JP2003302302A - 定義された曲率を有するセラミック基板、その製造法および該基板の使用 - Google Patents

定義された曲率を有するセラミック基板、その製造法および該基板の使用

Info

Publication number
JP2003302302A
JP2003302302A JP2003017848A JP2003017848A JP2003302302A JP 2003302302 A JP2003302302 A JP 2003302302A JP 2003017848 A JP2003017848 A JP 2003017848A JP 2003017848 A JP2003017848 A JP 2003017848A JP 2003302302 A JP2003302302 A JP 2003302302A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
ceramic substrate
layers
thermal expansion
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003017848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4388747B2 (ja
Inventor
Anja Neubert
ノイベルト アニャ
Holger Hoefer
ヘーファー ホルガー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JP2003302302A publication Critical patent/JP2003302302A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4388747B2 publication Critical patent/JP4388747B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0014—Shaping of the substrate, e.g. by moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
    • B32B2315/02—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
    • C04B2237/582—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles by joining layers or articles of the same composition but having different additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/76—Forming laminates or joined articles comprising at least one member in the form other than a sheet or disc, e.g. two tubes or a tube and a sheet or disc
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09018—Rigid curved substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Force In General (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロハイブリッド技術の範囲で使用され
るさらに改善されたセラミック基板を提供する。 【解決手段】 マイクロハイブリッド技術、多層セラミ
ック技術またはハイブリッド技術において使用される、
定義された曲率を有し、異なって定義された温度膨張率
を有する少なくとも２個のセラミック層が重なり合うよ
うに配置され、かつ互いに堅固に結合されたセラミック
基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロハ
イブリッド技術の範囲で使用されるセラミック基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】この種のセラミック基板は、一般に複数
の層で構成されている。そのために、同種のテープ層、
即ち同じ組成を有するテープ層が重なり合うように配置
され、貼り合わされ、かつ焼結される。テープ層は、通
常、酸化物ガラスの系、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２お
よびＣａＯの混合物からなる。セラミック基板のこの出
発物質は、焼結の際に化学的に変換され、その際に結晶
相、例えば結晶性珪酸塩灰長石（ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ３・
２ＳｉＯ２）が形成される。実際に、こうして平らな多
層セラミック基板が製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、マイ
クロハイブリッド技術の範囲で使用されるさらに改善さ
れたセラミック基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、定義さ
れた曲率を有するセラミック基板を製造することが提案
されている。
【０００５】特に好ましい使用において、本発明による
セラミック基板は、圧電抵抗型抵抗素子を有する圧力セ
ンサーまたは動力センサーのメンブラン素子として使用
される。そのために、本発明による湾曲されたセラミッ
ク基板は、測定すべき圧力または測定すべき動力がセラ
ミック基板の曲率によって制限されたバイアスに抗して
作用するように配置されている。好ましくは、本発明に
よるセラミック基板は、前記の使用のために、取付け面
とセラミック基板との間に空隙が介在する程度に平らな
取付け面に亘って配置されている。この場合、取付け面
は、空隙範囲を形成するだけでなく、セラミック基板の
ための機械的端部ストッパーとして使用されている。そ
れというのも、この取付け面は、測定すべき圧力または
測定すべき動力に耐えるからである。それによって、セ
ラミック基板の過剰負荷は、回避される。その上、平ら
な担体および本発明による湾曲されたセラミック基板か
らなるセンサー素子のこの種の構造の場合には、空隙の
縁部で破壊を招きうる圧力の高騰がまったく起こらな
い。その上、空隙を有するこの種のセンサー素子は、成
形セラミックを不用とすることができるので、簡単で安
価に実現させることができる。
【０００６】原則的に、定義された曲率を有する本発明
によるセラミック基板を実現させるために異なる方法が
存在する。そのために、特に好ましい変法において、異
なる温度膨張率（temperatur coefficient of expansio
n-TCE）ではあるが、それぞれ定義されて調節された温
度膨張率を有する少なくとも２個のセラミック層が重な
り合うように配置され、例えば焼結によって互いに堅固
に結合される。こうして、基板の曲率は、極めて正確に
予め設定されうる。
【０００７】個々のセラミック層の温度膨張率は、例え
ば簡単に種結晶を個々のセラミック層の出発物質に意図
的に混合することによって予め設定される。即ち、この
場合には、セラミック基板中にセラミック層が互いに組
み合わされ、即ち重なり合うように配置され、互いに結
合され、この場合このセラミック層は、組成の点で本質
的に異なっており、場合によってはむしろ異なる物質系
がこれに属する。即ち、例えば出発物質Ａｌ２Ｏ３、Ｐ
ｂＯおよびＢ２Ｏ３を有するセラミック層は、出発物質
Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＣａＯを有するセラミック
層と組み合わせることができる。Ａｌ２Ｏ３、ＰｂＯお
よびＢ２Ｏ３からなる混合物は、焼結の際に結晶性灰長
石、ゲーレナイトおよび／または珪灰石に変換され、一
方、Ａｌ ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＣａＯからなる混合物
は、焼結の際に結晶性珪酸塩灰長石に変換される。
【０００８】前記したように、本発明による教示を有利
に構成させ、さらに形成させる異なる方法が存在する。
そのために、一面で特許請求の範囲、他面、図１につい
ての本発明の実施例の次の記載を指摘する。
【０００９】
【実施例】図１に示された圧力センサー１は、平らな担
体２を含み、この担体は、変形されることなく予想すべ
き圧力に耐える程度の特性を有している。担体２は、例
えば金属またはセラミック基板から形成されていてよ
い。平らな基板２上には、メンブラン素子３が定義され
た曲率を有する本発明によるセラミック基板の形で取り
付けられており、したがって担体２とセラミック基板３
との間には、空隙４が存在する。空隙４から離れた、セ
ラミック基板３の面上には、回路５が配置されており、
この回路は、少なくとも１個の圧電抵抗型抵抗素子を含
み、例えばスクリーン印刷技術で実現されていてよい。
また、選択的に圧電抵抗型抵抗素子を有する回路は、空
隙に対向した、セラミック基板の面上に配置されていて
もよく、この場合には、この回路は、外部の作用から良
好に保護されている。
【００１０】圧力センサー１は、測定すべき圧力が曲率
に制限された、メンブラン素子３のバイアスに抗して作
用し、メンブラン素子３の変形を惹起する程度に配置さ
れている。この場合、メンブラン素子３の曲率は、出発
状態での最大の曲率からストッパーでの最少の曲率に到
るまで変化し、この場合このストッパーは、担体２によ
って形成されている。また、メンブラン素子３の曲率で
圧電抵抗型抵抗素子の電気抵抗は変化する。更に、圧力
は、簡単に例えばホイートストンのブリッジ型回路を用
いて前記抵抗の変化を評価することによって測定されう
る。
【００１１】この種のセンサー素子１の場合の最大の動
力の衝撃は、本質的にメンブラン素子３の幾何学的寸法
に依存する。最大で検出することができる動力の衝撃
は、厚さおよび幅の拡大ならびにセラミックの長さの縮
小によって増大する。即ち、センサー素子１は、小さく
敏感な測定範囲または大きな測定範囲の幾何学的設計に
相応して利用されることができる。
【００１２】既述したように、メンブラン素子３は、定
義された曲率またはバイアスを有する本発明によるセラ
ミック基板である。この本発明によるセラミック基板
は、出発物質がそれぞれＡｌ２Ｏ３粉末および主にＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＣａＯからなるガラスフリット
である複数の層からなる。
【００１３】このようなメンブラン素子の製造のため
に、本明細書中に記載された実施例において、種結晶の
僅かなドーピングを有する出発物質の２層と種結晶の多
量のドーピングを有する出発物質の２層とは、重なり合
うように積み重ねられ、貼り合わされる。種結晶のドー
ピングは、粉末状化された形でもたらされるセラミック
を混合することによって行なわれる。個々の層のドーピ
ングにおける差は、有利に０．５質量％までの大きさの
程度である。個々の層の結晶挙動は、なかんずくドーピ
ングによって定められ、このことは、一面で結晶の経過
に反映され、他面、僅かに個々の層の物質組成に反映さ
れる。また、それとともに、個々の層の温度膨張率ＴＣ
Ｅは、ドーピングによって定められる。それに応じて、
個々の層の温度膨張率、ひいては温度膨張率間の差は、
定義されたドーピングによって意図的に調節されること
ができる。０．５質量％までのドーピング量の差の場合
には、０．３・１０−６１／ＫまでのＴＣＥの差を予想
することができる。
【００１４】個々の層は、引続く焼結過程の間、出発物
質の化学変化を生じる。この場合には、結晶性珪酸塩灰
長石（ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）が形成され
る。その他の点では、Ａｌ２Ｏ３および残分のガラスフ
リットが残存する。種結晶の僅かなドーピングを有する
２つの層と種結晶の多量のドーピングを有する２つの層
の温度膨張率は異なるために、既に焼結後の冷却の際
に、バイメタルの場合と同様に基板の相応する曲率が生
じる。２層モデルに対して理論的に定められた、曲率の
値は、実験により定められた値と極めて良好に一致する
ことが判明した。
【００１５】セラミック基板の焼結後、セラミック基板
の凸表面は、導体路用ペーストで印刷される。
【００１６】最後に、圧力センサーの範囲でメンブラン
素子としての前記使用は、単に本発明によるセラミック
基板の使用の１例を表わすが、しかし、本発明は、この
使用に制限されるものではないことを述べておく。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による湾曲されたセラミック基板を使用
している圧力センサーを示す略図。
【符号の説明】
１ 圧力センサー素子、 ２ 担体、 ３ メンブラン
素子、 ４ 空隙、５ 回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルガー ヘーファー ドイツ連邦共和国 ゾネンビュール ホー エンツォレルンシュトラーセ ７ Ｆターム(参考） 2F049 AA01 BA01 CA01 CA07 DA01 2F055 AA40 BB20 CC02 DD09 EE18 FF21 GG12

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 定義された曲率を有するセラミック基
    板。
  2. 【請求項２】 異なって定義された温度膨張率（temper
    atur coefficient of expansion-TCE）を有する少なく
    とも２個のセラミック層を含む、請求項１記載のセラミ
    ック基板。
  3. 【請求項３】 定義された曲率を有するセラミック基板
    の製造法において、異なって定義された温度膨張率を有
    する少なくとも２個のセラミック層を重なり合うように
    配置し、互いに堅固に結合させることを特徴とする、定
    義された曲率を有するセラミック基板の製造法。
  4. 【請求項４】 個々のセラミック層の温度膨張率を個々
    のセラミック層の出発物質への種結晶の意図的な混合に
    よって予め設定する、請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 種結晶としてもたらされたセラミックを
    粉末状化された形で混合する、請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 個々のセラミック層の温度膨張率を出発
    物質の選択および／またはそれぞれのセラミック層の組
    成の選択によって予め設定する、請求項３記載の方法。
  7. 【請求項７】 出発物質Ａｌ２Ｏ３、ＰｂＯおよびＢ２
    Ｏ３を有する第１のセラミック層および出発物質Ａｌ２
    Ｏ３、ＳｉＯ２およびＣａＯを有する第２のセラミック
    層を重なり合うように配置し、互いに堅固に結合させ
    る、請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 マイクロハイブリッド技術、多層セラミ
    ック技術またはハイブリッド技術における請求項１また
    は２に記載のセラミック基板の使用。
  9. 【請求項９】 圧力センサー素子（１）または燃料セン
    サー素子の範囲でのメンブラン素子（３）としての請求
    項８記載の使用。
JP2003017848A 2002-01-26 2003-01-27 定義された曲率を有するセラミック基板の製造法 Expired - Lifetime JP4388747B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10203024A DE10203024B4 (de) 2002-01-26 2002-01-26 Verfahren zur Herstellung eines Keramiksubstrats
DE10203024.3 2002-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003302302A true JP2003302302A (ja) 2003-10-24
JP4388747B2 JP4388747B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=27588085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003017848A Expired - Lifetime JP4388747B2 (ja) 2002-01-26 2003-01-27 定義された曲率を有するセラミック基板の製造法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6974515B2 (ja)
JP (1) JP4388747B2 (ja)
DE (1) DE10203024B4 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6654881B2 (en) 1998-06-12 2003-11-25 Microsoft Corporation Logical volume mount manager
US6684231B1 (en) * 1999-11-29 2004-01-27 Microsoft Corporation Migration of friendly volumes
US6553387B1 (en) * 1999-11-29 2003-04-22 Microsoft Corporation Logical volume configuration data management determines whether to expose the logical volume on-line, off-line request based on comparison of volume epoch numbers on each extents of the volume identifiers
CN1296327C (zh) * 2004-11-09 2007-01-24 武汉理工大学 一种涂有高反射复合膜的陶瓷聚光腔的制造方法
US9522827B2 (en) * 2013-05-02 2016-12-20 Energy Storage Materials Llc Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor
US10458603B2 (en) * 2013-11-05 2019-10-29 Signify Holding B.V. Tubular lighting assembly with elastic elongated substrate and method of manufacturing a tubular lighting assembly with elastic elongated substrate
JP7270590B2 (ja) 2019-11-27 2023-05-10 財團法人工業技術研究院 自己発電式検出送信装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3575789A (en) * 1966-12-27 1971-04-20 Owens Corning Fiberglass Corp Fiber ceramic composites and method of producing same
US4382247A (en) * 1980-03-06 1983-05-03 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor
JPS61117163A (ja) * 1984-06-01 1986-06-04 鳴海製陶株式会社 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置
JP3237258B2 (ja) * 1993-01-22 2001-12-10 株式会社デンソー セラミック多層配線基板
DE4317174A1 (de) * 1993-05-22 1994-11-24 Bosch Gmbh Robert Verbundsystem mit mindestens zwei anorganischen keramischen Schichten und Verfahren zu deren Herstellung
DE4425209A1 (de) * 1994-07-16 1996-01-18 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren zum stoffschlüssigen Fügen von kompakten gesinterten Keramikteilen und Keramikfolie zur Durchführung des Verfahrens
US5634999A (en) * 1994-09-06 1997-06-03 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion
JPH08130160A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4388747B2 (ja) 2009-12-24
US6974515B2 (en) 2005-12-13
DE10203024B4 (de) 2009-11-26
US20050074638A1 (en) 2005-04-07
DE10203024A1 (de) 2003-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108507709B (zh) 一种谐振式压力传感器的制备方法
US7051595B2 (en) Monolithic multi-functional integrated sensor and method for fabricating the same
KR100812996B1 (ko) 마이크로 가스 센서 및 그 제조방법
KR100721261B1 (ko) 마이크로 가스 센서, 그의 제조 방법, 그의 패키지 및 그패키지의 제조 방법
US5447601A (en) Method of manufacturing a motion sensor
TWI224190B (en) Semiconductor pressure sensor
JP2012047725A (ja) 静電容量圧力センサ
TW201105972A (en) Radio frequency identification based thermal bubble type accelerometer
JP2002535609A (ja) プラチナ温度センサおよびその製造方法
KR100262137B1 (ko) 박막센서 소자 및 그 제조방법
CN107504927A (zh) 一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
CN112723301A (zh) 一种航空用高频响压力传感器芯片及制备方法
JP2003302302A (ja) 定義された曲率を有するセラミック基板、その製造法および該基板の使用
CN111115551A (zh) 通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件
JP2003172745A (ja) 半導体加速度センサ
EP2667202B1 (en) Acceleration sensor
CN109900749A (zh) 一种基于陶瓷基片的微热板气敏阵列器件及制造方法
CN207622713U (zh) 基于soi和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
CN207585556U (zh) 基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
JP2004109114A (ja) 半導体多軸加速度センサ
JP7270937B2 (ja) セラミックベースマイクロホットプレート及びその製造方法
JP2010008123A (ja) センサモジュール
JP2010032389A (ja) 物理量センサ及びその製造方法
CN110352339B (zh) 物理量传感器
JP3546151B2 (ja) 歪み検出素子及び歪み検出素子製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080626

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080926

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081024

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090121

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3