JP2003297787A - メガソニック洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンリフティングを防ぎながらウェーハ
の表面から汚染粒子を効率的に除去できる半導体素子の
製造に用いられるメガソニック洗浄装置を提供する。 【解決手段】 本発明はメガソニックエネルギーを発生
させる圧電変換器１１０、及びウェーハに対し半径方向
に取り付けられ、圧電変換器１１０から発生したエネル
ギーをウェーハ１３０上の洗浄液に伝達して撹拌させる
エネルギー伝達手段１２０を含む。エネルギー伝達手段
１２０は撹拌された洗浄液の流れがウェーハ１３０の半
径方向に均一のエネルギーをウェーハ１３０に与えて汚
染粒子を除去するようにデザインされたことを特徴とす
る。したがって、所望の洗浄効果を得るに十分な程度で
エネルギーの大きさを増加させてもエネルギーがウェー
ハ１３０上のある部位に集中しないためにパターンリフ
ティングを防ぎながらウェーハ１３０の表面から汚染粒
子を効率的に除去しうる。
の表面から汚染粒子を効率的に除去できる半導体素子の
製造に用いられるメガソニック洗浄装置を提供する。 【解決手段】 本発明はメガソニックエネルギーを発生
させる圧電変換器１１０、及びウェーハに対し半径方向
に取り付けられ、圧電変換器１１０から発生したエネル
ギーをウェーハ１３０上の洗浄液に伝達して撹拌させる
エネルギー伝達手段１２０を含む。エネルギー伝達手段
１２０は撹拌された洗浄液の流れがウェーハ１３０の半
径方向に均一のエネルギーをウェーハ１３０に与えて汚
染粒子を除去するようにデザインされたことを特徴とす
る。したがって、所望の洗浄効果を得るに十分な程度で
エネルギーの大きさを増加させてもエネルギーがウェー
ハ１３０上のある部位に集中しないためにパターンリフ
ティングを防ぎながらウェーハ１３０の表面から汚染粒
子を効率的に除去しうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造に
用いられるメガソニック洗浄装置に係り、特にパターン
リフティング(lifting)を防止すると共に十分な洗浄効
果が得られるメガソニック洗浄装置に関する。
用いられるメガソニック洗浄装置に係り、特にパターン
リフティング(lifting)を防止すると共に十分な洗浄効
果が得られるメガソニック洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の集積度が高まっていくにつ
れてパターンの大きさ及びパターン間の間隔が非常に小
さくなっている。それに応じて、ウェーハ洗浄工程の重
要性も増加しつつある。その理由は、ウェーハの表面に
汚染粒子が存在する場合、後続工程時のパターン不良が
誘発され、汚染粒子が導電膜からなる微細パターンの間
に存在する場合に半導体素子の誤動作を誘発しかねない
ためである。
れてパターンの大きさ及びパターン間の間隔が非常に小
さくなっている。それに応じて、ウェーハ洗浄工程の重
要性も増加しつつある。その理由は、ウェーハの表面に
汚染粒子が存在する場合、後続工程時のパターン不良が
誘発され、汚染粒子が導電膜からなる微細パターンの間
に存在する場合に半導体素子の誤動作を誘発しかねない
ためである。
【０００３】ところで、微細パターンの大きさが１μｍ
以下に減少することで、許容汚染粒子も小さくなる。そ
して、このような小さな汚染粒子はウェーハと作用する
強い粘着力(adhesion force)を有するために既存の洗
浄方法では除去することが容易でない。したがって、洗
浄効率を高めるための研究が多角的に進行中であり、そ
の核心は除去対象物、すなわち汚染粒子の粘着力を克服
できる力を、洗浄対象物、換言すればウェーハに効果的
に提供することにある。
以下に減少することで、許容汚染粒子も小さくなる。そ
して、このような小さな汚染粒子はウェーハと作用する
強い粘着力(adhesion force)を有するために既存の洗
浄方法では除去することが容易でない。したがって、洗
浄効率を高めるための研究が多角的に進行中であり、そ
の核心は除去対象物、すなわち汚染粒子の粘着力を克服
できる力を、洗浄対象物、換言すればウェーハに効果的
に提供することにある。
【０００４】このような洗浄方法を行うものとしてメガ
ソニック洗浄装置が使用されている。メガソニック洗浄
装置はウェーハの表面に向かう高周波数の極めて撹拌さ
れた流体の流れ(agitated stream of fluid、例え
ば、脱イオン水)を利用する。極度に撹拌された流体の
流れは、ウェーハの表面及び/またはリセス領域でさえ
も汚染粒子を安全かつ効果的に除去する。
ソニック洗浄装置が使用されている。メガソニック洗浄
装置はウェーハの表面に向かう高周波数の極めて撹拌さ
れた流体の流れ(agitated stream of fluid、例え
ば、脱イオン水)を利用する。極度に撹拌された流体の
流れは、ウェーハの表面及び/またはリセス領域でさえ
も汚染粒子を安全かつ効果的に除去する。
【０００５】一般的にメガソニック洗浄装置は、メガソ
ニックエネルギーを発生させる圧電変換器と、この圧電
変換器から発生されたエネルギーを流体媒質に伝達する
エネルギー伝達手段とを含む。このエネルギー伝達手段
を介して伝えられたエネルギーにより媒質が高周波数に
撹拌され、この撹拌された媒質の流れにより汚染粒子が
ウェーハの表面から振動して物理的に分離される。
ニックエネルギーを発生させる圧電変換器と、この圧電
変換器から発生されたエネルギーを流体媒質に伝達する
エネルギー伝達手段とを含む。このエネルギー伝達手段
を介して伝えられたエネルギーにより媒質が高周波数に
撹拌され、この撹拌された媒質の流れにより汚染粒子が
ウェーハの表面から振動して物理的に分離される。
【０００６】図１はエネルギー伝達手段として石英ロッ
ド(quartz rod)２０を採用したメガソニック洗浄装置
を示す。石英ロッド２０は圧電変換器１０から発生され
たエネルギーを流体媒質、すなわち洗浄液１５に伝達す
る。この石英ロッド２０は円筒型の洗浄部２０ａ、及び
直径が増加するフレア後部２０ｂを有する。石英ロッド
２０を通じて洗浄液１５に伝えられたエネルギーは洗浄
液１５を高周波数に撹拌させ、このように撹拌された洗
浄液１５はウェーハ３０を振動させてウェーハ３０表面
の汚染粒子を除去する。ウェーハ３０はその下部のスピ
ンプレート４０の回転に従って回転しながら全面が洗浄
される。
ド(quartz rod)２０を採用したメガソニック洗浄装置
を示す。石英ロッド２０は圧電変換器１０から発生され
たエネルギーを流体媒質、すなわち洗浄液１５に伝達す
る。この石英ロッド２０は円筒型の洗浄部２０ａ、及び
直径が増加するフレア後部２０ｂを有する。石英ロッド
２０を通じて洗浄液１５に伝えられたエネルギーは洗浄
液１５を高周波数に撹拌させ、このように撹拌された洗
浄液１５はウェーハ３０を振動させてウェーハ３０表面
の汚染粒子を除去する。ウェーハ３０はその下部のスピ
ンプレート４０の回転に従って回転しながら全面が洗浄
される。
【０００７】ところが、石英ロッド２０が洗浄液１５を
介してウェーハ３０に与えるエネルギーの大きさは石英
ロッド２０の長手方向、すなわちウェーハエッジＥから
ウェーハ中心Ｃまで一定でない。図２に示すように、ウ
ェーハ３０に与えられるエネルギーはウェーハエッジＥ
部分で最も大きく、ウェーハ中心Ｃに向かうほど減少す
る。すなわち、従来のメガソニック洗浄装置において
は、ウェーハエッジＥ部位にエネルギーが集中する。こ
れは、石英ロッド２０がウェーハ３０上で最初に洗浄液
１５と接触するウェーハエッジＥ部位で最も多いエネル
ギーが発散されるという現象に起因する。
介してウェーハ３０に与えるエネルギーの大きさは石英
ロッド２０の長手方向、すなわちウェーハエッジＥから
ウェーハ中心Ｃまで一定でない。図２に示すように、ウ
ェーハ３０に与えられるエネルギーはウェーハエッジＥ
部分で最も大きく、ウェーハ中心Ｃに向かうほど減少す
る。すなわち、従来のメガソニック洗浄装置において
は、ウェーハエッジＥ部位にエネルギーが集中する。こ
れは、石英ロッド２０がウェーハ３０上で最初に洗浄液
１５と接触するウェーハエッジＥ部位で最も多いエネル
ギーが発散されるという現象に起因する。
【０００８】したがって、エネルギーが相対的に小さく
与えられるウェーハ中心Ｃ部分で十分な洗浄効果を得る
ためには圧電変換器１０から発生されるエネルギーの大
きさを増加させねばならない。しかし、十分な洗浄効果
を得るために必要な高いパワーではウェーハエッジＥに
過度のエネルギーが与えられるため、この部分に位置す
るパターンＰにリフティング現象を誘発するという致命
的な問題点がある。したがって、パターンリフティング
現象も防ぎながら十分な洗浄効果を得るための最適エネ
ルギー条件は、非常に導き出しにくい。
与えられるウェーハ中心Ｃ部分で十分な洗浄効果を得る
ためには圧電変換器１０から発生されるエネルギーの大
きさを増加させねばならない。しかし、十分な洗浄効果
を得るために必要な高いパワーではウェーハエッジＥに
過度のエネルギーが与えられるため、この部分に位置す
るパターンＰにリフティング現象を誘発するという致命
的な問題点がある。したがって、パターンリフティング
現象も防ぎながら十分な洗浄効果を得るための最適エネ
ルギー条件は、非常に導き出しにくい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するために案出されたものであって、本発明の目的
は、従来のメガソニック洗浄装置におけるウェーハエッ
ジ部位のエネルギー集中現象を改善することによって、
パターンリフティングを防ぎながら十分な洗浄効果を得
ることができるメガソニック洗浄装置を提供することで
ある。
解決するために案出されたものであって、本発明の目的
は、従来のメガソニック洗浄装置におけるウェーハエッ
ジ部位のエネルギー集中現象を改善することによって、
パターンリフティングを防ぎながら十分な洗浄効果を得
ることができるメガソニック洗浄装置を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記技術課題を解決する
ために、本発明はメガソニックエネルギーを発生させる
圧電変換器、及びウェーハに対して半径方向に取り付け
られ、前記圧電変換器から発生したエネルギーを前記ウ
ェーハ上の洗浄液に伝達して撹拌させるエネルギー伝達
手段を含む。前記エネルギー伝達手段は前記撹拌された
洗浄液の流れが前記ウェーハの半径方向に均一のエネル
ギーを前記ウェーハに与えて汚染粒子を除去するように
デザインされたことが特徴である。
ために、本発明はメガソニックエネルギーを発生させる
圧電変換器、及びウェーハに対して半径方向に取り付け
られ、前記圧電変換器から発生したエネルギーを前記ウ
ェーハ上の洗浄液に伝達して撹拌させるエネルギー伝達
手段を含む。前記エネルギー伝達手段は前記撹拌された
洗浄液の流れが前記ウェーハの半径方向に均一のエネル
ギーを前記ウェーハに与えて汚染粒子を除去するように
デザインされたことが特徴である。
【００１１】前記エネルギー伝達手段が前記ウェーハの
半径方向に均一のエネルギーを前記ウェーハに与えるよ
うにデザインするためには、前記エネルギー伝達手段の
前記ウェーハ上の位置によって前記洗浄液との濡れ量が
変わるようにデザインすることが好ましい。
半径方向に均一のエネルギーを前記ウェーハに与えるよ
うにデザインするためには、前記エネルギー伝達手段の
前記ウェーハ上の位置によって前記洗浄液との濡れ量が
変わるようにデザインすることが好ましい。
【００１２】例えば、前記エネルギー伝達手段は先端、
細長い前部、及び前記前部の断面より大径を有するよう
にフレアされた後部を有する。そして、前記エネルギー
伝達手段の先端は前記ウェーハの中心上に位置するよう
になる。特に、前記細長い前部はその上部に前記ウェー
ハエッジにおけるエネルギー集中現象を防ぐために形成
された溝を具備することが好ましい。
細長い前部、及び前記前部の断面より大径を有するよう
にフレアされた後部を有する。そして、前記エネルギー
伝達手段の先端は前記ウェーハの中心上に位置するよう
になる。特に、前記細長い前部はその上部に前記ウェー
ハエッジにおけるエネルギー集中現象を防ぐために形成
された溝を具備することが好ましい。
【００１３】前記溝は前記ウェーハエッジに該当する位
置から前記先端まで形成される。そして、前記溝はテー
パー状の半円錐形溝であって、前記ウェーハエッジに該
当する位置で最大の半径を有することが好ましい。この
ような溝は前記洗浄液で充填されて前記エネルギー伝達
手段の振動時、前記溝に充填された洗浄液にエネルギー
が一部発散される。
置から前記先端まで形成される。そして、前記溝はテー
パー状の半円錐形溝であって、前記ウェーハエッジに該
当する位置で最大の半径を有することが好ましい。この
ような溝は前記洗浄液で充填されて前記エネルギー伝達
手段の振動時、前記溝に充填された洗浄液にエネルギー
が一部発散される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づいて本
発明を詳しく説明する。しかし、本発明の実施例は多様
な形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例によ
って限定されると解釈されてはならない。本発明は添付
された請求範囲により定義される本発明の思想及び範ち
ゅう内に含まれる代案、変形、及び等価を含む。図面に
おける要素の形状などはより明確な説明を強調するため
に誇張されたものであり、図面において同じ符号に表示
された要素は同じ要素を意味する。
発明を詳しく説明する。しかし、本発明の実施例は多様
な形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例によ
って限定されると解釈されてはならない。本発明は添付
された請求範囲により定義される本発明の思想及び範ち
ゅう内に含まれる代案、変形、及び等価を含む。図面に
おける要素の形状などはより明確な説明を強調するため
に誇張されたものであり、図面において同じ符号に表示
された要素は同じ要素を意味する。
【００１５】図３は本発明の実施例によるメガソニック
洗浄装置の上面図であり、図４はその側面図である。
洗浄装置の上面図であり、図４はその側面図である。
【００１６】図３及び図４を参照すれば、本発明の実施
例によるメガソニック洗浄装置はメガソニックエネルギ
ーを発生させる圧電変換器１１０及びウェーハ１３０に
対し半径方向に取り付けられ、圧電変換器１１０から発
されたエネルギーをウェーハ１３０上の洗浄液１１５に
伝達して撹拌させるエネルギー伝達手段１２０を含む。
エネルギー伝達手段１２０により撹拌された洗浄液１１
５の流れは、ウェーハ１３０にエネルギーを与える。こ
のエネルギーによってウェーハ１３０上の汚染粒子が振
動して除去される。
例によるメガソニック洗浄装置はメガソニックエネルギ
ーを発生させる圧電変換器１１０及びウェーハ１３０に
対し半径方向に取り付けられ、圧電変換器１１０から発
されたエネルギーをウェーハ１３０上の洗浄液１１５に
伝達して撹拌させるエネルギー伝達手段１２０を含む。
エネルギー伝達手段１２０により撹拌された洗浄液１１
５の流れは、ウェーハ１３０にエネルギーを与える。こ
のエネルギーによってウェーハ１３０上の汚染粒子が振
動して除去される。
【００１７】エネルギー伝達手段１２０は圧電変換器１
１０から発生されたエネルギーを効率よく伝達する不活
性非汚染物質から形成されることが好ましく、例えば、
サファイア、ＳｉＣ、ＢＮ、または炭素ガラス、または
石英から形成される。
１０から発生されたエネルギーを効率よく伝達する不活
性非汚染物質から形成されることが好ましく、例えば、
サファイア、ＳｉＣ、ＢＮ、または炭素ガラス、または
石英から形成される。
【００１８】そして、エネルギー伝達手段１２０は撹拌
された洗浄液１１５の流れがウェーハ１３０に均一のエ
ネルギーを与えて、汚染粒子を除去するようにデザイン
される。このために、エネルギー伝達手段１２０のウェ
ーハ１３０上での位置によって洗浄液１１５（後述する
洗浄液１１５’を含む）との濡れ量、すなわち洗浄液１
１５と接触する量が変わるようにデザインでき、該洗浄
液１１５に発散するエネルギ量を調節する。
された洗浄液１１５の流れがウェーハ１３０に均一のエ
ネルギーを与えて、汚染粒子を除去するようにデザイン
される。このために、エネルギー伝達手段１２０のウェ
ーハ１３０上での位置によって洗浄液１１５（後述する
洗浄液１１５’を含む）との濡れ量、すなわち洗浄液１
１５と接触する量が変わるようにデザインでき、該洗浄
液１１５に発散するエネルギ量を調節する。
【００１９】図面に示したように、エネルギー伝達手段
１２０はロッド型であって、その一端の直径がその他端
の直径より小さい。エネルギー伝達手段１２０は先端１
２０ｃ、該先端１２０ｃから延びる細長い前部１２０
ａ、及び前部１２０ａの断面より大径を有するようにフ
レアされて前部１２０ａから延びる後部１２０ｂを有す
る。先端１２０ｃはウェーハ中心Ｃ上に位置する。特
に、前部１２０ａはその上部にウェーハエッジＥにおけ
るエネルギー集中現象を防ぐために形成された溝１２０
ｄを具備する。このような溝１２０ｄは洗浄液１１５’
で充填される。したがって、エネルギー伝達手段１２０
が振動する時に溝１２０ｄに充填された洗浄液１１５’
へエネルギーが一部発散される。
１２０はロッド型であって、その一端の直径がその他端
の直径より小さい。エネルギー伝達手段１２０は先端１
２０ｃ、該先端１２０ｃから延びる細長い前部１２０
ａ、及び前部１２０ａの断面より大径を有するようにフ
レアされて前部１２０ａから延びる後部１２０ｂを有す
る。先端１２０ｃはウェーハ中心Ｃ上に位置する。特
に、前部１２０ａはその上部にウェーハエッジＥにおけ
るエネルギー集中現象を防ぐために形成された溝１２０
ｄを具備する。このような溝１２０ｄは洗浄液１１５’
で充填される。したがって、エネルギー伝達手段１２０
が振動する時に溝１２０ｄに充填された洗浄液１１５’
へエネルギーが一部発散される。
【００２０】洗浄液１１５及びウェーハ１３０は容器１
５０に収容される。そして、エネルギー伝達手段１２０
の細長い前部１２０ａが容器内に取り付けられる。ウェ
ーハ１３０を支持するスピンプレート１４０はウェーハ
１３０を回転させる。洗浄液１１５はウェーハ１３０上
に取り付けられた洗浄液噴霧ノズル１６０からエネルギ
ー伝達手段１２０とウェーハ１３０との間に導入され
る。洗浄液１１５は特別に製造された多様な化合物を含
む洗浄液であるか、または代案的に一般の脱イオン水で
ありうる。
５０に収容される。そして、エネルギー伝達手段１２０
の細長い前部１２０ａが容器内に取り付けられる。ウェ
ーハ１３０を支持するスピンプレート１４０はウェーハ
１３０を回転させる。洗浄液１１５はウェーハ１３０上
に取り付けられた洗浄液噴霧ノズル１６０からエネルギ
ー伝達手段１２０とウェーハ１３０との間に導入され
る。洗浄液１１５は特別に製造された多様な化合物を含
む洗浄液であるか、または代案的に一般の脱イオン水で
ありうる。
【００２１】図５を参照して前部１２０ａに具備された
溝１２０ｄをより詳しく説明すれば、次の通りである。
溝１２０ｄはウェーハエッジＥに該当する位置から先端
１２０ｃまで形成される。そして、溝１２０ｄはテーパ
ー状の半円錐形である。
溝１２０ｄをより詳しく説明すれば、次の通りである。
溝１２０ｄはウェーハエッジＥに該当する位置から先端
１２０ｃまで形成される。そして、溝１２０ｄはテーパ
ー状の半円錐形である。
【００２２】溝１２０ｄはウェーハエッジＥに該当する
位置で最大半径を有するように形成される。したがっ
て、溝１２０ｄに充填された洗浄液１１５’へ発散され
るエネルギーはウェーハエッジＥに該当する位置で最大
である。すなわち、ウェーハエッジＥ部分では多量のエ
ネルギーがエネルギー伝達手段上部の媒質に発散され、
ウェーハ中心に近づくほど少量のエネルギーをエネルギ
ー伝達手段上部の媒質に発散するようになる。結局、ウ
ェーハに伝えられるエネルギー量がウェーハ半径方向に
よって調節される。
位置で最大半径を有するように形成される。したがっ
て、溝１２０ｄに充填された洗浄液１１５’へ発散され
るエネルギーはウェーハエッジＥに該当する位置で最大
である。すなわち、ウェーハエッジＥ部分では多量のエ
ネルギーがエネルギー伝達手段上部の媒質に発散され、
ウェーハ中心に近づくほど少量のエネルギーをエネルギ
ー伝達手段上部の媒質に発散するようになる。結局、ウ
ェーハに伝えられるエネルギー量がウェーハ半径方向に
よって調節される。
【００２３】本発明と違って、従来の技術においてはエ
ネルギー伝達手段のウェーハ上の全ての位置で洗浄液と
の濡れ量が同一である。したがって、既に言及したよう
に、従来のエネルギー伝達手段に印加されるエネルギー
は洗浄液と最初に接触するウェーハエッジ部分で最大限
発散され、そのためにウェーハに印加されるエネルギー
はウェーハエッジから遠ざかるほど減少するようにな
る。
ネルギー伝達手段のウェーハ上の全ての位置で洗浄液と
の濡れ量が同一である。したがって、既に言及したよう
に、従来のエネルギー伝達手段に印加されるエネルギー
は洗浄液と最初に接触するウェーハエッジ部分で最大限
発散され、そのためにウェーハに印加されるエネルギー
はウェーハエッジから遠ざかるほど減少するようにな
る。
【００２４】本実施例において溝１２０ｄは、溝形成工
程の便宜性も十分考慮して半円錐状を有するようにデザ
インされている。しかし、本発明の思想を具現する溝
は、従来のエネルギーの不均一さを完全に補償できる形
状であれば、いかなる多様な形状を有するようにもデザ
インできる。そして、半円錐状の溝であっても半径及び
深さは必要によっていくらでも異ならせることができ
る。
程の便宜性も十分考慮して半円錐状を有するようにデザ
インされている。しかし、本発明の思想を具現する溝
は、従来のエネルギーの不均一さを完全に補償できる形
状であれば、いかなる多様な形状を有するようにもデザ
インできる。そして、半円錐状の溝であっても半径及び
深さは必要によっていくらでも異ならせることができ
る。
【００２５】溝１２０ｄを適切にデザインすると、図６
に示すようなエネルギー分布を得られる。図６は、図３
の装置においてウェーハに伝達されるエネルギーの大き
さをウェーハ上の位置によって示した図面である。エネ
ルギー伝達手段１２０が洗浄液１１５を媒介としてウェ
ーハ１３０に与えるエネルギーの大きさはエネルギー伝
達手段１２０の長手方向、すなわちウェーハエッジＥか
らウェーハ中心Ｃに至るまで一定にできる。
に示すようなエネルギー分布を得られる。図６は、図３
の装置においてウェーハに伝達されるエネルギーの大き
さをウェーハ上の位置によって示した図面である。エネ
ルギー伝達手段１２０が洗浄液１１５を媒介としてウェ
ーハ１３０に与えるエネルギーの大きさはエネルギー伝
達手段１２０の長手方向、すなわちウェーハエッジＥか
らウェーハ中心Ｃに至るまで一定にできる。
【００２６】前部１２０ａにウェーハエッジＥでのエネ
ルギー集中現象を防ぐために備えた溝１２０ｄはウェー
ハエッジＥに該当する位置から先端１２０ｃまで形成さ
れることが一般的である。しかし、これに限定されな
い。図７は、図３の装置においてエネルギー伝達手段に
具備する溝の他の例を説明するための側断面図である。
図７に示すように、溝１２０ｄ’はウェーハエッジＥに
該当される位置で突然に終わることなく、ウェーハエッ
ジＥに該当する位置の外側へ順次に浅くなるように形成
することもできる。
ルギー集中現象を防ぐために備えた溝１２０ｄはウェー
ハエッジＥに該当する位置から先端１２０ｃまで形成さ
れることが一般的である。しかし、これに限定されな
い。図７は、図３の装置においてエネルギー伝達手段に
具備する溝の他の例を説明するための側断面図である。
図７に示すように、溝１２０ｄ’はウェーハエッジＥに
該当される位置で突然に終わることなく、ウェーハエッ
ジＥに該当する位置の外側へ順次に浅くなるように形成
することもできる。
【００２７】
【発明の効果】したがって、従来のメガソニック洗浄装
置におけるウェーハエッジ部位のエネルギー集中現象を
改善できる。要望の洗浄効果を得るに十分な程度でエネ
ルギーの大きさを増加させてもエネルギーがウェーハ上
の特定部位に集中しないため、パターンリフティングを
防ぎながらウェーハの表面から汚染粒子を効率的に除去
できる。
置におけるウェーハエッジ部位のエネルギー集中現象を
改善できる。要望の洗浄効果を得るに十分な程度でエネ
ルギーの大きさを増加させてもエネルギーがウェーハ上
の特定部位に集中しないため、パターンリフティングを
防ぎながらウェーハの表面から汚染粒子を効率的に除去
できる。
【００２８】本発明の特定実施例に関する以上の説明は
例示及び説明を目的で提供された。本発明は実施例に限
定されず、本発明の技術的思想内で当業者ならばこれよ
り多様な修正及び変形が可能なことは明白である。以上
の実施例においてはウェーハに与えられるエネルギーを
均一にするために、溝を具備するようにデザインされた
エネルギー伝達手段の例を挙げた。しかし、エネルギー
伝達手段は本発明の技術的課題を解決する範囲内でいか
なる多様な形態でも具現できる。したがって、本発明の
範ちゅうは添付された請求範囲及びその等価物によって
決まるべきである。
例示及び説明を目的で提供された。本発明は実施例に限
定されず、本発明の技術的思想内で当業者ならばこれよ
り多様な修正及び変形が可能なことは明白である。以上
の実施例においてはウェーハに与えられるエネルギーを
均一にするために、溝を具備するようにデザインされた
エネルギー伝達手段の例を挙げた。しかし、エネルギー
伝達手段は本発明の技術的課題を解決する範囲内でいか
なる多様な形態でも具現できる。したがって、本発明の
範ちゅうは添付された請求範囲及びその等価物によって
決まるべきである。
【図１】 従来のメガソニック洗浄装置を示した図面で
ある。
ある。
【図２】 図１の装置においてウェーハに伝達されるエ
ネルギーの大きさをウェーハ上の位置によって示した図
面である。
ネルギーの大きさをウェーハ上の位置によって示した図
面である。
【図３】 本発明の実施例によるメガソニック洗浄装置
の上面図である。
の上面図である。
【図４】 図３の装置の側断面図である。
【図５】 図３の装置においてエネルギー伝達手段に具
備される溝を説明するための斜視図である。
備される溝を説明するための斜視図である。
【図６】 図３の装置においてウェーハに伝達されるエ
ネルギーの大きさをウェーハ上の位置によって示した図
面である。
ネルギーの大きさをウェーハ上の位置によって示した図
面である。
【図７】 図３の装置においてエネルギー伝達手段に具
備する溝の他の例を説明するための側断面図である。
備する溝の他の例を説明するための側断面図である。
１１０…圧電変換器、
１２０…エネルギー伝達手段
１２０ａ…細長い前部、
１２０ｂ…後部、
１２０ｃ…先端、
１２０ｄ…溝、
１３０…ウェーハ、
１１５’…溝に充填された洗浄液、
１５０…容器、
１６０…洗浄液噴霧ノズル。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 金 ▲けい▼ 顕
大韓民国ソウル特別市瑞草区盤浦洞 住公
アパート25棟205号
(72)発明者 趙 顕 鎬
大韓民国ソウル特別市江南区大峙１洞 三
星アパート106棟2203号
(72)発明者 呂 寅 準
大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞 住公
９団地アパート909棟1904号
(72)発明者 南 廷 林
大韓民国京畿道龍仁市水枝邑豊徳川里 三
星５次アパート525棟702号
Claims (16)
- 【請求項１】 メガソニックエネルギーを発生させる圧
電変換器と、 ウェーハに対して半径方向に取り付けられ、前記圧電変
換器から発生したエネルギーを前記ウェーハ上の洗浄液
に伝達して撹拌させるエネルギー伝達手段とを含み、 前記エネルギー伝達手段は前記撹拌された洗浄液の流れ
が前記ウェーハの半径方向に均一のエネルギーを前記ウ
ェーハに与えて汚染粒子を除去するようにデザインされ
たことを特徴とするメガソニック洗浄装置。 - 【請求項２】 前記エネルギー伝達手段は前記ウェーハ
上の位置によって前記洗浄液との濡れ量が変わるように
デザインされていることを特徴とする請求項１に記載の
メガソニック洗浄装置。 - 【請求項３】 前記エネルギー伝達手段は前記圧電変換
器から発生したエネルギーを効率よく伝達する不活性非
汚染物質から形成されていることを特徴とする請求項１
に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項４】 前記非汚染物質はサファイア、ＳｉＣ、
ＢＮ、または炭素ガラスであることを特徴とする請求項
３に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項５】 前記エネルギー伝達手段は石英からなる
ことを特徴とする請求項１に記載のメガソニック洗浄装
置。 - 【請求項６】 前記エネルギー伝達手段はロッド型であ
って、前記エネルギー伝達手段の一端の直径が前記エネ
ルギー伝達手段の他端の直径より小さいことを特徴とす
る請求項１に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項７】 前記エネルギー伝達手段は先端、細長い
前部、及び前記前部の断面より大径を有するようにフレ
アされた後部を有することを特徴とする請求項６に記載
のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項８】 前記エネルギー伝達手段の先端は前記ウ
ェーハの中心上に位置することを特徴とする請求項７に
記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項９】 前記細長い前部はその上部に前記ウェー
ハエッジにおけるエネルギー集中現象を防ぐために形成
された溝を具備することを特徴とする請求項６に記載の
メガソニック洗浄装置。 - 【請求項１０】 前記溝は前記ウェーハエッジに該当す
る位置から前記先端まで形成されていることを特徴とす
る請求項９に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項１１】 前記溝はテーパー状の半円錐形溝であ
って、前記ウェーハエッジに該当する位置で最大の半径
を有することを特徴とする請求項１０に記載のメガソニ
ック洗浄装置。 - 【請求項１２】 前記溝が前記ウェーハエッジに該当す
る位置で終わらず、前記ウェーハエッジに該当する位置
の外側に行くほど浅くなるように処理されていることを
特徴とする請求項１１に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項１３】 前記溝は前記洗浄液で充填されて前記
エネルギー伝達手段の振動時、前記溝に充填された洗浄
液にエネルギーが一部発散されるようにすることを特徴
とする請求項９ないし１２のいずれかに記載のメガソニ
ック洗浄装置。 - 【請求項１４】 前記洗浄液及びウェーハを収容する容
器をさらに含み、前記エネルギー伝達手段の細長い前部
が前記容器内に取り付けられることを特徴とする請求項
７に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項１５】 前記容器内で前記ウェーハを支持して
回転自在にするスピンプレートをさらに含むことを特徴
とする請求項１４に記載のメガソニック洗浄装置。 - 【請求項１６】 前記エネルギー伝達手段と前記ウェー
ハとの間に洗浄液を導入するために前記ウェーハ上に取
り付けられた洗浄液噴霧ノズルをさらに含むことを特徴
とする請求項１４に記載のメガソニック洗浄装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0015906A KR100493016B1 (ko) | 2002-03-23 | 2002-03-23 | 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 |
| KR2002-015906 | 2002-03-23 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297787A true JP2003297787A (ja) | 2003-10-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP4065175B2 (ja) |
| KR (1) | KR100493016B1 (ja) |
| CN (1) | CN1329959C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006108678A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 洗浄プローブ及びこれを具備するメガソニック洗浄装置 |
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| KR100576823B1 (ko) * | 2003-10-22 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 기판세정장치 |
| KR100870525B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2008-11-26 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 |
| KR100927028B1 (ko) * | 2007-12-04 | 2009-11-17 | 세메스 주식회사 | 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치 |
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