JP2003329864A

JP2003329864A - スラブ型光導波路を有する光基板及びハイブリッド型光集積回路装置

Info

Publication number: JP2003329864A
Application number: JP2002141539A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Ishii; 雅俊石井; Masayuki Kato; 雅之加藤; Mototoshi Nishizawa; 元亨西沢; Takeshi Aoki; 剛青木
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-05-16
Filing date: 2002-05-16
Publication date: 2003-11-19

Abstract

(57)【要約】【課題】スラブ型光導波路を有する光基板及びハイブ
リッド型光集積回路装置に関し、スラブ型導波路を有す
る光基板を簡単な構成により位置合わせする。【解決手段】スラブ型光導波路の少なくとも一部に位
置合わせ用の光取り出し機構３を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はスラブ型光導波路を
有する光基板及びハイブリッド型光集積回路装置に関す
るものであり、特に、高速・大容量の信号を伝送する光
通信システムにおいて複数の入力ポートと複数の出力ポ
ートとの間で光信号の伝送先を切り替えるために用いる
強誘電体を用いた光偏向素子をスラブ型光導波路を有す
る光配線基板と光学的に接続する際の位置合わせ機構に
特徴のあるスラブ型光導波路を有する光基板及びハイブ
リッド型光集積回路装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の光通信の高速化・大容量化に伴
い、通信インフラの分野では、光アドドロップ，光クロ
スコネクト，波長多重レーザ，光変調器等の様々な光デ
バイスの開発の必要に迫られている。

【０００３】例えば、通信需要の飛躍的な増大に伴い、
基幹通信ネットワークにおける光ファイバ網のハードウ
エアのインフラを構築するためには、伝搬光を高速に切
り替えるための光スイッチの開発が求められている。

【０００４】この場合、コリメートされた伝播光を電気
光学効果または電気音響効果により偏向させることによ
り光路を切換える構造の光スイッチにおいては、スラブ
型の光導波路が必要となる。

【０００５】この様な偏向を行うための電気光学効果を
もつ強誘電体材料と光を伝播するための石英等の低損失
材料からなるスラブ型光導波路とを組み合わせた光スイ
ッチを構成する際には別々に作製した光導波路基板を光
学的に接続する方法が必要となる。

【０００６】この光導波路基板の光学的な接続工程にお
いては、コア層の高さを合わせるための位置合わせが必
要になるが、従来の平面導波路の位置合わせにおいて
は、粗調整用の位置マーカー付平面光導波路が提案され
ている（必要ならば、特開平８−１６０２３５号公報参
照）。

【０００７】この提案においては、複数のストライプ状
の光伝搬用コア層の両側に、マーカー用導波路を設けた
ものであり、このマーカー用導波路は、ストライプ状の
光伝搬用コア層と直交する方向から光を入射するための
入力部と、入力した位置合わせ用の光をストライプ状の
光伝搬用コア層と平行な方向へ出力するストライプ状コ
ア部とにより構成されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の粗調整
用の位置マーカー付平面光導波路に関する技術思想をス
ラブ型光導波路に適用した場合には、調整用の導波路、
即ち、マーカー用導波路を別途作製する必要があり作製
工数がかかるといった問題がある。

【０００９】したがって、本発明は、スラブ型導波路を
有する光基板を簡単な構成により位置合わせすることを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明にお
ける課題を解決するための手段を説明するが、図１は２
つの光基板を位置合わせする際の平面図である。図１参照上記の課題を解決するために、本発明は、スラブ型光導
波路を有する光基板２において、位置合わせ用の光取り
出し機構３を少なくとも一か所に有していることを特徴
とする。

【００１１】この様に、スラブ型光導波路の一部に、位
置合わせ用の光取り出し機構３を設けるだけであるの
で、少ない作製工数で、光基板１，２の位置合わせを精
度良く行うことができる。なお、位置合わせ用の光取り
出し機構３は一か所でも良いし、複数個所でも良く、複
数個所設けた方が、光基板２の傾き等を矯正することが
できる。

【００１２】また、この様な位置合わせ用の光取り出し
機構３は、スラブ型光導波路と屈折率の異なる領域、例
えば、平面形状がプリズム状のプリズム状領域、特に、
反射面を２か所有し、反射光を同一方向に反射させる形
状のプリズム状領域で構成しても良いし、或いは、回折
格子で形成しても良いものである。なお、プリズム状領
域は、スラブ型光導波路を部分的エッチングすることに
よって簡単に形成することができる。

【００１３】また、光路が分割されたスラブ型光導波路
を有する光基板の分割部に、光偏向素子等のスラブ型光
導波路を有する光基板２を入れ子状に組み込んでハイブ
リッド型光集積回路装置を構成する際にも、入れ子とな
る光基板２に位置合わせ用の光取り出し機構３を設ける
ことによって、位置合わせを精度良く行うことが可能に
なる。

【００１４】また、スラブ型光導波路を有する少なくと
も２つの光基板１，２を位置合わせする場合には、光基
板１，２の少なくとも一方に位置合わせ用の光取り出し
機構３を少なくとも一か所に設け、光基板１，２の他方
から前記位置合わせ用の光取り出し機構３に入射光４を
入射させ、位置合わせ用の光取り出し機構３からの取り
出し光５の光強度を光検出手段６で測定することによっ
て位置合わせを精度良く行うことができる。

【００１５】この場合、３個以上の光基板１，２を位置
合わせする際には、３個以上の光基板１，２の中間部に
配置される光基板２に置合わせ用の光取り出し機構３を
設ければ良く、それによって、両端に設けた光基板１か
ら入射光４を入射することによって、位置合わせが可能
になる。

【００１６】

【発明の実施の形態】ここで、図２及び図３を参照し
て、本発明の第１の実施の形態のスラブ型光導波路基板
の位置合わせ工程を説明する。図２（ａ）及び（ｂ）参照図２（ａ）は２つのスラブ型光導波路基板１０，２０の
位置合わせ工程における概略的平面図であり、図２
（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に
沿った概略的断面図である。

【００１７】各スラブ型光導波路基板１０，２０は、石
英基板１１，２１上に、Ｐ（プラズマ）−ＣＶＤ法によ
って、厚さが、例えば、８μｍのＳｉＯ₂からなる下部
クラッド層１２，２２、厚さが、例えば、３μｍのＧｅ
ドープＳｉＯ₂からなるコア層１３，２３、及び、厚さ
が、例えば、８μｍのＳｉＯ₂からなる上部クラッド層
１４，２４を順次堆積させたものである。

【００１８】この場合、一方のスラブ型光導波路基板２
０には、反射面が１面のみとなる方向に配置したプリズ
ム状の開口部を有するレジストパターン（図示を省略）
を設け、このレジストパターンをマスクとしてＣＦ₄＋
Ｏ₂或いはＣ₃Ｆ₈をエッチングガスとする反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）を施すことによって、少なくと
も下部クラッド層２４に達する平面形状がプリズム状の
プリズム状開口部２５を設ける。なお、この場合には、
プリズム状開口部２５を石英基板２１に達するように設
ける。

【００１９】次いで、一方のスラブ型光導波路基板１０
をステージ上に固定し、他方のスラブ型光導波路基板２
０を移動可能な保持部材で保持した状態で、両方のスラ
ブ型光導波路基板１０，２０の端面が平行になるように
粗位置合わせしたのち、プリズム状開口部２５を設けて
いないスラブ型光導波路基板１０側から入射コリメート
光１５を入射させ、この入射コリメート光をスラブ型光
導波路基板２０に設けたプリズム状開口部２５の反射面
で反射させてほぼ直交する方向に反射光１６を取り出
し、この反射光１６を光検出器１７で検出することによ
って位置合わせを行う。

【００２０】なお、プリズム状開口部２５は、空気層と
なるので、上部クラッド層２４／コア層２３／下部クラ
ッド層２２の積層構造の等価屈折率との間に大きな差が
形成され、この屈折率差によって反射面で全反射が起こ
ることになる。

【００２１】次に、図３を参照して、本発明の第１の実
施の形態における位置合わせの具体的フローを説明す
る。図３参照図３は、本発明の第１の実施の形態の位置合わせ工程の
フロー図であり、まず、粗位置合わせした状態で入射コリメート光１５
を入射させて反射光１６の光強度Ｐ₀を光検出器１７に
よって測定する。

【００２２】次いで、プリズム状開口部２５を設けた
スラブ型光導波路基板２０を、垂直方向、即ち、Ｚ方向
に移動させて、再び、光強度Ｐの測定を行う。なお、こ
の場合の移動方向は、上昇する方向、即ち、＋方向とす
る。

【００２３】次いで、移動後に測定した光強度Ｐと、
移動前に測定した光強度Ｐ₀とを比較し、Ｐ−Ｐ₀＞０の場合には、移動後に測定した光強度Ｐ
をＰ₀に置き換えるとともに、Ｚ＝１とし、Ｐ−Ｐ₀＜
０の場合には、移動後に測定した光強度ＰをＰ₀に置き
換えるとともに、Ｚ＝０とする。

【００２４】次いで、Ｚ＝１の場合には、再び、スラ
ブ型光導波路基板２０を＋Ｚ方向に移動させて光強度Ｐ
の測定を行い、一方、Ｚ＝０の場合には、スラブ型光導
波路基板２０を逆の−Ｚ方向に移動させて光強度Ｐの測
定を行う。

【００２５】次いで、再び、移動後に測定した光強度
Ｐと、移動前に測定した光強度Ｐ₀とを比較し、Ｐ−Ｐ₀＞０の場合には、再び、移動後に測定した光
強度ＰをＰ₀に置き換えるとともに、Ｚ＝１とし、再
び、スラブ型光導波路基板２０を＋Ｚ方向に移動させて
光強度Ｐの測定を行い、Ｐ−Ｐ₀＜０になるまで、サブ
ルーチンを繰り返す。

【００２６】一方、Ｐ−Ｐ₀＜０になった時点で、移
動・測定を終了させ、紫外線硬化型樹脂を用いて、２つ
のスラブ型光導波路基板１０，２０を位置合わせができ
た状態で仮固定し、スラブ型光導波路基板１０をステー
ジから脱離させて、最終的な実装工程に持ち込む。

【００２７】なお、この場合のＺ方向への移動はステッ
プ的に行うものであり、ステップ幅は任意である。上記
の説明においては、説明を簡単にするために、二度目に
Ｐ−Ｐ₀＜０になった時点で、移動・測定を終了させて
いるが、二度目にＰ−Ｐ₀＜０になった時点でステップ
幅を小さくして逆Ｚ方向に移動して光強度の測定を行
い、位置がより収束するように工程を繰り返しても良い
ものである。

【００２８】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、一方のスラブ型光導波路基板２０の一部に、ス
ラブ型光導波路の等価屈折率と異なるプリズム状開口部
２５を設けているので、マーカー用導波路を別途作製す
ることなく、簡単なエッチング工程だけで、精度の高い
位置合わせが可能になる。

【００２９】次に、図４を参照して、３つのスラブ型光
導波路の位置合わせに関する本発明の第２の実施の形態
を説明する。図４参照図４は、本発明の第２の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図であり、各スラブ型光導波路基板１０，２０，３
０の基本的構成及び製造方法は上記の第１の実施の形態
のスラブ型光導波路と同様である。

【００３０】但し、この場合、光取り出し機構となるプ
リズム状開口部２６は、中間部に配置するスラブ型光導
波路基板２０に設けるものであり、また、このプリズム
状開口部２６は、両側のスラブ型光導波路基板１０，３
０からの入射コリメート光１５，３５を同じ方向に反射
させるために、２つの反射面を有する方位に配置された
平面形状がプリズム状のプリズム状開口部２６とするも
のである。

【００３１】また、この場合の位置合わせ工程も図３に
示した上記の第１の実施の形態と基本的に同様である
が、この場合には、まず、一方のスラブ型光導波路基板
１０から入射コリメート光１５を入射させ、その反射光
１６を光検出器１７で検出して位置合わせを行い、２つ
のスラブ型光導波路基板１０，２０を紫外線硬化型樹脂
によって仮固定する。

【００３２】次いで、一体になった２つのスラブ型光導
波路基板１０，２０をステージから脱離させ、移動可能
な保持部材で保持し、他方のスラブ型光導波路基板３０
をステージに取り付けて、粗位置合わせを行ったのち、
スラブ型光導波路基板３０から入射コリメート光３５を
入射させ、スラブ型光導波路基板２０に設けたプリズム
状開口部２６で反射させ、反射光３６を光検出器１７で
検出することによって位置合わせを行う。この場合も、
位置合わせが終了したのち、紫外線硬化型樹脂によって
仮固定し、最終的な実装工程に持ち込む。

【００３３】次に、図５を参照して、光偏向素子をスラ
ブ型光導波路に対して入れ子状に組み込んだハイブリッ
ド型光集積回路装置に関する本発明の第３の実施の形態
を説明する。図５参照図５は、本発明の第３の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図であり、この場合のスラブ型光導波路基板４０の
基本的構成及び製造方法は上記の第１の実施の形態のス
ラブ型光導波路と同様であり、石英基板４１上に、Ｐ−
ＣＶＤ法によって、厚さが、例えば、８μｍのＳｉＯ₂
からなる下部クラッド層４２、厚さが、例えば、３μｍ
のＧｅドープＳｉＯ₂からなるコア層４３、及び、厚さ
が、例えば、８μｍのＳｉＯ₂からなる上部クラッド層
４４を順次堆積させたのち、ＣＦ ₄＋Ｏ₂或いはＣ₃Ｆ
₈をエッチングガスとする反応性イオンエッチングを施
すことによって素子組み込み用凹部４５を形成したもの
である。

【００３４】一方、光偏光素子５０は、詳細な図示は省
略するが、まず、Ｎｂがドープされた導電性のＳｒＴｉ
Ｏ₃基板５１上に、パルス・レーザ堆積法を用いて（Ｐ
ｂ_0. ₉₁Ｌａ_0.09）（Ｚｒ_0.65Ｔｉ_0.35）Ｏ₃からなる、
厚さが、例えば、１μｍのＰＬＺＴ下部クラッド層５
２、Ｐｂ（Ｚｒ_0.52Ｔｉ_0.48）Ｏ₃からなる、厚さが、
例えば、２μｍのＰＺＴコア層５３、及び、（Ｐｂ_0.91
Ｌａ_0.09）（Ｚｒ_0.65Ｔｉ_0.35）Ｏ₃からなる、厚さ
が、例えば、１μｍのＰＬＺＴ上部クラッド層５４を順
次堆積させる。

【００３５】次いで、ＰＬＺＴ上部クラッド層５４の表
面にプリズム状の開口部を有するメタルマスクを通して
厚さが、例えば、２００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を形成
してプリズム状の上部電極を多段に且つアレイ状に形成
することによって、プリズム型光偏向要素群からなる光
偏向素子５０とし、この光偏向素子５０の多段のアレイ
状に配置された光偏向要素群の一端部側にプリズム状開
口部５５を設ける。

【００３６】次いで、スラブ型光導波路基板４０をステ
ージに固定するとともに、光偏向素子５０をアップサイ
ドダウンの状態で移動可能な保持部材に保持した状態
で、上記の第１の実施の形態と同様の工程を繰り返して
位置合わせを行い、位置合わせを終了したのち、紫外線
硬化型樹脂で光偏向素子５０をスラブ型光導波路基板４
０の素子組み込み用凹部４５に入れ子状に固定する。

【００３７】この場合には、素子組み込み用凹部４５に
よって分割された２つのスラブ型光導波路部の両側から
交互に入射コリメート光を入射させて位置合わせを行う
ことによって、高さ調整のみならず、傾きの調整も同時
に行うことができる。

【００３８】また、この場合、スラブ型光導波路基板４
０に２つの素子組み込み用凹部４５を設け、この２つの
素子組み込み用凹部４５に２つの光偏向素子５０を互い
の光偏向素子群が対称になるように入れ子状に組み込む
ことによって、中間のスラブ型光導波路部を共通導波路
として入力側の光偏向素子と出力側の光偏向素子とを対
称に配置した光スイッチ装置が得られる。

【００３９】この場合、光導波路部を低損失材料の石
英、即ち、ＳｉＯ₂から構成しているので、共通導波路
を含めた全体構造を強誘電体で構成した場合よりも光損
失を低減することができる。

【００４０】次に、図６を参照して、本発明の第４の実
施の形態を説明する。図６参照図６は、本発明の第４の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図であり、各スラブ型光導波路基板１０，２０の基
本的構成及び製造方法は上記の第１の実施の形態のスラ
ブ型光導波路と同様である。

【００４１】但し、この第４の実施の形態においてはス
ラブ型光導波路基板２０に設ける光取り出し機構を回折
格子２７で構成したものであり、この回折格子２７は干
渉露光法によって回折格子状のレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとして上部クラッド
層２４の表面をエッチングして形成すれば良い。

【００４２】この場合、スラブ光導波路基板１０から入
射された入射コリメート光１５は、スラブ型光導波路基
板２０に設けた回折格子２７によって上方に回折され、
上方に回折された回折光１８を上方に配置した光検出器
１７で検出することによって位置合わせを行う。この様
な回折格子２７を光取り出し機構とする構成は、反射光
を側面から取り出しにくい構成の場合により好適な構成
となる。

【００４３】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
各実施の形態の説明においては、光取り出し機構を一方
の光基板にしか設けていないが、双方に設けても良いも
のである。但し、その場合には、光取り出し機構の互い
の位置が重ならないように、入射コリメート光を互いに
平行移動させた位置に設ければ良い。

【００４４】また、上記の各実施の形態においては、光
取り出し機構を１個しか設けていないが、複数個所に設
けても良いものであり、例えば、図２（ａ）を参照して
説明すれば、図におけるスラブ型光導波路基板２０の上
端部側にもプリズム状開口部２５を設けても良いもので
あり、それによって、傾きの調整も可能になる。

【００４５】また、上記の第２の実施の形態において
は、３つのスラブ型光導波路の位置合わせとして説明し
ているが、４つ以上のスラブ型光導波路の位置合わせに
対しても同様に適用されるものであり、その場合には、
内側に設けられるスラブ型光導波路に光取り出し機構を
互いの位置が重ならないように設ければ良い。

【００４６】また、上記の第３の実施の形態において
は、入れ子状に組み込む素子を光偏向素子としている
が、光偏向素子に限られるものではなく、光偏光素子、
光変調素子、或いは、半導体レーザ等の他の光素子を組
み込んでも良いことはいうまでもないことである。

【００４７】また、上記の各実施の形態においては、低
損失化のためにスラブ型光導波路をＳｉＯ₂系によって
構成しているが、必ずしもＳｉＯ₂系に限られるもので
はなく、他の誘電体材料、例えば、ＰＬＺＴ／ＰＺＴ系
等の強誘電体材料によって構成しても良いものである。

【００４８】ここで、再び、図１を参照して、改めて本
発明の詳細な特徴を説明する。再び、図１参照（付記１）位置合わせ用の光取り出し機構３を少なく
とも一か所に有していることを特徴とするスラブ型光導
波路を有する光基板。（付記２）上記光取り出し機構３が、上記スラブ型光
導波路と屈折率の異なる領域で構成されることを特徴と
する付記１記載のスラブ型光導波路を有する光基板。（付記３）上記スラブ型光導波路と屈折率の異なる領
域が、平面形状がプリズム状のプリズム状領域であるこ
とを特徴とする付記２記載のスラブ型光導波路を有する
光基板。（付記４）上記プリズム状領域が、反射面を２か所有
し、反射光を同一方向に反射させる形状のプリズム状領
域であることを特徴とする付記３記載のスラブ型光導波
路を有する光基板。（付記５）上記プリズム状領域が、スラブ型光導波路
を部分的エッチングして形成したプリズム状開口部であ
ることを特徴とする付記３または４に記載のスラブ型光
導波路を有する光基板。（付記６）上記光取り出し機構３が、回折格子からな
ることを特徴とする付記１記載のスラブ型光導波路を有
する光基板。（付記７）光路が分割されたスラブ型光導波路を有す
る光基板の前記分割部に、位置合わせ用の光取り出し機
構３を少なくとも一か所に有しているスラブ型光導波路
を有する光基板２を、両光基板のコア層の中心位置が一
致するように光学的に接続したことを特徴とするハイブ
リッド型光集積回路装置。（付記８）スラブ型光導波路を有する少なくとも２つ
の光基板１，２を位置合わせる光基板の位置合わせ方法
において、前記光基板１，２の少なくとも一方に位置合
わせ用の光取り出し機構３を少なくとも一か所に設け、
前記光基板１，２の他方から前記位置合わせ用の光取り
出し機構３に光を入射させ、前記位置合わせ用の光取り
出し機構３から取り出した取り出し光５の強度を測定す
ることによって位置合わせを行うことを特徴とする光基
板の位置合わせ方法。（付記９）上記光基板１，２が３個以上であり、上記
位置合わせ用の光取り出し機構３を少なくとも一か所に
設けた光基板１，２が、前記３個以上の光基板１，２の
中間部に配置されることを特徴とする付記８記載の光基
板１，２の位置合わせ方法。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、スラブ型光導波路の一
部にプリズム状開口部等の光取り出し機構を設けるだけ
であるので、簡単な構成・工程によって位置合わせのた
めの光を外部に取り出して光強度をモニタすることがで
き、それによって、複数のスラブ導波路基板同士の位置
合わせを簡単に且つ精度良く行うことが可能になり、ひ
いては、高速・大容量の光通信システムの発展に寄与す
るところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の位置合わせ工程の
フロー図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図である。

【図６】本発明の第４の実施の形態の位置合わせ工程の
説明図である。

【符号の説明】

１光基板２光基板３光取り出し機構４入射光５取り出し光６光検出手段１０スラブ型光導波路基板１１石英基板１２下部クラッド層１３コア層１４上部クラッド層１５入射コリメート光１６反射光１７光検出器１８回折光２０スラブ型光導波路基板２１石英基板２２下部クラッド層２３コア層２４上部クラッド層２５プリズム状開口部２６プリズム状開口部２７回折格子３０スラブ型光導波路基板３１石英基板３２下部クラッド層３３コア層３４上部クラッド層３５入射コリメート光３６反射光４０スラブ型光導波路基板４１石英基板４２下部クラッド層４３コア層４４上部クラッド層４５素子組み込み用凹部５０光偏向素子５１ＳｒＴｉＯ₃基板５２ＰＬＺＴ下部クラッド層５３ＰＺＴコア層５４ＰＬＺＴ上部クラッド層５５プリズム状開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西沢元亨神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者青木剛神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 2H047 KA02 LA09 MA03 PA05 PA24 QA04 RA08 TA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】位置合わせ用の光取り出し機構を少なく
とも一か所に有していることを特徴とするスラブ型光導
波路を有する光基板。
【請求項２】上記光取り出し機構が、上記スラブ型光
導波路と屈折率の異なる領域で構成されることを特徴と
する請求項１記載のスラブ型光導波路を有する光基板。
【請求項３】上記スラブ型光導波路と屈折率の異なる
領域が、平面形状がプリズム状のプリズム状領域である
ことを特徴とする請求項２記載のスラブ型光導波路を有
する光基板。
【請求項４】上記光取り出し機構が、回折格子からな
ることを特徴とする請求項１記載のスラブ型光導波路を
有する光基板。
【請求項５】光路が分割されたスラブ型光導波路を有
する光基板の前記分割部に、位置合わせ用の光取り出し
機構を少なくとも一か所に有しているスラブ型光導波路
を有する光基板を、両光基板のコア層の中心位置が一致
するように光学的に接続したことを特徴とするハイブリ
ッド型光集積回路装置。