JP2003303744A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2003303744A
JP2003303744A JP2002110619A JP2002110619A JP2003303744A JP 2003303744 A JP2003303744 A JP 2003303744A JP 2002110619 A JP2002110619 A JP 2002110619A JP 2002110619 A JP2002110619 A JP 2002110619A JP 2003303744 A JP2003303744 A JP 2003303744A
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Japan
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chemical
unit
filter
air
chemical filter
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JP2002110619A
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Naoto Nakamura
直人 中村
Hironobu Miya
博信 宮
Eiko Takami
栄子 高見
Ryota Sasajima
亮太 笹島
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学汚染物質の除去効率が高く、メンテナン
スサイクルの長いクリーンエア供給ユニット及び、それ
を用いた基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置は、基板を処理する反応炉
と、反応炉を収容する筐体16と、筐体16内部に空気
を取り入れる空気取り入れ口17と、空気取り入れ口1
7に設けられ筐体16内部に化学汚染物質が侵入するの
を防止する化学汚染物質除去ユニット11とを有する。
前記汚染物質除去ユニット11は光触媒ユニット11−
1とケミカルフィルタ11−2とを有し、光触媒ユニッ
ト11−1はケミカルフィルタ11−2よりも気流の上
流側に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に装置筐体の空気取り入れ口等にケミカルフィル
タ等の化学汚染物質除去手段を設置した基板処理装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体デバイスを製造
する工程において、半導体基板に、酸化処理、拡散処
理、化学気相堆積(CVD)処理等の処理を施す基板処
理装置が使用されている。
【0003】このような基板処理装置(以下、半導体製
造装置ともいう。)においては、装置の筐体内に空気を
導入する場合に、空気に含まれる有機物等の化学汚染物
質が筐体内に侵入するのを防止するために、空気の通路
にケミカルフィルタを設置する傾向がある。ここで、ケ
ミカルフィルタの一例としては、濾材に化学添着材を担
持させた活性炭素繊維を用い、物理吸着と化学反応によ
り有機ガス等のガス状化学汚染物質を除去する機能を有
するものがある。
【0004】さらに、上記の基板処理装置においては、
筐体内に空気を導入する場合に、空気に含まれる粒子状
異物が筐体内に侵入するのを防止するために、空気の通
路に粒子超低透過性空気フィルタ(Ultra Low Penetrat
ion Air Filter、以下、ULPAフィルタと略す)を設
置することが多い。ここで、ULPAフィルタの一例と
しては、濾材がPTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)もしくはガラスウールを織り合わせたもので、大き
さ0.15μmの粒子に対して99.9999%の補集率
を有する高性能フィルタがある。
【0005】したがって、通常、装置筐体の空気取り入
れ口に、ケミカルフィルタとULPAフィルタとを気流
方向に直列に配置し、空気に含まれる有機物等の化学汚
染物質や、空気に含まれる粒子状異物が筐体内に侵入す
るのを防止するようにしている。なお装置外部の空気
は、ケミカルフィルタやULPAフィルタよりも気流の
上流もしくは下流側に設けられたファンにより装置内に
取り込まれる。これらの構成部材は清浄化した空気を装
置内に供給することから、クリーンエア供給ユニットと
呼ばれる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記基板処理装置にお
いては、上述のように空気に含まれる有機物等の化学汚
染物質が装置内に侵入するのを防止するために、ケミカ
ルフィルタが設置されている。このフィルタにおける化
学汚染物質の除去は、フィルタの濾材への吸着(濾材が
吸着能を有する場合)および濾材に担持された化学添着
材と化学汚染物質との反応によって行われているので、
フィルタの使用時間の経過とともに、吸着能を有する濾
材の量や化学汚染物質の除去能力を有する化学添着材の
量の減少による化学汚染物質除去性能の低下が起こり、
許容限界を超える濃度の化学汚染物質がフィルタを透過
するようになる。したがって、そのような状態になる前
に、フィルタの交換を行う必要がある。ケミカルフィル
タの寿命は短く、通常、半年から1年で交換する必要が
ある。
【0007】また、他分野においては光触媒を用いて有
機物を除去する方法もあるが、光触媒を用いる場合、有
機物の除去効率が悪く、除去効率は良くて5割程度であ
り、半導体製造装置で必要とされる9割以上の除去効率
を得るのは極めて困難であり、半導体分野では用いられ
ることはなかった。
【0008】本発明の目的は、上記のような、ケミカル
フィルタは寿命が短く定期的に交換しなければならない
という問題、および、他分野で用いられていた光触媒に
よる有機物除去方法は除去効率が悪く半導体分野には適
用できなかったという問題を解決し、除去効率が高く、
メンテナンスサイクルの長いクリーンエア供給ユニット
及び、それを用いた基板処理装置を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、基板を処理する反応炉と、前記
反応炉を収容する筐体と、前記筐体内部に空気を取り入
れる空気取り入れ口と、前記空気取り入れ口に設けられ
前記筐体内部に化学汚染物質が侵入するのを防止する化
学汚染物質除去ユニットとを有する基板処理装置におい
て、前記化学汚染物質除去ユニットは光触媒ユニットと
ケミカルフィルタとを有し、前記光触媒ユニットは前記
ケミカルフィルタよりも気流の上流側に配置されること
を特徴とする基板処理装置を構成する。
【0010】光触媒ユニットをケミカルフィルタよりも
気流の上流側に、すなわち装置外部側に、ケミカルフィ
ルタを光触媒ユニットよりも気流の下流側に、すなわち
装置内部側に設けることにより、装置内に取り込まれる
空気は、まず光触媒ユニットを通過し、その後にケミカ
ルフィルタを通過することとなるので、ケミカルフィル
タの寿命を著しく延ばすことができる。
【0011】また、前記光触媒ユニットは紫外線ランプ
を有し、該紫外線ランプの寿命と前記ケミカルフィルタ
の寿命を、略等しくするのが望ましい。こうすることに
より、紫外線ランプとケミカルフィルタのメンテナンス
を同時に行うことが可能となり、メンテナンスによる装
置のダウンタイムを極力低減できる。
【0012】
【発明の実施の形態】図1および図2に、本発明の実施
の形態における基板処理装置の一例を示す。図1は装置
の断面図であり、図2は装置の斜視図である。
【0013】図1または図2において、16は装置の外
壁で構成される筐体であり、筐体16の上面には空気取
り入れ口17があり、空気取り入れ口17に外部から流
入する空気の通路に化学汚染物質除去ユニット11が設
けられている。化学汚染物質除去ユニット11は光触媒
ユニット11−1とケミカルフィルタ11−2によって
構成されており、それらは気流方向に直列に配置されて
いる。化学汚染物質除去ユニット11内の光触媒ユニッ
ト11−1とケミカルフィルタ11−2との間には筐体
16内に空気を送りこむためのファン(図示せず)が設
けられ、化学汚染物質除去ユニット11の下面にはUL
PAフィルタ(図示せず)が設けられている。これらの
化学汚染物質除去ユニット11すなわち光触媒ユニット
11−1とケミカルフィルタ11−2とファンと、UL
PAフィルタ等によりクリーンエア供給ユニットが構成
される。
【0014】筐体16内において、基板(図示せず)を
処理する反応炉はヒータ10、アウターチューブ13お
よびインナーチューブ12を構成要素とし、インナーチ
ューブ12内でヒータ10によって加熱された基板を処
理する機能を有する。
【0015】1は基板処理に必要なガスの供給を制御す
るガスボックスであり、2は電気系統を制御する電気ボ
ックスであり、3は複数枚の基板(図示せず)を垂直方
向に積層して載置し、それをインナーチューブ12内に
挿入するボートであり、4は基板であるウェーハ(図示
せず)をカセット18(図2のみに示す)からボート3
に、あるいは、ボート3からカセット18に移載するウ
ェーハ移載機であり、5はカセット18を後述の搬入/
搬出ステージ6とバッファ棚7、8との間で搬送する機
能を有するカセット搬送機であり、6はカセット18を
外部から装置内に搬入したり、装置内から外部に搬出し
たりする際に、カセット18を一時的に載置する搬入/
搬出ステージであり、7および8はカセット18を一時
的に保管するバッファ棚であり、9は装置機能を制御す
るコントローラボックスであり、14は化学汚染物質除
去ユニット11とファン(図示せず)とULPAフィル
タ(図示せず)とによって清浄化された空気を筐体16
内に流すダウンフロー発生部であり、15は化学汚染物
質除去ユニット11とファン(図示せず)とULPAフ
ィルタ(図示せず)とによって清浄化された空気をバッ
ファ棚7および8へ向けて流すバッファ棚フロー発生部
である。ダウンフロー発生部14とバッファ棚フロー発
生部15の構成は、上述の装置筐体16上面の空気取り
入れ口17に設置したクリーンエア供給ユニットと同じ
構成としているが、異なる構成としても構わない。例え
ば、化学汚染物質除去ユニット11をケミカルフィルタ
11−2だけで構成し、ケミカルフィルタ11−2とフ
ァンとULPAフィルタだけで構成しても構わない。
【0016】上述のように、図1および図2に示した基
板処理装置において、空気に含まれる有機物等の化学汚
染物質が装置内に侵入するのを防止するために、筐体1
6上面の空気取り入れ口17には、光触媒ユニット11
−1とケミカルフィルタ11−2によって構成された化
学汚染物質除去ユニット11が設置されている。図3に
この化学汚染物質除去ユニット11のより詳しい構成を
示す。化学汚染物質除去ユニット11は光触媒ユニット
11−1とケミカルフィルタ11−2とファン19とか
らなり、光触媒ユニット11−1とケミカルフィルタ1
1−2は気流方向(空気の流れ方向)に直列に配置され
ている。ファン19は光触媒ユニット11−1とケミカ
ルフィルタ11−2との間に配置されている。光触媒ユ
ニット11−1は気流の上流側に、すなわち装置外部側
に、ケミカルフィルタ11−2は気流の下流側に、すな
わち装置内部側に設けるのが望ましい。筐体16内に取
り入れられる空気は、まず気流の上流側に設けられた光
触媒ユニット11−1を通過し、その後ファンを介して
気流の下流側に設けられたケミカルフィルタ11−2を
通過することとなる。
【0017】図4に光触媒ユニット11−1の構成の概
要と原理を示す。光触媒ユニット11−1は、紫外線ラ
ンプ100と、光触媒となる酸化チタン(TiO2)1
01とを有する。紫外線ランプ100から照射された紫
外線が酸化チタン101に当たると光電効果により電子
が飛び出し、正孔(ホール)が発生する。電子は空気中
の酸素を還元してスーパーオキサイドアニオン(O2 -
に、正孔は空気中の水分を酸化してヒドロキシラジカル
(水酸基ラジカル)(OH)となる。スーパーオキサイ
ドアニオンとヒドロキシラジカルは活性酸素種と呼ば
れ、強力な酸化作用を示し、これが有機物を分解するこ
ととなる。具体的には、ヒドロキシラジカルはその強い
酸化力により、有機物を分解して水(水蒸気)と二酸化
炭素に変える。スーパーオキサイドアニオンは、空気中
の酸素と反応して過酸化水素を経て水に変化する。
【0018】上述のような化学汚染物質除去ユニット1
1では、空気は上述のように、まず光触媒ユニット11
−1を通過するが、その際、光触媒ユニット11−1で
空気中の有機汚染物質を数十%除去する。次に光触媒ユ
ニット11−1を通過した空気は、ファン19を介して
ケミカルフィルタ11−2を通過するが、その際、ケミ
カルフィルタ11−2で空気中の有機汚染物質を、目的
とする汚染量となるまで除去することとなる。
【0019】光触媒ユニット11−1で空気中の汚染物
質のうち1/2の汚染物質を除去できれば、ケミカルフ
ィルタ11−2の寿命はケミカルフィルタ11−2で除
去する汚染物質量に反比例して長くなるので、光触媒ユ
ニット11−1を用いない場合に対して寿命が2倍とな
り、光触媒ユニット11−1で2/3の汚染物質を除去
できれば、ケミカルフィルタ11−2の寿命は、光触媒
ユニット11−1を用いない場合に対して3倍となる。
【0020】図5に光触媒ユニットの汚染物質除去効率
とケミカルフィルタの寿命の関係を示す。図5では、光
触媒ユニットの除去効率が0%である場合、すなわち光
触媒ユニットを用いない場合のケミカルフィルタの寿命
を1年としている。図より、光触媒ユニットの除去効率
が50%、67%、75%、80%、90%である場
合、ケミカルフィルタの寿命は、光触媒ユニットを用い
ない場合に対し、それぞれ2倍、3倍、4倍、5倍、1
0倍となり、それぞれ寿命は2年、3年、4年、5年、
10年に伸びることが分かる。
【0021】以上のことから、本発明によりケミカルフ
ィルタの寿命を著しく延ばすことができ、従来よりもメ
ンテナンス期間を長くすることができる。これにより、
装置の稼動率を向上させることができ、生産性を上げる
ことが可能となる。また、ケミカルフィルタの交換回数
が少なくなることにより、ケミカルフィルタの費用を低
減することができる。
【0022】なお、ケミカルフィルタの寿命を延ばすた
めには、光触媒ユニットをケミカルフィルタよりも気流
の上流側に、すなわち装置外部側に、ケミカルフィルタ
を光触媒ユニットよりも気流の下流側に、すなわち装置
内部側に配置し、装置内に取り込まれる空気が光触媒ユ
ニットを通過した後に、ケミカルフィルタを通過するよ
うにする必要がある。逆に配置した場合は、ケミカルフ
ィルタの寿命を延ばすことはできない。
【0023】また、メンテナンスによる装置のダウンタ
イムを極力短くすることを考慮すると、光触媒ユニット
の紫外線ランプの寿命とケミカルフィルタの寿命を略等
しくするのが望ましい。すなわち、予め光触媒ユニット
の紫外線ランプの寿命とケミカルフィルタの寿命を割り
だしておき、寿命が略等しいものを選定する。こうする
ことにより、紫外線ランプとケミカルフィルタのメンテ
ナンスを同時に行うことが可能となるので、装置のダウ
ンタイムを極力短くすることができ(装置の稼動率を向
上させることができ)、生産性を上げることが可能とな
る。
【0024】
【発明の効果】本発明の実施により、ケミカルフィルタ
の寿命を延ばすことができ、メンテナンス期間を長くす
ることができる。すなわち、装置の稼動率を向上させる
ことができ、生産性を上げることが可能となる。また、
ケミカルフィルタの交換回数が少なくなることにより、
ケミカルフィルタの費用を低減することが可能となる。
また、装置のダウンタイムを極力短くすることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の断面図である。
【図2】本発明に係る基板処理装置の斜視図である。
【図3】本発明に係る基板処理装置における化学汚染物
質除去ユニット(光触媒ユニットとファンとケミカルフ
ィルタの位置関係)を説明する図である。
【図4】本発明に係る基板処理装置における光触媒ユニ
ットの構成、原理を説明する図である。
【図5】本発明に係る基板処理装置における光触媒ユニ
ットの除去効率とケミカルフィルタの寿命を説明する図
である。
【符号の説明】
1…ガスボックス、2…電気ボックス、3…ボート、4
…ウェーハ移載機、5…カセット搬送機、6…搬入/搬
出ステージ、7、8…バッファ棚、9…コントローラボ
ックス、10…ヒータ、11…化学汚染物質除去ユニッ
ト、11−1…光触媒ユニット、11−2…ケミカルフ
ィルタ、12…インナーチューブ、13…アウターチュ
ーブ、14…ダウンフロー発生部、15…バッファ棚フ
ロー発生部、16…筐体、17…空気取り入れ口、18
…カセット、19…ファン、100…紫外線ランプ、1
01…光触媒(酸化チタン)
フロントページの続き (72)発明者 笹島 亮太 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 4G069 AA02 BA04A BA04B BA48A CA01 CA10 CA11

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理する反応炉と、前記反応炉を
    収容する筐体と、前記筐体内部に空気を取り入れる空気
    取り入れ口と、前記空気取り入れ口に設けられ前記筐体
    内部に化学汚染物質が侵入するのを防止する化学汚染物
    質除去ユニットとを有する基板処理装置において、前記
    化学汚染物質除去ユニットは光触媒ユニットとケミカル
    フィルタとを有し、前記光触媒ユニットは前記ケミカル
    フィルタよりも気流の上流側に配置されることを特徴と
    する基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記光触媒ユニットは紫外線ランプを有
    し、該紫外線ランプの寿命と前記ケミカルフィルタの寿
    命とを略等しくしたことを特徴とする請求項1に記載の
    基板処理装置。
JP2002110619A 2002-04-12 2002-04-12 基板処理装置 Pending JP2003303744A (ja)

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