JP2003311226A - Cleaning method and cleaning apparatus - Google Patents

Cleaning method and cleaning apparatus

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JP2003311226A
JP2003311226A JP2002118210A JP2002118210A JP2003311226A JP 2003311226 A JP2003311226 A JP 2003311226A JP 2002118210 A JP2002118210 A JP 2002118210A JP 2002118210 A JP2002118210 A JP 2002118210A JP 2003311226 A JP2003311226 A JP 2003311226A
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ultrasonic
ultrapure water
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JP2002118210A
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Shunsuke Saito
俊介 斉藤
Katsuichi Okano
勝一 岡野
Kaoru Kanezuka
薫 金塚
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Kaijo Corp
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Kaijo Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method and a cleaning apparatus for reducing the amount of a cleaning liquid to be used and cleaning the object to be treated to high cleanliness. <P>SOLUTION: This cleaning method comprises: the first step to convey a plate-like object 3 to be treated on a rack 5 by a conveying means and treat at least one side of the conveyed object 3 to impart hydrophilicity; the second step to form a liquid film 24a on the hydrophilicity-imparted side of the object 3; and the third step to clean the object 3 by irradiating the object 3 with the ultrasonic wave emitted from an ultrasonic oscillating surface 28c arranged in the vicinity of a spot which may come into contact with the film 24a formed on the hydrophilicity-imparted side of the object 3. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄処理方法及び
洗浄処理装置に関し、特に洗浄やエッチング、現像、剥
離等を含むウエット処理に用いられる節水型の洗浄処理
方法及び洗浄処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning processing method and a cleaning processing apparatus, and more particularly to a water-saving type cleaning processing method and a cleaning processing apparatus used for wet processing including cleaning, etching, development and peeling.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコン基板、液晶表示基板、太陽電池
用基板、磁性体基板、プラスティックパッケージ用基板
その他大型基板(以下、基板とも称する。)表面の流体
処理のうち洗浄の観点から従来の技術および課題につい
て説明する。
2. Description of the Related Art Silicon substrates, liquid crystal display substrates, solar cell substrates, magnetic substrates, plastic package substrates, and other large-sized substrates (hereinafter also referred to as "substrates") from the viewpoint of cleaning of conventional techniques and fluid treatment of the surface. The problem is explained.

【0003】従来の洗浄処理装置として、例えば、特開
平6−461号公報に記載のものがある。以下、図17
及び図18を参照して、従来の洗浄処理装置について説
明する。図17は、従来の洗浄処理装置を正面からみた
断面図、図18は、図17に示す従来の洗浄処理装置の
底面図である。
As a conventional cleaning processing apparatus, for example, there is one described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-461. Below, FIG.
18 and FIG. 18, a conventional cleaning processing apparatus will be described. 17 is a cross-sectional view of the conventional cleaning processing apparatus as seen from the front, and FIG. 18 is a bottom view of the conventional cleaning processing apparatus shown in FIG.

【0004】図17に示すように、洗浄処理装置130
は、断面略凹状で長手方向に箱状に形成されたケース1
11と、ケース111の凹部内に配置された超音波振動
子115と、超音波振動子115を例えば950kHz
の超音波信号で駆動する超音波発振器116とを有す
る。
As shown in FIG. 17, a cleaning processing device 130.
Is a case 1 having a substantially concave cross section and formed in a box shape in the longitudinal direction.
11, the ultrasonic transducer 115 arranged in the concave portion of the case 111, and the ultrasonic transducer 115, for example, at 950 kHz.
And an ultrasonic oscillator 116 that is driven by the ultrasonic signal.

【0005】ケース111は、凹部内に配設した超音波
振動子115の振動板111aを含む上側ケースと、振
動板111aに対向して設けられて超音波振動子115
の面に対して角度θ(0<θ<10°)傾斜して設けら
れた反射板111bを含む下側ケースとからなってい
る。
The case 111 includes an upper case including a vibrating plate 111a of the ultrasonic vibrator 115 disposed in the recess, and an ultrasonic vibrator 115 provided so as to face the vibrating plate 111a.
And a lower case including a reflection plate 111b that is provided at an angle of θ (0 <θ <10 °).

【0006】上側ケース及び下側ケースは、ボルト12
1とナット122によりパッキン119を介して締結固
定されている。そして、図18にも示すように、前記下
側ケースの側面には、3箇所の洗浄液供給口112と、
洗浄液供給口112の反対側側面に設けられた2箇所の
オーバーフロー排出口114と、反射板111bの中央
に長手状に形成された洗浄液導出部126と、洗浄液導
出部126の中央に形成されたスリット125とを有し
ている。
The upper case and the lower case are bolts 12
1 and nut 122 are fastened and fixed via packing 119. Then, as also shown in FIG. 18, three cleaning liquid supply ports 112 are provided on the side surface of the lower case,
Two overflow outlets 114 provided on the side surface on the opposite side of the cleaning liquid supply port 112, a cleaning liquid outlet 126 formed in a longitudinal shape in the center of the reflection plate 111b, and a slit formed in the center of the cleaning liquid outlet 126. 125 and.

【0007】また、パッキン119の一方には、断面略
L字状の整流板118が取り付けられている。整流板1
18の下部には、複数のスリット120が形成されてお
り、整流を行う部材として作用する。
A rectifying plate 118 having a substantially L-shaped cross section is attached to one side of the packing 119. Baffle plate 1
A plurality of slits 120 are formed in the lower part of 18 and act as a member for rectifying.

【0008】次に、洗浄処理装置130の動作について
説明する。
Next, the operation of the cleaning processing device 130 will be described.

【0009】図17に示すように、超純水、水素水等そ
の他の洗浄液124が洗浄液供給口112から矢印X方
向よりケース111内に供給されると、洗浄液124は
整流板118のスリット120によって整流され、ケー
ス111内を層流となって流れて洗浄液噴出口113に
沿って均一な形状となって洗浄液噴出口113から被処
理物117上に噴出される。このとき、超音波振動子1
15は、所定周波数の電圧により駆動され、振動板11
1aを介して超音波を前記ケース111の底面である反
射板111bに向けて放射する。反射板111bは、所
定角度θだけ傾斜しているため、反射板111bにより
反射した超音波123a及び超音波123bは反射を繰
り返しつつ最終的に洗浄液噴出口113に集束するとと
もに、超音波導出部126に導かれて前記スリット12
5から被処理物117上に強力な超音波洗浄液を照射す
る。
As shown in FIG. 17, when a cleaning liquid 124 such as ultrapure water or hydrogen water is supplied from the cleaning liquid supply port 112 into the case 111 in the direction of the arrow X, the cleaning liquid 124 is caused by the slit 120 of the straightening plate 118. It is rectified, flows as a laminar flow in the case 111, becomes uniform in shape along the cleaning liquid ejection port 113, and is ejected from the cleaning liquid ejection port 113 onto the workpiece 117. At this time, the ultrasonic transducer 1
The vibration plate 15 is driven by a voltage of a predetermined frequency.
Ultrasonic waves are radiated toward the reflection plate 111b, which is the bottom surface of the case 111, via the la 1a. Since the reflection plate 111b is inclined by a predetermined angle θ, the ultrasonic waves 123a and 123b reflected by the reflection plate 111b are repeatedly focused and finally converged on the cleaning liquid ejection port 113, and the ultrasonic wave deriving section 126 is also used. Is guided to the slit 12
The object 117 to be treated is irradiated with a strong ultrasonic cleaning liquid from 5.

【0010】従って、従来の超音波洗浄装置130は、
例えば、半導体ウェハやガラス基板等の被処理物117
をローラー等の搬送手段(図示せず)により、例えば、
矢印Y方向に一定速度で前記洗浄液噴出口113の下方
を通過させて洗浄する構成になっている。
Therefore, the conventional ultrasonic cleaning device 130 is
For example, a processed object 117 such as a semiconductor wafer or a glass substrate
By a conveying means (not shown) such as a roller,
It is configured to pass under the cleaning liquid ejection port 113 at a constant speed in the direction of the arrow Y for cleaning.

【0011】[0011]

【課題を解決する手段】しかしながら、洗浄処理装置1
30は、スリット125から洗浄液124を噴出する構
成であるため、超音波により励振された洗浄液124の
被処理物117に対する照射面積が非常に狭くなってお
り、十分な洗浄効果を得るためには、超音波洗浄装置1
30を複数台併設して使用する必要がある。その結果、
高コストになる傾向があるとともに、前記洗浄液124
の使用量も比較的多くなる。例えば、550mm×65
0mm×t0.7mm角の被処理物の洗浄を水素ガス飽
和超純水などの洗浄液を用いて行った場合、超音波を安
定して付与するためには洗浄液及びリンス洗浄水を最低
25〜30L/min程度供給しなければならない。こ
の25〜30L/min程度の使用液量は、超音波の周
波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小さくして
いるためである。さらに、基板が大型化する場合には、
さらに多量の洗浄液及びリンス洗浄水が必要となる。
However, the cleaning apparatus 1
Since 30 has a configuration in which the cleaning liquid 124 is ejected from the slit 125, the irradiation area of the cleaning liquid 124 excited by ultrasonic waves on the object to be processed 117 is extremely small, and in order to obtain a sufficient cleaning effect, Ultrasonic cleaning device 1
It is necessary to use a plurality of 30 together. as a result,
The cleaning liquid tends to be expensive and the cleaning liquid 124
The amount used is also relatively large. For example, 550 mm x 65
When cleaning a 0 mm × t0.7 mm square object to be treated with a cleaning liquid such as hydrogen gas saturated ultrapure water, a minimum of 25 to 30 L of cleaning liquid and rinse cleaning water is required to stably apply ultrasonic waves. / Min. The amount of the used liquid of about 25 to 30 L / min is because the frequency of the ultrasonic wave is increased and the width of the ultrasonic cleaning nozzle slit is reduced. Furthermore, when the size of the board increases,
Further, a large amount of cleaning liquid and rinse cleaning water are required.

【0012】また、洗浄処理装置130による洗浄に際
して、水素ガス飽和超純水を洗浄液として使用する場
合、水素ガス飽和超純水を多量に安定して供給が可能な
水素ガス飽和超純水製造装置が必要となる。従って、必
然的に水の電気分解に必要な電極が大型化し、かつ、電
気分解で発生したガス(オゾン、水素)を高率よく洗浄
液に溶解させるためのモジュール(浸透膜)も大型化し
て、設備としても大型、かつ、高コストになる。
When hydrogen gas-saturated ultrapure water is used as a cleaning liquid for cleaning by the cleaning processing device 130, a hydrogen gas-saturated ultrapure water production device capable of stably supplying a large amount of hydrogen gas-saturated ultrapure water. Is required. Therefore, inevitably, the electrode required for electrolysis of water becomes large, and the module (permeation membrane) for efficiently dissolving the gas (ozone, hydrogen) generated by electrolysis in the cleaning liquid also becomes large, The equipment is large and costly.

【0013】また、洗浄処理装置130においては、超
音波素子(超音波振動子115)と被処理物117との
距離が遠いため、超音波パワーの減衰が大きい。MHz
帯近辺の超音波を使用する洗浄では、0.7〜1.5M
Hzの超音波が使用されるが、その使用下限域である
0.7MHzの場合、キャビテーションによる被処理物
117への影響を考慮したものであり、使用上限である
1.5MHzの場合、洗浄等に使用可能な実効パワーが
十分得られないことによる。1.5MHz以上の領域の
実効パワーは、超音波素子の回路的問題、図17に示す
通り、超音波素子(超音波振動子115)と被処理物1
17との距離が遠く、超音波パワーの減衰が大きいこと
による。
Further, in the cleaning processing apparatus 130, since the distance between the ultrasonic element (ultrasonic vibrator 115) and the object to be processed 117 is long, the ultrasonic power is greatly attenuated. MHz
For cleaning using ultrasonic waves in the vicinity of the band, 0.7 to 1.5M
Although ultrasonic waves of Hz are used, in the case of the lower limit range of 0.7 MHz, the influence of cavitation on the workpiece 117 is taken into consideration, and in the case of the upper limit of use of 1.5 MHz, cleaning, etc. Because the effective power that can be used for is not obtained. The effective power in the region of 1.5 MHz or higher is a circuit problem of the ultrasonic element, and as shown in FIG. 17, the ultrasonic element (ultrasonic transducer 115) and the workpiece 1 are processed.
This is because the distance to 17 is long and the attenuation of ultrasonic power is large.

【0014】そこで、本発明は、使用する洗浄液の液量
を低減することができ、しかも高い清浄度を得ることが
可能な洗浄処理方法及び洗浄処理装置を提供することを
目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a cleaning treatment method and a cleaning treatment apparatus which can reduce the amount of cleaning liquid used and can obtain high cleanliness.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄処理方
法は、板状の被処理物を搬送手段により架台上を搬送し
て該被処理物の少なくとも一表面に親水処理を施す第1
の工程と、前記被処理物の親水処理された面に液膜を形
成する第2の工程と、前記被処理物の表面に形成された
前記液膜に接触可能な近傍に設けられた超音波発振面か
ら超音波エネルギーを被処理物に照射し洗浄する第3の
工程とを有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning treatment method in which a plate-shaped object to be treated is conveyed on a gantry by a conveying means and at least one surface of the object is subjected to a hydrophilic treatment.
And a second step of forming a liquid film on the hydrophilic surface of the object to be treated, and an ultrasonic wave provided in the vicinity of the liquid film formed on the surface of the object to be treated. A third step of irradiating the object to be processed with ultrasonic energy from the oscillation surface and cleaning the object.

【0016】本発明による洗浄処理方法の前記親水処理
は、光洗浄又はオゾン水洗浄である。
The hydrophilic treatment of the cleaning treatment method according to the present invention is light cleaning or ozone water cleaning.

【0017】本発明による洗浄処理方法の前記光洗浄
は、エキシマランプ又は低圧水銀ランプにより前記被処
理物に紫外線を照射して行う。
The light cleaning of the cleaning method according to the present invention is performed by irradiating the object to be processed with ultraviolet rays by an excimer lamp or a low pressure mercury lamp.

【0018】本発明による洗浄処理方法の前記液膜は、
水素ガス飽和超純水により形成される。
The liquid film of the cleaning method according to the present invention comprises:
It is formed by hydrogen gas saturated ultrapure water.

【0019】本発明による洗浄処理方法の前記水素ガス
飽和超純水の水素ガス飽和濃度は0.8ppm以上であ
る。
The hydrogen gas saturated ultrapure water of the cleaning method according to the present invention has a hydrogen gas saturation concentration of 0.8 ppm or more.

【0020】本発明による洗浄処理方法の前記液膜は、
エアーと混合されて2流体ノズルから前記被処理物の親
水処理された面に塗布されて形成される。
The liquid film of the cleaning treatment method according to the present invention comprises:
It is mixed with air and applied from a two-fluid nozzle onto the hydrophilically treated surface of the object to be treated.

【0021】本発明による洗浄処理方法の前記被処理物
は、搬送手段により水平方向又は垂直方向に移動させて
洗浄を行う。
The object to be treated in the cleaning method according to the present invention is moved by the conveying means in the horizontal direction or the vertical direction for cleaning.

【0022】本発明による洗浄処理方法の前記洗浄処理
方法は、第4の工程として、IPA蒸気乾燥、スピン乾
燥、マランゴニ乾燥、エアーナイフ乾燥のいずれか1又
はその組み合わせにより被処理物を乾燥する。
In the cleaning treatment method of the cleaning treatment method according to the present invention, as a fourth step, the object to be treated is dried by any one of IPA vapor drying, spin drying, Marangoni drying and air knife drying, or a combination thereof.

【0023】本発明による洗浄処理装置は、板状の被処
理物を搬送手段により架台上を搬送する搬送ユニット
と、前記被処理物の少なくとも一表面に親水処理を施す
親水処理ユニットと、前記被処理物の親水処理された面
に液膜を形成する洗浄液供給装置と前記被処理物の表面
に形成された前記液膜に接触可能な近傍に設けられた超
音波励振装置からなる超音波洗浄ユニットによって、超
音波エネルギーを被処理物に照射し洗浄する。
The cleaning apparatus according to the present invention comprises a transport unit for transporting a plate-shaped object to be treated on a gantry by means of a conveying means, a hydrophilic treatment unit for subjecting at least one surface of the object to be hydrophilically treated, and the aforementioned object. An ultrasonic cleaning unit including a cleaning liquid supply device that forms a liquid film on the hydrophilic surface of the object to be processed, and an ultrasonic vibration device provided near the liquid film formed on the surface of the object to be processed. Then, ultrasonic energy is applied to the object to be processed for cleaning.

【0024】本発明による洗浄処理装置の前記親水処理
ユニットは、紫外線照射装置又はオゾン水洗浄装置から
なる。
The hydrophilic treatment unit of the cleaning treatment apparatus according to the present invention comprises an ultraviolet irradiation device or an ozone water cleaning device.

【0025】本発明による洗浄処理装置の前記紫外線照
射装置は、エキシマランプ又は低圧水銀ランプにより前
記被処理物に紫外線を照射して行う。
The ultraviolet irradiation device of the cleaning processing apparatus according to the present invention is performed by irradiating the object to be processed with ultraviolet light by an excimer lamp or a low pressure mercury lamp.

【0026】本発明による洗浄処理装置の前記液膜は水
素ガス飽和超純水供給装置により形成されることを特徴
とする。
The liquid film of the cleaning apparatus according to the present invention is characterized by being formed by a hydrogen gas saturated ultrapure water supply apparatus.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる洗浄処理方法及び洗浄処理装置の実施の形態を説明
する。図1は、本発明による洗浄処理装置の概略を示す
図であり、(a)は、第4の工程のドライユニットをス
ピンドライヤにより構成したものであり、(b)は、第
4の工程のドライユニットをエアナイフにより構成した
ものであり、図2は本発明による洗浄処理装置の搬送の
工程を示す概略説明図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a cleaning treatment method and a cleaning treatment apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an outline of a cleaning treatment apparatus according to the present invention. (A) shows a dry unit of a fourth step constituted by a spin dryer, and (b) shows a cleaning step of the fourth step. The dry unit is configured by an air knife, and FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a transporting step of the cleaning processing apparatus according to the present invention.

【0028】図1及び図2に示すように、洗浄処理装置
1は、長手上に形成された架台5上に親水処理ユニット
10、超音波洗浄ユニット20、ドライユニット30、
また、必要に応じてブラシユニット40とを有する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning processing apparatus 1 includes a hydrophilic processing unit 10, an ultrasonic cleaning unit 20, a dry unit 30, on a pedestal 5 formed in a longitudinal direction.
Moreover, it has the brush unit 40 as needed.

【0029】本発明は、紫外線14で基板3表面に付着
した有機物を除去し、濡れ性をよくして、超音波でパー
ティクルを除去するものである。即ち、第1の工程にお
いて、紫外線14を基板3に照射し、又は、オゾン水に
より洗浄を行うことにより、有機物を基板3表面から分
解剥離し、基板3の表面に付着する有機物の減少に伴い
親水性になる(濡れ性になる)ことを利用し、親水処理
を行う。第2の工程で、基板3に対して水素ガス飽和超
純水を供給する場合、第1の工程において親水処理(濡
れ性)されているため少ない液量で容易に基板3上に水
素ガス飽和超純水24の液膜24aを形成可能とするも
のである。さらに、第3の工程においては、基板3上に
形成された水素ガス飽和超純水24の液膜と接触可能な
近傍に超音波発振面28cが設けられているため、超音
波パワーの減衰が少なく、水素ガス飽和超純水を洗浄液
として使用することとも相まって、高い洗浄効果を得る
ことができ、かつ、少量の液量で超音波パワーを基板3
に伝播する事が可能である。
According to the present invention, the organic substances adhering to the surface of the substrate 3 are removed by the ultraviolet rays 14 to improve the wettability and the particles are removed by ultrasonic waves. That is, in the first step, by irradiating the substrate 3 with the ultraviolet rays 14 or washing with ozone water, organic substances are decomposed and separated from the surface of the substrate 3, and the organic substances attached to the surface of the substrate 3 decrease. A hydrophilic treatment is performed by utilizing the fact that it becomes hydrophilic (becomes wettable). When hydrogen gas-saturated ultrapure water is supplied to the substrate 3 in the second step, the hydrogen gas is saturated on the substrate 3 easily with a small amount of liquid because the hydrophilic treatment (wettability) is performed in the first step. The liquid film 24a of the ultrapure water 24 can be formed. Further, in the third step, since the ultrasonic wave oscillating surface 28c is provided in the vicinity where the liquid film of the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 formed on the substrate 3 can be contacted, the ultrasonic power is attenuated. In combination with the use of hydrogen gas-saturated ultrapure water as the cleaning liquid, a high cleaning effect can be obtained, and ultrasonic power can be applied to the substrate 3 with a small amount of liquid.
Can be propagated to.

【0030】図1及び図2に示すように、被処理物であ
る薄板状で、かつ、長方形状の基板3の裏面に、基板3
を保持して水平方向に搬送するための駆動ローラー2が
搬送手段(搬送ユニット)として架台5の長手方向に沿
って所定の間隔で配設されている。本発明は、超音波を
照射する前に、基板3の表面を濡らして液膜を形成し
て、超音波を照射するものであり、液膜の形成を少量の
水素ガス飽和超純水または超純水等の洗浄液24で可能
にすべく洗浄処理方法の第1の工程として光洗浄を行い
親水処理を行う。第1の工程で行われる親水処理は、第
2の工程で水素ガス飽和超純水24を基板3に供給して
液膜24aを形成する前段階として、第1の工程で基板
3に紫外線14を照射、又は、オゾン水で洗浄を行うこ
とによって、基板3の表面に付着した有機物汚染物を分
解・剥離することによって、基板の表面の親水性(濡れ
性)とすることを意味する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 3 is provided on the back surface of the substrate 3 which is a thin plate-like and rectangular-shaped object to be processed.
A drive roller 2 for holding and transporting in the horizontal direction is disposed as a transporting unit (transporting unit) at a predetermined interval along the longitudinal direction of the gantry 5. The present invention wets the surface of the substrate 3 to form a liquid film before irradiating the ultrasonic wave, and irradiates with the ultrasonic wave. The liquid film is formed with a small amount of hydrogen gas saturated ultrapure water or ultrapure water. As a first step of the cleaning treatment method, optical cleaning is performed and hydrophilic treatment is performed so that the cleaning liquid 24 such as pure water can be used. The hydrophilic treatment performed in the first step is a step before the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 is supplied to the substrate 3 in the second step to form the liquid film 24a. It means that the surface of the substrate 3 is rendered hydrophilic (wettability) by decomposing and peeling off the organic contaminants adhering to the surface of the substrate 3 by irradiating with or cleaning with ozone water.

【0031】図1及び図2に示すように、紫外線照射装
置11は、駆動ローラ2の回転駆動によって搬送される
基板3の表裏面に紫外線14を照射するものである。こ
の紫外線照射による光洗浄は、光と活性酸素種により、
有機物汚染物の除去が可能であるが、一般には、低圧水
銀ランプ(図示せず)又はエキシマランプ12(図3に
図示)を使用して基板に紫外線を照射して行われ、本発
明においてもエキシマランプ又は低圧水銀ランプの両者
が使用可能である。紫外線を酸素を含む空気或いは酸素
ガスに照射してオゾンを発生させ、このオゾンよりオゾ
ンの分解ガスである活性酸素種を発生させて、基板に接
触させることで、基板上の有機物を切断し、さらに基板
周辺に介在する酸素分子が、紫外線を受け活性酸素種に
変化し切断された炭素等の原子と結合し、二酸化炭素ガ
スなどになって基板上から分解剥離されるものである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the ultraviolet irradiation device 11 irradiates the front and back surfaces of the substrate 3 conveyed by the rotational driving of the driving roller 2 with the ultraviolet rays 14. Light cleaning by this ultraviolet irradiation, by light and active oxygen species,
Although it is possible to remove organic contaminants, it is generally performed by irradiating the substrate with ultraviolet rays using a low pressure mercury lamp (not shown) or an excimer lamp 12 (shown in FIG. 3). Both excimer lamps or low pressure mercury lamps can be used. Irradiating ultraviolet rays to oxygen-containing air or oxygen gas to generate ozone, generate active oxygen species that is a decomposition gas of ozone from this ozone, and contact the substrate to cut organic substances on the substrate, Further, oxygen molecules existing around the substrate are bonded to atoms such as carbon that is cut by being converted to an active oxygen species by receiving ultraviolet rays, and become carbon dioxide gas or the like to be decomposed and peeled off from the substrate.

【0032】この紫外線照射11は、基板3の表裏両面
に対応して基板3を介して上下に対となって配される
が、洗浄が片面のみ行われる場合は、片面だけの処理を
行ってもよく、基板3の両面を洗浄する場合においては
表裏両面に照射することが好ましい。また、片面だけに
紫外線照射装置11を配してもよい。また、照射される
紫外線14の量は、搬送スピードや基板の種類により適
宜条件を設定可能であるが、10〜200mJ/cm
の範囲内の強さであることが好ましい。
The ultraviolet irradiation 11 is arranged in pairs in a vertical direction through the substrate 3 corresponding to both front and back surfaces of the substrate 3, but when cleaning is performed on only one side, only one side is processed. However, when cleaning both sides of the substrate 3, it is preferable to irradiate both the front and back sides. Further, the ultraviolet irradiation device 11 may be arranged on only one side. The amount of the ultraviolet rays 14 to be irradiated can be set as appropriate depending on the transport speed and the type of substrate, but is 10 to 200 mJ / cm 2
It is preferable that the strength is within the range.

【0033】図3は、エキシマランプ12の一例を示す
図である。図3に示すように、エキシマランプ12は、
石英ガラスからなる内筒管12aと外筒管12bの間の
空間にキセノン等の放電用ガス12cを封入し、交流電
源12dによりその内外に設けた電極12e1及び電極
12e2間に高電圧を印加し、これによって紫外線14
を放射する。すなわち、高電圧を印加された誘電体であ
る石英ガラスは、誘電体バリア放電(無声放電)により
微小放電12fを生成し、そのエネルギーによって内部
に封入された放電用ガス63を励起、結合させ、その励
起状態のガス分子が基底状態に戻る過程でガス特有の波
長の光を放射するものである。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the excimer lamp 12. As shown in FIG. 3, the excimer lamp 12 is
A discharge gas 12c such as xenon is sealed in the space between the inner cylindrical tube 12a and the outer cylindrical tube 12b made of quartz glass, and a high voltage is applied between the electrodes 12e1 and 12e2 provided inside and outside by an AC power supply 12d. , By this, ultraviolet rays 14
Radiates. That is, quartz glass, which is a dielectric to which a high voltage is applied, generates a minute discharge 12f by dielectric barrier discharge (silent discharge), and the energy thereof excites and bonds the discharge gas 63 enclosed inside, The gas molecules in the excited state emit light of a wavelength peculiar to the gas in the process of returning to the ground state.

【0034】エキシマランプ12から放射された紫外線
14は、基板3の置かれた酸素を含む雰囲気内で、その
光化学反応によってオゾン及び特性酸素種を生成してこ
れを基板3の表面に接触させ、また直接的にこの紫外線
14を基板3に照射させ、これらの協同作業で被処理物
表面の洗浄又は改質が達成される。
The ultraviolet rays 14 emitted from the excimer lamp 12 generate ozone and characteristic oxygen species by the photochemical reaction in the atmosphere containing oxygen on the substrate 3 and bring them into contact with the surface of the substrate 3, Further, the ultraviolet rays 14 are directly applied to the substrate 3, and the cleaning or modification of the surface of the object to be processed is achieved by these cooperative operations.

【0035】即ち、光洗浄の原理としては、酸素O
紫外線を吸収し、オゾンOを生成する。生成したオゾ
ンは分解し活性酸素O(D)を生成する。これらの過程
で生成されたオゾンや活性酸素は基板表面に付着してい
る汚染物を酸化する能力を持つ。 O+hv→O(P)+O(P) O+O(P)→O→O+O(D) また、紫外線のエネルギー自体も非常に高く、多くの有
機化合物の結合エネルギーを上回り、その結合を切断す
る。これらの複合作用により有機物は分解・酸化し、水
(HO)や炭酸ガス(CO)として基板表面から飛
散、除去される。
That is, as a principle of light cleaning, oxygen O 2 absorbs ultraviolet rays to generate ozone O 3 . The generated ozone is decomposed to generate active oxygen O ( 1 D). Ozone and active oxygen generated in these processes have the ability to oxidize contaminants adhering to the substrate surface. O 2 + hv → O ( 3 P) + O ( 3 P) O 2 + O ( 3 P) → O 3 → O 2 + O ( 1 D) Also, the energy of ultraviolet light itself is very high, and the binding energy of many organic compounds. And break the bond. Organic substances are decomposed and oxidized by the combined action of these, and are scattered and removed from the substrate surface as water (H 2 O) or carbon dioxide (CO 2 ).

【0036】さらに、エキシマランプ12から放射され
る波長172nmの光は、酸素分子に吸収される。酸素
分子は波長175nm以下の光を吸収すると、直ちに励
起状の活性酸素O(D)を生成する。 O+hv(172nm)→O(D)+O(D) このため活性酸素が、効率良く生成され、さらにより短
波長である172nmの紫外線が汚染物質の化学結合切
断に優れるため、効率良く光洗浄を行える。
Further, the light having a wavelength of 172 nm emitted from the excimer lamp 12 is absorbed by oxygen molecules. The oxygen molecule absorbs light below a wavelength 175 nm, immediately generate excited like active oxygen O (1 D). O 2 + hv (172 nm) → O ( 1 D) + O ( 3 D) Therefore, active oxygen is efficiently generated, and ultraviolet rays of 172 nm, which is a shorter wavelength, excels in chemical bond cleavage of pollutants. Can perform light cleaning.

【0037】基板3に紫外線14が照射されることによ
り、基板3に付着する有機物を分解・剥離して減少する
とともに、有機物の減少に伴い、(濡れ性が上がり)接
触角が下がり、親水性が上がる(親水処理が行われ
る)。従って、本発明は、紫外線14で有機物を除去
し、濡れ性をよくして、超音波でパーティクルを除去す
るものである。
By irradiating the substrate 3 with the ultraviolet rays 14, the organic substances adhering to the substrate 3 are decomposed and peeled to be reduced, and as the organic substances are reduced (wettability is increased), the contact angle is decreased and the hydrophilic property is increased. Rises (hydrophilic treatment is performed). Therefore, in the present invention, the organic matter is removed by the ultraviolet rays 14 to improve the wettability, and the particles are removed by ultrasonic waves.

【0038】紫外線処理の有無により、基板表面状態
が、どのように変化しているかを評価した例を図15に
示す。図15は、素ガラス基盤での紫外線処理有り、無
しでの接触角評価を示す図である。紫外線処理されると
基板3の表面は付着していた有機物等が分解され、一般
的には表面が親水性になる。親水性表面は濡れ性が高い
ため、接触角は小さくなる。(5°以下)よって紫外線
処理の効果を確認するため、基板表面の接触角を測定
し、基盤表面の濡れ性がどのように変化したかを調べ
た。結果は図15のようになり、紫外線処理した基板3
の方が、接触角が小さいことが確認された。
FIG. 15 shows an example in which how the surface condition of the substrate changes depending on the presence or absence of the ultraviolet treatment. FIG. 15 is a diagram showing a contact angle evaluation with and without UV treatment on a glass substrate. When treated with ultraviolet rays, the organic substances and the like adhering to the surface of the substrate 3 are decomposed, and the surface generally becomes hydrophilic. Since the hydrophilic surface has high wettability, the contact angle becomes small. (5 ° or less) Therefore, in order to confirm the effect of the ultraviolet ray treatment, the contact angle of the substrate surface was measured to examine how the wettability of the substrate surface changed. The result is shown in FIG.
Was confirmed to have a smaller contact angle.

【0039】第1の工程の親水処理は、紫外線14の照
射による光洗浄に代替して、酸化力の高いオゾン水によ
り、有機物・金属の除去を行うオゾン水洗浄を行うこと
によっても可能である。基板の表面の有機物汚染物の減
少と親水性には相関関係があり、オゾン水洗浄により洗
浄を行うことで基板の表面の有機物が減少することで接
触角が減少し(濡れ性が上がる)、親水処理が行われる
ものである。第1の工程としてオゾン水洗浄を行う場
合、基板の表面の有機物の減少を図り、親水性を上げる
ものであって、オゾン水洗浄の単体で洗浄を行う場合と
同様に多量の液量を必要とせず、親水処理を行いうる少
量の液量で足りる。
The hydrophilic treatment in the first step can also be carried out by performing ozone water cleaning for removing organic substances and metals with ozone water having a high oxidizing power, instead of optical cleaning by irradiation with ultraviolet rays 14. . There is a correlation between the reduction of organic contaminants on the surface of the substrate and the hydrophilicity. By cleaning with ozone water, the organic substances on the surface of the substrate are reduced, and thus the contact angle is reduced (wettability is increased). Hydrophilic treatment is performed. When cleaning with ozone water as the first step, it is intended to reduce organic substances on the surface of the substrate and increase hydrophilicity, and a large amount of liquid is required as in the case of cleaning with only ozone water. Instead, a small amount of liquid that can be hydrophilically processed is sufficient.

【0040】第1の工程としてのオゾン水洗浄により、
親水処理を行う場合においては、水電解でオゾンガスと
水素ガスを同時に製造可能であるため、オゾンガスと水
素ガスを夫々ガス溶解モジュールに介して超純水に溶解
させることにより、親水処理を行うオゾン水と、第2の
工程において基板3に供給され液膜する水素飽和超純水
の両液を1つの設備で製造可能となる。
By cleaning with ozone water as the first step,
When hydrophilic treatment is performed, ozone gas and hydrogen gas can be simultaneously produced by water electrolysis, so ozone water and hydrogen gas that are subjected to hydrophilic treatment are dissolved in ultrapure water through the gas dissolving module, respectively. Then, both liquids of hydrogen-saturated ultrapure water which are supplied to the substrate 3 to form a liquid film in the second step can be manufactured by one facility.

【0041】第1の工程の親水処理を経て、基板3は駆
動ローター2による搬送を介して第2の工程である水素
ガス飽和超純水供給工程へと移行する。図1に示すよう
に、第1の工程の親水処理ユニット10通過後、第2の
工程及び第3の工程を行う超音波洗浄ユニット20へ基
板3が搬送される。
After the hydrophilic treatment in the first step, the substrate 3 is transferred by the driving rotor 2 to the second step, that is, the hydrogen gas saturated ultrapure water supply step. As shown in FIG. 1, after passing through the hydrophilic treatment unit 10 in the first step, the substrate 3 is transferred to the ultrasonic cleaning unit 20 that performs the second step and the third step.

【0042】また、必要に応じ、第3の工程の前に、ブ
ラシユニット40を配し、回転ブラシ41に設けられた
突部42により、第3の工程の超音波洗浄では洗浄しき
れないパーティクルを除去することも可能である。図2
に示すように本発明の実施の形態においては、第2の工
程である水素ガス飽和超純水24を基板3上に供給して
液膜24aを形成する工程と、回転ブラシ41による超
音波洗浄では洗浄しきれないパーティクルの除去を同工
程として行い洗浄効果を高めている。第3で工程ある超
音波洗浄の前に基板3上に液膜24aを形成すべく、水
素ガス飽和超純水供給装置21が配されており、本実施
の形態においては、水素ガス飽和超純水供給装置21に
より基板3上に水素ガス飽和超純水24を供給する工程
内にブラシユニット40を設けるため、基板3上に水素
ガス飽和超純水24を供給して液膜24を形成する水素
ガス飽和超純水供給装置21a、超音波励振装置26に
より超音波洗浄を行う前に水素ガス飽和超純水24を液
膜24aに補充する水素ガス飽和超純水21b及びブラ
シユニット40の回転ブラシ41に水素ガス飽和超純水
24を供給して回転ブラシ40自体を濡らす水素ガス飽
和超純水供給装置21cが配されている。水素ガス飽和
超純水供給装置21aにより基板3上に液膜24aを形
成し、回転ブラシ41により基板3表面のパーティクル
を除去するにあたり、水素ガス飽和超純水供給装置21
bにより、回転ブラシ41自体を水素ガス飽和超純水2
4により濡らして洗浄効果を高め、水素ガス飽和超純水
供給装置24cにより、超音波洗浄を行う第3の工程へ
の搬送にあたって基板3上から落下した水素ガス飽和超
純水24の減少を補う。
If necessary, the brush unit 40 is arranged before the third step, and the protrusions 42 provided on the rotary brush 41 cause particles that cannot be completely cleaned by the ultrasonic cleaning in the third step. Can also be removed. Figure 2
In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, the second step is the step of supplying the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 onto the substrate 3 to form the liquid film 24a, and the ultrasonic cleaning with the rotary brush 41. Then, particles that cannot be cleaned are removed in the same process to enhance the cleaning effect. In order to form the liquid film 24a on the substrate 3 before the ultrasonic cleaning in the third step, the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is arranged, and in this embodiment, the hydrogen gas saturated ultrapure water is supplied. Since the brush unit 40 is provided in the step of supplying the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 onto the substrate 3 by the water supply device 21, the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 is supplied onto the substrate 3 to form the liquid film 24. Rotation of the hydrogen gas saturated ultrapure water 21b and the brush unit 40, which replenish the liquid film 24a with the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 before ultrasonic cleaning with the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21a and the ultrasonic excitation device 26. A hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21c for supplying the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 to the brush 41 to wet the rotating brush 40 itself is provided. When the liquid film 24a is formed on the substrate 3 by the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21a and the particles on the surface of the substrate 3 are removed by the rotating brush 41, the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is used.
b, the rotary brush 41 itself is replaced with hydrogen gas saturated ultrapure water 2
4 enhances the cleaning effect, and compensates for the decrease in the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 dropped from the substrate 3 during the transportation to the third step of ultrasonic cleaning by the hydrogen gas-saturated ultrapure water supply device 24c. .

【0043】また、超音波洗浄ユニット20は、第2の
工程を構成する水素ガス飽和超純水供給装置21b及び
第3の工程を行う超音波励振装置26からなる。
The ultrasonic cleaning unit 20 is composed of a hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21b which constitutes the second step and an ultrasonic excitation device 26 which performs the third step.

【0044】図2、図5及び図6に示すように、第3の
工程による超音波の洗浄効果を高め、前行程で基板3上
に形成された液膜24aの液量不足を防止すべく、超音
波励振装置26の前方に水素ガス飽和超純水供給装置2
1bが設置されている。液量が不足して液膜24aが超
音波励振装置26の発振面28cに接触せずに超音波が
基板3に伝播しないことを防止するものである。
As shown in FIGS. 2, 5 and 6, in order to enhance the ultrasonic cleaning effect in the third step and prevent the liquid amount of the liquid film 24a formed on the substrate 3 in the previous step from being insufficient. In front of the ultrasonic excitation device 26, the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 2
1b is installed. This is to prevent the ultrasonic wave from propagating to the substrate 3 because the liquid film 24a does not come into contact with the oscillation surface 28c of the ultrasonic wave excitation device 26 due to insufficient liquid volume.

【0045】この水素ガス飽和超純水の供給方法の第1
の例を図5及び図6(a)に示す。予め水素ガス飽和超
純水24を製造(図示せず)し、例えば複数の開孔21
aが基板3に向けて形成されている噴流パイプ21から
基板3に向けて水素ガス飽和超純水24を噴射し、これ
により基板3の表裏両面に供給される。図5に示すよう
に、この噴流パイプ21からは、基板全面が水素ガス飽
和超純水24で濡れるような構造となっている。第1の
工程において親水処理されているため、水素ガス飽和超
純水24が基板3に馴染みやすく、少量の水素ガス飽和
超純水24により容易に液膜24aを形成することが可
能である。
The first method of supplying this hydrogen gas saturated ultrapure water
An example of is shown in FIG. 5 and FIG. Hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 is previously manufactured (not shown), and for example, a plurality of openings 21 are formed.
Hydrogen gas saturated ultrapure water 24 is jetted toward the substrate 3 from the jet pipe 21 in which a is formed toward the substrate 3, and is supplied to both front and back surfaces of the substrate 3. As shown in FIG. 5, the jet pipe 21 has a structure in which the entire surface of the substrate is wet with the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24. Since the hydrophilic treatment is performed in the first step, the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 is easily adapted to the substrate 3, and the liquid film 24a can be easily formed with a small amount of the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24.

【0046】図6(b)は、水素ガス飽和超純水の供給
方法の第2の例を示す図である。図6に示すように、エ
アーと水を混合させ、霧状にする2流体ノズル21bを
数個基板3に向けて設置し、噴流パイプに代替して細か
いミストを基板3に噴射する。2流体ノズル21bを使
用すると、水素ガス飽和超純水のみならずエアーも噴射
されること及び第1の工程において親水処理され、水素
ガス飽和超純水24が基板3に馴染みやすく、少量の水
素ガス飽和超純水24により容易に液膜24aを形成す
ることが可能であることに相まって、基板(550mm
×650mm×t0.7mm)の時に流量が5L/mi
n以下に抑えることが可能であり、水素ガス飽和超純水
の使用量を大幅に削減できる。また、洗浄液が2流体ノ
ズル21bから噴射されること自体による洗浄効果もあ
る。
FIG. 6 (b) is a diagram showing a second example of the method for supplying hydrogen gas saturated ultrapure water. As shown in FIG. 6, a plurality of two-fluid nozzles 21b that mix air and water and atomize are installed toward the substrate 3, and a fine mist is jetted onto the substrate 3 instead of a jet pipe. When the two-fluid nozzle 21b is used, not only hydrogen gas-saturated ultrapure water but also air is jetted and hydrophilic treatment is performed in the first step, so that the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 is easily adapted to the substrate 3 and a small amount of hydrogen is used. In addition to the fact that the liquid film 24a can be easily formed from the gas-saturated ultrapure water 24, the substrate (550 mm
X 650 mm x t 0.7 mm), the flow rate is 5 L / mi
It is possible to suppress it to n or less, and it is possible to significantly reduce the amount of hydrogen gas saturated ultrapure water used. In addition, the cleaning liquid itself has a cleaning effect by being sprayed from the two-fluid nozzle 21b.

【0047】また、基板3へ供給される洗浄液24とし
ては、超音波照射と組み合わせることにより、基板3に
付着したパーティクルの除去に高い効果を発揮すると評
価されている水素ガス飽和超純水の他、純水、塩酸、ア
ンモニア、フッ酸、過酸化水素水、オゾン水、アルカリ
水溶液、酸化力もしくは還元性を有する薬液、またはア
ニオン系を用いても良いことは当然である。特に超音波
の洗浄効果を高める溶液が好ましい。
As the cleaning liquid 24 supplied to the substrate 3, hydrogen gas-saturated ultrapure water, which is evaluated to be highly effective in removing particles adhering to the substrate 3 when combined with ultrasonic irradiation, is used. As a matter of course, pure water, hydrochloric acid, ammonia, hydrofluoric acid, hydrogen peroxide solution, ozone water, alkaline aqueous solution, chemical solution having oxidizing power or reducing property, or anion system may be used. A solution that enhances the ultrasonic cleaning effect is particularly preferable.

【0048】水素ガス飽和超純水による洗浄評価例とし
て、使用した基板は8インチシリコン基板(ベアシリコ
ン)で、あらかじめ表面にスラリー等の研磨剤でパーテ
ィクルで汚染させた。汚染基板をそれぞれ、純水、脱気
水、水素ガス飽和超純水でそれぞれ1MHZの超音波と
併用して洗浄した。その結果、図12に示すように、水
素ガス飽和超純水>脱気水>純水の順となった。この結
果より水素ガス飽和超純水の洗浄効果の高さが明らかで
ある。
As an example of cleaning evaluation with hydrogen gas-saturated ultrapure water, the substrate used was an 8-inch silicon substrate (bare silicon), and the surface was previously contaminated with an abrasive such as a slurry with particles. The contaminated substrates were washed with pure water, degassed water, and hydrogen gas-saturated ultrapure water in combination with ultrasonic waves of 1 MHZ. As a result, as shown in FIG. 12, the order was hydrogen gas saturated ultrapure water> deaerated water> pure water. From this result, it is clear that the cleaning effect of hydrogen gas saturated ultrapure water is high.

【0049】また、供給される水素ガス飽和超純水24
の流量は、搬送スピードや基板3の大きさに依存する
が、5L/min〜50L/minであることが好まし
い。また、水素ガス飽和超純水の水素ガス飽和濃度はパ
ーティクルの除去効果を考慮し0.8ppm以上である
ことが好ましい。
Further, the supplied hydrogen gas-saturated ultrapure water 24
The flow rate depends on the transfer speed and the size of the substrate 3, but is preferably 5 L / min to 50 L / min. Further, the saturated concentration of hydrogen gas in the hydrogen gas-saturated ultrapure water is preferably 0.8 ppm or more in consideration of the effect of removing particles.

【0050】図2及び図5からも明らかなように、第2
の工程で基板3に水素ガス飽和超純水24が供給され液
膜24aが形成されると第3の工程として液膜24aを
通じて超音波が超音波励振装置26から基板3へと伝達
される。
As apparent from FIGS. 2 and 5, the second
When the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 is supplied to the substrate 3 and the liquid film 24a is formed in the step (3), ultrasonic waves are transmitted from the ultrasonic exciter 26 to the substrate 3 through the liquid film 24a in the third step.

【0051】図5に示す超音波励振装置26について説
明する。
The ultrasonic excitation device 26 shown in FIG. 5 will be described.

【0052】超音波励振装置26は、略直方体状の導波
体28と、矩形板状に形成され、片面側で前記導波体2
8に対して接着剤等により結合された振動子27と、振
動子27に所定の駆動周波数の電圧を印可する発振器
(図示せず)とを有しており、導波体28の上面である
振動子27を有する面と対向する面、すなわち、超音波
を発振する発振面28cを下側にして使用する構成にな
っている。
The ultrasonic excitation device 26 is formed into a rectangular parallelepiped waveguide 28 and a rectangular plate shape, and the waveguide 2 is formed on one side.
8 is an upper surface of the waveguide body 28, which has a vibrator 27 coupled to 8 by an adhesive or the like, and an oscillator (not shown) that applies a voltage of a predetermined driving frequency to the vibrator 27. The structure is used such that the surface facing the surface having the vibrator 27, that is, the oscillating surface 28c that oscillates ultrasonic waves is on the lower side.

【0053】発振面28cは、基板3に形成された液膜
24aに接触可能な近傍に設けられる。本発明による実
施の形態では2mm以下に選定され、板状の基板3の表
面と平行になるように配される。
The oscillation surface 28c is provided near the liquid film 24a formed on the substrate 3 so as to be in contact therewith. In the embodiment according to the present invention, it is selected to be 2 mm or less, and is arranged so as to be parallel to the surface of the plate-shaped substrate 3.

【0054】振動子27は、PZT(piezoele
ctric:圧電)素子の両面に電極板27a及び電極
板27bを粘着した構成になっており、下面側の電極板
27bの一部が電極板27aと非接触の状態に上面側に
折り返されて電極部27cになっている。また、振動子
27の長さ及び幅は、導波体28の長さL及び幅Wとほ
ぼ等しく設定されており、電極部27c及び電極板27
aの所定位置には、発振器(図示せず)からの所定駆動
周波数の電圧を印可する一対の送電ワイヤ29がそれぞ
れ、接続されている。
The vibrator 27 is a PZT (piezoele).
The electrode plate 27a and the electrode plate 27b are adhered to both surfaces of the (ctric: piezoelectric) element, and a part of the electrode plate 27b on the lower surface side is folded back to the upper surface side without contacting the electrode plate 27a. It is a part 27c. Further, the length and width of the vibrator 27 are set to be substantially equal to the length L and width W of the waveguide 28, and the electrode portion 27c and the electrode plate 27 are set.
A pair of power transmission wires 29 that apply a voltage of a predetermined driving frequency from an oscillator (not shown) are connected to the predetermined positions of a, respectively.

【0055】そして、振動子27は、発振器(図示せ
ず)によって所定の駆動周波数の電圧が印加されると、
この周波数の超音波振動を発生する。
When a voltage of a predetermined driving frequency is applied to the vibrator 27 by an oscillator (not shown),
Ultrasonic vibration of this frequency is generated.

【0056】導波体28は、振動子27が発生する超音
波振動に共振するとともに、前記超音波振動を予め形成
された前記水素ガス飽和超純水24の液膜24aに伝達
する部材として作用する。
The waveguide 28 resonates with the ultrasonic vibration generated by the vibrator 27 and acts as a member for transmitting the ultrasonic vibration to the liquid film 24a of the previously formed hydrogen gas saturated ultrapure water 24. To do.

【0057】次に、超音波励振装置26の動作について
説明する。まず、発振器(図示せず)から所定駆動周波
数の電圧が振動子27に印加されると、振動子27は励
振されて、この周波数の超音波振動を発生する。そし
て、発生した超音波振動は、前記導波体28を介して、
導波体28の下方に外部負荷として供給される水素ガス
飽和超純水24の液膜24aに伝達される構成になって
いる。
Next, the operation of the ultrasonic excitation device 26 will be described. First, when a voltage of a predetermined driving frequency is applied to the vibrator 27 from an oscillator (not shown), the vibrator 27 is excited and ultrasonic vibration of this frequency is generated. Then, the generated ultrasonic vibration passes through the waveguide 28,
It is configured to be transmitted to the liquid film 24a of the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 supplied as an external load below the waveguide 28.

【0058】超音波を供給する導波体28の発振面28
cは、基板3に形成された液膜24aに接触可能な近傍
に設けられ、本発明による実施の形態では2mm以下に
選定されているため、超音波振動子27と基板3との距
離が近く超音波パワーの減衰が少なく、超音波素子の共
振周波数は15kHz〜3MHzである。
Oscillation surface 28 of waveguide 28 for supplying ultrasonic waves
c is provided in the vicinity of the liquid film 24a formed on the substrate 3 so as to be in contact therewith, and is selected to be 2 mm or less in the embodiment of the present invention. Therefore, the distance between the ultrasonic transducer 27 and the substrate 3 is short. The attenuation of ultrasonic power is small, and the resonance frequency of the ultrasonic element is 15 kHz to 3 MHz.

【0059】超音波励振装置26は、発振面28cの下
部に外部負荷として、水素ガス飽和超純水24が供給さ
れなければ、ガラス基板等の被処理物3としての基板3
に対して超音波振動も伝達されない。
In the ultrasonic excitation device 26, if the hydrogen gas-saturated ultrapure water 24 is not supplied as an external load to the lower part of the oscillation surface 28c, the substrate 3 as the object 3 to be processed such as a glass substrate.
On the other hand, ultrasonic vibration is not transmitted.

【0060】基板3の表面と発振面28cとの隙間、す
なわち、離間距離を約2mm以下に設定し、前記基板3
を搬送手段としての駆動ローラ2により、矢印X(図5
に図示)で示す搬送方向に通過させる。
The gap between the surface of the substrate 3 and the oscillation surface 28c, that is, the separation distance is set to about 2 mm or less, and the substrate 3
The arrow X (Fig.
(Shown in FIG. 2) in the transport direction.

【0061】そこで、予め第1の工程により親水処理を
行い、第2の工程中、水素ガス飽和超純水24を基板3
上に供給し、液膜24aが表面張力の作用により形成さ
れているため、基板3の表面と発振面28cとの隙間は
液膜24aを介して接触し、振動子27からの超音波振
動が基板3に伝達される。したがって、超音波励振装置
26は、水素ガス飽和超純水24の液膜24aの作用に
より基板3の洗浄を行うことができる。
Therefore, hydrophilic treatment is performed in advance in the first step, and hydrogen gas saturated ultrapure water 24 is applied to the substrate 3 during the second step.
Since the liquid film 24a is supplied above and the liquid film 24a is formed by the action of surface tension, the gap between the surface of the substrate 3 and the oscillating surface 28c contacts through the liquid film 24a, and ultrasonic vibration from the vibrator 27 is generated. It is transmitted to the substrate 3. Therefore, the ultrasonic exciter 26 can clean the substrate 3 by the action of the liquid film 24 a of the hydrogen gas saturated ultrapure water 24.

【0062】上記の実施の形態においては、超音波洗浄
ユニット20は基板3の表裏両面に対応して基板3を介
して上下対に配されるものであるが、第3の工程におけ
る基板3の洗浄が両面でなく、片面に限定にされる場合
は、洗浄面のみに液膜24aを形成させて洗浄を行って
もよく、また、片面にのみ超音波洗浄ユニット20を配
することも可能である。またそれに対応して第1の工程
における紫外線照射も片面だけの処理又は片面だけに紫
外線照射装置11を配してもよい。
In the above-described embodiment, the ultrasonic cleaning units 20 are arranged in a pair vertically corresponding to both front and back surfaces of the substrate 3, with the substrate 3 interposed therebetween. When the cleaning is limited to one side instead of both sides, the cleaning may be performed by forming the liquid film 24a only on the cleaning side, or the ultrasonic cleaning unit 20 may be arranged only on one side. is there. Correspondingly, the ultraviolet irradiation in the first step may be performed on only one side or the ultraviolet irradiation device 11 may be arranged on only one side.

【0063】また、図2に示すように、基板3の大きさ
や、パーティクルの付着率、要求する清浄度に応じて、
超音波洗浄ユニット20を複数個設置して洗浄を行う。
但し、超音波励振装置26の設置台数に応じて同数の水
素ガス飽和超純水供給装置21を各超音波励振装置26
の前方に設置し水素ガス飽和超純水24を基板3に供給
して液膜を形成する必要はなく、前工程において液膜が
形成されてさえいれば、2台目以降の超音波励振装置2
6の前方には、水素ガス飽和超純水供給装置21を設け
ない構成も可能である。また、超音波励振装置26の設
置台数に応じて同数の水素ガス飽和超純水供給装置21
を超音波励振装置26の前方に設置する場合や、複数個
の水素ガス飽和超純水供給装置21を設置するものの、
一部の水素ガス飽和超純水供給装置21を省略する場合
においては、1台目の超音波励振装置26の前方に設置
された水素ガス飽和超純水供給装置21と同量の水素ガ
ス飽和超純水を供給する必要はなく、超音波励振装置2
6と超音波励振装置26の間に設置された2台目以降の
水素ガス飽和超純水供給装置21から供給される水素ガ
ス飽和超純水の量を削減して補充的に供給することも可
能である。
Further, as shown in FIG. 2, depending on the size of the substrate 3, the particle attachment rate, and the required cleanliness,
A plurality of ultrasonic cleaning units 20 are installed for cleaning.
However, the same number of hydrogen gas-saturated ultrapure water supply devices 21 are installed in each ultrasonic excitation device 26 according to the number of ultrasonic excitation devices 26 installed.
It is not necessary to supply the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 to the substrate 3 to form a liquid film in front of the substrate, and if the liquid film is formed in the previous step, the second and subsequent ultrasonic excitation devices Two
A configuration in which the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is not provided in front of 6 is also possible. Further, the same number of hydrogen gas saturated ultrapure water supply devices 21 depending on the number of installed ultrasonic exciters 26.
Is installed in front of the ultrasonic excitation device 26, or a plurality of hydrogen gas saturated ultrapure water supply devices 21 are installed,
When omitting a part of the hydrogen gas-saturated ultrapure water supply device 21, the same amount of hydrogen gas saturated as the hydrogen gas-saturated ultrapure water supply device 21 installed in front of the first ultrasonic vibration device 26 is saturated. It is not necessary to supply ultrapure water, and ultrasonic excitation device 2
It is also possible to reduce the amount of hydrogen gas-saturated ultrapure water supplied from the second or subsequent hydrogen gas-saturated ultrapure water supply device 21 installed between the ultrasonic wave excitation device 26 and the ultrasonic excitation device 26, and supply supplementally. It is possible.

【0064】以下に超音波励振装置26を3台設置した
場合、3台全台の前方に水素ガス飽和超純水供給装置2
1を付加した場合(条件1)の洗浄結果と2台目の超音
波励振装置26の前に水素ガス飽和超純水供給装置21
を付加せず省略した場合(条件1)の洗浄結果を示す。
When three ultrasonic exciters 26 are installed below, a hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 2 is provided in front of all three ultrasonic exciters 26.
In the case where 1 is added (condition 1), the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is installed before the cleaning result of the second ultrasonic wave excitation device 26.
The result of cleaning in the case of omitting without adding (condition 1) is shown.

【0065】図7は、超音波励振装置26を3台設置し
た場合、3台全台の前方に水素ガス飽和超純水供給装置
21を付加した状態を示す図で、図8は超音波励振装置
26を3台設置した場合2台目の超音波励振装置26の
前方に水素ガス飽和超純水供給装置21を付加せず省略
した状態を示す図、図9は、図7の場合における洗浄結
果を示す表、図10は、図8の場合における洗浄結果を
示す表、図11は、図9及び図10に示す洗浄結果の比
較を示すグラフである。
FIG. 7 is a diagram showing a state where three ultrasonic excitation devices 26 are installed and hydrogen gas saturated ultrapure water supply devices 21 are added in front of all three ultrasonic excitation devices 26. FIG. 8 shows ultrasonic excitation devices. When three devices 26 are installed, a view showing a state in which the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is omitted without being added in front of the second ultrasonic excitation device 26, and FIG. 9 is the cleaning in the case of FIG. 7. FIG. 10 is a table showing the results, FIG. 10 is a table showing the cleaning results in the case of FIG. 8, and FIG. 11 is a graph showing a comparison of the cleaning results shown in FIGS. 9 and 10.

【0066】図9乃至図11から明らかなように、超音
波励振装置26を3台設置した場合、3台全台の前方に
水素ガス飽和超純水供給装置21を付加した場合(条件
1)と、2台目の超音波励振装置26の前方に水素ガス
飽和超純水供給装置21を付加せず省略した場合(条件
2)においては、その洗浄結果において相違がないこと
が明らかである。従って、超音波励振装置26の設置台
数に応じて同数の水素ガス飽和超純水供給装置21を超
音波励振装置26の前方に設置し水素ガス飽和超純水2
4を基板3に供給して液膜を形成する必要はなく、液膜
が形成されてさえいれば、2台目以降の超音波励振装置
26には、水素ガス飽和超純水供給装置21を設けない
構成も可能である。
As is clear from FIGS. 9 to 11, when three ultrasonic exciters 26 are installed, and hydrogen gas saturated ultrapure water supply devices 21 are added in front of all three (condition 1). When the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is not added in front of the second ultrasonic excitation device 26 and is omitted (condition 2), it is apparent that there is no difference in the cleaning result. Therefore, the same number of hydrogen gas-saturated ultrapure water supply devices 21 are installed in front of the ultrasonic excitation devices 26 according to the number of the ultrasonic excitation devices 26 installed, and the hydrogen gas saturated ultrapure water 2 is installed.
It is not necessary to supply 4 to the substrate 3 to form a liquid film, and as long as the liquid film is formed, the second and subsequent ultrasonic excitation devices 26 are provided with the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21. A configuration not provided is also possible.

【0067】本発明による洗浄処理方法及び洗浄処理装
置の洗浄評価例を図13乃至図15に示す。図13は、
素ガラス基盤での紫外線処理有り、無しでのパーティク
ル結果を示す図、図14は、Cr膜付き基盤での紫外線
処理有り、無しでのパーティクル結果を示す図である。
13 to 15 show cleaning evaluation examples of the cleaning method and cleaning apparatus according to the present invention. Figure 13
FIG. 14 is a diagram showing particle results with and without UV treatment on the base glass substrate, and FIG. 14 is a diagram showing particle results with and without UV treatment on the substrate with a Cr film.

【0068】基板は、素ガラス(680×880mm×
t0.7mm)とクロムを成長させた基盤(以下Cr基
盤 550×650mm×t0.7mm)を使用した。
洗浄前の素ガラス基盤とCr膜付きの基板3を測定した
ところ、素ガラス基盤の表面のパーティクルは、233
0個、2481個(1.0μm以上)(図13)、Cr
膜付きのパーティクルは、2774個、2823個(図
14)であった。紫外線処理(70mJ/cm2を12
秒基盤に照射)した基板3としてない基板をそれぞれ水
素水と超音波による洗浄処理をし、洗浄後の基板3のパ
ーティクルを測定した。測定には、日立電子製のGI4
920を用いた。その結果、図13と図14に示す通
り、素ガラス、Cr膜付き基盤ともに紫外線処理した基
盤の方がパーティクル残存数が少なく、洗浄効果が高い
ことが示された。また、図15に示す素ガラス基板での
紫外線処理有り、無しでの接触角評価においても紫外線
処理した場合の方が接触角が低く(パーティクルの残存
数が少なく)、洗浄効果が高いことが示された。
The substrate is a raw glass (680 × 880 mm ×
t0.7 mm) and a substrate on which chromium was grown (hereinafter referred to as Cr substrate 550 × 650 mm × t0.7 mm) were used.
When the substrate 3 before cleaning and the substrate 3 with the Cr film were measured, particles on the surface of the substrate were 233
0, 2481 (1.0 μm or more) (Fig. 13), Cr
The number of particles with a film was 2774 and 2823 (FIG. 14). UV treatment (70mJ / cm2 12
The substrate not irradiated with the second substrate) was subjected to cleaning treatment with hydrogen water and ultrasonic waves, and the particles of the substrate 3 after cleaning were measured. For measurement, Hitachi Electronics GI4
920 was used. As a result, as shown in FIG. 13 and FIG. 14, it was shown that both the base glass and the base with the Cr film had a smaller number of remaining particles and a higher cleaning effect on the base subjected to the UV treatment. Further, in the contact angle evaluation with and without UV treatment on the plain glass substrate shown in FIG. 15, the contact angle was smaller (the number of remaining particles was smaller) and the cleaning effect was higher when the UV treatment was performed. Was done.

【0069】第2の工程の超音波洗浄を経て、基板3は
駆動ローター2による搬送を介して第3の工程である基
板乾燥工程へと移行して、水素ガス飽和超純水24で濡
れている基板3の乾燥を行う。ドライユニット30にお
ける乾燥方法としては、一般的にスピン乾燥、IPA蒸
気乾燥、マランゴニ乾燥、エアーナイフ乾燥が知られて
おり、いずれか1の乾燥方法又はその組み合わせにより
被処理物を乾燥する。例えば、スピン乾燥においては、
図1(a)及び図16に示すように基板3をスピンドラ
イヤ31で回転させて、乾燥させる。また、図1(b)
及び図2に示すようにエアーナイフ乾燥については、大
量のエアーを基盤またはウエーハに吹き付けて乾燥させ
る。また、IPA蒸気乾燥については、水で濡れた基板
3をIPA(イソプロピルアルコール)の蒸気で置換し
ながら引き上げて乾燥させる。また、マランゴニ乾燥に
ついては、マランゴニ効果を用いて乾燥を行う。
After the ultrasonic cleaning in the second step, the substrate 3 is transferred by the driving rotor 2 to the third step of drying the substrate, which is wet with the hydrogen gas saturated ultrapure water 24. The substrate 3 which is present is dried. As the drying method in the dry unit 30, spin drying, IPA vapor drying, Marangoni drying, and air knife drying are generally known, and the object to be treated is dried by any one of the drying methods or a combination thereof. For example, in spin drying,
As shown in FIGS. 1A and 16, the substrate 3 is rotated by a spin dryer 31 and dried. In addition, FIG.
Also, as shown in FIG. 2, for air knife drying, a large amount of air is blown onto the substrate or wafer to dry it. For IPA vapor drying, the substrate 3 wet with water is pulled up and dried while being replaced with vapor of IPA (isopropyl alcohol). As for Marangoni drying, the Marangoni effect is used for drying.

【0070】従って、本発明は、第1の工程において、
紫外線14を基板3に照射し、又は、オゾン水により洗
浄を行うことにより、有機物を基板3表面から分解剥離
し、基板3の表面に付着する有機物の減少に伴い親水性
になる(濡れ性になる)ことを利用し、親水処理を行
う。第2の工程で、基板3に対して水素ガス飽和超純水
を供給する場合、第1の工程において親水処理(濡れ
性)されているため少ない液量で容易に基板3上に水素
ガス飽和超純水24の液膜24aを形成可能とするもの
である。さらに、第3の工程においては、基板3上に形
成された水素ガス飽和超純水24の液膜と接触可能な近
傍に超音波発振面28cが設けられているため、超音波
パワーの減衰が少なく、水素ガス飽和超純水を洗浄液と
して使用することとも相まって、高い洗浄効果を得るこ
とができ、かつ、少量の液量で超音波パワーを基板3に
伝播する事が可能である。
Therefore, according to the present invention, in the first step,
By irradiating the substrate 3 with the ultraviolet rays 14 or by washing with ozone water, organic substances are decomposed and separated from the surface of the substrate 3 and become hydrophilic as the organic substances attached to the surface of the substrate 3 decrease (wetness is improved). It is used to perform hydrophilic treatment. When hydrogen gas-saturated ultrapure water is supplied to the substrate 3 in the second step, the hydrogen gas is saturated on the substrate 3 easily with a small amount of liquid because the hydrophilic treatment (wettability) is performed in the first step. The liquid film 24a of the ultrapure water 24 can be formed. Further, in the third step, since the ultrasonic wave oscillating surface 28c is provided in the vicinity where the liquid film of the hydrogen gas saturated ultrapure water 24 formed on the substrate 3 can be contacted, the ultrasonic power is attenuated. In combination with the use of hydrogen gas-saturated ultrapure water as a cleaning liquid, a high cleaning effect can be obtained, and ultrasonic power can be propagated to the substrate 3 with a small amount of liquid.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上説明したよう、本発明によれば基板
表面(洗浄する面)を親水処理することにより濡れ性が
高くなり、洗浄効果も高くなる。水素ガス飽和超純水を
用いることで、超純水よりもさらに高い洗浄効果が得ら
れる。また、超音波を基板上に形成された液膜の近傍で
照射することで、洗浄液の使用量が大幅に低減され、超
音波パワーの減衰が低減される。さらに、基板が親水処
理されているため容易に液膜を形成可能であり、洗浄液
の使用量を大幅に削減できる。
As described above, according to the present invention, the wettability is enhanced and the cleaning effect is enhanced by hydrophilically treating the substrate surface (the surface to be cleaned). By using hydrogen gas saturated ultrapure water, a higher cleaning effect than that of ultrapure water can be obtained. Further, by irradiating the ultrasonic wave in the vicinity of the liquid film formed on the substrate, the amount of the cleaning liquid used is significantly reduced and the attenuation of the ultrasonic power is reduced. Further, since the substrate is hydrophilically treated, a liquid film can be easily formed, and the amount of cleaning liquid used can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による洗浄処理装置の概略を示す図であ
り、(a)は、第4の工程のドライユニットをスピンド
ライヤにより構成したものであり、(b)は、第4の工
程のドライユニットをエアナイフにより構成したもので
ある。
FIG. 1 is a diagram showing an outline of a cleaning processing apparatus according to the present invention, in which (a) is a dry unit of a fourth step constituted by a spin dryer, and (b) is a fourth step. The dry unit is composed of an air knife.

【図2】本発明による洗浄処理方法の水平搬送の工程図
である。
FIG. 2 is a process diagram of horizontal conveyance in the cleaning method according to the present invention.

【図3】エキシマランプにおける紫外線発生の原理を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the principle of ultraviolet ray generation in an excimer lamp.

【図4】紫外線処理装置における光洗浄の原理を示した
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a principle of light cleaning in the ultraviolet processing apparatus.

【図5】水素ガス飽和超純水供給装置の噴流パイプに設
けられた開孔から被処理物に水素ガス飽和超純水を供給
する状態及び超音波励振装置を示した斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which hydrogen gas saturated ultrapure water is supplied to an object to be processed from an opening provided in a jet pipe of the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device and an ultrasonic exciter.

【図6】水素ガス飽和超純水供給装置における水素ガス
飽和超純水の供給方法を示した側面図であり、(a)
は、噴流パイプに設けられた複数の開孔から被処理物に
水素ガス飽和超純水を供給する状態を示す側面図、
(b)は、複数の2流体ノズルから被処理物に水素ガス
飽和超純水を供給する状態を示す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing a method of supplying hydrogen gas saturated ultrapure water in a hydrogen gas saturated ultrapure water supply device, FIG.
Is a side view showing a state in which hydrogen gas-saturated ultrapure water is supplied to an object to be processed from a plurality of openings provided in a jet pipe,
(B) is a side view showing a state in which hydrogen gas saturated ultrapure water is supplied to the object to be processed from a plurality of two-fluid nozzles.

【図7】は、超音波励振装置26を3台設置した場合、
3台の全台に水素ガス飽和超純水供給装置21を付加し
た状態を示す図である。
FIG. 7 shows the case where three ultrasonic excitation devices 26 are installed,
It is a figure which shows the state which added the hydrogen gas saturated ultrapure water supply apparatus 21 to all three sets.

【図8】は超音波励振装置26を3台設置した場合2台
目の超音波励振装置26に水素ガス飽和超純水供給装置
21を付加せず省略した状態を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a state where three ultrasonic exciters 26 are installed and the hydrogen gas saturated ultrapure water supply device 21 is not added to the second ultrasonic exciter 26 and is omitted.

【図9】は、図7の場合における洗浄結果を示す表であ
る。
FIG. 9 is a table showing the cleaning results in the case of FIG. 7.

【図10】は、図8の場合における洗浄結果を示す表で
ある。
FIG. 10 is a table showing cleaning results in the case of FIG.

【図11】は、図9及び図10に示す洗浄結果の比較を
示すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing a comparison of the cleaning results shown in FIGS. 9 and 10.

【図12】水素ガス飽和超純水、純水、脱気膜水の洗浄
比較を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a comparison of cleaning with hydrogen gas-saturated ultrapure water, pure water, and degassed membrane water.

【図13】素ガラス基盤での紫外線処理有り、無しでの
パーティクル結果を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing particle results with and without UV treatment on a glass substrate.

【図14】Cr膜付き基盤での紫外線処理有り、無しで
のパーティクル結果を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing particle results with and without UV treatment on a substrate with a Cr film.

【図15】素ガラス基盤での紫外線処理有り、無しでの
接触角評価を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing contact angle evaluation with and without UV treatment on a glass substrate.

【図16】スピンドライヤの構成を示す正面図である。FIG. 16 is a front view showing a configuration of a spin dryer.

【図17】従来の洗浄処理装置を正面からみた断面図で
ある。
FIG. 17 is a cross-sectional view of a conventional cleaning processing apparatus as viewed from the front.

【図18】従来の洗浄処理装置を正面からみた断面図で
ある。
FIG. 18 is a cross-sectional view of a conventional cleaning processing apparatus as viewed from the front.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 洗浄処理装置 2 駆動ローラー 3 被処理物(基板) 4 チャンバー 5 架台 10 親水処理ユニット 11 紫外線照射装置 12 エキシマランプ 12a 内筒管 12b 外筒管 12c 放電用ガス 12d 交流電源 12e 電極 12e1 内側電極 12e2 外側電極 12f 微小放電 12g 冷却水 14 紫外線 20 超音波洗浄ユニット 21 洗浄液供給装置(水素ガス飽和超純水供給
装置) 21a 洗浄液供給装置 21b 洗浄液供給装置 21c 洗浄液供給装置 22 噴流パイプ 22a 開孔 22b 2流体ノズル 24 洗浄液(水素ガス飽和超純水) 24a 液膜 26 超音波励振装置 27 振動子 27a 電極板 27b 電極板 27c 電極部 28 導波体 28a フランジ部 28b 貫通孔 28c 発振面 30 ドライユニット 31 スピンドライヤ 32 エアナイフ 40 ブラシユニット 41 回転ブラシ 42 突部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning treatment apparatus 2 Drive roller 3 Processing object (substrate) 4 Chamber 5 Stand 10 Hydrophilic treatment unit 11 Ultraviolet irradiation device 12 Excimer lamp 12a Inner tube 12b Outer tube 12c Discharge gas 12d AC power supply 12e Electrode 12e1 Inner electrode 12e2 Outer electrode 12f Micro discharge 12g Cooling water 14 Ultraviolet 20 Ultrasonic cleaning unit 21 Cleaning liquid supply device (hydrogen gas saturated ultrapure water supply device) 21a Cleaning liquid supply device 21b Cleaning liquid supply device 21c Cleaning liquid supply device 22 Jet pipe 22a Open hole 22b 2 fluid Nozzle 24 Cleaning liquid (hydrogen gas saturated ultrapure water) 24a Liquid film 26 Ultrasonic excitation device 27 Transducer 27a Electrode plate 27b Electrode plate 27c Electrode portion 28 Waveguide 28a Flange portion 28b Through hole 28c Oscillation surface 30 Dry unit 31 Spin dryer 32 Air knife 40 Shi unit 41 rotating brush 42 protrusion

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) F26B 5/08 F26B 5/08 G03F 7/38 501 G03F 7/38 501 H01L 21/027 H01L 21/304 643D 21/304 643 645C 645 21/30 569F 572B (72)発明者 金塚 薫 東京都羽村市栄町3−1−5 株式会社カ イジョー内 Fターム(参考) 2H096 AA25 AA27 AA28 CA01 LA30 3B116 AA01 AB14 BB22 BB83 BC01 CC01 CC03 3B201 AA01 AB14 BB22 BB38 BB83 BB95 BB98 BC01 CC12 3L113 AA03 AB06 AB08 AB09 AC05 AC11 BA34 5F046 LA12 LA14 MA04 MA05 MA10Front page continuation (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) F26B 5/08 F26B 5/08 G03F 7/38 501 G03F 7/38 501 H01L 21/027 H01L 21/304 643D 21/304 643 645C 645 21/30 569F 572B (72) Inventor Kaoru Kazuka 3-1-5 Sakaemachi, Hamura-shi, Tokyo F-term in kaijo Co., Ltd. (reference) 2H096 AA25 AA27 AA28 CA01 LA30 3B116 AA01 AB14 BB22 BB83 BC01 CC01 CC03 3B201 AA01 AB14 BB22 BB38 BB83 BB95 BB98 BC01 CC12 3L113 AA03 AB06 AB08 AB09 AC05 AC11 BA34 5F046 LA12 LA14 MA04 MA05 MA10

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 板状の被処理物を搬送手段により架台上
を搬送して該被処理物の少なくとも一表面に親水処理を
施す第1の工程と、 前記被処理物の親水処理された面に液膜を形成する第2
の工程と、 前記被処理物の表面に形成された前記液膜に接触可能な
近傍に設けられた超音波発振面から超音波エネルギーを
被処理物に照射し洗浄する第3の工程とを有することを
特徴とする洗浄処理方法。
1. A first step of carrying a plate-like object to be processed on a gantry by a carrying means to perform hydrophilic treatment on at least one surface of the object to be treated, and a hydrophilically treated surface of the object to be treated. Second to form a liquid film on the
And a third step of irradiating the object to be treated with ultrasonic energy from an ultrasonic wave oscillating surface provided near the liquid film formed on the surface of the object to be treated and cleaning the same. A cleaning method characterized by the above.
【請求項2】 前記親水処理は、光洗浄又はオゾン水洗
浄であることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理方
法。
2. The cleaning method according to claim 1, wherein the hydrophilic treatment is light cleaning or ozone water cleaning.
【請求項3】 前記光洗浄は、エキシマランプ又は低圧
水銀ランプにより前記被処理物に紫外線を照射して行う
ことを特徴とする請求項2記載の洗浄処理方法。
3. The cleaning method according to claim 2, wherein the light cleaning is performed by irradiating the object to be processed with ultraviolet rays using an excimer lamp or a low pressure mercury lamp.
【請求項4】 前記液膜は、水素ガス飽和超純水により
形成されることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理方
法。
4. The cleaning method according to claim 1, wherein the liquid film is formed of hydrogen gas saturated ultrapure water.
【請求項5】 前記水素ガス飽和超純水の水素ガス飽和
濃度が0.8ppm以上であることを特徴とする請求項
4記載の洗浄処理方法。
5. The cleaning method according to claim 4, wherein the hydrogen gas saturated ultrapure water has a hydrogen gas saturation concentration of 0.8 ppm or more.
【請求項6】 前記液膜は、エアーと混合されて2流体
ノズルから前記被処理物の親水処理された面に塗布され
て形成されること特徴とする請求項1記載の洗浄処理方
法。
6. The cleaning method according to claim 1, wherein the liquid film is formed by being mixed with air and applied from a two-fluid nozzle onto a surface of the object to be treated which is hydrophilic.
【請求項7】 前記被処理物は、搬送手段により水平方
向又は垂直方向に移動させて洗浄を行うことを特徴とす
る請求項1記載の洗浄処理方法。
7. The cleaning method according to claim 1, wherein the object to be processed is moved in a horizontal direction or a vertical direction by a conveying means to be cleaned.
【請求項8】 前記洗浄処理方法は、第4の工程とし
て、IPA蒸気乾燥、スピン乾燥、マランゴニ乾燥、エ
アーナイフ乾燥のいずれか1又はその組み合わせにより
被処理物を乾燥することを特徴とする請求項1記載の洗
浄処理装置。
8. The cleaning method according to claim 4, wherein the fourth step is to dry the object to be processed by any one of IPA vapor drying, spin drying, Marangoni drying and air knife drying, or a combination thereof. Item 1. The cleaning apparatus according to Item 1.
【請求項9】 板状の被処理物を搬送手段により架台上
を搬送する搬送ユニットと、 前記被処理物の少なくとも一表面に親水処理を施す親水
処理ユニットと、 前記被処理物の親水処理された面に液膜を形成する洗浄
液供給装置と、 前記被処理物の表面に形成された前記液膜に接触可能な
近傍に設けられた超音波励振装置からなる超音波洗浄ユ
ニットによって、 超音波エネルギーを被処理物に照射し洗浄することを特
徴とする洗浄処理装置。
9. A transport unit for transporting a plate-shaped object to be processed on a gantry by means of a transport means, a hydrophilic treatment unit for applying a hydrophilic treatment to at least one surface of the object to be treated, and a hydrophilic treatment of the object to be treated. Ultrasonic energy is supplied by an ultrasonic cleaning unit including a cleaning liquid supply device that forms a liquid film on the upper surface and an ultrasonic vibration device that is provided in the vicinity of the liquid film formed on the surface of the object to be processed. A treatment apparatus for irradiating an object to be treated with the substance to be washed.
【請求項10】 前記親水処理ユニットは、紫外線照射
装置又はオゾン水洗浄装置からなることを特徴とする請
求項9記載の洗浄処理装置。
10. The cleaning processing apparatus according to claim 9, wherein the hydrophilic processing unit comprises an ultraviolet irradiation device or an ozone water cleaning device.
【請求項11】 前記紫外線照射装置は、エキシマラン
プ又は低圧水銀ランプにより前記被処理物に紫外線を照
射して行うことを特徴とする請求項9記載の洗浄処理装
置。
11. The cleaning processing apparatus according to claim 9, wherein the ultraviolet irradiation apparatus irradiates the object to be processed with ultraviolet rays using an excimer lamp or a low-pressure mercury lamp.
【請求項12】 前記液膜は水素ガス飽和超純水供給装
置により形成されることを特徴とする請求項9記載の洗
浄処理装置。
12. The cleaning apparatus according to claim 9, wherein the liquid film is formed by a hydrogen gas saturated ultrapure water supply device.
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