JP2003309062A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JP2003309062A JP2003309062A JP2002115773A JP2002115773A JP2003309062A JP 2003309062 A JP2003309062 A JP 2003309062A JP 2002115773 A JP2002115773 A JP 2002115773A JP 2002115773 A JP2002115773 A JP 2002115773A JP 2003309062 A JP2003309062 A JP 2003309062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample stage
- temperature
- electron beam
- sample
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】描画前および描画中に装置および試料の温度変
動により所望の位置精度が得られないという問題があっ
た。 【解決手段】描画前は装置内温度が一定になるまで描画
を行なわず、描画中は試料ステージを一定速度で動か
す。これにより、描画前および描画中の熱の影響を低減
して試料への回路パターンの高精度な描画が実現でき
る。
動により所望の位置精度が得られないという問題があっ
た。 【解決手段】描画前は装置内温度が一定になるまで描画
を行なわず、描画中は試料ステージを一定速度で動か
す。これにより、描画前および描画中の熱の影響を低減
して試料への回路パターンの高精度な描画が実現でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム描画方法
に係り、描画前および描画中の装置および試料温度を一
定にすることにより高精度に描画する電子ビーム描画装
置および描画方法に関する。
に係り、描画前および描画中の装置および試料温度を一
定にすることにより高精度に描画する電子ビーム描画装
置および描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置は、半導体ウェハや
それを露光するために用いられるマスク、レチクルへの
回路パターンの描画に用いられている。回路パターン描
画は電子ビームの偏向領域に制限があるため試料ステー
ジが試料全域を描画するために移動する。このステージ
移動のためにＸＹテーブルが動作することによって発生
する摩擦熱および前記テーブルを移動させるための駆動
部が動作することにより発生する摩擦熱が試料ステージ
の温度上昇を引き起こし、試料および搬送パレット伝わ
り温度は上昇する。また、描画後の試料ステージは前記
の理由により温度上昇した状態であり、描画後に長時間
不稼動状態が続くと試料ステージの温度は低下してしま
う。試料ステージの温度は一定に保つために水冷却装置
が使われているが、装置内の循環水を一定温度に制御し
ているため、試料ステージの温度を正確に制御するのは
困難である。
それを露光するために用いられるマスク、レチクルへの
回路パターンの描画に用いられている。回路パターン描
画は電子ビームの偏向領域に制限があるため試料ステー
ジが試料全域を描画するために移動する。このステージ
移動のためにＸＹテーブルが動作することによって発生
する摩擦熱および前記テーブルを移動させるための駆動
部が動作することにより発生する摩擦熱が試料ステージ
の温度上昇を引き起こし、試料および搬送パレット伝わ
り温度は上昇する。また、描画後の試料ステージは前記
の理由により温度上昇した状態であり、描画後に長時間
不稼動状態が続くと試料ステージの温度は低下してしま
う。試料ステージの温度は一定に保つために水冷却装置
が使われているが、装置内の循環水を一定温度に制御し
ているため、試料ステージの温度を正確に制御するのは
困難である。
【０００３】このため、描画中に試料や搬送パレットの
伸縮および位置変動が発生して描画位置精度を悪化させ
る問題があった。
伸縮および位置変動が発生して描画位置精度を悪化させ
る問題があった。
【０００４】描画前および描画中の試料ステージの移動
によって発生する温度変化を制御していないことによ
り、回路パターンの描画位置が拡大縮小や位置シフトす
る場合があり、描画前および描画中の試料ステージ温度
を制御する必要があった。
によって発生する温度変化を制御していないことによ
り、回路パターンの描画位置が拡大縮小や位置シフトす
る場合があり、描画前および描画中の試料ステージ温度
を制御する必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、描画前およ
び描画中の温度の影響を低減して高精度に描画を行うこ
とができる電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。
び描画中の温度の影響を低減して高精度に描画を行うこ
とができる電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による実施態様は、描画前および描画中の試
料ステージの温度を一定にする構成を備えたものであ
る。この構成により、試料への温度の影響を低減して高
精度に描画を行うことが可能となる。
に、本発明による実施態様は、描画前および描画中の試
料ステージの温度を一定にする構成を備えたものであ
る。この構成により、試料への温度の影響を低減して高
精度に描画を行うことが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係わる電子ビ
ーム描画装置の構成の概要を説明する。
ーム描画装置の構成の概要を説明する。
【０００８】図１において、電子ビーム描画装置の装置
本体１は、電子ビームを発生させる電子銃２と該電子銃
２から発せられた点線で示す電子ビームを試料５に投射
するための電子光学系を備えた鏡体３と、電子線を試料
５の所望の位置に走査させるための偏向器４と、試料５
を搬送するための搬送パレット６と、試料５と搬送パレ
ット６を搭載し描画時に移動する試料ステージ７とそれ
らを格納する真空を保持した試料室８と、試料ステージ
７を駆動する駆動装置９と、試料を大気中から真空中へ
入れるための交換室１０と、試料５および搬送パレット
６を前記試料室８と交換室１０間で移動させるための搬
送ローダ１１と前記搬送ローダの作動を制御する搬送制
御装置１２と、試料ステージ７と交換室１０の温度測定
をする温度測定装置１３と、試料室８と交換室１０を温
度制御する温度制御装置１４を備えている。試料ステー
ジ７の位置はセンサ(図示せず）からの二点鎖線で示す
信号を受信して測長計１５によって測定される。駆動装
置９はステージ制御装置１６からの信号で作動し、ステ
ージ制御装置１６は測長計１５からの信号と制御計算機
１８からの信号によって作動する。
本体１は、電子ビームを発生させる電子銃２と該電子銃
２から発せられた点線で示す電子ビームを試料５に投射
するための電子光学系を備えた鏡体３と、電子線を試料
５の所望の位置に走査させるための偏向器４と、試料５
を搬送するための搬送パレット６と、試料５と搬送パレ
ット６を搭載し描画時に移動する試料ステージ７とそれ
らを格納する真空を保持した試料室８と、試料ステージ
７を駆動する駆動装置９と、試料を大気中から真空中へ
入れるための交換室１０と、試料５および搬送パレット
６を前記試料室８と交換室１０間で移動させるための搬
送ローダ１１と前記搬送ローダの作動を制御する搬送制
御装置１２と、試料ステージ７と交換室１０の温度測定
をする温度測定装置１３と、試料室８と交換室１０を温
度制御する温度制御装置１４を備えている。試料ステー
ジ７の位置はセンサ(図示せず）からの二点鎖線で示す
信号を受信して測長計１５によって測定される。駆動装
置９はステージ制御装置１６からの信号で作動し、ステ
ージ制御装置１６は測長計１５からの信号と制御計算機
１８からの信号によって作動する。
【０００９】複数のパターンデータがデータファイル１
７に格納され、制御計算機１８においてパターンデータ
の描画順序が決定され、この描画順序に従ってパターン
データの並び替えが行われる。並び替えられたパターン
データは制御計算機１８からバッファメモリ１９へ送信
され、格納される。
７に格納され、制御計算機１８においてパターンデータ
の描画順序が決定され、この描画順序に従ってパターン
データの並び替えが行われる。並び替えられたパターン
データは制御計算機１８からバッファメモリ１９へ送信
され、格納される。
【００１０】電子ビームによる描画動作の制御演算は、
制御計算機１８からの制御命令に従って手順制御ユニッ
ト２３が行う。並び替えが行われたパターンデータはバ
ッファメモリ１９から順次読み出され、図形分解ユニッ
ト２０において設定された電子ビームの分解寸法に従っ
て分解される。ついで補正ユニット２１において電子ビ
ームの照射時間や照射位置が計算され、追従制御ユニッ
ト２２に送られる。追従制御ユニット２２において、試
料ステージ７の位置を測定する測長計１５からの試料ス
テージ７の位置情報によって電子ビームを偏向するため
の偏向データを計算し、偏向制御ユニット２４へデータ
を送る。試料ステージ７が目標位置である描画開始点に
達すると、演算された照射時間、照射位置、偏向データ
に従って試料５に電子ビームが照射され、回路パターン
の描画が行われる。
制御計算機１８からの制御命令に従って手順制御ユニッ
ト２３が行う。並び替えが行われたパターンデータはバ
ッファメモリ１９から順次読み出され、図形分解ユニッ
ト２０において設定された電子ビームの分解寸法に従っ
て分解される。ついで補正ユニット２１において電子ビ
ームの照射時間や照射位置が計算され、追従制御ユニッ
ト２２に送られる。追従制御ユニット２２において、試
料ステージ７の位置を測定する測長計１５からの試料ス
テージ７の位置情報によって電子ビームを偏向するため
の偏向データを計算し、偏向制御ユニット２４へデータ
を送る。試料ステージ７が目標位置である描画開始点に
達すると、演算された照射時間、照射位置、偏向データ
に従って試料５に電子ビームが照射され、回路パターン
の描画が行われる。
【００１１】次に図１に基づき本発明の請求項１に関係
する実施例について説明する。
する実施例について説明する。
【００１２】電子ビーム描画装置に対して起動命令がか
かっていない状態が続き試料ステージ７の温度を温度測
定装置１３によって測定された結果が制御計算機１８に
設定した下限値以下となった場合に制御計算機１８から
ステージ制御装置１６に対して試料ステージ７をダミー
移動させる起動命令がかかる。この動作は試料ステージ
７の温度を一定時間間隔で温度測定装置１３が測定した
結果が制御計算機１８に設定した基準値を超えるまで繰
り返される。
かっていない状態が続き試料ステージ７の温度を温度測
定装置１３によって測定された結果が制御計算機１８に
設定した下限値以下となった場合に制御計算機１８から
ステージ制御装置１６に対して試料ステージ７をダミー
移動させる起動命令がかかる。この動作は試料ステージ
７の温度を一定時間間隔で温度測定装置１３が測定した
結果が制御計算機１８に設定した基準値を超えるまで繰
り返される。
【００１３】次に請求項２に関係する実施例について説
明する。描画のために試料５が搬送パレット６を介して
搬送ローダ１１により試料ステージ７に搬送され、温度
測定装置１３が試料ステージ７の温度を測定した結果が
制御計算機１８に設定した下限値以下となった場合は制
御計算機１８からステージ制御装置１６に対して試料ス
テージ７をダミー移動させる起動命令がかかる。この動
作は一定時間間隔で温度測定装置１３が試料ステージ７
の温度を測定した結果が制御計算機１８に設定した基準
値を超えるまで繰り返される。これに対して前記状態に
て試料ステージ７の温度測定結果が上限値以上となった
場合には制御計算機１８から動作停止命令がかかり描画
前校正および描画動作は行われない。この状態は温度測
定装置１３が試料ステージ７の温度を一定時間間隔で測
定した結果が制御計算機１８に設定した基準値以下にな
るまで保持される。
明する。描画のために試料５が搬送パレット６を介して
搬送ローダ１１により試料ステージ７に搬送され、温度
測定装置１３が試料ステージ７の温度を測定した結果が
制御計算機１８に設定した下限値以下となった場合は制
御計算機１８からステージ制御装置１６に対して試料ス
テージ７をダミー移動させる起動命令がかかる。この動
作は一定時間間隔で温度測定装置１３が試料ステージ７
の温度を測定した結果が制御計算機１８に設定した基準
値を超えるまで繰り返される。これに対して前記状態に
て試料ステージ７の温度測定結果が上限値以上となった
場合には制御計算機１８から動作停止命令がかかり描画
前校正および描画動作は行われない。この状態は温度測
定装置１３が試料ステージ７の温度を一定時間間隔で測
定した結果が制御計算機１８に設定した基準値以下にな
るまで保持される。
【００１４】次に請求項３に関係するところを説明す
る。試料５が搬送パレット６を介して試料ステージ７に
搭載され描画が行われている状態で温度測定装置１３に
よって試料ステージ７の温度を一定時間間隔で測定され
た結果が制御計算機１８に設定した下限値以下となった
場合には制御計算機１８が描画を一時停止する命令を手
順制御ユニット２３へ送り、ステージ制御装置１６に対
しては試料ステージ７をダミー移動させる起動がかか
る。この動作は温度測定装置１３が試料ステージ７の温
度を一定間隔で測定した結果が制御計算機１８に設定し
た基準値を超えるまで繰り返される。これに対して試料
ステージ７の温度の測定結果が上限値以上となった場合
には制御計算機１８が描画を一時停止する命令を手順ユ
ニット２３へかける。この状態は温度測定装置１３が試
料ステージ７の温度を一定時間間隔で測定した結果が制
御計算機１８に設定した基準値以下になるまで保持され
る。
る。試料５が搬送パレット６を介して試料ステージ７に
搭載され描画が行われている状態で温度測定装置１３に
よって試料ステージ７の温度を一定時間間隔で測定され
た結果が制御計算機１８に設定した下限値以下となった
場合には制御計算機１８が描画を一時停止する命令を手
順制御ユニット２３へ送り、ステージ制御装置１６に対
しては試料ステージ７をダミー移動させる起動がかか
る。この動作は温度測定装置１３が試料ステージ７の温
度を一定間隔で測定した結果が制御計算機１８に設定し
た基準値を超えるまで繰り返される。これに対して試料
ステージ７の温度の測定結果が上限値以上となった場合
には制御計算機１８が描画を一時停止する命令を手順ユ
ニット２３へかける。この状態は温度測定装置１３が試
料ステージ７の温度を一定時間間隔で測定した結果が制
御計算機１８に設定した基準値以下になるまで保持され
る。
【００１５】次に本発明の請求項４に関係する実施例に
ついて説明する。試料５を試料室８へ搬送するために交
換室１０を一度大気にして試料５を搬送パレット６へ搭
載して真空を引いた後に温度測定装置１３にて搬送パレ
ット６の温度を一定時間間隔で測定した結果が制御計算
機１８に設定した上限値および下限値内になるまで搬送
制御装置１２へ試料５および搬送パレット６の試料室８
内への搬入動作の停止状態を保持する。
ついて説明する。試料５を試料室８へ搬送するために交
換室１０を一度大気にして試料５を搬送パレット６へ搭
載して真空を引いた後に温度測定装置１３にて搬送パレ
ット６の温度を一定時間間隔で測定した結果が制御計算
機１８に設定した上限値および下限値内になるまで搬送
制御装置１２へ試料５および搬送パレット６の試料室８
内への搬入動作の停止状態を保持する。
【００１６】次に図２、図３および図４に基づき本発明
の請求項５に関係する実施例について説明する。パター
ンデータ１００は制御計算機１８で並び替えた後に描画
時のストライプ幅１０１の１/８ごとに点線のサブスト
ライプ１０２として分割ファイル化され、これをバッフ
ァメモリ１９へ送る。サブストライプ内の各図形は図形
分解ユニット２０において設定された電子ビームの分解
寸法に従って分解され、各サブストライプの電子ビーム
のショット数が算出でき、この情報を制御計算機１８へ
送る。この動作を繰り返して描画前に全てのサブストラ
イプのショット数を算出しておく。各サブストライプの
描画時間ＡＴは、回路パターンを形成するために試料上
に塗布されるレジストを化学変化させるために必要な電
子ビームの露光量Ａと電子ビームの電流密度Ｂとショッ
ト数Ｃから、 （Ａ／Ｂ）×Ｃ＝ＡＴ 数１ により求まる。また、ストライプの描画時間ＢＴはスト
ライプ長Ｄとパラメータとして設定した試料ステージ７
を一定速度で動かす値Ｅから、 Ｄ／Ｅ＝ＢＴ 数２ により求まる。したがって、試料ステージ７を一定速度
Ｅで動かすには、１本目のサブストライプの描画時間Ｂ
Ｔ１から、 ＡＴ＞ＢＴ＝ＢＴ１＋ＢＴ２…ＢＴＮ 数３ の関係が成り立つまでＮ本のサブストライプを最大８本
として加算し１本のストライプとする。これにより疎な
パターン部分１０３では試料ステージ７は制御計算機１
８へ設定した一定速度で動作をしながら制御計算機１８
へ設定した最大ストライプ幅１０５で描画を行い、また
密なパターン部分１０４では試料ステージ７が制御計算
機１８へ設定した移動速度で動けるだけのサブストライ
プ数だけ、すなわち設定以下のストライプ幅１０６にて
描画を行う。以降、前記と同様の動作を繰り返すことに
よって、ストライプ幅は描画密度依存で可変としながら
試料ステージ７を一定速度で動作して描画を行う。
の請求項５に関係する実施例について説明する。パター
ンデータ１００は制御計算機１８で並び替えた後に描画
時のストライプ幅１０１の１/８ごとに点線のサブスト
ライプ１０２として分割ファイル化され、これをバッフ
ァメモリ１９へ送る。サブストライプ内の各図形は図形
分解ユニット２０において設定された電子ビームの分解
寸法に従って分解され、各サブストライプの電子ビーム
のショット数が算出でき、この情報を制御計算機１８へ
送る。この動作を繰り返して描画前に全てのサブストラ
イプのショット数を算出しておく。各サブストライプの
描画時間ＡＴは、回路パターンを形成するために試料上
に塗布されるレジストを化学変化させるために必要な電
子ビームの露光量Ａと電子ビームの電流密度Ｂとショッ
ト数Ｃから、 （Ａ／Ｂ）×Ｃ＝ＡＴ 数１ により求まる。また、ストライプの描画時間ＢＴはスト
ライプ長Ｄとパラメータとして設定した試料ステージ７
を一定速度で動かす値Ｅから、 Ｄ／Ｅ＝ＢＴ 数２ により求まる。したがって、試料ステージ７を一定速度
Ｅで動かすには、１本目のサブストライプの描画時間Ｂ
Ｔ１から、 ＡＴ＞ＢＴ＝ＢＴ１＋ＢＴ２…ＢＴＮ 数３ の関係が成り立つまでＮ本のサブストライプを最大８本
として加算し１本のストライプとする。これにより疎な
パターン部分１０３では試料ステージ７は制御計算機１
８へ設定した一定速度で動作をしながら制御計算機１８
へ設定した最大ストライプ幅１０５で描画を行い、また
密なパターン部分１０４では試料ステージ７が制御計算
機１８へ設定した移動速度で動けるだけのサブストライ
プ数だけ、すなわち設定以下のストライプ幅１０６にて
描画を行う。以降、前記と同様の動作を繰り返すことに
よって、ストライプ幅は描画密度依存で可変としながら
試料ステージ７を一定速度で動作して描画を行う。
【００１７】次に本発明の請求項６の実施例について説
明する。パターンデータ１００は制御計算機１８で並び
替えた後に描画時のストライプ幅１０１の１/８ごとに
サブストライプ１０２として分割ファイル化され、この
時に各サブストライプの図形数を算出する。装置にはあ
らかじめ描画中に一定に試料ステージ７を動作させる速
度および試料ステージ７の一定速度を保つために可能な
最大図形数Ｆを制御計算機１８へ設定しておき、１本目
のサブストライプの図形数Ｇ１から、 Ｆ＞Ｇ１＋Ｇ２…ＧＮ 数４ の関係が維持されるまでＮ本のサブストライプの図形数
を最大８本として加算していく。その後Ｎ本のサブスト
ライプをバッファメモリ１９へ転送を行い１本のストラ
イプとして描画を行う。これにより図形数が少ないパタ
ーン部分１０３では試料ステージ７は設定した一定速度
で動作をしながら設定ストライプ幅１０５に対して描画
を行い、また図形数の多いパターン部分１０４では試料
ステージ７が設定した移動速度で動けるだけのサブスト
ライプ数だけ、すなわち設定以下のストライプ幅１０６
に対して描画を行う。以降、前記と同様の動作を繰り返
すことによって、ストライプ幅は描画密度依存で可変と
しながら試料ステージ７を一定速度で動作して描画を行
う。
明する。パターンデータ１００は制御計算機１８で並び
替えた後に描画時のストライプ幅１０１の１/８ごとに
サブストライプ１０２として分割ファイル化され、この
時に各サブストライプの図形数を算出する。装置にはあ
らかじめ描画中に一定に試料ステージ７を動作させる速
度および試料ステージ７の一定速度を保つために可能な
最大図形数Ｆを制御計算機１８へ設定しておき、１本目
のサブストライプの図形数Ｇ１から、 Ｆ＞Ｇ１＋Ｇ２…ＧＮ 数４ の関係が維持されるまでＮ本のサブストライプの図形数
を最大８本として加算していく。その後Ｎ本のサブスト
ライプをバッファメモリ１９へ転送を行い１本のストラ
イプとして描画を行う。これにより図形数が少ないパタ
ーン部分１０３では試料ステージ７は設定した一定速度
で動作をしながら設定ストライプ幅１０５に対して描画
を行い、また図形数の多いパターン部分１０４では試料
ステージ７が設定した移動速度で動けるだけのサブスト
ライプ数だけ、すなわち設定以下のストライプ幅１０６
に対して描画を行う。以降、前記と同様の動作を繰り返
すことによって、ストライプ幅は描画密度依存で可変と
しながら試料ステージ７を一定速度で動作して描画を行
う。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、描画前及び描画中の試
料への熱の影響を低減できるので回路パターンの高精度
な描画が実現できる。
料への熱の影響を低減できるので回路パターンの高精度
な描画が実現できる。
【図１】本発明の実施例に係わるもので、電子ビーム描
画装置概略図である。
画装置概略図である。
【図２】本発明の実施例に係わるもので、電子ビーム描
画装置概略図。
画装置概略図。
【図３】本発明の実施例に係わるもので、描画方法の一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図４】本発明の実施例に係わるもので、描画方法の他
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
１…装置本体部、２…電子銃、３…鏡体、４…偏向器、
５…試料、６…搬送パレット、７…試料ステージ、８…
試料室、９…駆動装置、１０…交換室、１１…搬送ロー
ダ、１２…搬送制御装置、１３…温度測定装置、１４…
温度制御装置、１５…測長計、１６…ステージ制御装
置、１７…回路データ、１８…制御計算機、１９…バッ
ファメモリ、２０…図形分解部、２１…補正部、２２…
追従制御部、２３…手順制御部、２４…偏向制御部、１
００…回路パターン、１０１…ストライプ、１０２…サ
ブストライプ、１０３…パターン密度小部、１０４…パ
ターン密度大部、１０５…パターン密度小部ストライ
プ、１０６…パターン密度大部ストライプ。
５…試料、６…搬送パレット、７…試料ステージ、８…
試料室、９…駆動装置、１０…交換室、１１…搬送ロー
ダ、１２…搬送制御装置、１３…温度測定装置、１４…
温度制御装置、１５…測長計、１６…ステージ制御装
置、１７…回路データ、１８…制御計算機、１９…バッ
ファメモリ、２０…図形分解部、２１…補正部、２２…
追従制御部、２３…手順制御部、２４…偏向制御部、１
００…回路パターン、１０１…ストライプ、１０２…サ
ブストライプ、１０３…パターン密度小部、１０４…パ
ターン密度大部、１０５…パターン密度小部ストライ
プ、１０６…パターン密度大部ストライプ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水野 一亥
茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株
式会社日立ハイテクノロジーズ設計・製造
統括本部那珂事業所内
(72)発明者 島田 肇
茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株
式会社日立ハイテクノロジーズ設計・製造
統括本部那珂事業所内
Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA10 BB10 CA16 LA10
5C001 AA01 BB01 BB02 CC06
5F056 AA20 BA10 CB21 CC16 CD05
CD15 EA13 EA14
Claims (6)
- 【請求項１】試料ステージおよび試料ステージへ試料を
搬送するための搬送パレット、試料を外部から試料ステ
ージへ搬送する搬送ローダおよび各部の温度測定を行う
温度測定装置を有する電子ビーム描画装置において、 電子ビーム描画装置の不稼動状態により試料ステージの
温度が設定下限値以下になった場合に試料ステージの温
度が設定基準値以上になるまで試料ステージを一定動作
させる機能を有することを特徴とする電子ビーム描画装
置。 - 【請求項２】請求項１に記載した電子ビーム描画装置に
おいて 試料ステージ上に試料を搬送した状態で試料ステージの
温度を測定し、その温度が設定上限値以上の場合は設定
基準値以下になるまで描画前の校正および描画起動を待
たせる機能、および試料ステージの温度が設定下限値以
下の場合は設定基準値以上になるまで試料ステージを一
定動作させてから校正および描画を起動する機能を有す
ることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項３】請求項１に記載した電子ビーム描画装置に
おいて 描画中に試料ステージの温度を測定し、その温度が設定
上限値以上の場合は設定基準値以下になるまで描画を停
止する機能、および設定下限値以下の場合は設定値以上
になるまで描画を一時停止し試料ステージを一定動作さ
せる機能を有することを特徴とする電子ビーム描画装
置。 - 【請求項４】請求項１に記載した電子ビーム描画装置に
おいて 搬送パレットの温度を測定し、その温度が設定温度にな
るまで試料ステージへの搬送を停止する機能を有するこ
とを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項５】描画前に計算したショット数に応じて１回
の試料ステージ動作で描画するストライプ幅を可変さ
せ、設定した一定速度で試料ステージを動作させること
により試料ステージの温度を一定に保つ描画機能を有す
ることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項６】請求項５に記載した電子ビーム描画装置に
おいて 事前に計算した図形数に応じて描画するストライプ幅を
可変させ、設定した一定速度で試料ステージを動作させ
ることにより試料ステージの温度を一定に保つ描画機能
を有することを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002115773A JP3615198B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002115773A JP3615198B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309062A true JP2003309062A (ja) | 2003-10-31 |
| JP3615198B2 JP3615198B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=29396915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002115773A Expired - Fee Related JP3615198B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3615198B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147552B2 (en) | 2013-08-09 | 2015-09-29 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus |
| US9502208B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-11-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus, stage controlling method, and stage system |
| JP2019201111A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2002
- 2002-04-18 JP JP2002115773A patent/JP3615198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147552B2 (en) | 2013-08-09 | 2015-09-29 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus |
| US9502208B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-11-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus, stage controlling method, and stage system |
| JP2019201111A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP7034825B2 (ja) | 2018-05-16 | 2022-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3615198B2 (ja) | 2005-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20170278672A1 (en) | Charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus | |
| KR20160108351A (ko) | 노광 장치, 레지스트 패턴 형성 방법 및 기억 매체 | |
| KR900004052B1 (ko) | 전자비임 노출시스템 | |
| JPH07135167A (ja) | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 | |
| Yoshitake et al. | EBM-8000: EB mask writer for product mask fabrication of 22nm half-pitch generation and beyond | |
| JP2011210992A (ja) | リソグラフィーシステム、及びリソグラフィーシステムの制御方法、それを用いたデバイスの製造方法及び物品の製造方法 | |
| JP2003309062A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JP2009246069A (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
| EP0443565B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| JP3334999B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| CN1739224A (zh) | 电磁辐射脉冲定时控制 | |
| JP2003077821A (ja) | パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 | |
| TWI581297B (zh) | Charged particle beam rendering device and charged particle beam rendering method | |
| JPS5840826A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JP2003188075A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| KR101916707B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
| JP2002260982A (ja) | 可変面積型電子ビーム描画装置を用いた描画方法 | |
| JPH04309213A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| CN110501881B (zh) | 带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法 | |
| JPH10294260A (ja) | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP2010267723A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2012109483A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP4739552B2 (ja) | 感光性レジスト上に湾曲線引を構成する方法および装置 | |
| JP2002093694A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方法 | |
| JP2005300809A (ja) | 描画装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040930 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041028 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |