JPH0773833A - Charged particle beam device - Google Patents
Charged particle beam deviceInfo
- Publication number
- JPH0773833A JPH0773833A JP21758793A JP21758793A JPH0773833A JP H0773833 A JPH0773833 A JP H0773833A JP 21758793 A JP21758793 A JP 21758793A JP 21758793 A JP21758793 A JP 21758793A JP H0773833 A JPH0773833 A JP H0773833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- current
- signal
- electron beam
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡やオー
ジェ電子顕微鏡などの荷電粒子線装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam device such as a scanning electron microscope or Auger electron microscope.
【０００２】[0002]
【従来の技術】走査電子顕微鏡は、電子線を試料上で２
次元的に走査し、その走査により試料から発生する２次
電子などの信号に基づいて試料像を得る装置である。こ
のような走査電子顕微鏡を用いて絶縁物試料を観察した
場合、絶縁物試料は真空中で電子線照射を受けるため帯
電してしまう。その結果、絶縁物試料の観察が良好に行
なえない。このような問題を解決するため、主として次
の〜の手法がとられている。 試料表面を導電性物質で被服する。 低加速電圧（低エネルギー）の電子線を絶縁物試料に
照射する。 １次電子線量を減らす。 試料周辺の真空度を低下させる。2. Description of the Related Art A scanning electron microscope uses an electron beam on a sample to measure
It is a device that scans dimensionally and obtains a sample image based on signals such as secondary electrons generated from the sample by the scanning. When observing an insulator sample using such a scanning electron microscope, the insulator sample is charged by being irradiated with an electron beam in a vacuum. As a result, the observation of the insulator sample cannot be performed well. In order to solve such problems, the following methods (1) to (3) are mainly adopted. The sample surface is coated with a conductive substance. An insulator sample is irradiated with an electron beam having a low acceleration voltage (low energy). Reduce the primary electron dose. Reduce the degree of vacuum around the sample.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
〜を行なうと、次のような問題が発生する。を行な
うと、試料の表面の微細構造（凹凸）が埋没する。を
行なうと分解能が低下し、を行なうと試料から放出さ
れる信号量が減少する。また、を行なうと、試料を照
射する電子線および試料から放出される信号が残留気体
分子に妨害され、分解能、信号検出量が低下する。However, if the above items 1 to 3 are performed, the following problems occur. Then, the microstructure (concavities and convexities) on the surface of the sample is buried. The resolution is reduced by performing, and the amount of signal emitted from the sample is reduced by performing. Further, if the above is performed, the electron beam irradiating the sample and the signal emitted from the sample are interfered by the residual gas molecules, and the resolution and the signal detection amount are lowered.
【０００４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、上記〜を行なわないで絶縁物試
料を良好に観察・分析できる荷電粒子線装置を提供する
ことにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a charged particle beam apparatus capable of satisfactorily observing and analyzing an insulator sample without performing the above steps.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、試料に
１次電子線を照射し、試料から放出される２次線を検出
して試料の分析を行なう荷電粒子線装置において、前記
試料に照射される１次電子線の電流量を検出する手段
と、前記２次線の電流量を検出する手段と、前記試料を
加熱する手段と、試料から放出される熱電子の電流量と
前記２次線の電流量の和が前記１次電子線の電流量にな
るように前記加熱手段を制御する手段とを備えている。
第２の本発明は、試料上で電子線を２次元的に走査し、
試料から放出される信号に基づいて試料像を表示する荷
電粒子線装置において、前記電子線の試料上での１フレ
ーム走査分の輝度ヒストグラムを作成する手段と、該輝
度ヒストグラムから求められる最大ピークＰと閾値Ｐ0
とを比較する手段と、前記ピークＰが前記閾値Ｐ0 より
も小さくなるように前記試料を加熱する手段と、試料か
ら放出される熱電子を検出する手段とを備えている。第
３の本発明は、試料に１次電子線を照射し、試料から放
出される２次線を検出して試料の分析を行なう荷電粒子
線装置において、前記試料を加熱する手段と、前記２次
線の信号の変化に基づいて前記加熱手段を制御する手段
とを備えている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a charged particle beam apparatus for analyzing a sample by irradiating the sample with a primary electron beam and detecting a secondary beam emitted from the sample. Means for detecting the amount of current of the primary electron beam with which the sample is irradiated, means for detecting the amount of current of the secondary beam, means for heating the sample, and amount of the thermoelectrons emitted from the sample The heating means is controlled so that the sum of the current amounts of the secondary rays becomes the current amount of the primary electron beam.
A second aspect of the present invention is to two-dimensionally scan an electron beam on a sample,
In a charged particle beam device that displays a sample image based on a signal emitted from a sample, a means for creating a brightness histogram for one frame scan of the electron beam on the sample, and a maximum peak P obtained from the brightness histogram. And threshold P 0
And a means for heating the sample so that the peak P becomes smaller than the threshold value P 0, and a means for detecting thermoelectrons emitted from the sample. A third aspect of the present invention is a charged particle beam apparatus for irradiating a sample with a primary electron beam and detecting a secondary beam emitted from the sample to analyze the sample; And means for controlling the heating means based on the change in the signal of the next line.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００７】図１は本発明の第１の実施例として示した
走査電子顕微鏡の概略図である。図１において、１は電
子銃、２は集束レンズで、集束レンズ２により電子線は
試料３上に集束される。４は偏向器で、偏向器４により
電子線は試料３上で２次元的に走査され、またファラデ
ーカップ５方向に偏向される。６は１次電子線電流保持
部で、保持部６はファラデーカップ５で測定された１次
電子線電流Ｉ1 を記憶する。７は２次電子検出器、８は
反射電子検出器で、各々の検出器で検出された信号は画
像処理装置１６および２次線電流演算器９に送られる。
２次線電流演算器９は、各々の検出器で検出された信号
を加算して２次線電流Ｉ2 を求める。１０および１１は
比較器、１２は試料電流検出器、１３は加熱電源、１４
はヒータ、１５は熱電子収集電極、１７は熱電子電流検
出器である。FIG. 1 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an electron gun, 2 is a focusing lens, and the focusing lens 2 focuses an electron beam on a sample 3. Reference numeral 4 is a deflector. The deflector 4 two-dimensionally scans the electron beam on the sample 3 and deflects it in the direction of the Faraday cup 5. Reference numeral 6 denotes a primary electron beam current holding unit, and the holding unit 6 stores the primary electron beam current I 1 measured by the Faraday cup 5. Reference numeral 7 is a secondary electron detector, 8 is a backscattered electron detector, and the signals detected by the respective detectors are sent to the image processing device 16 and the secondary line current calculator 9.
The secondary line current calculator 9 adds the signals detected by the respective detectors to obtain the secondary line current I 2 . 10 and 11 are comparators, 12 is a sample current detector, 13 is a heating power source, 14
Is a heater, 15 is a thermoelectron collecting electrode, and 17 is a thermoelectron current detector.
【０００８】このような構成の装置の動作は以下の通り
である。The operation of the device having such a configuration is as follows.
【０００９】電子銃１からの１次電子線は、偏向器４に
よりファラデーカップ５方向に偏向され、１次電子線電
流Ｉ1 がファラデーカップ５により測定される。測定さ
れた１次電子線電流Ｉ1 を表わす信号Ｉ1 は１次電子線
電流保持部６に記憶される。１次電子線電流Ｉ1 の測定
が終了すると、１次電子線が試料３上で二次元的に走査
される。この１次電子線の走査により、２次電子や反射
電子などの２次線が試料３から発生し、それらの２次線
は検出器７，８に検出される。２次線電流演算器９は、
各々の検出器で検出された信号を加算して２次線電流Ｉ
2 を求め、２次線電流Ｉ2 を表わす信号Ｉ2 は比較器１
０に送られる。また、１次電子線電流保持部６に記憶さ
れた信号Ｉ1 は比較器１０に供給され、比較器１０は信
号Ｉ1 からＩ2 を引く処理（Ｉ1 −Ｉ2 ）を行なう。比
較器１０の出力信号（Ｉ1 −Ｉ2）は比較器１１に送ら
れる。試料電流検出器１２は試料を経由してアース側に
流れる試料電流Ｉa を測定し、試料電流Ｉa を表わす信
号Ｉa を比較器１１に送る。比較器１１は信号（Ｉ1 −
Ｉ2 ）からＩa を引く処理（（Ｉ1 −Ｉ2 ）−Ｉa）を
行なう。The primary electron beam from the electron gun 1 is deflected by the deflector 4 toward the Faraday cup 5, and the primary electron beam current I 1 is measured by the Faraday cup 5. The signal I 1 representing the measured primary electron beam current I 1 is stored in the primary electron beam current holding unit 6. When the measurement of the primary electron beam current I 1 is completed, the primary electron beam is two-dimensionally scanned on the sample 3. By this scanning with the primary electron beam, secondary rays such as secondary electrons and reflected electrons are generated from the sample 3, and the secondary rays are detected by the detectors 7 and 8. The secondary line current calculator 9 is
The signals detected by the respective detectors are added to add the secondary line current I
2 calculated, the signal I 2 which represents the secondary line current I 2 comparators 1
Sent to 0. Further, the signal I 1 stored in the primary electron beam current holding unit 6 is supplied to the comparator 10, and the comparator 10 performs a process (I 1 -I 2 ) of subtracting I 2 from the signal I 1 . The output signal (I 1 −I 2 ) of the comparator 10 is sent to the comparator 11. Specimen current detector 12 measures the specimen current I a that flows to the ground side via the sample is sent to the comparator 11 a signal I a representative sample current I a. The comparator 11 outputs the signal (I 1 −
I 2) subtract I a from the processing performing ((I 1 -I 2) -I a).
【００１０】さて、試料３が絶縁物試料である場合、試
料電流Ｉa は零である。試料が導電性試料である場合、
１次電子線電流Ｉ1 は、２次線電流Ｉ2 と試料電流Ｉa
を足した電流と等しいが、試料が絶縁物試料である場合
この関係は成り立たない。このため、比較器１１の出力
信号は正となる。比較器１１の出力信号は加熱電源１３
に送られる。この正の信号を受けた加熱電源１３は、ヒ
ータ１４の温度を序々に上げる。ヒータ１４により絶縁
物試料３が加熱されると、試料３から熱電子が放出され
る。この熱電子は、電圧源（図示せず）より電圧が印加
される熱電子収集電極１５に捕獲される。熱電子電流検
出器１７は、熱電子収集電極１５から送られてくる信号
より熱電子電流Ｉb を求める。熱電子電流Ｉb を表わす
信号Ｉbは前記比較器１１に送られる。比較器１１は、
信号（（Ｉ1 −Ｉ2 ）−Ｉa ）から信号Ｉb を引く処理
を行なう。ヒータ１４の温度を上げていくと、試料３か
ら放出される熱電子の量は増加する。この結果、ヒータ
１４の温度を上げていくと、比較器１１の出力は零に近
づいていく。比較器１１の出力が零になった時、試料に
入射する電子線の量と、試料から放出する電子線の量は
等しくなるので試料は帯電しなくなる。比較器１１の出
力が零になると、加熱電源１３はヒータ１４の温度をそ
の時点の温度に固定する。この結果、画像処理装置１６
から画像信号が供給される表示装置（図示せず）には帯
電していない良好な試料像が表示される。If the sample 3 is an insulator sample, the sample current I a is zero. If the sample is a conductive sample,
The primary electron beam current I 1 is the secondary beam current I 2 and the sample current I a.
Is equal to the sum of the currents, but this relationship does not hold when the sample is an insulator sample. Therefore, the output signal of the comparator 11 becomes positive. The output signal of the comparator 11 is the heating power supply 13
Sent to. The heating power supply 13 receiving this positive signal gradually raises the temperature of the heater 14. When the insulator sample 3 is heated by the heater 14, thermoelectrons are emitted from the sample 3. The thermoelectrons are captured by the thermoelectron collecting electrode 15 to which a voltage is applied from a voltage source (not shown). The thermoelectron current detector 17 obtains the thermoelectron current I b from the signal sent from the thermoelectron collecting electrode 15. The signal I b representing the thermoelectron current I b is sent to the comparator 11. The comparator 11 is
Signal ((I 1 -I 2) -I a) performing a process running signal I b from. As the temperature of the heater 14 is increased, the amount of thermoelectrons emitted from the sample 3 increases. As a result, as the temperature of the heater 14 is increased, the output of the comparator 11 approaches zero. When the output of the comparator 11 becomes zero, the amount of electron beams incident on the sample becomes equal to the amount of electron beams emitted from the sample, so that the sample is no longer charged. When the output of the comparator 11 becomes zero, the heating power supply 13 fixes the temperature of the heater 14 to the temperature at that time. As a result, the image processing device 16
A good non-charged sample image is displayed on a display device (not shown) to which an image signal is supplied from.
【００１１】図２は本発明の第２の実施例として示した
走査電子顕微鏡の概略図である。図２において前記図１
と同一番号を付したものは同一構成要素である。図２に
おいて、１８はオートコントラスト・ブライトネス回路
（ＡＣＢ）で、ＡＣＢ１８はコントラストの補正および
輝度の補正を自動的に行なう回路である。１９は表示装
置、２０は積算器、２１は比較器、２２は閾値設定回
路、２３は加熱電源である。FIG. 2 is a schematic view of the scanning electron microscope shown as the second embodiment of the present invention. In FIG.
Those denoted by the same reference numerals as are the same components. In FIG. 2, reference numeral 18 denotes an auto contrast / brightness circuit (ACB), and ACB 18 is a circuit for automatically performing contrast correction and brightness correction. Reference numeral 19 is a display device, 20 is an integrator, 21 is a comparator, 22 is a threshold value setting circuit, and 23 is a heating power source.
【００１２】このような構成の装置の動作は以下の通り
である。The operation of the apparatus having such a configuration is as follows.
【００１３】電子銃１から発生し集束レンズ２で集束さ
れた電子線は試料３上で２次元的に走査される。この走
査により試料３から２次電子が発生し、この２次電子は
２次電子検出器７に検出される。２次電子検出器７より
の信号はＡＣＢ１８を介して表示装置１９に供給され
る。また、ＡＣＢ１８の出力信号は積算器２０に送られ
る。積算器２０は、１次電子線の１フレームの走査によ
り試料から発生する２次電子の信号からヒストグラムを
作成する。図３中Ａは、試料３が絶縁物試料であって試
料表面に帯電が発生している場合のヒストグラムを示し
ている。試料表面が負に帯電すると、試料から放出され
る信号のエネルギーは試料面にたまった電子の作用を受
けて高くなるので、図３Ａに示すように、輝度が高いと
ころにピークが発生する。積算器２０はピーク値Ｐを比
較器２１に送る。図３中Ｂは、試料３が導電性試料であ
って試料表面が帯電していない場合のヒストグラムを示
している。試料表面が帯電しないと、輝度が高いところ
にピークが発生することはなく、ピークＰ1 はピークＰ
よりもかなり低く、表示装置１９の最適な輝度範囲内
（ピークがＰ0 よりも低い範囲）におさまっている。閾
値設定回路２２は比較器２１に閾値Ｐ0 を供給する。比
較器２１は、ピーク値Ｐと閾値Ｐ0 を比較し、Ｐ≧Ｐ0
ならば加熱電源２３に加熱信号を供給する。この加熱信
号を受けた加熱電源２３はヒータ１４の温度を序々に上
げる。ヒータ１４により絶縁物試料３が加熱されると、
試料３から熱電子が放出される。この熱電子は、熱電子
収集電極１５に捕獲される。試料３から熱電子が放出さ
れると、試料表面にたまる電子は減少するので、２次線
は試料表面にたまった電子の作用を受けにくくなる。こ
のため、前記積算器２０で求められるヒストグラムのピ
ークは低くなり、ピーク値Ｐは閾値Ｐ0 よりも低くな
る。ピーク値Ｐが閾値Ｐ0 よりも低くなると、比較器２
１は加熱電源２３への加熱信号の供給を停止し、ヒータ
の温度はその時点の温度に固定される。この結果、表示
装置１９には帯電していない良好な試料像が表示され
る。The electron beam generated by the electron gun 1 and focused by the focusing lens 2 is two-dimensionally scanned on the sample 3. Secondary electrons are generated from the sample 3 by this scanning, and the secondary electrons are detected by the secondary electron detector 7. The signal from the secondary electron detector 7 is supplied to the display device 19 via the ACB 18. The output signal of the ACB 18 is sent to the integrator 20. The integrator 20 creates a histogram from the secondary electron signals generated from the sample by scanning one frame of the primary electron beam. A in FIG. 3 shows a histogram when the sample 3 is an insulator sample and the surface of the sample is charged. When the sample surface is negatively charged, the energy of the signal emitted from the sample is increased by the action of the electrons accumulated on the sample surface, so that a peak occurs at a high brightness as shown in FIG. 3A. The integrator 20 sends the peak value P to the comparator 21. B in FIG. 3 shows a histogram when the sample 3 is a conductive sample and the sample surface is not charged. If the surface of the sample is not charged, no peak will occur at a high brightness, and the peak P 1 will be
It is much lower than that, and is within the optimum brightness range of the display device 19 (the range where the peak is lower than P 0 ). The threshold setting circuit 22 supplies the threshold P 0 to the comparator 21. The comparator 21 compares the peak value P with the threshold value P 0 , and P ≧ P 0
If so, a heating signal is supplied to the heating power supply 23. The heating power supply 23 receiving this heating signal gradually raises the temperature of the heater 14. When the insulator sample 3 is heated by the heater 14,
Thermoelectrons are emitted from the sample 3. The thermoelectrons are captured by the thermoelectron collecting electrode 15. When the thermoelectrons are emitted from the sample 3, the number of electrons accumulated on the surface of the sample decreases, so that the secondary rays are less likely to be affected by the electrons accumulated on the surface of the sample. Therefore, the peak of the histogram obtained by the integrator 20 becomes low, and the peak value P becomes lower than the threshold value P 0 . When the peak value P becomes lower than the threshold value P 0 , the comparator 2
1 stops supplying the heating signal to the heating power source 23, and the temperature of the heater is fixed to the temperature at that time. As a result, a good non-charged sample image is displayed on the display device 19.
【００１４】図４は本発明の第３の実施例として示した
走査電子顕微鏡の概略図であり、前記図１と同一番号を
付したものは同一構成要素である。図４において、２４
は２次線電流変動検出器、２５は変動幅発生部、２６は
加熱電源である。FIG. 4 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a third embodiment of the present invention, and the components denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same components. In FIG. 4, 24
Is a secondary line current fluctuation detector, 25 is a fluctuation width generating section, and 26 is a heating power supply.
【００１５】このような構成の装置の動作は次の通りで
ある。The operation of the apparatus having such a configuration is as follows.
【００１６】電子銃１から発生し集束レンズ２で集束さ
れた電子線は試料３上で２次元的に走査される。この走
査により試料３から２次電子が発生し、この２次電子は
２次電子検出器７に検出される。２次線電流演算器９
は、２次電子検出器７で検出された信号から２次線電流
Ｉ2 を求める。そして、２次線電流Ｉ2 を表わす信号Ｉ
2 は２次線電流変動検出器２４に送られる。２次線電流
変動検出器２４は、１次電子線の１フレームの走査分の
２次線電流［Ｉ2 ］を求める。An electron beam generated from the electron gun 1 and focused by the focusing lens 2 is two-dimensionally scanned on the sample 3. Secondary electrons are generated from the sample 3 by this scanning, and the secondary electrons are detected by the secondary electron detector 7. Secondary line current calculator 9
Calculates the secondary line current I 2 from the signal detected by the secondary electron detector 7. Then, a signal I representing the secondary line current I 2
2 is sent to the secondary line current fluctuation detector 24. The secondary line current fluctuation detector 24 obtains the secondary line current [I 2 ] for one frame scanning of the primary electron beam.
【００１７】試料が絶縁物試料である場合、試料表面に
は１次電子の一部がたまり、試料表面は負に帯電する。
この電子の影響を受け、試料から発生する２次電子のエ
ネルギーは変動する。このため、試料が帯電すると、２
次線電流変動検出器２４で求められる２次線電流
［Ｉ2 ］は図５に示すように変動する。２次線電流変動
検出器２４は、２次線電流［Ｉ2 ］の変動幅ｗが、変動
幅発生部２５より供給される変動幅ｗ0 よりも大きい場
合、加熱電源２６に加熱信号を送る。加熱電源２６はヒ
ータ１４の加熱温度を序々に上げる。この加熱により試
料３から熱電子が放出される。この熱電子の放出によ
り、試料表面にたまっていた電子は減少し、試料から発
生する２次電子のエネルギーの変動は小さくなる。この
結果、２次線電流変動検出器２４で検出される２次線電
流［Ｉ2 ］は安定していくる。そして、その変動幅が前
記ｗ0 よりも小さくなった時、すなわち、試料が帯電し
なくなった時、２次線電流変動検出器２４は加熱電源２
６への加熱信号の供給を停止する。加熱電源２６は加熱
信号が供給されなくなった時点で、ヒータ１４の温度を
その時点の温度に固定する。この結果、画像処理装置１
６から画像信号が供給される表示装置（図示せず）には
帯電していない良好な試料像が表示される。When the sample is an insulator sample, some of the primary electrons accumulate on the sample surface, and the sample surface is negatively charged.
Under the influence of this electron, the energy of the secondary electron generated from the sample fluctuates. Therefore, if the sample is charged,
The secondary line current [I 2 ] obtained by the secondary line current fluctuation detector 24 fluctuates as shown in FIG. The secondary line current fluctuation detector 24 sends a heating signal to the heating power supply 26 when the fluctuation width w of the secondary line current [I 2 ] is larger than the fluctuation width w 0 supplied from the fluctuation width generating unit 25. . The heating power source 26 gradually raises the heating temperature of the heater 14. Due to this heating, thermoelectrons are emitted from the sample 3. Due to the emission of these thermoelectrons, the electrons accumulated on the surface of the sample are reduced, and the fluctuation of the energy of secondary electrons generated from the sample is reduced. As a result, the secondary line current [I 2 ] detected by the secondary line current fluctuation detector 24 becomes stable. Then, when the fluctuation width becomes smaller than w 0 , that is, when the sample is no longer charged, the secondary line current fluctuation detector 24 uses the heating power source 2
The supply of the heating signal to 6 is stopped. The heating power supply 26 fixes the temperature of the heater 14 to the temperature at that time when the heating signal is not supplied. As a result, the image processing device 1
An uncharged good sample image is displayed on a display device (not shown) to which the image signal is supplied from 6.
【００１８】以上、本発明を走査電子顕微鏡を例にとっ
て説明したが、本発明は走査電子顕微鏡に限定されるも
のでなく、オージェ電子顕微鏡のように試料に電子線を
照射する装置にも適用できる。Although the present invention has been described above by taking the scanning electron microscope as an example, the present invention is not limited to the scanning electron microscope and can be applied to an apparatus for irradiating a sample with an electron beam such as an Auger electron microscope. .
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明においては、試料が帯電している
程度を測定し、試料が帯電しなくなるように試料を加熱
しているので、従来のような、試料表面を導電性物質
で被服する、低加速電圧（低エネルギー）の電子線を
絶縁物試料に照射する、３１次電子線量を減らす、試
料周辺の真空度を低下させることを行なわなくてすむ。
このため、絶縁物試料を高分解能で観察することがで
き、また、絶縁物試料の十分な分析が行なえる。According to the present invention, the degree to which the sample is charged is measured, and the sample is heated so that the sample is not charged. Therefore, the surface of the sample is coated with a conductive substance as in the conventional case. It is not necessary to irradiate the insulator sample with an electron beam having a low acceleration voltage (low energy), reduce the 31st electron dose, and reduce the degree of vacuum around the sample.
Therefore, the insulator sample can be observed with high resolution, and the insulator sample can be sufficiently analyzed.
【図１】本発明の第１の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a scanning electron microscope shown as a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a second embodiment of the present invention.
【図３】輝度ヒストグラムを示したものである。FIG. 3 shows a luminance histogram.
【図４】本発明の第３の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 4 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a third embodiment of the present invention.
【図４】２次線電流［Ｉ2 ］の変化を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a change in secondary line current [I 2 ].
１ 電子銃 ２ 集束レンズ ３ 試料 ４ 偏向器 ５ ファラデーカップ ６ １次電子線電流保持部 ７ ２次電子検出器 ８ 反射電子検出器 ９ ２次線電流演算器 １０，１１，２１ 比較器 １２ 試料電流検出器 １３，２３ 加熱電源 １４ ヒータ １５ 熱電子収集電極 １６ 画像処理装置 １７ 熱電子電流検出器 １８ ＡＧＣ １９ 表示装置 ２０ 積算器 ２２ 閾値設定回路 ２４ ２次線電流変動検出器 ２５ 変動幅発生部 ２６ 加熱電源 1 Electron Gun 2 Focusing Lens 3 Sample 4 Deflector 5 Faraday Cup 6 Primary Electron Beam Current Holding Section 7 Secondary Electron Detector 8 Backscattered Electron Detector 9 Secondary Line Current Calculator 10, 11, 21 Comparator 12 Sample Current Detector 13, 23 Heating power source 14 Heater 15 Thermoelectron collection electrode 16 Image processing device 17 Thermoelectron current detector 18 AGC 19 Display device 20 Integrator 22 Threshold setting circuit 24 Secondary line current fluctuation detector 25 Fluctuation width generation unit 26 Heating power supply
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年４月２５日[Submission date] April 25, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の第１の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a scanning electron microscope shown as a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a second embodiment of the present invention.
【図３】輝度ヒストグラムを示したものである。FIG. 3 shows a luminance histogram.
【図４】本発明の第３の実施例として示した走査電子顕
微鏡の概略図である。FIG. 4 is a schematic view of a scanning electron microscope shown as a third embodiment of the present invention.
【図５】２次線電流［Ｉ2 ］の変化を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing a change in secondary line current [I 2 ].
【符号の説明】 １ 電子銃 ２ 集束レンズ ３ 試料 ４ 偏向器 ５ ファラデーカップ ６ １次電子線電流保持部 ７ ２次電子検出器 ８ 反射電子検出器 ９ ２次線電流演算器 １０，１１，２１ 比較器 １２ 試料電流検出器 １３，２３ 加熱電源 １４ ヒータ １５ 熱電子収集電極 １６ 画像処理装置 １７ 熱電子電流検出器 １８ ＡＧＣ １９ 表示装置 ２０ 積算器 ２２ 閾値設定回路 ２４ ２次線電流変動検出器 ２５ 変動幅発生部 ２６ 加熱電源[Explanation of Codes] 1 electron gun 2 focusing lens 3 sample 4 deflector 5 Faraday cup 6 primary electron beam current holder 7 secondary electron detector 8 backscattered electron detector 9 secondary line current calculator 10, 11, 21 Comparator 12 Sample current detector 13, 23 Heating power supply 14 Heater 15 Thermoelectron collection electrode 16 Image processing device 17 Thermoelectron current detector 18 AGC 19 Display device 20 Accumulator 22 Threshold setting circuit 24 Secondary line current fluctuation detector 25 Fluctuation range generator 26 Heating power supply
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図５[Name of item to be corrected] Figure 5
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction content]
【図５】 [Figure 5]
Claims (3)
される２次線を検出して試料の分析を行なう荷電粒子線
装置において、前記試料に照射される１次電子線の電流
量を検出する手段と、前記２次線の電流量を検出する手
段と、前記試料を加熱する手段と、試料から放出される
熱電子の電流量と前記２次線の電流量の和が前記１次電
子線の電流量になるように前記加熱手段を制御する手段
とを備えた荷電粒子線装置。1. A charged particle beam apparatus for irradiating a sample with a primary electron beam, detecting a secondary beam emitted from the sample to analyze the sample, and a current of a primary electron beam with which the sample is irradiated. Amount detecting means, means for detecting the current amount of the secondary line, means for heating the sample, and the sum of the current amount of thermoelectrons emitted from the sample and the current amount of the secondary line is A charged particle beam apparatus comprising: a means for controlling the heating means so that the current amount of the primary electron beam is reached.
から放出される信号に基づいて試料像を表示する荷電粒
子線装置において、前記電子線の試料上での１フレーム
走査分の輝度ヒストグラムを作成する手段と、該輝度ヒ
ストグラムから求められる最大ピークＰと閾値Ｐ0 とを
比較する手段と、前記ピークＰが前記閾値Ｐ0 よりも小
さくなるように前記試料を加熱する手段と、試料から放
出される熱電子を検出する手段とを備えた荷電粒子線装
置。2. A charged particle beam apparatus for two-dimensionally scanning an electron beam on a sample and displaying a sample image on the basis of a signal emitted from the sample, wherein one electron beam scans one frame on the sample. And a means for comparing the maximum peak P obtained from the brightness histogram with a threshold value P 0 , and a means for heating the sample so that the peak P becomes smaller than the threshold value P 0. , A charged particle beam device comprising means for detecting thermoelectrons emitted from a sample.
される２次線を検出して試料の分析を行なう荷電粒子線
装置において、前記試料を加熱する手段と、前記２次線
の信号の変化に基づいて前記加熱手段を制御する手段と
を備えた荷電粒子線装置。3. A charged particle beam apparatus for irradiating a sample with a primary electron beam and detecting a secondary beam emitted from the sample to analyze the sample, and means for heating the sample, and the secondary beam. Charged particle beam device comprising means for controlling the heating means on the basis of the change in the signal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21758793A JPH0773833A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Charged particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21758793A JPH0773833A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Charged particle beam device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773833A true JPH0773833A (en) | 1995-03-17 |
Family
ID=16706630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21758793A Withdrawn JPH0773833A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Charged particle beam device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773833A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216120A (en) * | 2009-09-24 | 2015-12-03 | プロトチップス，インコーポレイテッド | Method for using temperature control device in electron microscope |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21758793A patent/JPH0773833A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216120A (en) * | 2009-09-24 | 2015-12-03 | プロトチップス，インコーポレイテッド | Method for using temperature control device in electron microscope |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8604430B2 (en) | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam | |
| JP2008210702A (en) | Charged particle beam device and applied voltage control method | |
| JPH0773833A (en) | Charged particle beam device | |
| JP4668807B2 (en) | Charged particle beam apparatus and charged particle beam image generation method | |
| JPH08195181A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP4095510B2 (en) | Surface potential measurement method and sample observation method | |
| JP2001126655A5 (en) | ||
| US20230343549A1 (en) | Charged Particle Beam Device and Specimen Observation Method | |
| JPH07105888A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP2001050916A (en) | Method and apparatus for measurement of work function | |
| US6995369B1 (en) | Scanning electron beam apparatus and methods of processing data from same | |
| JP3400697B2 (en) | electronic microscope | |
| JP2003331768A (en) | Detection method of image integration times of scanning electron microscope | |
| JPS6364255A (en) | Particle beam radiating device | |
| JP6920539B2 (en) | Scanning electron microscope and its imaging method | |
| JP2005005056A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP3153262B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| JPH07161327A (en) | Focusing method in charged particle beam | |
| JP2008103107A (en) | Charged particle beam device and its image control method | |
| JPH0668830A (en) | Correction method for luminance in scanning electron microscope | |
| JPH05205688A (en) | Scan type electron microscope | |
| JPH0315144A (en) | Chargeup preventing device for insulator sample | |
| JPH10283965A (en) | Method for eliminating charge from sample in scanning electron microscope, and scanning electron microscope | |
| JP3802242B2 (en) | Sample image display method and electron beam apparatus in electron beam apparatus | |
| JP2009265058A (en) | Tft array inspection apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |