JP2003313666A - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置Info
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- JP2003313666A JP2003313666A JP2002119607A JP2002119607A JP2003313666A JP 2003313666 A JP2003313666 A JP 2003313666A JP 2002119607 A JP2002119607 A JP 2002119607A JP 2002119607 A JP2002119607 A JP 2002119607A JP 2003313666 A JP2003313666 A JP 2003313666A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板のメタルコンタミネーションを低
減することができるガス処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｗに対してハロゲンを含む処
理ガスによりガス処理するガス処理装置３であって、被
処理基板Ｗを収容するチャンバー３１と、チャンバー３
１内の被処理基板Ｗに処理ガスを供給するためにチャン
バー内に配置されたシャワーヘッド４０とを具備し、チ
ャンバー３１およびシャワーヘッド４０の少なくとも一
方のうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分３１
ｃ，４０ｄが、実質的にＣｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎからな
るか、または実質的にＣｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｍｇの
うち２以上の金属の合金からなる、低蒸気圧金属化合物
が形成される金属材で構成されている。
減することができるガス処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｗに対してハロゲンを含む処
理ガスによりガス処理するガス処理装置３であって、被
処理基板Ｗを収容するチャンバー３１と、チャンバー３
１内の被処理基板Ｗに処理ガスを供給するためにチャン
バー内に配置されたシャワーヘッド４０とを具備し、チ
ャンバー３１およびシャワーヘッド４０の少なくとも一
方のうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分３１
ｃ，４０ｄが、実質的にＣｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎからな
るか、または実質的にＣｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｍｇの
うち２以上の金属の合金からなる、低蒸気圧金属化合物
が形成される金属材で構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板に対してＣＶＤ成膜等のハロゲンを含む処理
ガスによる処理を行うガス処理装置に関する。
被処理基板に対してＣＶＤ成膜等のハロゲンを含む処理
ガスによる処理を行うガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記
す）に成膜処理、エッチング処理等の種々のガス処理が
施される。このようなガス処理は、ウエハをチャンバー
内に収容し、チャンバー内を減圧しつつ反応性ガス（腐
食性ガス）、例えばＣｌ、Ｆ等のハロゲンを含む処理ガ
スを供給することにより行われる。例えばＴｉ，Ｔｉ
Ｎ，Ｗ等のＣＶＤ成膜処理では、ウエハを例えば７００
℃程度まで加熱し、必要に応じて処理ガスをプラズマ化
し、所定の減圧下で成膜ガスとしてのハロゲン含有ガス
と還元ガス等をチャンバー内に導入して成膜処理が行わ
れる。
被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記
す）に成膜処理、エッチング処理等の種々のガス処理が
施される。このようなガス処理は、ウエハをチャンバー
内に収容し、チャンバー内を減圧しつつ反応性ガス（腐
食性ガス）、例えばＣｌ、Ｆ等のハロゲンを含む処理ガ
スを供給することにより行われる。例えばＴｉ，Ｔｉ
Ｎ，Ｗ等のＣＶＤ成膜処理では、ウエハを例えば７００
℃程度まで加熱し、必要に応じて処理ガスをプラズマ化
し、所定の減圧下で成膜ガスとしてのハロゲン含有ガス
と還元ガス等をチャンバー内に導入して成膜処理が行わ
れる。
【０００３】ところが、このようなハロゲン含有ガスを
用いたガス処理では、チャンバーの内壁やチャンバー内
に設けられたシャワーヘッド等の部材を構成するＡｌ合
金（例えばＪＩＳ Ａ ５０５２）やステンレス鋼の構
成成分であるＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ等がガス処理により副産
するＨＣｌやＨＦ等のハロゲン化水素と反応し、これら
の金属ハロゲン化物が生成する。そして、このような金
属ハロゲン化物は減圧に保持されたチャンバー内では高
蒸気圧性であり容易に気化し、チャンバー内に拡散する
ことによりチャンバー内でパーティクルとなったり、成
膜時に堆積物中に取り込まれ、ウエハ上でメタルコンタ
ミネーションとなってしまうという問題がある。
用いたガス処理では、チャンバーの内壁やチャンバー内
に設けられたシャワーヘッド等の部材を構成するＡｌ合
金（例えばＪＩＳ Ａ ５０５２）やステンレス鋼の構
成成分であるＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ等がガス処理により副産
するＨＣｌやＨＦ等のハロゲン化水素と反応し、これら
の金属ハロゲン化物が生成する。そして、このような金
属ハロゲン化物は減圧に保持されたチャンバー内では高
蒸気圧性であり容易に気化し、チャンバー内に拡散する
ことによりチャンバー内でパーティクルとなったり、成
膜時に堆積物中に取り込まれ、ウエハ上でメタルコンタ
ミネーションとなってしまうという問題がある。
【０００４】このようなメタルコンタミネーションはウ
エハのコンタクトホール底部に形成されたＳｉ拡散層に
混入してＳｉ中を容易に拡散し、耐電圧やオーミック性
等のトランジスタ特性を劣化させるおそれがある。
エハのコンタクトホール底部に形成されたＳｉ拡散層に
混入してＳｉ中を容易に拡散し、耐電圧やオーミック性
等のトランジスタ特性を劣化させるおそれがある。
【０００５】近時、ウエハ上に形成されるパターンの微
細化が進んでおり、従来はφ０．２５μｍであったコン
タクトホールはφ０．１５〜０．１３μｍまで微細化さ
れ、１５０ｎｍ程度であったＳｉ拡散層も１００〜８０
ｎｍまで微細化されている。このようにＳｉ拡散層の深
さが浅い接合（シャロージャンクション）が使用される
につれて、上述したメタルコンタミネーションによるト
ランジスタ特性の劣化が顕著になってきており、メタル
コンタミネーションの低減化の要求が益々強くなってい
る。このようなメタルコンタミネーションの低減化は、
特に、ＣＶＤによるメタル成膜において極めて重要であ
る。
細化が進んでおり、従来はφ０．２５μｍであったコン
タクトホールはφ０．１５〜０．１３μｍまで微細化さ
れ、１５０ｎｍ程度であったＳｉ拡散層も１００〜８０
ｎｍまで微細化されている。このようにＳｉ拡散層の深
さが浅い接合（シャロージャンクション）が使用される
につれて、上述したメタルコンタミネーションによるト
ランジスタ特性の劣化が顕著になってきており、メタル
コンタミネーションの低減化の要求が益々強くなってい
る。このようなメタルコンタミネーションの低減化は、
特に、ＣＶＤによるメタル成膜において極めて重要であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたものであって、被処理基板のメタルコ
ンタミネーションを低減することができるガス処理装置
を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたものであって、被処理基板のメタルコ
ンタミネーションを低減することができるガス処理装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点では、被処理基板に対してハロ
ゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処理装置で
あって、被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャ
ンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記チャンバ
ー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するためにチャ
ンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具備し、前
記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくとも
１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＣｒからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置を提供する。
に、本発明の第１の観点では、被処理基板に対してハロ
ゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処理装置で
あって、被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャ
ンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記チャンバ
ー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するためにチャ
ンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具備し、前
記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくとも
１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＣｒからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置を提供する。
【０００８】本発明の第２の観点では、被処理基板に対
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＮｉからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置。
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＮｉからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置。
【０００９】本発明の第３の観点では、被処理基板に対
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＣｏからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置を提供する。
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＣｏからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置を提供する。
【００１０】本発明の第４の観点では、被処理基板に対
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＭｎからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置を提供する。
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＭｎからなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置を提供する。
【００１１】本発明の第５の観点では、被処理基板に対
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇから
選択された２以上の金属の合金からなる金属材で構成さ
れていることを特徴とするガス処理装置を提供する。
してハロゲンを含む処理ガスによりガス処理するガス処
理装置であって、被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材とを具
備し、前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少
なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触す
る部分が、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇから
選択された２以上の金属の合金からなる金属材で構成さ
れていることを特徴とするガス処理装置を提供する。
【００１２】ハロゲンを含有する処理ガスにより被処理
体をガス処理する際には、チャンバー、およびチャンバ
ー内部材の表面にハロゲンを含有する処理ガスが接触
し、金属ハロゲン化物を生成するが、ハロゲンを含有す
る処理ガスが接触する部分を実質的にハロゲン化物の蒸
気圧がＦｅやＡｌよりも低いＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎの
いずれかの金属で構成することにより、ハロゲン化物が
蒸発し難いものとなる。また、単体では酸化しやすく使
用が困難なＭｇもそのハロゲン化物の蒸気圧が低いた
め、ハロゲンを含有する処理ガスが接触する部分を実質
的にこのＭｇと、上記Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎから選択
された２以上の金属の合金で構成することにより、ハロ
ゲン化物が蒸発し難いものとなる。したがって、前記チ
ャンバー、およびチャンバー内部材の少なくとも１つの
うち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分を実質的
にこのような金属や合金で構成することにより、その部
分に形成されたハロゲン化物が蒸発し難く、それがチャ
ンバー内に拡散してメタルコンタミネーションになるこ
とが抑制され、メタルコンタミネーションの低減を図る
ことができる。
体をガス処理する際には、チャンバー、およびチャンバ
ー内部材の表面にハロゲンを含有する処理ガスが接触
し、金属ハロゲン化物を生成するが、ハロゲンを含有す
る処理ガスが接触する部分を実質的にハロゲン化物の蒸
気圧がＦｅやＡｌよりも低いＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎの
いずれかの金属で構成することにより、ハロゲン化物が
蒸発し難いものとなる。また、単体では酸化しやすく使
用が困難なＭｇもそのハロゲン化物の蒸気圧が低いた
め、ハロゲンを含有する処理ガスが接触する部分を実質
的にこのＭｇと、上記Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎから選択
された２以上の金属の合金で構成することにより、ハロ
ゲン化物が蒸発し難いものとなる。したがって、前記チ
ャンバー、およびチャンバー内部材の少なくとも１つの
うち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分を実質的
にこのような金属や合金で構成することにより、その部
分に形成されたハロゲン化物が蒸発し難く、それがチャ
ンバー内に拡散してメタルコンタミネーションになるこ
とが抑制され、メタルコンタミネーションの低減を図る
ことができる。
【００１３】前記チャンバーおよび前記チャンバー内部
材の少なくとも１つの全てが上記金属や合金で構成され
ていてもよいが、これらのうち、少なくとも前記処理ガ
スと接触する部分が、実質的に前記金属または合金から
なるめっき層を有している構成であってもよい。このよ
うなめっき層を形成すれば、簡易かつ安価に所期の目的
を達成することができる。
材の少なくとも１つの全てが上記金属や合金で構成され
ていてもよいが、これらのうち、少なくとも前記処理ガ
スと接触する部分が、実質的に前記金属または合金から
なるめっき層を有している構成であってもよい。このよ
うなめっき層を形成すれば、簡易かつ安価に所期の目的
を達成することができる。
【００１４】前記チャンバーおよびチャンバー内部材の
少なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触
する部分は、実質的に上記金属または合金で構成されて
いればよく、２〜３％程度の不純物や添加物が含まれて
いてもよい。特にめっき層を形成する場合には、通常、
微量の添加物が含有されるが、その程度のものは許容さ
れる。
少なくとも１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触
する部分は、実質的に上記金属または合金で構成されて
いればよく、２〜３％程度の不純物や添加物が含まれて
いてもよい。特にめっき層を形成する場合には、通常、
微量の添加物が含有されるが、その程度のものは許容さ
れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について具体的に説明する。図１は本発明の
一実施形態に係るＴｉＮ成膜装置が搭載されたマルチチ
ャンバータイプの成膜システムを示す概略構成図であ
る。
の実施形態について具体的に説明する。図１は本発明の
一実施形態に係るＴｉＮ成膜装置が搭載されたマルチチ
ャンバータイプの成膜システムを示す概略構成図であ
る。
【００１６】図１に示すように、この成膜システム１０
０は、ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する２つのＴｉ成膜装
置１，２、およびＣＶＤによりＴｉＮ膜を成膜する２つ
のＴｉＮ成膜装置３，４の合計４つの成膜装置を有して
おり、これら成膜装置１，２，３，４は、六角形をなす
ウエハ搬送室５の４つの辺にそれぞれ対応して設けられ
ている。また、ウエハ搬送室５の他の２つの辺にはそれ
ぞれロードロック室６，７が設けられている。これらロ
ードロック室６，７のウエハ搬送室５と反対側にはウエ
ハ搬入出室８が設けられており、ウエハ搬入出室８のロ
ードロック室６，７と反対側にはウエハＷを収容可能な
３つのフープ（ＦＯＵＰ）Ｆを取り付けるポート９，１
０，１１が設けられている。なお、Ｔｉ成膜装置１と
２、およびＴｉＮ成膜装置３と４は、それぞれ同じ構造
を有している。
０は、ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する２つのＴｉ成膜装
置１，２、およびＣＶＤによりＴｉＮ膜を成膜する２つ
のＴｉＮ成膜装置３，４の合計４つの成膜装置を有して
おり、これら成膜装置１，２，３，４は、六角形をなす
ウエハ搬送室５の４つの辺にそれぞれ対応して設けられ
ている。また、ウエハ搬送室５の他の２つの辺にはそれ
ぞれロードロック室６，７が設けられている。これらロ
ードロック室６，７のウエハ搬送室５と反対側にはウエ
ハ搬入出室８が設けられており、ウエハ搬入出室８のロ
ードロック室６，７と反対側にはウエハＷを収容可能な
３つのフープ（ＦＯＵＰ）Ｆを取り付けるポート９，１
０，１１が設けられている。なお、Ｔｉ成膜装置１と
２、およびＴｉＮ成膜装置３と４は、それぞれ同じ構造
を有している。
【００１７】Ｔｉ成膜装置１，２およびＴｉＮ成膜装置
３，４およびロードロック室６，７は、同図に示すよう
に、ウエハ搬送室５の各辺にゲートバルブＧを介して接
続され、これらは各ゲートバルブＧを開放することによ
りウエハ搬送室５と連通され、各ゲートバルブＧを閉じ
ることによりウエハ搬送室５から遮断される。また、ロ
ードロック室６，７のウエハ搬入出室８に接続される部
分にもゲートバルブＧが設けられており、ロードロック
室６，７は、ゲートバルブＧを開放することによりウエ
ハ搬入出室８に連通され、これらを閉じることによりウ
エハ搬入出室８から遮断される。
３，４およびロードロック室６，７は、同図に示すよう
に、ウエハ搬送室５の各辺にゲートバルブＧを介して接
続され、これらは各ゲートバルブＧを開放することによ
りウエハ搬送室５と連通され、各ゲートバルブＧを閉じ
ることによりウエハ搬送室５から遮断される。また、ロ
ードロック室６，７のウエハ搬入出室８に接続される部
分にもゲートバルブＧが設けられており、ロードロック
室６，７は、ゲートバルブＧを開放することによりウエ
ハ搬入出室８に連通され、これらを閉じることによりウ
エハ搬入出室８から遮断される。
【００１８】ウエハ搬送室５内には、Ｔｉ成膜装置１，
２、ＴｉＮ成膜装置３，４、およびロードロック室６，
７に対して、被処理体であるウエハＷの搬入出を行うウ
エハ搬送装置１２が設けられている。このウエハ搬送装
置１２は、ウエハ搬送室５の略中央に配設されており、
回転および伸縮可能な回転・伸縮部１３の先端にウエハ
Ｗを保持する２つのブレード１４ａ，１４ｂを有してお
り、これら２つのブレード１４ａ，１４ｂは互いに反対
方向を向くように回転・伸縮部１３に取り付けられてい
る。なお、このウエハ搬送室５内は所定の真空度に保持
されるようになっている。
２、ＴｉＮ成膜装置３，４、およびロードロック室６，
７に対して、被処理体であるウエハＷの搬入出を行うウ
エハ搬送装置１２が設けられている。このウエハ搬送装
置１２は、ウエハ搬送室５の略中央に配設されており、
回転および伸縮可能な回転・伸縮部１３の先端にウエハ
Ｗを保持する２つのブレード１４ａ，１４ｂを有してお
り、これら２つのブレード１４ａ，１４ｂは互いに反対
方向を向くように回転・伸縮部１３に取り付けられてい
る。なお、このウエハ搬送室５内は所定の真空度に保持
されるようになっている。
【００１９】ウエハ搬入出室８の天井部にはＨＥＰＡフ
ィルタ（図示せず）が設けられており、このＨＥＰＡフ
ィルタを通過した清浄な空気がウエハ搬入出室８内にダ
ウンフロー状態で供給され、大気圧の清浄空気雰囲気で
ウエハＷの搬入出が行われるようになっている。ウエハ
搬入出室８のフープＦ取り付け用の３つのポート９，１
０，１１にはそれぞれシャッター（図示せず）が設けら
れており、これらポート９，１０，１１にウエハＷを収
容したまたは空のフープが直接取り付けられ、取り付け
られた際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ
ウエハ搬出入室８と連通するようになっている。また、
ウエハ搬入出室８の側面にはアライメントチャンバー１
５が設けられており、そこでウエハＷのアライメントが
行われる。
ィルタ（図示せず）が設けられており、このＨＥＰＡフ
ィルタを通過した清浄な空気がウエハ搬入出室８内にダ
ウンフロー状態で供給され、大気圧の清浄空気雰囲気で
ウエハＷの搬入出が行われるようになっている。ウエハ
搬入出室８のフープＦ取り付け用の３つのポート９，１
０，１１にはそれぞれシャッター（図示せず）が設けら
れており、これらポート９，１０，１１にウエハＷを収
容したまたは空のフープが直接取り付けられ、取り付け
られた際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ
ウエハ搬出入室８と連通するようになっている。また、
ウエハ搬入出室８の側面にはアライメントチャンバー１
５が設けられており、そこでウエハＷのアライメントが
行われる。
【００２０】ウエハ搬入出室８内には、フープＦに対す
るウエハＷの搬入出およびロードロック室６，７に対す
るウエハＷの搬入出を行うウエハ搬送装置１６が設けら
れている。このウエハ搬送装置１６は、多関節アーム構
造を有しており、フープＦの配列方向に沿ってレール１
８上を走行可能となっており、その先端のハンド１７上
にウエハＷを載せてその搬送を行う。
るウエハＷの搬入出およびロードロック室６，７に対す
るウエハＷの搬入出を行うウエハ搬送装置１６が設けら
れている。このウエハ搬送装置１６は、多関節アーム構
造を有しており、フープＦの配列方向に沿ってレール１
８上を走行可能となっており、その先端のハンド１７上
にウエハＷを載せてその搬送を行う。
【００２１】このような成膜システム１００において
は、まず、大気圧の清浄空気雰囲気に保持されたウエハ
搬入出室８内のウエハ搬送装置１６により、いずれかの
フープＦからウエハＷを一枚取り出してアライメントチ
ャンバー１５に搬入し、ウエハＷの位置合わせを行う。
次いで、ウエハＷをロードロック室６，７のいずれかに
搬入し、そのロードロック室内を真空引きした後、ウエ
ハ搬送室５内のウエハ搬送装置１２によりそのロードロ
ック室内のウエハＷを取り出し、ウエハＷをＴｉ成膜装
置１または２に装入してＴｉ膜の成膜を行い、Ｔｉ成膜
後のウエハＷを引き続きＴｉＮ成膜装置３または４に装
入してＴｉＮ膜の成膜を行う。その後成膜後のウエハＷ
をウエハ搬送装置１２によりロードロック室６，７のい
ずれかに搬入し、その中を大気圧に戻した後、ウエハ搬
入出室８内のウエハ搬送装置１６によりロードロック室
内のウエハＷを取り出し、フープＦのいずれかに収容さ
れる。このような動作を１ロットのウエハＷに対して行
い、１セットの処理が終了する。このような成膜処理に
より、図２に示すように、層間絶縁膜２１に形成され
た、不純物拡散領域２０ａに達するコンタクトホール２
２内にコンタクト層としてのＴｉ膜２３およびバリア層
としてのＴｉＮ膜２４が形成される。その後、他の装置
により、ＡｌやＷ等の成膜を行い、コンタクトホール２
２の埋め込みと配線層の形成を行う。
は、まず、大気圧の清浄空気雰囲気に保持されたウエハ
搬入出室８内のウエハ搬送装置１６により、いずれかの
フープＦからウエハＷを一枚取り出してアライメントチ
ャンバー１５に搬入し、ウエハＷの位置合わせを行う。
次いで、ウエハＷをロードロック室６，７のいずれかに
搬入し、そのロードロック室内を真空引きした後、ウエ
ハ搬送室５内のウエハ搬送装置１２によりそのロードロ
ック室内のウエハＷを取り出し、ウエハＷをＴｉ成膜装
置１または２に装入してＴｉ膜の成膜を行い、Ｔｉ成膜
後のウエハＷを引き続きＴｉＮ成膜装置３または４に装
入してＴｉＮ膜の成膜を行う。その後成膜後のウエハＷ
をウエハ搬送装置１２によりロードロック室６，７のい
ずれかに搬入し、その中を大気圧に戻した後、ウエハ搬
入出室８内のウエハ搬送装置１６によりロードロック室
内のウエハＷを取り出し、フープＦのいずれかに収容さ
れる。このような動作を１ロットのウエハＷに対して行
い、１セットの処理が終了する。このような成膜処理に
より、図２に示すように、層間絶縁膜２１に形成され
た、不純物拡散領域２０ａに達するコンタクトホール２
２内にコンタクト層としてのＴｉ膜２３およびバリア層
としてのＴｉＮ膜２４が形成される。その後、他の装置
により、ＡｌやＷ等の成膜を行い、コンタクトホール２
２の埋め込みと配線層の形成を行う。
【００２２】次に、本発明の一実施形態に係るＴｉＮ成
膜装置３について説明する。なお、上述したようにＴｉ
Ｎ成膜装置４も全く同一の構成を有する。また、このＴ
ｉＮ成膜装置でＴｉ膜を成膜することもできる。図３
は、ＴｉＮ成膜装置３を示す断面図である。このＴｉＮ
成膜装置３は、略円筒状のチャンバー３１を有してい
る。このチャンバー３１はアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金（例えばＪＩＳＡ５０５２）からなる基材の内
壁表面には、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれ
か、または、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、および
Ｍｇから選択された２以上の金属の合金からなる被覆層
３１ｃが形成されている。これらはハロゲン含有処理ガ
スと反応して、低蒸気圧金属化合物を形成する。この被
覆層３１ｃは、例えば、イオンプレーティング、めっ
き、溶射等で形成される。この被覆層３１ｃは純度が高
いほうが好ましいが、不可避的不純物や微量添加物は２
〜３％程度は許容される。特にめっき層を形成する場合
には、通常、微量の添加物が必要であるがその程度のも
のは許容される。上記２以上の金属の合金としては、Ｎ
ｉ−Ｃｒや、Ｍｇ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃｏ等が例示される。
膜装置３について説明する。なお、上述したようにＴｉ
Ｎ成膜装置４も全く同一の構成を有する。また、このＴ
ｉＮ成膜装置でＴｉ膜を成膜することもできる。図３
は、ＴｉＮ成膜装置３を示す断面図である。このＴｉＮ
成膜装置３は、略円筒状のチャンバー３１を有してい
る。このチャンバー３１はアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金（例えばＪＩＳＡ５０５２）からなる基材の内
壁表面には、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれ
か、または、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、および
Ｍｇから選択された２以上の金属の合金からなる被覆層
３１ｃが形成されている。これらはハロゲン含有処理ガ
スと反応して、低蒸気圧金属化合物を形成する。この被
覆層３１ｃは、例えば、イオンプレーティング、めっ
き、溶射等で形成される。この被覆層３１ｃは純度が高
いほうが好ましいが、不可避的不純物や微量添加物は２
〜３％程度は許容される。特にめっき層を形成する場合
には、通常、微量の添加物が必要であるがその程度のも
のは許容される。上記２以上の金属の合金としては、Ｎ
ｉ−Ｃｒや、Ｍｇ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃｏ等が例示される。
【００２３】チャンバー３１の内部には、被処理体であ
るウエハＷを水平に支持するためのサセプタ３２がその
中央下部に設けられた円筒状の支持部材３３により支持
された状態で配置されている。サセプタ３２の外縁部に
はウエハＷをガイドするためのガイドリング３４が設け
られている。また、サセプタ３２にはヒーター３５が埋
め込まれており、このヒーター３５はヒーター電源３６
から給電されることにより被処理基板であるウエハＷを
所定の温度に加熱する。図示しないが、サセプタ３２の
表面近傍には電極が埋設されており、プラズマ処理する
際にプラズマの安定性を維持するために用いられる。た
だし、その電極は、特にこのチャンバー内でＴｉ膜を形
成するときに主に用いられる。なお、サセプタ３２はセ
ラミックス例えばＡｌＮで構成することができ、この場
合には、セラミックスヒーターが構成される。
るウエハＷを水平に支持するためのサセプタ３２がその
中央下部に設けられた円筒状の支持部材３３により支持
された状態で配置されている。サセプタ３２の外縁部に
はウエハＷをガイドするためのガイドリング３４が設け
られている。また、サセプタ３２にはヒーター３５が埋
め込まれており、このヒーター３５はヒーター電源３６
から給電されることにより被処理基板であるウエハＷを
所定の温度に加熱する。図示しないが、サセプタ３２の
表面近傍には電極が埋設されており、プラズマ処理する
際にプラズマの安定性を維持するために用いられる。た
だし、その電極は、特にこのチャンバー内でＴｉ膜を形
成するときに主に用いられる。なお、サセプタ３２はセ
ラミックス例えばＡｌＮで構成することができ、この場
合には、セラミックスヒーターが構成される。
【００２４】チャンバー３１の天壁３１ａには、絶縁部
材３９を介してシャワーヘッド４０が設けられている。
このシャワーヘッド４０は、上段ブロック体４０ａ、中
段ブロック体４０ｂ、下段ブロック体４０ｃで構成され
ている。シャワーヘッド４０はアルミニウムからなり、
そのチャンバー３１内に露出した部分の表面は、前述し
た内壁層３１ｃ同様の材料からなる被覆層４０ｄによっ
て被覆されている。そして、下段ブロック体４０ｃには
ガスを吐出する吐出孔４７と４８とが交互に形成されて
いる。上段ブロック体４０ａの上面には、第１のガス導
入口４１と、第２のガス導入口４２とが形成されてい
る。上段ブロック体４０ａの中では、第１のガス導入口
４１から多数のガス通路４３が分岐している。中段ブロ
ック体４０ｂにはガス通路４５が形成されており、上記
ガス通路４３が水平に延びる連通路４３ａを介してこれ
らガス通路４５に連通している。さらにこのガス通路４
５が下段ブロック体４０ｃの吐出孔４７に連通してい
る。また、上段ブロック体４０ａの中では、第２のガス
導入口４２から多数のガス通路４４が分岐している。中
段ブロック体４０ｂにはガス通路４６が形成されてお
り、上記ガス通路４４がこれらガス通路４６に連通して
いる。さらにこのガス通路４６が中段ブロック体４０ｂ
内に水平に延びる連通路４６ａに接続されており、この
連通路４６ａが下段ブロック体４０ｃの多数の吐出孔４
８に連通している。そして、上記第１および第２のガス
導入口４１，４２は、ガス供給機構５０のガスラインに
接続されている。
材３９を介してシャワーヘッド４０が設けられている。
このシャワーヘッド４０は、上段ブロック体４０ａ、中
段ブロック体４０ｂ、下段ブロック体４０ｃで構成され
ている。シャワーヘッド４０はアルミニウムからなり、
そのチャンバー３１内に露出した部分の表面は、前述し
た内壁層３１ｃ同様の材料からなる被覆層４０ｄによっ
て被覆されている。そして、下段ブロック体４０ｃには
ガスを吐出する吐出孔４７と４８とが交互に形成されて
いる。上段ブロック体４０ａの上面には、第１のガス導
入口４１と、第２のガス導入口４２とが形成されてい
る。上段ブロック体４０ａの中では、第１のガス導入口
４１から多数のガス通路４３が分岐している。中段ブロ
ック体４０ｂにはガス通路４５が形成されており、上記
ガス通路４３が水平に延びる連通路４３ａを介してこれ
らガス通路４５に連通している。さらにこのガス通路４
５が下段ブロック体４０ｃの吐出孔４７に連通してい
る。また、上段ブロック体４０ａの中では、第２のガス
導入口４２から多数のガス通路４４が分岐している。中
段ブロック体４０ｂにはガス通路４６が形成されてお
り、上記ガス通路４４がこれらガス通路４６に連通して
いる。さらにこのガス通路４６が中段ブロック体４０ｂ
内に水平に延びる連通路４６ａに接続されており、この
連通路４６ａが下段ブロック体４０ｃの多数の吐出孔４
８に連通している。そして、上記第１および第２のガス
導入口４１，４２は、ガス供給機構５０のガスラインに
接続されている。
【００２５】ガス供給機構５０は、クリーニングガスで
あるＣｌＦ３ガスを供給するＣｌＦ ３ガス供給源５１、
Ｔｉ含有ガスであるＴｉＣｌ４ガスを供給するＴｉＣｌ
４ガス供給源５２、Ｎ２ガスを供給する第１のＮ２ガス
供給源５３および第２のＮ２ガス供給源５５、ＮＨ３ガ
スを供給するＮＨ３ガス供給源５４を有している。そし
て、ＣｌＦ３ガス供給源５１にはＣｌＦ３ガス供給ライ
ン５６が、ＴｉＣｌ４ガス供給源５２にはＴｉＣｌ４ガ
ス供給ライン５７が、第１のＮ２ガス供給源５３には第
１のＮ２ガス供給ライン５８が、ＮＨ３ガス供給源５４
にはＮＨ３ガス供給ライン５９が、第２のＮ２ガス供給
源５３には第２のＮ２ガス供給ライン６０がそれぞれ接
続されている。そして、各ガス供給ラインにはマスフロ
ーコントローラ６２およびマスフローコントローラ６２
を挟んで２つのバルブ６１が設けられている。前記第１
のガス導入口４１にはＴｉＣｌ４ガス供給源５２から延
びるＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７が接続されており、
このＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７にはＣｌＦ３ガス供
給源５１から延びるＣｌＦ３ガス供給ライン５６および
第１のＮ２ガス供給源５３から延びる第１のＮ２ガス供
給ライン５８が接続されている。また、前記第２のガス
導入口４２にはＮＨ３ガス供給源５４から延びるＮＨ３
ガス供給ライン５９が接続されており、このＮＨ３ガス
供給ライン５９には第２のＮ２ガス供給源５５から延び
る第２のＮ２ガス供給ライン６０が接続されている。し
たがって、プロセス時には、ＴｉＣｌ４ガス供給源５２
からのＴｉＣｌ４ガスが第１のＮ２ガス供給源５３から
のＮ２ガスとともにＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７を介
してシャワーヘッド４０の第１のガス導入口４１からシ
ャワーヘッド４０内に至り、ガス通路４３，４５を経て
吐出孔４７からチャンバー３１内へ吐出される一方、Ｎ
Ｈ３ガス供給源５４からのＮＨ３ガスが第２のＮ ２ガス
供給源５５からのＮ２ガスとともにＮＨ３ガス供給ガス
ライン５９を介してシャワーヘッド４０の第２のガス導
入口４２からシャワーヘッド４０内に至り、ガス通路４
４，４６を経て吐出孔４８からチャンバー３１内へ吐出
される。すなわち、シャワーヘッド４０は、ＴｉＣｌ４
ガスとＮＨ３ガスとが全く独立してチャンバー３１内に
供給されるマトリックスタイプとなっており、これらは
吐出後に混合され反応が生じる。
あるＣｌＦ３ガスを供給するＣｌＦ ３ガス供給源５１、
Ｔｉ含有ガスであるＴｉＣｌ４ガスを供給するＴｉＣｌ
４ガス供給源５２、Ｎ２ガスを供給する第１のＮ２ガス
供給源５３および第２のＮ２ガス供給源５５、ＮＨ３ガ
スを供給するＮＨ３ガス供給源５４を有している。そし
て、ＣｌＦ３ガス供給源５１にはＣｌＦ３ガス供給ライ
ン５６が、ＴｉＣｌ４ガス供給源５２にはＴｉＣｌ４ガ
ス供給ライン５７が、第１のＮ２ガス供給源５３には第
１のＮ２ガス供給ライン５８が、ＮＨ３ガス供給源５４
にはＮＨ３ガス供給ライン５９が、第２のＮ２ガス供給
源５３には第２のＮ２ガス供給ライン６０がそれぞれ接
続されている。そして、各ガス供給ラインにはマスフロ
ーコントローラ６２およびマスフローコントローラ６２
を挟んで２つのバルブ６１が設けられている。前記第１
のガス導入口４１にはＴｉＣｌ４ガス供給源５２から延
びるＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７が接続されており、
このＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７にはＣｌＦ３ガス供
給源５１から延びるＣｌＦ３ガス供給ライン５６および
第１のＮ２ガス供給源５３から延びる第１のＮ２ガス供
給ライン５８が接続されている。また、前記第２のガス
導入口４２にはＮＨ３ガス供給源５４から延びるＮＨ３
ガス供給ライン５９が接続されており、このＮＨ３ガス
供給ライン５９には第２のＮ２ガス供給源５５から延び
る第２のＮ２ガス供給ライン６０が接続されている。し
たがって、プロセス時には、ＴｉＣｌ４ガス供給源５２
からのＴｉＣｌ４ガスが第１のＮ２ガス供給源５３から
のＮ２ガスとともにＴｉＣｌ４ガス供給ライン５７を介
してシャワーヘッド４０の第１のガス導入口４１からシ
ャワーヘッド４０内に至り、ガス通路４３，４５を経て
吐出孔４７からチャンバー３１内へ吐出される一方、Ｎ
Ｈ３ガス供給源５４からのＮＨ３ガスが第２のＮ ２ガス
供給源５５からのＮ２ガスとともにＮＨ３ガス供給ガス
ライン５９を介してシャワーヘッド４０の第２のガス導
入口４２からシャワーヘッド４０内に至り、ガス通路４
４，４６を経て吐出孔４８からチャンバー３１内へ吐出
される。すなわち、シャワーヘッド４０は、ＴｉＣｌ４
ガスとＮＨ３ガスとが全く独立してチャンバー３１内に
供給されるマトリックスタイプとなっており、これらは
吐出後に混合され反応が生じる。
【００２６】シャワーヘッド４０には、整合器６３を介
して高周波電源６４が接続されており、必要に応じてこ
の高周波電源６４からシャワーヘッド４０に高周波電力
が供給されるようになっている。通常はこの高周波電源
６４は必要ないが、成膜反応の反応性を高めて成膜する
場合、特にＴｉ膜を成膜する場合には、高周波電源６４
から高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド
４０を介してチャンバー３１内に供給されたガスをプラ
ズマ化して成膜することも可能である。
して高周波電源６４が接続されており、必要に応じてこ
の高周波電源６４からシャワーヘッド４０に高周波電力
が供給されるようになっている。通常はこの高周波電源
６４は必要ないが、成膜反応の反応性を高めて成膜する
場合、特にＴｉ膜を成膜する場合には、高周波電源６４
から高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド
４０を介してチャンバー３１内に供給されたガスをプラ
ズマ化して成膜することも可能である。
【００２７】チャンバー３１の底壁３１ｂの中央部には
円形の穴６５が形成されており、底壁３１ｂにはこの穴
６５を覆うように下方に向けて突出する排気室６６が設
けられている。この排気室６６の内側は、前述した内壁
層３１ｃ同様の材料からなる被覆層６６ａによって被覆
されている。排気室６６の側面には排気管が６７が接続
されており、この排気管６７には排気装置６８が接続さ
れている。そしてこの排気装置６８を作動させることに
よりチャンバー３１内を所定の真空度まで減圧すること
が可能となっている。
円形の穴６５が形成されており、底壁３１ｂにはこの穴
６５を覆うように下方に向けて突出する排気室６６が設
けられている。この排気室６６の内側は、前述した内壁
層３１ｃ同様の材料からなる被覆層６６ａによって被覆
されている。排気室６６の側面には排気管が６７が接続
されており、この排気管６７には排気装置６８が接続さ
れている。そしてこの排気装置６８を作動させることに
よりチャンバー３１内を所定の真空度まで減圧すること
が可能となっている。
【００２８】サセプタ３２には、ウエハＷを支持して昇
降させるための３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン
６９がサセプタ３２の表面に対して突没可能に設けら
れ、これらウエハ支持ピン６９は支持板７０に固定され
ている。そして、ウエハ支持ピン６９は、エアシリンダ
等の駆動機構７１により支持板７０を介して昇降され
る。
降させるための３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン
６９がサセプタ３２の表面に対して突没可能に設けら
れ、これらウエハ支持ピン６９は支持板７０に固定され
ている。そして、ウエハ支持ピン６９は、エアシリンダ
等の駆動機構７１により支持板７０を介して昇降され
る。
【００２９】チャンバー３１の側壁には、ウエハ搬送室
５との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口７２
と、この搬入出口７２を開閉するゲートバルブ７３とが
設けられている。
５との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口７２
と、この搬入出口７２を開閉するゲートバルブ７３とが
設けられている。
【００３０】次に、このようなＴｉＮ成膜装置３により
ＴｉＮ膜を成膜するプロセスについて説明する。まず、
チャンバー３１内にウエハＷが存在しない状態で、排気
装置６８によりチャンバー３１内を引き切り状態とし、
第１および第２のＮ２ガス供給源５３および５５からＮ
２ガスをシャワーヘッド４０を介してチャンバー３１内
に導入しつつ、ヒーター３５によりチャンバー３１内を
予備加熱する。温度が安定した時点で、第１のＮ２ガス
供給源５３、ＮＨ３ガス供給源５４およびＴｉＣｌ４ガ
ス供給源５２からそれぞれＮ２ガス、ＮＨ３ガスおよび
ＴｉＣｌ４ガスをシャワーヘッド４０を介して所定流量
で導入し、チャンバー内圧力を所定値に維持しつつプリ
フローを行う。そして、ガス流量および圧力を同じに保
ったまま、ヒーター３５による加熱によりチャンバー３
１内壁、排気室６６内壁およびシャワーヘッド４０等の
チャンバー内部材表面にＴｉＮ膜をプリコートする。
ＴｉＮ膜を成膜するプロセスについて説明する。まず、
チャンバー３１内にウエハＷが存在しない状態で、排気
装置６８によりチャンバー３１内を引き切り状態とし、
第１および第２のＮ２ガス供給源５３および５５からＮ
２ガスをシャワーヘッド４０を介してチャンバー３１内
に導入しつつ、ヒーター３５によりチャンバー３１内を
予備加熱する。温度が安定した時点で、第１のＮ２ガス
供給源５３、ＮＨ３ガス供給源５４およびＴｉＣｌ４ガ
ス供給源５２からそれぞれＮ２ガス、ＮＨ３ガスおよび
ＴｉＣｌ４ガスをシャワーヘッド４０を介して所定流量
で導入し、チャンバー内圧力を所定値に維持しつつプリ
フローを行う。そして、ガス流量および圧力を同じに保
ったまま、ヒーター３５による加熱によりチャンバー３
１内壁、排気室６６内壁およびシャワーヘッド４０等の
チャンバー内部材表面にＴｉＮ膜をプリコートする。
【００３１】プリコート処理が終了後、ＮＨ３ガスおよ
びＴｉＣｌ４ガスを停止し、第１および第２のＮ２ガス
供給源５３および５５からＮ２ガスをパージガスとして
チャンバー３１内に供給してチャンバー３１内のパージ
を行い、その後、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを流し、成
膜したＴｉＮ薄膜の表面のナイトライド処理を行う。こ
の際のＮ２ガスの供給は、第１および第２のＮ２ガス供
給源５３および５５のいずれかから供給してもよいし、
これらの両方から供給してもよい。なお、このナイトラ
イド処理は、必要に応じて行われる。
びＴｉＣｌ４ガスを停止し、第１および第２のＮ２ガス
供給源５３および５５からＮ２ガスをパージガスとして
チャンバー３１内に供給してチャンバー３１内のパージ
を行い、その後、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを流し、成
膜したＴｉＮ薄膜の表面のナイトライド処理を行う。こ
の際のＮ２ガスの供給は、第１および第２のＮ２ガス供
給源５３および５５のいずれかから供給してもよいし、
これらの両方から供給してもよい。なお、このナイトラ
イド処理は、必要に応じて行われる。
【００３２】その後、排気装置６８によりチャンバー３
１内を急激に真空排気して引き切り状態とし、ゲートバ
ルブ７３を開にして、真空状態のウエハ搬送室５からウ
エハ搬送装置１２により搬入出口７２を介してウエハＷ
をチャンバー３１内へ搬入する。そして、チャンバー３
１内にＮ２ガスを供給してウエハＷを予備加熱する。ウ
エハの温度がほぼ安定した時点で、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガ
スおよびＴｉＣｌ４ガスをシャワーヘッド４０を介して
所定流量で導入し、チャンバー内圧力を所定値に維持し
つつプリフローを行う。そして、ガス流量および圧力を
同じに保ったまま、ヒーター３５によるウエハＷの加熱
によりウエハＷにＴｉＮ膜を成膜する。この成膜工程に
おいては５〜１００ｎｍの範囲のＴｉＮ膜が成膜され
る。膜厚は成膜時間に比例するから、成膜時間は所望の
膜厚に応じて適宜設定される。つまり成膜の際の膜厚
は、上記５〜１００ｎｍの範囲において成膜時間で調整
することができる。例えば、膜厚を２０ｎｍにする場合
には３５秒間実施される。この際の基板の加熱温度は４
００〜７００℃程度、好ましくは６００℃程度である。
この成膜の際には、必ずしも高周波電源６４から高周波
電力を供給してガスをプラズマ化する必要はないが、反
応性を高めるために高周波電力によりガスをプラズマ化
してもよい。この場合に、４５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚ、
好ましくは４５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの周波数
で、２００〜１０００Ｗ、好ましくは２００〜５００Ｗ
の高周波電力を供給する。このようにプラズマを形成す
る場合には、ガスの反応性が高いのでウエハＷの温度は
３００〜７００℃、好ましくは４００〜６００℃程度で
ある。
１内を急激に真空排気して引き切り状態とし、ゲートバ
ルブ７３を開にして、真空状態のウエハ搬送室５からウ
エハ搬送装置１２により搬入出口７２を介してウエハＷ
をチャンバー３１内へ搬入する。そして、チャンバー３
１内にＮ２ガスを供給してウエハＷを予備加熱する。ウ
エハの温度がほぼ安定した時点で、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガ
スおよびＴｉＣｌ４ガスをシャワーヘッド４０を介して
所定流量で導入し、チャンバー内圧力を所定値に維持し
つつプリフローを行う。そして、ガス流量および圧力を
同じに保ったまま、ヒーター３５によるウエハＷの加熱
によりウエハＷにＴｉＮ膜を成膜する。この成膜工程に
おいては５〜１００ｎｍの範囲のＴｉＮ膜が成膜され
る。膜厚は成膜時間に比例するから、成膜時間は所望の
膜厚に応じて適宜設定される。つまり成膜の際の膜厚
は、上記５〜１００ｎｍの範囲において成膜時間で調整
することができる。例えば、膜厚を２０ｎｍにする場合
には３５秒間実施される。この際の基板の加熱温度は４
００〜７００℃程度、好ましくは６００℃程度である。
この成膜の際には、必ずしも高周波電源６４から高周波
電力を供給してガスをプラズマ化する必要はないが、反
応性を高めるために高周波電力によりガスをプラズマ化
してもよい。この場合に、４５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚ、
好ましくは４５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの周波数
で、２００〜１０００Ｗ、好ましくは２００〜５００Ｗ
の高周波電力を供給する。このようにプラズマを形成す
る場合には、ガスの反応性が高いのでウエハＷの温度は
３００〜７００℃、好ましくは４００〜６００℃程度で
ある。
【００３３】成膜工程終了後、ＮＨ３ガスおよびＴｉＣ
ｌ４ガスを停止し、Ｎ２ガス供給源５３，５５からＮ２
ガスをパージガスとして好ましくはそれぞれ１〜１０Ｌ
／ｍｉｎの流量で流して、チャンバー３１内のパージを
行い、その後、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを流し、ウエ
ハＷに成膜したＴｉＮ薄膜の表面のナイトライド処理を
行う。この際のＮ２ガスの供給は、第１および第２のＮ
２ガス供給源５３および５５のいずれかから供給しても
よいし、これらの両方から供給してもよい。なお、この
ナイトライド処理は、必要に応じて行われる。
ｌ４ガスを停止し、Ｎ２ガス供給源５３，５５からＮ２
ガスをパージガスとして好ましくはそれぞれ１〜１０Ｌ
／ｍｉｎの流量で流して、チャンバー３１内のパージを
行い、その後、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを流し、ウエ
ハＷに成膜したＴｉＮ薄膜の表面のナイトライド処理を
行う。この際のＮ２ガスの供給は、第１および第２のＮ
２ガス供給源５３および５５のいずれかから供給しても
よいし、これらの両方から供給してもよい。なお、この
ナイトライド処理は、必要に応じて行われる。
【００３４】所定時間経過後、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガ
スを徐々に停止し、これらのガスの供給が完全に停止さ
れた時点で成膜プロセスを終了する。
スを徐々に停止し、これらのガスの供給が完全に停止さ
れた時点で成膜プロセスを終了する。
【００３５】その後、ゲートバルブ７３を開いてウエハ
搬送装置１２のブレード１４ａまたは１４ｂをチャンバ
ー３１内に挿入し、ウエハＷをブレード１４ａまたは１
４ｂ上に載せ、ウエハ搬送室５へ搬出する。
搬送装置１２のブレード１４ａまたは１４ｂをチャンバ
ー３１内に挿入し、ウエハＷをブレード１４ａまたは１
４ｂ上に載せ、ウエハ搬送室５へ搬出する。
【００３６】このようにして所定枚数、例えば２５枚成
膜後、チャンバー３１内の温度を３００℃程度に低下さ
せて、ＣｌＦ３ガス供給源５１からＣｌＦ３ガスをチャ
ンバー３１内供給することによりクリーニング処理が行
われる。
膜後、チャンバー３１内の温度を３００℃程度に低下さ
せて、ＣｌＦ３ガス供給源５１からＣｌＦ３ガスをチャ
ンバー３１内供給することによりクリーニング処理が行
われる。
【００３７】このような成膜処理においては、ＴｉＣｌ
４とＮＨ３とを反応させてチャンバー３１の内壁、シャ
ワーヘッド４０等のチャンバー内部材表面、および排気
室６６の内壁にＴｉＮのプリコート処理を行い、その後
同様にＴｉＣｌ４とＮＨ３とを反応させてウエハＷ上に
ＴｉＮ膜の成膜を行うが、このＴｉＮ生成反応の副生成
物としてＨＣｌがチャンバー３１内に生成する。従来の
プロセスでは、このＨＣｌと、チャンバー３１やシャワ
ーヘッド４０を構成するＡｌ材やステンレス鋼材に含ま
れるＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ等の金属元素とが反応して高蒸気
圧金属化合物であるＡｌＣｌ３、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ
２、ＦｅＣｌ３等の金属塩化物が生成し、これらの物質
がウエハＷの成膜処理中に気化してチャンバー内に拡散
することにより膜中に取り込まれてメタルコンタミネー
ションが多く発生していた。また、同様に、ＣｌＦ３に
よるクリーニング時に金属フッ化物が生成してメタルコ
ンタミネーションの原因となっていたとも考えられる。
４とＮＨ３とを反応させてチャンバー３１の内壁、シャ
ワーヘッド４０等のチャンバー内部材表面、および排気
室６６の内壁にＴｉＮのプリコート処理を行い、その後
同様にＴｉＣｌ４とＮＨ３とを反応させてウエハＷ上に
ＴｉＮ膜の成膜を行うが、このＴｉＮ生成反応の副生成
物としてＨＣｌがチャンバー３１内に生成する。従来の
プロセスでは、このＨＣｌと、チャンバー３１やシャワ
ーヘッド４０を構成するＡｌ材やステンレス鋼材に含ま
れるＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ等の金属元素とが反応して高蒸気
圧金属化合物であるＡｌＣｌ３、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ
２、ＦｅＣｌ３等の金属塩化物が生成し、これらの物質
がウエハＷの成膜処理中に気化してチャンバー内に拡散
することにより膜中に取り込まれてメタルコンタミネー
ションが多く発生していた。また、同様に、ＣｌＦ３に
よるクリーニング時に金属フッ化物が生成してメタルコ
ンタミネーションの原因となっていたとも考えられる。
【００３８】これに対して本実施形態では、チャンバー
３１の内壁、シャワーヘッド４０のチャンバー３１内に
露出した部分、および排気室６６の内壁が上述したよう
に低蒸気圧金属化合物が形成される金属材で構成された
被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａで被覆されているので、
プリコート処理、成膜処理、クリーニング処理の際に
は、これら被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａに上述のＨＣ
ｌやＣｌＦ３ガスのようなハロゲン含有ガスが接触し、
それを構成する金属の低蒸気圧のハロゲン化物を生成す
る。
３１の内壁、シャワーヘッド４０のチャンバー３１内に
露出した部分、および排気室６６の内壁が上述したよう
に低蒸気圧金属化合物が形成される金属材で構成された
被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａで被覆されているので、
プリコート処理、成膜処理、クリーニング処理の際に
は、これら被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａに上述のＨＣ
ｌやＣｌＦ３ガスのようなハロゲン含有ガスが接触し、
それを構成する金属の低蒸気圧のハロゲン化物を生成す
る。
【００３９】被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａが実質的に
Ｃｒからなる場合には、被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａ
表面に、プリコート時や成膜時には主にＣｒＣｌ２やＣ
ｒＣｌ３が生成し、クリーニング時には主にＣｒＦ２や
ＣｒＦ３が生成する。被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａが
実質的にＮｉからなる場合には、被覆層３１ｃ，４０
ｄ，６６ａ表面に、プリコート時や成膜時には主にＮｉ
Ｃｌ２が生成し、クリーニング時には主にＮｉＦ２が生
成する。被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａが実質的にＣｏ
からなる場合には、それらの表面に主にＣｏＣｌ２，Ｃ
ｏＦ２が生成し、実質的にＭｎからなる場合には、主に
ＭｎＣｌ２，ＭｎＦ２が生成する。
Ｃｒからなる場合には、被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａ
表面に、プリコート時や成膜時には主にＣｒＣｌ２やＣ
ｒＣｌ３が生成し、クリーニング時には主にＣｒＦ２や
ＣｒＦ３が生成する。被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａが
実質的にＮｉからなる場合には、被覆層３１ｃ，４０
ｄ，６６ａ表面に、プリコート時や成膜時には主にＮｉ
Ｃｌ２が生成し、クリーニング時には主にＮｉＦ２が生
成する。被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａが実質的にＣｏ
からなる場合には、それらの表面に主にＣｏＣｌ２，Ｃ
ｏＦ２が生成し、実質的にＭｎからなる場合には、主に
ＭｎＣｌ２，ＭｎＦ２が生成する。
【００４０】図４は、種々の金属塩化物について、横軸
に温度をとり、縦軸にその温度における蒸気圧をとって
示したグラフであり、図５は、種々の金属フッ化物につ
いて、横軸に温度をとり、縦軸にその温度における蒸気
圧をとって示したグラフである。これらの図に示すよう
に、上記ＣｒＣｌ２，ＣｒＣｌ３，ＮｉＣｌ２，ＣｏＣ
ｌ２，ＭｎＣｌ２は、いずれも従来から生成しているＡ
ｌＣｌ３，ＣｕＣｌ２，ＦｅＣｌ２，ＦｅＣｌ３よりも
蒸気圧が低く、また、上記ＣｒＦ２，ＣｒＦ３，ＮｉＦ
２，ＣｏＦ２，ＭｎＦ２は、いずれも従来から生成して
いるＡｌＦ３，ＣｕＦ２、ＦｅＦ２，ＦｅＦ３よりも蒸
気圧が低い傾向にあり、いずれも蒸発しにくい性質を有
している。
に温度をとり、縦軸にその温度における蒸気圧をとって
示したグラフであり、図５は、種々の金属フッ化物につ
いて、横軸に温度をとり、縦軸にその温度における蒸気
圧をとって示したグラフである。これらの図に示すよう
に、上記ＣｒＣｌ２，ＣｒＣｌ３，ＮｉＣｌ２，ＣｏＣ
ｌ２，ＭｎＣｌ２は、いずれも従来から生成しているＡ
ｌＣｌ３，ＣｕＣｌ２，ＦｅＣｌ２，ＦｅＣｌ３よりも
蒸気圧が低く、また、上記ＣｒＦ２，ＣｒＦ３，ＮｉＦ
２，ＣｏＦ２，ＭｎＦ２は、いずれも従来から生成して
いるＡｌＦ３，ＣｕＦ２、ＦｅＦ２，ＦｅＦ３よりも蒸
気圧が低い傾向にあり、いずれも蒸発しにくい性質を有
している。
【００４１】したがって、チャンバー３１の内壁、シャ
ワーヘッド４０のチャンバー３１内に露出した部分、お
よび排気室６６の内壁を、このようにハロゲン含有ガス
と接して低蒸気圧化合物を形成可能な上記金属から実質
的になる被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａで構成すること
により、これらにハロゲン含有ガスが接触して形成され
た金属ハロゲン化合物は蒸発し難く、それがチャンバー
内に拡散してメタルコンタミネーションになることが抑
制され、メタルコンタミネーションの低減を図ることが
できる。
ワーヘッド４０のチャンバー３１内に露出した部分、お
よび排気室６６の内壁を、このようにハロゲン含有ガス
と接して低蒸気圧化合物を形成可能な上記金属から実質
的になる被覆層３１ｃ，４０ｄ，６６ａで構成すること
により、これらにハロゲン含有ガスが接触して形成され
た金属ハロゲン化合物は蒸発し難く、それがチャンバー
内に拡散してメタルコンタミネーションになることが抑
制され、メタルコンタミネーションの低減を図ることが
できる。
【００４２】本発明においてメタルコンタミネーション
が低減される機構は上述の通りであるから、被覆層３１
ｃ，４０ｄ，６６ａの構成材料を実質的にＣｒ，Ｎｉ，
Ｃｏ，ＭｎおよびＮｉのうち２以上からなる合金として
もよい。一方、図４および図５から明らかなように、Ｍ
ｇＣｌ２やＭｇＦ２の蒸気圧が極めて低く、被覆層３０
ｃ，４０ｄ，６６ａを構成する金属としてＭｇも有望で
あるが、金属Ｍｇは極めて酸化しやすいためＭｇ単体で
使用することは困難である。したがって、上記Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，ＭｎおよびＮｉにＭｇを加え、実質的にこれ
らのうち２以上からなる合金を用いることができる。
が低減される機構は上述の通りであるから、被覆層３１
ｃ，４０ｄ，６６ａの構成材料を実質的にＣｒ，Ｎｉ，
Ｃｏ，ＭｎおよびＮｉのうち２以上からなる合金として
もよい。一方、図４および図５から明らかなように、Ｍ
ｇＣｌ２やＭｇＦ２の蒸気圧が極めて低く、被覆層３０
ｃ，４０ｄ，６６ａを構成する金属としてＭｇも有望で
あるが、金属Ｍｇは極めて酸化しやすいためＭｇ単体で
使用することは困難である。したがって、上記Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，ＭｎおよびＮｉにＭｇを加え、実質的にこれ
らのうち２以上からなる合金を用いることができる。
【００４３】次に、本発明の効果を確認した実験につい
て説明する。まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）上
にＣｏ−Ｐめっきを厚さ２０μｍを施したテストピース
およびＣｒめっきを厚さ２０μｍで施したテストピース
（いずれもサイズが３０×６０×５ｍｍ）を図６に示す
ような評価装置に組み込んで、ＨＣｌ：０．１Ｌ／ｍｉ
ｎ、Ｎ２：０．２Ｌ／ｍｉｎの流量で試験装置の頂上か
ら石英チャンバー内に流し、チャンバー内圧力：１３
３．３Ｐａ、テストピース付近の温度：２４０℃に設定
し、上記ガスの暴露時間を２０分間とし、チャンバー内
に水平に設置されているＳｉウエハ表面の吸着成分をＩ
ＣＰ−ＭＳにて分析した。また、比較のため、被覆層を
設けないテストピースについても同様の試験を行った。
その際のＦｅとＣｕの吸着量を図７に示す。図７に示す
ように、被覆層を形成することにより、コンタミネーシ
ョンの低減が見られた。
て説明する。まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）上
にＣｏ−Ｐめっきを厚さ２０μｍを施したテストピース
およびＣｒめっきを厚さ２０μｍで施したテストピース
（いずれもサイズが３０×６０×５ｍｍ）を図６に示す
ような評価装置に組み込んで、ＨＣｌ：０．１Ｌ／ｍｉ
ｎ、Ｎ２：０．２Ｌ／ｍｉｎの流量で試験装置の頂上か
ら石英チャンバー内に流し、チャンバー内圧力：１３
３．３Ｐａ、テストピース付近の温度：２４０℃に設定
し、上記ガスの暴露時間を２０分間とし、チャンバー内
に水平に設置されているＳｉウエハ表面の吸着成分をＩ
ＣＰ−ＭＳにて分析した。また、比較のため、被覆層を
設けないテストピースについても同様の試験を行った。
その際のＦｅとＣｕの吸着量を図７に示す。図７に示す
ように、被覆層を形成することにより、コンタミネーシ
ョンの低減が見られた。
【００４４】次いで、実際に、チャンバー内露出部分の
表面にそれぞれＮｉ−Ｐめっき層、Ｃｏ−Ｐめっき層、
Ｃｒめっき層を厚さ２０μｍで施したシャワーヘッド
（基材はアルミニウム合金（Ａｌ５０５２））を図３の
ように取り付け、ＴｉＮ膜を成膜した。比較のため、め
っき層を形成しないシャワーヘッドも同様に取り付けて
ＴｉＮ膜を成膜した。いずれのシャワーヘッドを用いた
ものも、クリーニング、プリコート直後の２枚目に成膜
されたウエハのＴｉＮ膜に含まれる金属元素をＩＣＰ−
ＭＳにて分析した。その際のＦｅとＡｌの量を図８に示
す。図８に示すように、めっき層を形成したものは、め
っき層を形成しない比較のものよりもコンタミネーショ
ンが低いことが確認された。
表面にそれぞれＮｉ−Ｐめっき層、Ｃｏ−Ｐめっき層、
Ｃｒめっき層を厚さ２０μｍで施したシャワーヘッド
（基材はアルミニウム合金（Ａｌ５０５２））を図３の
ように取り付け、ＴｉＮ膜を成膜した。比較のため、め
っき層を形成しないシャワーヘッドも同様に取り付けて
ＴｉＮ膜を成膜した。いずれのシャワーヘッドを用いた
ものも、クリーニング、プリコート直後の２枚目に成膜
されたウエハのＴｉＮ膜に含まれる金属元素をＩＣＰ−
ＭＳにて分析した。その際のＦｅとＡｌの量を図８に示
す。図８に示すように、めっき層を形成したものは、め
っき層を形成しない比較のものよりもコンタミネーショ
ンが低いことが確認された。
【００４５】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の
形態ではＴｉＮ膜を成膜する場合について示したが、本
発明はこれに限らず、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ等の他の材料の膜
を形成する場合にも有効である。また、上記実施の形態
ではチャンバー内壁およびシャワーヘッドに本発明を適
用した場合について示したが、これらのいずれかでもよ
く、またはチャンバー内の他の部材に適用することも可
能である。また、上記実施形態では、チャンバーやシャ
ワーヘッドに被覆層を形成したが、チャンバーやシャワ
ーヘッド自体をＣｒ、Ｎｉ等で構成するようにしてもよ
い。さらにまた、上記実施の形態ではガス処理装置とし
てＣＶＤ装置について示したが、本発明は、エッチング
装置やアッシング装置等の他のガス処理装置に適用する
ことも可能である。さらにまた、被処理基板としては、
半導体ウエハに限らず例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）用
基板等の他のものであってもよい。
れることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の
形態ではＴｉＮ膜を成膜する場合について示したが、本
発明はこれに限らず、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ等の他の材料の膜
を形成する場合にも有効である。また、上記実施の形態
ではチャンバー内壁およびシャワーヘッドに本発明を適
用した場合について示したが、これらのいずれかでもよ
く、またはチャンバー内の他の部材に適用することも可
能である。また、上記実施形態では、チャンバーやシャ
ワーヘッドに被覆層を形成したが、チャンバーやシャワ
ーヘッド自体をＣｒ、Ｎｉ等で構成するようにしてもよ
い。さらにまた、上記実施の形態ではガス処理装置とし
てＣＶＤ装置について示したが、本発明は、エッチング
装置やアッシング装置等の他のガス処理装置に適用する
ことも可能である。さらにまた、被処理基板としては、
半導体ウエハに限らず例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）用
基板等の他のものであってもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チャンバーおよびチャンバー内部材の少なくとも１つの
うち、少なくとも処理ガスと接触する部分を実質的にハ
ロゲン化物の蒸気圧がＦｅやＡｌよりも低いＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属、または、実質的にＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎとやはり蒸気圧が低いＭｇとのう
ち２以上の金属からなる合金で構成することにより、ハ
ロゲン化物が蒸発し難いものとなり、それがチャンバー
内に拡散してメタルコンタミネーションになることが抑
制され、メタルコンタミネーションの低減を図ることが
できる。
チャンバーおよびチャンバー内部材の少なくとも１つの
うち、少なくとも処理ガスと接触する部分を実質的にハ
ロゲン化物の蒸気圧がＦｅやＡｌよりも低いＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属、または、実質的にＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎとやはり蒸気圧が低いＭｇとのう
ち２以上の金属からなる合金で構成することにより、ハ
ロゲン化物が蒸発し難いものとなり、それがチャンバー
内に拡散してメタルコンタミネーションになることが抑
制され、メタルコンタミネーションの低減を図ることが
できる。
【図１】本発明の方法を実施するＴｉＮ成膜装置が搭載
されたマルチチャンバータイプの成膜システムを示す概
略構成図。
されたマルチチャンバータイプの成膜システムを示す概
略構成図。
【図２】ＴｉＮ膜をバリア層に用いた半導体装置のコン
タクトホール部分を示す断面図。
タクトホール部分を示す断面図。
【図３】本発明に係るＣＶＤ成膜方法を実施するＴｉＮ
成膜装置を示す断面図。
成膜装置を示す断面図。
【図４】種々の金属塩化物について、横軸に温度をと
り、縦軸にその温度における蒸気圧をとって示したグラ
フ。
り、縦軸にその温度における蒸気圧をとって示したグラ
フ。
【図５】種々の金属フッ化物について、横軸に温度をと
り、縦軸にその温度における蒸気圧をとって示したグラ
フ。
り、縦軸にその温度における蒸気圧をとって示したグラ
フ。
【図６】テストピースによる試験に用いた試験装置の概
略構成を示す図。
略構成を示す図。
【図７】テストピースでの試験におけるメタルコンタミ
ネーションの結果を示すグラフ。
ネーションの結果を示すグラフ。
【図８】シャワーヘッドのチャンバー露出面に本発明の
金属を用いた場合におけるメタルコンタミネーションの
結果を示すグラフ。
金属を用いた場合におけるメタルコンタミネーションの
結果を示すグラフ。
３，４……ＴｉＮ成膜装置
３１……チャンバー
３１ｃ，４０ｄ，６６ａ……被覆層
３２……サセプタ
３５……ヒーター
４０……シャワーヘッド
５０……ガス供給機構
６９……ウエハ支持ピン
Ｗ……半導体ウエハ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA53 BC04 CA02
CA25 CA47 CA51 DA02 EA07
EB01 EC21 ED13 FB02 FC15
4K030 AA02 AA13 AA18 BA18 BA38
CA04 EA04 FA01 GA02 KA08
KA46 KA47
4K061 AA01 BA11 CA11
4M104 BB14 BB18 BB30 DD44 DD45
FF17 FF18 FF22
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理基板に対してハロゲンを含む処理
ガスによりガス処理するガス処理装置であって、 被処理基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材と、を
具備し、 前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくと
も１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＣｒからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置。 - 【請求項２】 被処理基板に対してハロゲンを含む処理
ガスによりガス処理するガス処理装置であって、 被処理基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材と、を
具備し、 前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくと
も１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＮｉからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板に対してハロゲンを含む処理
ガスによりガス処理するガス処理装置であって、 被処理基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材と、 を具備し、 前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくと
も１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＣｏからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置。 - 【請求項４】 被処理基板に対してハロゲンを含む処理
ガスによりガス処理するガス処理装置であって、 被処理基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材と、を
具備し、 前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくと
も１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＭｎからなる金属材で構成されていること
を特徴とするガス処理装置。 - 【請求項５】 被処理基板に対してハロゲンを含む処理
ガスによりガス処理するガス処理装置であって、 被処理基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板の保持のためまたは前記
チャンバー内の被処理基板に前記処理ガスを供給するた
めにチャンバー内に配置されるチャンバー内部材と、を
具備し、 前記チャンバーおよび前記チャンバー内部材の少なくと
も１つのうち、少なくとも前記処理ガスと接触する部分
が、実質的にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｇから選択さ
れた２以上の金属の合金からなる金属材で構成されてい
ることを特徴とするガス処理装置。 - 【請求項６】 前記金属材は、めっき、イオンプレーテ
ィング、または溶射で形成されることを特徴とする請求
項１から請求項５のいずれか１項に記載のガス処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002119607A JP2003313666A (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002119607A JP2003313666A (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003313666A true JP2003313666A (ja) | 2003-11-06 |
Family
ID=29536120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002119607A Pending JP2003313666A (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003313666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137402A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | ガス処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| WO2007105432A1 (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体 |
| WO2009119177A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置および記憶媒体 |
-
2002
- 2002-04-22 JP JP2002119607A patent/JP2003313666A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137402A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | ガス処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| KR100887446B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2009-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| US7906442B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Gas treatment method and computer readable storage medium |
| JP5171253B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| WO2007105432A1 (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体 |
| US8257790B2 (en) | 2006-02-24 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Ti-containing film formation method and storage medium |
| JP5020230B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体 |
| WO2009119177A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置および記憶媒体 |
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