JP2003331768A - Detection method of image integration times of scanning electron microscope - Google Patents
Detection method of image integration times of scanning electron microscopeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting the number of times of image integration in a scanning electron microscope.
【０００２】[0002]
【従来の技術】走査電子顕微鏡は、試料に一次電子線を
走査しながら照射して、この一次電子線の照射により試
料から発生してくる二次電子を検出し、この検出信号に
基づく画像信号をＣＲＴディスプレイ等の画像出力装置
に出力することにより、試料表面のミクロな形状を観
察、撮影する装置である。2. Description of the Related Art A scanning electron microscope irradiates a sample with a primary electron beam while scanning it, detects secondary electrons generated from the sample by the irradiation of the primary electron beam, and outputs an image signal based on this detection signal. Is a device for observing and photographing the microscopic shape of the sample surface by outputting to the image output device such as a CRT display.
【０００３】かかる電子顕微鏡では、一次電子線の走査
（スキャン）速度が画像出力装置における像質（画像の
品質）に大きな影響を及ぼす。一次電子線の走査速度が
変われば、単位面積当たりにおいて、試料表面への一次
電子線の入射エネルギー量が変わり、それに伴い試料か
ら放出される二次電子の検出信号量も変わることから、
一次電子線の走査速度はＳ／Ｎ比（signal/noise比）に
影響を及ぼすためである。なお、例えば検出信号量の増
大によりＳ／Ｎ比が大きくなれば、画像の鮮明度が向上
する。In such an electron microscope, the scanning speed of the primary electron beam has a great influence on the image quality (image quality) in the image output device. If the scanning speed of the primary electron beam changes, the incident energy amount of the primary electron beam on the sample surface changes per unit area, and the detection signal amount of the secondary electrons emitted from the sample changes accordingly.
This is because the scanning speed of the primary electron beam affects the S / N ratio (signal / noise ratio). Note that, for example, if the S / N ratio is increased due to an increase in the detected signal amount, the sharpness of the image is improved.
【０００４】このため、走査電子顕微鏡で鮮明な画像を
得ようとする場合は、一次電子線の走査速度を低くする
のが一般的である。一次電子線の走査速度を低くすれ
ば、単位面積当たりにおいて、試料表面への一次電子線
の入射エネルギー量が多くなって試料から放出される二
次電子の検出信号量も多くなり、Ｓ／Ｎ比を大きくする
のに有利となるからである。Therefore, in order to obtain a clear image with a scanning electron microscope, the scanning speed of the primary electron beam is generally lowered. If the scanning speed of the primary electron beam is reduced, the incident energy amount of the primary electron beam on the sample surface per unit area increases, and the detection signal amount of the secondary electrons emitted from the sample also increases. This is because it is advantageous to increase the ratio.
【０００５】しかし、一次電子線の走査速度が低くなれ
ば、上述のとおり、単位面積当たりにおける試料表面へ
の一次電子線の入射エネルギー量が増大することから、
導電性の低い試料に対して一次電子線の走査速度を低く
すると、チャージアップによる像悪化（試料表面が過度
に帯電して画像が白く光る現象）の問題が発生し易くな
る。導電性の高い試料であれば、一次電子線の照射によ
り試料表面が帯電しても直ちに試料内部を通じて放電さ
れるが、導電性の低い試料の場合はそのようなことがな
いため、走査速度の低下に伴って単位面積当たりにおけ
る試料表面への一次電子線の入射エネルギー量が増大す
れば、試料表面の帯電電荷量も過度に増大してしまうか
らである。However, if the scanning speed of the primary electron beam becomes low, the amount of incident energy of the primary electron beam on the surface of the sample per unit area increases, as described above.
If the scanning speed of the primary electron beam is reduced for a sample having low conductivity, the problem of image deterioration due to charge-up (a phenomenon in which the sample surface is excessively charged and the image glows white) is likely to occur. In the case of a highly conductive sample, even if the surface of the sample is charged by the irradiation of the primary electron beam, the sample is immediately discharged through the inside of the sample. This is because if the amount of incident energy of the primary electron beam on the sample surface per unit area increases with the decrease, the amount of charge on the sample surface also increases excessively.
【０００６】一方、一次電子線の走査速度を高くする高
速スキャン法によれば、導電性の低い試料であってもチ
ャージアップを有効に防止しうるが、走査速度が高くな
ればそれに伴いＳ／Ｎ比が小さくなるため、低速スキャ
ンと比較して画像が粗く（ザラザラした感じに）なり、
クリアな像を得ることが困難となる。On the other hand, according to the high-speed scanning method in which the scanning speed of the primary electron beam is increased, charge-up can be effectively prevented even with a sample having low conductivity. Since the N ratio becomes smaller, the image becomes rougher (rougher) than the low-speed scan,
It becomes difficult to obtain a clear image.
【０００７】なお、導電性の低い試料の表面にＡｕやＣ
等よりなる導電性蒸着膜を形成することによってもチャ
ージアップを防止しうるが、この方法では本来の試料表
面の観察が導電性蒸着膜により妨げられる。Note that Au and C are deposited on the surface of the sample having low conductivity.
Although the charge-up can be prevented by forming a conductive vapor-deposited film made of, for example, the original observation of the sample surface is hindered by the conductive vapor-deposited film.
【０００８】そこで、導電性の低い試料であってもチャ
ージアップによる像悪化の問題を発生させることなく鮮
明な画像を得るための手法として、高速スキャンの画像
積算によりＳ／Ｎ比を改善する手法が知られている（特
開２００１−２３５６２号公報等参照）。Therefore, as a method for obtaining a clear image without causing a problem of image deterioration due to charge-up even for a sample having low conductivity, a method of improving the S / N ratio by image integration of high-speed scanning. Are known (see Japanese Patent Laid-Open No. 2001-23562, etc.).
【０００９】この高速スキャンの画像積算は、試料表面
の観察領域に一次電子線を高速で複数回走査させて繰り
返し照射することにより、該観察領域で一次電子線を走
査させる回数（フレーム数）を増やし、後で各フレーム
毎の画像を積算・合成する方法である。この画像積算に
よれば、各フレームの画像を積算・合成することによる
相殺効果によりノイズの減少を図りつつ、フレーム数の
増大に応じて検出信号量を単純積算により増大させるこ
とができるので、Ｓ／Ｎ比の改善が可能となる。In the image integration of this high-speed scanning, the observation area on the sample surface is scanned with the primary electron beam a plurality of times at high speed and repeatedly irradiated to determine the number of times (the number of frames) of scanning the primary electron beam in the observation area. This is a method of increasing the number of images and adding and combining the images of each frame later. According to this image integration, it is possible to increase the detection signal amount by simple integration as the number of frames increases, while reducing noise due to the canceling effect of integrating and combining the images of each frame. It is possible to improve the / N ratio.
【００１０】したがって、導電性の低い試料であって
も、高速スキャンの画像積算を利用すれば、高速スキャ
ンによりチャージアップによる像悪化の問題を解消しつ
つ、画像積算によりＳ／Ｎを改善して画像の鮮明度を向
上させることが可能となる。Therefore, even if the sample has low conductivity, if the image integration of the high speed scan is used, the problem of the image deterioration due to the charge-up by the high speed scan can be solved and the S / N can be improved by the image integration. It is possible to improve the sharpness of the image.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高速ス
キャンの画像積算を利用する場合であっても、像質を重
視して走査回数を多くして積算回数を多くすると、一次
電子線の繰り返し照射により、積算の過程で試料表面の
帯電電荷量が過度に増大し、上記チャージアップによる
像悪化の問題が同様に発生しうる。なお、走査回数が多
くなれば、試料損傷も起こりうる。However, even when the image integration of high-speed scanning is used, if the number of scans is increased by increasing the number of scans with an emphasis on image quality, the primary electron beam is repeatedly irradiated. In the process of integration, the charge amount on the surface of the sample excessively increases, and the problem of image deterioration due to the charge-up may similarly occur. If the number of scans increases, sample damage may occur.
【００１２】このように高速スキャンの画像積算を利用
する場合にチャージアップによる像悪化の問題が発生す
るのは、画像積算処理の過程で試料表面における帯電の
程度を把握しないまま観察するためである。一次電子線
の照射により試料表面が帯電する程度は、材料の導電性
の他、一次電子線の電流や走査速度により異なることか
ら、少ない走査回数でチャージアップによる像悪化の問
題を引き起こす場合もあれば、走査回数が比較的多くて
もチャージアップによる像悪化の問題を引き起こさない
場合もある。The problem of image deterioration due to charge-up occurs when the image integration of high-speed scanning is used as described above because observation is performed without grasping the degree of electrification on the sample surface in the process of image integration processing. . The degree to which the surface of the sample is charged by the irradiation of the primary electron beam depends on the conductivity of the material, the current of the primary electron beam, and the scanning speed.Therefore, the problem of image deterioration due to charge-up may occur with a small number of scans. For example, even if the number of scans is relatively large, the problem of image deterioration due to charge-up may not occur.
【００１３】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、一次電子線の照射による試料表面における帯電の
程度を予め把握することにより、画像積算処理における
走査回数（フレーム数、積算回数）の最適化を図ること
のできる走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法を提供
することを解決すべき技術課題とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and the number of scans (the number of frames, the number of integrations) in the image integration process can be determined by previously grasping the degree of charging on the sample surface due to the irradiation of the primary electron beam. It is a technical problem to be solved to provide a method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope which can be optimized.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】（１）請求項１記載の走
査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法は、試料表面の観
察領域に一次電子線を複数回走査させて繰り返し照射す
るとともに該一次電子線の照射により該試料表面から放
出される二次電子を検出して検出信号を求め、該検出信
号に基づく各フレーム毎の画像信号を積算・合成する画
像積算処理により該試料表面を走査電子顕微鏡で実際に
観察する前に実施して、該画像積算処理における積算回
数を事前に決定する走査電子顕微鏡の画像積算回数検出
方法であって、上記一次電子線の照射により上記試料表
面が所定量帯電したことを示す特定の規定値を求める規
定値決定工程と、上記試料表面の観察領域のうちの少な
くとも一部に上記一次電子線を照射する照射工程と、上
記一次電子線の照射により上記試料表面から放出される
放出電子を検出して、該放出電子に基づく所定の検出値
を求める検出工程と、上記規定値と上記検出値との比較
により、上記画像積算処理における積算回数を求める判
断工程とを含むことを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of detecting the number of times an image is integrated in a scanning electron microscope, wherein an observation area on a sample surface is scanned with a primary electron beam a plurality of times to repeatedly irradiate the primary electron beam. Scanning electron microscope for scanning the sample surface by an image integration process of detecting secondary electrons emitted from the sample surface by irradiation of a line to obtain a detection signal, and integrating and synthesizing image signals for each frame based on the detection signal. A method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope, which is carried out before actually observing the sample and determines the number of integration in advance in the image integration process, wherein the sample surface is charged by a predetermined amount by irradiation of the primary electron beam. Specified value determining step for obtaining a specific specified value indicating that, the irradiation step of irradiating at least a part of the observation region of the sample surface with the primary electron beam, the irradiation of the primary electron beam By detecting the emitted electrons emitted from the sample surface by means of the detection step of obtaining a predetermined detection value based on the emitted electrons, and comparing the specified value with the detection value, It is characterized in that it includes a judgment step to be sought.
【００１５】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、画像積算処理を利用して試料表面を走査電子顕
微鏡で実際に観察する前に、該画像積算処理における最
適な積算回数を事前に決定することができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, the optimum number of times of integration in the image integration process is determined in advance before actually observing the sample surface with the scanning electron microscope using the image integration process. be able to.
【００１６】上記規定値決定工程では、一次電子線の照
射により試料表面が所定量帯電したことを示す特定の規
定値を求める。この規定値は、一次電子線の照射により
試料表面における帯電電荷量が過度に増大してチャージ
アップによる像悪化の問題が発生することを防止しうる
ように、例えば、チャージアップを引き起こすことのな
い限界（最大）の帯電電荷量に相当する値として求める
ことができる。また、この規定値は、判断工程におい
て、検出工程で検出された検出値と比較可能な値であ
る。例えば、検出工程で放出電子の電子エネルギーを検
出する場合は放出電子の電子エネルギーの規定値、検出
工程で試料表面の輝度を検出する場合は試料表面の輝度
の規定値、検出工程で試料表面の電位を検出する場合は
試料表面の電位の規定値とすることができる。In the specified value determining step, a specific specified value indicating that the surface of the sample has been charged by a predetermined amount by the irradiation of the primary electron beam is obtained. This prescribed value does not cause, for example, charge-up so that it is possible to prevent the problem of image deterioration due to charge-up due to excessive increase in the amount of charge on the surface of the sample due to irradiation with the primary electron beam. It can be obtained as a value corresponding to the limit (maximum) charged charge amount. Further, this specified value is a value that can be compared with the detection value detected in the detection step in the determination step. For example, when detecting the electron energy of the emitted electrons in the detection step, the specified value of the electron energy of the emitted electrons, when detecting the brightness of the sample surface in the detection step, the specified value of the brightness of the sample surface, in the detection step of the sample surface When detecting the electric potential, the specified value of the electric potential of the sample surface can be used.
【００１７】上記照射工程では、試料表面の観察領域の
少なくとも一部に一次電子線を照射する。この照射工程
では、画像積算処理を利用して実際に観察する試料表面
の観察領域の少なくとも一部に一次電子線を照射する
が、この一次電子線は実際に観察する際に照射する一次
電子線と同じものとし、その照射条件（電流や走査速度
等）も同一とする。In the irradiation step, at least a part of the observation area on the surface of the sample is irradiated with the primary electron beam. In this irradiation step, the primary electron beam is irradiated onto at least a part of the observation region of the sample surface to be actually observed by utilizing the image integration process. The primary electron beam is irradiated during actual observation. And the irradiation conditions (current, scanning speed, etc.) are also the same.
【００１８】また、この照射工程では、一次電子線を走
査しながら観察領域の全体又は一部（例えば、観察領域
全体の１／１０〜１／１００程度の微小領域）に照射し
てもよいし、観察領域のうちの任意の定点（例えば、１
画素）のみに一次電子線を照射してもよい。Further, in this irradiation step, the primary electron beam may be scanned to irradiate the whole or a part of the observation region (for example, a minute region of about 1/10 to 1/100 of the entire observation region). , An arbitrary fixed point in the observation area (for example, 1
Only the pixel) may be irradiated with the primary electron beam.
【００１９】ここに、上記照射工程における一次電子線
の照射条件（電流や走査速度等）は適宜設定可能だが、
チャージアップによる像悪化をより効果的に防止する観
点より、走査速度は高い方が好ましい。Here, the irradiation conditions (current, scanning speed, etc.) of the primary electron beam in the irradiation step can be set as appropriate,
From the viewpoint of more effectively preventing image deterioration due to charge-up, a higher scanning speed is preferable.
【００２０】上記検出工程では、上記一次電子線の照射
により上記試料表面から放出される放出電子を検出し
て、該放出電子に基づく所定の検出値を求める。この検
出値としては、例えば、放出電子の電子エネルギーや試
料表面の輝度とすることができる。また、上記放出電子
としては、例えば、一次電子線の照射により試料から発
生した二次電子や、一次電子線が試料表面で反射した反
射電子とすることができる。In the detecting step, the emitted electrons emitted from the surface of the sample by the irradiation of the primary electron beam are detected, and a predetermined detection value based on the emitted electrons is obtained. The detected value can be, for example, the electron energy of emitted electrons or the brightness of the sample surface. Further, the emitted electrons may be, for example, secondary electrons generated from the sample by irradiation with the primary electron beam, or reflected electrons in which the primary electron beam is reflected on the sample surface.
【００２１】なお、上記検出工程では、上記照射工程で
一次電子線を照射している間中、常に連続的に放出電子
を検出して所定の検出値を求めてもよいし、間欠的に検
出値を求めてもよい。ただし、判断工程でより正確に積
算回数を求めるべく、一次電子線を照射している間中、
常に連続的に検出して検出値を求めた方が好ましい。In the detection step, the emitted electrons may be continuously detected to obtain a predetermined detection value during the irradiation of the primary electron beam in the irradiation step, or the detection value may be detected intermittently. You may ask for the value. However, in order to obtain the number of times of integration more accurately in the judgment process, while irradiating with the primary electron beam,
It is preferable that the detection value be obtained by always continuously detecting.
【００２２】上記判断工程では、上記規定値決定工程で
求めた上記規定値と、上記検出工程で求めた上記検出値
との比較により、実際に観察する際の上記画像積算処理
における積算回数を求める。In the judgment step, the number of times of integration in the image integration process during actual observation is calculated by comparing the specified value obtained in the specified value determining step with the detected value obtained in the detecting step. .
【００２３】例えば、上記規定値と上記検出値との比較
により、上記検出値と上記規定値とが一致したときの経
過時間（Ｔ、一次電子線の照射時間）と、前記スキャン
スピード（Ｓ）とから、下記（１）式により、画像積算
処理における最適なスキャン回数（Ｎ）を求めることが
できる。For example, by comparing the specified value with the detected value, the elapsed time (T, irradiation time of the primary electron beam) when the detected value and the specified value match, and the scan speed (S) From this, the optimum number of scans (N) in the image integration process can be obtained from the following equation (1).
【００２４】
Ｎ＝Ｔ／Ｓ …（１）
また、上記照射工程で一次電子線を走査しながら実際の
観察領域の全体に照射する場合は、上記（１）式により
最適なスキャン回数（Ｎ）を求めることができる他、上
記検出値が上記規定値に一致したときの上記照射工程で
の走査回数（ｎ）を直接、画像積算処理における最適な
スキャン回数（Ｎ＝ｎ）として求めることができる。N = T / S (1) Further, in the case of irradiating the whole of the actual observation area while scanning the primary electron beam in the irradiation step, the optimum number of scans (N) according to the above formula (1). In addition, the number of scans (n) in the irradiation step when the detected value matches the specified value can be directly obtained as the optimum number of scans (N = n) in the image integration process. .
【００２５】なお、上記照射工程で一次電子線を走査し
ながら実際の観察領域の一部に照射する場合は、上記
（１）式により最適なスキャン回数（Ｎ）を求めること
ができる他、上記検出値が上記規定値に一致したときの
上記照射工程での走査回数（ｎ）と、観察領域全体の面
積（Ａ）に対する一次電子線を走査する一部の面積
（ａ）の面積比率（ａ／Ａ）とから、下記（２）式によ
り、画像積算処理における最適なスキャン回数（Ｎ）を
求めることができる。In the case of irradiating a part of the actual observation area while scanning the primary electron beam in the irradiation step, the optimum number of scans (N) can be obtained by the above equation (1), and The number of scans (n) in the irradiation step when the detected value matches the specified value and the area ratio (a) of a part of the area (a) scanned by the primary electron beam to the area (A) of the entire observation region. / A), the optimum number of scans (N) in the image integration process can be obtained by the following equation (2).
【００２６】
Ｎ＝ｎ×（ａ／Ａ） …（２）
こうして、請求項１記載の走査電子顕微鏡の画像積算回
数検出方法では、一次電子線の照射により試料表面がど
の程度帯電するかを予め把握して、画像積算処理におけ
る最適な積算回数（スキャン回数）を求めることができ
る。そして、得られた最適な積算回数で実際に観察すれ
ば、チャージアップしない限界でのクリアな画像を得る
ことができる。N = n × (a / A) (2) Thus, in the method for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to the first aspect, how much the surface of the sample is charged by the irradiation of the primary electron beam is previously determined. By grasping the information, it is possible to obtain the optimum integration number (scan number) in the image integration process. Then, by actually observing with the obtained optimum number of times of integration, it is possible to obtain a clear image within the limit of no charge-up.
【００２７】（２）請求項２記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項１記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法において、前記照射工程で、前
記観察領域の全体にわたって前記一次電子線を複数回走
査させて繰り返し照射することを特徴とするものであ
る。(2) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 2 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 1, wherein in the irradiation step, the observation area is entirely covered. It is characterized in that the primary electron beam is scanned a plurality of times and repeatedly irradiated.
【００２８】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、試料表面の実際の観察領域の全体にわたって一
次電子線を複数回走査させて繰り返し照射するので、前
記照射工程が実際に観察する場合と同様の条件となり、
したがって前記判断工程でより正確な最適な積算回数Ｎ
1 を求めることができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, the primary electron beam is scanned a plurality of times over the entire actual observation region of the sample surface and repeatedly irradiated, so that the irradiation step is similar to the case of actual observation. It becomes the condition of
Therefore, in the above-mentioned judgment step, the more accurate optimum integration number N
You can ask for one .
【００２９】（３）請求項３記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項１記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法において、前記照射工程で、前
記観察領域の一部に前記一次電子線を複数回走査させて
繰り返し照射することを特徴とするものである。(3) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 3 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 1, wherein in the irradiation step, a part of the observation region is covered. It is characterized in that the primary electron beam is scanned a plurality of times and repeatedly irradiated.
【００３０】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、照射工程で、試料表面の実際の観察領域の一部
のみに一次電子線を照射することから、この照射工程で
一次電子線の照射により損傷する試料の領域を小さくす
ることができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, in the irradiation step, only a part of the actual observation area on the sample surface is irradiated with the primary electron beam. The area of the sample that is damaged can be reduced.
【００３１】（４）請求項４記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項３記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法において、前記照射工程で、各
回の走査の間に、前回の走査で帯電した前記試料表面が
所定量放電するのを待つ所定の待ち時間を設定すること
を特徴とするものである。(4) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 4 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 3, wherein in the irradiation step, during each scan, It is characterized in that a predetermined waiting time for waiting for a predetermined amount of the surface of the sample charged in the previous scanning to be discharged is set.
【００３２】前記照射工程で、試料表面の実際の観察領
域の一部に一次電子線を走査すると、一次電子線の走査
速度が一定の下では、実際の観察領域の全体を走査する
場合と比較して、ある点（画素）に一次電子線が照射さ
れる時間間隔が短くなる。このため、前回の走査で帯電
した試料表面の放電が進行しない状態で次回の走査によ
り新たな電子が照射されて帯電する場合がある。この場
合は、観察領域の全体を走査する場合と比較して少ない
走査回数Ｎ2A（Ｎ2A＜Ｎ1 ）でチャージアップに至るこ
ととなるため、最適な積算回数を求める上では不利とな
る。In the irradiation step, when a part of the actual observation area on the sample surface is scanned with the primary electron beam, under the constant scanning speed of the primary electron beam, a comparison is made with the case where the entire actual observation area is scanned. Then, the time interval for irradiating a certain point (pixel) with the primary electron beam becomes shorter. Therefore, in the state where the discharge of the sample surface charged in the previous scanning does not proceed, new electrons may be irradiated and charged in the next scanning. In this case, as compared with the case where the entire observation region is scanned, the number of scans N 2A (N 2A <N 1 ) is reached, which leads to charge-up, which is disadvantageous in obtaining the optimum number of integrations.
【００３３】そこで、観察領域の一部に一次電子線を複
数回走査させて繰り返し照射する場合は、各回の走査の
間に、前回の走査で帯電した試料表面が所定量放電する
のを待つ所定の待ち時間を設定することが好ましい。こ
うすれば、最適な積算回数Ｎ２ａを求める精度を高める
ことができる。Therefore, when a part of the observation region is scanned with the primary electron beam a plurality of times and repeatedly irradiated, a predetermined amount of waiting for the surface of the sample charged in the previous scan to be discharged during each scan. It is preferable to set the waiting time. By doing so, it is possible to improve the accuracy of obtaining the optimum integration number N2a.
【００３４】ここに、上記待ち時間（Ｗ）は、好適に
は、前記スキャンスピード（Ｓ）と、観察領域全体の面
積（Ａ）に対する一次電子線を走査する一部の面積
（ａ）の面積比率（ａ／Ａ）とから、下記（３）式によ
り算出することができる。この（３）により求めた待ち
時間（Ｗ）を設定すれば、観察領域の全体に走査する場
合と同程度の精度で、最適な積算回数Ｎ2B（Ｎ2A＜Ｎ2B
≒Ｎ1 ）を求めることができる。Here, the waiting time (W) is preferably the scan speed (S) and the area of a part of the area (a) for scanning the primary electron beam with respect to the area (A) of the entire observation area. It can be calculated from the ratio (a / A) by the following formula (3). If the waiting time (W) obtained by this (3) is set, the optimum number of integration times N 2B (N 2A <N 2B ) is as accurate as when scanning the entire observation area.
≈N 1 ) can be obtained.
【００３５】
Ｗ＝Ｓ×（１−ａ／Ａ） …（３）
（５）請求項５記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法は、請求項１記載の走査電子顕微鏡の画像積算回
数検出方法において、前記照射工程で、前記観察領域の
定点に前記一次電子線を照射することを特徴とするもの
である。W = S × (1-a / A) (3) (5) The method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to claim 5 is the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to claim 1. In the method, in the irradiation step, the fixed point of the observation region is irradiated with the primary electron beam.
【００３６】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、照射工程で、試料表面の実際の観察領域の定点
のみに一次電子線を照射することから、この照射工程で
一次電子線の照射により損傷する試料の領域を最小限に
抑えることができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, in the irradiation step, the primary electron beam is irradiated only to a fixed point of the actual observation area on the sample surface, and therefore the irradiation step of the primary electron beam causes damage in this irradiation step. The area of the sample to be used can be minimized.
【００３７】この場合、一次電子線を観察領域の定点に
連続照射してもよいし、所定の間隔時間をおいて間欠的
に照射してもよい。In this case, the primary electron beam may be continuously irradiated to a fixed point in the observation area, or may be intermittently irradiated with a predetermined interval time.
【００３８】（６）請求項６記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項５記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法において、前記照射工程で、前
記試料の近傍に配設されたダミー部と前記定点との間
で、連続的に発射される前記一次電子線を所定速度で往
復させることにより、該一次電子線を該定点に所定の間
隔時間で繰り返し照射することを特徴とするものであ
る。(6) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 6 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 5, wherein the irradiation step is arranged in the vicinity of the sample. The primary electron beam emitted continuously is reciprocated at a predetermined speed between the dummy part and the fixed point, and the fixed point is repeatedly irradiated with the primary electron beam at a predetermined interval time. It is what
【００３９】前記照射工程で、試料表面の実際の観察領
域の定点に一次電子線を連続照射する場合、その定点で
電子の放電が進行しない状態で連続的に電子が照射・帯
電するため、実際の観察領域の全体を走査する場合と比
較して、少ない走査回数Ｎ3A（Ｎ3A＜Ｎ2A＜Ｎ1 ）でチ
ャージアップに至ることとなる。In the irradiation step, when the primary point of the actual observation area on the sample surface is continuously irradiated with the primary electron beam, the electrons are continuously irradiated and charged at the fixed point without the discharge of the electrons progressing. Compared with the case of scanning the entire observation region of No. 3 , the charge-up is reached with a smaller number of scans N 3A (N 3A <N 2A <N 1 ).
【００４０】一方、一次電子線を発射する電子銃の寿命
を考慮すれば、一次電子線の発射は間欠的よりも連続的
である方が好ましい。On the other hand, considering the life of the electron gun that emits the primary electron beam, it is preferable that the primary electron beam is emitted continuously rather than intermittently.
【００４１】そこで、観察領域の定点に一次電子線を照
射する場合は、試料の近傍にダミー部（ダミーの導電
部）を配設し、このダミー部と該定点との間で、連続的
に発射される一次電子線を所定速度で往復させることに
より、該一次電子線を該定点に所定の間隔時間をおいて
間欠的に繰り返し照射することが好ましい。こうすれ
ば、電子銃の早期損傷を抑えつつ、最適な積算回数Ｎ3B
（Ｎ3A＜Ｎ3B≒Ｎ1 ）を求める精度を高めることができ
る。Therefore, when irradiating the fixed point of the observation region with the primary electron beam, a dummy portion (dummy conductive portion) is arranged in the vicinity of the sample, and the dummy portion and the fixed point are continuously connected. It is preferable that the primary electron beam emitted is reciprocated at a predetermined speed to intermittently repeatedly irradiate the fixed point with the primary electron beam at a predetermined interval time. In this way, the optimum number of integrations N 3B can be achieved while suppressing the early damage of the electron gun.
The accuracy of obtaining (N 3A <N 3B ≈N 1 ) can be improved.
【００４２】ここに、上記間隔時間は、好適には、前記
スキャンスピード（Ｓ）とすることができ、こうすれば
観察領域の全体に走査する場合と同程度の精度で、最適
な積算回数を求めることができる。Here, the interval time can be preferably set to the scan speed (S), and in this case, the optimum integration number can be obtained with the same accuracy as in the case of scanning the entire observation area. You can ask.
【００４３】（７）請求項７記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項１、２、３、４、５又は
６記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法におい
て、前記検出工程で、前記放出電子の電子エネルギーを
検出することを特徴とするものである。(7) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 7 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 5 or 6. In the step, the electron energy of the emitted electrons is detected.
【００４４】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、前記検出工程で、放出電子の電子エネルギーを
検出して検出値を求める。一次電子線の繰り返し照射に
より試料表面が徐々に帯電して試料表面における帯電電
荷量がある値を超えると、試料表面における一次電子線
の反射量が急激に増大し始め、それに伴い放出電子の電
子エネルギーも急激に増大し始める。このため、この放
出電子エネルギーの急増を検出すれば、前記判断工程
で、放出電子エネルギーの検出値と前記規定値決定工程
で求めた規定値との比較により、実際に観察する際の上
記画像積算処理における積算回数を求めることができ
る。In this scanning electron microscope image integration number detecting method, in the detecting step, the electron energy of the emitted electrons is detected to obtain a detection value. When the sample surface is gradually charged by repeated irradiation of the primary electron beam and the amount of charge on the sample surface exceeds a certain value, the amount of reflection of the primary electron beam on the sample surface begins to increase rapidly, and the electrons of the emitted electrons Energy also begins to increase sharply. Therefore, if the sudden increase in the emitted electron energy is detected, the image integration at the time of actual observation is performed by comparing the detected value of the emitted electron energy with the specified value obtained in the specified value determination step in the determination step. The number of times of integration in the process can be calculated.
【００４５】（８）請求項８記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、請求項１、２、３、４、５又は
６記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法におい
て、前記検出工程で、前記放出電子により前記試料表面
の輝度を検出することを特徴とするものである。(8) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 8 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 5 or 6. In the step, the brightness of the sample surface is detected by the emitted electrons.
【００４６】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、前記検出工程で、放出電子により試料表面の輝
度を検出して検出値を求める。一次電子線の繰り返し照
射により試料表面が徐々に帯電して試料表面における帯
電電荷量がある値を超えると、試料表面における一次電
子線の反射量が急激に増大し始め、それに伴い試料表面
の輝度も急激に増大し始める。このため、放出電子によ
り試料表面の輝度の急増を検出すれば、前記判断工程
で、試料表面の輝度の検出値と前記規定値決定工程で求
めた規定値との比較により、実際に観察する際の上記画
像積算処理における積算回数を求めることができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, the detected value is obtained by detecting the brightness of the sample surface by the emitted electrons in the detecting step. When the sample surface is gradually charged by repeated irradiation of the primary electron beam and the amount of charge on the sample surface exceeds a certain value, the amount of reflection of the primary electron beam on the sample surface begins to increase rapidly, and the brightness of the sample surface is accordingly increased. Also begins to increase sharply. Therefore, if a sudden increase in the brightness of the sample surface is detected by the emitted electrons, in the determination step, when the actual observation is performed by comparing the detected value of the brightness of the sample surface with the specified value obtained in the specified value determination step. The number of times of integration in the above image integration processing can be calculated.
【００４７】（９）請求項９記載の走査電子顕微鏡の画
像積算回数検出方法は、試料表面の観察領域に一次電子
線を複数回走査させて繰り返し照射するとともに該一次
電子線の照射により該試料表面から放出される二次電子
を検出して検出信号を求め、該検出信号に基づく各フレ
ーム毎の画像信号を積算・合成する画像積算処理により
該試料表面を走査電子顕微鏡で実際に観察する前に実施
して、該画像積算処理における積算回数を事前に決定す
る走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法であって、上
記一次電子線の照射により上記試料表面が所定量帯電し
たことを示す特定の規定値を求める規定値決定工程と、
上記試料表面の観察領域のうちの少なくとも一部に上記
一次電子線を照射する照射工程と、上記一次電子線が照
射された上記試料表面の電位を検出して検出値を求める
検出工程と、上記規定値と上記検出値との比較により、
上記画像積算処理における積算回数を求める判断工程と
を含むことを特徴とするものである。(9) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 9, wherein the observation area of the sample surface is repeatedly irradiated with the primary electron beam by scanning the primary electron beam a plurality of times. Before actually observing the sample surface with a scanning electron microscope by an image integration process that detects secondary electrons emitted from the surface to obtain a detection signal, and integrates and synthesizes image signals for each frame based on the detection signal And a method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope which determines in advance the number of times of integration in the image integration processing, wherein a specific amount indicating that the sample surface has been charged by a predetermined amount by the irradiation of the primary electron beam is specified. A prescribed value determination process for obtaining a prescribed value,
An irradiation step of irradiating at least a part of the observation region of the sample surface with the primary electron beam, a detection step of detecting a potential of the sample surface irradiated with the primary electron beam to obtain a detection value, and By comparing the specified value with the above detected value,
And a step of determining the number of times of integration in the image integration processing.
【００４８】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法では、検出工程で、一次電子線が照射された試料表面
の電位を検出して検出値を求める。一次電子線の繰り返
し照射により試料表面が徐々に帯電して試料表面におけ
る帯電電荷量がある値を超えると、試料表面の電位も急
激に増大し始める。このため、この表面電位の急増を検
出すれば、上記判断工程で、試料表面の電位の検出値と
上記規定値決定工程で求めた規定値との比較により、実
際に観察する際の上記画像積算処理における積算回数を
求めることができる。In this method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope, the detection value is obtained by detecting the potential of the sample surface irradiated with the primary electron beam in the detection step. When the surface of the sample is gradually charged by repeated irradiation of the primary electron beam and the amount of charge on the surface of the sample exceeds a certain value, the potential on the surface of the sample also rapidly increases. Therefore, if this sudden increase in the surface potential is detected, the image integration during actual observation is performed by comparing the detected value of the sample surface potential with the specified value obtained in the specified value determination step in the determination step. The number of times of integration in the process can be calculated.
【００４９】その他の構成は、請求項１記載の走査電子
顕微鏡の画像積算回数検出方法と同様の構成であり、基
本的には請求項１記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数
検出方法と同様の作用効果を奏する。The other structure is the same as the method for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to claim 1, and basically the same as the method for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to claim 1. It produces a working effect.
【００５０】（１０）請求項１０記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法は、請求項９記載の走査電子顕
微鏡の画像積算回数検出方法において、前記照射工程
で、前記観察領域の全体にわたって前記一次電子線を複
数回走査させて繰り返し照射することを特徴とするもの
である。(10) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 10 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 9, wherein in the irradiation step, the observation area is entirely covered. It is characterized in that the primary electron beam is scanned a plurality of times and repeatedly irradiated.
【００５１】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法は、請求項２記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法と同様の作用効果を奏する。This method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope has the same effect as the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope.
【００５２】（１１）請求項１１記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法は、請求項９記載の走査電子顕
微鏡の画像積算回数検出方法において、前記照射工程
で、前記観察領域の一部に前記一次電子線を複数回走査
させて繰り返し照射することを特徴とするものである。(11) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 11 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 9, wherein a part of the observation region is included in the irradiation step. It is characterized in that the primary electron beam is scanned a plurality of times and repeatedly irradiated.
【００５３】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法は、請求項３記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法と同様の作用効果を奏する。This method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope has the same effect as the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to the third aspect.
【００５４】（１２）請求項１２記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法は、請求項１１記載の走査電子
顕微鏡の画像積算回数検出方法において、前記照射工程
で、各回の走査の間に、前回の走査で帯電した前記試料
表面が所定量放電するのを待つ所定の待ち時間を設定す
ることを特徴とするものである。(12) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 12 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 11, wherein in the irradiation step, during each scan, It is characterized in that a predetermined waiting time for waiting for a predetermined amount of the surface of the sample charged in the previous scanning to be discharged is set.
【００５５】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法は、請求項４記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法と同様の作用効果を奏する。This method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope has the same effect as the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope.
【００５６】（１３）請求項１３記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法は、請求項９記載の走査電子顕
微鏡の画像積算回数検出方法において、前記照射工程
で、前記観察領域の定点に前記一次電子線を照射するこ
とを特徴とするものである。(13) The method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 13 is the method of detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 9, wherein in the irradiation step, the fixed point of the observation region is set to the fixed point. It is characterized by irradiating with a primary electron beam.
【００５７】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法は、請求項５記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法と同様の作用効果を奏する。This method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope has the same effect as the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope.
【００５８】（１４）請求項１４記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法は、請求項１３記載の走査電子
顕微鏡の画像積算回数検出方法において、前記照射工程
で、前記試料の近傍に配設されたダミー部と前記定点と
の間で、連続的に照射される前記一次電子線を所定速度
で往復させることにより、該一次電子線を該定点に所定
の間隔時間で繰り返し照射することを特徴とするもので
ある。(14) The method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 14 is the method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 13, wherein the irradiation step is arranged near the sample The primary electron beam that is continuously irradiated is reciprocated at a predetermined speed between the dummy portion and the fixed point, and thus the primary electron beam is repeatedly irradiated to the fixed point at a predetermined interval time. It is what
【００５９】この走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方
法は、請求項６記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検
出方法と同様の作用効果を奏する。The method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope has the same effect as the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope.
【００６０】[0060]
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
について、図面を参照しつつ説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００６１】（実施形態１）図１に示される走査電子顕
微鏡の画像積算回数検出装置は、一次電子線の照射によ
り試料表面から放出される放出電子（二次電子又は反射
電子）の電子エネルギーを検出して前記検出値を求めた
り、あるいは該放出電子により試料の表面輝度を検出し
て前記検出値を求めたりする場合に用いるものである。(Embodiment 1) The apparatus for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope shown in FIG. 1 detects the electron energy of the emitted electrons (secondary electrons or reflected electrons) emitted from the sample surface by the irradiation of the primary electron beam. It is used when detecting and obtaining the detected value, or when detecting the surface brightness of the sample by the emitted electrons and obtaining the detected value.
【００６２】この画像積算回数検出装置は、実際に観
察、撮影する走査電子顕微鏡に主検出器を加えたもの
で、一次電子線１を発射する一次電子線発射装置２と、
試料台３と、試料台３上に置かれた試料４から発生する
二次電子５を集束するための一対の集束電極６、６と、
両集束電極６、６間に配設されたシンチレータ７と、シ
ンチレータ７に接続されたシンチレータ用高電圧電源８
と、シンチレータ７にライトガイド９を介して連結され
た光電子増倍管１０と、光電子増倍管１０に接続された
高電圧フォトマル電源１１と、一次電子線１が試料４表
面で反射した反射電子１２を検出するための反射電子検
出器１３と、第１増幅器１４を介して光電子増倍管１０
に接続されるとともに第２増幅器１５を介して反射電子
検出器１３に接続された主検出器１６と、第３増幅器１
７を介して主検出器１６に接続された画像出力装置とし
ての二次電子観察用ＣＲＴ１８とを備えている。This image integration number detecting device is a scanning electron microscope for actually observing and photographing and a main detector is added, and a primary electron beam emitting device 2 for emitting a primary electron beam 1 and
A sample table 3 and a pair of focusing electrodes 6, 6 for focusing secondary electrons 5 generated from a sample 4 placed on the sample table 3,
A scintillator 7 arranged between both focusing electrodes 6 and a scintillator high-voltage power supply 8 connected to the scintillator 7.
A photomultiplier tube 10 connected to the scintillator 7 via a light guide 9, a high-voltage photomultiplier power source 11 connected to the photomultiplier tube 10, and a reflection of the primary electron beam 1 reflected on the surface of the sample 4. A photomultiplier tube 10 via a backscattered electron detector 13 for detecting electrons 12 and a first amplifier 14.
The main detector 16 connected to the backscattered electron detector 13 via the second amplifier 15 and the third amplifier 1
And a CRT 18 for secondary electron observation as an image output device connected to the main detector 16 via 7.
【００６３】ここに、主検出器１６は、試料４からの放
出電子（二次電子５や反射電子１２）の電子エネルギ
ー、又はこの放出電子により試料４の表面輝度を検出可
能なものである。Here, the main detector 16 is capable of detecting the electron energy of the emitted electrons (secondary electrons 5 and reflected electrons 12) from the sample 4 or the surface brightness of the sample 4 by the emitted electrons.
【００６４】本実施形態では、図１に示される画像積算
回数検出装置を用い、画像積算処理を利用して走査電子
顕微鏡で実際に観察する前に、以下に示す画像積算回数
検出方法を実施して、該画像積算処理における最適な積
算回数を事前に決定した。In the present embodiment, the image integration number detecting method shown in FIG. 1 is used, and the following image integration number detecting method is carried out before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. Then, the optimum number of times of integration in the image integration process was determined in advance.
【００６５】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域の全体に一次電子線１を
走査するとともに、検出工程で、放出電子としての二次
電子５の電子エネルギーを検出するものである。In this embodiment, in the irradiation step, the primary electron beam 1 is scanned over the entire observation region on the surface of the sample 4 to be actually observed, and in the detection step, the electrons of the secondary electron 5 as the emitted electron are emitted. It is to detect energy.
【００６６】＜規定値決定工程＞一次電子線１の照射に
より試料４の表面が徐々に帯電していく様子を図２に模
式的に示す。一次電子線１が試料４の表面に照射される
と、試料４から二次電子５が放出される。なお、一次電
子線１を照射し始めた初期段階でも、その量は少ない
が、一次電子線１の一部が試料４表面で反射して反射電
子１２として放出される。この一次電子線を照射し始め
た初期段階では、試料４の表面が帯電しても、試料４の
内部を通じて放電される。その後、一次電子線１の走査
回数が増えて一次電子線１が試料４に繰り返し照射され
ると、試料４の表面温度が上昇するため、放電効率が下
がり、試料４の表面で帯電が加速度的に進行し、一次電
子線１の多くが試料４表面で反射して反射電子１２とな
る。<Defined Value Determining Step> FIG. 2 schematically shows that the surface of the sample 4 is gradually charged by the irradiation of the primary electron beam 1. When the surface of the sample 4 is irradiated with the primary electron beam 1, secondary electrons 5 are emitted from the sample 4. Even in the initial stage when the irradiation with the primary electron beam 1 is started, the amount thereof is small, but a part of the primary electron beam 1 is reflected on the surface of the sample 4 and emitted as reflected electrons 12. In the initial stage when the irradiation of the primary electron beam is started, even if the surface of the sample 4 is charged, it is discharged through the inside of the sample 4. After that, when the number of scans of the primary electron beam 1 increases and the primary electron beam 1 is repeatedly irradiated to the sample 4, the surface temperature of the sample 4 rises, the discharge efficiency decreases, and the charging of the surface of the sample 4 is accelerated. Then, most of the primary electron beam 1 is reflected by the surface of the sample 4 and becomes the reflected electron 12.
【００６７】試料４表面が過度に帯電していない通常の
状態（初期段階）では、二次電子５の放出エネルギーは
試料４表面に照射される一次電子線１の電子エネルギー
の１／３程度である。例えば、図３に示されるように、
一次電子線１の電子エネルギーが１０ＫｅＶのとき、初
期段階では、二次電子の電子エネルギーは３．３ＫｅＶ
程度である。そして、試料４表面での帯電が進んで、通
常の二次電子５に加えて多くの反射電子１２が試料４か
ら放出されるようになると、多くの反射電子１２の電子
エネルギーが二次電子の電子エネルギーとして検出さ
れ、二次電子の電子エネルギーが急激に増大し始める。
このため、二次電子５の電子エネルギーが一次電子線１
の電子エネルギーの１／２（５ＫｅＶ）になったとき
に、反射電子１２が過度に増加する帯電開始時と判断し
て、この一次電子線１の電子エネルギーの１／２に当た
る５ＫｅＶを、チャージアップを引き起こすことのない
限界（最大）の帯電電荷量に相当する値としての規定値
とした。In a normal state (initial stage) in which the surface of the sample 4 is not excessively charged, the emission energy of the secondary electrons 5 is about 1/3 of the electron energy of the primary electron beam 1 with which the surface of the sample 4 is irradiated. is there. For example, as shown in FIG.
When the electron energy of the primary electron beam 1 is 10 KeV, the electron energy of the secondary electrons is 3.3 KeV in the initial stage.
It is a degree. Then, when charging on the surface of the sample 4 progresses and many backscattered electrons 12 are emitted from the sample 4 in addition to the normal secondary electrons 5, the electron energy of many backscattered electrons 12 becomes a secondary electron. Detected as electron energy, the electron energy of secondary electrons begins to increase rapidly.
Therefore, the electron energy of the secondary electron 5 is equal to that of the primary electron beam 1.
When it becomes 1/2 (5 KeV) of the electron energy of 1), it is judged that the charging time when the reflected electrons 12 excessively increase, and 5 KeV corresponding to 1/2 of the electron energy of the primary electron beam 1 is charged up. Was set as a specified value as a value corresponding to the limit (maximum) amount of charged electric charge that does not cause
【００６８】＜照射工程＞上記画像積算回数検出装置の
試料台２に試料４を置き、図４に示されるように、一次
電子線発射装置２から発射された一次電子線１を試料４
の実際の観察領域（走査電子顕微鏡を用いて実際に観
察、撮影する領域）の全体に走査した。<Irradiation Step> The sample 4 is placed on the sample table 2 of the above-described image integration number detecting device, and the primary electron beam 1 emitted from the primary electron beam emitting device 2 is transferred to the sample 4 as shown in FIG.
The whole of the actual observation area (area actually observed and photographed by using a scanning electron microscope) was scanned.
【００６９】この照射工程における一次電子線１の照射
条件は、実際に試料４を走査電子顕微鏡で観察する際に
照射する一次電子線と同じものとし、その照射条件も同
一とした。なお、一次電子線１のスキャンスピード
（Ｓ）は高速の約２０μｓで、電流は約１０ｐＡであ
る。The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam irradiated when actually observing the sample 4 with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same. The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is a high speed of about 20 μs, and the current is about 10 pA.
【００７０】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、試料４表面
から放出される二次電子５の電子エネルギーを主検出器
１６で連続的に検出した。<Detection Step> In the irradiation step, the electron energy of the secondary electrons 5 emitted from the surface of the sample 4 is constantly detected by the main detector 16 while the surface of the sample 4 is being irradiated with the primary electron beam 1. It was detected continuously.
【００７１】＜判断工程＞主検出器１６で検出された二
次電子５の電子エネルギーの検出値と、上記規定値決定
工程で求めた上記規定値とを常に比較し、電子エネルギ
ーの検出値が上記規定値たる５ＫｅＶになったときの経
過時間（Ｔ）を求めた。その結果、このＴの値は２５６
０μｓであった。<Determination Step> The detected value of the electron energy of the secondary electrons 5 detected by the main detector 16 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determination step, and the detected value of the electron energy is The elapsed time (T) when the above specified value of 5 KeV was reached was obtained. As a result, the value of T is 256
It was 0 μs.
【００７２】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ1 ＝２５６０／２０＝１
２８、積算回数）を求めた。From the value of T and the value of the scan speed (S), the optimum number of scans in the image integration process (N 1 = 2560/20 = 1) is obtained from N = T / S.
28, the number of times of integration).
【００７３】（実施形態２）実施形態１と同様、図１に
示される画像積算回数検出装置を用い、画像積算処理を
利用して走査電子顕微鏡で実際に観察する前に、以下に
示す画像積算回数検出方法を実施して、該画像積算処理
における最適な積算回数を事前に決定した。(Second Embodiment) Similar to the first embodiment, the image integration number detecting device shown in FIG. 1 is used to perform the following image integration before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. The number-of-times detection method was implemented to determine in advance the optimum number of times of integration in the image integration process.
【００７４】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域の一部に一次電子線１を
走査するとともに、検出工程で、放出電子としての二次
電子５の電子エネルギーを検出するものである。In this embodiment, the primary electron beam 1 is scanned in a part of the observation region on the surface of the sample 4 to be actually observed in the irradiation step, and the secondary electron 5 as an emission electron is detected in the detection step. It detects electron energy.
【００７５】＜規定値決定工程＞上記実施形態１と同
様、二次電子５の電子エネルギーが一次電子線１の電子
エネルギーの１／２（５ＫｅＶ）になったときに、反射
電子１２が過度に増加する帯電開始時と判断して、この
一次電子線１の電子エネルギーの１／２に当たる５Ｋｅ
Ｖを、チャージアップを引き起こすことのない限界（最
大）の帯電電荷量に相当する値としての規定値とした。<Defined Value Determining Step> Similar to the first embodiment, when the electron energy of the secondary electrons 5 becomes 1/2 (5 KeV) of the electron energy of the primary electron beam 1, the reflected electrons 12 become excessive. 5 Ke, which is half of the electron energy of the primary electron beam 1, is judged to be at the start of increasing charging.
V was set to a prescribed value as a value corresponding to the limit (maximum) amount of charged charge that does not cause charge-up.
【００７６】＜照射工程＞本実施形態の照射工程では、
図５に示されるように、一次電子線１を試料４の実際の
観察領域（走査電子顕微鏡を用いて実際に観察、撮影す
る領域）の一部たる微小領域（全体の約１／１００の領
域）にのみ走査した。<Irradiation Step> In the irradiation step of this embodiment,
As shown in FIG. 5, the primary electron beam 1 is a minute region (a region of about 1/100 of the whole) that is a part of the actual observation region of the sample 4 (the region where the scanning electron microscope actually observes and photographs). ).
【００７７】この照射工程における一次電子線１の照射
条件は、実際に試料４を走査電子顕微鏡で観察する際に
照射する一次電子線と同じものとし、その照射条件も同
一とした。The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam actually irradiated when the sample 4 was observed with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same.
【００７８】なお、一次電子線１のスキャンスピード
（Ｓ）は高速の約２０μｓで、電流は約１０ｐＡであ
る。The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is a high speed of about 20 μs, and the current is about 10 pA.
【００７９】また、スキャンスピード（Ｓ）と、観察領
域全体の面積（Ａ）に対する一次電子線を走査する微小
領域のの面積（ａ）の面積比率（ａ／Ａ）とから、Ｗ＝
Ｓ×（１−ａ／Ａ）より、待ち時間（Ｗ＝２０×（１−
１／１００）＝１９．８μｓ）を求め、各回の走査の間
に、前回の走査で帯電した試料表面が所定量放電するの
を待つ所定の待ち時間（Ｗ＝１９．８μｓ）を設定し
た。Further, from the scan speed (S) and the area ratio (a / A) of the area (a) of the minute area scanned with the primary electron beam to the area (A) of the entire observation area, W =
From S × (1-a / A), the waiting time (W = 20 × (1-
1/100) = 19.8 μs) was obtained, and a predetermined waiting time (W = 19.8 μs) for waiting for a predetermined amount of discharge on the surface of the sample charged in the previous scan was set between each scanning.
【００８０】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、試料４表面
から放出される二次電子５の電子エネルギーを主検出器
１６で検出した。<Detection Step> In the above irradiation step, the electron energy of the secondary electrons 5 emitted from the surface of the sample 4 is constantly detected by the main detector 16 while the surface of the sample 4 is being irradiated with the primary electron beam 1. Detected.
【００８１】＜判断工程＞主検出器１６で検出された二
次電子５の電子エネルギーの検出値と、上記規定値決定
工程で求めた上記規定値とを常に比較し、電子エネルギ
ーの検出値が上記規定値たる５ＫｅＶになったときの経
過時間（Ｔ）を求めた。その結果、このＴの値は２５６
０μｓであった。<Judgment Step> The detected value of the electron energy of the secondary electrons 5 detected by the main detector 16 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determining step, and the detected value of the electron energy is The elapsed time (T) when the above specified value of 5 KeV was reached was obtained. As a result, the value of T is 256
It was 0 μs.
【００８２】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ2B ＝２５６０／２０＝
１２８、積算回数）を求めた。From the value of T and the value of the scan speed (S), the optimum number of scans in the image integration process (N 2B = 2560/20 =) from N = T / S.
128, the number of times of integration).
【００８３】（実施形態３）実施形態１と同様、図１に
示される画像積算回数検出装置を用い、画像積算処理を
利用して走査電子顕微鏡で実際に観察する前に、以下に
示す画像積算回数検出方法を実施して、該画像積算処理
における最適な積算回数を事前に決定した。(Third Embodiment) Similar to the first embodiment, the image integration number detecting device shown in FIG. 1 is used to perform the following image integration before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. The number-of-times detection method was implemented to determine in advance the optimum number of times of integration in the image integration process.
【００８４】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域のある定点（１画素）に
一次電子線１を照射するとともに、検出工程で、放出電
子としての二次電子５の電子エネルギーを検出するもの
である。In this embodiment, in the irradiation step, the primary electron beam 1 is irradiated to a fixed point (one pixel) in the observation region of the surface of the sample 4 to be actually observed, and in the detection step, the secondary electron as the emission electron is irradiated. The electron energy of the secondary electron 5 is detected.
【００８５】＜規定値決定工程＞上記実施形態１と同
様、二次電子５の電子エネルギーが一次電子線１の電子
エネルギーの１／２（５ＫｅＶ）になったときに、反射
電子１２が過度に増加する帯電開始時と判断して、この
一次電子線１の電子エネルギーの１／２に当たる５Ｋｅ
Ｖを、チャージアップを引き起こすことのない限界（最
大）の帯電電荷量に相当する値としての規定値とした。<Defined Value Determining Step> Similar to the first embodiment, when the electron energy of the secondary electrons 5 becomes 1/2 (5 KeV) of the electron energy of the primary electron beam 1, the reflected electrons 12 become excessive. 5 Ke, which is half of the electron energy of the primary electron beam 1, is judged to be at the start of increasing charging.
V was set to a prescribed value as a value corresponding to the limit (maximum) amount of charged charge that does not cause charge-up.
【００８６】＜照射工程＞本実施形態の照射工程では、
図６に示されるように、一次電子線１を試料４の実際の
観察領域（走査電子顕微鏡を用いて実際に観察、撮影す
る領域）のある定点（１画素）にのみ照射した。<Irradiation Step> In the irradiation step of this embodiment,
As shown in FIG. 6, the primary electron beam 1 was applied only to a fixed point (one pixel) of the sample 4 in an actual observation area (area actually observed and photographed using a scanning electron microscope).
【００８７】この照射工程における一次電子線１の照射
条件は、実際に試料４を走査電子顕微鏡で観察する際に
照射する一次電子線と同じものとし、その照射条件も同
一とした。The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam irradiated when actually observing the sample 4 with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same.
【００８８】なお、一次電子線１のスキャンスピード
（Ｓ）は高速の約２０μｓで、電流は約１０ｐＡであ
る。The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is a high speed of about 20 μs, and the current is about 10 pA.
【００８９】また、図７に示されるように、試料４の近
傍に導電性ダミー部１９を配設し、このダミー部１９と
該定点との間で、連続的に発射される一次電子線１を所
定速度で往復させることにより、該一次電子線１を該定
点に所定の間隔時間をおいて間欠的に繰り返し照射し
た。Further, as shown in FIG. 7, a conductive dummy portion 19 is provided in the vicinity of the sample 4, and the primary electron beam 1 continuously emitted between the dummy portion 19 and the fixed point. By reciprocating at a predetermined speed, the primary electron beam 1 was intermittently and repeatedly irradiated to the fixed point at predetermined intervals.
【００９０】ここに、上記間隔時間は、上記スキャンス
ピード（Ｓ）＝２０μｓとした。Here, the interval time is the scan speed (S) = 20 μs.
【００９１】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、試料４表面
から放出される二次電子５の電子エネルギーを主検出器
１６で検出した。<Detection Step> In the irradiation step, the electron energy of the secondary electrons 5 emitted from the surface of the sample 4 is constantly detected by the main detector 16 while the surface of the sample 4 is irradiated with the primary electron beam 1. Detected.
【００９２】＜判断工程＞主検出器１６で検出された二
次電子５の電子エネルギーの検出値と、上記規定値決定
工程で求めた上記規定値とを常に比較し、電子エネルギ
ーの検出値が上記規定値たる５ＫｅＶになったときの経
過時間（Ｔ）を求めた。その結果、このＴの値は２５６
０μｓであった。<Judgment Step> The detected value of the electron energy of the secondary electrons 5 detected by the main detector 16 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determination step. The elapsed time (T) when the above specified value of 5 KeV was reached was obtained. As a result, the value of T is 256
It was 0 μs.
【００９３】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ3B＝２５６０／２０＝１
２８、積算回数）を求めた。From the value of T and the value of the scan speed (S), the optimum number of scans in the image integration process (N 3B = 2560/20 = 1) is obtained from N = T / S.
28, the number of times of integration).
【００９４】（実施形態４）実施形態１と同様、図１に
示される画像積算回数検出装置を用い、画像積算処理を
利用して走査電子顕微鏡で実際に観察する前に、以下に
示す画像積算回数検出方法を実施して、該画像積算処理
における最適な積算回数を事前に決定した。(Fourth Embodiment) Similar to the first embodiment, the image integration number detecting device shown in FIG. 1 is used to perform the following image integration before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. The number-of-times detection method was implemented to determine in advance the optimum number of times of integration in the image integration process.
【００９５】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域の全体に一次電子線１を
走査するとともに、検出工程で、放出電子としての反射
電子１２の電子エネルギーを検出するものである。In this embodiment, in the irradiation step, the primary electron beam 1 is scanned over the entire observation region of the surface of the sample 4 to be actually observed, and in the detection step, the electron energy of the backscattered electron 12 as the emitted electron is detected. Is to detect.
【００９６】＜規定値決定工程＞試料４表面が過度に帯
電していない通常の状態では、反射電子１２の放出エネ
ルギーは試料４表面に照射される一次電子線１の電子エ
ネルギーの１／２程度である。例えば、図８に示される
ように、一次電子線１の電子エネルギーが１０ＫｅＶの
とき、初期段階では、反射電子１２の電子エネルギーは
５ＫｅＶ程度である。そして、試料４表面での帯電が進
んで、多くの反射電子１２が試料４から放出されるよう
になると、反射電子１２の電子エネルギーが急激に増大
し始める。このため、反射電子１２の電子エネルギーが
一次電子線１の電子エネルギーの３／４（７．５Ｋｅ
Ｖ）になったときに、反射電子１２が過度に増加する帯
電開始時と判断して、この一次電子線１の電子エネルギ
ーの３／４に当たる７．５ＫｅＶを、チャージアップを
引き起こすことのない限界（最大）の帯電電荷量に相当
する値としての規定値とした。<Specified Value Determining Step> In a normal state where the surface of the sample 4 is not excessively charged, the emission energy of the backscattered electrons 12 is about ½ of the electron energy of the primary electron beam 1 with which the surface of the sample 4 is irradiated. Is. For example, as shown in FIG. 8, when the electron energy of the primary electron beam 1 is 10 KeV, the electron energy of the reflected electrons 12 is about 5 KeV in the initial stage. Then, when charging of the surface of the sample 4 progresses and many backscattered electrons 12 are emitted from the sample 4, the electron energy of the backscattered electrons 12 starts to rapidly increase. Therefore, the electron energy of the reflected electrons 12 is 3/4 (7.5 Ke) of the electron energy of the primary electron beam 1.
V), the reflected electrons 12 are judged to be at the charging start time when they increase excessively, and 7.5 KeV, which is 3/4 of the electron energy of the primary electron beam 1, is the limit that does not cause charge-up. It was set to a specified value as a value corresponding to the (maximum) charged charge amount.
【００９７】＜照射工程＞実施形態１と同様、一次電子
線１を試料４の実際の観察領域の全体に走査した。この
照射工程における一次電子線１の照射条件は、実際に試
料４を走査電子顕微鏡で観察する際に照射する一次電子
線と同じものとし、その照射条件も同一とした。なお、
一次電子線１のスキャンスピード（Ｓ）は高速の約２０
μｓで、電流は約１０ｐＡである。<Irradiation Step> As in the first embodiment, the primary electron beam 1 was scanned over the entire actual observation area of the sample 4. The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam irradiated when actually observing the sample 4 with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same. In addition,
The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is about 20 which is a high speed.
At μs, the current is about 10 pA.
【００９８】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、試料４表面
から放出される反射電子１２を反射電子検出器１３から
主検出器１６に導入し、この反射電子１２の電子エネル
ギーを主検出器１６で連続的に検出した。<Detection Step> In the above irradiation step, the backscattered electrons 12 emitted from the surface of the sample 4 are constantly emitted from the backscattered electron detector 13 to the main detector while the surface of the sample 4 is being irradiated with the primary electron beam 1. The electron energy of the reflected electrons 12 was continuously detected by the main detector 16.
【００９９】＜判断工程＞主検出器１６で検出された反
射電子１２の電子エネルギーの検出値と、上記規定値決
定工程で求めた上記規定値とを常に比較し、電子エネル
ギーの検出値が上記規定値たる７．５ＫｅＶになったと
きの経過時間（Ｔ）を求めた。その結果、このＴの値は
２５６０μｓであった。<Judging Step> The detected value of the electron energy of the backscattered electrons 12 detected by the main detector 16 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determining step, and the detected value of the electron energy is The elapsed time (T) when the value reached the specified value of 7.5 KeV was obtained. As a result, the value of T was 2560 μs.
【０１００】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ1 ＝２５６０／２０＝１
２８、積算回数）を求めた。From this T value and the scan speed (S) value, from N = T / S, the optimum number of scans in the image integration process (N 1 = 2560/20 = 1)
28, the number of times of integration).
【０１０１】（実施形態５）実施形態１と同様、図１に
示される画像積算回数検出装置を用い、画像積算処理を
利用して走査電子顕微鏡で実際に観察する前に、以下に
示す画像積算回数検出方法を実施して、該画像積算処理
における最適な積算回数を事前に決定した。(Fifth Embodiment) Similar to the first embodiment, the image integration number detecting device shown in FIG. 1 is used to perform the following image integration before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. The number-of-times detection method was implemented to determine in advance the optimum number of times of integration in the image integration process.
【０１０２】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域の全体に一次電子線１を
走査するとともに、検出工程で、放出電子により試料４
の表面輝度を検出するものである。In the present embodiment, the primary electron beam 1 is scanned over the entire observation area on the surface of the sample 4 to be actually observed in the irradiation step, and the sample 4 is emitted by the emitted electrons in the detection step.
The surface brightness of is detected.
【０１０３】＜規定値決定工程＞図９に示されるよう
に、試料４表面での帯電が進んで、多くの反射電子１２
が試料４から放出されるようになると、それに伴い試料
４の表面輝度（電子エネルギー×電子の数）も著しく増
加する。このため、試料４の表面輝度が初期段階の２倍
まで増加したときに、反射電子１２が過度に増加する帯
電開始時と判断（例えば、実施形態１における放出電子
エネルギーの結果との照合により判断可能）して、この
輝度が初期の２倍になったときの値を、チャージアップ
を引き起こすことのない限界（最大）の帯電電荷量に相
当する値としての規定値とした。<Defined Value Determining Step> As shown in FIG. 9, a large number of backscattered electrons 12 due to the progress of charging on the surface of the sample 4.
When is emitted from the sample 4, the surface brightness (electron energy × number of electrons) of the sample 4 also remarkably increases accordingly. Therefore, when the surface brightness of the sample 4 is increased to twice the initial level, it is determined that the backscattered electrons 12 excessively increase at the charging start time (for example, the result is compared with the result of the emitted electron energy in the first embodiment. Then, the value at the time when the luminance is doubled from the initial value is set as a specified value as a value corresponding to the limit (maximum) charged charge amount that does not cause charge-up.
【０１０４】＜照射工程＞実施形態１と同様、一次電子
線１を試料４の実際の観察領域の全体に走査した。この
照射工程における一次電子線１の照射条件は、実際に試
料４を走査電子顕微鏡で観察する際に照射する一次電子
線と同じものとし、その照射条件も同一とした。なお、
一次電子線１のスキャンスピード（Ｓ）は高速の約２μ
ｓで、電流は約１０ｐＡである。<Irradiation Step> As in Embodiment 1, the primary electron beam 1 was scanned over the entire actual observation region of the sample 4. The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam irradiated when actually observing the sample 4 with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same. In addition,
The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is about 2μ which is a high speed.
At s, the current is about 10 pA.
【０１０５】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、主検出器１
６で試料４の表面輝度を連続的に検出した。<Detection Step> In the irradiation step described above, the main detector 1 is always maintained during the irradiation of the surface of the sample 4 with the primary electron beam 1.
In 6, the surface brightness of Sample 4 was continuously detected.
【０１０６】＜判断工程＞主検出器１６で検出された試
料４の表面輝度の検出値と、上記規定値決定工程で求め
た上記規定値とを常に比較し、表面輝度の検出値が上記
規定値になったときの経過時間（Ｔ）を求めた。その結
果、このＴの値は２５６μｓであった。<Judgment Step> The detected value of the surface luminance of the sample 4 detected by the main detector 16 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determination step, and the detected value of the surface brightness is the specified value. The elapsed time (T) when the value was reached was determined. As a result, the value of T was 256 μs.
【０１０７】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ1 ＝２５６／２＝１２
８、積算回数）を求めた。From the value of T and the value of the scan speed (S), the optimum number of scans in the image integration process (N 1 = 256/2 = 12) is obtained from N = T / S.
8, the number of times of integration) was determined.
【０１０８】＜画像積算処理における実観察＞上記実施
形態５における上記試料４の観察領域の全体に一次電子
線１を高速（２μｓ）で１２８回走査するとともに、試
料４から放出される二次電子を検出して検出信号を求
め、該検出信号に基づく各フレーム毎の画像信号を積算
・合成する画像積算処理した観察像を図１０に示す。な
お、図１０（ａ）は１０万倍、図１０（ｂ）は２０万倍
の走査電子顕微鏡写真である。<Actual Observation in Image Integration Processing> The entire observation area of the sample 4 in the fifth embodiment is scanned with the primary electron beam 1 128 times at high speed (2 μs), and the secondary electrons emitted from the sample 4 are scanned. FIG. 10 shows an observation image obtained by performing image integration processing for detecting and detecting a detection signal, and integrating and synthesizing image signals for each frame based on the detection signal. 10A is a scanning electron microscope photograph at 100,000 times, and FIG. 10B is a scanning electron microscope photograph at 200,000 times.
【０１０９】比較のため、上記試料４の観察領域の全体
に一次電子線１を低速（４０μｓ）で走査して得られた
観察像を図１１に示す。なお、図１１（ａ）は１０万
倍、図１１（ｂ）は２０万倍の走査電子顕微鏡写真であ
る。For comparison, FIG. 11 shows an observation image obtained by scanning the entire observation region of the sample 4 with the primary electron beam 1 at a low speed (40 μs). Note that FIG. 11A is a scanning electron microscope photograph at 100,000 times, and FIG. 11B is a scanning electron microscope photograph at 200,000 times.
【０１１０】低速スキャンによる図１１の観察像は、チ
ャージアップにより試料表面の凹凸が良好に判別できな
い状態であった。In the observation image of FIG. 11 obtained by the low-speed scanning, the unevenness of the sample surface could not be well discriminated due to charge-up.
【０１１１】これに対し、高速スキャンにより画像積算
処理した図１０の観察像は、図１１の比較例に係る観察
像と比べて、表面形態上方が鮮明に反映されていること
がわかる。また、１２８回高速スキャンさせても、チャ
ージアップしないクリアな像が得られた。On the other hand, it can be seen that the observation image of FIG. 10 subjected to image integration processing by high-speed scanning clearly reflects the upper surface morphology as compared with the observation image of the comparative example of FIG. Also, a clear image without charge-up was obtained even when the high speed scanning was performed 128 times.
【０１１２】（実施形態６）図１２に示される走査電子
顕微鏡の画像積算回数検出装置は、一次電子線１が照射
された試料４の表面電位を検出して前記検出値を求める
場合に用いるもので、観察室内の任意の位置に移動可能
な検出プローブ２０と、電流電圧計２１とを備えてい
る。一次電子線１が照射された試料４の表面電位を検出
する場合、一次電子線１の電子ビームが当たっている試
料４の表面に検出プローブ２０を接触させ、試料台３を
基準電極として試料４表面との間の電位を検出する。な
お、走査電子顕微鏡により実際に試料４表面を観察、撮
影するときには、検出プローブ２０を観察室内の別の指
定場所に移動させる。(Embodiment 6) The image integration number detecting device of the scanning electron microscope shown in FIG. 12 is used for detecting the surface potential of the sample 4 irradiated with the primary electron beam 1 to obtain the detection value. Then, the detection probe 20 movable to any position in the observation room and the ammeter 21 are provided. When detecting the surface potential of the sample 4 irradiated with the primary electron beam 1, the detection probe 20 is brought into contact with the surface of the sample 4 hit by the electron beam of the primary electron beam 1, and the sample table 3 is used as a reference electrode for the sample 4 The electric potential between the surface and the surface is detected. When the surface of the sample 4 is actually observed and photographed by the scanning electron microscope, the detection probe 20 is moved to another designated place in the observation chamber.
【０１１３】本実施形態では、図１２に示される画像積
算回数検出装置を用い、画像積算処理を利用して走査電
子顕微鏡で実際に観察する前に、以下に示す画像積算回
数検出方法を実施して、該画像積算処理における最適な
積算回数を事前に決定した。In the present embodiment, the image integration number detecting device shown in FIG. 12 is used, and the following image integration number detecting method is carried out before actually observing with a scanning electron microscope using the image integration process. Then, the optimum number of times of integration in the image integration process was determined in advance.
【０１１４】なお、本実施形態は、照射工程で、実際に
観察する試料４表面の観察領域の全体に一次電子線１を
走査するとともに、検出工程で、試料４の表面電位を検
出するものである。In this embodiment, the primary electron beam 1 is scanned over the entire observation area of the surface of the sample 4 to be actually observed in the irradiation step, and the surface potential of the sample 4 is detected in the detection step. is there.
【０１１５】＜規定値決定工程＞図１３に示されるよう
に、試料４表面での帯電が進むと、それに伴い試料４の
表面電位も著しく増加する。このため、試料４の表面電
位が初期段階の２倍まで増加したときに、反射電子１２
が過度に増加する帯電開始時と判断（例えば、実施形態
１における放出電子エネルギーの結果との照合により判
断可能）して、この表面電位が初期の２倍になったとき
の値を、チャージアップを引き起こすことのない限界
（最大）の帯電電荷量に相当する値としての規定値とし
た。<Defined Value Determining Step> As shown in FIG. 13, as the charging of the surface of the sample 4 progresses, the surface potential of the sample 4 also increases remarkably. Therefore, when the surface potential of the sample 4 increases to twice the initial potential, the reflected electrons 12
Is determined to be at the start of charging (for example, it can be determined by comparing with the result of the electron energy emitted in Embodiment 1), and the value when this surface potential is twice as high as the initial value is charged up. Was set as a specified value as a value corresponding to the limit (maximum) amount of charged electric charge that does not cause
【０１１６】＜照射工程＞実施形態１と同様、一次電子
線１を試料４の実際の観察領域の全体に走査した。この
照射工程における一次電子線１の照射条件は、実際に試
料４を走査電子顕微鏡で観察する際に照射する一次電子
線と同じものとし、その照射条件も同一とした。なお、
一次電子線１のスキャンスピード（Ｓ）は高速の約２０
μｓで、電流は約１０ｐＡである。<Irradiation Step> As in the first embodiment, the primary electron beam 1 was scanned over the entire actual observation area of the sample 4. The irradiation conditions of the primary electron beam 1 in this irradiation step were the same as those of the primary electron beam irradiated when actually observing the sample 4 with a scanning electron microscope, and the irradiation conditions were also the same. In addition,
The scan speed (S) of the primary electron beam 1 is about 20 which is a high speed.
At μs, the current is about 10 pA.
【０１１７】＜検出工程＞上記照射工程で、一次電子線
１を試料４表面に照射している間中、常に、検出プロー
ブ２０及び電流電圧計２１で試料４の表面電位を連続的
に検出した。<Detection Step> In the irradiation step described above, the surface potential of the sample 4 was continuously detected by the detection probe 20 and the ammeter / voltmeter 21 while the surface of the sample 4 was irradiated with the primary electron beam 1. .
【０１１８】＜判断工程＞検出プローブ２０及び電流電
圧計２１で検出された試料４の表面電位の検出値と、上
記規定値決定工程で求めた上記規定値とを常に比較し、
表面電位の検出値が上記規定値になったときの経過時間
（Ｔ）を求めた。その結果、このＴの値は２５６０μｓ
であった。<Judging Step> The detected value of the surface potential of the sample 4 detected by the detection probe 20 and the ammeter / voltmeter 21 is constantly compared with the specified value obtained in the specified value determination step,
The elapsed time (T) when the detected value of the surface potential reached the specified value was determined. As a result, the value of T is 2560 μs
Met.
【０１１９】そして、このＴの値と上記スキャンスピー
ド（Ｓ）の値とから、Ｎ＝Ｔ／Ｓより、画像積算処理に
おける最適なスキャン回数（Ｎ1 ＝２５６０／２０＝１
２８、積算回数）を求めた。From the value of T and the value of the scan speed (S), the optimum number of scans in the image integration process (N 1 = 2560/20 = 1) is obtained from N = T / S.
28, the number of times of integration).
【０１２０】[0120]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の走査電子
顕微鏡の画像積算回数検出方法によれば、一次電子線の
照射による試料表面における帯電の程度を予め把握する
ことにより、画像積算処理における走査回数（フレーム
数、積算回数）の最適化を図ることができるので、例え
ば導電性の低い試料でも試料表面にＡｕ等を蒸着するこ
となく、チャージアップしない限界でのクリアな観察像
を得ることが可能となる。As described above in detail, according to the method of detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope of the present invention, the image integration processing is performed by previously grasping the degree of electrification on the sample surface due to the irradiation of the primary electron beam. Since it is possible to optimize the number of scans (the number of frames, the number of times of integration) in, the clear observation image can be obtained at the limit of charge-up without depositing Au or the like on the sample surface even for a sample having low conductivity. It becomes possible.
【図１】 本発明の一実施形態に係る画像積算回数検出
装置の構成概略図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an image integration number detection device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 一次電子線の照射により試料表面が帯電して
いく様子を模式的に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing how the sample surface is charged by irradiation with a primary electron beam.
【図３】 試料表面への一次電子線の照射時間（経過時
間）と試料からの放出電子（二次電子、反射電子）の電
子エネルギーとの関係を示す線図である。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the irradiation time (elapsed time) of the primary electron beam on the sample surface and the electron energy of emitted electrons (secondary electrons, reflected electrons) from the sample.
【図４】 試料表面の観察領域の全体に一次電子線を走
査する様子を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which a primary electron beam is scanned over the entire observation region on the sample surface.
【図５】 試料表面の観察領域の一部のみに一次電子線
を走査する様子を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which only a part of the observation region on the sample surface is scanned with the primary electron beam.
【図６】 試料表面の観察領域の定点に一次電子線を照
射する様子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how a fixed point in an observation area on a sample surface is irradiated with a primary electron beam.
【図７】 試料表面の観察領域の定点に一次電子線を照
射する際に、該定点とダミー部との間で連続発射される
一次電子線を往復させて、該定点に間欠的に一次電子線
を照射する様子を示す説明図である。FIG. 7: When irradiating a fixed point in the observation area on the sample surface with a primary electron beam, the primary electron beam continuously emitted between the fixed point and the dummy part is reciprocated, and the primary electron is intermittently applied to the fixed point. It is explanatory drawing which shows a mode that a line is irradiated.
【図８】 試料表面への一次電子線の照射時間（経過時
間）と試料からの放出電子（反射電子）の電子エネルギ
ーとの関係を示す線図である。FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the irradiation time (elapsed time) of the primary electron beam on the sample surface and the electron energy of emitted electrons (reflected electrons) from the sample.
【図９】 試料表面への一次電子線の照射時間（経過時
間）と試料の表面輝度との関係を示す線図である。FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the irradiation time (elapsed time) of the primary electron beam on the sample surface and the surface brightness of the sample.
【図１０】 高速スキャンの画像積算処理による走査電
子顕微鏡の観察像であり、（ａ）は１０万倍、（ｂ）は
２０万倍の顕微鏡写真である。10A and 10B are observation images of a scanning electron microscope obtained by image integration processing of high-speed scanning, in which FIG. 10A is a 100,000-fold microscope image, and FIG.
【図１１】 低速スキャンによる走査電子顕微鏡の観察
像であり、（ａ）は１０万倍、（ｂ）は２０万倍の顕微
鏡写真である。11A and 11B are observation images of a scanning electron microscope by low-speed scanning, in which FIG. 11A is a 100,000-fold magnification, and FIG.
【図１２】 試料の表面電位を検出する様子を模式的に
示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing how to detect the surface potential of a sample.
【図１３】 試料表面への一次電子線の照射時間（経過
時間）と試料の表面電位との関係を示す線図である。FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the irradiation time (elapsed time) of the primary electron beam on the sample surface and the surface potential of the sample.
１…一次電子線 ４…試料 ５…二次電子 １２…反射電子 １３…反射電子検出器 １６…主検出器（電子エネルギー、輝度） １９…ダミー部 1 ... Primary electron beam 4 ... Sample 5 ... Secondary electron 12 ... Reflected electron 13 ... Backscattered electron detector 16: Main detector (electron energy, brightness) 19 ... Dummy part
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１４年６月２８日（２００２．６．２
８）[Submission date] June 28, 2002 (2002.6.2)
8)
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図１０[Name of item to be corrected] Fig. 10
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図１０】 [Figure 10]
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図１１[Name of item to be corrected] Figure 11
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図１１】 FIG. 11
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 犬塚 郷子 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 Ｆターム(参考） 5C033 NN01 NN02 NP06 UU01 UU04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Satoko Inuzuka 1 Toyota Town, Toyota City, Aichi Prefecture Toyota Auto Car Co., Ltd. F-term (reference) 5C033 NN01 NN02 NP06 UU01 UU04
Claims (14)
回走査させて繰り返し照射するとともに該一次電子線の
照射により該試料表面から放出される二次電子を検出し
て検出信号を求め、該検出信号に基づく各フレーム毎の
画像信号を積算・合成する画像積算処理により該試料表
面を走査電子顕微鏡で実際に観察する前に実施して、該
画像積算処理における積算回数を事前に決定する走査電
子顕微鏡の画像積算回数検出方法であって、 上記一次電子線の照射により上記試料表面が所定量帯電
したことを示す特定の規定値を求める規定値決定工程
と、 上記試料表面の観察領域のうちの少なくとも一部に上記
一次電子線を照射する照射工程と、 上記一次電子線の照射により上記試料表面から放出され
る放出電子を検出して、該放出電子に基づく所定の検出
値を求める検出工程と、 上記規定値と上記検出値との比較により、上記画像積算
処理における積算回数を求める判断工程とを含むことを
特徴とする走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。1. An observation area of a sample surface is scanned with a primary electron beam a plurality of times for repeated irradiation, and secondary electrons emitted from the sample surface due to irradiation of the primary electron beam are detected to obtain a detection signal, An image integration process of integrating and synthesizing image signals for each frame based on the detection signal is performed before actually observing the sample surface with a scanning electron microscope, and the number of integrations in the image integration process is determined in advance. A method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope, wherein a specified value determination step of obtaining a specified specified value indicating that the sample surface has been charged by a predetermined amount by irradiation with the primary electron beam, and an observation area of the sample surface An irradiation step of irradiating at least a part of them with the primary electron beam, and detecting emitted electrons emitted from the sample surface by the irradiation of the primary electron beam, and performing a step based on the emitted electrons. A method for detecting the number of times of integration of an image in a scanning electron microscope, which comprises a detection step of obtaining a constant detection value, and a step of determining the number of integrations in the image integration processing by comparing the specified value with the detection value. ..
わたって前記一次電子線を複数回走査させて繰り返し照
射することを特徴とする請求項１記載の走査電子顕微鏡
の画像積算回数検出方法。2. The method for detecting the cumulative number of images in a scanning electron microscope according to claim 1, wherein in the irradiation step, the primary electron beam is scanned a plurality of times over the entire observation region and repeatedly irradiated.
前記一次電子線を複数回走査させて繰り返し照射するこ
とを特徴とする請求項１記載の走査電子顕微鏡の画像積
算回数検出方法。3. The method for detecting the cumulative number of images in a scanning electron microscope according to claim 1, wherein, in the irradiation step, a part of the observation region is scanned with the primary electron beam a plurality of times and repeatedly irradiated.
回の走査で帯電した前記試料表面が所定量放電するのを
待つ所定の待ち時間を設定することを特徴とする請求項
３記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。4. The irradiation step, wherein a predetermined waiting time is set between each scanning to wait for a predetermined amount of the surface of the sample charged in the previous scanning to be discharged. Scanning electron microscope image integration frequency detection method.
前記一次電子線を照射することを特徴とする請求項１記
載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。5. The method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 1, wherein, in the irradiation step, the fixed point in the observation region is irradiated with the primary electron beam.
されたダミー部と前記定点との間で、連続的に発射され
る前記一次電子線を所定速度で往復させることにより、
該一次電子線を該定点に所定の間隔時間で繰り返し照射
することを特徴とする請求項５記載の走査電子顕微鏡の
画像積算回数検出方法。6. In the irradiation step, the primary electron beam continuously emitted is reciprocated at a predetermined speed between a dummy portion arranged near the sample and the fixed point,
The method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 5, wherein the primary electron beam is repeatedly applied to the fixed point at a predetermined interval time.
ネルギーを検出することを特徴とする請求項１、２、
３、４、５又は６記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数
検出方法。7. The electron energy of the emitted electrons is detected in the detecting step.
The method for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to 3, 4, 5 or 6.
記試料表面の輝度を検出することを特徴とする請求項
１、２、３、４、５又は６記載の走査電子顕微鏡の画像
積算回数検出方法。8. The detection of the number of times of image integration of the scanning electron microscope according to claim 1, wherein the detection step detects the brightness of the sample surface by the emitted electrons. Method.
回走査させて繰り返し照射するとともに該一次電子線の
照射により該試料表面から放出される二次電子を検出し
て検出信号を求め、該検出信号に基づく各フレーム毎の
画像信号を積算・合成する画像積算処理により該試料表
面を走査電子顕微鏡で実際に観察する前に実施して、該
画像積算処理における積算回数を事前に決定する走査電
子顕微鏡の画像積算回数検出方法であって、 上記一次電子線の照射により上記試料表面が所定量帯電
したことを示す特定の規定値を求める規定値決定工程
と、 上記試料表面の観察領域のうちの少なくとも一部に上記
一次電子線を照射する照射工程と、 上記一次電子線が照射された上記試料表面の電位を検出
して検出値を求める検出工程と、 上記規定値と上記検出値との比較により、上記画像積算
処理における積算回数を求める判断工程とを含むことを
特徴とする走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。9. A detection signal is obtained by scanning a primary electron beam on an observation region of a sample surface a plurality of times to repeatedly irradiate the secondary electron and irradiating the primary electron beam to detect secondary electrons emitted from the surface of the sample. An image integration process of integrating and synthesizing image signals for each frame based on the detection signal is performed before actually observing the sample surface with a scanning electron microscope, and the number of integrations in the image integration process is determined in advance. A method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope, wherein a specified value determination step of obtaining a specified specified value indicating that the sample surface has been charged by a predetermined amount by irradiation with the primary electron beam, and an observation area of the sample surface An irradiation step of irradiating at least a part of them with the primary electron beam, a detection step of detecting a detection value by detecting the potential of the sample surface irradiated with the primary electron beam, and the specified value By comparison with the detection values, the image accumulation number detection method of a scanning electron microscope, characterized in that it comprises a determination step of determining the number of integrations in the image accumulation process.
にわたって前記一次電子線を複数回走査させて繰り返し
照射することを特徴とする請求項９記載の走査電子顕微
鏡の画像積算回数検出方法。10. The method for detecting the cumulative number of images in a scanning electron microscope according to claim 9, wherein in the irradiation step, the primary electron beam is scanned a plurality of times over the entire observation region and repeatedly irradiated.
に前記一次電子線を複数回走査させて繰り返し照射する
ことを特徴とする請求項９記載の走査電子顕微鏡の画像
積算回数検出方法。11. The method for detecting the cumulative number of images in a scanning electron microscope according to claim 9, wherein in the irradiation step, a part of the observation region is scanned with the primary electron beam a plurality of times and repeatedly irradiated.
前回の走査で帯電した前記試料表面が所定量放電するの
を待つ所定の待ち時間を設定する請求項１１記載の走査
電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。12. In the irradiation step, during each scanning,
The method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 11, wherein a predetermined waiting time for waiting for a predetermined amount of the surface of the sample charged in the previous scan to be discharged is set.
に前記一次電子線を照射することを特徴とする請求項９
記載の走査電子顕微鏡の画像積算回数検出方法。13. The irradiation with the primary electron beam is performed at a fixed point of the observation region in the irradiation step.
A method for detecting the number of times of image integration of the scanning electron microscope described.
設されたダミー部と前記定点との間で、連続的に照射さ
れる前記一次電子線を所定速度で往復させることによ
り、該一次電子線を該定点に所定の間隔時間で繰り返し
照射することを特徴とする請求項１３記載の走査電子顕
微鏡の画像積算回数検出方法。14. In the irradiation step, the primary electron beam, which is continuously irradiated, is reciprocated at a predetermined speed between a dummy portion arranged near the sample and the fixed point to thereby reciprocate the primary electron beam. 14. The method for detecting the number of times of image integration of a scanning electron microscope according to claim 13, wherein the fixed point is repeatedly irradiated with the electron beam at a predetermined interval time.
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|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006259326A (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shimadzu Corp | Infrared microscope |
| JP2007220615A (en) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam device and charged particle beam picture formation method |
| US8588509B1 (en) | 2012-06-28 | 2013-11-19 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Efficient scanning for EM based target localization |
| JP2015210903A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Charged particle beam device |
| US9236220B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-01-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electronic microscope, setting method of observation condition of electronic microscope, and observation method using electronic microscope |
| US11043358B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-06-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Measuring apparatus and method of setting observation condition |
-
2002
- 2002-05-13 JP JP2002137527A patent/JP2003331768A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006259326A (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shimadzu Corp | Infrared microscope |
| JP4710366B2 (en) * | 2005-03-17 | 2011-06-29 | 株式会社島津製作所 | Infrared microscope |
| JP2007220615A (en) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam device and charged particle beam picture formation method |
| JP4668807B2 (en) * | 2006-02-20 | 2011-04-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Charged particle beam apparatus and charged particle beam image generation method |
| US9236220B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-01-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electronic microscope, setting method of observation condition of electronic microscope, and observation method using electronic microscope |
| DE112013001912B4 (en) | 2012-04-04 | 2024-05-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Electron microscope, method for setting observation condition of electron microscope and observation method using electron microscope |
| US8588509B1 (en) | 2012-06-28 | 2013-11-19 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Efficient scanning for EM based target localization |
| WO2014001157A1 (en) | 2012-06-28 | 2014-01-03 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Efficient scanning for em based target localization |
| JP2015210903A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Charged particle beam device |
| US11043358B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-06-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Measuring apparatus and method of setting observation condition |
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