JP2003346578A - 高圧cvケーブルの製造方法、及び高圧cvケーブルの製造装置 - Google Patents

高圧cvケーブルの製造方法、及び高圧cvケーブルの製造装置

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JP2003346578A JP2002151859A JP2002151859A JP2003346578A JP 2003346578 A JP2003346578 A JP 2003346578A JP 2002151859 A JP2002151859 A JP 2002151859A JP 2002151859 A JP2002151859 A JP 2002151859A JP 2003346578 A JP2003346578 A JP 2003346578A
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stranded conductor
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英一郎 湯沢
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高圧CVケーブルの製造にあたって、不活性
ガス(N)の使用量の増加を抑制し、撚線導体の導体
素線の隙間に不活性ガス(N)を充填でき、撚線導体
の表面の変色を防止することのできる高圧CVケーブル
の製造方法及び装置を提供する。 【解決手段】 押出機21の導体入口側に撚線導体導入
側にガス流出抑制部27を備えた不活性ガス充満室22
を設け,前記ガス流出抑制部27の後段で前記不活性ガ
ス充満室22に不活性ガス供給口30から不活性ガスを
流入し,前記不活性ガス供給口30の後段、前記不活性
ガス充満室22内で前記撚線導体24を予熱し,しかる
後、前記撚線導体24に樹脂を押出被覆する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧CVケーブル
の製造方法及び高圧CVケーブルの製造装置に係り、特
に、撚り導体の最外層表面だけでなく各導体素線の変色
を防ぐことのできる高圧CVケーブルの製造方法及び高
圧CVケーブルの製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、高圧CVケーブル1は、図3に
示すように、素線を複数本撚り合わせて構成される撚線
導体2の上に半導電性樹脂組成物からなる内部半導電層
3を被覆し、この内部半導電層3の上に架橋ポリエチレ
ンによって構成される絶縁層4を被覆し、この絶縁層4
の上に半導電性樹脂組成物からなる外部半導電層5を被
覆し、この外部半導電層5の上にさらにシース6を被覆
することによって構成されている。このように構成され
る高圧CVケーブル1は、複数の素線供給装置のそれぞ
れから供給される素線を図示されていない撚線機で撚り
合わせて供給される撚線導体2の上に、内部半導電層
3、絶縁層4、外部半導電層5、シース6を順次押し出
し被覆して製造される。
【0003】この高圧CVケーブル1は、図4に示す如
き方法によって製造される。すなわち、複数の素線供給
装置のそれぞれから供給される素線を図示されていない
撚線機で撚り合わせて供給される撚線導体2が内部半導
電層3、絶縁層4、外部半導電層5、シース6を順次押
出し被覆する押出機8に所定速度で走行してくる。この
所定速度で走行してくる撚線導体2は、まず、押出機8
から所定距離離れた位置に設けられる導体予熱装置7に
おいて所定温度に加熱される。この導体予熱装置7にお
いて撚線導体2を所定温度になるように加熱するのは、
撚線導体2の温度が後段の押出機8において押出被覆さ
れる樹脂温度より低く、大きな温度差を有していると、
押出機8から押し出された樹脂が撚線導体2に密着する
密着性が悪くなるので、撚線導体2の温度と押出被覆さ
れる樹脂温度との温度差を無くし、押出被覆される樹脂
の撚線導体2への密着性が悪くなるのを防止するためで
ある。
【0004】また、導体予熱装置7において所定温度に
加熱された撚線導体2の各素線間、撚線導体2の表面と
押出機8で押出される被覆される内部半導電層3との間
に空気(酸素)が入り込むと、入り込んだ空気(酸素)
によって撚線導体2が酸化し、撚線導体2が変色し、製
品劣化が早くなるという問題がある。そこで、従来の高
圧CVケーブルの製造装置は、導体予熱装置7において
所定温度に加熱された撚線導体2の各素線間、撚線導体
2の表面と押出機8において撚線導体2の表面に押出し
被覆される内部半導電層3との間に空気(酸素)が入り
込むのを防止するため、押出機8の導体入口側に不活性
ガス(N)を充満させる不活性ガス充満室9を設けて
いる。
【0005】この不活性ガス充満室9には、撚線導体2
が走行してくる入口側に不活性ガス供給口10が設けら
れており、この不活性ガス供給口10から一定の圧力で
不活性ガス(N)が供給されている。この一定の圧力
で不活性ガス(N)が供給されている不活性ガス充満
室9内を所定温度に加熱された撚線導体2を走行させる
と、撚線導体2の各素線間に存在する空気(特に、酸
素)が追い出され、撚線導体2の表面が不活性ガス(N
)によって覆われた状態となり、不活性ガス充満室9
から押出機8に走行していく撚線導体2の表面と押出機
8で押し出される内部半導電層3の間に空気(特に、酸
素)が入り込むのを防止できる。この押出機8において
は、内部半導電層3、絶縁層4、外部半導電層5、シー
ス6を順次押し出して被覆して高圧CVケーブル1を形
成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の高圧CVケーブルの製造方法及び装置にあっ
ては、撚線導体2を導体予熱装置7において所定温度に
加熱するに当たって空気中で行っており、さらに、撚線
導体2を導体予熱装置7において所定温度に加熱した
後、空気中を走行させて、不活性ガス充満室9から押出
機8に走行させている。すなわち、複数の素線供給装置
のそれぞれから供給される素線を撚り合わせて供給され
る撚線導体2は、導体予熱装置7に走行されるまでの間
と、導体予熱装置7で加熱され不活性ガス充満室9に走
行するまでの間、空気に晒された状態となっている。
【0007】このため、従来の高圧CVケーブルの製造
方法及び装置にあっては、導体予熱装置7において所定
温度に加熱した撚線導体2が、空気中を走行すると、撚
線導体2の表面が酸素と反応し易くなり、撚線導体2の
表面が変色(酸化)してしまうということがあった。ま
た、不活性ガス充満室9を押出機8の導体入口側に設
け、この不活性ガス充満室9の中に撚線導体2を走行さ
せ、撚線導体2の導体素線の隙間に不活性ガス(N
を充填するようになっているが、不活性ガス充満室9が
完全に密封した構成となっておらず、不活性ガス充満室
9に所定圧力で供給した不活性ガス(N)が、不活性
ガス充満室9の導体導入口から外部に、あるいは押出機
8内に漏れてしまうという問題を有している。このた
め、不活性ガス(N)の漏れ量を考慮して不活性ガス
充満室9に供給する不活性ガス(N)のガス圧を調整
しているため、不活性ガス(N)の使用量が増加する
という問題を有している。
【0008】本発明の目的は、高圧CVケーブルの製造
にあたって、不活性ガス(N)の使用量の増加を抑制
し、撚線導体の導体素線の隙間に不活性ガス(N)を
充填でき、撚線導体の表面の変色を防止することのでき
る高圧CVケーブルの製造方法及び装置を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の高圧CVケーブルの製造方法は、
押出機の導体入口側に撚線導体導入側にガス流出抑制部
を備えた不活性ガス充満室を設け,前記ガス流出抑制部
の後段で前記不活性ガス充満室に不活性ガス供給口から
不活性ガスを流入し,前記不活性ガス供給口の後段、前
記不活性ガス充満室内で前記撚線導体を予熱し,しかる
後、前記撚線導体に樹脂を押出被覆するようにしたもの
である。
【0010】このように構成することにより、請求項1
に記載の発明によると、高圧CVケーブルの製造にあた
って、不活性ガス(N)の使用量の増加を抑制し、撚
線導体の導体素線の隙間に不活性ガス(N)を充填で
き、撚線導体の表面の変色を防止することができる。
【0011】上記目的を達成するために、請求項2に記
載の高圧CVケーブルの製造装置は、複数の素線を撚線
機によって撚り合わせて構成する撚線導体を走行し、内
部半導電層、絶縁層、外部半導電層、シースを順次押出
し被覆して高圧CVケーブルを製造する高圧CVケーブ
ルの製造装置において,前記押出機の撚線導体導入側に
不活性ガス充満室を設け,前記不活性ガス充満室は、筒
状に形成し、撚線導体が導入する先端に撚線導体走行方
向に小径となるテーパを有するガス流出抑制部を設け、
該ガス流出抑制部内に不活性ガスを流入する不活性ガス
供給口を該ガス流出抑制部の撚線導体走行方向後方に設
けてなり,前記不活性ガス充満室内、不活性ガス供給口
の撚線導体走行方向後方に前記押出機に走行する撚線導
体を所定温度に加熱する導体予熱装置を設けたものであ
る。
【0012】このように構成することにより、請求項2
に記載の発明によると、高圧CVケーブルの製造にあた
って、不活性ガス(N)の使用量の増加を抑制し、撚
線導体の導体素線の隙間に不活性ガス(N)を充填で
き、撚線導体の表面の変色を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高圧CVケー
ブルの製造方法及び高圧CVケーブルの製造装置におけ
る一実施の形態について図面を用いて説明する。図1に
は、本発明に係る高圧CVケーブルの製造方法及び高圧
CVケーブルの製造装置の一実施の形態が示されてい
る。図1は、本発明に係る高圧CVケーブルの製造方法
及び高圧CVケーブルの製造装置を示す全体構成図であ
る。
【0014】図1において、20は、高圧CVケーブル
の製造装置で、この高圧CVケーブルの製造装置20
は、押出機21と、この押出機21に取り付けられた不
活性ガス充満室22と、この不活性ガス充満室22の内
部に収納される導体予熱装置23によって構成されてい
る。
【0015】押出機21は、図示していない撚線機によ
って複数の素線が撚り合わされて送出されてくる撚線導
体24に内部半導電層、絶縁層、外部半導電層、シース
を順次押出し被覆するもので、この撚線導体24に内部
半導電層、絶縁層、外部半導電層、シースを順次押出し
被覆することによって高圧CVケーブル25を形成する
ものである。
【0016】不活性ガス充満室22は、図2に示す如
く、内部に不活性ガスを充満する筒状本体26を有して
おり、この筒状本体26は、押出機21の撚線導体24
を導入する撚線導体導入側に、押出機21の撚線導体2
4を導入する撚線導体導入口に直結するように取り付け
られている。この不活性ガス充満室22の押出機21へ
の取り付けは、図示していないが、不活性ガス充満室2
2の筒状本体26の押出機取付側端部にフランジを形成
し、このフランジにボルト等を通して押出機21にボル
ト止めする方法を採ってもよい。あるいは、不活性ガス
充満室22の筒状本体26の押出機取付側端部を押出機
21に溶接等で固定する方法もある。その他、不活性ガ
ス充満室22の押出機21への取り付けは、不活性ガス
充満室22の筒状本体26の押出機取付側端部を押出機
21に固定できればどのような方法でも良い。この筒状
本体26は、円筒形状、角筒形状であっても、その形状
はどのようなものであってもよい。
【0017】また、この不活性ガス充満室22の筒状本
体26の撚線導体24の導入側先端には、ガス流出抑制
部27が設けられている。このガス流出抑制部27は、
図2に示す如く、筒状本体26の撚線導体24の導入側
先端に取り付けられる筒部材によって構成されている。
そして、このガス流出抑制部27の中心には、撚線導体
24が走行可能な穴28が形成されており、このガス流
出抑制部27の導入側先端から中心の穴28に向かって
テーパ29が形成されている。このガス流出抑制部27
の中心に形成される穴28の径の大きさは、撚線導体2
4の外径よりも少し大きい径となっており、撚線導体2
4とガス流出抑制部27の穴28の内壁との間には、撚
線導体24がガス流出抑制部27の穴28内を走行する
際に接触しないような隙間が形成されている。
【0018】このガス流出抑制部27をガス流出抑制部
27の導入側先端から中心の穴28に向かってテーパ2
9を形成することによって、不活性ガス充満室22の筒
状本体26に供給した不活性ガス(N)が、不活性ガ
ス充満室22の先端から無駄に漏洩するのを防止してい
る。このガス流出抑制部27は、本実施の形態において
は、ガス流出抑制部27の外周の所定長さに雄捻子を切
り、筒状本体26の撚線導体24の導入側先端から内周
の所定長さに雌捻子を切り、ガス流出抑制部27が筒状
本体26の撚線導体24の導入側先端に螺合するように
構成されている。
【0019】また、筒状本体26の撚線導体24の導入
側でガス流出抑制部27の撚線導体24の走行側後方に
は、不活性ガス充満室22に不活性ガス(N)を供給
する不活性ガス供給口30が設けられている。この不活
性ガス供給口30には、図示していない不活性ガス供給
装置が接続されており、この不活性ガス供給装置から常
時所定の圧力で不活性ガス(N)を不活性ガス供給口
30から不活性ガス充満室22内に供給している。
【0020】この不活性ガス供給口30の撚線導体24
の走行方向後方、筒状本体26内には、不活性ガス充満
室22内を走行する撚線導体24を所定温度に加熱する
導体予熱装置23が設けられている。この導体予熱装置
23は、例えば、中空状に形成されるコイルによって構
成されており、このコイル内を非接触で撚線導体24を
走行させ、コイルに通電してコイル内を走行中に撚線導
体24を所定温度まで加熱するものである。このように
導体予熱装置23において撚線導体24を所定温度にな
るように加熱するのは、撚線導体24の温度が、後段の
押出機21において押出被覆される樹脂温度より低く、
大きな温度差を有していると、押出機21から押し出さ
れた樹脂が撚線導体24に密着する樹脂密着性が悪くな
るので、撚線導体24の温度と押出被覆される樹脂温度
との温度差を無くし、押出被覆される樹脂の撚線導体2
4への樹脂密着性を良くするためである。
【0021】この導体予熱装置23は、不活性ガス充満
室22内に設けられているので、撚線導体24を不活性
ガス(N)が充満した中で加熱することになり、体予
熱装置23を通過した後も、撚線導体24は、不活性ガ
ス充満室22内を走行し、不活性ガス(N)によって
充満された状態のまま押出機21に送出される。
【0022】したがって、まず、図示していない撚線機
によって複数の素線が撚り合わされた撚線導体24は、
不活性ガス充満室22の筒状本体26の先端に設けられ
るガス流出抑制部27を介して不活性ガス充満室22の
筒状本体26内に供給される。この不活性ガス充満室2
2の筒状本体26内に供給された撚線導体24は、不活
性ガス供給口30から所定の圧力で供給される不活性ガ
ス(N)によって、撚線導体24の各素線間に存在す
る空気(特に、酸素)が追い出され、撚線導体24の表
面が不活性ガス(N)によって覆われた状態となる。
このように各素線間に存在する空気(特に、酸素)が追
い出され、表面が不活性ガス(N)によって覆われた
状態で撚線導体24は、導体予熱装置23に供給され、
所定温度に加熱される。この導体予熱装置23で所定温
度に加熱される撚線導体24の各素線間、表面に空気
(特に、酸素)が存在しないため、撚線導体24が酸化
し、撚線導体24が変色することがない。
【0023】この導体予熱装置23によって所定温度に
加熱された撚線導体24は、導体予熱装置23を出て再
び不活性ガス(N)によって充満する、不活性ガス充
満室22の筒状本体26内を走行するため、表面に空気
(特に、酸素)が存在せず、導体予熱装置23で所定温
度に加熱されていても酸化し、表面が変色することがな
い。
【0024】このように導体予熱装置23で所定温度に
加熱された撚線導体24は、押出機21に供給され、押
出機21において、内部半導電層、絶縁層、外部半導電
層、シースが順次押し出して被覆されて高圧CVケーブ
ル25が形成される。
【0025】このように本実施の形態によれば、不活性
ガス供給口30から所定の圧力で不活性ガス(N)を
不活性ガス充満室22内に供給しており、撚線導体24
とガス流出抑制部27の穴28の内壁との間に隙間が形
成されているため多少漏洩するが、ガス流出抑制部27
にテーパ29が、ガス流出抑制部27の導入側先端から
中心の穴28に向かって形成されているため、撚線導体
24とガス流出抑制部27の穴28の内壁との隙間から
漏洩する不活性ガス(N)の量は少なくて済む。
【0026】また、本実施の形態によれば、不活性ガス
供給口30から所定の圧力で不活性ガス(N)は、導
体予熱装置23の撚線導体24の走行方向前方で一定の
圧力で供給されるため、撚線導体24が導体予熱装置2
3に供給されるときには、撚線導体24の各素線間に存
在する空気(特に、酸素)が追い出され、撚線導体24
の表面が不活性ガス(N)によって覆われた状態とな
っている。そして、導体予熱装置23を出た撚線導体2
4は、再び不活性ガス(N)が充満した不活性ガス充
満室22内を走行して押出機21に供給される。すなわ
ち、撚線導体24は、不活性ガス供給口30から所定の
圧力で供給される不活性ガス(N)によって、撚線導
体24の各素線間に存在する空気(特に、酸素)が追い
出され、撚線導体24の表面が不活性ガス(N)によ
って覆われた状態のまま所定温度に加熱され、所定温度
に加熱された撚線導体24の表面が不活性ガス(N
によって覆われた状態のまま押出機21に供給される。
このため、導体予熱装置23において所定温度に加熱し
た撚線導体24が、再び空気に晒されることなく、撚線
導体24の表面が酸素と反応するのを防止し、撚線導体
24の表面が変色(酸化)してしまうということがな
い。
【0027】さらに、本実施の形態によれば、不活性ガ
ス供給口30から導体予熱装置23の撚線導体24の走
行方向前方で一定の圧力で供給される不活性ガス
(N)の導体予熱装置23の押出機21側への移動
は、走行する撚線導体24と導体予熱装置23との隙間
からだけである。そのため、導体予熱装置23の不活性
ガス供給口30側から押出機21側への不活性ガス(N
)の移動量は、極力抑制される。したがって、導体予
熱装置23の不活性ガス供給口30側の不活性ガス充満
室22は、撚線導体24の走行方向後方側が導体予熱装
置23によって不完全とはいえ、比較的密封した構成と
なっているため、不活性ガス充満室22の不活性ガス供
給口30から供給し導体予熱装置23の撚線導体24の
走行方向前方に充満した不活性ガス(N)は、導体予
熱装置23を通って導体予熱装置23の押出機21側の
不活性ガス充満室22に移動する量が少ない。したがっ
て、導体予熱装置23の押出機21側の不活性ガス充満
室22に充満した不活性ガス(N)が押出機21内に
漏れるのを極力抑制することができ、不活性ガス
(N)の使用量の増加を抑制することができる。
【0028】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【0029】請求項1に記載の高圧CVケーブルの製造
方法によれば、高圧CVケーブルの製造にあたって、不
活性ガス(N)の使用量の増加を抑制し、撚線導体の
導体素線の隙間に不活性ガス(N)を充填でき、撚線
導体の表面の変色を防止することができる。
【0030】請求項2に記載の高圧CVケーブルの製造
装置によれば、高圧CVケーブルの製造にあたって、不
活性ガス(N)の使用量の増加を抑制し、撚線導体の
導体素線の隙間に不活性ガス(N)を充填でき、撚線
導体の表面の変色を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る高圧CVケーブルの製造方法及び
装置の一実施の形態を示す全体構成図である。
【図2】図1に図示の高圧CVケーブルの製造装置の断
面図である。
【図3】従来の高圧CVケーブルを示す断面図である。
【図4】従来の高圧CVケーブルの製造方法を示す概念
図である。
【符号の説明】
20…………………高圧CVケーブルの製造装置 21…………………押出機 22…………………不活性ガス充満室 23…………………導体予熱装置 24…………………撚線導体 25…………………高圧CVケーブル 27…………………ガス流出抑制部 29…………………テーパ 30…………………不活性ガス供給口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 押出機の導体入口側に撚線導体導入側に
    ガス流出抑制部を備えた不活性ガス充満室を設け,前記
    ガス流出抑制部の後段で前記不活性ガス充満室に不活性
    ガス供給口から不活性ガスを流入し,前記不活性ガス供
    給口の後段、前記不活性ガス充満室内で前記撚線導体を
    予熱し,しかる後、前記撚線導体に樹脂を押出被覆する
    ことを特徴とする高圧CVケーブルの製造方法。
  2. 【請求項2】 複数の素線を撚線機によって撚り合わせ
    て構成する撚線導体を走行し、内部半導電層、絶縁層、
    外部半導電層、シースを順次押出し被覆して高圧CVケ
    ーブルを製造する高圧CVケーブルの製造装置におい
    て,前記押出機の撚線導体導入側に不活性ガス充満室を
    設け,前記不活性ガス充満室は、筒状に形成し、撚線導
    体が導入する先端に撚線導体走行方向に小径となるテー
    パを有するガス流出抑制部を設け、該ガス流出抑制部内
    に不活性ガスを流入する不活性ガス供給口を該ガス流出
    抑制部の撚線導体走行方向後方に設けてなり,前記不活
    性ガス充満室内、不活性ガス供給口の撚線導体走行方向
    後方に前記押出機に走行する撚線導体を所定温度に加熱
    する導体予熱装置を設けたことを特徴とする高圧CVケ
    ーブルの製造装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2021122007A (ja) * 2016-04-01 2021-08-26 ゲバウアー・アンド・グリラー・メタルベルク・ゲーエムベーハーGebauer & Griller Metallwerk GmbH 絶縁導電体
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