアッシングされる
ことがない。

【００２５】また、移動体に酸素プラズマ照射部及び液
滴噴出部が設けられているから、基板を酸素プラズマク
リーニング用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替え
ることなく、電極のクリーニングとＥＬ層の成膜を同じ
装置で行える。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化さ
れる。

【００２６】請求項７記載の発明は、例えば図１、図２
に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一
方の面（例えば、表面６ａ）に形成された隔壁（例え
ば、隔壁８）によって囲繞され且つ前記基板の一方の面
に形成された電極（例えば、アノード電極１５）にＥＬ
層（例えば、有機ＥＬ層１６）を成膜する成膜装置（例
えば、成膜装置５０）において、前記基板の一方の面の
上方において前記基板に対して相対的に移動する移動体
（例えば、ヘッド部５４）と、前記移動体に設けられ、
フッ素を含む化合物ガスのプラズマを前記隔壁に向けて
照射するフッ化物プラズマ照射部（例えば、フッ化物プ
ラズマ照射ヘッド５７）と、前記移動体に設けられ、Ｅ
Ｌ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴（例えば、液滴１１
６）として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部（例え
ば、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）と、を備えること
を特徴とする。

【００２７】請求項７記載の発明では、フッ化物プラズ
マ照射部で隔壁にフッ化物プラズマ照射することで隔壁
の表層に撥液性のフッ化物層が形成されるが、フッ化物
プラズマ照射部と液滴噴出部が移動体に設けられている
ため、フッ化物層が形成されてからすぐに電極に液滴を
噴出することができる。そのため、隔壁の表層の撥液性
を安定して高い状態に維持した状態で液滴が電極に着弾
するから、ＥＬ溶液が隔壁上に広がることもなく、隣り
同士の画素のＥＬ溶液が混じることもない。よって、Ｅ
Ｌパネルは高コントラストであり、高品質のＥＬパネル
を提供することができる。

【００２８】また、基板の上方において基板に対して相
対的に移動する移動体にフッ化物プラズマ照射部が設け
られているから、部分的にフッ化物プラズマを隔壁に照
射することができ、フッ化物プラズマを電極に噴射しな
くても済む。従って、電極に撥液性のフッ化物層が形成
されない。

【００２９】また、移動体にフッ化物プラズマ照射部及
び液滴噴出部が設けられているから、基板をフッ化物プ
ラズマ照射用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替え
ることなく、フッ化物プラズマ照射とＥＬ層の成膜を同
じ装置で行える。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化
される。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に、図面を用いて本発明の具
体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図
示例に限定するものではない。なお、以下の説明におい
て、『平面視して』とは、『発光面に対して垂直な方向
に見て』という意味である。

【００３１】図１には、有機ＥＬ表示パネル１の断面図
が示されている。平面視して、有機ＥＬ表示パネル１で
は赤色、緑色及び青色の複数の画素がマトリクス状に配
列されており、一つの画素は、一つの有機ＥＬ素子２
（詳細については後述する。）によって発光する発光部
３と、その発光部３の周囲において発光しない非発光部
４とからなる。

【００３２】有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマト
リクス駆動方式によりカラー表示を行うものである。即
ち、有機ＥＬ表示パネル１は、一つの画素につき、一つ
の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２を駆動するための
一つの画素スイッチング回路（薄膜トランジスタ５を含
む）と、から構成されており、周辺ドライバ回路から出
力された信号に従って画素スイッチング回路が有機ＥＬ
素子２に流れる電流をオン・オフしたり、有機ＥＬ素子
２の発光期間中に電流値を保持することで有機ＥＬ素子
２の発光輝度を一定に制御したりする。なお、画素スイ
ッチング回路は、一つにつき、少なくとも一つ以上の薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと述べる。）から構成さ
れ、適宜コンデンサ等も付加されることもあるが、以下
では画素スイッチング回路のＴＦＴのうち、他の電気素
子を介しないで有機ＥＬ素子２に直接接続されるＴＦＴ
５を例にして説明する。

【００３３】有機ＥＬ表示パネル１は、画素スイッチン
グ回路（ＴＦＴ５を含む）を有するＴＦＴ駆動基板６
と、ＴＦＴ駆動基板６に対向した平板状の対向基板７
と、ＴＦＴ駆動基板６と対向基板７との間においてマト
リクス状にパターニング形成された複数の有機ＥＬ素子
２と、有機ＥＬ素子２の周囲に設けられた平面視網目状
の隔壁８と、隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に形成さ
れた平面視網目状の下地層９と、隔壁８及び下地層９の
表層の撥液層１０と、有機ＥＬ素子２を封止する封止樹
脂層１１等とを具備する。

【００３４】ＴＦＴ駆動基板６は、光に対して透過性を
有する絶縁性の透明基板１２を基本構成としている。透
明基板１２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他
のガラスといった材料で平板状に形成されている。この
透明基板１２の一方の面１２ａにＴＦＴ５、配線１９
（例えば、走査線、信号線等）、その他の電気素子等が
形成され、透明基板１２の全面にゲート絶縁膜１３及び
層間絶縁膜１４が成膜されて、ＴＦＴ駆動基板６が構成
される。

【００３５】ＴＦＴ５は、ゲート電極、ドレイン電極、
ソース電極、半導体層、不純物半導体層等から構成され
たＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、半導体層は
アモルファスシリコンであっても、ポリシリコンであっ
てもよく、逆スタガ構造であってもコプラナ構造であっ
てもよい。更に、ＴＦＴ５は配線１９に接続されてお
り、周辺ドライバ回路から各ＴＦＴ５に電流が流れた
り、電圧が印加されたりする。ゲート絶縁膜１３は、Ｔ
ＦＴ５の半導体層、不純物半導体層、ソース電極並びに
ドレイン電極とゲート電極との間に介在するとともに、
走査線等の配線１９を被覆する。ゲート絶縁膜１３は、
可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有す
る。層間絶縁膜１４は、全てのＴＦＴ５を被覆して、Ｔ
ＦＴ駆動基板６の表面６ａを構成する。また、層間絶縁
膜１４は信号線等の配線も被覆する。層間絶縁膜１４
は、可視光に対して透光性を有するとともに絶縁性を有
する。

【００３６】層間絶縁膜１４上に複数の有機ＥＬ素子２
がマトリクス状に配列されている。各有機ＥＬ素子２
は、アノード電極（第一電極）１５と、有機ＥＬ層１６
と、カソード電極（第二電極）１７とを具備しており、
層間絶縁膜１４側から順にアノード電極１５、有機ＥＬ
層１６、カソード電極１７が積層した積層構造となって
いる。ここでは、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ
素子２に共通した電極となっており、一面に形成されて
いる。一方、アノード電極１５及び有機ＥＬ層１６は、
画素ごとに設けられており、平面視して複数マトリクス
状に配列されている。

【００３７】アノード電極１５は、導電性を有するとと
もに可視光に対して透光性を有している。更に、アノー
ド電極１５は、比較的仕事関数が高く、有機ＥＬ層１２
へ正孔を効率よく注入するものが好ましい。アノード電
極１５としては、インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ:I
ndium-Tin-Oxide）が望ましいが、例えば、亜鉛ドープ
酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ
₂Ｏ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ ₂）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）
を主成分としたものでも良い。なお、画素ごとに層間絶
縁膜１４にコンタクトホール１８が設けられており、コ
ンタクトホール１８を介してＴＦＴ５のドレイン電極又
はカソード電極がアノード電極１５に電気的に接続され
ている。

【００３８】有機ＥＬ層１６は、アノード電極１５上に
形成されている。有機ＥＬ層１６は、例えば、アノード
電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送
層となる三層構造であっても良いし、アノード電極１５
から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造であ
っても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であって
も良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或
いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良い
し、その他の層構造であっても良い。

【００３９】有機ＥＬ層１６は、正孔及び電子を注入す
る機能、正孔及び電子を輸送する機能、正孔と電子の再
結合により励起子を生成して赤色、緑色又は青色の何れ
かに発光する機能を有する広義の発光層である。つま
り、画素が赤である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６
は赤色に発光し、画素が緑である場合にはその画素の有
機ＥＬ層１６は緑色に発光し、画素が青である場合には
その画素の有機ＥＬ層１６は青色に発光する。

【００４０】また、有機ＥＬ層１６は、電子的に中立な
有機化合物であることが望ましく、これにより正孔と電
子が有機ＥＬ層１６でバランス良く注入及び輸送され
る。また、電子輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合
されていても良いし、正孔輸送性の物質が狭義の発光層
に適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔
輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良
い。なお、有機ＥＬ層１６に発光材料（蛍光材料）が含
有されているが、発光材料は高分子系材料である。この
有機ＥＬ層１６は、後述する成膜装置５０によって液滴
噴出方式（所謂インクジェット方式）で形成されたもの
である。

【００４１】カソード電極１７は、仕事関数の低い材料
で形成されており、具体的なものとして、マグネシウ
ム、カルシウム、リチウム若しくはバリウム又はこれら
の少なくとも一種を含む合金若しくは混合物等で形成さ
れ、その上を例えばアルミニウム、クロム等高仕事関数
で且つ低抵抗の材料で覆った積層構造になっている。ま
た、カソード電極１７は可視光に対して遮光性を有する
のが望ましく、かつ、有機ＥＬ層１６から発する可視光
に対して高い反射性を有するのが望ましい。つまり、カ
ソード電極１７は可視光を反射する鏡面として作用す
る。

【００４２】マトリクス状に配列された複数のアノード
電極１５及び有機ＥＬ層１６をそれぞれ仕切るように、
下地層９及び隔壁８が平面視して網目状に設けられてい
る。下地層９は、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）により形成
されており、可視光に対して透過性を有するとともに絶
縁性を有する。

【００４３】隔壁８は、下地層９上に形成されており、
平面視して下地層９の形状に合致している。従って、平
面視して、隔壁８が下地層９からはみ出ておらず、下地
層９が隔壁８からはみ出ていない。また、隔壁８は、ポ
リイミド樹脂等の感光性樹脂で形成されている。隔壁８
とＴＦＴ駆動基板６との間に下地層９が介在すること
で、ＴＦＴ駆動基板６に対して隔壁８の密着性が高くな
っている。隔壁８及び下地層９の表層に撥液層１０が形
成されているが、撥液層１０はフッ素と炭素の化合物で
あり、有機ＥＬ層１６の材料（有機ＥＬ材料）を数％の
濃度で溶媒に溶解したＥＬ溶液をはじく性質を有する。
なお、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共
通の電極であるため、隔壁８の上面や隔壁８の側面上に
も形成されている。

【００４４】封止樹脂層１１は、以上のように構成され
た複数の有機ＥＬ素子２全体を被覆するように成膜され
ている。この封止樹脂層１１は、例えば、エポキシ樹脂
等により形成されている。対向基板７は、この封止樹脂
層１１によって有機ＥＬ素子２上に接着されており、ホ
ウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった
材料で形成されている。

【００４５】次に、液滴噴出方式で有機ＥＬ層１６を成
膜する成膜装置５０について説明する。図２には、成膜
装置５０が示された概略側面図である。成膜装置５０
は、有機溶媒（例えば、トルエン又はキシレン等）また
は水溶性の溶媒に有機ＥＬ層１６の材料（発光性物質、
正孔輸送性物質、電子輸送性物質等の有機ＥＬ材料）が
溶解してなるＥＬ溶液を液滴としてＴＦＴ駆動基板６に
噴出することで有機ＥＬ層１６を成膜するものである。
ここで、有機ＥＬ層１６を成膜する際には、下地層９、
隔壁８及びアノード電極１５が表面６ａ上に形成されて
いるＴＦＴ駆動基板６を用いる。

【００４６】成膜装置５０は、平坦で且つ水平な上面を
有するワークテーブル５１と、ワークテーブル５１を副
走査方向Ｙ（ワークテーブル５１に平行である。）の順
方向及び逆方向の両方に移動する移動装置５２と、副走
査方向Ｙに対して略直角な主走査方向Ｘ（ワークテーブ
ル５１に平行である。）に延在するガイド部５３と、ガ
イド部５３に案内されてガイド部５３に沿って主走査方
向Ｘの順方向及び逆方向に移動するヘッド部５４と、Ｅ
Ｌ溶液を液滴として噴出する複数のノズル５５Ｒ，５５
Ｇ，５５Ｂと、プラズマ照射を行う酸素プラズマ照射ヘ
ッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７と、内部
空間６６ａを形成した箱体６６等とを具備する。

【００４７】ワークテーブル５１にはＴＦＴ駆動基板６
が載置される。移動装置５２は、ヘッド部５４の動作に
合わせてワークテーブル５１とともにＴＦＴ駆動基板６
を副走査方向Ｙに搬送するものであり、具体的には、間
欠的にＴＦＴ駆動基板６を搬送するものである。

【００４８】ヘッド部５４は、間欠的なＴＦＴ駆動基板
６の搬送に合わせて、ワークテーブル５１上においてガ
イド部５３に沿って主走査方向Ｘに往復移動するもので
あり、具体的にはＴＦＴ駆動基板６が停止している際に
主走査方向Ｘに少なくとも一往復の移動をするものであ
る。

【００４９】ヘッド部５４に複数のノズル５５Ｒ，５５
Ｇ，５５Ｂが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，
５５Ｂは、主走査方向Ｘに一列となって等間隔に並んで
いる。

【００５０】各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの内部に
はそれぞれ互いに発光色の異なる有機ＥＬ材料を含むＥ
Ｌ溶液が充填されており、各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５
５Ｂには噴出手段が設けられているとともに、ノズル５
５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの下端部にはそれぞれ噴出口５５
Ｒａ，５５Ｇａ，５５Ｂａが設けられている。ノズル５
５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれの噴出手段の作動によ
りそれぞれの噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５Ｂａから
ＥＬ溶液をＴＦＴ駆動基板６に向けて噴出する。噴出手
段は、サーマルジェット式、ピエゾ式又は静電式等が挙
げられる。

【００５１】サーマルジェット式の噴出手段は、発熱体
でノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内のＥＬ溶液に気泡を
発生することでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力
を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出する
ものである。

【００５２】ピエゾ式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５
５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したピエゾ素子の体積を変化
させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を
変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するも
のである。

【００５３】静電式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５
Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したコンデンサに電圧を印加し
てコンデンサの電極の引力又は斥力を変化させることで
ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液の圧力を変化さ
せることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものであ
る。

【００５４】なお、噴出口５５Ｒａからは、赤色に発光
する有機ＥＬ層１６のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５
Ｇａからは緑発光のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｂ
ａからは青発光のＥＬ溶液が噴出される。

【００５５】更に、ヘッド部５４には、酸素プラズマ照
射ヘッド５６と、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７とが
設けられている。酸素プラズマ照射ヘッド５６は、ＴＦ
Ｔ駆動基板６に向けて酸素のプラズマ照射を行うもので
ある。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ＴＦＴ駆動
基板６に向けてフッ化物のプラズマ照射を行うものであ
る。

【００５６】酸素プラズマ照射においては、酸素ガス供
給源５８からガス混合器６０へ酸素ガスが供給され、不
活性ガス供給源５９からガス混合器６０へアルゴンガス
又はヘリウムガスが供給され、酸素ガスとアルゴンガス
の混合ガス、又は酸素ガスとヘリウムガスの混合ガスが
ガス混合器６０から酸素プラズマ照射ヘッド５６へ供給
されるようになっている。ここで、高周波電源６１で酸
素プラズマ照射ヘッド５６の電極に高周波電圧が印加さ
れると、酸素プラズマ照射ヘッド５６からＴＦＴ駆動基
板６に向けて酸素プラズマ（電離した酸素ガス（例え
ば、酸素ラジカル、酸素イオン等））が照射されるよう
になっている。酸素プラズマ照射ヘッド５６から照射さ
れたプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧よ
り気圧の低い減圧プラズマであっても良い。

【００５７】フッ化物プラズマ照射においては、フッ化
物ガス供給源６２からガス混合器６４へＦ₂ガス又はＣ
Ｆ₄ガス（以下、Ｆ₂ガス、ＣＦ₄ガスをまとめてフッ化
物ガスと称する。）が供給され、不活性ガス供給源６３
からガス混合器６４へアルゴンガス又はヘリウムガスが
供給され、フッ化物ガスとアルゴンガスの混合ガス、又
はフッ化物ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器
６４からフッ化物プラズマ照射ヘッド５７へ供給される
ようになっている。ここで、高周波電源６５でフッ化物
プラズマ照射ヘッド５７の電極に高周波電圧が印加され
ると、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からＴＦＴ駆動
基板６に向けてフッ化物プラズマ（電離したフッ化物ガ
ス（例えば、フッ化物ラジカル、フッ化物イオン等））
が照射されるようになっている。フッ化物プラズマ照射
ヘッド５７から照射されるプラズマは、大気圧のプラズ
マであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっ
ても良い。なお、ガス混合器６４へＯ₂ガスが供給され
ても良い。

【００５８】酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物
プラズマ照射ヘッド５７は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５
５Ｂとともに主走査方向Ｘに一列となって並んでいる。
つまり、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズ
マ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは
一直線状に配列されており、酸素プラズマ照射ヘッド５
６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５
Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂを結ぶ直線は主走査方向Ｘに平行と
なっている。

【００５９】また、酸素プラズマ照射ヘッド５６は、主
走査方向Ｘの順方向の最前に配置されており、酸素プラ
ズマ照射ヘッド５６の逆方向側にフッ化物プラズマ照射
ヘッド５７が配置されており、フッ化物プラズマ照射ヘ
ッド５７の逆方向側にノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが
配置されている。従って、ヘッド部５４が主走査方向Ｘ
の順方向に移動している場合、ＴＦＴ駆動基板６上のあ
る点の直上を、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物
プラズマ照射ヘッド５７、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５
Ｂの順に通過する。なお、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５
Ｂの並び順は、どのような並び順であっても良い。

【００６０】ワークテーブル５１、ノズル５５Ｒ，５５
Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物
プラズマ照射ヘッド５７は、箱体６６内に配設されてい
る。従って、ＴＦＴ駆動基板６が副走査方向Ｙに移動さ
れること、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５ＢからＥＬ溶液
の液滴が噴出されること、ＥＬ溶液の液滴がＴＦＴ駆動
基板６に着弾すること、ＴＦＴ駆動基板６に酸素プラズ
マ照射すること、及びＴＦＴ駆動基板にフッ化物プラズ
マ照射することが、箱体６６の内部空間６６ａにおいて
行われる。

【００６１】なお、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズ
ル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５
６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、高周波電源６１
及び高周波電源６５は制御装置（図示略）によって制御
されて所定タイミングで動作したり、停止したりする。

【００６２】有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について
説明する。まず、ＴＦＴ駆動基板６を製造する。つま
り、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォト
リソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等
による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、画素
ごとに画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を透明
基板１２の面１２ａにパターニング形成するとともに、
面１２ａに配線１９をパターニング形成し、更に一面に
層間絶縁膜１４を成膜する。

【００６３】次に、層間絶縁膜１４にコンタクトホール
を形成後、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、
フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチン
グ法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによっ
て、層間絶縁膜１４上に複数のアノード電極１５をマト
リクス状にパターニング形成し、コンタクトホール１８
を介してアノード電極１５をＴＦＴ５に接続する（図
３）。なお、図３（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ
駆動基板６の平面図を示し、図３（ａ）は図３（ｂ）の
破断線Ａ−Ａにおける断面図を示す。

【００６４】次に、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成
膜工程を行うことで、複数のアノード電極１５の形成さ
れた層間絶縁膜１４上の一面に酸化シリコン下地膜９’
を成膜する（図４）。ここで、酸化シリコン下地膜９’
で全てのアノード電極１５を被覆するように、酸化シリ
コン下地膜９’を成膜する。なお、図４（ｂ）はこの工
程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図４
（ａ）は図４（ｂ）の破断線Ｂ−Ｂにおける断面図を示
す。

【００６５】次に、スピンコート法又はディップ法等に
よって、酸化シリコン下地膜９’上の一面に感光性樹脂
のレジスト膜８’を成膜する（図５）。酸化シリコン下
地膜９’はレジスト膜８’に対して密着性が高いから、
酸化シリコン下地膜９’を成膜せずにＴＦＴ駆動基板６
の透明基板１２のガラス表面やアノード電極１５の表面
に直接レジスト膜８’を成膜した場合よりもレジスト膜
８’が剥がれにくい。なお、図５（ｂ）はこの工程直後
におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図５（ａ）
は図５（ｂ）の破断線Ｃ−Ｃにおける断面図を示す。

【００６６】次に、レジスト膜８’を形状加工するため
に、レジスト膜８’を選択的に露光する。ここで、レジ
スト膜８’がネガ型である場合には隔壁８となる部分を
露光し、レジスト膜８’がポジ型である場合には隔壁８
となる部分以外を露光する。次に、レジスト膜８’に現
像液を散布して、隔壁８となる部分以外のレジスト膜
８’を現像液で除去することで、レジスト膜８’を形状
加工する。レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８とな
る（図６）。ここで、図６（ｂ）に示すように、平面視
して、各アノード電極１５の外縁部に隔壁８の一部が重
なるようにレジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜
８’を形状加工することで隔壁８が形成されるが、隔壁
８で囲繞される囲繞領域は複数形成され、この時点では
平面視してそれぞれの囲繞領域に一つのアノード電極１
５が配される。なお、図６（ｂ）はこの工程直後におけ
るＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図６（ａ）は図６
（ｂ）の破断線Ｄ−Ｄにおける断面図を示す。

【００６７】次に、隔壁８をマスクとして酸化シリコン
下地膜９’をＣ₄Ｆ₈ガスによるドライエッチング（プラ
ズマエッチング）を行う。これにより、酸化シリコン下
地膜９’のうち隔壁８に平面視して重なっていない部分
が除去され、隔壁８に重なった部分が残留して下地層９
となる（図７）。隔壁８をマスクとしているため、図７
（ｂ）に示すように、酸化シリコン下地膜９’の残留し
た部分（つまり、下地層９）の形状は平面視して隔壁８
に合致しており、下地層９が隔壁８からはみ出ているこ
ともなく、隔壁８が下地層９からはみ出ていることもな
い。隔壁８によって囲繞された囲繞領域で酸化シリコン
下地膜９’が除去されることで、囲繞領域にアノード電
極１５が露出する。

【００６８】また、ドライエッチングにおいてＣ₄Ｆ₈が
プラズマ化すると、ＣＦやＣＦ₂のラジカル種が発生す
るが、ラジカル種が酸化シリコンと反応するから酸化シ
リコン下地膜９’が除去される。一方、ラジカル種は感
光性樹脂（ポリイミド樹脂）と反応しないため、隔壁８
の表層ではラジカル種が重合することで、フッ素と炭素
の化合物が形成されて、隔壁８の表層に撥液層１０が形
成される。従って、隔壁８をマスクとしたＣ₄Ｆ₈ガスの
ドライエッチングによって、酸化シリコン下地膜９’を
形状加工することと、隔壁８の表層に撥液層１０を成膜
することを同時行うことができる上、更に、下地層９の
形状を隔壁８と合致することができる。なお、エッチン
グガスとしてＣ₄Ｆ₈の代わりに、ＣＦ₄やこれらの少な
くともいずれかを含む混合ガスを用いても良く、酸化シ
リコン下地膜９’をエッチングできるとともに隔壁８の
表層にフッ素化合物の撥液層１０を成膜できるフッ素化
合物ガスであれば何でも良い。なお、図７（ｂ）はこの
工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図
７（ａ）は図７（ｂ）の破断線Ｅ−Ｅにおける断面図を
示す。

【００６９】次に、アノード電極１５、隔壁８、下地層
９及び撥液層１０の形成されたＴＦＴ駆動基板６を成膜
装置５０にセッティングする。つまり、箱体６６内のワ
ークテーブル５１上にＴＦＴ駆動基板６を載置する。次
に、成膜装置５０を用いて、アノード電極１５を酸素プ
ラズマ照射することでアノード電極１５をクリーニング
しつつ、且つ、隔壁８をフッ化物プラズマ照射すること
で隔壁８の表層に撥液層１０を成膜しつつ、隔壁８に囲
繞された囲繞領域に有機溶媒の液滴を噴出することで隔
壁８に囲繞された囲繞領域に有機ＥＬ層１６を成膜す
る。

【００７０】詳細には成膜装置５０は、制御装置に制御
されて以下のように動作する。つまり、成膜装置５０
が、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに
間欠的に搬送する。ここで、ＴＦＴ駆動基板６が停止し
ている際に、ヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくとも
一往復する。

【００７１】図８に示すように、ヘッド部５４が主走査
方向Ｘの順方向に移動している最中では、まず、酸素プ
ラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過
するとともに、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁
８の直上を通過する。酸素プラズマ照射ヘッド５６がア
ノード電極１５の直上を通過している最中には、酸素プ
ラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５に向けて酸素
プラズマを噴出し、これによりアノード電極１５の表面
に付着した有機不要物が灰化（アッシング）されて、ア
ノード電極１５がクリーニングされる。

【００７２】一方、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が
隔壁８の直上を通過している最中には、フッ化物プラズ
マ照射ヘッド５７が隔壁８に向けてフッ化物プラズマを
噴出し、これにより隔壁８の表層でフッ化物プラズマの
ラジカル種が重合して、隔壁８の表層に撥液層１０が成
膜される。先程のドライエッチングによって撥液層１０
が十分に成膜されていない場合でも、フッ化物プラズマ
照射によって隔壁８の表層に撥液層１０が確実に成膜さ
れる。

【００７３】酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電
極１５上の通過後、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがア
ノード電極１５の直上を通過する。ノズル５５Ｒ，５５
Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５上を通過している最中に
は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂのうちの色に応じた
一つのノズルがアノード電極１５に向けてＥＬ溶液を液
滴１１６として一回又は複数回噴出する。

【００７４】アノード電極１５に着弾した液滴１１６が
アノード電極１５上で広がって膜になり、そして固化す
ることによって、有機ＥＬ層１６が形成される。アノー
ド電極１５がプラズマクリーニングされているので、ア
ノード電極１５はＥＬ溶液に対して濡れ性が高いととも
に撥液性が低いから、ＥＬ溶液はアノード電極１５上で
広がりやすい。従って、隔壁８に囲繞された囲繞領域に
おいて、ＥＬ溶液がアノード電極１５一面に広がり、有
機ＥＬ層１６がアノード電極１５の一面に均等な厚さで
成膜される。

【００７５】また、隔壁８の頭頂部より高くなるような
大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも、隔壁８の表層に
撥液性の高い撥液層１０が成膜されているため、ＥＬ溶
液が隔壁８上に滲むことがない。そのため、隣り合う二
つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがな
い。ここで、固体（撥液層１０）の臨界表面張力をγｃ
とし、液体（ＥＬ溶液）の表面張力をγＬとし、固体と
液体との接触角をθとすると、式（１）のような関係式
が成立する。ＣＯＳθ＝１＋ｂ（γ_c−γ_L） …（１）（但し、ｂ
は定数）撥液層１０の材料から望ましいＥＬ溶液の表面張力を考
慮すると、撥液層１０がポリ四フッ化エチレンからでき
ている場合、臨界界面張力γ_cは約１８×１０^- ³とな
る。このため、表面張力γ_Lが、γ_L＜１８×１０^-3［Ｎ
／ｍ］であるＥＬ溶液であれば、ポリ四フッ化エチレン
の撥液層１０の撥液性が生じ効果が生じることになる。
ＥＬ溶液の表面張力から望ましい撥液層１０の材料を考
慮すると、ＥＬ溶液中の有機溶剤で主に用いられるトル
エンやキシレンの表面張力は、γ_L≒２８×１０^-3［Ｎ
／ｍ］であり、ＥＬ溶液もほぼ同様の値なので撥液層１
０の臨界界面張力γ_cが表面張力より小さくなれば、良
好な撥液性を示すから、撥液層１０の臨界界面張力γ_c
≦２８×１０^-3［Ｎ／ｍ］が望ましい。

【００７６】以上のようにヘッド部５４が主走査方向Ｘ
に少なくと一往復した後、成膜装置５０は、移動装置５
２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに所定距離搬送す
る。そして、ＴＦＴ駆動基板６が再び停止したら、成膜
装置５０はヘッド部５４の往復移動、ＥＬ溶液の噴出、
及びプラズマ照射を再び行う。以降、成膜装置５０が上
述の動作を繰り返すことにより、隔壁８に囲繞された囲
繞領域全てに有機ＥＬ層１６が成膜される。

【００７７】なお、酸素プラズマ照射ヘッド５６による
プラズマ照射、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７による
プラズマ照射及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂによる
液滴噴出が行われている最中には、ヘッド部５４が停止
しても良いし、ヘッド部５４が移動していても良い。ま
た、隔壁８の寸法や間隔、隔壁８に囲繞された囲繞領域
の寸法や間隔が予め制御装置に記憶されており、記憶さ
れたデータに基づいて制御装置は、ヘッド部５４の移動
速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、移動
装置５２の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タ
イミング、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの噴出タイミ
ング、酸素プラズマ照射ヘッド５６の照射タイミング、
及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の照射タイミング
を演算し、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５
Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及び
フッ化物プラズマ照射ヘッド５７を制御する。

【００７８】成膜装置５０による有機ＥＬ層１６の成膜
が終了したら、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程
を行うことで、一面にカソード電極１７を成膜する。次
に、流動性のある封止樹脂をディスペンサ装置又はスプ
レー装置等によって一面に塗布し、封止樹脂でカソード
電極１７に対向基板７を接着する。封止樹脂が固化する
ことで、それが封止樹脂層１１となり、有機ＥＬ表示パ
ネル１が完成する。

【００７９】以上の実施の形態では、隔壁８をマスクと
してドライエッチングすることによって下地層９を形状
加工しているため、隔壁８に下地層９を合致することが
できる。故に、平面視して、下地層９の面積を最小限に
することができ、発光部３を最大限に広げることができ
る。従って、この有機ＥＬ表示パネル１では、画素の発
光効率が高く、高コントラストの表示を行うことができ
る。

【００８０】また、平面視して隔壁８が下地層９に合致
しているため、隔壁８がアノード電極１５上にはみ出て
いない。従って、隔壁８が剥がれにくい。

【００８１】また、隔壁８をマスクに代用しているた
め、従来のように下地層３０９に形状加工した後に隔壁
３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、
本実施形態では工程が省略されて、有機ＥＬ発光パネル
の製造方法が簡便化される。

【００８２】また、以上の説明では、撥液層１０を確実
に成膜するために成膜装置５０でフッ化物プラズマ照射
を行っていたが、ドライエッチングによって撥液層１０
を成膜することを同時行うことができるから、フッ化物
プラズマ照射を省略することができる。

【００８３】また、成膜装置５０には酸素プラズマ照射
機能が付加されているから、プラズマクリーニング用の
装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６
を移し替えることなく、アノード電極１５のクリーニン
グと有機ＥＬ層１６の成膜を行える。つまり、ノズル５
５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと酸素プラズマ照射ヘッド５６と
がヘッド部５４に設けられているから、アノード電極１
５をプラズマクリーニングした直後にＥＬ溶液の液滴を
アノード電極１５に噴出することができる。従い、アノ
ード電極１５の濡れ性を安定して高い状態に維持した状
態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾するこ
とができ、有機ＥＬ層１６を均等な厚さで成膜すること
ができる。そのうえ、所謂白抜けの発生を抑えることが
できる。ここで白抜けとは、隔壁８に囲繞された囲繞領
域においてアノード電極１５上において有機ＥＬ層１６
の成膜されていない部分であり、隔壁８に囲繞された囲
繞領域において発光しない部分である。

【００８４】また、成膜装置５０にフッ化物プラズマ照
射機能が付加されているから、フッ化物プラズマ照射用
の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板
６を移し替えることなく、撥液層１０の成膜と有機ＥＬ
層１６の成膜を行える。従って、撥液層１０が汚染され
ることなく、隔壁８の表層の撥液性を安定して高い状態
に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５
に着弾することができる。故に、隣り合う二つの画素の
ＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。

【００８５】また、成膜装置５０では、酸素プラズマ照
射ヘッド５６がヘッド部５４に設けられ、酸素プラズマ
照射ヘッド５６から酸素プラズマを照射する構成となっ
ているから、部分的に酸素プラズマをアノード電極１５
に照射することができ、酸素プラズマを隔壁８に照射し
なくても済む。従って、酸素プラズマによって隔壁８が
アッシングされることがない。同様に、フッ化物プラズ
マ照射ヘッド５７がヘッド部５４に設けられ、フッ化物
プラズマ照射ヘッド５７からフッ化物プラズマを照射す
る構成となっているから、部分的に酸素プラズマを隔壁
８に照射することができ、酸素プラズマをアノード電極
１５に照射しなくても済む。従って、アノード電極１５
の表層にフッ素と炭素を含む化合物が形成されなく、ア
ノード電極１５の濡れ性を高く維持できる。

【００８６】また、この成膜装置５０を用いれば、アノ
ード電極１５のクリーニングと、隔壁８に撥液性の付与
と、有機ＥＬ層１６の成膜とをほぼ同時に行えるから、
有機ＥＬ発光パネル１の製造方法が簡便化される。

【００８７】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例え
ば、上記実施形態ではカソード電極１７が共通電極であ
りアノード電極１５が画素ごとにパターニングされた電
極であるが、逆にカソード電極が画素ごとにパターニン
グされた電極でアノード電極が共通電極であっても良
い。この際、にも下地層９及び隔壁８がアノード電極上
に網目状に形成されるが、隔壁８及び下地層９が網目状
に形成された時点では隔壁８に囲繞された囲繞領域にお
いてアノード電極が露出する。

【００８８】また、上記実施形態ではＴＦＴ駆動基板６
に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下
地膜９’を成膜したが、透明なガラス基板に複数のアノ
ード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成
膜しても良い。

【００８９】また、上記実施形態では、下地層９及び下
地膜９’が酸化シリコンであったが、下地層９’及び下
地膜９’が窒化シリコンであっても良い。

【００９０】また、上記実施形態ではヘッド部５４に設
けられる各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞ
れ一つずつであったが、各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，
５５Ｂが複数であっても良い。

【００９１】また、上記実施形態ではヘッド部５４が主
走査方向Ｘの順方向に移動している際に、ノズル５５
Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されているが、ヘッ
ド部５４が逆方向に移動している際にもノズル５５Ｒ，
５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されても良い。この場
合、ノズル５５Ｂの逆方向側においてフッ化物プラズマ
照射ヘッド及び酸素プラズマ照射ヘッドをヘッド部５４
に設けるのが望ましい。

【００９２】また、上記実施形態ではヘッド部５４が主
走査方向Ｘに移動可能であったが、主走査方向Ｘ及び副
走査方向Ｙに移動可能、つまりワークテーブル５１に対
して平行な面に沿って移動可能であっても良い。この場
合、ワークテーブル５１が固定されていても良い。同様
に、ワークテーブル５１が移動装置５２によって主走査
方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能であっても良い。こ
の場合、ヘッド部５４が固定されていても良い。つま
り、ワークテーブル５１に載置されたＴＦＴ駆動基板６
に対してヘッド部５４が相対的に移動可能であれば良
い。

【００９３】また、図９に示すように、ヘッド部５４に
フッ化物プラズマ照射ヘッドが設けられてない成膜装置
１５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良く、図１０に示
すように、ヘッド部５４に酸素プラズマヘッドが設けら
れていない成膜装置２５０で有機ＥＬ層１６を成膜して
も良い。なお、成膜装置１５０及び成膜装置２５０につ
いては、成膜装置５０と同様の構成要素に同様の符号を
付してその説明を省略する。

【００９４】

【発明の効果】以上のように請求項１から５の何れかに
記載の発明によれば、残留した酸化シリコン膜の形状は
残留したレジスト膜の形状に合致するから、残留した酸
化シリコン及び残留したレジスト膜に囲繞された囲繞領
域において、第一電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥ
Ｌ素子の発光範囲を最大限に広げることができる。従っ
て、高品質のＥＬパネルを提供することができる。ま
た、残留したレジスト膜をマスクとして酸化シリコン膜
を形状加工しているため、残留したレジスト膜が、第一
電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥＬ素子を囲繞する
隔壁となる。従って、工程が省略されて、ＥＬパネルの
製造方法が簡便化される。

【００９５】また、請求項４記載の発明によれば、残留
したレジスト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成
されるから、残留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照
射をしなくても良い。従って、従来の製造方法に比較し
てもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。

【００９６】また、請求項６記載の発明によれば、電極
がクリーニングされてからすぐに電極に液滴を噴出する
ことができる。そのため、電極の濡れ性を安定して高い
状態に維持した状態で液滴が電極に着弾するから、液滴
が電極上で広がりやすく、液滴が固化してなるＥＬ層の
膜厚が均等になる上、電極上においてＥＬ層の成膜され
ていない部分が無い。従って、高品質なＥＬパネルを提
供することができる。

【００９７】また、基板を酸素プラズマクリーニング用
の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、
電極のクリーニングとＥＬ層の成膜を同じ装置で行え
る。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。

【００９８】また、請求項７記載の発明によれば、フッ
化物層が形成されてからすぐに電極に液滴を噴出するこ
とができるため、隔壁の表層の撥液性を安定して高い状
態に維持した状態で液滴が電極に着弾する。従って、Ｅ
Ｌ溶液が隔壁上に広がることもなく、隣り同士の画素の
ＥＬ溶液が混じることもなく、高品質のＥＬパネルを提
供することができる。

【００９９】また、基板をフッ化物プラズマ照射用の装
置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、フッ
化物プラズマ照射とＥＬ層の成膜を同じ装置で行える。
従って、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、有機ＥＬ表示パネルの部分的な断面図
である。

【図２】図２は、有機ＥＬ層を成膜する成膜装置を示す
側面図である。

【図３】図３は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図４】図４は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図５】図５は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図６】図６は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図７】図７は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図８】図８は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法
の一工程を示した図面である。

【図９】図９は、図２の成膜装置とは別の成膜装置を示
した側面図である。

【図１０】図１０は、図２又は図９の成膜装置とは別の
成膜装置を示した側面図である。

【図１１】図１１は、従来の有機ＥＬ表示パネルを示し
た平面図及び断面図である。

【符号の説明】

１有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬパネル）２有機ＥＬ素子５薄膜トランジスタ６ＴＦＴ駆動基板（基板）６ａ表面７対向基板８隔壁（残留したレジスト膜）８’ レジスト膜９下地層９’ 酸化シリコン下地膜（下地膜）１０撥液層１２透明基板１５アノード電極（第一電極、電極）１６有機ＥＬ層１７カソード電極５０、１５０、２５０成膜装置５４ヘッド部（移動体）５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂノズル（液滴噴出部）５６酸素プラズマ照射ヘッド（酸素プラズマ照射
部）５７フッ化物プラズマ照射ヘッド（フッ化物プラ
ズマ照射部）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一方の面に形成された第一電極ごと
被覆するように前記基板の一方の面上に下地膜を成膜す
る下地膜形成工程と、前記下地膜上の一面にレジスト膜を形成するレジスト膜
形成工程と、前記レジスト膜を部分的に除去することによって残留し
たレジスト膜で囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を
配するように、前記レジスト膜を形状加工する形状加工
工程と、前記残留したレジスト膜をマスクとして前記下地膜をエ
ッチングするエッチング工程と、を含むＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】前記形状加工工程において、前記第一電極
の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるように前
記レジスト膜を形状加工することを特徴とする請求項１
記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】前記基板の一方の面に形成された前記第一
電極は複数であり、前記下地膜形成工程において複数の前記第一電極ごと前
記下地膜で被覆し、前記形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成する
ように、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第
一電極が配されるように前記レジスト膜を形状加工する
ことを特徴とする請求項１又は２記載のＥＬパネルの製
造方法。
【請求項４】前記エッチング工程において、Ｃ₄Ｆ₈又は
ＣＦ₄を含むガスで前記下地膜をエッチングすることを
特徴とする請求項１から３の何れかに記載のＥＬパネル
の製造方法。
【請求項５】ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴として
前記囲繞領域に向けて噴出することによって、前記囲繞
領域にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程を更に含むこと
を特徴とする請求項１から４の何れかに記載のＥＬパネ
ルの製造方法。
【請求項６】基板の一方の面に形成された隔壁によって
囲繞され且つ前記基板の一方の面に形成された電極にＥ
Ｌ層を成膜する成膜装置において、前記基板の一方の面の上方において前記基板に対して相
対的に移動する移動体と、前記移動体に設けられ、前記電極に向けて酸素プラズマ
を照射する酸素プラズマ照射部と、前記移動体に設けられ、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を
液滴として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】基板の一方の面に形成された隔壁によって
囲繞され且つ前記基板の一方の面に形成された電極にＥ
Ｌ層を成膜する成膜装置において、前記基板の一方の面の上方において前記基板に対して相
対的に移動する移動体と、前記移動体に設けられ、フッ素を含む化合物ガスのプラ
ズマを前記隔壁に向けて照射するフッ化物プラズマ照射
部と、前記移動体に設けられ、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を
液滴として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部と、を備えることを特徴とする成膜装置。