JP2003332365A - オーブン内で基板を移送する装置 - Google Patents
オーブン内で基板を移送する装置Info
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- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、小ロットでも、
かなりの程度まで自動に処理できるように種々の基板の
処理の場合に用意に設定できる位相装置を開発すること
にある。 【解決手段】 オーブン（３）内で基板（２）
を移送する装置（４）において、オーブン（３）は、床
（１０）と２つの側面（１１、１２）から形成される通
路（９）を有し、基板（２）は、移送方向（ｘ’）に通
路（９）内で移送され、通路（９）の床（１０）は、レ
ール（１４）を受容し、かつ移送方向（ｘ’）に案内す
る、１つの側面（１１）に沿って設けられる窪み（１
３）を有し、レール（１４）は、少なくとも１つの基板
（２）を受容するように設定される装置（４）であっ
て、レール（１４）を移送方向（ｘ’）に動かす駆動機
構をさらに備える装置（４）である。
かなりの程度まで自動に処理できるように種々の基板の
処理の場合に用意に設定できる位相装置を開発すること
にある。 【解決手段】 オーブン（３）内で基板（２）
を移送する装置（４）において、オーブン（３）は、床
（１０）と２つの側面（１１、１２）から形成される通
路（９）を有し、基板（２）は、移送方向（ｘ’）に通
路（９）内で移送され、通路（９）の床（１０）は、レ
ール（１４）を受容し、かつ移送方向（ｘ’）に案内す
る、１つの側面（１１）に沿って設けられる窪み（１
３）を有し、レール（１４）は、少なくとも１つの基板
（２）を受容するように設定される装置（４）であっ
て、レール（１４）を移送方向（ｘ’）に動かす駆動機
構をさらに備える装置（４）である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オーブン内で基板
を移送する装置に関する。
を移送する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの取付けの場合、作業中に
ハンダ接続部を経て半導体チップから生じる熱損失の有
効な放散を保証するために、半導体チップ、主に電力半
導体を軟質ハンダの手段により基板へ接続するのが通常
である。基板への半導体チップの取付けは、ハンダが溶
融する比較的高い温度で実施される。したがって移送装
置へは、高度の要求がなされる。
ハンダ接続部を経て半導体チップから生じる熱損失の有
効な放散を保証するために、半導体チップ、主に電力半
導体を軟質ハンダの手段により基板へ接続するのが通常
である。基板への半導体チップの取付けは、ハンダが溶
融する比較的高い温度で実施される。したがって移送装
置へは、高度の要求がなされる。
【０００３】金属基板、所謂リードフレームは、順次
に、または随意に、隣接して配置されるチップアイラン
ド上に半導体チップをハンダ付けする場合、主に基板と
して使用される。リードフレームは、段階的に、ハンダ
が付けられるハンダ付け作業端末へ供給され、ついで接
着作業端末へ送られ、そこにおいて半導体チップが、ピ
ックアンドプレースシステムにより液体ハンダ上に載置
される。リードフレームは、その縦方向縁部に沿って配
置される孔を有し、リードフレームを移送するときに、
その孔にピンが係合する。このプロセスに好適なダイボ
ンダーが、２００７ ＳＳＩの名称で出願者により市販
されている。
に、または随意に、隣接して配置されるチップアイラン
ド上に半導体チップをハンダ付けする場合、主に基板と
して使用される。リードフレームは、段階的に、ハンダ
が付けられるハンダ付け作業端末へ供給され、ついで接
着作業端末へ送られ、そこにおいて半導体チップが、ピ
ックアンドプレースシステムにより液体ハンダ上に載置
される。リードフレームは、その縦方向縁部に沿って配
置される孔を有し、リードフレームを移送するときに、
その孔にピンが係合する。このプロセスに好適なダイボ
ンダーが、２００７ ＳＳＩの名称で出願者により市販
されている。
【０００４】しかしながら、単一位置基板、所謂単一基
板も、基板として使用される。そのような単一位置基板
は、例えば、両側が金属層で覆われる１つのセラミック
ディスクから構成される。半導体チップの取付けは手動
で実施され、まずハンダ予備成形物と呼ばれる予備成形
されたハンダ部分が、単一位置基板上に載置され、つい
で半導体チップがハンダ部分上に載置される。その後に
複合物全体が、オーブン内でハンダ付けされる。半自動
組立プロセスも知られており、それにより、ハンダ予備
成形物の代わりに、ペースト状態のハンダが、単一位置
基板へ機械的に付けられる。その後に単一位置基板に
は、半導体チップが手動で取付けられ、ついでオーブン
内で再びハンダ付けされる。
板も、基板として使用される。そのような単一位置基板
は、例えば、両側が金属層で覆われる１つのセラミック
ディスクから構成される。半導体チップの取付けは手動
で実施され、まずハンダ予備成形物と呼ばれる予備成形
されたハンダ部分が、単一位置基板上に載置され、つい
で半導体チップがハンダ部分上に載置される。その後に
複合物全体が、オーブン内でハンダ付けされる。半自動
組立プロセスも知られており、それにより、ハンダ予備
成形物の代わりに、ペースト状態のハンダが、単一位置
基板へ機械的に付けられる。その後に単一位置基板に
は、半導体チップが手動で取付けられ、ついでオーブン
内で再びハンダ付けされる。
【０００５】さらに、両側が金属層で覆われるセラミッ
クディスクもまた基板として使用され、その基板には、
同種または異種の多くの半導体チップが取付けられる。
これらの基板の処理は、小ロット生産の場合に手動で実
施される。自動処理は、既知の移送装置を、それぞれの
基板について個別に設計しなければならないので、大量
生産の場合にのみ経済的である。
クディスクもまた基板として使用され、その基板には、
同種または異種の多くの半導体チップが取付けられる。
これらの基板の処理は、小ロット生産の場合に手動で実
施される。自動処理は、既知の移送装置を、それぞれの
基板について個別に設計しなければならないので、大量
生産の場合にのみ経済的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、小ロ
ットでも、かなりの程度まで自動的に処理できるよう
に、種々の基板の処理の場合に容易に設定できる移送装
置を開発することにある。加えて移送装置は、実験室に
おける個別の試行にも適切でなければならない。
ットでも、かなりの程度まで自動的に処理できるよう
に、種々の基板の処理の場合に容易に設定できる移送装
置を開発することにある。加えて移送装置は、実験室に
おける個別の試行にも適切でなければならない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１で示
される特徴から成る。好都合な構造は、従属請求項から
得られえる。
される特徴から成る。好都合な構造は、従属請求項から
得られえる。
【０００８】
【発明の実施の形態】半導体チップの基板上へのハンダ
付けの手段による取付けの場合、オーブン内で、基板
は、ハンダが付けられるハンダ付け作業端末へ移送さ
れ、ついで接着作業端末へ送られ、そこにおいて半導体
チップが、溶融されたハンダ上に配設される。そのよう
に実施する際に基板は、床と２つの側壁から形成される
通路内で移送方向に移送される。本発明によれば、通路
の床は、レールを受容し、かつ移送方向にレールを案内
するために、側壁の１つに沿って設けられる窪みを有す
る。そのレールは、少なくとも１つの基板を受容するよ
うに設定される。駆動機構が、レールを移送方向に動か
す。基板がリードフレームである場合、リードフレーム
を、レールへネジ止めできるか、またはクランプ止めに
より固定できる。セラミック基板を移送する場合、セラ
ミック基板を受容するために移送方向に直角に設けられ
る伸張アームを、レール上に取付けできる。
付けの手段による取付けの場合、オーブン内で、基板
は、ハンダが付けられるハンダ付け作業端末へ移送さ
れ、ついで接着作業端末へ送られ、そこにおいて半導体
チップが、溶融されたハンダ上に配設される。そのよう
に実施する際に基板は、床と２つの側壁から形成される
通路内で移送方向に移送される。本発明によれば、通路
の床は、レールを受容し、かつ移送方向にレールを案内
するために、側壁の１つに沿って設けられる窪みを有す
る。そのレールは、少なくとも１つの基板を受容するよ
うに設定される。駆動機構が、レールを移送方向に動か
す。基板がリードフレームである場合、リードフレーム
を、レールへネジ止めできるか、またはクランプ止めに
より固定できる。セラミック基板を移送する場合、セラ
ミック基板を受容するために移送方向に直角に設けられ
る伸張アームを、レール上に取付けできる。
【０００９】
【実施例】以下において、縮尺に従うことなく描かれた
概略図に基づいて、本発明の実施例が詳細に説明され
る。
概略図に基づいて、本発明の実施例が詳細に説明され
る。
【００１０】図１は、半導体チップ１を基板２上にハン
ダ付けするダイボンダーの平面図を概略で示す。ダイボ
ンダーは、基板２を移送方向ｘ’に前送りする移送装置
４を有し、２つの水平方向ｘとｙに移動自在のオーブン
３と、ハンダ付け作業端末５と、および接着作業端末６
とから構成される。移送方向ｘ’は、方向ｘと平行であ
る。ハンダ付け作業端末５は、ハンダ付け作業端末にお
いて設定される基板位置へハンダ部分７を付けるように
機能し、また接着作業端末６は、接着作業端末６におい
て設定される基板位置上に半導体チップ１を載置するよ
うに機能する。図面においてハンダ部分７は、純粋に説
明用の理由のために円形で示され、一方、半導体チップ
１は方形で示される。基板２は、順次に手動または自動
的に供給され、ついでオーブン３を通して移送方向ｘ’
に移送装置４により段階的に移送される。それぞれの段
階の場合に基板２は、ピッチと呼ばれる所定の間隔Ｐだ
けさらに移送される。所定の温度プロフィールが、図示
されない手段によりオーブン３内に生成される。ハンダ
付け作業端末５の処理箇所と接着作業端末６の処理箇所
との間隔は、ハンダ部分７をハンダ付け作業端末５にお
いて付けると同時に、半導体チップ１を接着作業端末６
において配設できるように、間隔Ｐの整数倍になる。
ダ付けするダイボンダーの平面図を概略で示す。ダイボ
ンダーは、基板２を移送方向ｘ’に前送りする移送装置
４を有し、２つの水平方向ｘとｙに移動自在のオーブン
３と、ハンダ付け作業端末５と、および接着作業端末６
とから構成される。移送方向ｘ’は、方向ｘと平行であ
る。ハンダ付け作業端末５は、ハンダ付け作業端末にお
いて設定される基板位置へハンダ部分７を付けるように
機能し、また接着作業端末６は、接着作業端末６におい
て設定される基板位置上に半導体チップ１を載置するよ
うに機能する。図面においてハンダ部分７は、純粋に説
明用の理由のために円形で示され、一方、半導体チップ
１は方形で示される。基板２は、順次に手動または自動
的に供給され、ついでオーブン３を通して移送方向ｘ’
に移送装置４により段階的に移送される。それぞれの段
階の場合に基板２は、ピッチと呼ばれる所定の間隔Ｐだ
けさらに移送される。所定の温度プロフィールが、図示
されない手段によりオーブン３内に生成される。ハンダ
付け作業端末５の処理箇所と接着作業端末６の処理箇所
との間隔は、ハンダ部分７をハンダ付け作業端末５にお
いて付けると同時に、半導体チップ１を接着作業端末６
において配設できるように、間隔Ｐの整数倍になる。
【００１１】一方では、間隔Ｐだけの前送り毎に１つの
半導体チップ１だけが取付けられる基板２がある。他方
では、間隔Ｐだけの前送り毎に幾つかの半導体チップ１
が取付けられる基板２がある。これらの基板の場合にオ
ーブン３は、ハンダ付け作業端末５と接着作業端末６に
関して基板２を正確に位置決めするために、移送装置４
と共にｘ方向および／またはｙ方向に動かされる。
半導体チップ１だけが取付けられる基板２がある。他方
では、間隔Ｐだけの前送り毎に幾つかの半導体チップ１
が取付けられる基板２がある。これらの基板の場合にオ
ーブン３は、ハンダ付け作業端末５と接着作業端末６に
関して基板２を正確に位置決めするために、移送装置４
と共にｘ方向および／またはｙ方向に動かされる。
【００１２】図２は、本発明の理解に適切なオーブン３
および移送装置４の詳細を示す。図２は、図１の線Ｉ−
Ｉについての断面図である。オーブン３は、その中で基
板２が前方へ移送される平床１０および２つの側壁１１
と１２により形成されるような通路９が設けられるとこ
ろのオーブン本体８を有する。通路９は、第１の側壁１
１に沿って設けられる窪み１３を床１０に有する。窪み
１３は、例えばＬ形レール１４を案内する案内スロット
として機能する。レール１４は、１つの基板２または幾
つかの基板２を受容する。移送装置４には、間隔Ｐの整
数倍で配置される幾つかの指状部１６を有する駆動機構
１５が備えられ、上昇および下降が可能で、下降状態に
おいてレール１４を移送方向ｘ’に段階的に移送するの
で、レール１４が窪み１３内で案内される。通路９は、
カバープレート１７により覆われる。カバープレート１
７は、レール１４に実際には接触しないが、レール１４
が場合によっては窪み１３から飛び出すのを防止する。
カバープレート１７は、指状部１６用の開口部を有す
る。
および移送装置４の詳細を示す。図２は、図１の線Ｉ−
Ｉについての断面図である。オーブン３は、その中で基
板２が前方へ移送される平床１０および２つの側壁１１
と１２により形成されるような通路９が設けられるとこ
ろのオーブン本体８を有する。通路９は、第１の側壁１
１に沿って設けられる窪み１３を床１０に有する。窪み
１３は、例えばＬ形レール１４を案内する案内スロット
として機能する。レール１４は、１つの基板２または幾
つかの基板２を受容する。移送装置４には、間隔Ｐの整
数倍で配置される幾つかの指状部１６を有する駆動機構
１５が備えられ、上昇および下降が可能で、下降状態に
おいてレール１４を移送方向ｘ’に段階的に移送するの
で、レール１４が窪み１３内で案内される。通路９は、
カバープレート１７により覆われる。カバープレート１
７は、レール１４に実際には接触しないが、レール１４
が場合によっては窪み１３から飛び出すのを防止する。
カバープレート１７は、指状部１６用の開口部を有す
る。
【００１３】一般に不活性ガス体が、通路９内で大部分
を占める。不活性ガスは、従来技術では普通であるよう
に、例えば、通路９の床１０に設けられるドリル孔を通
して供給できる。
を占める。不活性ガスは、従来技術では普通であるよう
に、例えば、通路９の床１０に設けられるドリル孔を通
して供給できる。
【００１４】図３は、レール１４の側面図である。レー
ル１４は、間隔Ｐで配置される窪み１８を有する。レー
ル１４の前送りの場合、移送装置４の指状部１６（図
２）は、指状部それぞれが、レール１４の窪み１８のそ
れぞれと係合するように、下げられる。
ル１４は、間隔Ｐで配置される窪み１８を有する。レー
ル１４の前送りの場合、移送装置４の指状部１６（図
２）は、指状部それぞれが、レール１４の窪み１８のそ
れぞれと係合するように、下げられる。
【００１５】図２の例において基板２は、金属リードフ
レームである。一般にそのようなリードフレームは、銅
から成る。レール１４は、リードフレームと同一の熱膨
張係数を有するクロム鋼から製造される。リードフレー
ムは、種々の仕方で、例えば単一のネジ１９の手段によ
りレール１４へ固定できる。オーブン３内で加熱および
冷却すると、レール１４とリードフレームの長さは、種
々の速度で変化する。単一のネジ１９の手段による装着
は、加熱および冷却の際に、リードフレームが機械的応
力を受けないままであることを保証する。
レームである。一般にそのようなリードフレームは、銅
から成る。レール１４は、リードフレームと同一の熱膨
張係数を有するクロム鋼から製造される。リードフレー
ムは、種々の仕方で、例えば単一のネジ１９の手段によ
りレール１４へ固定できる。オーブン３内で加熱および
冷却すると、レール１４とリードフレームの長さは、種
々の速度で変化する。単一のネジ１９の手段による装着
は、加熱および冷却の際に、リードフレームが機械的応
力を受けないままであることを保証する。
【００１６】図４は、リードフレーム２０がクランプ止
めによりレール１４へ固定される解決手段の平面図を示
す。リードフレーム２０の内部構造部材は示されない。
レール１４は、例えば、その前端部２１において２本の
ボルト２２と２３を有する。それらの間隔は、ボルト２
２と２３がリードフレーム２０の孔２４内で係合すると
きにリードフレーム２０がクランプ止めにより保持され
るように、寸法が決められる。リードフレーム２０は、
一般的に長さが約２０ｃｍである。したがって、リード
フレーム２０における別の、好ましくは縦方向孔２７に
おいて係合する更なるボルト２６をレール１４が、その
後端部２５において有するときは、好都合である。ボル
ト２６は、リードフレーム２０をクランプ止めするよう
に機能しないが、その縦方向縁部がレール１４上に載置
されるようにリードフレーム２０を案内するだけであ
る。
めによりレール１４へ固定される解決手段の平面図を示
す。リードフレーム２０の内部構造部材は示されない。
レール１４は、例えば、その前端部２１において２本の
ボルト２２と２３を有する。それらの間隔は、ボルト２
２と２３がリードフレーム２０の孔２４内で係合すると
きにリードフレーム２０がクランプ止めにより保持され
るように、寸法が決められる。リードフレーム２０は、
一般的に長さが約２０ｃｍである。したがって、リード
フレーム２０における別の、好ましくは縦方向孔２７に
おいて係合する更なるボルト２６をレール１４が、その
後端部２５において有するときは、好都合である。ボル
ト２６は、リードフレーム２０をクランプ止めするよう
に機能しないが、その縦方向縁部がレール１４上に載置
されるようにリードフレーム２０を案内するだけであ
る。
【００１７】リードフレームのピッチが移送装置のピッ
チと一致しない場合は、リードフレームを、より小さい
個別の部材に分離できる。ついで、そのような個別の部
材を１つのレール１４へ固定できる。
チと一致しない場合は、リードフレームを、より小さい
個別の部材に分離できる。ついで、そのような個別の部
材を１つのレール１４へ固定できる。
【００１８】レール１４の外形は、リードフレームへ容
易に適応させることができる。一方では、完全に平坦な
リードフレームがあり、他方では、その縦方向縁部が中
間に関して高いか、または低いリードフレームがある。
易に適応させることができる。一方では、完全に平坦な
リードフレームがあり、他方では、その縦方向縁部が中
間に関して高いか、または低いリードフレームがある。
【００１９】図５は、セラミック基板２８に好適なレー
ル１４の実施例を示す。レール１４には、その縦方向軸
２９に対して直角で設けられる伸張アーム３０が備えら
れ、それらのアームは、間隔Ｐまたは間隔Ｐの整数倍で
配置される。伸張アーム３０を、異なる多くの方法で形
成できる。そのアームの機能は、レール１４と共に、規
定された位置においてセラミック基板２８を受容し、か
つその基板を移送方向ｘ’に移送することにある。図５
に示される例の場合、伸張アーム３０は、縁部に沿って
設けられる窪み３１を有する。窪み３１の長さＬ１は、
セラミック基板２８を、上から内部に挿入でき、かつレ
ール１４の側壁３２上に載置できるように寸法が決めら
れる。移送中にセラミック基板２８は、伸張アーム３０
上に、および随意には、レール１４上に載置される。窪
み３１と共に、伸張アーム３０の形態は、セラミック基
板２８が摺動離脱するのを防止する。伸張アーム３０の
幅は、セラミック基板２８の幅および間隔Ｐへ適応され
る。伸張アームは、例えば、ネジ１９でレール１４へ固
定される。この例において２つの伸張アーム３０間の間
隔は、ピッチ間隔Ｐの２倍に相当する。
ル１４の実施例を示す。レール１４には、その縦方向軸
２９に対して直角で設けられる伸張アーム３０が備えら
れ、それらのアームは、間隔Ｐまたは間隔Ｐの整数倍で
配置される。伸張アーム３０を、異なる多くの方法で形
成できる。そのアームの機能は、レール１４と共に、規
定された位置においてセラミック基板２８を受容し、か
つその基板を移送方向ｘ’に移送することにある。図５
に示される例の場合、伸張アーム３０は、縁部に沿って
設けられる窪み３１を有する。窪み３１の長さＬ１は、
セラミック基板２８を、上から内部に挿入でき、かつレ
ール１４の側壁３２上に載置できるように寸法が決めら
れる。移送中にセラミック基板２８は、伸張アーム３０
上に、および随意には、レール１４上に載置される。窪
み３１と共に、伸張アーム３０の形態は、セラミック基
板２８が摺動離脱するのを防止する。伸張アーム３０の
幅は、セラミック基板２８の幅および間隔Ｐへ適応され
る。伸張アームは、例えば、ネジ１９でレール１４へ固
定される。この例において２つの伸張アーム３０間の間
隔は、ピッチ間隔Ｐの２倍に相当する。
【００２０】図６は、２つの伸張アーム３０間に挿入さ
れたセラミック基板２８の図５の線ＩＩ−ＩＩについて
の断面図を示す。セラミック基板２８は、両側面上が金
属層３４と３５で覆われる、セラミックから成る本体３
３を有する。金属層３４と３５は、本体３３の一方の縁
部を覆わないままにしている。窪み３１および伸張アー
ム３０間の間隔は、セラミック基板２８の覆われない縁
部だけが伸張アーム３０上に載置されるように、寸法が
決められる。加えて、窪み３１における伸張アーム３０
の厚さは、セラミック基板２８がオーブン３の床１０
（図２）上に載置されるように、金属層３４の厚さと同
一であるように選択される。
れたセラミック基板２８の図５の線ＩＩ−ＩＩについて
の断面図を示す。セラミック基板２８は、両側面上が金
属層３４と３５で覆われる、セラミックから成る本体３
３を有する。金属層３４と３５は、本体３３の一方の縁
部を覆わないままにしている。窪み３１および伸張アー
ム３０間の間隔は、セラミック基板２８の覆われない縁
部だけが伸張アーム３０上に載置されるように、寸法が
決められる。加えて、窪み３１における伸張アーム３０
の厚さは、セラミック基板２８がオーブン３の床１０
（図２）上に載置されるように、金属層３４の厚さと同
一であるように選択される。
【００２１】図７は、図６と類似の例の断面図を示し、
そこにおいて、セラミック基板２８を側面から押込むこ
とができるように、伸張アーム３０は溝３６を有する。
伸張アーム３０の長さは、その縁部がセラミック基板２
８の縁部と揃うように、寸法が決められる。セラミック
基板２８の縁部とオーブン本体８の側壁１２（図２）と
の間の予想される間隙は、セラミック基板２８がｙ方向
（図１）に摺動離脱できないように、プレートの手段に
より充填される。
そこにおいて、セラミック基板２８を側面から押込むこ
とができるように、伸張アーム３０は溝３６を有する。
伸張アーム３０の長さは、その縁部がセラミック基板２
８の縁部と揃うように、寸法が決められる。セラミック
基板２８の縁部とオーブン本体８の側壁１２（図２）と
の間の予想される間隙は、セラミック基板２８がｙ方向
（図１）に摺動離脱できないように、プレートの手段に
より充填される。
【００２２】
【発明の効果】本発明により、オーブン３の通路９の幅
未満の幅を有する基板の自動処理ができる。加えて、本
発明により、金属基板やセラミック基板のような種々の
種類の基板の処理ができる。
未満の幅を有する基板の自動処理ができる。加えて、本
発明により、金属基板やセラミック基板のような種々の
種類の基板の処理ができる。
【図１】図１は、移送装置を設けたオーブンを有するダ
イボンダーの平面図を示す。
イボンダーの平面図を示す。
【図２】図２は、図１の線Ｉ−Ｉについてのオーブンと
移送装置の断面図を示す。
移送装置の断面図を示す。
【図３】図３は、レールの側面図を示す。
【図４】図４は、レールとリードフレームの平面図を示
す。
す。
【図５】図５は、セラミック基板を移送する、伸張アー
ムを有するレールを示す。
ムを有するレールを示す。
【図６】図６は、図５の線ＩＩ−ＩＩについての伸張ア
ームとセラミック基板の断面図を示す。
ームとセラミック基板の断面図を示す。
【図７】図７は、伸張アームのセラミック基板との相互
作用の別の例を示す。
作用の別の例を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 スーター グイド
スイス国 ＣＨ−6312 シュタインハウゼ
ン ホークヴァクトシュトラーセ 38
Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AC01 BB05 CC33 CD35
GG15
5F047 FA51
Claims (5)
- 【請求項１】 オーブン（３）内で基板（２）を移送す
る装置（４）において、オーブン（３）は、床（１０）
と２つの側面（１１、１２）から形成される通路（９）
を有し、基板（２）は、移送方向（ｘ’）に通路（９）
内で移送され、通路（９）の床（１０）は、レール（１
４）を受容し、かつ移送方向（ｘ’）に案内する、１つ
の側面（１１）に沿って設けられる窪み（１３）を有
し、レール（１４）は、少なくとも１つの基板（２）を
受容するように設定される装置（４）であって、レール
（１４）を移送方向（ｘ’）に動かす駆動機構をさらに
備える装置（４）。 - 【請求項２】 レール（１４）は、少なくとも１つの基
板（２）をネジ（１９）の手段によりレール（１４）へ
固定するためのドリル孔を有する、請求項１による装置
（４）。 - 【請求項３】 レール（１４）は、少なくとも１つの基
板（２）における孔（２４）において係合し、かつ基板
（２）を固定クランプ止めする少なくとも１本のボルト
（２２；２３）を有する、請求項１による装置（４）。 - 【請求項４】 レール（１４）は、少なくとも１つの基
板（２）を受容する伸張アーム（３０）を有する、請求
項１による装置（４）。 - 【請求項５】 レール（１４）は、移送段階において駆
動機構（１５）の指状部（１６）が中で係合する窪み
（１８）を有する、請求項１から４のいずれかによる装
置（４）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02007561.0 | 2002-04-03 | ||
| EP02007561A EP1351279A1 (de) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | Vorrichtung zum Transportieren von Substraten in einem Ofen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332365A true JP2003332365A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=27838059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003090231A Pending JP2003332365A (ja) | 2002-04-03 | 2003-03-28 | オーブン内で基板を移送する装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1351279A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003332365A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4624358A (en) * | 1983-03-07 | 1986-11-25 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Device for transferring lead frame |
| JP3125423B2 (ja) * | 1992-04-01 | 2001-01-15 | 松下電器産業株式会社 | リードフレーム搬送装置 |
| US6030857A (en) * | 1996-03-11 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for application of spray adhesive to a leadframe for chip bonding |
| JP3567737B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2004-09-22 | 松下電器産業株式会社 | リードフレームの搬送装置 |
| EP1109206B1 (de) * | 1999-12-16 | 2007-08-29 | Infineon Technologies AG | Prozessanlage und Prozessverfahren zur Montage von Leadframes |
-
2002
- 2002-04-03 EP EP02007561A patent/EP1351279A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-03-28 JP JP2003090231A patent/JP2003332365A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1351279A1 (de) | 2003-10-08 |
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