JP2003323850A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JP2003323850A JP2003323850A JP2002128329A JP2002128329A JP2003323850A JP 2003323850 A JP2003323850 A JP 2003323850A JP 2002128329 A JP2002128329 A JP 2002128329A JP 2002128329 A JP2002128329 A JP 2002128329A JP 2003323850 A JP2003323850 A JP 2003323850A
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
への伝熱を抑制する隔壁部分の構造を簡素化すると共
に、隔壁を設けたことによって運転中の蒸気発生炉の温
度が上昇しにくくなる課題をも解決する。 【解決手段】 このイオン源は、2個の蒸気発生炉4を
それぞれ囲む筒状のものであって冷媒流路を有していな
い2個の隔壁30と、各隔壁30を保持する薄板状の保
持板32と、複数の小突起40を有していて小突起40
を介して保持板32を保持する固定部材36とを備えて
いる。
Description
して蒸気を発生させる蒸気発生炉を複数個備えるイオン
源に関し、より具体的には、運転中の蒸気発生炉から停
止中の蒸気発生炉への伝熱を抑制する手段の改良に関す
る。
炉を複数個備えていて、引き出すイオンの切り換えをイ
オン源の大気開放を伴わずに行ったり、同一の原料を複
数の蒸気発生炉に入れておいて原料の補充頻度を低減す
ることのできるイオン源が従来から提案されている。
このイオン源は、ヒータ6によって固体原料(図1中の
固体原料2参照)を加熱して蒸気化する複数個(この例
では2個)の蒸気発生炉4と、この各蒸気発生炉4から
ノズル8を経由して導入される蒸気をプラズマ化するプ
ラズマ生成部10とを備えており、これらはイオン源フ
ランジ14から支持されている。
ラメントを有するフリーマン型のものや、フィラメント
と対向する反射電極を有するバーナス型のもの等である
が、特定の方式のものに限定されるものではない。この
プラズマ生成部10から、電界の作用で、イオンビーム
12を引き出すことができる。
ヒ素等の融点の比較的低い固体原料が入れられる。他方
の蒸気発生炉4には、例えば、インジウム、フッ化イン
ジウム、アンチモン、アルミニウム、マグネシウム等
の、リンやヒ素に比べて融点の高い固体原料が入れられ
る。
イオン源では、その内の一つの蒸気発生炉4を選択的に
運転して昇温して蒸気を発生させる場合、運転中の蒸気
発生炉4からの熱の流入によって、運転していない他の
蒸気発生炉4の温度が上昇して、必要としない蒸気が発
生してそれがプラズマ生成部10に導入されることが起
こり得る。
運転していない蒸気発生炉4に冷媒(気体または液体。
以下同じ)を循環させて当該蒸気発生炉4を冷却すると
共に、(b)図8に示す例のように複数の蒸気発生炉4
間に、冷媒を循環させる冷媒流路18を有する強制冷却
構造の隔壁16を設けることによって、運転中の蒸気発
生炉4から他の運転していない蒸気発生炉4への伝熱
(熱の移動)を抑制するようにしている。例えば、上記
(a)に関連する技術は特公平8−21352号公報
に、上記(b)に関連する技術は特開昭61−1760
43号公報に、それぞれ記載されている。
上記(b)の技術である。この従来技術では、真空中
(イオン源フランジ14より内側(図8および図1では
右側)は真空中に置かれる)に強制冷却構造の隔壁16
を設ける必要があり、この強制冷却構造の隔壁16の部
分は、図8では図示を大幅に簡素化して書いているけれ
ども、実際は、真空を保持しつつ冷媒を循環させる等の
必要があるため、構造が複雑になるという課題がある。
高い蒸気発生炉4の近傍に、強制冷却されて温度の低い
隔壁16が存在することになり、両者の温度差が非常に
大きくなって、運転中の蒸気発生炉4から隔壁16への
輻射による伝熱が大きくなって、運転中の蒸気発生炉4
の温度が所望の温度になかなか上昇しないという課題も
ある。
ら停止中の蒸気発生炉への伝熱を抑制する隔壁部分の構
造を簡素化すると共に、隔壁を設けたことによって運転
中の蒸気発生炉の温度が上昇しにくくなる課題をも解決
することを主たる目的とする。
前述したような各蒸気発生炉の少なくとも他の蒸気発生
炉に面する部分をそれぞれ覆うものであって冷媒流路を
有していない複数の隔壁と、この各隔壁が取り付けられ
ていて当該隔壁を保持する薄板状の保持板と、複数の小
突起を有していて当該小突起を介して前記保持板を保持
する固定部材とを備えることを特徴としている。
ルドの働きをするので、運転中の蒸気発生炉から他の停
止中の蒸気発生炉への輻射による伝熱を抑制することが
できる。(b)しかも、各隔壁は薄板状の保持板に保持
されており、薄板状であるからこの保持板における熱抵
抗は大きいので、保持板を経由しての各隔壁間の熱伝導
による伝熱を小さく抑制することができる。(c)更
に、保持板は固定部材の小突起を介して固定部材に保持
されており、小突起であるからこの小突起における熱抵
抗は大きいので、固定部材を経由しての保持板のある部
分から他の部分への、ひいては当該保持板を介しての隔
壁間の熱伝導による伝熱を小さく抑制することができ
る。
気発生炉間の熱絶縁効果を高めることができるので、運
転中の蒸気発生炉から他の停止中の蒸気発生炉への伝熱
を小さく抑制することができる。その結果、運転してい
ない蒸気発生炉の温度上昇を小さく抑えることができ
る。
強制冷却構造ではないので、隔壁部分の構造を、従来の
強制冷却構造の場合に比べて簡素化することができる。
制冷却構造ではないので、停止中の蒸気発生炉用の隔壁
は、運転中の蒸気発生炉からの伝熱によってある程度は
温度が上昇する。その結果、当該隔壁と運転中の蒸気発
生炉との間の温度差は、従来の強制冷却構造の隔壁の場
合ほどには大きくならず、両者間の輻射による伝熱が抑
えられるので、運転中の蒸気発生炉の温度を所望のもの
に上げるのが容易になる。
の一例を示す断面図である。図2は、図1中の固定部材
の正面図である。図3は、図1中の保持板の正面図であ
る。なお、図1中の小突起40の位置は、図に表れるよ
うにするために若干位置を変えて表示しており、正確な
位置は図2に示すとおりである。図8に示した従来例と
同一または相当する部分には同一符号を付し、以下にお
いては当該従来例との相違点を主に説明する。
炉4を2個備えている場合の例である。各蒸気発生炉4
の外部にヒータ6が巻かれており、このヒータ6によっ
て、各蒸気発生炉4内に収納された固体原料2を加熱し
てその蒸気を発生させることができる。
0およびそれに接続されたオーブンフランジ26によっ
てイオン源フランジ14から支持されている。各支持部
20の内部には、冷媒24を循環させて停止中の蒸気発
生炉4を冷却する冷媒流路22がそれぞれ設けられてい
る。冷媒24は、例えば、圧縮空気等の気体、または冷
却水等の液体である。
4をそれぞれ囲む筒状をした複数の(この例では2個
の)隔壁30を備えている。各隔壁30は、従来の隔壁
と違って、冷媒流路は有していない。即ち、強制冷却構
造ではない。この隔壁30は、例えばステンレス鋼板か
ら成る。
4に面する部分をそれぞれ覆うもので良いけれども、例
えば半円筒状のようなものでも良いけれども、この例の
ように円筒状のものにするのが好ましい。そのようにす
れば、各蒸気発生炉4からの輻射による熱放散をより広
い面積に亘って抑えることができるので、各蒸気発生炉
4の温度を上昇させることがより容易になるという効果
も得られる。
ヒータ6が巻かれている蒸気発生炉4を覆うことのでき
る長さにすれば良いけれども、図示例のように、もう少
し根元側まで、より具体的には冷媒流路22の先端部の
外側付近まで覆うように長くしても良い。そのようにす
れば、温度の上昇する蒸気発生炉4をより完全に覆うこ
とができるので、各隔壁30の上述した(または後述す
る)(a)に示した熱シールドの効果をより高めること
ができる。
先端部がそれぞれ取り付けられて保持されている。この
保持板32は、例えばステンレス鋼板から成る。この保
持板32は、それにおける熱抵抗を大きくして熱伝導を
小さくするために、隔壁30を保持するのに支障のない
範囲で極力薄くするのが好ましい。例えば、1mm〜3
mm程度にするのが好ましい。この保持板32は、後述
するボルト44を通す穴34を有している。
は4個の)小突起40を有していて当該小突起40を介
して保持板32を保持する固定部材36を備えている。
この固定部材36は、上記2個の隔壁30を通す長円形
の穴38を有している。この固定部材36は、例えばス
テンレス鋼板から成る。
そこにボルト44をねじ込むことによって保持板32を
固定し保持することができる。この各小突起40は、そ
れにおける熱抵抗を大きくしてそこを経由しての熱伝導
を小さく抑えるために、できるだけ小さくして保持板3
2との接触面積を極力小さくするのが好ましい。小突起
40の数も、保持板32を保持するのに支障のない範囲
でできるだけ少なくするのが好ましい。この例では4個
にしている。
記プラズマ生成部10の底部を保持してプラズマ生成部
10を保持固定する複数の(この例では6個の)保持片
46を有している。この各保持片46は、それにおける
熱抵抗を大きくしてそれを経由してプラズマ生成部10
から熱が固定部材36ひいては保持板32および隔壁3
0へ伝わるのを小さく抑えるために、プラズマ生成部1
0を保持するのに支障のない範囲で、プラズマ生成部1
0との接触面積および断面積をできるだけ小さく、かつ
個数もできるだけ少なくするのが好ましい。
された物は、この例では筒状の支持体48を介して、前
記イオン源フランジ14から支持されている。
果を奏する。
るので、運転中の蒸気発生炉4から他の停止中の蒸気発
生炉4への輻射による伝熱を抑制することができる。
板32に保持されており、薄板状であるからこの保持板
32における熱抵抗は大きいので、保持板32を経由し
ての各隔壁30間の熱伝導による伝熱を小さく抑制する
ことができる。
起40を介して固定部材36に保持されており、小突起
であるからこの小突起40における熱抵抗は大きいの
で、固定部材36を経由しての保持板32のある部分か
ら他の部分への、ひいては当該保持板32を介しての隔
壁30間の熱伝導による伝熱を小さく抑制することがで
きる。
気発生炉4間の熱絶縁効果を高めることができるので、
運転中の蒸気発生炉4から他の停止中の蒸気発生炉4へ
の伝熱を小さく抑制することができる。その結果、運転
していない蒸気発生炉4の温度上昇を小さく抑えること
ができる。その結果、必要としない蒸気が発生してそれ
がプラズマ生成部10に導入されることを防止すること
ができる。
部10をも保持する場合は、この例のように複数の保持
片46を介して保持するのが好ましい。これは、プラズ
マ生成部10はフィラメント、アーク放電等を用いてプ
ラズマを発生させるために運転中は高温になるけれど
も、上記のような保持構造を採用すれば、保持片46で
の熱抵抗が大きくてプラズマ生成部10から固定部材3
6への、ひいては保持板32および隔壁30への熱伝導
による伝熱を小さく抑えることができるので、運転して
いない蒸気発生炉4の温度上昇を小さく抑えることに寄
与する。
媒流路を有しておらず強制冷却構造ではないので、隔壁
30の部分の構造を、従来の強制冷却構造の場合に比べ
て簡素化することができる。
ず強制冷却構造ではないので、停止中の蒸気発生炉4用
の隔壁30は、運転中の蒸気発生炉4からの伝熱によっ
てある程度は温度が上昇する。その結果、当該隔壁30
と運転中の蒸気発生炉4との間の温度差は、従来の強制
冷却構造の隔壁の場合ほどには大きくならず、両者間の
輻射による伝熱が抑えられるので、運転中の蒸気発生炉
4の温度を所望のものに上げるのが容易になる。
運転中の蒸気発生炉4を例えば600℃以上に昇温して
も、他の運転していない蒸気発生炉4の温度を100℃
以下に抑えることができる。より具体例を挙げれば、運
転中の蒸気発生炉4を例えば680℃程度に昇温して
も、停止中の蒸気発生炉4の温度を65℃程度に抑える
ことができる。従って、例えば、一方の蒸気発生炉4に
固体原料2として前述した融点の高いインジウム、フッ
化インジウム、アンチモン等の金属を入れ、他の蒸気発
生炉4に固体原料2として前述したリン、ヒ素等の融点
の低い金属を入れて使用することができる。
5に示す例のように、各隔壁30が取り付けられた部分
をそれぞれ囲む1以上の溝50を設けておいても良い。
そのようにすれば、溝50の存在によって保持板32の
熱抵抗が高まるので、上記(b)に示した、保持板32
を経由しての各隔壁30間の熱伝導による伝熱をより小
さくすることができる。溝50は、この例のように一つ
の隔壁30に対して保持板32の表面と裏面にそれぞれ
一つ以上ずつ設けて、両面の溝50で迷路構造を形成す
るようにするのがより好ましい。そのようにすれば、上
記伝熱をより小さくすることができる。
うに、各隔壁30が取り付けられた部分を囲む複数の
(多数の)穴52を設けておいても良い。そのようにす
れば、穴52の存在によって保持板32の熱抵抗が高ま
るので、上記(b)に示した、保持板32を経由しての
各隔壁30間の熱伝導による伝熱をより小さくすること
ができる。
に、各隔壁30ごとに分割しておいても良い。そのよう
にすれば、上記(b)に示した、保持板32を経由して
の各隔壁30間の熱伝導による伝熱を断つことができ
る。
0の数は、上記例の2個に限られるものではなく、3個
またはそれ以上でも良い。
るので、次のような効果を奏する。
採用したことによって、各蒸気発生炉間の熱絶縁効果を
高めることができるので、運転中の蒸気発生炉から他の
停止中の蒸気発生炉への伝熱を小さく抑制することがで
きる。その結果、運転していない蒸気発生炉の温度上昇
を小さく抑えることができる。
強制冷却構造ではないので、隔壁部分の構造を、従来の
強制冷却構造の場合に比べて簡素化することができる。
制冷却構造ではないので、停止中の蒸気発生炉用の隔壁
は、運転中の蒸気発生炉からの伝熱によってある程度は
温度が上昇する。その結果、当該隔壁と運転中の蒸気発
生炉との間の温度差は、従来の強制冷却構造の隔壁の場
合ほどには大きくならず、両者間の輻射による伝熱が抑
えられるので、運転中の蒸気発生炉の温度を所望のもの
に上げるのが容易になる。
よって保持板の熱抵抗が高まるので、当該保持板を経由
しての各隔壁間の熱伝導による伝熱をより小さくするこ
とができる、という更なる効果を奏する。
よって保持板の熱抵抗が高まるので、当該保持板を経由
しての各隔壁間の熱伝導による伝熱をより小さくするこ
とができる、という更なる効果を奏する。
割によって、当該保持板を経由しての各隔壁間の熱伝導
による伝熱を断つことができる、という更なる効果を奏
する。
ある。
である。
Claims (4)
- 【請求項1】 固体原料を加熱して蒸気を発生させる複
数の蒸気発生炉と、この蒸気発生炉から導入される蒸気
をプラズマ化するプラズマ生成部とを備えるイオン源に
おいて、前記各蒸気発生炉の少なくとも他の蒸気発生炉
に面する部分をそれぞれ覆うものであって冷媒流路を有
していない複数の隔壁と、この各隔壁が取り付けられて
いて当該隔壁を保持する薄板状の保持板と、複数の小突
起を有していて当該小突起を介して前記保持板を保持す
る固定部材とを備えることを特徴とするイオン源。 - 【請求項2】 前記保持板は、前記隔壁が取り付けられ
た部分をそれぞれ囲む1以上の溝を有している請求項1
記載のイオン源。 - 【請求項3】 前記保持板は、前記隔壁が取り付けられ
た部分を囲む複数の穴を有している請求項1記載のイオ
ン源。 - 【請求項4】 前記保持板は、前記各隔壁ごとに分割さ
れている請求項1記載のイオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002128329A JP3558069B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002128329A JP3558069B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003323850A true JP2003323850A (ja) | 2003-11-14 |
JP3558069B2 JP3558069B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=29542123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002128329A Expired - Lifetime JP3558069B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3558069B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109599310A (zh) * | 2018-06-21 | 2019-04-09 | 新奥科技发展有限公司 | 一种离子源安装支架 |
CN111433880A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-07-17 | 应用材料股份有限公司 | 固态馈入材料的离子源坩埚 |
US11664192B2 (en) | 2019-10-09 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials |
US11854760B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Crucible design for liquid metal in an ion source |
-
2002
- 2002-04-30 JP JP2002128329A patent/JP3558069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021506081A (ja) * | 2017-12-12 | 2021-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Inc. | イオン源および傍熱型陰極イオン源 |
CN111433880B (zh) * | 2017-12-12 | 2023-03-28 | 应用材料股份有限公司 | 离子源及间热式阴极离子源 |
CN109599310A (zh) * | 2018-06-21 | 2019-04-09 | 新奥科技发展有限公司 | 一种离子源安装支架 |
CN109599310B (zh) * | 2018-06-21 | 2021-01-05 | 新奥科技发展有限公司 | 一种离子源安装支架 |
US11664192B2 (en) | 2019-10-09 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials |
US11854760B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Crucible design for liquid metal in an ion source |
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