JP2003318659A - 高周波電力増幅器および半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＨＢＴなどを用いて増幅する際に発生する自
己バイアス現象による電力利得の増加を抑制し、効率よ
く高周波増幅を行う。 【解決手段】 マルチフィンガトランジスタを用いた電
力増幅モジュールにおいて、高周波電力増幅部には、自
己バイアス抑制回路ＢＣが設けられている。自己バイア
ス抑制回路ＢＣは、Ｎ個の抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸが並列接
続された構成からなり、ベース抵抗である抵抗Ｒｂ１〜
ＲｂＮに共通接続されている。これら抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃ
Ｘによって高周波信号の増幅時に、出力信号ＲＦｏｕｔ
の電力が増加するのに伴ってベース電流が増加する自己
バイアス現象を抑制することができ、高線形性の増幅器
を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力増幅器
および半導体集積回路装置に関し、特に、高周波信号の
高出力増幅技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信の１つとして、携帯電
話が広く普及しており、その機能に対しても多様性が求
められている。たとえば、携帯電話に用いられる高周波
電力増幅モジュールに対しては、通信時間の伸張や画像
情報のやり取りなど、短時間により多くの情報を送信す
るために高効率、高線形性などが要求される。

【０００３】そのため、高周波電力増幅モジュールに使
用される電力増幅器に対して求められる仕様も厳しいも
のになっており、電力利得の出力依存性についても減少
させ、かつ動作電流を低減させる必要がある。

【０００４】この高効率、高線形性の特性を得るため
に、複数のＧａＡｓ ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を並
列接続した、いわゆるマルチフィンガ構成の電力増幅器
が用いられた高周波電力増幅モジュールが多く使用され
ている。

【０００５】本発明者が検討したところによれば、Ｇａ
Ａｓ ＨＢＴを用いた高周波電力増幅モジュールでは、
単位フィンガあたりのデバイスのばらつきや温度特性の
変換などにより、各フィンガ間から出力される増幅信号
の増減などが生じてしまい、ループ発振、および熱暴走
などの発生を防止するために各々のＨＢＴのベース側に
抵抗素子が設けられている。

【０００６】また、抵抗素子は、たとえば、高周波電力
増幅モジュールの入力端子とＨＢＴのベースとの間、お
よび該高周波電力増幅モジュールの制御端子と該ＨＢＴ
のベースとの間にそれぞれ接続された構成となってい
る。

【０００７】なお、この種の高周波電力増幅モジュール
について詳しく述べてある例としては、特開２００１−
１９６８６５号公報があり、この文献には、トランジス
タを複数個接続した高周波電力増幅器における発振、熱
暴走の防止技術について記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な高周波電力増幅モジュールにおける利得変化の低減技
術では、次のような問題点があることが本発明者により
見い出された。

【０００９】すなわち、ＧａＡｓ ＨＢＴを用いた高周
波電力増幅モジュールにおいては、出力電力の増加にと
もなってベース電流が増加してしまう自己バイアス現象
が発生し、電力利得が出力電圧とともに増加してしまう
という問題がある。

【００１０】また、自己バイアス現象による利得変化を
低減するには、たとえば、ＨＢＴのベース側に約５Ω程
度以上の抵抗を設ける必要があるが、このような大きな
抵抗値の抵抗を接続した場合、各々のフィンガ間におけ
る安定性が保たれなくなり、発振などの現象を引き起こ
してしまい、電力利得の低下につながる恐れがある。

【００１１】本発明の目的は、ＨＢＴなどを用いて高周
波信号を増幅する際に発生する自己バイアス現象による
電力利得の増加を抑制し、効率よく高周波増幅を行うこ
とのできる高周波電力増幅器および半導体集積回路装置
を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 １．高周波電力増幅器であって、ベース端子に入力され
る制御信号に基づいて電流増幅を行うトランジスタが複
数並列に接続され、該複数のトランジスタのベース端子
毎にベース抵抗の一方の接続部がそれぞれ接続された高
出力増幅器と、ベース抵抗の他方の接続部に共通接続さ
れたバイアス電流抑制抵抗とを備えたものである。

【００１４】また、本願のその他の発明の概要を簡単に
示す。 ２．前記第１項において、前記バイアス電流抑制抵抗が
２つ以上の抵抗が並列接続された構成からなるものであ
る。 ３．前記第２項において、前記バイアス電流抑制抵抗の
合成抵抗値が、１０Ω程度から１ｋΩ程度の間よりなる
ものである。 ４．前記第１項〜第３項のいずれかにおいて、前記高出
力増幅器が２つ以上直列接続された構成よりなるもので
ある。 ５．ベース端子に入力される制御信号に基づいて電流増
幅を行うトランジスタが複数並列に接続され、前記複数
のトランジスタのベース端子毎にベース抵抗の一方の接
続部がそれぞれ接続された構成からなる高出力増幅器
と、前記ベース抵抗の他方の接続部に共通接続されたバ
イアス電流抑制抵抗とを設けた高周波電力増幅器を備え
た半導体集積回路装置である。 ６．前記第５項において、前記バイアス電流抑制抵抗が
２つ以上の抵抗が並列接続された構成よりなるものであ
る。 ７．前記第６項において、前記バイアス電流抑制抵抗の
合成抵抗値が、１０Ω程度から１ｋΩ程度の間よりなる
ものである。 ８．前記第５項〜第７項のいずれかにおいて、前記高出
力増幅器が２つ以上直列接続された構成よりなるもので
ある。 ９．前記第５項〜第８項のいずれかにおいて、前記バイ
アス電流抑制抵抗は、半導体チップの配線層以外の層に
形成されたものである。 １０．互いに並列に接続され、そのベース端子に入力さ
れる信号を増幅する複数のトランジスタと、それら複数
のトランジスタのベース端子毎に、その一端が接続され
た複数の第１抵抗素子とを有する出力増幅器と、それら
複数の第１抵抗素子の他端に共通接続された第２抵抗素
子とを備え、複数のトランジスタのそれぞれは、第２抵
抗素子、および第１抵抗素子を介してバイアスされるも
のである。 １１．前記第１０項において、前記第２抵抗素子は、互
いに並列接続された複数の抵抗素子を有するものであ
る。 １２．前記第１１項において、前記第２抵抗素子の合成
抵抗値は、１０Ωから１ｋΩの間よりなるものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１６】図１は、本発明の一実施の形態による移動
体通信機器の概略を示すブロック図、図２は、図１の移
動体通信機器に設けられた電力増幅モジュールのブロッ
ク図、図３は、図２の電力増幅モジュールに設けられた
初段増幅器の構成を示すブロック図、図４は、図３の電
力増幅モジュールに設けられた高周波電力増幅部の回路
図、図５は、図４の自己バイアス抑制回路に設けられた
抵抗の断面図、図６は、図４の高周波増幅部における半
導体チップのレイアウト図である。

【００１７】本実施の形態において、携帯電話などの移
動体通信機器１は、図１に示すように、アンテナ２、分
波器３、低雑音増幅器４、および電力増幅モジュール５
などから構成されている。

【００１８】アンテナ２は、通信電波の授受を行う。こ
のアンテナ２には分波器３が接続されており、該分波器
３には、低雑音増幅器４、ならびに電力増幅モジュール
５がそれぞれ接続されている。

【００１９】分波器３は、アンテナ２から送受信される
送信側信号と受信側信号とを分派するフィルタである。
低雑音増幅器４は受信信号の増幅を行い、電力増幅モジ
ュール５は送信信号の増幅を行う。

【００２０】アンテナ２で受信された受信信号は、分波
器３を介して低雑音増幅器４によって増幅され、その
後、後段の周波数変換回路などに出力される。また、変
調された送信信号は、電力増幅モジュール５によって基
地局まで到達可能な電力まで増幅された後、分波器２を
通りアンテナ２から送信される。

【００２１】さらに、電力増幅モジュール５の構成につ
いて説明する。

【００２２】電力増幅モジュール５は、図２に示すよう
に、高周波増幅部（半導体集積回路装置）６、およびバ
イアスコントロール回路７から構成されている。高周波
増幅部６は、初段増幅器（高出力増幅器）８と後段増幅
器（高出力増幅器）９とが直列接続された構成からな
る。

【００２３】初段増幅器８の入力部は高周波増幅部６の
信号入力部となり、後段増幅器９の出力部は高周波増幅
部６の信号出力部となる。初段増幅器８は分波器３を介
して入力された入力信号を増幅し、後段増幅器９は、該
初段増幅器８から出力された信号を増幅する。

【００２４】バイアスコントロール回路７は、高周波増
幅部６が温度などによって電力増幅率や出力電力などが
変化した際のバイアス補正制御を行う。

【００２５】また、電力増幅モジュール５の初段増幅器
８は、図３に示すように、入力整合回路ＩＮＳ、高周波
電力増幅部（高周波電力増幅器）ＨＦ、チョークコイル
ＣＣ、および出力整合回路ＯＴＳから構成されている。

【００２６】入力整合回路ＩＮＳは、高周波の入力信号
ＲＦｉｎのインピーダンス整合をとる。高周波電力増幅
部ＨＦは、入力信号ＲＦｉｎを増幅して出力する。チョ
ークコイルＣＣは、高周波電力増幅部ＨＦが増幅した高
周波信号の漏れを抑止する。

【００２７】出力整合回路ＯＴＳは、高周波電力増幅部
ＨＦが増幅した信号のインピーダンス整合を行い、出力
信号ＲＦｏｕｔとして出力する。

【００２８】入力整合回路ＩＮＳを介して入力された入
力信号ＲＦｉｎは、高周波電力増幅部ＨＦによって増幅
され、出力整合回路ＯＴＳを介して出力信号ＲＦｏｕｔ
として出力される。

【００２９】さらに、高周波電力増幅部ＨＦは、図４に
示すように、電力増幅部ＡＰ、および自己バイアス抑制
回路ＢＣから構成されている。電力増幅部ＡＰは、トラ
ンジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮ、抵抗Ｒａ１〜ＲａＮ，Ｒ
ｂ１〜ＲｂＮ、ならびに接合容量であるコンデンサＣａ
１〜ＣａＮから構成されている。

【００３０】トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮは、ヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタによって構成されてい
る。抵抗Ｒａ１〜ＲａＮはバラスト抵抗であり、抵抗Ｒ
ｂ１〜ＲｂＮは電圧降下発生用抵抗である。

【００３１】これら抵抗Ｒｂ１〜ＲｂＮは、温度上昇な
どによってトランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎに流れる電
流が増大した際に電圧降下を起こさせることにより、該
トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎの熱暴走を抑制する。

【００３２】トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮにおい
て、コレクタは共通にそれぞれ接続されており、これら
共通接続されたコレクタには、チョークコイルＣＣの一
方の接続部、および出力整合回路ＯＴＳの入力部がそれ
ぞれ接続されている。チョークコイルＣＣの他方の接続
部には、直流バイアスとしてコレクタバイアスＣＢが供
給されている。

【００３３】トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮのエミッ
タも共通接続されて基準電位（グランド電位ＶＳＳ）に
接続されている。このように、トランジスタＨＢＴ１〜
ＨＢＴＮは、並列接続された、いわゆるマルチフィンガ
トランジスタからなり、高出力増幅器を構成している。

【００３４】トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮのベース
（ベース端子）には、抵抗Ｒａ１〜ＲａＮの一方の接続
部がそれぞれ接続されており、抵抗Ｒａ１〜ＲａＮの他
方の接続部には、抵抗Ｒｂ１〜ＲｂＮの一方の接続部、
およびコンデンサＣａ１〜ＣａＮの一方の接続部がそれ
ぞれ接続されている。

【００３５】そして、コンデンサＣａ１〜ＣａＮの他方
の接続部には、電力増幅モジュール５から入力された入
力信号ＲＦｉｎがそれぞれ入力されるように接続されて
いる。

【００３６】ここでは、初段増幅器８の回路構成につい
て説明したが、後段増幅器９における回路構成も該初段
増幅器８と同じであり、異なる点は増幅率の違いによる
フィンガ数の増減である。

【００３７】さらに、自己バイアス抑制回路ＢＣは、Ｎ
個の抵抗（バイアス電流抑制抵抗）Ｒｃ１〜ＲｃＸが並
列接続された構成からなる。これら抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸ
も電圧降下発生用の抵抗である。抵抗Ｒｂ１〜ＲｂＮの
他方の接続部には、共通接続された抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸ
の一方の接続部がそれぞれ接続されている。

【００３８】共通接続された抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸの他方
の接続部にはバイアスコントロール回路７から出力され
るバイアスコントロール信号（制御信号）ＢＳが入力さ
れるように接続されている。よって、抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃ
Ｘは、トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴＮのベースに共通
して接続された構成となる。また、バイアスコントロー
ル信号ＢＳは、バイアス信号、またはバイアス電圧であ
る。

【００３９】次に、本実施の形態による高周波電力増幅
部ＨＦに設けられた自己バイアス抑制回路ＢＣの作用に
ついて説明する。

【００４０】入力整合回路ＩＮＳを介して入力された入
力信号ＲＦｉｎは、高周波電力増幅部ＨＦにおける各フ
ィンガのトランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎによって増幅
された高出力信号となり、出力整合回路ＯＴＳを介して
出力信号ＲＦｏｕｔとして出力される。

【００４１】また、トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎの
ベースには、直流バイアスとしてベースバイアスＢＣが
抵抗Ｒｃ，抵抗Ｒｂ，抵抗Ｒａを介してそれぞれ供給さ
れている。トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎのコレクタ
には、チョークコイルＣＣを介してコレクタバイアスＣ
Ｂがそれぞれ供給されている。

【００４２】このマルチフィンガトランジスタにおける
高周波信号の増幅では、出力信号ＲＦｏｕｔの電力が増
加するに伴ってベース電流が増加する自己バイアス現象
が発生するが、該ベース電流は、自己バイアス抑制回路
ＢＣの抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸによって抑制される。これに
より、高線形性の増幅器を実現することができる。

【００４３】また、自己バイアス抑制回路ＢＣにおける
抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸの合成抵抗値は、レーザなどによっ
て任意の抵抗を切断することにより、たとえば、約５Ω
程度〜１ＫΩ程度にまで可変できることが望ましい。

【００４４】自己バイアス抑制回路ＢＣの合成抵抗値
は、トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎの電流増幅率ｈｆ
ｅに見合った最適な抵抗値に設定するものとする。

【００４５】さらに、図５は、半導体チップＣＨに形成
された抵抗Ｒｃ１（〜ＲｃＸ）の断面図である。図示す
るように、抵抗Ｒｃ１（〜ＲｃＸ）は、最上層に形成さ
れた配線層よりも下層の抵抗層に形成されており、抵抗
Ｒｃ１（〜ＲｃＸ）は、スルーホールＴＨを介して配線
層ＨＬに形成された配線ＨＰに接続されている。抵抗Ｒ
ｃ１（〜ＲｃＸ）は、たとえば、半導体抵抗、または金
属薄膜抵抗などを用いて構成する。

【００４６】また、図６は、半導体チップＣＨに形成さ
れた高周波増幅部６におけるレイアウト図である。

【００４７】図６において、右側には初段増幅器８がレ
イアウトされており、左側には後段増幅器９がレイアウ
トされている。

【００４８】図の右側中央部近傍には、初段増幅器８の
トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎ、および抵抗Ｒａ１〜
ＲａＮ，Ｒｂ１〜ＲｂＮがレイアウトされており、その
下方には抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸがレイアウトされている。

【００４９】さらに、図の左側の上方から下方にかけて
は、後段幅器９のトランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎ、な
らびに抵抗Ｒａ１〜ＲａＮ，Ｒｂ１〜ＲｂＮがレイアウ
トされている。後段増幅器９の抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸは、
初段増幅器８の抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸの下方にレイアウト
されている。

【００５０】それにより、本実施の形態においては、抵
抗Ｒｃ１〜ＲｃＸが、トランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎ
の自己バイアス現象を抑制するので、電力増幅モジュー
ル５の電力利得の線形性を向上させることができる。

【００５１】また、抵抗Ｒｃ１〜ＲｃＸを並列接続する
ことにより、初段増幅器８，および後段増幅器９の特性
ばらつきを高精度に補正することができる。

【００５２】さらに、本実施の形態では、電力増幅部Ａ
Ｐにおいて、各々のトランジスタＨＢＴ１〜ＨＢＴｎに
ベース抵抗として抵抗Ｒａ１〜ＲａＮ，Ｒｂ１〜ＲｂＮ
をそれぞれ接続した構成としたが、図７に示すように、
ベース抵抗は、抵抗Ｒａ１〜ＲａＮを設けずに抵抗Ｒｂ
１〜ＲｂＮだけを接続する構成としてもよい。これによ
り、半導体チップのレイアウト面積を縮小することがで
き、かつ製造コストを小さくすることができる。

【００５３】さらに、電力増幅部ＡＰは、図８示すよう
に、個々の抵抗Ｒａ１〜ＲａＮにコンデンサＣｂ１〜Ｃ
ｂＮを並列接続した構成としてもよい。

【００５４】この場合、抵抗Ｒａ１〜ＲａＮに並列接続
したコンデンサＣｂ１〜ＣｂＮは、高周波成分信号を通
すバイパス用の静電容量となる。これにより、抵抗Ｒａ
１〜ＣａＮの抵抗値、およびコンデンサＣａ１〜ＣａＮ
の静電容量値を小さくすることができるので、半導体チ
ップのレイアウト面積を縮小することができるとともに
製造コストの削減を実現することができる。

【００５５】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００５６】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００５７】また、前記実施の形態において、自己バイ
アス抑制回路は複数の抵抗を並列接続した構成とした
が、この自己バイアス抑制回路は、たとえば、１つの抵
抗により構成するようにしてもよい。

【００５８】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５９】（１）バイアス電流抑制抵抗を設けること
により、出力電力の増加に伴うトランジスタのベース電
流の増加を抑制することができる。

【００６０】（２）また、上記（１）により、高周波電
力増幅器における電力利得の線形性を大幅に向上させる
ことができる。

【００６１】（３）さらに、バイアス電流抑制抵抗を複
数の抵抗を並列接続した構成とすることにより、高周波
電力増幅器毎の特性ばらつきを高精度に補正することが
可能となり、製造歩留を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による移動体通信機器の
概略を示すブロック図である。

【図２】図１の移動体通信機器に設けられた電力増幅モ
ジュールのブロック図である。

【図３】図２の電力増幅モジュールに設けられた初段増
幅器の構成を示すブロック図である。

【図４】図３の電力増幅モジュールに設けられた高周波
電力増幅部の回路図である。

【図５】図４の自己バイアス抑制回路に設けられた抵抗
の断面図である。

【図６】図４の高周波増幅部における半導体チップのレ
イアウト図である。

【図７】本発明の他の実施の形態による高周波電力増幅
部の一例を示す回路図である。

【図８】本発明の他の実施の形態による高周波電力増幅
部の他の例を示す回路図である。

【符号の説明】

１ 移動体通信機器 ２ アンテナ ３ 分波器 ４ 低雑音増幅器 ５ 電力増幅モジュール ６ 高周波増幅部（半導体集積回路装置） ７ バイアスコントロール回路 ８ 初段増幅器（高出力増幅器） ９ 後段増幅器（高出力増幅器） ＩＮＳ 入力整合回路 ＨＦ 高周波電力増幅部（高周波電力増幅器） ＣＣ チョークコイル ＯＴＳ 出力整合回路 ＡＰ 電力増幅部 ＢＣ 自己バイアス抑制回路 ＨＢＴ１〜ＨＢＴＮ トランジスタ Ｒａ１〜ＲａＮ，Ｒｂ１〜ＲｂＮ 抵抗 Ｃａ１〜ＣａＮ コンデンサ Ｒｃ１〜ＲｃＸ 抵抗（バイアス電流抑制抵抗） ＣＨ 半導体チップ

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Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース端子に入力される制御信号に基づ
   いて電流増幅を行うトランジスタが複数並列に接続さ
   れ、前記複数のトランジスタのベース端子毎にベース抵
   抗の一方の接続部がそれぞれ接続された構成からなる高
   出力増幅器と、 前記ベース抵抗の他方の接続部に共通接続されたバイア
   ス電流抑制抵抗とを備え、 前記制御信号が、前記バイアス電流抑制抵抗、および前
   記ベース抵抗を介して前記複数のトランジスタのベース
   端子に入力されることを特徴とする高周波電力増幅器。
2. 【請求項２】 請求項１記載の高周波電力増幅器におい
   て、前記バイアス電流抑制抵抗が２つ以上の抵抗が並列
   接続された構成からなることを特徴とする高周波電力増
   幅器。
3. 【請求項３】 請求項２記載の高周波電力増幅器におい
   て、前記バイアス電流抑制抵抗の合成抵抗値が、１０Ω
   程度から１ｋΩ程度の間であることを特徴とする高周波
   電力増幅器。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の高
   周波電力増幅器において、前記バイアス電流抑制抵抗を
   設けた前記高出力増幅器が２つ以上直列接続された構成
   からなることを特徴とする高周波電力増幅器。
5. 【請求項５】 ベース端子に入力される制御信号に基づ
   いて電流増幅を行うトランジスタが複数並列に接続さ
   れ、前記複数のトランジスタのベース端子毎にベース抵
   抗の一方の接続部がそれぞれ接続された構成からなる高
   出力増幅器と、前記ベース抵抗の他方の接続部に共通接
   続されたバイアス電流抑制抵抗とを設けた高周波電力増
   幅器を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体集積回路装置にお
   いて、前記バイアス電流抑制抵抗が２つ以上の抵抗が並
   列接続された構成からなることを特徴とする半導体集積
   回路装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体集積回路装置にお
   いて、前記バイアス電流抑制抵抗の合成抵抗値が、１０
   Ω程度から１ｋΩ程度の間であることを特徴とする半導
   体集積回路装置。
8. 【請求項８】 請求項５〜７のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置において、前記バイアス電流抑制抵抗
   を設けた前記高出力増幅器が２つ以上直列接続された構
   成からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
9. 【請求項９】 請求項５〜８のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置において、前記バイアス電流抑制抵抗
   が、半導体チップの配線層以外の層に形成されたことを
   特徴とする半導体集積回路装置。
10. 【請求項１０】 互いに並列に接続され、そのベース端
    子に入力される信号を増幅する複数のトランジスタと、
    前記複数のトランジスタのベース端子毎に、その一端が
    接続された複数の第１抵抗素子とを有する出力増幅器
    と、 前記複数の第１抵抗素子の他端に共通接続された第２抵
    抗素子とを備え、 前記複数のトランジスタのそれぞれは、前記第２抵抗素
    子、および前記第１抵抗素子を介してバイアスされるこ
    とを特徴とする高周波電力増幅器。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の高周波電力増幅器に
    おいて、前記第２抵抗素子は、互いに並列接続された複
    数の抵抗素子を有することを特徴とする高周波電力増幅
    器。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の高周波電力増幅器に
    おいて、前記第２抵抗素子の合成抵抗値は、１０Ωから
    １ｋΩの間であることを特徴とする高周波電力増幅器。