JP2003332690A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP2003332690A JP2003332690A JP2002139105A JP2002139105A JP2003332690A JP 2003332690 A JP2003332690 A JP 2003332690A JP 2002139105 A JP2002139105 A JP 2002139105A JP 2002139105 A JP2002139105 A JP 2002139105A JP 2003332690 A JP2003332690 A JP 2003332690A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リーク電流を抑制し横モードの安定性を高め
た高出力のリッジ導波路型の半導体レーザを提供するこ
と。 【解決手段】 キャップ層１０７と第２のクラッド層１
０５に、半導体レーザの端面の法線方向に形成された少
なくとも１つの溝を有する溝領域を設けてリッジ領域を
形成し、このリッジ領域を挟む両サイドの溝領域の少な
くとも一方を、半導体レーザの端面からの距離に応じて
異なる複数の溝で構成することとした。また、この溝
を、半導体レーザの端面付近で浅く形成するようにし、
さらに、半導体レーザの端面には、リッジ領域を設けな
い構造とした。
た高出力のリッジ導波路型の半導体レーザを提供するこ
と。 【解決手段】 キャップ層１０７と第２のクラッド層１
０５に、半導体レーザの端面の法線方向に形成された少
なくとも１つの溝を有する溝領域を設けてリッジ領域を
形成し、このリッジ領域を挟む両サイドの溝領域の少な
くとも一方を、半導体レーザの端面からの距離に応じて
異なる複数の溝で構成することとした。また、この溝
を、半導体レーザの端面付近で浅く形成するようにし、
さらに、半導体レーザの端面には、リッジ領域を設けな
い構造とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
し、より詳細には、リーク電流を抑制し横モードの安定
性を高めた高出力のリッジ導波路型の半導体レーザに関
する。
し、より詳細には、リーク電流を抑制し横モードの安定
性を高めた高出力のリッジ導波路型の半導体レーザに関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信における波長分割多重（ＷＤＭ：
Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉ
ｐｌｅｘｉｎｇ）システムは、複数の異なる波長の半導
体レーザ光を光結合器を介して１本の光ファイバに導く
ことで大容量の高速光伝送を行う通信システムであり、
このＷＤＭ光伝送システムでは、信号光の増幅のために
エルビウム添加ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ：Ｅｒｕｂｉ
ｕｍ−Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）
が用いられる。
Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉ
ｐｌｅｘｉｎｇ）システムは、複数の異なる波長の半導
体レーザ光を光結合器を介して１本の光ファイバに導く
ことで大容量の高速光伝送を行う通信システムであり、
このＷＤＭ光伝送システムでは、信号光の増幅のために
エルビウム添加ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ：Ｅｒｕｂｉ
ｕｍ−Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）
が用いられる。
【０００３】近年のＥＤＦＡは、増幅度の波長依存性も
小さくなり、従来のＣバンドに加え、ＬバンドやＳバン
ドを利用することも可能となっており、広帯域のＷＤＭ
（ＤＷＤＭ：Ｄｅｎｓｅ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉ
ｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）システムの
構築も進められてきている。
小さくなり、従来のＣバンドに加え、ＬバンドやＳバン
ドを利用することも可能となっており、広帯域のＷＤＭ
（ＤＷＤＭ：Ｄｅｎｓｅ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉ
ｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）システムの
構築も進められてきている。
【０００４】典型的な長距離光伝送の中継器の１つが高
出力ＥＤＦＡであり、この増幅器では、初段において低
雑音指数となる９８０ｎｍ励起光源を用いた光信号増幅
を行い、後段において高効率かつ低価格の１４８０ｎｍ
励起光源を用いた光信号増幅を行うことで光信号増幅が
なされる。このような高出力ＥＤＦＡは、光信号を分配
する前に光信号強度を高めるポストアンプとしても利用
されており、さらなる高出力のＥＤＦＡを実現するため
に励起光源の高出力化が求められている。
出力ＥＤＦＡであり、この増幅器では、初段において低
雑音指数となる９８０ｎｍ励起光源を用いた光信号増幅
を行い、後段において高効率かつ低価格の１４８０ｎｍ
励起光源を用いた光信号増幅を行うことで光信号増幅が
なされる。このような高出力ＥＤＦＡは、光信号を分配
する前に光信号強度を高めるポストアンプとしても利用
されており、さらなる高出力のＥＤＦＡを実現するため
に励起光源の高出力化が求められている。
【０００５】ＥＤＦＡに備えられる励起光源としては半
導体レーザが用いられるが、９８０ｎｍ励起光源はＩｎ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸構造を有しておりそのク
ラッド層にはＡｌ混晶が用いられるため、レーザの動作
に伴ってクラッド層または量子井戸層と再成長結晶界面
に結晶欠陥または転位等が成長しレーザ特性の劣化が生
じやすい。このため、半導体レーザ構造としてはリッジ
導波路型が採用されるのが一般的である。
導体レーザが用いられるが、９８０ｎｍ励起光源はＩｎ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸構造を有しておりそのク
ラッド層にはＡｌ混晶が用いられるため、レーザの動作
に伴ってクラッド層または量子井戸層と再成長結晶界面
に結晶欠陥または転位等が成長しレーザ特性の劣化が生
じやすい。このため、半導体レーザ構造としてはリッジ
導波路型が採用されるのが一般的である。
【０００６】図３は、リッジ導波路型高出力ＩｎＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸レーザの従来の構造を説明する
ための図で、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＡ−Ａ´における断面図である。
ｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸レーザの従来の構造を説明する
ための図で、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＡ−Ａ´における断面図である。
【０００７】図３（ｂ）中、３０１は歪量子井戸活性層
（ＩｎＧａＡｓ）、３０２は第１の光ガイド層（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ）、３０３は第２の光ガイド層（Ａｌｘ
Ｇａ １−ｘＡｓ）、３０４は第１のクラッド層（ｎ−Ａ
ｌｙＧａ１−ｙＡｓ）、３０５は第２のクラッド層（ｐ
−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）、３０６はバッファ層（ｎ−
ＧａＡｓ）、３０７はキャップ層（ｐ＋−ＧａＡｓ）、
３０８は基板（ｎ−ＧａＡｓ）、３０９は絶縁膜（窒化
シリコン膜）、３１０はｎ電極（ＡｕＧｅＮｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕ）、３１１はｐ電極（ＡｕＺｎＮｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕ）である。なお、ｙ＞ｘである。
（ＩｎＧａＡｓ）、３０２は第１の光ガイド層（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ）、３０３は第２の光ガイド層（Ａｌｘ
Ｇａ １−ｘＡｓ）、３０４は第１のクラッド層（ｎ−Ａ
ｌｙＧａ１−ｙＡｓ）、３０５は第２のクラッド層（ｐ
−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）、３０６はバッファ層（ｎ−
ＧａＡｓ）、３０７はキャップ層（ｐ＋−ＧａＡｓ）、
３０８は基板（ｎ−ＧａＡｓ）、３０９は絶縁膜（窒化
シリコン膜）、３１０はｎ電極（ＡｕＧｅＮｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕ）、３１１はｐ電極（ＡｕＺｎＮｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕ）である。なお、ｙ＞ｘである。
【０００８】また、この歪量子井戸レーザは図３（ａ）
に示すように、高出力化のために、光出射側の端面には
低反射膜３１２を、反対側の端面には高反射膜３１３が
コーティングされており、レーザ光はリッジ導波路サイ
ドの溝３１５と３１６に囲まれたリッジ導波路３１４を
中心に導波して低反射膜３１２がコーティングされた端
面から高出力レーザ光が出射される。
に示すように、高出力化のために、光出射側の端面には
低反射膜３１２を、反対側の端面には高反射膜３１３が
コーティングされており、レーザ光はリッジ導波路サイ
ドの溝３１５と３１６に囲まれたリッジ導波路３１４を
中心に導波して低反射膜３１２がコーティングされた端
面から高出力レーザ光が出射される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなリッジ導波路型の半導体レーザは、導波路埋込型の
半導体レーザに比較してリッジ領域の放熱効率が低く接
合温度の点で不利であり、リッジの深さを浅くして放熱
効率を高くすると、リーク電流が増大するために閾値電
流が増大し、さらに、利得導波モードが強くなって横モ
ードが不安定になるという問題があった。
うなリッジ導波路型の半導体レーザは、導波路埋込型の
半導体レーザに比較してリッジ領域の放熱効率が低く接
合温度の点で不利であり、リッジの深さを浅くして放熱
効率を高くすると、リーク電流が増大するために閾値電
流が増大し、さらに、利得導波モードが強くなって横モ
ードが不安定になるという問題があった。
【００１０】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、リーク電流を抑制
し横モードの安定性を高めた高出力のリッジ導波路型の
半導体レーザを提供することにある。
たもので、その目的とするところは、リーク電流を抑制
し横モードの安定性を高めた高出力のリッジ導波路型の
半導体レーザを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、第１の
光ガイド層と活性層と第２の光ガイド層とを積層して構
成した光導波路と、当該光導波路の積層方向の下面およ
び上面に設けられた第１および第２のクラッド層と、当
該第２のクラッド層上に積層されたキャップ層とを備え
る半導体レーザであって、前記キャップ層と前記第２の
クラッド層には、前記半導体レーザの端面の法線方向に
形成された少なくとも１つの溝を有する２つの溝領域に
よってリッジ領域が設けられており、当該リッジ領域を
挟む両サイドの溝領域の少なくとも一方は、前記リッジ
領域が延在する方向に連なる複数の溝から構成されてい
ることを特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、第１の
光ガイド層と活性層と第２の光ガイド層とを積層して構
成した光導波路と、当該光導波路の積層方向の下面およ
び上面に設けられた第１および第２のクラッド層と、当
該第２のクラッド層上に積層されたキャップ層とを備え
る半導体レーザであって、前記キャップ層と前記第２の
クラッド層には、前記半導体レーザの端面の法線方向に
形成された少なくとも１つの溝を有する２つの溝領域に
よってリッジ領域が設けられており、当該リッジ領域を
挟む両サイドの溝領域の少なくとも一方は、前記リッジ
領域が延在する方向に連なる複数の溝から構成されてい
ることを特徴とする。
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の半導体レーザにおいて、前記溝の深さが、前記
半導体レーザの端面からの距離に応じて異なることを特
徴とする。
に記載の半導体レーザにおいて、前記溝の深さが、前記
半導体レーザの端面からの距離に応じて異なることを特
徴とする。
【００１３】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の半導体レーザにおいて、前記溝は、前記半導体
レーザの端面付近で浅く形成されていることを特徴とす
る。
に記載の半導体レーザにおいて、前記溝は、前記半導体
レーザの端面付近で浅く形成されていることを特徴とす
る。
【００１４】さらに、請求項４に記載の発明は、請求項
１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザにおいて、前
記半導体レーザの端面には、前記リッジ領域を設けられ
ていないことを特徴とする。
１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザにおいて、前
記半導体レーザの端面には、前記リッジ領域を設けられ
ていないことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１６】図１は、本発明のリッジ導波路型の高出力
半導体レーザの構造を説明するための図で、図１（ａ）
は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´における
断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´における断
面図である。
半導体レーザの構造を説明するための図で、図１（ａ）
は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´における
断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´における断
面図である。
【００１７】この半導体レーザは、基板１０８（ｎ−Ｇ
ａＡｓ）上に、バッファ層１０６（ｎ−ＧａＡｓ）と第
１のクラッド層１０４（ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）を
積層し、その上に、歪量子井戸活性層１０１（ＩｎＧａ
Ａｓ）を第１の光ガイド層１０２（ＡｌｘＧａ１−ｘＡ
ｓ）と第２の光ガイド層（ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ）１０
３で挟み込んで設け、第２の光ガイド層（ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ）１０３の上に、さらに、第２のクラッド層
１０５（ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）とキャップ層１０
７（ｐ＋−ＧａＡｓ）と絶縁膜１０９（窒化シリコン
膜）とｐ電極１１１（ＡｕＺｎＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ）とが積層されている。また、基板１０８の裏面には
ｎ電極１１０（ＡｕＧｅＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）が設
けられている。なお、ここで、ｙ＞ｘである。
ａＡｓ）上に、バッファ層１０６（ｎ−ＧａＡｓ）と第
１のクラッド層１０４（ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）を
積層し、その上に、歪量子井戸活性層１０１（ＩｎＧａ
Ａｓ）を第１の光ガイド層１０２（ＡｌｘＧａ１−ｘＡ
ｓ）と第２の光ガイド層（ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ）１０
３で挟み込んで設け、第２の光ガイド層（ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ）１０３の上に、さらに、第２のクラッド層
１０５（ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ）とキャップ層１０
７（ｐ＋−ＧａＡｓ）と絶縁膜１０９（窒化シリコン
膜）とｐ電極１１１（ＡｕＺｎＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ）とが積層されている。また、基板１０８の裏面には
ｎ電極１１０（ＡｕＧｅＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）が設
けられている。なお、ここで、ｙ＞ｘである。
【００１８】また、この半導体レーザは図１（ａ）に示
すように、光出射側の端面には反射率２％の低反射膜１
１２を、反対側の端面には反射率８０％の高反射膜１１
３がコーティングされており、レーザ光は波線状のリッ
ジ導波路サイド１１５と１１６とで囲まれたリッジ導波
路１１４を中心に導波して低反射膜１１２がコーティン
グされた端面から高出力レーザ光が出射される。なお、
この半導体レーザの素子長は１．２ｍｍであり、波線状
のリッジ導波路サイド１１５と１１６はドライエッチン
グにより溝を形成して作製したものである。
すように、光出射側の端面には反射率２％の低反射膜１
１２を、反対側の端面には反射率８０％の高反射膜１１
３がコーティングされており、レーザ光は波線状のリッ
ジ導波路サイド１１５と１１６とで囲まれたリッジ導波
路１１４を中心に導波して低反射膜１１２がコーティン
グされた端面から高出力レーザ光が出射される。なお、
この半導体レーザの素子長は１．２ｍｍであり、波線状
のリッジ導波路サイド１１５と１１６はドライエッチン
グにより溝を形成して作製したものである。
【００１９】すなわち、この半導体レーザは、第１の光
ガイド層１０２と活性層１０１と第２の光ガイド層１０
３とを積層して光導波路を構成し、光ガイド層１０３の
上に設けたキャップ層１０７と第２のクラッド層１０５
に半導体レーザの端面の法線方向に連なる複数の溝から
なる波線状のリッジ導波路サイド１１５と１１６を形成
し、この溝と溝に挟まれるリッジ領域からの放熱効率を
向上させることとしたものである。
ガイド層１０２と活性層１０１と第２の光ガイド層１０
３とを積層して光導波路を構成し、光ガイド層１０３の
上に設けたキャップ層１０７と第２のクラッド層１０５
に半導体レーザの端面の法線方向に連なる複数の溝から
なる波線状のリッジ導波路サイド１１５と１１６を形成
し、この溝と溝に挟まれるリッジ領域からの放熱効率を
向上させることとしたものである。
【００２０】なお、図１では、リッジ導波路１１４の両
サイドに複数の溝からなる溝領域（すなわち、波線状の
リッジ導波路サイド１１５および１１６）を形成するこ
ととしているが、何れか一方のリッジ導波路サイドのみ
を波線状のリッジ導波路サイドとし、他方を単一の溝か
らなる直線状のリッジ導波路サイドとすることとしても
よい。
サイドに複数の溝からなる溝領域（すなわち、波線状の
リッジ導波路サイド１１５および１１６）を形成するこ
ととしているが、何れか一方のリッジ導波路サイドのみ
を波線状のリッジ導波路サイドとし、他方を単一の溝か
らなる直線状のリッジ導波路サイドとすることとしても
よい。
【００２１】また、半導体レーザの発熱量はその端面か
らの距離によって異なってくるため、放熱量と発熱量と
のバランスをとるために、形成する溝の深さを半導体レ
ーザの端面からの距離に応じて異なることとしてもよ
い。この場合、端面付近での発熱量は比較的大きくなり
やすいため半導体レーザの端面付近の溝を浅く形成して
放熱効率を高めることが好ましい。
らの距離によって異なってくるため、放熱量と発熱量と
のバランスをとるために、形成する溝の深さを半導体レ
ーザの端面からの距離に応じて異なることとしてもよ
い。この場合、端面付近での発熱量は比較的大きくなり
やすいため半導体レーザの端面付近の溝を浅く形成して
放熱効率を高めることが好ましい。
【００２２】さらに、半導体レーザの端面には高密度の
表面準位が存在し、この準位を介して非発光再結合電流
が流れることが知られており、これにより、端面近傍の
注入キャリア密度はレーザ内部に比較して低くなり光吸
収が生じる。この光吸収は端面近傍の半導体温度を上昇
させてバンドギャップを縮小させるため、レーザの端面
近傍では光吸収による発熱が生じ易い。レーザの端面が
リッジ加工されている場合には放熱が空気によってブロ
ックされるため、端面がリッジ加工されていないレーザ
に比べて放熱効率が低くなる。従って、レーザの端面に
はリッジ加工を施さない構造とすることが好ましい。
表面準位が存在し、この準位を介して非発光再結合電流
が流れることが知られており、これにより、端面近傍の
注入キャリア密度はレーザ内部に比較して低くなり光吸
収が生じる。この光吸収は端面近傍の半導体温度を上昇
させてバンドギャップを縮小させるため、レーザの端面
近傍では光吸収による発熱が生じ易い。レーザの端面が
リッジ加工されている場合には放熱が空気によってブロ
ックされるため、端面がリッジ加工されていないレーザ
に比べて放熱効率が低くなる。従って、レーザの端面に
はリッジ加工を施さない構造とすることが好ましい。
【００２３】図２は、図１に示した構造の半導体レーザ
の出力特性を図３に示した従来構造の半導体レーザの出
力特性と比較した図で、本発明の半導体レーザの光出力
は、駆動電流５００ｍＡ程度までは従来構造の半導体レ
ーザの光出力と同程度でありその閾値電流もほぼ同じ値
を示しているが、５００ｍＡ以上の駆動電流を流した状
態で従来構造の半導体レーザに比較して高い光出力が得
られる。これは、本発明の半導体レーザの接合温度が従
来構造の半導体レーザの接合温度に比べて低くなってい
ることに起因するものと解釈される。なお、本発明の半
導体レーザの横モードは３００ｍＷまで単一横モードで
安定しており、利得導波路構造の素子のような横モード
の不安定さは認められなかった。
の出力特性を図３に示した従来構造の半導体レーザの出
力特性と比較した図で、本発明の半導体レーザの光出力
は、駆動電流５００ｍＡ程度までは従来構造の半導体レ
ーザの光出力と同程度でありその閾値電流もほぼ同じ値
を示しているが、５００ｍＡ以上の駆動電流を流した状
態で従来構造の半導体レーザに比較して高い光出力が得
られる。これは、本発明の半導体レーザの接合温度が従
来構造の半導体レーザの接合温度に比べて低くなってい
ることに起因するものと解釈される。なお、本発明の半
導体レーザの横モードは３００ｍＷまで単一横モードで
安定しており、利得導波路構造の素子のような横モード
の不安定さは認められなかった。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、リ
ッジ導波路サイドの溝を波線状に形成することとしたの
で、溝を有しないリッジ導波路サイド領域から有効に放
熱させることが可能となり、リーク電流を抑制し横モー
ドの安定性を高めた高出力のリッジ導波路型の半導体レ
ーザを提供することが可能となる。
ッジ導波路サイドの溝を波線状に形成することとしたの
で、溝を有しないリッジ導波路サイド領域から有効に放
熱させることが可能となり、リーク電流を抑制し横モー
ドの安定性を高めた高出力のリッジ導波路型の半導体レ
ーザを提供することが可能となる。
【図１】本発明のリッジ導波路型の高出力半導体レーザ
の構造を説明するための図で、（ａ）は上面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ´における断面図、（ｃ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ´における断面図である。
の構造を説明するための図で、（ａ）は上面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ´における断面図、（ｃ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ´における断面図である。
【図２】図１に示した構造の半導体レーザの出力特性を
図３に示した従来構造の半導体レーザの出力特性と比較
した図である。
図３に示した従来構造の半導体レーザの出力特性と比較
した図である。
【図３】リッジ導波路型高出力ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸レーザの従来の構造を説明するための図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´における断
面図である。
歪量子井戸レーザの従来の構造を説明するための図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´における断
面図である。
１０１、３０１ 歪量子井戸活性層
１０２、３０２ 第１の光ガイド層
１０３、３０３ 第２の光ガイド層
１０４、３０４ 第１のクラッド層
１０５、３０５ 第２のクラッド層
１０６、３０６ バッファ層
１０７、３０７ キャップ層
１０８、３０８ 基板
１０９、３０９ 絶縁膜
１１０、３１０ ｎ電極
１１１、３１１ ｐ電極
１１２、３１２ 低反射膜
１１３、３１３ 高反射膜
１１４、３１４ リッジ導波路
１１５、１１６、３１５、３１６ リッジ導波路サイド
溝
溝
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の光ガイド層と活性層と第２の光ガ
イド層とを積層して構成した光導波路と、当該光導波路
の積層方向の下面および上面に設けられた第１および第
２のクラッド層と、当該第２のクラッド層上に積層され
たキャップ層とを備える半導体レーザであって、 前記キャップ層と前記第２のクラッド層には、前記半導
体レーザの端面の法線方向に形成された少なくとも１つ
の溝を有する２つの溝領域によってリッジ領域が設けら
れており、 当該リッジ領域を挟む両サイドの溝領域の少なくとも一
方は、前記リッジ領域が延在する方向に連なる複数の溝
から構成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記溝の深さが、前記半導体レーザの端
面からの距離に応じて異なることを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記溝は、前記半導体レーザの端面付近
で浅く形成されていることを特徴とする請求項２に記載
の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記半導体レーザの端面には、前記リッ
ジ領域を設けられていないことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139105A JP2003332690A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2013509696A (ja) * | 2009-10-30 | 2013-03-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光型半導体レーザ |
-
2002
- 2002-05-14 JP JP2002139105A patent/JP2003332690A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013509696A (ja) * | 2009-10-30 | 2013-03-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光型半導体レーザ |
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| KR101772240B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-08-28 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 모서리 방출 반도체 레이저 |
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