JP2003298306A - 位相変調素子および位相変調装置 - Google Patents
位相変調素子および位相変調装置Info
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Abstract
線路の周囲の液晶分子の配列をこの伝送線路に沿って一
様に制御することから、液晶層による誘電体損失が比較
的多い。 【解決手段】 ミリ波帯またはマイクロ波帯の周波数を
有する信号を伝搬することができる伝送線の周囲に液晶
層を形成し、液晶分子の配向を電気的に制御することに
よって液晶層の誘電率、ひいては伝送線の電気長を周期
的に変化させて伝送線内にフォトニックバンドギャップ
を形成し、このフォトニックバンドギャップの形成箇所
を適宜変更することによって、伝送線に供給されたミリ
波信号またはマイクロ波信号を位相変調させる。
Description
相変調素子および位相変調装置に係り、特に、ミリ波帯
またはマイクロ波帯の周波数を有する信号(以下、「ミ
リ波信号またはマイクロ波信号」という。)の位相を変
化させることができる位相変調素子および位相変調装置
に関する。
を利用した無線システム、例えば、超高速無線ローカル
エリアネットワーク、高速無線回線システム、ホームリ
ンク、車車間通信システム等の開発が積極的に提唱され
ている。
法として、位相変調がある。位相変調は、例えば位相変
調装置を用いて行うことができる。種々のタイプの位相
変調装置が知られているが、その中の1つに、液晶を利
用したものがある。
報に記載されている位相変調装置(位相可変装置)で
は、セル容器を構成する2枚の基板のうちの一方の基板
の内側表面上に蛇行形状の伝送線路を配置し、この伝送
線路に流れるミリ波信号またはマイクロ波信号の位相
を、セル容器内に形成した液晶層の誘電率を変化させる
ことによって制御する。
の伝送線路の周囲には、この伝送線路から所定の間隔を
あけて接地導体が配置される。また、セル容器を構成す
る2枚の基板それぞれの内側表面上には配向膜が配置さ
れ、これらの基板それぞれの外側表面上には、各々が伝
送線路と接地導体との平面視上の間に位置するようにし
て、複数の電極(外部電極)が配置される。
電極の各々と、他方の基板の外側表面上に配置された外
部電極の各々とに、1つの電源から所定の大きさの交流
バイアス電圧を同時に印加することによって、伝送線路
の周囲の液晶分子が一様に再配列し、伝送線路の周囲の
液晶層の誘電率が一様に変化する。この変化に伴って伝
送線路の電気長が変化し、その結果として、伝送線路の
一端に供給されたミリ波信号またはマイクロ波信号とは
異なる位相を有するミリ波信号またはマイクロ波信号
が、伝送線路の他端から出力される。位相変調を行うこ
とができる。
枚の基板それぞれの外側表面上に外部電極を設けずに、
伝送線路にミリ波信号またはマイクロ波信号と一緒に液
晶駆動用の交流電圧を供給することによって位相変調を
行うタイプの位相変調装置も記載されている。このタイ
プの位相変調装置においても、位相変調の際には、伝送
線路の周囲の液晶分子を一様に再配列させて、伝送線路
の周囲の液晶層の誘電率を一様に変化させる。
いる位相変調装置では、伝送線路の周囲の液晶分子の配
列をこの伝送線路に沿って一様に制御することから、液
晶層による誘電体損失が比較的多い。
素子であって、液晶層による誘電体損失を少なくするこ
とができる位相変調素子を提供することである。
変調装置であって、液晶層による誘電体損失を少なくす
ることができる位相変調装置を提供することである。
ば、(i) 一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線
が設けられた第1の基板と、(ii)前記第1の基板に対向
して配置され、前記第1の基板に対向する一表面上に、
前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内の信号の波長
のほぼ1/4以下のピッチで配置された複数本の電極を
有する第2の基板と、(iii) 前記第1および第2の基板
間に挟持され、前記電極に電圧を印加することによっ
て、前記伝送線からみた誘電率が変化する液晶層とを有
する位相変調素子が提供される。
にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線が設けられ、前記
一表面と向かい合う他の一表面上に、前記伝送線の延在
方向に関して該伝送線内の信号の波長のほぼ1/4以下
のピッチで配置された複数本の第1電極を有する第1の
基板と、(ii)前記第1の基板に対向して配置され、前記
第1の基板に対向する一表面と向かい合う他の一表面上
に、前記複数本の第1電極と平面視上重なる複数本の第
2電極を有する第2の基板と、(iii) 前記第1および第
2の基板間に挟持され、前記第1および第2電極に電圧
を印加することによって、前記伝送線からみた誘電率が
変化する液晶層とを有する位相変調素子が提供される。
面上にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線が設けられ、
前記一表面と向かい合う他の一表面上に、前記伝送線の
延在方向に関して該伝送線内の信号の波長のほぼ1/4
以下のピッチで配置された複数本の第1電極を有する第
1の基板と、(ii)前記第1の基板に対向して配置され、
前記第1の基板に対向する一表面上に、前記複数本の第
1電極に平面視上重なる複数本の第2電極を有する第2
の基板と、(iii) 前記第1および第2の基板間に挟持さ
れ、前記第1および第2電極に電圧を印加することによ
って、前記伝送線からみた誘電率が変化する液晶層とを
有する位相変調素子が提供される。
一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線が設けら
れた第1の基板と、(ii)前記第1の基板に対向して配置
され、前記第1の基板に対向する一表面上に、前記伝送
線の延在方向に関して該伝送線内の信号の波長のほぼ1
/4以下のピッチで配置された複数本の電極を有する第
2の基板と、(iii) 前記第1および第2の基板間に挟持
され、前記電極に電圧を印加することによって、前記伝
送線からみた誘電率が変化する液晶層とを有する位相変
調素子と、(B) 前記複数本の電極それぞれに駆動信号を
供給することができる駆動回路と、(C) 前記駆動回路の
動作を制御して、前記液晶層に誘電率分布を形成するこ
とができる制御回路とを備えた位相変調装置が提供され
る。
一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線が設けら
れ、前記一表面と向かい合う他の一表面上に、前記伝送
線の延在方向に関して該伝送線内の信号の波長のほぼ1
/4以下のピッチで配置された複数本の第1電極を有す
る第1の基板と、(ii)前記第1の基板に対向して配置さ
れ、前記第1の基板に対向する一表面と向かい合う他の
一表面上に、前記複数本の第1電極と平面視上重なる複
数本の第2電極を有する第2の基板と、(iii)前記第1
および第2の基板間に挟持され、前記第1および第2電
極に電圧を印加することによって、前記伝送線からみた
誘電率が変化する液晶層とを有する位相変調素子と、
(B) 前記複数本の第1電極および前記複数本の第2電極
それぞれに駆動信号を印加することができる駆動回路
と、(C) 前記駆動回路の動作を制御して、前記液晶層に
誘電率分布を形成することができる制御回路とを備えた
位相変調装置が提供される。
一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯伝送線が設けら
れ、前記一表面と向かい合う他の一表面上に、前記伝送
線の延在方向に関して該伝送線内の信号の波長のほぼ1
/4以下のピッチで配置された複数本の第1電極を有す
る第1の基板と、(ii)前記第1の基板に対向して配置さ
れ、前記第1の基板に対向する一表面上に、前記複数本
の第1電極に平面視上重なる複数本の第2電極を有する
第2の基板と、(iii) 前記第1および第2の基板間に挟
持され、前記第1および第2電極に電圧を印加すること
によって、前記伝送線からみた誘電率が変化する液晶層
とを有する位相変調素子と、(B) 前記複数本の第1電極
および前記複数本の第2電極それぞれに駆動信号を印加
することができる駆動回路と、(C) 前記駆動回路の動作
を制御して、前記液晶層に誘電率分布を形成することが
できる制御回路とを備えた位相変調装置が提供される。
マイクロ波帯伝送線」とは、ミリ波信号またはマイクロ
波信号を伝搬することができる伝送線を意味する。「ミ
リ波信号」は、周波数が概ね30G〜300GHzの信
号を意味し、「マイクロ波信号」は、周波数が概ね3G
〜30GHzの信号を意味する。
て当該伝送線内を伝播するミリ波信号またはマイクロ波
信号の波長のほぼ1/4以下のピッチで、上述のように
複数本の電極を配置し、これらの電極に印加する電圧を
適宜制御することにより、液晶層の誘電率を伝送線の延
在方向に沿って概ね前記の波長の周期で変化させること
ができる。
送線の電気長(特性インピーダンス)も周期的に変化す
る。伝送線の電気長を概ね前記の波長の周期で変化させ
ることによって、伝送線内に、ミリ波信号またはマイク
ロ波信号に対する禁止帯を効率よく形成することができ
る。この禁止帯は、光に対する禁止帯(フォトニックバ
ンドギャップ)と同様のものである。本明細書において
は、伝送線内に形成されるこの禁止帯についても「フォ
トニックバンドギャップ」(以下、「PBG」と略記す
る。)と呼ぶものとする。
内を伝播するミリ波信号またはマイクロ波信号はPBG
へは侵入できずに反射する。PBGの形成位置を適宜変
更することにより、伝送線に供給されたミリ波信号また
はマイクロ波信号とは異なる位相のミリ波信号またはマ
イクロ波信号を生成することができる。位相変調を行う
ことができる。
BGの開始端の位置を、伝送線内のミリ波信号またはマ
イクロ波信号の波長以下の長さを有する領域内で適宜変
更することによって行うことが可能である。
線に沿って一様に変化させて位相変調を行う従来の装置
に比べて、液晶層による誘電体損失を大幅に少なくする
ことができる。
変調素子の平面形状を概略的に示す。同図に示す位相変
調素子50は、第1および第2の基板10、20を有す
るセル容器30と、このセル容器30内に充填された液
晶によって構成される液晶層(図示せず。)とを備え
る。
形成され、その一表面上には、ミリ波信号またはマイク
ロ波信号を伝搬することができる伝送線(ミリ波帯また
はマイクロ波帯伝送線)11が配置される。この伝送線
11は、例えば金(Au)によって、あるいは、金(A
u)層と銅(Cu)層との積層体によって形成すること
ができる。
形成され、その一表面上には、伝送線11を平面視上横
切る所定本数の電極21が一定のピッチで互いに並列に
配置される。電極21の各々は、金属や、導電性の金属
酸化物等によって形成することができる。
は、伝送線11と電極21とが互いに向かい合う向きで
配置されて、セル容器30を構成する。伝送線11の入
力端には、必要に応じてパッドPが設けられる。
(A)および図2(B)を参照しつつより詳細に説明す
る。
に沿った断面を概略的に示し、図2(B)は、図1に示
したIIB−IIB線に沿った断面を概略的に示す。
1の配向膜12によって覆われ、電極21の各々は第2
の配向膜22によって覆われている。
れの材質は、適宜選定可能である。また、これらの配向
膜12、22に施す配向処理も適宜選択可能である。
るうえからは、液晶分子に大きなプレチルト角(配向膜
表面を基準面にして測定したプレチルト角)を付与する
ことができ、また、極角アンカリングエネルギーが高い
配向膜が好ましい。このような配向膜は、例えば、アル
キル側鎖を有するポリイミド系材料によって形成された
膜にラビング処理を施すことによって得られる。
ペーサ(図示せず。)が分散されたシール材15によっ
て互いに一体化されて、セル容器30を形成する。伝送
線11と電極21の各々とは、セル容器30の外側にま
で延在する。セル容器30内には、前述したように、液
晶層25が形成される。
は、屈折率が高く、粘性が低い液晶材料、例えばネマテ
ィック液晶によって液晶層25を形成することが好まし
い。必要に応じて、ポリマーまたはオリゴマーが分散さ
れた液晶(高分子分散型液晶や高分子安定化液晶)を用
いることもできる。
晶は、液晶中に数wt%〜数十wt%のポリマーまたはオリ
ゴマーを分散させ、さらに、当該ポリマーまたはオリゴ
マーに対して数wt%の光反応開始剤を添加させたもので
ある。この高分子分散型または高分子安定化液晶では、
空セル(セル容器)内への充填後に紫外線等を照射する
と上記のポリマーまたはオリゴマーが重合して、液晶層
中にポリマーネットワークが形成され、液晶層がゾルゲ
ル状もしくは固体状になる。そのため、メインシールが
不要になるばかりでなく、応答性も向上する。ただし、
ポリマーの比率が高くなるにつれて誘電異方性(Δε)
が減少するので、液晶中に分散させるモノマーまたはオ
リゴマーの量は、概ね10wt%以下とすることが好まし
い。
は、セル厚(液晶層25の厚さ)を薄くすることが好ま
しい。また、液晶層25とセル容器30とによって構成
されるセルは、必要に応じて、ハイブリッド配向セル、
パイ(π)セル、垂直配向セルとすることもできる。
えからは、液晶層25にカイラル剤を添加しない方がよ
い。また、電圧を印加しない状態での液晶分子の配向方
向は、伝送線11の延在方向に平行であることが好まし
い。
同士のピッチが、外部から伝送線11に供給されて当該
伝送線11内を伝播するミリ波信号またはマイクロ波信
号の波長λの概ね1/4以下に選定される。
素子50では、個々の電極21に供給する電圧を制御す
ることにより、液晶層25の誘電率を伝送線11の延在
方向に沿って概ね波長λの周期で変化させることができ
る。これに伴って、セル容器30内での伝送線11の電
気長(特性インピーダンス)を、ほぼ波長λの周期で変
化させることが可能になる。
ロ波信号に対するPBGを伝送線11内に効率よく形成
することが可能になる。伝送線11に供給されたミリ波
信号やマイクロ波信号は、PBGへは侵入できずに反射
し、位相変調素子50から出される。
合には、一般に位相角がπ/n(nは1以上の整数を表
す。)ずつずれた2n相のミリ波信号またはマイクロ波
信号によってnビットのデータの伝送が行われることか
ら、PBGの形成位置をλ/4n単位(λは、伝送線1
1に供給されるミリ波信号またはマイクロ波信号の波長
を表す。)でずらすことによって位相変調することが好
ましい。そのためには、前記の波長λを単位長さとした
ときに、伝送線11に沿った単位長さ当たり4n本の電
極21を配置することが好ましい。
リ波信号またはマイクロ波信号を生成することが可能な
位相変調装置を例にとり、その構成および動作を図3〜
図5を参照しつつ具体的に説明する。
を概略的に示す。この位相変調装置100は、既に説明
した位相変調素子50の他に、駆動装置60、制御回路
70、電圧制御発振器80(以下、「VCO80」と略
記する。)、サーキュレータ85、および放射器90を
備える。
作を制御されて、位相変調素子50およびVCO80を
駆動するための駆動信号を生成する。位相変調素子50
用の駆動信号は、電極21の各々に供給される駆動信号
と、伝送線11に供給される駆動信号とに大別される。
位相変調素子50に供給される駆動信号の詳細について
は、後述する。
る駆動信号に従って動作して、所定の波長および周波数
を有するミリ波信号またはマイクロ波信号を発生する。
この信号は、サーキュレータ85に供給される。
給されたミリ波信号またはマイクロ波信号を位相変調素
子50の伝送線11へ供給すると共に、位相変調素子5
0から出力されるミリ波信号またはマイクロ波信号を放
射器90に供給する。
変調素子50からサーキュレータ85を介して供給され
るミリ波信号またはマイクロ波信号を放射する。
に供給されるミリ波信号またはマイクロ波信号の波長λ
を単位長さとしたときに、伝送線11に沿った単位長さ
当たり8本の電極21が配置される。
ためには、伝送線11の電気長を、例えばほぼ波長λの
周期で概ね4周期以上に亘って変化させることが望まれ
る。また、4相のミリ波信号またはマイクロ波信号を生
成するためには、パッドP側でのPBGの開始端を、例
えば連続する4電極の範囲内で変更することが好まし
い。これらの理由から、位相変調素子50には、概ね1
9本以上の電極21を配置することが好ましい。
れて、8つのグループに分かれる。各グループは、駆動
回路60から駆動信号φ1〜φ8のいずれか1つの供給
を受ける。1つのグループに1つの駆動信号が対応す
る。
号φ1〜φ8のうち4つがハイレベルになり、残りの4
つがローレベルになる。どの駆動信号をハイレベルに
し、どの駆動信号をローレベルにするかは、生成しよう
とする4相のミリ波信号またはマイクロ波信号のうちの
どの相の信号を生成するかに応じて異なる。伝送線11
へは、駆動回路60から一定電位(例えば接地電位)の
駆動信号が供給される。
(A)〜図5(B)を参照しつつ、位相変調素子50へ
供給する駆動信号φ1〜φ8のレベルと、位相変調素子
50から出力されるミリ波信号またはマイクロ波信号の
位相との関係を説明する。
レベルにし、駆動信号φ5〜φ8をローレベル(例えば
接地電位)にして位相変調素子50を駆動させたときの
PBGの形成位置を概略的に示す。
極21の各々にはハイレベルの駆動信号が供給され、ハ
ッチングが付されていない電極21の各々へはローレベ
ルの駆動信号が供給される(以下同様。)。
に制御すると、液晶層25(図2(A)参照)内に、相
対的に誘電率の高い領域と相対的に誘電率の低い領域と
が周期的に形成される。これらの領域は、パッドPに最
も近い電極21下からその後方(伝送線11に沿って、
パッドPから遠ざかる方向を意味する。以下同じ。)に
かけて、ほぼ波長λの周期で形成される。伝送線11に
沿った個々の領域の長さは、ほぼλ/2に相当する。
21下からその後方にかけて、伝送線11の電気長がほ
ぼ波長λの周期で変化し、ここにPBGが形成される。
送線11に供給されたミリ波信号またはマイクロ波信号
はPBG内に侵入できずに反射してサーキュレータ85
(図3参照)へ戻り、ここから放射器90へ供給され
る。
ミリ波信号またはマイクロ波信号の位相は、供給された
ミリ波信号またはマイクロ波信号の位相に対して一定の
位相差を有する。
(A)〜図5(B)は、パッドP側でのPBGの開始端
を図4(A)に示した状態からほぼ1電極、ほぼ2電
極、ほぼ3電極、またはほぼ4電極後方にずらすときの
各駆動信号φ1〜φ8のレベルと、PBGの形成位置と
の関係を概略的に示す。
φ5をハイレベルにし、駆動信号φ1およびφ6〜φ8
をローレベルにして位相変調素子50を駆動させると、
パッドP側でのPBGの開始端が図4(A)に示した状
態からほぼ1電極後方にずれる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図4(A)の状態
と比較して、往復で2電極分の差、すなわち、2π/4
(=π/2)の位相差を生じる。
φ6をハイレベルにし、駆動信号φ1〜φ2およびφ7
〜φ8をローレベルにして位相変調素子50を駆動させ
ると、パッドP側でのPBGの開始端が図4(A)に示
した状態からほぼ2電極後方にずれる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図4(A)の状態
と比較して、4π/4(=π)の位相差を生じる。
φ7をハイレベルにし、駆動信号φ1〜φ3およびφ8
をローレベルにして位相変調素子50を駆動させると、
パッドP側でのPBGの開始端が図4(A)に示した状
態からほぼ3電極後方にずれる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図4(A)の状態
と比較して、6π/4(=3π/2)の位相差を生じ
る。
φ8をハイレベルにし、駆動信号φ1〜φ4をローレベ
ルにして位相変調素子50を駆動させると、パッドP側
でのPBGの開始端が図4(A)に示した状態からほぼ
4電極後方にずれるが、PBGの開始端は図4(A)に
示した位置と電気的に同等になる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図4(A)の状態
と比較して、2πの位相差を生じる。信号としては、図
4(A)の状態下で出力される信号と同等となる。
(A)〜図5(B)から理解されるように、位相変調素
子50から出力されるミリ波信号またはマイクロ波信号
の位相は、パッドP側でのPBGの開始端をほぼ1電極
後方にずらす毎に、ほぼλ/4(π/2)遅れる。パッ
ドP側でのPBGの開始端を連続する4電極の範囲内で
適宜変更することにより、4相のミリ波信号またはマイ
クロ波信号を生成することができる。
置100は、伝送線の周囲の液晶分子の配列を伝送線に
沿って一様に変化させて位相変調を行うタイプの装置に
比べて、液晶層による誘電体損失を容易に少なくするこ
とができる。
ついて説明する。
素子の平面形状を概略的に示す。同図に示した位相変調
素子150は、伝送線11がセル容器30の外側におい
てキャパシタCに接続されているという点で、第1の実
施例による位相変調素子50と構成上異なる。位相変調
素子150の他の構成は、位相変調素子50と同様であ
る。
図1に示した構成要素については、図1で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。上記の
キャパシタCについては、図6(B)を参照しつつ詳述
する。
して示す。同図に示したキャパシタCは、1本のミリ波
帯またはマイクロ波帯伝送線の途中に方形波状のギャッ
プを形成することによって作製されている。パッドPと
キャパシタCとの間の伝送線を、参照符号11aで示し
ている。
ない場合と同様にミリ波信号またはマイクロ波信号が伝
送線11a、11間を伝播することを許容する一方で、
電極21に駆動信号を供給したときに伝送線11、11
aがアース線として機能するのを抑止するためのもので
ある。
0に供給するミリ波信号またはマイクロ波信号の周波数
等に応じて、適宜変更可能である。
では、液晶層25(図2(A)参照)中の液晶分子を、
隣り合う電極21間に形成した電界(横電界)によって
再配列させることができる。位相変調素子150の駆動
時には、電極21の各々に所定の駆動信号が供給され、
伝送線11にはミリ波信号またはマイクロ波信号のみが
供給される。
液晶分子の配向を制御して位相角がπ/nずつずれた2
n相のミリ波信号またはマイクロ波信号を生成する場合
には、伝送線11を伝播するミリ波信号またはマイクロ
波信号の波長λを単位長さとしたときに、単位長さ当た
り4n本の電極21を配置することが好ましい。このと
き、隣り合う電極21同士の間の間隔よりも各電極21
の線幅を狭くすることが好ましい。また、液晶層25の
厚さは、薄い方が好ましい。
リ波信号またはマイクロ波信号を生成する場合を例にと
り、位相変調素子150での各電極21の配置、および
位相変調素子150の駆動方法を具体的に説明する。
信号またはマイクロ波信号を生成する場合には、伝送線
11に供給されるミリ波信号またはマイクロ波信号の波
長λを単位長さとしたときに、伝送線11に沿った単位
長さ当たり8本の電極21が配置される。
れて、8つのグループに分かれる。各グループは、駆動
回路から駆動信号φ1〜φ8のいずれか1つの供給を受
ける。1つのグループに1つの駆動信号が対応する。
駆動信号φ1〜φ8のうちの6つがハイレベルになり、
残りの2つがローレベルになる。駆動信号φ1〜φ8の
うちの2つをローレベルにし、残りの6つをハイレベル
にすることもできる。
信号をローレベルにするかは、生成しようとする4相の
ミリ波信号またはマイクロ波信号のうちのどの相の信号
を生成するかに応じて異なる。伝送線11へは、ミリ波
信号またはマイクロ波信号のみが供給される。
〜図8(B)を参照しつつ、位相変調素子150へ供給
する駆動信号のレベルと、位相変調素子150から出力
されるミリ波信号またはマイクロ波信号の位相との関係
を説明する。
φ8をハイレベルにし、駆動信号φ1およびφ3をロー
レベル(例えば接地電位)にして位相変調素子150を
駆動させたときのPBGの形成位置を概略的に示す。
極21の各々にはハイレベルの駆動信号が供給され、ハ
ッチングが付されていない電極21の各々へはローレベ
ルの駆動信号が供給される(以下同様。)。
ベルの駆動信号を供給し、他方にローレベルの駆動信号
を供給すると、これら2本の電極間に横電界が形成され
る。互いに隣り合う2本の電極それぞれに同じレベルの
駆動信号を供給すると、これら2本の電極間に横電界が
形成されない。
に制御すると、液晶層25(図2(A)参照)内に、相
対的に誘電率の高い領域と相対的に誘電率の低い領域と
が周期的に形成される。これらの領域は、パッドPに最
も近い電極21下からその後方にかけて、ほぼ波長λの
周期で形成される。伝送線11に沿った個々の領域の長
さは、ほぼλ/2に相当する。
21下からその後方にかけて、伝送線11の電気長がほ
ぼ波長λの周期で変化し、ここにPBGが形成される。
号に対して一定の位相差を有するミリ波信号またはマイ
クロ波信号が、位相変調素子150から出力される。
び図8(B)は、パッドP側でのPBGの開始端を図7
(A)に示した状態からほぼ1電極、ほぼ2電極、ほぼ
3電極、またはほぼ4電極後方にずらすときの各駆動信
号φ1〜φ8のレベルと、PBGの形成位置との関係を
概略的に示す。
φ3およびφ5〜φ8をハイレベルにし、駆動信号φ2
およびφ4をローレベルにして位相変調素子150を駆
動させると、パッドP側でのPBGの開始端が図7
(A)に示した状態からほぼ1電極後方にずれる。
るミリ波信号またはマイクロ波信号は、図7(A)の状
態と比較して、2π/4(=π/2)の位相差を生じ
る。
φ2、φ4、およびφ6〜φ8をハイレベルにし、駆動
信号φ3およびφ5をローレベルにして位相変調素子1
50を駆動させると、パッドP側でのPBGの開始端が
図7(A)に示した状態からほぼ2電極後方にずれる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図7(A)の状態
と比較して、4π/4(=π)の位相差を生じる。
φ3、φ5、およびφ7〜φ8をハイレベルにし、駆動
信号φ4およびφ6をローレベルにして位相変調素子1
50を駆動させると、パッドP側でのPBGの開始端が
図7(A)に示した状態からほぼ3電極後方にずれる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図7(A)の状態
と比較して、6π/4(=3π/2)の位相差を生じ
る。
φ4、φ6、およびφ8をハイレベルにし、駆動信号φ
5およびφ7をローレベルにして位相変調素子150を
駆動させると、パッドP側でのPBGの開始端が図7
(A)に示した状態からほぼ4電極後方にずれるが、P
BGの開始端は図7(A)に示した位置と電気的に同等
になる。
ミリ波信号またはマイクロ波信号は、図7(A)の状態
と比較して、2πの位相差を生じる。信号としては、図
7(A)の状態下で出力される信号と同等となる。
(A)〜図8(B)から理解されるように、位相変調素
子150から出力されるミリ波信号またはマイクロ波信
号の位相は、パッドP側でのPBGの開始端をほぼ1電
極後方にずらす毎に、ほぼλ/4(π/2)遅れる。パ
ッドP側でのPBGの開始端を連続する4電極の範囲内
で適宜変更することにより、4相のミリ波信号またはマ
イクロ波信号を生成することができる。
る位相変調素子150は、伝送線の周囲の液晶分子の配
列を伝送線に沿って一様に変化させて位相変調を行うタ
イプの装置に比べて、液晶層による誘電体損失を容易に
少なくすることができる。
ついて説明する。
断面構造を概略的に示す。同図に示した位相変調素子2
50は、(i) 第1の基板10の外側表面上に電極13が
複数本配置される点、および、(ii)第2の基板20の内
側表面上に電極が配置されずに、外側表面上に電極23
が複数本配置される点で、第1の実施例による位相変調
素子50とは構成上異なる。位相変調素子250の他の
構成は、位相変調素子50の構成と同様である。
よび電極23をそれぞれ除いた構成要素については、図
2(A)で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその
説明を省略する。
極13の各々および電極23の各々が、第1の実施例に
よる位相変調素子50における電極21の各々と同様
に、伝送線11に供給されるミリ波信号またはマイクロ
波信号の波長λのほぼ1/4未満の所定のピッチで配置
される。これらの電極13、23は、いずれも伝送線1
1を平面視上横切る。1本の電極13に1本の電極23
が対応し、互いに対応する電極13と電極23とは平面
視上重なる。
施例による位相変調素子50と同様の方法で駆動され
る。このとき、互いに対応する1対の電極13、23へ
は、同じレベルの駆動信号が供給される。伝送線11へ
は、駆動信号を供給しない。
させることにより、第1の実施例による位相変調素子5
0と同様に、供給されたミリ波信号またはマイクロ波信
号を位相変調させて出力することができる。伝送線の周
囲の液晶分子の配列を伝送線に沿って一様に変化させて
位相変調を行うタイプの装置に比べて、液晶層による誘
電体損失を容易に少なくすることができる。
ついて説明する。
の断面構造を概略的に示す。同図に示した位相変調素子
350は、第1の基板10の外側表面上に電極13が複
数本配置される点で、第1の実施例による位相変調素子
50とは構成上異なる。位相変調素子350の他の構成
は、位相変調素子50の構成と同様である。
3を除いた構成要素については、図2(A)で用いた参
照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
極13の各々および電極21の各々が、伝送線11に供
給されるミリ波信号またはマイクロ波信号の波長λの1
/2未満の所定のピッチで配置される。これらの電極1
3、21は、いずれも伝送線11を平面視上横切る。1
本の電極13に1本の電極21が対応し、互いに対応す
る電極13と電極21とは平面視上重なる。
施例による位相変調素子50と同様の方法で駆動され
る。このとき、互いに対応する1対の電極13、21へ
は、同じレベルの駆動信号が供給される。伝送線11へ
は、駆動信号を供給しない。
させることにより、第1の実施例による位相変調素子5
0と同様に、供給されたミリ波信号またはマイクロ波信
号を位相変調させて出力することができる。伝送線の周
囲の液晶分子の配列を伝送線に沿って一様に変化させて
位相変調を行うタイプの装置に比べて、液晶層による誘
電体損失を容易に少なくすることができる。
相変調装置について説明したが、本発明はこれらの実施
例に限定されるものではない。
号またはマイクロ波信号の位相角をπ/nとは異なる値
ずらして2n相のミリ波信号またはマイクロ波信号を生
成しようとする場合には、単位長さ当たり4n本より多
くの電極21を配置することも可能である。2相(n=
1)のミリ波信号またはマイクロ波信号は、単位長さあ
たり3本の電極21を配置することによっても生成する
ことが可能である。
液晶分子に対する配向機能を有していれば、省略するこ
とも可能である。
形状は、直線状に限らず、例えば櫛形等にすることも可
能である。伝送線と電極とを、平面視上互いに斜行させ
ることも可能である。
ミリ波信号またはマイクロ波信号の中で最も位相の進ん
だミリ波信号またはマイクロ波信号を生成する際のPB
Gの形成位置は、伝送線の入力端に最も近い電極下から
の後方に亘る領域に限定されるものではない。
は、この伝送線に供給されるミリ波信号またはマイクロ
波信号の波長程度の周期で伝送線の電気長を変化させる
ことが好適である。伝送線の電気長が前記の周期で変化
しさえすれば、1周期の範囲に形成する相対的に電気長
の大きな領域の平面視上の長さと、相対的に電気長の小
さな領域の平面視上の長さとを合わせる必要性は必ずし
もない。
化させるにあたっても、相対的に誘電率の高い領域の平
面視上の長さ(伝送線に沿った長さ)と、相対的に誘電
率の低い領域の平面視上の長さ(伝送線に沿った長さ)
とを合わせる必要性は必ずしもない。
供給されるミリ波信号またはマイクロ波信号の波長程度
以下の周期性を有していさえすれば、高・中・低の3値
に亘って、あるいは4値以上に亘っていてもよい。この
場合でも、伝送線内にPBGを形成することができる。
るミリ波信号またはマイクロ波信号の周波数を複数の値
の中で適宜選択したい場合には、位相変調素子中の各電
極を互いに電気的に独立させて、位相変調素子と駆動回
路とを電気的に接続することが好ましい。
たはマイクロ波信号の位相は、伝送線の入力端から数え
て2番目またはそれ以上後ろの所定の電極下からPBG
を形成し、このPBGの形成位置を固定したまま、PB
Gよりも前記の入力端側にある電極に印加する電圧の値
を適宜選定することによっても、制御することが可能で
ある。
応用等が可能なことは当業者に自明であろう。
位相変調装置は小型化が容易であり、液晶層による誘電
体損失も少ないことから、特に携帯用通信機器に好適に
利用可能である。勿論、携帯用通信機器に限らず、種々
の通信機器に利用可能である。また、車載レーダ等の探
査装置にも利用可能である。
本数を比較的容易に増やすことができるので、種々の性
能の位相変調器を容易に構成することができる。音デー
タや画像データ等、種々のデータの変調にも利用するこ
とができ、中間調の制御も比較的容易である。また、原
理的に、位相変調が可能な周波数帯域が広い。
素子は、液晶を利用した素子でありながら、液晶層によ
る誘電体損失を少なくすることができる。小型で消費電
力の少ない位相変調素子および位相変調装置を提供する
ことが容易になる。
示す概略図である。
った断面を示す概略図であり、図2(B)は、図1に示
したIIB−IIB線に沿った断面を示す概略図である。
である。
示した位相変調素子に供給する各駆動信号のレベルと、
伝送線内に形成されるフォトニックバンドギャップの位
置との関係を示す概略図である。
示した位相変調素子に供給する各駆動信号のレベルと、
伝送線内に形成されるフォトニックバンドギャップの位
置との他の関係を示す概略図である。
示す概略図である。
示した位相変調素子に供給する各駆動信号のレベルと、
伝送線内に形成されるフォトニックバンドギャップの位
置との関係を示す概略図である。
示した位相変調素子に供給する各駆動信号のレベルと、
伝送線内に形成されるフォトニックバンドギャップの位
置との他の関係を示す概略図である。
す概略図である。
示す概略図である。
向膜、 13…第1の基板に設けられた電極、 15…
シール材、 20…第2の基板、 21、23…第2の
基板に設けられた電極、 22…第2の配向膜、 25
…液晶層、 30…セル容器、 50、150、50
B、50C…位相変調素子、 60…駆動回路、 70
…制御回路、 80…電圧制御発振器、 85…サーキ
ュレータ、90…放射器、 100…位相変調装置。
Claims (13)
- 【請求項1】 一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯
伝送線が設けられた第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置され、前記第1の基板に
対向する一表面上に、前記伝送線の延在方向に関して該
伝送線内の信号の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置
された複数本の電極を有する第2の基板と、 前記第1および第2の基板間に挟持され、前記電極に電
圧を印加することによって、前記伝送線からみた誘電率
が変化する液晶層とを有する位相変調素子。 - 【請求項2】 前記複数本の電極が、平面視上、前記伝
送線に沿った長さが前記信号の波長のほぼ4倍以上の領
域内に配置される請求項1に記載の位相変調素子。 - 【請求項3】 さらに、 前記第1の基板の一表面上に配置されて前記伝送線を覆
う第1の配向膜と、 前記第2の基板の一表面上に配置されて前記複数本の電
極を覆う第2の配向膜とを有する請求項1または請求項
2に記載の位相変調素子。 - 【請求項4】 前記伝送線が、前記セル容器の外側にお
いてキャパシタに接続されている請求項1〜請求項3の
いずれか1項に記載に位相変調素子。 - 【請求項5】 一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯
伝送線が設けられ、前記一表面と向かい合う他の一表面
上に、前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内の信号
の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置された複数本の
第1電極を有する第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置され、前記第1の基板に
対向する一表面と向かい合う他の一表面上に、前記複数
本の第1電極と平面視上重なる複数本の第2電極を有す
る第2の基板と、 前記第1および第2の基板間に挟持され、前記第1およ
び第2電極に電圧を印加することによって、前記伝送線
からみた誘電率が変化する液晶層とを有する位相変調素
子。 - 【請求項6】 前記複数本の第1電極および前記複数本
の第2電極が、平面視上、前記伝送線に沿った長さが前
記信号の波長のほぼ4倍以上の領域内に配置される請求
項5に記載の位相変調素子。 - 【請求項7】 さらに、 前記第1の基板の一表面上に配置されて前記伝送線を覆
う第1の配向膜と、 前記第2の基板の他の一表面上に配置された第2の配向
膜とを有する請求項5または請求項6に記載の位相変調
素子。 - 【請求項8】 一表面上にミリ波帯またはマイクロ波帯
伝送線が設けられ、前記一表面と向かい合う他の一表面
上に、前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内の信号
の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置された複数本の
第1電極を有する第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置され、前記第1の基板に
対向する一表面上に、前記複数本の第1電極に平面視上
重なる複数本の第2電極を有する第2の基板と、 前記第1および第2の基板間に挟持され、前記第1およ
び第2電極に電圧を印加することによって、前記伝送線
からみた誘電率が変化する液晶層とを有する位相変調素
子。 - 【請求項9】 前記複数本の第1電極および前記複数本
の第2電極が、平面視上、前記伝送線に沿った長さが前
記信号の波長のほぼ4倍以上の領域内に配置される請求
項8に記載の位相変調素子。 - 【請求項10】 さらに、前記第1の基板の一表面上に
配置されて前記伝送線を覆う第1の配向膜と、 前記第2の基板の一表面上に配置されて前記複数本の第
2電極を覆う第2の配向膜とを有する請求項8または請
求項9に記載の位相変調素子。 - 【請求項11】 (i) 一表面上にミリ波帯またはマイク
ロ波帯伝送線が設けられた第1の基板と、(ii)前記第1
の基板に対向して配置され、前記第1の基板に対向する
一表面上に、前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内
の信号の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置された複
数本の電極を有する第2の基板と、(iii) 前記第1およ
び第2の基板間に挟持され、前記電極に電圧を印加する
ことによって、前記伝送線からみた誘電率が変化する液
晶層とを有する位相変調素子と、 前記複数本の電極それぞれに駆動信号を供給することが
できる駆動回路と、 前記駆動回路の動作を制御して、前記液晶層に誘電率分
布を形成することができる制御回路とを備えた位相変調
装置。 - 【請求項12】 (i) 一表面上にミリ波帯またはマイク
ロ波帯伝送線が設けられ、前記一表面と向かい合う他の
一表面上に、前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内
の信号の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置された複
数本の第1電極を有する第1の基板と、(ii)前記第1の
基板に対向して配置され、前記第1の基板に対向する一
表面と向かい合う他の一表面上に、前記複数本の第1電
極と平面視上重なる複数本の第2電極を有する第2の基
板と、(iii) 前記第1および第2の基板間に挟持され、
前記第1および第2電極に電圧を印加することによっ
て、前記伝送線からみた誘電率が変化する液晶層とを有
する位相変調素子と、 前記複数本の第1電極および前記複数本の第2電極それ
ぞれに駆動信号を印加することができる駆動回路と、 前記駆動回路の動作を制御して、前記液晶層に誘電率分
布を形成することができる制御回路とを備えた位相変調
装置。 - 【請求項13】 (i) 一表面上にミリ波帯またはマイク
ロ波帯伝送線が設けられ、前記一表面と向かい合う他の
一表面上に、前記伝送線の延在方向に関して該伝送線内
の信号の波長のほぼ1/4以下のピッチで配置された複
数本の第1電極を有する第1の基板と、(ii)前記第1の
基板に対向して配置され、前記第1の基板に対向する一
表面上に、前記複数本の第1電極に平面視上重なる複数
本の第2電極を有する第2の基板と、(iii) 前記第1お
よび第2の基板間に挟持され、前記第1および第2電極
に電圧を印加することによって、前記伝送線からみた誘
電率が変化する液晶層とを有する位相変調素子と、 前記複数本の第1電極および前記複数本の第2電極それ
ぞれに駆動信号を印加することができる駆動回路と、 前記駆動回路の動作を制御して、前記液晶層に誘電率分
布を形成することができる制御回路とを備えた位相変調
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002096427A JP3830848B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 位相変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002096427A JP3830848B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 位相変調装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003298306A true JP2003298306A (ja) | 2003-10-17 |
JP3830848B2 JP3830848B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=29387423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002096427A Expired - Fee Related JP3830848B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 位相変調装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3830848B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007043590A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フェーズドアレイアンテナ |
WO2016086851A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
KR20200015565A (ko) * | 2017-05-31 | 2020-02-12 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 액정을 사용한 이상 변조 소자용 기능성 수지 조성물 |
CN113219688A (zh) * | 2020-02-05 | 2021-08-06 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
EP3835852A4 (en) * | 2018-08-10 | 2022-05-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | LIQUID CRYSTAL PHASE SHIFTER AND METHOD OF OPERATION THEREOF, LIQUID CRYSTAL ANTENNA AND COMMUNICATION DEVICE |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002096427A patent/JP3830848B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007043590A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フェーズドアレイアンテナ |
WO2016086851A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
US9755286B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-09-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
KR20200015565A (ko) * | 2017-05-31 | 2020-02-12 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 액정을 사용한 이상 변조 소자용 기능성 수지 조성물 |
KR102498939B1 (ko) * | 2017-05-31 | 2023-02-10 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 액정을 사용한 이상 변조 소자용 기능성 수지 조성물 |
EP3835852A4 (en) * | 2018-08-10 | 2022-05-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | LIQUID CRYSTAL PHASE SHIFTER AND METHOD OF OPERATION THEREOF, LIQUID CRYSTAL ANTENNA AND COMMUNICATION DEVICE |
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US11876275B2 (en) | 2018-08-10 | 2024-01-16 | Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. | Liquid crystal phase shifter, method for operating the same, liquid crystal antenna, and communication apparatus |
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CN113219688A (zh) * | 2020-02-05 | 2021-08-06 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
CN113219688B (zh) * | 2020-02-05 | 2023-05-23 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
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---|---|
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