JP2003332645A - 超電導複合磁気シールド体 - Google Patents
超電導複合磁気シールド体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄肉の超電導多層円筒において、円筒内部に
磁場が侵入しにくい超電導磁気シールド体を提供する。 【解決手段】 超電導板に入れられたスリットで挟まれ
た部分を交互に半円形に折り曲げることによって作られ
た磁気シールド体の外側に、金属系超電導材料とＩＡＣ
Ｓ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電
導多層板を１巻き以上、同磁気シールド体を囲むように
隣接して配置することを特徴とする超電導複合磁気シー
ルド体。
磁場が侵入しにくい超電導磁気シールド体を提供する。 【解決手段】 超電導板に入れられたスリットで挟まれ
た部分を交互に半円形に折り曲げることによって作られ
た磁気シールド体の外側に、金属系超電導材料とＩＡＣ
Ｓ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電
導多層板を１巻き以上、同磁気シールド体を囲むように
隣接して配置することを特徴とする超電導複合磁気シー
ルド体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲＩ（磁気共鳴
医療画像診断装置）、リニアモーターカーのほか、実験
用超電導機器・装置において使用される軽量の磁気シー
ルドに関するものであり、円筒内部に磁場が侵入しにく
い磁気シールド体を提供するものである。
医療画像診断装置）、リニアモーターカーのほか、実験
用超電導機器・装置において使用される軽量の磁気シー
ルドに関するものであり、円筒内部に磁場が侵入しにく
い磁気シールド体を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】超電導多層板に入れたスリットで挟まれ
た部分を交互に半円形に折り曲げることによって作られ
た磁気シールド体が、特開平７−２２２４３０号公報に
記載されている。この方法によれば、円筒形状の磁気シ
ールド体を深絞り加工を行わずに提供できるため、高価
な金型が不要であり、かつ深絞り加工後の底部の切捨て
が不要であるため歩留落ちが少く、低コストの磁気シー
ルド体が期待されている。
た部分を交互に半円形に折り曲げることによって作られ
た磁気シールド体が、特開平７−２２２４３０号公報に
記載されている。この方法によれば、円筒形状の磁気シ
ールド体を深絞り加工を行わずに提供できるため、高価
な金型が不要であり、かつ深絞り加工後の底部の切捨て
が不要であるため歩留落ちが少く、低コストの磁気シー
ルド体が期待されている。
【０００３】また、少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高
導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉと前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
する超電導多層板の製造方法において、温度５００〜１
０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を施した後、
加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜４５０℃の
温度で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱処理
と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を６回
以下交互に繰り返して施して、板状または箔状とした
後、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜１０００
時間の熱処理を施し、さらに３０〜９０％の冷間圧延を
施すことにより臨界電流密度Ｊｃが飛躍的に向上すると
いう技術、及び、該ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層
中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以
上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間隔が１ｎｍ以上、５
００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が
３％以上、５０％以下の常電導析出物が存在するＮｂＴ
ｉ超電導多層板が、特開平９−３１０１６１号公報で示
されている。
導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉと前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
する超電導多層板の製造方法において、温度５００〜１
０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を施した後、
加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜４５０℃の
温度で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱処理
と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を６回
以下交互に繰り返して施して、板状または箔状とした
後、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜１０００
時間の熱処理を施し、さらに３０〜９０％の冷間圧延を
施すことにより臨界電流密度Ｊｃが飛躍的に向上すると
いう技術、及び、該ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層
中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以
上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間隔が１ｎｍ以上、５
００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が
３％以上、５０％以下の常電導析出物が存在するＮｂＴ
ｉ超電導多層板が、特開平９−３１０１６１号公報で示
されている。
【０００４】この公報で示された超電導多層板のＪｃ
（圧延方向に採取した試料でかつ、磁場を板に平行に印
加した場合）は、従来５テスラにおいて約７×１０8 Ａ
／ｍ2と低かったのに対し、１０×１０8 Ａ／ｍ2 以上
まで向上している。ある磁束密度Ｂの磁場下において臨
界電流密度がＪｃ、超電導体の厚さがｄであるとき、シ
ールド可能な磁場の大きさは、おおよそμ0 ・Ｊｃ・ｄ
で表せるため、Ｊｃが大きいほど、また超電導体の厚さ
ｄが大きいほど、大きな磁場をシールドすることが出来
ることになる。したがって特開平９−３１０１６１号公
報に示された超電導多層板を深絞り加工して作った継目
なし超電導円筒では、薄肉でも大きな磁場のシールドが
期待されている。
（圧延方向に採取した試料でかつ、磁場を板に平行に印
加した場合）は、従来５テスラにおいて約７×１０8 Ａ
／ｍ2と低かったのに対し、１０×１０8 Ａ／ｍ2 以上
まで向上している。ある磁束密度Ｂの磁場下において臨
界電流密度がＪｃ、超電導体の厚さがｄであるとき、シ
ールド可能な磁場の大きさは、おおよそμ0 ・Ｊｃ・ｄ
で表せるため、Ｊｃが大きいほど、また超電導体の厚さ
ｄが大きいほど、大きな磁場をシールドすることが出来
ることになる。したがって特開平９−３１０１６１号公
報に示された超電導多層板を深絞り加工して作った継目
なし超電導円筒では、薄肉でも大きな磁場のシールドが
期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−２２２４３０号公報に記載されている磁気シールド
円筒の磁気シールド特性は、円筒内部へ磁場が入り始め
るときの磁場の大きさが小さいこと、すなわち低い磁場
から円筒内部に磁場が入り込んでしまうという問題と、
印加磁場を増大してゆく過程で、超電導状態が一時的に
破れる現象、すなわちフラックスジャンプが頻繁に起こ
るという問題があった。
７−２２２４３０号公報に記載されている磁気シールド
円筒の磁気シールド特性は、円筒内部へ磁場が入り始め
るときの磁場の大きさが小さいこと、すなわち低い磁場
から円筒内部に磁場が入り込んでしまうという問題と、
印加磁場を増大してゆく過程で、超電導状態が一時的に
破れる現象、すなわちフラックスジャンプが頻繁に起こ
るという問題があった。
【０００６】また、特開平９−３１０１６１号公報に示
された超電導多層板からなる磁気シールド円筒にも、低
い磁場から円筒内部に磁場が入り込んでしまうという問
題があった。例えば、厚さ１ｍｍで時効熱処理した後、
０．５ｍｍまで圧延した超電導多層板を深絞り加工する
という、同公報に示された方法により製造された円筒Ｘ
と、厚さ１ｍｍの時効熱処理材を深絞り加工して作製し
た円筒Ｙの磁気シールド特性を比較した結果を図１に示
す。円筒Ｘ（図１の１）は高Ｊｃ化されているので、肉
厚が薄いにも関わらず、２．５テスラ以上の高磁場側で
はシールドできる磁場は大きいのに対し、２．５テスラ
以下の低磁場側でのシールド性能が円筒Ｙ（図１の２）
と比較して劣っており、円筒内部への磁場が入り始める
ときの磁場の大きさが小さい。すなわちこれは、完全磁
気シールドできる磁場の大きさが小さいこと、低い磁場
から円筒内部に磁場が入り込んでしまうことを意味す
る。
された超電導多層板からなる磁気シールド円筒にも、低
い磁場から円筒内部に磁場が入り込んでしまうという問
題があった。例えば、厚さ１ｍｍで時効熱処理した後、
０．５ｍｍまで圧延した超電導多層板を深絞り加工する
という、同公報に示された方法により製造された円筒Ｘ
と、厚さ１ｍｍの時効熱処理材を深絞り加工して作製し
た円筒Ｙの磁気シールド特性を比較した結果を図１に示
す。円筒Ｘ（図１の１）は高Ｊｃ化されているので、肉
厚が薄いにも関わらず、２．５テスラ以上の高磁場側で
はシールドできる磁場は大きいのに対し、２．５テスラ
以下の低磁場側でのシールド性能が円筒Ｙ（図１の２）
と比較して劣っており、円筒内部への磁場が入り始める
ときの磁場の大きさが小さい。すなわちこれは、完全磁
気シールドできる磁場の大きさが小さいこと、低い磁場
から円筒内部に磁場が入り込んでしまうことを意味す
る。
【０００７】本発明は、超電導多層板に入れたスリット
で挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げることによっ
て作られた磁気シールド体や、薄肉の超電導多層円筒に
おいて、円筒内部に磁場が侵入しにくい超電導磁気シー
ルド体を提供することを目的とする。
で挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げることによっ
て作られた磁気シールド体や、薄肉の超電導多層円筒に
おいて、円筒内部に磁場が侵入しにくい超電導磁気シー
ルド体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の要旨とするところは、以下のとおりであ
る。 （１）第１の発明は、超電導板に入れられたスリットで
挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げることによって
作られた磁気シールド体の外側に、金属系超電導材料と
ＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からな
る超電導多層板を１巻き以上、同磁気シールド体を囲む
ように隣接して配置することを特徴とする超電導複合磁
気シールド体である。 （２）第２の発明は、前記超電導板が、Ｎｂ層またはＴ
ａ層を介してＮｂＴｉ合金層とＩＡＣＳ８０％以上の良
電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互に２以上積
層した構造を有するＮｂＴｉ超電導多層板であって、該
ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に
板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下、板厚方向の間隔が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、Ｎ
ｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が３％以上、５０％
以下の常電導析出物が存在するＮｂＴｉ超電導多層板か
らなることを特徴とする、前記（１）に記載の超電導複
合磁気シールド体である。 （３）第３の発明は、Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂ
Ｔｉ合金層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料か
らなる常電導金属層が交互に２層以上積層した構造を有
するＮｂＴｉ超電導多層板であって、該ＮｂＴｉ超電導
多層板のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、
かつ厚さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間
隔が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体
に対する体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出
物が存在するＮｂＴｉ超電導多層板から作製した継目な
し超電導多層管の外側に、金属系超電導材料とIACS８０
％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電導多層
板を、前記超電導多層管を囲むように隣接して配置する
ことを特徴とする超電導複合磁気シールド体である。
に、本発明の要旨とするところは、以下のとおりであ
る。 （１）第１の発明は、超電導板に入れられたスリットで
挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げることによって
作られた磁気シールド体の外側に、金属系超電導材料と
ＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からな
る超電導多層板を１巻き以上、同磁気シールド体を囲む
ように隣接して配置することを特徴とする超電導複合磁
気シールド体である。 （２）第２の発明は、前記超電導板が、Ｎｂ層またはＴ
ａ層を介してＮｂＴｉ合金層とＩＡＣＳ８０％以上の良
電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互に２以上積
層した構造を有するＮｂＴｉ超電導多層板であって、該
ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に
板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下、板厚方向の間隔が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、Ｎ
ｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が３％以上、５０％
以下の常電導析出物が存在するＮｂＴｉ超電導多層板か
らなることを特徴とする、前記（１）に記載の超電導複
合磁気シールド体である。 （３）第３の発明は、Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂ
Ｔｉ合金層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料か
らなる常電導金属層が交互に２層以上積層した構造を有
するＮｂＴｉ超電導多層板であって、該ＮｂＴｉ超電導
多層板のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、
かつ厚さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間
隔が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体
に対する体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出
物が存在するＮｂＴｉ超電導多層板から作製した継目な
し超電導多層管の外側に、金属系超電導材料とIACS８０
％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電導多層
板を、前記超電導多層管を囲むように隣接して配置する
ことを特徴とする超電導複合磁気シールド体である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に発明の詳細を説明する。図
２（ａ）に示すように，超電導多層板ａに端部ｂを残し
てスリットｃを入れ、スリットｃで挟まれた帯体部分ｄ
を、図２（ｂ）に示すように交互に半円形に折り曲げる
ことによって作られた磁気シールド体３は、平板から円
筒形状の磁気シールド体が作製できる画期的方法である
が、スリットの部分に超電導電流が流れないため、円筒
端部付近の角度を持った磁場に対しては、十分な磁気シ
ールドができず、内部への磁場の侵入が起こりやすく、
かつ超電導状態が一時的に破れるフラックスジャンプ現
象が起こりやすい。これは、本超電導多層板において、
印加磁場が板に平行な場合にはＪｃが高いが、板に垂直
な場合にはＪｃが低いことと関係する。
２（ａ）に示すように，超電導多層板ａに端部ｂを残し
てスリットｃを入れ、スリットｃで挟まれた帯体部分ｄ
を、図２（ｂ）に示すように交互に半円形に折り曲げる
ことによって作られた磁気シールド体３は、平板から円
筒形状の磁気シールド体が作製できる画期的方法である
が、スリットの部分に超電導電流が流れないため、円筒
端部付近の角度を持った磁場に対しては、十分な磁気シ
ールドができず、内部への磁場の侵入が起こりやすく、
かつ超電導状態が一時的に破れるフラックスジャンプ現
象が起こりやすい。これは、本超電導多層板において、
印加磁場が板に平行な場合にはＪｃが高いが、板に垂直
な場合にはＪｃが低いことと関係する。
【００１０】図３に示すように、軸に平行に印加された
磁場中４に継目なしの超電導円筒５をおいた場合、超電
導円筒には周方向にシールド電流６が流れ、円筒端部付
近の磁場は、図３中に示すように超電導円筒５を避ける
ため、円筒に対して平行ではなく角度を持って円筒内に
入射する（第２種超伝導体であるため磁場は超伝導体に
侵入する）。超電導多層板はこの角度を持った磁場に対
してはＪｃが低いため、円筒端部における磁気シールド
性能が若干低下し、比較的小さい磁場でも円筒に侵入し
始めるのである。
磁場中４に継目なしの超電導円筒５をおいた場合、超電
導円筒には周方向にシールド電流６が流れ、円筒端部付
近の磁場は、図３中に示すように超電導円筒５を避ける
ため、円筒に対して平行ではなく角度を持って円筒内に
入射する（第２種超伝導体であるため磁場は超伝導体に
侵入する）。超電導多層板はこの角度を持った磁場に対
してはＪｃが低いため、円筒端部における磁気シールド
性能が若干低下し、比較的小さい磁場でも円筒に侵入し
始めるのである。
【００１１】ここで、図４に示すように、本磁気シール
ド体３の外側に、金属系超電導材料と導電率（ＩＡＣ
Ｓ）８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超
電導多層板７を１巻き以上、同磁気シールド体３を囲む
ように隣接して配置すると、円筒端部付近の角度を持っ
た磁場の垂直成分がシールドされ、平行成分は円筒形状
の磁気シールド体にシールドされるため、内部へ磁場が
侵入しにくい磁気シールド体を得ることができる。磁気
シールド体３または５の外側に超電導多層板７を巻くよ
うに配置すると、図５に示すように、超電導多層板７に
は超電導電流８が流れるため、板に対して角度を持った
磁場の垂直成分がシールドされる。その結果、内部に磁
場が侵入しにくく、かつフラックスジャンプ現象が起こ
りにくい複合磁気シールド体が得られる。
ド体３の外側に、金属系超電導材料と導電率（ＩＡＣ
Ｓ）８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超
電導多層板７を１巻き以上、同磁気シールド体３を囲む
ように隣接して配置すると、円筒端部付近の角度を持っ
た磁場の垂直成分がシールドされ、平行成分は円筒形状
の磁気シールド体にシールドされるため、内部へ磁場が
侵入しにくい磁気シールド体を得ることができる。磁気
シールド体３または５の外側に超電導多層板７を巻くよ
うに配置すると、図５に示すように、超電導多層板７に
は超電導電流８が流れるため、板に対して角度を持った
磁場の垂直成分がシールドされる。その結果、内部に磁
場が侵入しにくく、かつフラックスジャンプ現象が起こ
りにくい複合磁気シールド体が得られる。
【００１２】磁気シールド体の外側に巻きつける超電導
多層板の超電導材料は、十分な可撓性が必要なためＮｂ
Ｔｉ，ＮｂＴａ，ＮｂＨｆ，ＮｂＺｒ等の金属系超電導
材料が適している。中でも、ＮｂＴｉ合金が汎用の超電
導材料として一般的に入手し易いため、工業用材料とし
て使用するには最も適している。超電導材料と良電気伝
導性材料の複合体とするのは、超電導安定性を高めるた
めであり、超電導状態を破れにくくするためである。両
者の複合体としないと、部分的に破れた超電導が復帰で
きないのに対して、複合体にすると、超電導が部分的に
破れても、電流が一時的に良電気伝導性材料を流れてい
る間に、超電導状態に復帰することが可能となる。
多層板の超電導材料は、十分な可撓性が必要なためＮｂ
Ｔｉ，ＮｂＴａ，ＮｂＨｆ，ＮｂＺｒ等の金属系超電導
材料が適している。中でも、ＮｂＴｉ合金が汎用の超電
導材料として一般的に入手し易いため、工業用材料とし
て使用するには最も適している。超電導材料と良電気伝
導性材料の複合体とするのは、超電導安定性を高めるた
めであり、超電導状態を破れにくくするためである。両
者の複合体としないと、部分的に破れた超電導が復帰で
きないのに対して、複合体にすると、超電導が部分的に
破れても、電流が一時的に良電気伝導性材料を流れてい
る間に、超電導状態に復帰することが可能となる。
【００１３】良電気伝導性材料がＩＡＣＳ８０％以上と
したのは、それ未満であると十分な超電導安定性が得ら
れず、フラックスジャンプ現象を誘発してしまうためで
ある。良電気伝導性材料としては、銅や銅合金、アルミ
やアルミ合金、銀や銀合金などが適している。ＮｂＴｉ
と良電気伝導性材料を積層する場合、製造工程で熱を加
えたときにＮｂＴｉ中のＴｉが拡散して良電気伝導性材
料層と金属間化合物を作り、加工性に影響を与えるのを
防ぐため、Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合金層
と良電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互に積層
する。
したのは、それ未満であると十分な超電導安定性が得ら
れず、フラックスジャンプ現象を誘発してしまうためで
ある。良電気伝導性材料としては、銅や銅合金、アルミ
やアルミ合金、銀や銀合金などが適している。ＮｂＴｉ
と良電気伝導性材料を積層する場合、製造工程で熱を加
えたときにＮｂＴｉ中のＴｉが拡散して良電気伝導性材
料層と金属間化合物を作り、加工性に影響を与えるのを
防ぐため、Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合金層
と良電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互に積層
する。
【００１４】超電導安定性（超電導が破れにくいこと）
を高めるためには、超電導材料と高導電金属層の複合化
が必要なため、２層以上の積層が必要であるが、層数と
してはあまり多くすると１層の層厚が薄くなり均一な加
工が難しくなるため、実際的には１００層以下程度が好
ましい。１巻き以上としたのは、１巻き未満では、継目
なし超電導多層管が露出し、シールド電流が低下してし
まうためである。１巻き以上あれば効果はあるが、超電
導多層管の径に対する長さの比が小さい場合などは、巻
き数を多くすることによって、多層管の軸に垂直な磁場
成分のシールドをより十分にすることができる。また、
継目なし超電導多層管の外側に配置する超電導多層板の
位置は、全体を覆うようにするだけでも効果があるが、
継目なし超電導円筒の端部よりも出っ張っている方が、
円筒端部付近の磁場を平行にする効果は高い。
を高めるためには、超電導材料と高導電金属層の複合化
が必要なため、２層以上の積層が必要であるが、層数と
してはあまり多くすると１層の層厚が薄くなり均一な加
工が難しくなるため、実際的には１００層以下程度が好
ましい。１巻き以上としたのは、１巻き未満では、継目
なし超電導多層管が露出し、シールド電流が低下してし
まうためである。１巻き以上あれば効果はあるが、超電
導多層管の径に対する長さの比が小さい場合などは、巻
き数を多くすることによって、多層管の軸に垂直な磁場
成分のシールドをより十分にすることができる。また、
継目なし超電導多層管の外側に配置する超電導多層板の
位置は、全体を覆うようにするだけでも効果があるが、
継目なし超電導円筒の端部よりも出っ張っている方が、
円筒端部付近の磁場を平行にする効果は高い。
【００１５】Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合金
層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料からなる常
電導金属層が交互に２層以上積層した構造を有するＮｂ
Ｔｉ超電導多層板であって、該ＮｂＴｉ超電導多層板の
ＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さ
が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間隔が１ｎ
ｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する
体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出物が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板は、特開平９−３１０１６１
号公報に記載されているように、印加磁場が板に平行な
磁場に対するピン止め効率が高く、臨界電流密度Ｊｃが
高い。
層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料からなる常
電導金属層が交互に２層以上積層した構造を有するＮｂ
Ｔｉ超電導多層板であって、該ＮｂＴｉ超電導多層板の
ＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さ
が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間隔が１ｎ
ｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する
体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出物が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板は、特開平９−３１０１６１
号公報に記載されているように、印加磁場が板に平行な
磁場に対するピン止め効率が高く、臨界電流密度Ｊｃが
高い。
【００１６】しかし、印加磁場が板に垂直な場合のＪｃ
は逆に低下してしまう。したがって、本多層板を深絞り
加工した継目なし多層管は、先に述べたのと同じ理由
で、円筒内部に磁場が侵入し易いという問題が生じるの
である。ここで継目なし多層管の外側に、金属系超電導
材料とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体
からなる超電導多層板を、同多層管を囲むように隣接し
て配置すると、多層管端部付近の軸に対して角度を有す
る磁場の垂直成分がシールドされて、継目なし多層管内
部へ磁場が侵入しにくくなる。このとき、継目なし超電
導円筒の外側に配置する超電導多層板の位置は、全体を
覆うようにするだけでも効果があるが、継目なし超電導
円筒の端部よりも出っ張っている方が、円筒端部付近の
磁場を平行にする効果は高い。また、継目なし超電導円
筒全体を覆わなくても円筒端部付近に配置するだけでも
効果がある。
は逆に低下してしまう。したがって、本多層板を深絞り
加工した継目なし多層管は、先に述べたのと同じ理由
で、円筒内部に磁場が侵入し易いという問題が生じるの
である。ここで継目なし多層管の外側に、金属系超電導
材料とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体
からなる超電導多層板を、同多層管を囲むように隣接し
て配置すると、多層管端部付近の軸に対して角度を有す
る磁場の垂直成分がシールドされて、継目なし多層管内
部へ磁場が侵入しにくくなる。このとき、継目なし超電
導円筒の外側に配置する超電導多層板の位置は、全体を
覆うようにするだけでも効果があるが、継目なし超電導
円筒の端部よりも出っ張っている方が、円筒端部付近の
磁場を平行にする効果は高い。また、継目なし超電導円
筒全体を覆わなくても円筒端部付近に配置するだけでも
効果がある。
【００１７】継目なし多層管を構成する超電導多層板に
おいて、常電導析出物の厚さを１ｎｍ以上としたのは、
これより小さいとＮｂＴｉの超電導と常電導界面の領域
の大きさよりも小さくなるためであり、常電導析出物の
厚さを１００ｎｍ以下としたのは、これより大きいと磁
束量子の間隔より大きくなり常電導析出物中に磁束量子
が何本も入って十分なピン止めが成されないためであ
る。常電導析出物同士の間隔を１ｎｍ以上としたのは、
これより小さいと磁束量子の間隔にピン止めに寄与しな
い常電導析出物が多く存在することになって、非効率で
あるためであり、常電導析出物同士の間隔を５００ｎｍ
以下としたのは、これ以上離れるとピン止めされない磁
束量子の数が多くなりすぎるためである。常電導析出物
のＮｂＴｉ層中の体積分率を３％以上としたのは、これ
よりも小さいと磁束量子を十分ピン止めできないためで
あり、５０％以下としたのは、これよりも大きいと超電
導の断面積が小さくなって、臨界電流密度が上昇しても
意味がなくなるからである。
おいて、常電導析出物の厚さを１ｎｍ以上としたのは、
これより小さいとＮｂＴｉの超電導と常電導界面の領域
の大きさよりも小さくなるためであり、常電導析出物の
厚さを１００ｎｍ以下としたのは、これより大きいと磁
束量子の間隔より大きくなり常電導析出物中に磁束量子
が何本も入って十分なピン止めが成されないためであ
る。常電導析出物同士の間隔を１ｎｍ以上としたのは、
これより小さいと磁束量子の間隔にピン止めに寄与しな
い常電導析出物が多く存在することになって、非効率で
あるためであり、常電導析出物同士の間隔を５００ｎｍ
以下としたのは、これ以上離れるとピン止めされない磁
束量子の数が多くなりすぎるためである。常電導析出物
のＮｂＴｉ層中の体積分率を３％以上としたのは、これ
よりも小さいと磁束量子を十分ピン止めできないためで
あり、５０％以下としたのは、これよりも大きいと超電
導の断面積が小さくなって、臨界電流密度が上昇しても
意味がなくなるからである。
【００１８】図２に示すような、超電導板に設けたスリ
ットで挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げてなる磁
気シールド体を構成する材料としては、薄くてＪｃが高
いものが加工性の観点から適している。この点で、Ｎｂ
層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合金層とＩＡＣＳ８０
％以上の良電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互
に２層以上積層した構造を有するＮｂＴｉ超電導多層板
であって、該ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層中に、
板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以上、１
００ｎｍ以下、板圧方向の間隔が１ｎｍ以上、５００ｎ
ｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が３％以
上、５０％以下の常電導析出物が存在するＮｂＴｉ超電
導多層板は、その材料として適している。
ットで挟まれた部分を交互に半円形に折り曲げてなる磁
気シールド体を構成する材料としては、薄くてＪｃが高
いものが加工性の観点から適している。この点で、Ｎｂ
層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合金層とＩＡＣＳ８０
％以上の良電気伝導性材料からなる常電導金属層が交互
に２層以上積層した構造を有するＮｂＴｉ超電導多層板
であって、該ＮｂＴｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層中に、
板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以上、１
００ｎｍ以下、板圧方向の間隔が１ｎｍ以上、５００ｎ
ｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が３％以
上、５０％以下の常電導析出物が存在するＮｂＴｉ超電
導多層板は、その材料として適している。
【００１９】以上の場合において、継目なし超電導円筒
に巻きつける超電導多層板は、垂直成分の磁場をシール
ドする電流のループを小さくするため複数の小孔を開け
たり、網目状の加工を施しても差し支えない。
に巻きつける超電導多層板は、垂直成分の磁場をシール
ドする電流のループを小さくするため複数の小孔を開け
たり、網目状の加工を施しても差し支えない。
【００２０】
【実施例】［実施例１］側面厚さ２０ｍｍの無酸素銅製
の箱に、厚さ５０μｍのＮｂを介して厚さ１．０ｍｍの
ＮｂＴｉ３０枚と厚さ１．０ｍｍの無酸素銅を２９枚積
層し、厚さ１０ｍｍの無酸素銅で蓋をして真空中で電子
ビーム溶接して封止した。封止した銅の箱を８３０℃で
１時間加熱した直後に４０ｍｍの厚さまで圧延した。次
に本材料を３７０℃４時間で窒素ガス雰囲気中において
熱処理を行った後、厚さ２０ｍｍまで冷間圧延した。次
に本材を厚さ１０ｍｍ、５ｍｍと冷間圧延して行く途中
で３７０℃４時間の軟化熱処理を施し、さらに厚さ５ｍ
ｍから１ｍｍまで冷間圧延した。この厚さ１ｍｍの冷間
圧延後の多層板を便宜上多層板Ａとする。
の箱に、厚さ５０μｍのＮｂを介して厚さ１．０ｍｍの
ＮｂＴｉ３０枚と厚さ１．０ｍｍの無酸素銅を２９枚積
層し、厚さ１０ｍｍの無酸素銅で蓋をして真空中で電子
ビーム溶接して封止した。封止した銅の箱を８３０℃で
１時間加熱した直後に４０ｍｍの厚さまで圧延した。次
に本材料を３７０℃４時間で窒素ガス雰囲気中において
熱処理を行った後、厚さ２０ｍｍまで冷間圧延した。次
に本材を厚さ１０ｍｍ、５ｍｍと冷間圧延して行く途中
で３７０℃４時間の軟化熱処理を施し、さらに厚さ５ｍ
ｍから１ｍｍまで冷間圧延した。この厚さ１ｍｍの冷間
圧延後の多層板を便宜上多層板Ａとする。
【００２１】多層板Ａに３４０℃で７００時間の時効熱
処理を施した後、冷間圧延を施し厚さ０．５ｍｍとし
た。本多層板を多層板Ｂと呼ぶ。多層板Ｂの圧延方向断
面から見たＮｂＴｉ層中には、平均厚さ３５ｎｍ、平均
間隔１００ｎｍ、体積分率１０％の常電導Ｔｉ析出物が
あった。多層板Ｂを深絞り加工し、内径２５ｍｍ、高さ
５０ｍｍの継目なし多層円筒Ｂcyl を作製した。
処理を施した後、冷間圧延を施し厚さ０．５ｍｍとし
た。本多層板を多層板Ｂと呼ぶ。多層板Ｂの圧延方向断
面から見たＮｂＴｉ層中には、平均厚さ３５ｎｍ、平均
間隔１００ｎｍ、体積分率１０％の常電導Ｔｉ析出物が
あった。多層板Ｂを深絞り加工し、内径２５ｍｍ、高さ
５０ｍｍの継目なし多層円筒Ｂcyl を作製した。
【００２２】一方、多層板Ａをさらに厚さ０．２ｍｍま
で冷間圧延し、３４０℃７００時間の時効熱処理を施し
た。本多層板を多層板Ｃと呼ぶ。多層板Ｃから幅７０ｍ
ｍ、長さ２００ｍｍの長方形の板を切り取り、これを幅
方向の中央が円筒の長手方向の中央部と一致するように
継目なし多層円筒Ｂcyl の外側に巻きつけてカプトンテ
ープで留めて配置した。本複合円筒を円筒Ｄcyl と呼
ぶ。超電導複合円筒Ｄcyl を液体ヘリウムに浸漬し、超
電導複合円筒軸上中心部にホール素子を置いて、円筒軸
に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵入した磁場を計測
した。その結果を図６に示す。
で冷間圧延し、３４０℃７００時間の時効熱処理を施し
た。本多層板を多層板Ｃと呼ぶ。多層板Ｃから幅７０ｍ
ｍ、長さ２００ｍｍの長方形の板を切り取り、これを幅
方向の中央が円筒の長手方向の中央部と一致するように
継目なし多層円筒Ｂcyl の外側に巻きつけてカプトンテ
ープで留めて配置した。本複合円筒を円筒Ｄcyl と呼
ぶ。超電導複合円筒Ｄcyl を液体ヘリウムに浸漬し、超
電導複合円筒軸上中心部にホール素子を置いて、円筒軸
に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵入した磁場を計測
した。その結果を図６に示す。
【００２３】図６は、印加磁場Ｂex対してシールドでき
た磁場の大きさΔＢshをプロットしたものである。図中
の直線９は、印加磁場とシールド磁場が等しいことを示
す完全シールドのラインである。比較例の継目なし多層
円筒Ｂcyl 単独では、シールド磁場は０．７テスラ付近
で完全シールドラインから離れるが、本発明の超電導複
合円筒Ｄcyl では、約０．９テスラまでほぼ完全シール
ドできている。５テスラまでの磁場範囲において円筒Ｄ
cyl での方が良好な磁気シールドを示しており、磁場が
侵入しにくく高磁場側でもシールド磁場の大きい磁気シ
ールド体が得られた。
た磁場の大きさΔＢshをプロットしたものである。図中
の直線９は、印加磁場とシールド磁場が等しいことを示
す完全シールドのラインである。比較例の継目なし多層
円筒Ｂcyl 単独では、シールド磁場は０．７テスラ付近
で完全シールドラインから離れるが、本発明の超電導複
合円筒Ｄcyl では、約０．９テスラまでほぼ完全シール
ドできている。５テスラまでの磁場範囲において円筒Ｄ
cyl での方が良好な磁気シールドを示しており、磁場が
侵入しにくく高磁場側でもシールド磁場の大きい磁気シ
ールド体が得られた。
【００２４】［実施例２］実施例１で作製した継目なし
多層円筒Ｂcyl の円筒上端部および下端部に、実施例１
で作製した超電導多層板Ｃ（幅２０ｍｍ、長さ２００ｍ
ｍ）を円筒Ｂcylに幅方向の半分が掛かるように巻きつ
けて、カプトンテープで留めて配置した。本超電導複合
円筒をＥcyl と呼ぶ。超電導複合円筒Ｅcyl を液体ヘリ
ウムに浸漬し、超電導複合円筒軸上中心部にホール素子
を置いて、円筒軸に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵
入した磁場を計測した。
多層円筒Ｂcyl の円筒上端部および下端部に、実施例１
で作製した超電導多層板Ｃ（幅２０ｍｍ、長さ２００ｍ
ｍ）を円筒Ｂcylに幅方向の半分が掛かるように巻きつ
けて、カプトンテープで留めて配置した。本超電導複合
円筒をＥcyl と呼ぶ。超電導複合円筒Ｅcyl を液体ヘリ
ウムに浸漬し、超電導複合円筒軸上中心部にホール素子
を置いて、円筒軸に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵
入した磁場を計測した。
【００２５】その結果を実施例１の結果と共に図６に示
す。超電導複合円筒Ｅcyl のシールド磁場は、超電導複
合円筒Ｄcyl のシールド磁場とほぼ同等であり、約０．
９テスラまでほぼ完全シールドでき、磁場が侵入しにく
く高磁場側でもシールド磁場の大きい磁気シールド体が
得られた。実施例２では、継目なし超電導円筒に巻きつ
ける多層板Ｃを分割したが、分割するかどうかは材料費
と巻きつけ作業の手間等を勘案して適宜選択すればよ
い。
す。超電導複合円筒Ｅcyl のシールド磁場は、超電導複
合円筒Ｄcyl のシールド磁場とほぼ同等であり、約０．
９テスラまでほぼ完全シールドでき、磁場が侵入しにく
く高磁場側でもシールド磁場の大きい磁気シールド体が
得られた。実施例２では、継目なし超電導円筒に巻きつ
ける多層板Ｃを分割したが、分割するかどうかは材料費
と巻きつけ作業の手間等を勘案して適宜選択すればよ
い。
【００２６】［実施例３］実施例１で作製した超電導多
層板Ｂ（厚さ０．５ｍｍ×幅５４ｍｍ×長さ５０ｍｍ）
に、幅方向に６．２５ｍｍ間隔で長さ４０ｍｍのスリッ
トを７本入れ、スリットで挟まれた部分を交互に半円形
に折り曲げて、内径約２５ｍｍの円筒状磁気シールド体
を作製した。本円筒を円筒Ｆcyl と呼ぶ。円筒Ｆcyl の
耳の部分を円筒に沿うように折り曲げた後、実施例１で
作製した超電導多層板Ｃ（幅７０ｍｍ長さ２００ｍｍ）
を円筒Ｆcyl にの高さの中央部と多層板Ｃの幅方向中央
部が一致するように巻きつけて、カプトンテープで留め
て配置した。本超電導複合円筒をＧcyl と呼ぶ。
層板Ｂ（厚さ０．５ｍｍ×幅５４ｍｍ×長さ５０ｍｍ）
に、幅方向に６．２５ｍｍ間隔で長さ４０ｍｍのスリッ
トを７本入れ、スリットで挟まれた部分を交互に半円形
に折り曲げて、内径約２５ｍｍの円筒状磁気シールド体
を作製した。本円筒を円筒Ｆcyl と呼ぶ。円筒Ｆcyl の
耳の部分を円筒に沿うように折り曲げた後、実施例１で
作製した超電導多層板Ｃ（幅７０ｍｍ長さ２００ｍｍ）
を円筒Ｆcyl にの高さの中央部と多層板Ｃの幅方向中央
部が一致するように巻きつけて、カプトンテープで留め
て配置した。本超電導複合円筒をＧcyl と呼ぶ。
【００２７】超電導複合円筒Ｇcyl を液体ヘリウムに浸
漬し、超電導複合円筒軸上中心部にホール素子を置い
て、円筒軸に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵入した
磁場を計測した。比較例として、円筒Ｆcyl 単独の場合
も同様に計測した。その結果を図７に示す。図７は、印
加磁場Ｂexに対してシールドできた磁場の大きさΔＢsh
をプロットしたものである。図の直線９は、印加磁場と
シールド磁場が等しいことを示す完全シールドのライン
である。比較例の円筒Ｆcyl では、シールド磁場は約
０．３テスラ付近で完全シールドラインから離れるが、
本発明の超電導複合円筒Ｇcyl では、約０．４５テスラ
までほぼ完全シールドできている。５テスラまでの磁場
範囲において超電導複合円筒Ｇcyl の磁気シールドの方
が大きく、磁場が侵入しにくく高磁場側でもシールド磁
場の大きい磁気シールド体が得られた。
漬し、超電導複合円筒軸上中心部にホール素子を置い
て、円筒軸に平行な磁場を印加し、円筒内部に侵入した
磁場を計測した。比較例として、円筒Ｆcyl 単独の場合
も同様に計測した。その結果を図７に示す。図７は、印
加磁場Ｂexに対してシールドできた磁場の大きさΔＢsh
をプロットしたものである。図の直線９は、印加磁場と
シールド磁場が等しいことを示す完全シールドのライン
である。比較例の円筒Ｆcyl では、シールド磁場は約
０．３テスラ付近で完全シールドラインから離れるが、
本発明の超電導複合円筒Ｇcyl では、約０．４５テスラ
までほぼ完全シールドできている。５テスラまでの磁場
範囲において超電導複合円筒Ｇcyl の磁気シールドの方
が大きく、磁場が侵入しにくく高磁場側でもシールド磁
場の大きい磁気シールド体が得られた。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によって、薄
肉の超電導多層円筒において、円筒内部に侵入し始める
ときの磁場の大きさが大きい、すなわち円筒に磁場が侵
入しにくい超電導磁気シールド体を提供することが可能
となった。
肉の超電導多層円筒において、円筒内部に侵入し始める
ときの磁場の大きさが大きい、すなわち円筒に磁場が侵
入しにくい超電導磁気シールド体を提供することが可能
となった。
【図１】円筒ＸとＹの磁気シールド曲線を示す。
【図２】スリットで挟まれた部分を交互に半円形に折り
曲げることによって作られた磁気シールド体の模式図で
あり、（ａ）はスリットを入れた超電導多層板、（ｂ）
は筒状磁気シールド体を示す。
曲げることによって作られた磁気シールド体の模式図で
あり、（ａ）はスリットを入れた超電導多層板、（ｂ）
は筒状磁気シールド体を示す。
【図３】継目なし超電導円筒による磁気シールドを示す
模式図。
模式図。
【図４】スリットで挟まれた部分を交互に半円形に折り
曲げることによって成形した磁気シールド体に、超電導
板を巻きつけて配置した磁気シールド体の模式図。
曲げることによって成形した磁気シールド体に、超電導
板を巻きつけて配置した磁気シールド体の模式図。
【図５】継目なし超電導円筒に超電導板を巻きつけて配
置した磁気シールド体と、巻きつけた超電導板の展開図
を示す模式図。
置した磁気シールド体と、巻きつけた超電導板の展開図
を示す模式図。
【図６】実施例１，２のシールド磁場測定結果を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図７】実施例３のシールド磁場測定結果を示すグラ
フ。
フ。
１：最終時効熱処理後圧延を施した超電導多層板から作
製した厚さ０．５ｍｍの円筒Ｘの磁気シールド曲線 ２：最終時効熱処理ままの超電導多層板から作製した厚
さ１ｍｍの円筒Ｙの磁気シールド曲線 ３：超電導多層板に入れられたスリットで挟まれた部分
を交互に半円形に折り曲げることによって作られた磁気
シールド体 ４：磁束線 ５：継目なし超電導円筒 ６：継目なし超電導円筒５に流れるシールド電流 ７：超電導材料と良電気伝導性材料の両者の複合体から
なる超電導多層板 ８：７に流れるシールド電流 ９：完全シールドライン
製した厚さ０．５ｍｍの円筒Ｘの磁気シールド曲線 ２：最終時効熱処理ままの超電導多層板から作製した厚
さ１ｍｍの円筒Ｙの磁気シールド曲線 ３：超電導多層板に入れられたスリットで挟まれた部分
を交互に半円形に折り曲げることによって作られた磁気
シールド体 ４：磁束線 ５：継目なし超電導円筒 ６：継目なし超電導円筒５に流れるシールド電流 ７：超電導材料と良電気伝導性材料の両者の複合体から
なる超電導多層板 ８：７に流れるシールド電流 ９：完全シールドライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4C096 AB48 AD08 CA38
4M113 AD45 BA29 BA30 CA19 CA42
5H605 AA11 BB05 CC01 CC03 EA02
EA06 FF03 GG21
Claims (3)
- 【請求項１】 超電導板に入れられたスリットで挟まれ
た部分を交互に半円形に折り曲げることによって作られ
た磁気シールド体の外側に、金属系超電導材料とＩＡＣ
Ｓ８０％以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電
導多層板を１巻き以上、同磁気シールド体を囲むように
隣接して配置することを特徴とする超電導複合磁気シー
ルド体。 - 【請求項２】 前記超電導板が、Ｎｂ層またはＴａ層を
介してＮｂＴｉ合金層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝
導性材料からなる常電導金属層が交互に２層以上積層し
た構造を有するＮｂＴｉ超電導多層板であって、該Ｎｂ
Ｔｉ超電導多層板のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状
に析出し、かつ厚さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板
厚方向の間隔が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ
合金層全体に対する体積分率が３％以上、５０％以下の
常電導析出物が存在するＮｂＴｉ超電導多層板からなる
ことを特徴とする、請求項１に記載の超電導複合磁気シ
ールド体。 - 【請求項３】 Ｎｂ層またはＴａ層を介してＮｂＴｉ合
金層とＩＡＣＳ８０％以上の良電気伝導性材料からなる
常電導金属層が交互に２層以上積層した構造を有するＮ
ｂＴｉ超電導多層板であって、該ＮｂＴｉ超電導多層板
のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚
さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、板厚方向の間隔が１
ｎｍ以上、５００ｎｍ以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対す
る体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出物が存
在するＮｂＴｉ超電導多層板から作製した継目なし超電
導多層管の外側に、金属系超電導材料とＩＡＣＳ８０％
以上の良電気伝導性材料の複合体からなる超電導多層板
を、前記超電導多層管を囲むように隣接して配置するこ
とを特徴とする超電導複合磁気シールド体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140542A JP2003332645A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 超電導複合磁気シールド体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140542A JP2003332645A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 超電導複合磁気シールド体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332645A true JP2003332645A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29701400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002140542A Withdrawn JP2003332645A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 超電導複合磁気シールド体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003332645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104640426A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-05-20 | 北京原力辰超导技术有限公司 | 磁屏蔽装置 |
| JP2015532526A (ja) * | 2012-10-02 | 2015-11-09 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 超電導コイル装置とその製造方法 |
| KR101985358B1 (ko) * | 2018-02-19 | 2019-06-05 | 케이. 에이. 티. (주) | 초전도 마그네틱 쉴드 제조방법 |
-
2002
- 2002-05-15 JP JP2002140542A patent/JP2003332645A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| JP2015532526A (ja) * | 2012-10-02 | 2015-11-09 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 超電導コイル装置とその製造方法 |
| CN104640426A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-05-20 | 北京原力辰超导技术有限公司 | 磁屏蔽装置 |
| KR101985358B1 (ko) * | 2018-02-19 | 2019-06-05 | 케이. 에이. 티. (주) | 초전도 마그네틱 쉴드 제조방법 |
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