JP2003318088A - レジスト除去システム、およびレジスト除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストを効果的に除去できるレジスト除去
システム、レジスト除去方法を提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたレジストの表面を部
分的に破壊する表面破壊装置と、前記表面破壊装置で表
面が部分的に破壊された前記レジストを溶液で処理する
溶液処理装置とからレジスト除去システムを構成する。
レジストの表面を部分的に破壊することで、レジストを
溶液で処理する際にレジスト内部に溶液が浸透し易くな
る。このため、レジストの除去がより効果的に行えるよ
うになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板からレジスト
を除去するレジスト除去システムおよびレジスト除去方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造に際して、半導体ウエ
ハ（以下、ウエハという）上にフォトレジスト（以下、
「レジスト」という）のパターンを形成する工程があ
る。パターンが形成されたレジストは、ウエハへの成
膜、膜のエッチング、不純物の拡散、イオンの注入等の
工程においてマスクとして用いられ、これらの工程の後
に除去される。ウエハからのレジストの除去には、レジ
スト剥離剤を用いたウエットプロセス等が用いられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、レジストの
除去が困難な場合がある。例えば、エッチング工程にお
いて、レジストにエッチング材料が作用してレジスト表
面に変質層が形成されることがある。このような変質層
は、レジストそのものよりもレジスト剥離剤に反応し難
いのが通例であり、レジストの除去を困難にする要因と
なる。本発明はこのような課題を解決するためになされ
たもので、レジストを効果的に除去できるレジスト除去
システム、レジスト除去方法を提供することを目的とし
ている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成す
るために本発明に係るレジスト除去システムは、基板上
に形成されたレジストの表面を部分的に破壊する表面破
壊装置と、前記表面破壊装置で表面が部分的に破壊され
た前記レジストを溶液で処理する溶液処理装置と、を具
備することを特徴とする。レジストの表面を部分的に破
壊することで、レジストを溶液で処理する際にレジスト
内部に溶液が浸透し易くなる。このため、レジストの除
去がより効果的に行えるようになる。

【０００５】（２）本発明に係るレジスト除去方法は、
基板上に形成されたレジストの表面を部分的に破壊する
表面破壊ステップと、前記表面破壊ステップで表面が部
分的に破壊された前記レジストを溶液で処理する溶液処
理ステップと、を具備することを特徴とする。レジスト
の表面を部分的に破壊することで、レジストを溶液で処
理する際にレジスト内部に溶液が浸透し易くなる。この
ため、レジストの除去がより効果的に行えるようにな
る。

【０００６】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）本発明に係るレ
ジスト除去システムは、半導体ウエハＷ（以下、ウエハ
Ｗという）からフォトレジストＰＲ（以下、レジストＰ
Ｒという）を除去するシステムであり、表面破壊装置た
るレジスト表面破壊装置１００および溶液処理装置たる
超臨界流体処理装置２００から構成される。以下、図面
を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１
および図２はそれぞれ、本実施形態に係るレジスト除去
システムを構成するレジスト表面破壊装置１００および
超臨界流体処理装置２００を表す側面図である。

【０００７】（レジスト表面破壊装置１００の詳細）レ
ジスト表面破壊装置１００の筐体１１０にはレジストＰ
Ｒが形成されたウエハＷを保持するウエハ搬送装置１２
を通過させるための窓１１２が形成され、ウエハＷの搬
入、搬出を可能としている。筐体１１０内部の底板１１
４上には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内
側に真空チャック１１６が配置されている。真空チャッ
ク１１６は、真空吸着によってウエハＷを固定保持する
ものであり、ウエハＷの昇降および回転を可能とする昇
降・回転駆動手段１１８と結合されている。ウエハ搬送
装置１２と真空チャック１１６との間でウエハＷを受け
渡すときは、昇降・回転駆動手段１１８が真空チャック
１１６を上方（Ｚ正方向）へ持ち上げる。

【０００８】レジスト表面破壊装置１００には、接触部
１２０を主面に取り付けた円板１２２が配置されてい
る。円板１２２は、その主面がウエハＷの主面と略平行
であり、図示しない駆動機構により、Ｚ軸を回転軸とす
る回転およびＹ軸方向への移動が可能である。円板１２
２を昇降（Ｚ軸方向への移動）することで、ウエハＷの
主面（レジストＰＲの表面）に接触部１２０を接触でき
る。レジストＰＲの表面と接触部１２０が接触した状態
で円板１２２を回転することで、レジストＰＲの表面を
物理的な力によって部分的に破壊すること（表面を傷つ
けること）ができる。表面が部分的に破壊されたレジス
トＰＲの表面には多数の微細な穴や傷が形成される。ま
た、ウエハＷの昇降・回転駆動手段１１８による回転、
および円板１２２のＹ軸方向移動を行うことで、ウエハ
Ｗの主面全体（レジストＰＲ全面）に接触部１２０を接
触させることができる（接触部１２０によるウエハＷ全
面のスキャンが可能）。この結果、レジストＰＲ全面を
部分的に破壊できる。

【０００９】接触部１２０はいわゆるバフ研磨用のバフ
（布）、あるいは多数の繊維（または毛）からなるブラ
シを用いることができる。これらを円板１２２に貼り付
け、あるいは接着して用いることができる。バフ等は、
弾性を有するので、レジストＰＲ表面の部分的な破壊に
際し、ウエハＷに対する影響（物理的な力の印加）が少
ない利点がある。

【００１０】接触部１２０は、バフ等に研磨剤（例え
ば、アルミナやダイヤモンドの微粉そのもの、あるいは
これらの微粉を混入した液体）を塗布したもの（例え
ば、ダイヤモンドバフ）を用いることができる。研磨剤
を弾性ある材料に塗布等することで、ウエハＷに対する
影響が少ない状態で、レジストＰＲ表面を効果的に部分
破壊できる。また、接触部１２０には、粗面を有する基
板（例えば、主面を粗面に加工したシリコン基板）、砥
石等を用いることも可能である。さらに接触部１２０に
化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishin
g）等を利用することも考えられる。このときには、ア
ルカリ性水溶液にコロイダル・シリカ（シリカ（ＳｉＯ
_２）の微粒子が凝集したもの）を懸濁させたもの用いる
ことができる。

【００１１】ここで、接触部１２０に研削性のある材料
（例えば、砥石、ＣＭＰ）を用いる場合であっても、接
触部１２０でレジストＰＲ表面に傷等をつける程度に留
め、レジストＰＲを削り取ることまではしない方が好ま
しい。例えば、トレンチ、ビアホール等がある場合に、
削り取ったレジストＰＲが残渣となって、その底に残留
し、除去が困難になる畏れがあるためである。但し、こ
れは必ずしも絶対的な要請ではなく、例えば、ビアホー
ルが銅で埋め込まれていれば、レジストＰＲの残渣が生
じても大きな問題となることはない。

【００１２】以上のように、接触部１２０が研削性のあ
る材料で構成されている場合には、接触部１２０による
レジストＰＲの表面破壊の程度、あるいは処理対象の基
板の状態（例えば、トレンチ、ビアの大きさ、有無）の
いずれかに留意する必要がある。これに対して、接触部
１２０が研削性の弱い材料で構成されている場合には
（例えば、バフ（布）、ブラシそのもの）、レジストＰ
Ｒを削り取る畏れが少ないので、このような注意を払う
必要性が低減する。

【００１３】（超臨界流体処理装置２００の詳細）図２
に示すように、超臨界流体処理装置２００は流体供給部
２１２、圧力発生器２１４、加熱部２１６、圧力容器２
１８、不純物除去部２２０とを有し、溶液（レジスト剥
離剤ＲＲを混入した超臨界流体Ｆｓ）を用いてウエハＷ
上のレジストＰＲを除去する。このとき、ウエハＷがレ
ジスト表面破壊装置１００で処理され、レジストＰＲの
表面が部分的に破壊されていることから、レジストＰＲ
内部への溶液の浸透が促進され、レジストＰＲの効果的
な除去が可能となる。流体供給部２１２、圧力発生器２
１４、および加熱部２１６はバルブ２２２を経由して圧
力容器２１８に通じる供給配管２２４に接続されてい
る。また、圧力容器２１８、バルブ２２６、不純物除去
部２２０を経由して流体Ｆを流体供給部２１２に戻す帰
還配管２２８が配設されている。供給配管２２４と帰還
配管２２８は超臨界流体Ｆｓを循環させる循環系２３０
を構成する。

【００１４】超臨界流体Ｆｓは、臨界点（気体を圧縮し
て液化する限界の圧力、温度であり、これを超えた圧力
または温度では気体が液化しない）を超えた圧力ないし
圧力の領域にある流体である。超臨界流体Ｆｓは一般に
以下のような性質を有している。 ・気体と液体の中間的な性質を有し、微細な部分にも浸
透可能である。 ・拡散係数が高く、溶解した汚染物質（レジスト等）を
素早く分散できる。 ・超臨界状態を解除する（通例、常温、常圧に戻す）こ
とで、ほぼ瞬時に蒸発させることができる。 ・気体と液体の相境界がないため（気体と液体の２相が
共存しない）、表面張力を持たない。

【００１５】このような性質を有する超臨界流体Ｆｓに
レジストＰＲを溶解するレジスト剥離剤を混入すること
で、レジスト剥離剤によるレジストの除去をより促進で
きる（微細な部分に浸透容易で、溶解したレジストの分
散が速やか）。また、レジスト除去後に超臨界状態を解
除することで、ウエハＷを速やかに乾燥できる。さら
に、表面張力を持たないため、基板の乾燥時に表面張力
によってウエハＷに形成された微細なパターンが破壊さ
れること（いわゆるパターン倒れ）が生じることもな
い。

【００１６】超臨界流体Ｆｓとして、二酸化炭素、亜硫
酸ガス、亜酸化窒素、エタン、プロパン、フロンガス等
が挙げられる。このうち、二酸化炭素（炭酸ガス）は、
生物に対してほとんど無害（無毒性）であり、臨界点も
３１℃、７０気圧と比較的実現し易く、しかも安価で入
手が容易である。このため、本実施形態では二酸化炭素
（炭酸ガス）を超臨界流体Ｆｓの材料として用いること
とするが、必要に応じて他の物質を超臨界流体Ｆｓの材
料として用いることも可能である。

【００１７】レジスト剥離剤ＲＲは、レジスト溶解性
（剥離性）および超臨界流体Ｆｓに対する溶解性の双方
が大きいことが望ましい。超臨界流体Ｆｓとして二酸化
炭素を用いたときには、レジスト剥離剤ＲＲとしてジエ
チレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエ
ーテル系材料、ノルマル−メチル２ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）等の窒素含有物を選択できる。この他にも、エチル
アルコール、アセトン、ＤＭＳＯ（dimethyl sulfoxid
e：ジメチル・スルホキシド）、ＰＧＭＥＡ（propylene
glycol methyl ether acetate：プロピレングリコール
メチルエーテルアセテート）、アミン系の薬液のいずれ
かをレジスト剥離剤ＲＲとして用いることができる。

【００１８】流体供給部２１２は超臨界流体Ｆｓの元と
なる流体Ｆを供給する供給手段である。超臨界流体Ｆｓ
として二酸化炭素を用いる場合には二酸化炭素のガスボ
ンベ等を用いて流体供給部２１２を構成できる。超臨界
流体Ｆｓ（流体Ｆ）へのレジスト剥離剤ＲＲの混入は、
流体供給部２１２内で行われてもよいし、流体供給部２
１２から圧力容器２１８に向かう供給配管２２４のどこ
かで行われても差し支えない。圧力発生器２１４は、流
体供給部２１２から供給された流体Ｆに臨界圧力Ｐｃを
超えた圧力を加えて超臨界状態の超臨界流体Ｆｓにする
ものであり、例えば高圧ポンプから構成される。本実施
形態では超臨界流体Ｆｓとして二酸化炭素を用いること
から７０気圧以上、例えば１００気圧程度の圧力を発生
させる。超臨界状態を生じさせるためには圧力のみなら
ず温度も重要な要因である。このため、圧力発生器２１
４には加熱部（ヒータ）２１６が併設され、流体供給部
２１２から供給された流体Ｆが臨界温度Ｔｃを超える温
度になるように加熱する。本実施形態では超臨界流体Ｆ
ｓとして二酸化炭素を用いることから、流体Ｆを３１℃
以上、例えば４０℃程度の温度にする。以上のように、
流体供給部２１２は圧力発生器２１４および加熱部２１
６と相俟って超臨界流体Ｆｓの供給が可能になる。

【００１９】圧力容器２１８は、表面が部分的に破壊さ
れたレジストＰＲを有するウエハＷをその内部に配置
し、溶液（レジスト剥離剤ＲＲが混入された超臨界流体
Ｆｓ）で処理することでレジストＰＲを除去するための
容器である。圧力容器２１８は圧力発生器２１４が発生
した圧力に耐えられるようになっており、その内部で超
臨界流体Ｆｓが超臨界状態を維持できる。また、圧力容
器２１８はその内部へのウエハＷの搬入、搬出ができる
ように、図示しない開閉部を有する。不純物除去部２２
０は、超臨界流体Ｆｓ中に含まれる不純物、特に剥離さ
れたレジストＰＲを除去するための一種のフィルターで
ある。

【００２０】（レジスト除去の手順）以下にレジスト除
去システムを用いたレジストＰＲ除去の手順について説
明する。図３は、レジスト除去システムを用いたレジス
トＰＲ除去の手順の１例を示すフロー図である。また、
図４は図３の手順中におけるウエハＷの状態を表す断面
図である。なお、図３，４では、判り易くするために、
レジストＰＲ除去前の工程（ここでは、成膜、エッチン
グ工程）をも示している。図３に示すように、レジスト
ＰＲ除去の手順は、それ以前の工程を含めステップＳ１
１〜Ｓ１６に区分されている。このうち、ステップＳ１
４〜Ｓ１６がレジストＰＲ除去の手順である。以下、ス
テップＳ１１〜Ｓ１６に区分して詳述する。

【００２１】（１）ウエハＷへの成膜（ステップＳ１
１、図４（Ａ）） ウエハＷに回路層Ｔｒ、ハードマスク層Ｈｍ、層間絶縁
層ＩＬを順に形成する。回路層Ｔｒはここでは単純化し
て単層の如くに表しているが、実際は微細な多数のトラ
ンジスタおよびトランジスタ間を電気的に接続する配線
が形成されている。回路層Ｔｒは、複数の膜の形成、形
成した膜のエッチング、必要に応じたイオン打ち込み等
により形成されている。このエッチング、イオン打ち込
み等では、必要に応じてフォトレジストＰＲがマスクと
して用いられ、不要になると除去される。従い、回路層
Ｔｒの形成中でのレジストＰＲの除去に際しても後述す
るステップＳ１４〜Ｓ１６のレジスト除去手順を採用す
ることができる。但し、ここでは、レジスト除去につい
てこれ以上述べないこととする。

【００２２】ハードマスク層Ｈｍは、層間絶縁層ＩＬを
形成する際等に、回路層Ｔｒを保護するための層であ
り、例えばＳｉＮ、あるいはＳｉＯ_２から形成される。
この形成にはＣＶＤ等の成膜手段を用いることができ
る。層間絶縁層ＩＬは回路層Ｔｒをその上層から電気的
に絶縁するための層である。本実施形態では層間絶縁層
ＩＬの材料として、ＭＳＱ（Methyl Silsesquioxane メ
チルシルセスキオキサン）を用いている。ＭＳＱは有機
系の低誘電率材料であり、例えばスピンコート（および
その後の加熱処理）で成膜できる。ＭＳＱを用いた層間
絶縁層ＩＬは、低誘電率のため浮遊容量の発生が少な
く、半導体デバイスの高速化に適している。このＭＳＱ
は、微細なポーラス（空孔）を多数含む多孔質材料であ
り、また機械的強度および耐薬品性がそれほど強くない
ので、後述のように以下のステップＳ１２〜Ｓ１６にお
いて留意する必要がある。

【００２３】（２）レジストパターンの形成（ステップ
Ｓ１２，図４（Ｂ）） 層間絶縁層ＩＬのパターニングのためにレジストＰＲの
形成、パターニング（図４（Ｂ））を行う。レジストＰ
Ｒとしては、種々の材料（例えば、水酸基を保護された
ポリビニールフェノール、スチレンとマレイミドの共重
合体、またはビニルフェノールとスチレンの共重合体）
を用いることができ、例えばスピンコート等でレジスト
ＰＲの層を形成できる。このときのレジストＰＲの層厚
は、例えば５００〜６００ｎｍ程度である。レジストＰ
Ｒの層を形成した後、レジストＰＲを感光、現像するこ
とで、レジストＰＲを部分的に除去しできる（パターニ
ング）。

【００２４】（３）層間絶縁層ＩＬのエッチング（ステ
ップＳ１３、図４（Ｃ） レジストＰＲをマスクとして層間絶縁層ＩＬをエッチン
グする。このエッチングは、フッ素系の反応ガス等（例
えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８）を用いたドライプロセスによ
って行える。反応ガスによりＭＳＱからなる層間絶縁層
ＩＬがエッチングされるが、このときレジストＰＲの表
面が反応ガスと反応して表面変質層（ハードレイヤー）
ＨＬが形成される。レジストＰＲの有機成分がフッ素等
と反応することで、通常のレジストＰＲよりも硬度、物
理的用強度、耐薬品性のある表面変質層ＨＬへと変質す
る。この表面変質層ＨＬは通常のレジストＰＲに比べて
レジスト剥離剤ＲＲによる除去が困難である。但し、表
面変質層ＨＬの厚さは通常１０〜２０ｎｍ程度であり、
レジストＰＲのごく表面のみに存在する。

【００２５】（４）レジストＰＲ表面の部分的破壊（ス
テップＳ１４、図４（Ｄ）） 前述のように、このステップＳ１４からＳ１６までがレ
ジストＰＲを除去するための手順である。レジストＰＲ
表面、特に表面変質層ＨＬを部分的に破壊する。これは
レジスト表面破壊装置１００によって行える。 ステップＳ１３が完了したウエハＷをウエハ搬送装置
１２によりレジスト表面破壊装置１００内に搬送し、真
空チャック１１６上に載置、吸引する。

【００２６】その後、回転している円板１２２をウエ
ハＷの上面に向かって降下させ、ウエハＷ上面（レジス
トＰＲの面）に接触部１２０を接触させる。レジストＰ
Ｒに回転している接触部１２０が接触、摩擦されること
で、レジストＰＲの表面、特に表面変質層ＨＬが部分的
に破壊される。具体的には、表面変質層ＨＬを貫通する
微細な穴や傷が多数形成される。このときウエハＷを昇
降・回転駆動手段１１８で回転し、さらには円板１２２
をＹ方向に移動させることで、回転している接触部１２
０をレジストＰＲの全面に接触させ、レジストＰＲ全面
を部分的に破壊できる。なお、接触部１２０に前述のよ
うに粗面を有する基板、砥石を用いることも可能であ
る。

【００２７】レジストＰＲ表面を部分的に破壊するとき
に、層間絶縁層ＩＬの材料が機械的強度のそれほど高く
ないＭＳＱであることから、層間絶縁層ＩＬに過大な力
が加わらないように注意する必要がある。この点からす
ると、接触部１２０としては、剛体に近い砥石等より
も、ウエハＷと円板１２２間を緩衝できる（弾性があ
る）バフやブラシの方がより好ましい。

【００２８】（５）ウエハＷの溶液による処理（ステッ
プＳ１５、図４（Ｅ）） ウエハＷを溶液（本実施形態では、レジスト剥離剤ＲＲ
を混合した超臨界流体Ｆｓ）で処理することで、レジス
トＰＲを除去する。 レジストＰＲ表面が部分的に破壊されたウエハＷを超
臨界流体処理装置２００内へ搬入する。具体的には、圧
力容器２１８の図示しない開閉部を開き、ウエハ搬送装
置１２によりウエハＷを圧力容器２１８内に搬入し、保
持、固定する。ウエハＷを圧力容器２１８内に保持した
ら、圧力容器２１８を液密に閉じ、内部空間Ｓ内を密閉
状態とする。

【００２９】ウエハＷを溶液により処理する。バルブ
２２２を開き流体供給部２１２から圧力発生器２１４お
よび加熱部２１６を経由して圧力容器２１８内に溶液
（レジスト剥離剤ＲＲが混入された超臨界流体Ｆｓ）を
流入させる。この結果、圧力容器２１８内のウエハＷが
溶液によって処理される。一方、圧力容器２１８から流
出した溶液はバルブ２２６および不純物除去部２２０を
経由して帰還配管２２８から流体供給部２１２へと帰還
して再利用される。

【００３０】超臨界流体Ｆｓに混入されたレジスト剥離
剤ＲＲは、表面変質層ＨＬに形成された穴等を通じてそ
の下層のレジストＰＲそのものに直接作用しレジストＰ
Ｒを溶解する。このとき、レジスト剥離剤ＲＲが超臨界
流体Ｆｓに溶解していることで、表面変質層ＨＬの穴が
微細であってもその穴を容易に通過することができる。
超臨界流体Ｆｓが液体と気体の中間的な性質を有し微細
な隙間に入り込むため、超臨界流体Ｆｓに付随してレジ
スト剥離剤ＲＲの成分も微細な隙間に入り込む。従っ
て、レジスト剥離剤ＲＲのみを用いた場合よりもより一
層強力にレジストＰＲを除去できる。このようにして、
表面変質層ＨＬの下層のレジストＰＲが溶解される。表
面変質層ＨＬは、たとえレジスト剥離剤ＲＲにより溶解
されなくても、その下層のレジストＰＲが溶解されるこ
とで、ウエハＷから剥がれ落ちる。

【００３１】本実施形態では、層間絶縁層ＩＬがポーラ
ス材料であることから、超臨界流体Ｆｓを用いて微細な
ポーラス内からレジストＰＲをも含む汚染物質を除去す
ることが可能となる。なお、以上のレジスト剥離剤ＲＲ
と超臨界流体Ｆｓとの混合液による処理の後に、超臨界
流体Ｆｓのみを用いた一種のリンス処理を付加すること
も可能である。これは、次のステップＳ１６のウエハＷ
の乾燥時にレジスト剥離剤ＲＲの成分がウエハＷ上に残
留するのをより確実に防止するためである。

【００３２】（６）ウエハＷの乾燥（ステップＳ１６） ウエハＷの溶液処理の終了後に、バルブ２２２、２２
６を閉じて圧力容器２１８内を常圧にすると超臨界流体
Ｆｓは瞬時に蒸発し、ウエハＷを急速に乾燥できる。既
述のように、本実施形態では層間絶縁層ＩＬとして機械
的強度が大きいとは言い難いＭＳＱを用いていることか
ら、そのパターンが破壊されやすい（いわゆるパターン
倒れ）。本実施形態では、超臨界流体Ｆｓが表面張力を
有しないことから、ウエハＷ上に形成された微細なパタ
ーンが破壊されることがない。以上のように、本実施形
態で超臨界流体による処理を行っていることは、レジス
トの除去の確実性向上に加え、パターンの破壊防止にも
結びつく。 乾燥処理が済んだウエハＷは、超臨界流体処理装置２
００内から搬出される。具体的には、圧力容器２１８の
図示しない開閉部を開き、ウエハＷの固定を解除して、
ウエハ搬送装置１２を用いてウエハＷを圧力容器２１８
内から搬出する。

【００３３】（７）ステップＳ１６によるレジスト除去
後には適宜の工程が行われ、所望の半導体装置が作成さ
れる。図４（Ｆ）は、ステップＳ１６の後にバリアメタ
ル層ＢＭ（例えば、ＴａＮ、ＴｉＮからなるＣｕの拡散
を防止する層）およびＣｕからなる配線層ＷＬを形成し
た例を示す。

【００３４】以上説明した本実施の形態によれば、レジ
ストＰＲ表面の部分的な破壊とレジスト剥離剤を混合し
た超臨界流体Ｆｓによる処理を併用することで、レジス
トＰＲ表面に表面変質層ＨＬが形成されている場合でも
レジストを効率よく除去することができる。

【００３５】（その他の実施形態）本発明の実施形態は
上記実施形態には限られず拡張、変更できる。拡張、変
更された実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。 （１）例えば、基板に半導体ウエハに限定することな
く、ガラス基板等も含めた基板一般を用いることができ
る。

【００３６】（２）レジスト表面破壊装置１００では、
バフ等の接触部１２０を有する円板１２２を主として回
転することで、レジストＰＲ表面を部分的に破壊した
が、これに代えて接触部１２０を固定してウエハＷを回
転させても差し支えない。即ち、接触部１２０がウエハ
Ｗに対して相対的に回転すればよい。また、ウエハＷと
接触部１２０のどちらを上下に位置するかも適宜に選択
できる。

【００３７】レジスト表面破壊装置の他の例を図５に
示す。ここでは、接触部１２０ａを有する円板１２２ａ
が底板１１４上に固定され、円板１２２ａの上方に真空
チャック１１６でウエハＷが保持されている。ウエハＷ
を回転させながら円板１２２ａ上に降下させて接触部１
２０ａ上面と接触させることで、ウエハＷ上に形成され
たレジストＰＲの表面が部分的に破壊される。このとき
接触部１２０ａ上面の大きさがウエハＷの大きさよりも
大きいことから、接触部１２０ａとウエハＷを互いに平
面的（Ｘ，Ｙ面内）で移動することなく、ウエハＷ全面
でレジストＰＲを部分的に破壊できる。 レジスト表面破壊装置の別の例を図６に示す。ここで
は、ウエハＷが接触部１２０の上方に位置している。 （３）溶液は、超臨界流体とレジスト剥離剤の混合物の
みに限られず、レジストを溶解できる溶液一般（例え
ば、レジスト剥離剤そのもの）を用いることができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば効
果的にレジストを除去できるレジスト除去方法、レジス
ト除去システムを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るレジスト除去システムを構成す
るレジスト表面破壊装置を表す側面図である。

【図２】 本発明に係るレジスト除去システムを構成す
る超臨界流体処理装置を表す側面図である。

【図３】 レジスト除去の手順の１例を示すフロー図で
ある。

【図４】 図３の手順中におけるウエハＷの状態を表す
断面図である。

【図５】 レジスト表面破壊装置の他の例を表す側面図
である。

【図６】 レジスト表面破壊装置の別の例を表す側面図
である。

【符号の説明】

１２…ウエハ搬送装置、１００…レジスト表面破壊装
置、１１０…筐体、１１２…窓、１１４…底板、１１６
…真空チャック、１１８…昇降・回転駆動手段、１２０
…接触部、１２２…円板、２００…超臨界流体処理装
置、２１２…流体供給部、２１４…圧力発生器、２１６
…加熱部、２１８…圧力容器、２２０…不純物除去部、
２２２…バルブ、２２４…供給配管、２２６…バルブ、
２２８…帰還配管、２３０…循環系

フロントページの続き (72)発明者 折居 武彦 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 中森 光則 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 JA04 LA01 LA02 3C058 AA06 AA07 CB03 DA02 DA17 5F046 MA02 MA10 MA19

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成されたレジストの表面を部
   分的に破壊する表面破壊装置と、 前記表面破壊装置で表面が部分的に破壊された前記レジ
   ストを溶液で処理する溶液処理装置と、 を具備することを特徴とするレジスト除去システム。
2. 【請求項２】 前記表面破壊装置が、基板に対して相対
   的に回転しながらレジスト表面に接触する接触部材を有
   することを特徴とする請求項１記載のレジスト除去シス
   テム。
3. 【請求項３】 前記接触部材が、弾性を有する材料で形
   成されていることを特徴とする請求項２記載のレジスト
   除去システム。
4. 【請求項４】 前記溶液が、超臨界流体およびレジスト
   剥離材を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト
   除去システム。
5. 【請求項５】 前記溶液処理装置が、前記溶液で処理さ
   れた基板をリンス液でリンスすることを特徴とする請求
   項１記載のレジスト除去システム。
6. 【請求項６】 前記溶液処理装置が、前記溶液で処理さ
   れた基板を乾燥することを特徴とする請求項１記載のレ
   ジスト除去システム。
7. 【請求項７】 基板上に形成されたレジストの表面を部
   分的に破壊する表面破壊ステップと、 前記表面破壊ステップで表面が部分的に破壊された前記
   レジストを溶液で処理する溶液処理ステップと、 を具備することを特徴とするレジスト除去方法。
8. 【請求項８】 前記溶液が、超臨界流体およびレジスト
   剥離材を含むことを特徴とする請求項７記載のレジスト
   除去方法。
9. 【請求項９】 前記溶液処理ステップの後に、前記溶液
   で処理された基板を乾燥する乾燥ステップをさらに具備
   することを特徴とする請求項７記載のレジスト除去方
   法。
10. 【請求項１０】 前記溶液処理ステップの後に、前記溶
    液で処理された基板をリンス液でリンスするリンス処理
    ステップをさらに具備することを特徴とする請求項７記
    載のレジスト除去方法。
11. 【請求項１１】 前記レジストがその表面に内部よりも
    耐薬品性のある表面層を有することを特徴とする請求項
    ７記載のレジスト除去方法。
12. 【請求項１２】 前記基板が多孔質層を有することを特
    徴とする請求項７記載のレジスト除去方法。