JP2003318053A - Manufacturing method for flat magnetic element - Google Patents

Manufacturing method for flat magnetic element

Info

Publication number
JP2003318053A
JP2003318053A JP2002124396A JP2002124396A JP2003318053A JP 2003318053 A JP2003318053 A JP 2003318053A JP 2002124396 A JP2002124396 A JP 2002124396A JP 2002124396 A JP2002124396 A JP 2002124396A JP 2003318053 A JP2003318053 A JP 2003318053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
film
magnetic element
manufacturing
insulating resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002124396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Kohiki
英明 小日置
Yasutaka Fukuda
泰隆 福田
Kazuhiko Echizenya
一彦 越前谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
JFE Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JFE Steel Corp filed Critical JFE Steel Corp
Priority to JP2002124396A priority Critical patent/JP2003318053A/en
Publication of JP2003318053A publication Critical patent/JP2003318053A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve forming especially of a plating base film in a method for manufacturing a flat magnetic element by plating copper, etc. <P>SOLUTION: The manufacturing method for a flat magnetic element includes a plating base film formation process where a plating base film is formed on the surface of an insulating resin film, a photolithographic process where a resist frame for forming a plating coil is formed on the plating base film, a process where the resist frame is released after the plating coil is formed, and a process where the plating base film of the released resist frame part is removed by etching and a magnetic material is packed. Before the plating base film formation process, the surface of the insulating resin film is shot-blasted with globular particles. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、銅などのめっきに
よる平面磁気素子の製造方法であって、特にめっき下地
膜形成の改善に関するものであり、絶縁樹脂膜との密着
性を充分高く保ちながら、高アスペクト比の断面を有す
るレジストフレームをフォトリソグラフにより形成する
のに適した表面光沢を有するめっき下地膜形成を実現す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a flat magnetic element by plating copper or the like, and more particularly to improving the formation of a plating underlayer film, while maintaining a sufficiently high adhesion to an insulating resin film. A plating base film having a surface gloss suitable for photolithographically forming a resist frame having a high aspect ratio cross section is realized.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の情報技術の普及により、携帯電話
や電子情報端末などのような、電池で駆動される携帯機
器の利用が進んでいる。これらの携帯機器に対しては、
従来からさらなる小型・薄型・軽量化の要求があり、最
近はこれに加えて、マルチメディア対応、ブロードバン
ド対応など、通信機能や表示機能の充実、あるいは画像
データを含んだ大量情報の高速処理化など高機能化が求
められている。
2. Description of the Related Art With the spread of information technology in recent years, the use of portable devices driven by batteries, such as portable telephones and electronic information terminals, is advancing. For these mobile devices,
There has been a demand for further reduction in size, thickness, and weight. Recently, in addition to this, multimedia, broadband, and other communication and display functions have been enhanced, or high-speed processing of large amounts of information including image data has been achieved. Higher functionality is required.

【0003】これに伴い、電池からの単一電圧を、CP
U、LCDモジュール、通信用パワーアンプなどの様々
な搭載デバイスが必要とする各々の電圧レベルに変換で
きる電源の需要が増加してきた。そこで、携帯機器の小
型・薄型・軽量化と高機能を両立させるために、電源に
搭載されるトランス、インダクタなどの磁気素子の小型
・薄型化を進めることが重要な課題となっている。
Along with this, the single voltage from the battery is
There has been an increasing demand for a power supply capable of converting each voltage level required by various on-board devices such as U, LCD module, and communication power amplifier. Therefore, it is an important issue to reduce the size and thickness of magnetic elements such as transformers and inductors mounted in a power supply in order to achieve both small size, thickness and weight reduction and high functionality of mobile devices.

【0004】このような状況の下、磁気素子のさらなる
小型化のために、印刷法やシート法で形成したフェライ
ト磁性膜を用いた平面型の磁気素子、すなわち、平面磁
気素子が特開2001-244124 号公報等に開示されている。
かかる平面磁気素子は、フェライト粉にバインダを混ぜ
た磁性ペーストをSi基板上に印刷、焼成することで第
1のフェライト磁性膜を形成し、この膜上に形成した平
滑層上にめっき法で平面的にコイルを形成した後、さら
にその上にフェライト粉を樹脂バインダで固着した第2
の磁性膜を形成して磁気素子としている。
Under such circumstances, in order to further miniaturize the magnetic element, a planar magnetic element using a ferrite magnetic film formed by a printing method or a sheet method, that is, a planar magnetic element is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001- No. 244124 is disclosed.
In such a planar magnetic element, a magnetic paste prepared by mixing a ferrite powder with a binder is printed on an Si substrate and fired to form a first ferrite magnetic film, and a flat layer is formed on the smoothing layer formed on the film by a plating method. After the coil was formed, the ferrite powder was further fixed on it by the resin binder.
Magnetic film is formed as a magnetic element.

【0005】また、従来から図1に示す平面磁気素子の
製造方法も行われている。以下、図1(a)〜(f)に
基づいて平面磁気素子製造方法の代表例について説明す
る。まず、Si基板11a 上にフェライト磁性粉を含んだペ
ーストをスクリーン印刷法にて第1のフェライト磁性膜
として成膜し、引き続き大気中 950℃で焼成した。かか
るフェライト磁性膜11b 上にポリイミド樹脂をスピンコ
ート等により塗布した後、熱硬化させ、厚み10μmの絶
縁樹脂膜であるポリイミド樹脂被膜11c を形成し、めっ
き下地膜となる0.5 μm厚のめっき銅膜11d を無電解め
っき法にて成膜して基板11を形成する(a)。
A conventional method of manufacturing the planar magnetic element shown in FIG. 1 has also been performed. Hereinafter, a representative example of the planar magnetic element manufacturing method will be described with reference to FIGS. First, a paste containing ferrite magnetic powder was formed as a first ferrite magnetic film on the Si substrate 11a by a screen printing method, and subsequently fired at 950 ° C. in the atmosphere. A polyimide resin is applied onto the ferrite magnetic film 11b by spin coating or the like, and then heat-cured to form a polyimide resin film 11c which is an insulating resin film having a thickness of 10 μm, and a plated copper film having a thickness of 0.5 μm serving as a plating base film. Substrate 11 is formed by forming 11d by electroless plating (a).

【0006】ここで、平面磁気素子構造において、絶縁
樹脂膜11c の表面が平滑なままでは、めっき下地膜11d
との密着性が充分でなく、後工程で剥離するなど製造上
のトラブルを引き起こし、素子の信頼性の面からも問題
である。そのため、多角形または不定形の粒子を用いた
ショットブラストを始めとして、物理的あるいは化学的
な種々のアンカー処理によって密着性を改善する努力が
なされている。なお、アンカー処理については更に後述
する。
Here, in the planar magnetic element structure, if the surface of the insulating resin film 11c remains smooth, the plating base film 11d is formed.
Adhesiveness to and is not sufficient, causing manufacturing troubles such as peeling in a later step, which is also a problem from the aspect of reliability of the element. Therefore, efforts are being made to improve the adhesion by various physical or chemical anchor treatments such as shot blasting using polygonal or amorphous particles. The anchor process will be described later.

【0007】次に、 めっき下地膜11d の上にフォトレジ
ストを塗布した後フォトリソグラフによりフォトマスク
6を用いて平行光5で露光を行い、所望のコイル形状の
レジストフレーム12を形成する(b)。その後、電気め
っきによりレジストフレーム12の内部にめっき銅を析出
(c)させた後、レジストフレーム12を剥離し、ついで
化学エッチングしてコイル線間の下地めっきのCu膜11d
を除去(図示せず)し、平面コイル13を形成する
(d)。このとき、コイル端子16も併せて形成する。
Next, a photoresist is coated on the plating base film 11d and then exposed by parallel light 5 using a photomask 6 by photolithography to form a resist frame 12 having a desired coil shape (b). . After that, copper plating is deposited (c) inside the resist frame 12 by electroplating, the resist frame 12 is peeled off, and then chemical etching is performed to form a Cu film 11d for undercoating between the coil wires.
Are removed (not shown) to form the planar coil 13 (d). At this time, the coil terminal 16 is also formed.

【0008】次に、フェライト磁粉入エポキシ樹脂14
を、スクリーン印刷法にて上記の平面コイル間および平
面コイル上層に塗布して熱硬化させ第2のフェライト磁
性膜を形成し、外部電極17を設け、平面磁気素子10a を
完成させる(e)。なお、Si基板11a と第1のフェライ
ト磁性膜11b 間を剥離して、薄型の平面磁気素子10b と
してもよい(f)。完成した平面磁気素子10b の斜視図
とそのA−A断面を図3に例示する。
Next, an epoxy resin 14 containing ferrite magnet powder
Is applied to the space between the planar coils and the upper layer of the planar coil by a screen printing method to be thermally cured to form a second ferrite magnetic film, an external electrode 17 is provided, and the planar magnetic element 10a is completed (e). The thin planar magnetic element 10b may be formed by separating the Si substrate 11a and the first ferrite magnetic film 11b (f). FIG. 3 illustrates a perspective view of the completed planar magnetic element 10b and its AA cross section.

【0009】ここで、例えば、物理的なアンカー処理と
しては、プラズマ処理、スパッタリング処理、多角形ま
たは不定形の粒子を用いたショットブラスト処理等によ
る絶縁層表面の粗化方法がある。また、絶縁層中に混ぜ
込んだ可溶性粒子のうち表面に露出したものを酸やアル
カリで溶解し、絶縁層表面を粗化する化学的な方法も行
われており、それぞれ下地膜の密着性改善に大きく寄与
している。
Here, as the physical anchor treatment, for example, there is a method of roughening the surface of the insulating layer by plasma treatment, sputtering treatment, shot blast treatment using polygonal or amorphous particles. There is also a chemical method of dissolving the exposed surface of the soluble particles mixed in the insulating layer with acid or alkali to roughen the surface of the insulating layer. Greatly contributes to

【0010】可溶性粒子の溶解作用による化学的な表面
粗化は、絶縁層が十分厚い場合には有効であるが、可溶
性粒子のサイズと同等あるいは薄い絶縁層では可溶性粒
子の溶解によりピンホールが発生する不具合が生じる。
また、可溶性粒子のサイズよりも厚い絶縁層であって
も、可溶性粒子が充分に分散せず、凝集粒を形成する場
合には同様の間題が生じることになる。特に、特開2001
-244124 号公報に推奨のような0.01〜10μmという非常
に薄い絶縁樹脂膜では不適である。
The chemical surface roughening due to the dissolution action of the soluble particles is effective when the insulating layer is sufficiently thick, but pinholes are generated due to the dissolution of the soluble particles in the insulating layer having a size equal to or smaller than that of the soluble particles. Will cause a problem.
Further, even if the insulating layer is thicker than the size of the soluble particles, the soluble particles are not sufficiently dispersed, and the same problem occurs when forming aggregated particles. In particular, JP 2001
A very thin insulating resin film of 0.01 to 10 μm as recommended in Japanese Patent No. 244124 is not suitable.

【0011】一方、物理的方法であるショットブラスト
処理は、ショットブラストする多角形または不定形の粒
子で絶縁層表面に鋭利な傷をつけることでアンカー効果
を得ている。そのため、非常に薄い絶縁層の場合、傷が
貫通してしまい、後処理において薬液の浸入等による欠
陥が発生する。そのため、微細な粒子を用いてマイルド
な加工処理を施すことを前提としても、適用可能となる
絶縁樹脂膜の厚さはせいぜい5〜10μm程度である。
On the other hand, in the shot blasting which is a physical method, the anchor effect is obtained by sharply scratching the surface of the insulating layer with polygonal or amorphous particles to be shot blasted. Therefore, in the case of a very thin insulating layer, a scratch penetrates and a defect occurs due to infiltration of a chemical solution or the like in the post-treatment. Therefore, the thickness of the applicable insulating resin film is about 5 to 10 μm at the most, even if it is premised on performing mild processing using fine particles.

【0012】ところで、他の物理的方法であるプラズマ
処理やスパッタリング処理は、上記の方法と比較する
と、0.01〜10μm程度までの薄い絶縁樹脂膜にも適用す
ることができる。ここで、特開2001-244124 号公報で
は、下地膜の密着性を向上するため、下地膜形成後に更
に80〜400 ℃で熱処理することを推奨している。しか
し、これらのプラズマ処理やスパッタリング処理では、
処理後に大気に触れさせることなく下地膜を形成する場
合には密着性を確保できるものの、処理後に一旦大気に
触れると表面の活性が損なわれることになり、その後に
下地膜を成膜しても密着性が大幅に低下してしまう。そ
のため、大気に開放せずに上述のプロセスを連続して行
うことを可能とするには高価な装置が必要となる。
By the way, other physical methods such as plasma treatment and sputtering treatment can be applied to a thin insulating resin film having a thickness of about 0.01 to 10 μm as compared with the above method. Here, in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-244124, in order to improve the adhesion of the base film, it is recommended to further perform heat treatment at 80 to 400 ° C. after forming the base film. However, in these plasma treatment and sputtering treatment,
Although adhesion can be secured when the underlayer film is formed without exposing it to the atmosphere after the treatment, once the substrate is exposed to the atmosphere after the treatment, the activity of the surface is impaired. Adhesion will be significantly reduced. Therefore, an expensive device is required to enable the above process to be continuously performed without opening to the atmosphere.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述した平面磁気素子
の構造において、コイル線幅の低減とコイル高さの増加
を同時に行えば、コイル断面積を維持しつつ小型化が実
現でき、コイル抵抗を増加させることなく、平面磁気素
子の厚さの増加も無視できる程度に抑えることが可能で
ある。
In the above-mentioned structure of the planar magnetic element, if the coil wire width is reduced and the coil height is increased at the same time, it is possible to realize the miniaturization while maintaining the coil cross-sectional area and reduce the coil resistance. Without increasing the thickness, it is possible to suppress the increase in the thickness of the planar magnetic element to a negligible level.

【0014】しかしながら、多角形または不定形の粒子
を用いるショットブラスト処理や可溶性粒子の溶解処理
により表面粗化された絶縁樹脂膜上に形成しためっき下
地膜の表面に、ネガ型のフォトレジストを用いてコイル
形状にレジストフレームを形成したところ、レジスト高
さが70μmを超えると、下地膜が露出すべきレジストフ
レームのスソ部にレジストが残留し、電気めっき時の電
着不良が発生することが明らかとなった。さらに、コイ
ル線幅が40μm未満となるパターンでは、レジストフレ
ームの溝底部をレジスト残渣が覆ってしまい、全く下地
膜が露出しないことが判明した。
However, a negative photoresist is used on the surface of the plating base film formed on the insulating resin film whose surface has been roughened by shot blasting using polygonal or amorphous particles or dissolving soluble particles. When a resist frame was formed in the shape of a coil with a resist height of more than 70 μm, it was revealed that the resist remained on the soot portion of the resist frame where the underlying film should be exposed, resulting in electrodeposition failure during electroplating. Became. Further, it was found that in the pattern in which the coil wire width is less than 40 μm, the resist residue covers the groove bottom of the resist frame, and the underlying film is not exposed at all.

【0015】一方、プラズマ処理やスパッタリング処理
を施した絶縁樹脂膜上に形成しためっき下地膜を用いた
場合では、レジスト高さが70μmを超えても正常なレジ
ストフレームを形成することができる。そして、本発明
者らがこれらの相違を詳細に調査・研究した結果、プラ
ズマ処理した下地膜表面はほぼ鏡面であり光沢があるた
めフォトリソグラフの露光工程においてレジストフレー
ムに入射した平行光がそのまま正反射されるのに対し、
絶縁樹脂膜を多角形または不定形の粒子を用いてショッ
トブラスト処理した場合には下地膜表面に光沢がなく、
入射光が下地膜表面で乱反射し、本来感光すべきでない
部分を感光・硬化させていることを見出した。特に、レ
ジスト高さが高いと露光時間を長くとる必要があり、こ
の影響が顕著になる。
On the other hand, when the plating base film formed on the insulating resin film subjected to the plasma treatment or the sputtering treatment is used, a normal resist frame can be formed even if the resist height exceeds 70 μm. As a result of detailed investigations and studies on these differences by the present inventors, the surface of the undercoat film subjected to the plasma treatment is almost a mirror surface and has a gloss, so that the parallel light incident on the resist frame in the exposure step of the photolithography is directly corrected. While reflected,
When the insulating resin film is shot blasted using polygonal or amorphous particles, the surface of the base film is not glossy,
It was found that the incident light was diffusely reflected on the surface of the base film, and the portion that should not be exposed to light was exposed and cured. In particular, if the resist height is high, it is necessary to take a long exposure time, and this influence becomes remarkable.

【0016】すなわち、図2に例示のように、めっき下
地膜11c に光沢がない場合には、レジストフレーム12に
入射する平行光5が散乱反射光5aとなり、本来感光すべ
きでない箇所に侵食部7を形成するのである。しかしな
がら、めっき下地膜11c に光沢のある面を形成できるプ
ラズマ処理やスパッタリング処理は非常にコストのかか
るプロセスであり、平面磁気素子を安価に製造するには
採用困難である。
That is, as shown in FIG. 2, when the plating base film 11c is not glossy, the parallel light 5 incident on the resist frame 12 becomes the scattered reflected light 5a, and the eroded portion is not exposed to light. 7 is formed. However, the plasma treatment or the sputtering treatment capable of forming a glossy surface on the plating base film 11c is a very expensive process, and it is difficult to adopt it for manufacturing the planar magnetic element at low cost.

【0017】本発明は、平面磁気素子の安価な製造方法
を提供するものであり、絶縁樹脂膜とめっき下地膜の密
着性を維持しながら、70μmを超えるような高いアスペ
クト比のレジストフレームを形成可能とした平面磁気素
子の製造方法を提供するものである。より具体的には、
光沢のあるめっき下地膜を安価に得ることを可能とした
絶縁樹脂膜表面の粗化処理方法を提供するものである。
The present invention provides an inexpensive method for manufacturing a planar magnetic element, which forms a resist frame having a high aspect ratio of more than 70 μm while maintaining the adhesion between the insulating resin film and the plating underlayer film. The present invention provides a method of manufacturing a planar magnetic element that is possible. More specifically,
It is intended to provide a method for roughening a surface of an insulating resin film, which makes it possible to obtain a glossy plating base film at low cost.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、絶縁樹脂膜表面
を球状の粒子を用いてショットブラスト処理することに
よって、上記の目的が有利に達成されるとの知見を得
た。球状の粒子を用いたショットブラストを行うこと
で、めっき後の光沢を失わず、かつ、十分な密着強度を
保持できることを初めて見出したのである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have achieved the above object by subjecting the surface of an insulating resin film to a shot blast treatment using spherical particles. Has been found to be advantageously achieved. It has been found for the first time that by performing shot blasting using spherical particles, glossiness after plating can be maintained and sufficient adhesion strength can be maintained.

【0019】すなわち、本発明は、絶縁樹脂膜表面にめ
っき下地膜を形成するめっき下地膜形成工程と、該めっ
き下地膜上に、めっきコイル形成用のレジストフレーム
を形成するフォトリソグラフ工程と、めっきコイル形成
後に前記レジストフレームを剥離する工程と、剥離した
レジストフレーム部のめっき下地膜をエッチングにより
除去し、磁性材を充填する工程と、を有する平面磁気素
子の製造方法であって、前記めっき下地膜形成工程の前
に、前記絶縁樹脂膜の表面を球状の粒子でショットブラ
ストすることを特徴とする平面磁気素子の製造方法によ
って上記課題を解決した。
That is, according to the present invention, a plating underlayer film forming step of forming a plating underlayer film on the surface of an insulating resin film, a photolithographic step of forming a resist frame for forming a plating coil on the plating underlayer film, and a plating step A method for manufacturing a planar magnetic element, comprising: a step of removing the resist frame after forming a coil; a step of removing the plating base film of the removed resist frame portion by etching and filling a magnetic material, wherein The above problems are solved by a method of manufacturing a planar magnetic element, characterized in that the surface of the insulating resin film is shot-blasted with spherical particles before the formation process.

【0020】また、本発明は、上記に記載の平面磁気素
子の製造方法において、前記球状の粒子をガラスビーズ
とすることを好適とすることを見出した。
The present invention has also found that in the above-described method for manufacturing a planar magnetic element, it is preferable that the spherical particles are glass beads.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の平面磁気素子の製造方法
について、好適な実施の形態を説明する。なお、従来か
ら行われている代表的な平面磁気素子の製造方法(図1
参照)と同一の工程、同一の部材については、再度の説
明を省略する。本発明は、図1におけるめっき下地膜11
d に光沢を保持するものであり、絶縁樹脂膜11c の表面
を粗化するに際し、球状の粒子を用いてショットブラス
トすることでアンカー処理を行うものである。なお、シ
ョットブラスト後は、超音波洗浄機を用いて水洗するこ
とを好適とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the method for manufacturing a planar magnetic element of the present invention will be described. In addition, a typical method of manufacturing a planar magnetic element that has been conventionally performed (see FIG.
The description of the same steps and the same members as those of the reference) will be omitted. The present invention is based on the plating base film 11 shown in FIG.
It retains gloss in d, and when roughening the surface of the insulating resin film 11c, the anchor treatment is performed by shot blasting using spherical particles. After the shot blasting, it is preferable to wash with water using an ultrasonic cleaner.

【0022】ショットブラストに用いる粒子の直径は、
10〜80μmが好ましく、さらに好ましくは30〜50μmで
ある。粒子の材質としては、ガラス、アルミナ、ジルコ
ニウムなどが例示できる。
The diameter of the particles used for shot blasting is
The thickness is preferably 10 to 80 μm, more preferably 30 to 50 μm. Examples of the material of the particles include glass, alumina, zirconium and the like.

【0023】[0023]

【実施例】フェライト焼結板上に絶縁樹脂膜としてポリ
イミド樹脂を塗布後、硬化させた。硬化後のポリイミド
樹脂の膜厚は3μmとした。次に、 表1に示す形状と直
径の粒子を用いて、ポリイミド樹脂膜にショットブラス
ト処理を行った。ショットブラスト処理後のポリイミド
樹脂膜の表面粗さRz を測定した。結果を表1に示す。
Example A polyimide resin was applied as an insulating resin film on a ferrite sintered plate and then cured. The film thickness of the cured polyimide resin was 3 μm. Next, the particles having the shapes and diameters shown in Table 1 were used to subject the polyimide resin film to shot blasting. The surface roughness Rz of the polyimide resin film after the shot blast treatment was measured. The results are shown in Table 1.

【0024】引き続き、 この上にめっき下地として厚み
1μmのCuをスパッタ法により成膜した。めっき下地表
面の20°鏡面光沢Gs をJIS Z 8712に規定された方法5
により測定した。また、JIS H 8504のめっきの密着性試
験により、めっき下地の密着強度を測定した。Gs と密
着強度の測定結果を表1に示す。最後に、 めっき下地の
上に表1に示すような厚みとなるようにフォトレジスト
を塗布し、 表1に示すようなコイル間隔となるようにフ
ォトリソグラフによりフォトマスクを用いて平行光で露
光を行い、レジストフレームを形成した。得られたレジ
ストフレームを光学顕微鏡で観察し、 レジストフレーム
溝底部の残渣の有無を調査した。結果を表1に示す。
Subsequently, Cu having a thickness of 1 μm was formed as a plating base on this by sputtering. Method 5 specified by JIS Z 8712 for 20 ° specular gloss Gs of plating base surface
It was measured by. In addition, the adhesion strength of the plating base was measured by a JIS H 8504 plating adhesion test. Table 1 shows the measurement results of Gs and adhesion strength. Finally, a photoresist was applied on the plating base to a thickness as shown in Table 1, and a parallel exposure was performed using a photomask by photolithography so that the coil spacing shown in Table 1 was obtained. Then, a resist frame was formed. The obtained resist frame was observed with an optical microscope, and the presence or absence of residue at the bottom of the resist frame groove was investigated. The results are shown in Table 1.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】表1から明らかなように、不定形粒子を用
いたブラスト処理では、めっき下地膜の光沢は著しく低
く、また、レジストフレームの仕上がりも悪く、溝底部
にレジストが残留している。これに対し、球状ガラスを
用いたショットブラスト処理を適用した本発明例では、
光沢が大幅に向上し、その結果レジストフレームも正常
に形成されていることがわかる。
As is clear from Table 1, in the blasting process using irregular particles, the gloss of the plating underlayer is extremely low, the finish of the resist frame is poor, and the resist remains at the groove bottom. On the other hand, in the example of the present invention to which the shot blast treatment using spherical glass is applied,
It can be seen that the gloss is significantly improved, and as a result, the resist frame is also formed normally.

【0027】ところで、従来は、ショットブラスト処理
では不定形粒子を用いて絶縁樹脂膜の表面に鋭利な傷を
つけることで密着性を改善することから、本発明例のよ
うに球状ガラスを用いたショットブラスト処理では十分
な密着性が得られないものと考えられていた。しかしな
がら、表1に示すとおり、球状ガラスを用いる本発明例
でも50N/25mm以上の強力な密着性が得られることが判
明したのである。
By the way, conventionally, in the shot blasting treatment, spherical glass was used as in the example of the present invention because amorphous particles were used to sharply scratch the surface of the insulating resin film to improve the adhesion. It was thought that sufficient adhesion was not obtained by shot blasting. However, as shown in Table 1, it was found that even in the examples of the present invention using spherical glass, a strong adhesion of 50 N / 25 mm or more can be obtained.

【0028】なお、本発明において、ショット粒子の材
質は球状ガラスに限定するものではなく、ジルコニア、
アルミナ等の球状のショット粒子でも同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。また、ここでは、説明を単
純にするためフェライト基板上に絶縁樹脂膜を形成する
構成としたが、本発明の平面磁気素子の構造はこれに限
定するものではなく、特開2001-224124 号公報に開示の
ようなシリコン基板上に第1の磁性膜を形成した後、こ
の上に絶縁樹脂膜を形成するようにしてもよいのであ
る。また、シリコンやアルミナ基板上に絶縁樹脂を形成
する構成もかまわない。この場合、 平面磁気素子を製造
後、 シリコンやアルミナ基板を剥離して使用してもよ
い。
In the present invention, the material of the shot particles is not limited to spherical glass, but zirconia,
Needless to say, the same effect can be obtained with spherical shot particles such as alumina. Although the insulating resin film is formed on the ferrite substrate for simplification of description here, the structure of the planar magnetic element of the present invention is not limited to this. It is also possible to form the first magnetic film on the silicon substrate as disclosed in, and then form the insulating resin film on the first magnetic film. Also, a structure in which an insulating resin is formed on a silicon or alumina substrate may be used. In this case, after manufacturing the planar magnetic element, the silicon or alumina substrate may be peeled off and used.

【0029】さらに、本発明は、 厚さ0.01〜10μmの絶
縁平滑層に限定されるものではなく、10μm以上の厚さ
の絶縁層上にめっき下地膜を形成する場合も有効であ
る。また、不定形粒子を使用した場合、 超音波洗浄機を
用いて水洗した後も絶縁樹脂膜に突きささった粒子が多
数残留するのに対して、 球状粒子を用いた場合は粒子の
残留が極めて少なく、洗浄性も改善している。
Furthermore, the present invention is not limited to an insulating smoothing layer having a thickness of 0.01 to 10 μm, and is also effective when a plating underlayer film is formed on an insulating layer having a thickness of 10 μm or more. Also, when irregular particles are used, many particles stuck to the insulating resin film remain even after washing with water using an ultrasonic cleaner, whereas when spherical particles are used, the particles remain extremely. There are few, and the cleanability is also improved.

【0030】また、本実施例では、絶縁樹脂膜として、
下地膜との密着性確保が最も困難なポリイミド樹脂を用
いたが、 本発明は、これに限定されるものではなく、エ
ポキシ系樹脂、 ポリアミド系樹脂等を用いてもよい。
Further, in this embodiment, as the insulating resin film,
Although the polyimide resin, which is most difficult to secure the adhesion to the base film, is used, the present invention is not limited to this, and an epoxy resin, a polyamide resin, or the like may be used.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明によれば、無電解めっき前に絶縁
樹脂膜表面を球状の粒子を用いてブラスト処理すること
により、絶縁樹脂膜とめっき下地膜の密着性を十分維持
しながらも、70μmを超えるレジストフレームを形成可
能な光沢のあるめっき下地膜を得られ、安価な平面磁気
素子の製造方法を提供することができる。
According to the present invention, the surface of the insulating resin film is blasted by using spherical particles before electroless plating, thereby sufficiently maintaining the adhesion between the insulating resin film and the plating base film. It is possible to obtain a glossy plating underlayer film capable of forming a resist frame of more than 70 μm, and to provide an inexpensive method for manufacturing a planar magnetic element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】平面磁気素子の製造方法における主要な各工程
を例示する模式図である。
FIG. 1 is a schematic view illustrating main steps in a method for manufacturing a planar magnetic element.

【図2】従来のショットブラストを用いた場合の露光時
の問題点を説明する模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a problem at the time of exposure when using conventional shot blasting.

【図3】本発明を適用して製造する平面磁気素子の斜視
図(a)と、そのA−A断面図(b)である。
3A is a perspective view of a planar magnetic element manufactured by applying the present invention, and FIG. 3B is a sectional view taken along line AA.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 磁性層 2 銅めっきコイル 3 端子 5 平行光線 5a 散乱反射光 6 フォトマスク 7 侵食部 10a 、10b 平面磁気素子 11 基板 11a Si 基板 11b 第1のフェライト磁性膜 11c 絶縁樹脂膜(ポリイミド膜) 11d めっき下地膜(めっき銅膜) 12 レジストフレーム 13 めっき銅 14 磁性材(フェライト磁粉入エポキシ樹脂) 16 コイル端子 17 外部電極 1 Magnetic layer 2 Copper plating coil 3 terminals 5 parallel rays 5a scattered reflected light 6 Photo mask 7 Erosion part 10a, 10b Planar magnetic element 11 board 11a Si substrate 11b First ferrite magnetic film 11c Insulating resin film (polyimide film) 11d plating base film (plating copper film) 12 Resist frame 13 plated copper 14 Magnetic material (Epoxy resin containing ferrite magnet powder) 16 coil terminals 17 External electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越前谷 一彦 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 Fターム(参考) 5E062 DD01    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kazuhiko Echizen             1 Kawasaki-cho, Chuo-ku, Chiba-shi, Chiba Made in Kawasaki             Technical Research Institute of Iron Co., Ltd. F-term (reference) 5E062 DD01

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁樹脂膜表面にめっき下地膜を形成す
るめっき下地膜形成工程と、該めっき下地膜上に、めっ
きコイル形成用のレジストフレームを形成するフォトリ
ソグラフ工程と、めっきコイル形成後に前記レジストフ
レームを剥離する工程と、剥離したレジストフレーム部
のめっき下地膜をエッチングにより除去し、磁性材を充
填する工程と、を有する平面磁気素子の製造方法であっ
て、前記めっき下地膜形成工程の前に、前記絶縁樹脂膜
の表面を球状の粒子でショットブラストすることを特徴
とする平面磁気素子の製造方法。
1. A plating undercoat film forming step of forming a plating undercoat film on the surface of an insulating resin film, a photolithography step of forming a resist frame for forming a plating coil on the plating undercoat film, and a step of forming the plating coil after the plating coil is formed. A method of manufacturing a planar magnetic element, comprising: a step of removing a resist frame; a step of removing the plating underlayer film of the removed resist frame portion by etching; and a step of filling with a magnetic material, the method comprising: Before, a method of manufacturing a planar magnetic element, characterized in that the surface of the insulating resin film is shot-blasted with spherical particles.
【請求項2】 前記球状の粒子をガラスビーズとするこ
とを特徴とする請求項1に記載の平面磁気素子の製造方
法。
2. The method of manufacturing a planar magnetic element according to claim 1, wherein the spherical particles are glass beads.
JP2002124396A 2002-04-25 2002-04-25 Manufacturing method for flat magnetic element Pending JP2003318053A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002124396A JP2003318053A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Manufacturing method for flat magnetic element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002124396A JP2003318053A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Manufacturing method for flat magnetic element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003318053A true JP2003318053A (en) 2003-11-07

Family

ID=29539450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002124396A Pending JP2003318053A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Manufacturing method for flat magnetic element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003318053A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2039509A1 (en) 2007-09-18 2009-03-25 FUJIFILM Corporation Curable composition, image forming material, and planographic printing plate precursor
EP2042928A2 (en) 2007-09-28 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Negative-working photosensitive material and negative-working planographic printing plate precursor
KR101483876B1 (en) 2013-08-14 2015-01-16 삼성전기주식회사 Inductor element and method of manufacturing the same
JP2015070122A (en) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社村田製作所 Electronic component and manufacturing method therefor
US10741320B2 (en) 2017-07-12 2020-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Coil component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2039509A1 (en) 2007-09-18 2009-03-25 FUJIFILM Corporation Curable composition, image forming material, and planographic printing plate precursor
EP2042928A2 (en) 2007-09-28 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Negative-working photosensitive material and negative-working planographic printing plate precursor
KR101483876B1 (en) 2013-08-14 2015-01-16 삼성전기주식회사 Inductor element and method of manufacturing the same
JP2015070122A (en) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社村田製作所 Electronic component and manufacturing method therefor
US10741320B2 (en) 2017-07-12 2020-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Coil component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050275092A1 (en) Semiconductor substrate and thin processing method for semiconductor substrate
US8308967B2 (en) Wet etched insulator and electronic circuit component
US20190378728A1 (en) Multilayer circuit board manufacturing method
CN100373568C (en) Method of forming bump pad of flip chip and structure thereof
JP2008066416A (en) Film carrier tape for mounting electronic component and its manufacturing method
JP2010042567A (en) Method of manufacturing suspend metal mask, and suspend metal mask
JP2003318053A (en) Manufacturing method for flat magnetic element
US20090155724A1 (en) Method for fabricating probe needle tip of probe card
EP0912079A1 (en) Thick-film conductor circuit and production method therefor
JP4480111B2 (en) Wiring forming method and wiring member
JP2005518086A (en) Printed circuit board with integrated inductor core
JP2004269959A (en) Compound body having copper foil used for forming printed circuit or the like, and method for manufacturing the same
JP2006013332A (en) Connector, electronic component connected thereto, its manufacturing method, and connecting method
JP2010042569A (en) Method of manufacturing suspend metal mask, and suspend metal mask
JP2002025028A (en) Manufacturing method for wireless suspension blank
JP2896296B2 (en) Manufacturing method of ceramic wiring board
JPH0794848A (en) Formation of conductor layer pattern
JP2826206B2 (en) Printed wiring board
JP4814756B2 (en) Solder ball mounting method
JP6812678B2 (en) Manufacturing method of wiring board
JPH0745948A (en) Multilayer wiring board and its manufacture
JPH11266069A (en) Transfer member and manufacture thereof
JP2006002201A (en) Plating film-coated structural member, method for producing structural member coated with plating film and optical module
JP2006024677A (en) Electronic part and its manufacturing method
JP2008268196A (en) Contact probe and manufacturing method of contact probe