JP2003297775A - 鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ - Google Patents
鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨加工中に研磨スラリ中の汚染金属がシリコ
ンウェーハ内に拡散するメカニズムを明らかにして、シ
リコンウェーハの汚染量を一定レベル以下に低下させる
パラメータを明確に定め、半導体デバイスの製造歩留ま
り向上を確実に行えるようにする。 【解決手段】研磨スラリ１中の銅イオン４ｃの濃度を１
０ppt以下にする。
ンウェーハ内に拡散するメカニズムを明らかにして、シ
リコンウェーハの汚染量を一定レベル以下に低下させる
パラメータを明確に定め、半導体デバイスの製造歩留ま
り向上を確実に行えるようにする。 【解決手段】研磨スラリ１中の銅イオン４ｃの濃度を１
０ppt以下にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
などの半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面の半導体ウ
ェーハを製造する方法および半導体ウェーハの表面の研
磨に用いられる半導体ウェーハ用研磨スラリに関するも
のである。
などの半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面の半導体ウ
ェーハを製造する方法および半導体ウェーハの表面の研
磨に用いられる半導体ウェーハ用研磨スラリに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハを製造する各工程のう
ち研磨工程（ポリシング工程）では、研磨スラリを用い
てシリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
ち研磨工程（ポリシング工程）では、研磨スラリを用い
てシリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
【０００３】研磨スラリ１は、図２に示すように、一般
的に、粒径が３０〜２００ｎｍ程度のシリカ（Ｓi
Ｏ２）粒子（砥粒）２を、ｐＨが１０〜１１程度のＮa
ＯＨやＫＯＨなどのアルカリ水溶液３中にコロイド状に
分散させたものである。
的に、粒径が３０〜２００ｎｍ程度のシリカ（Ｓi
Ｏ２）粒子（砥粒）２を、ｐＨが１０〜１１程度のＮa
ＯＨやＫＯＨなどのアルカリ水溶液３中にコロイド状に
分散させたものである。
【０００４】研磨工程では、この研磨スラリ１がシリコ
ンウェーハと研磨パッドとの間に供給される。そしてシ
リコンウェーハを研磨パッドに押しつけシリコンウェー
ハと研磨パッドをそれぞれ回転させることにより、シリ
コンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。なお研磨工
程は、高圧、高速でウェーハ表面を平坦化する１次研磨
工程と、１次研磨後のウェーハのヘイズを除去して鏡面
状に仕上げる仕上げ研磨工程とに分けられる。研磨スラ
リ１は１次研磨工程で使用される。
ンウェーハと研磨パッドとの間に供給される。そしてシ
リコンウェーハを研磨パッドに押しつけシリコンウェー
ハと研磨パッドをそれぞれ回転させることにより、シリ
コンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。なお研磨工
程は、高圧、高速でウェーハ表面を平坦化する１次研磨
工程と、１次研磨後のウェーハのヘイズを除去して鏡面
状に仕上げる仕上げ研磨工程とに分けられる。研磨スラ
リ１は１次研磨工程で使用される。
【０００５】研磨スラリ１を用いた研磨は、「メカノケ
ミカルポリシング」で行われる。すなわち砥粒としての
シリカ粒子がシリコンウェーハの表面に機械的に作用す
ることにより表面が削り取られ、アルカリ溶液３がシリ
コンウェーハの表面で化学反応することにより表面が削
り取られる。
ミカルポリシング」で行われる。すなわち砥粒としての
シリカ粒子がシリコンウェーハの表面に機械的に作用す
ることにより表面が削り取られ、アルカリ溶液３がシリ
コンウェーハの表面で化学反応することにより表面が削
り取られる。
【０００６】研磨スラリ１の中には、汚染金属が含有さ
れている。汚染金属の種類には、銅（Ｃu）、ニッケル
（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などがある。銅や
ニッケルなどの汚染金属は、天然石英からシリカ粒子２
を製造する過程で外部から不純物として入り込む。
れている。汚染金属の種類には、銅（Ｃu）、ニッケル
（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などがある。銅や
ニッケルなどの汚染金属は、天然石英からシリカ粒子２
を製造する過程で外部から不純物として入り込む。
【０００７】こうした汚染金属を含有した研磨スラリ１
を用いてシリコンウェーハを研磨すると、研磨加工中に
汚染金属がシリコンウェーハのバルク中に拡散してシリ
コンウェーハの品質を劣化させる。そしてこのような品
質が劣化したシリコンウェーハを用いて半導体デバイス
を製造すると、半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与
える。汚染金属の中でも、特に銅は、シリコンウェーハ
中の拡散速度が最も大きいので、研磨加工中に迅速にシ
リコンウェーハ内部に深く入り込み、半導体デバイスの
歩留まりに甚大な悪影響を与える。たとえば５ｐｐｂ程
度の銅を含む研磨スラリ１を用いてシリコンウェーハを
研磨したとすると、シリコンウェーハ中に拡散する銅の
汚染量（atoms/cm２）は、１０９〜１０１０atoms/cm２
という大きな値を示し、半導体デバイスの歩留まりに
甚大な悪影響を与える。ここで汚染量（atoms/cm２）と
は、鏡面のシリコンウェーハを長期間（たとえば３ヶ
月）保管したときにウェーハ表面に析出される汚染金属
の単位面積当たりの原子数で評価したものである。
を用いてシリコンウェーハを研磨すると、研磨加工中に
汚染金属がシリコンウェーハのバルク中に拡散してシリ
コンウェーハの品質を劣化させる。そしてこのような品
質が劣化したシリコンウェーハを用いて半導体デバイス
を製造すると、半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与
える。汚染金属の中でも、特に銅は、シリコンウェーハ
中の拡散速度が最も大きいので、研磨加工中に迅速にシ
リコンウェーハ内部に深く入り込み、半導体デバイスの
歩留まりに甚大な悪影響を与える。たとえば５ｐｐｂ程
度の銅を含む研磨スラリ１を用いてシリコンウェーハを
研磨したとすると、シリコンウェーハ中に拡散する銅の
汚染量（atoms/cm２）は、１０９〜１０１０atoms/cm２
という大きな値を示し、半導体デバイスの歩留まりに
甚大な悪影響を与える。ここで汚染量（atoms/cm２）と
は、鏡面のシリコンウェーハを長期間（たとえば３ヶ
月）保管したときにウェーハ表面に析出される汚染金属
の単位面積当たりの原子数で評価したものである。
【０００８】そこで、従来より、研磨スラリ１中の汚染
金属について、これを半導体デバイスの歩留まりに悪影
響を与えない程度に低濃度にする方法が考えられてい
る。
金属について、これを半導体デバイスの歩留まりに悪影
響を与えない程度に低濃度にする方法が考えられてい
る。
【０００９】研磨スラリ１中の汚染金属を低濃度にする
方法として、研磨スラリ１の製造工程で精製の工程に時
間とコストをかけて汚染金属を除去することが考えられ
る。確かに精製に時間とコストをかける程、銅などの汚
染金属の濃度は低くなるが、作業効率が悪く現実的では
ない。
方法として、研磨スラリ１の製造工程で精製の工程に時
間とコストをかけて汚染金属を除去することが考えられ
る。確かに精製に時間とコストをかける程、銅などの汚
染金属の濃度は低くなるが、作業効率が悪く現実的では
ない。
【００１０】そこで特開平１１−１８６２０１号公報に
は、陽イオン交換樹脂によって研磨スラリ中の銅、ニッ
ケルの濃度を０．０１〜１ｐｐｂの範囲に収め、かつ水
酸化ナトリウム水溶液の添加量を調整して研磨スラリの
ｐＨを１１以下に抑えることによって、研磨加工中にシ
リコンウェーハ内に拡散する銅、ニッケルの汚染量を低
減させんとする発明が記載されている。
は、陽イオン交換樹脂によって研磨スラリ中の銅、ニッ
ケルの濃度を０．０１〜１ｐｐｂの範囲に収め、かつ水
酸化ナトリウム水溶液の添加量を調整して研磨スラリの
ｐＨを１１以下に抑えることによって、研磨加工中にシ
リコンウェーハ内に拡散する銅、ニッケルの汚染量を低
減させんとする発明が記載されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし本発明者らの知
見によって、上記公報に示される「研磨スラリ中の銅、
ニッケルの濃度が総量で０．０１〜１ｐｐｂである」と
いうパラメータ、範囲は、必ずしも研磨加工中にシリコ
ンウェーハ内に拡散する銅、ニッケルの汚染量を一定レ
ベル以下に低下させて半導体デバイス歩留まりを満足で
きるレベルにするものではないことが明らかになった。
見によって、上記公報に示される「研磨スラリ中の銅、
ニッケルの濃度が総量で０．０１〜１ｐｐｂである」と
いうパラメータ、範囲は、必ずしも研磨加工中にシリコ
ンウェーハ内に拡散する銅、ニッケルの汚染量を一定レ
ベル以下に低下させて半導体デバイス歩留まりを満足で
きるレベルにするものではないことが明らかになった。
【００１２】本発明は、研磨加工中に研磨スラリ中の汚
染金属がシリコンウェーハ内に拡散するメカニズムを明
らかにして、シリコンウェーハの汚染量を一定レベル以
下に低下させるパラメータを明確に定め、半導体デバイ
スの製造歩留まり向上を確実に行えるようにすることを
解決課題とするものである。
染金属がシリコンウェーハ内に拡散するメカニズムを明
らかにして、シリコンウェーハの汚染量を一定レベル以
下に低下させるパラメータを明確に定め、半導体デバイ
スの製造歩留まり向上を確実に行えるようにすることを
解決課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および効果】第１発明は、
研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡
面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造
方法において、鏡面半導体ウェーハの表面に析出する汚
染金属の量が一定レベル以下に低減するように、研磨ス
ラリ中の汚染金属イオンの濃度を一定レベル以下に低減
させた研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨するこ
とを特徴とする。
研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡
面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造
方法において、鏡面半導体ウェーハの表面に析出する汚
染金属の量が一定レベル以下に低減するように、研磨ス
ラリ中の汚染金属イオンの濃度を一定レベル以下に低減
させた研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨するこ
とを特徴とする。
【００１４】第２発明は、第１発明において、研磨スラ
リ中の汚染金属イオンの濃度をそれぞれのイオン種につ
き１０ppt以下に低減させたことを特徴とする。
リ中の汚染金属イオンの濃度をそれぞれのイオン種につ
き１０ppt以下に低減させたことを特徴とする。
【００１５】第３発明は、第１発明において、前記研磨
スラリは、シリカ粒子を含有するものであることを特徴
とする。
スラリは、シリカ粒子を含有するものであることを特徴
とする。
【００１６】第４発明は、鏡面半導体ウェーハの表面に
析出する汚染金属の量が一定レベル以下に低減するよう
に、含有する汚染金属イオンの濃度が一定レベル以下に
低減されてなる半導体ウェーハ用研磨スラリ。
析出する汚染金属の量が一定レベル以下に低減するよう
に、含有する汚染金属イオンの濃度が一定レベル以下に
低減されてなる半導体ウェーハ用研磨スラリ。
【００１７】第５発明は、第４発明において、含有する
汚染金属イオンの濃度がそれぞれのイオン種につき１０
ppt以下に低減されてなることを特徴とする。
汚染金属イオンの濃度がそれぞれのイオン種につき１０
ppt以下に低減されてなることを特徴とする。
【００１８】図２に示すように、研磨スラリ１中の銅
は、つぎの３つに分けられる。
は、つぎの３つに分けられる。
【００１９】
１）シリカ粒子２の内部に含有している銅４ａ
２）シリカ粒子２の表面の電荷によって表面に付着して
いる銅４ｂ ３）アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ 研磨加工中にシリコンウェーハ内に侵入して内部で拡散
する銅の量つまり汚染量は、上記３）の「アルカリ水溶
液３中に存在している銅イオン４ｃ」の量で定まり、図
１に示すように研磨スラリ１中のイオン化した銅４ｃの
濃度と、シリコンウェーハの銅汚染量とは相関がある。
図１において銅イオン４ｃの濃度が１０ppt以下のとき
に半導体デバイス製造の歩留まりを満足できるレベルに
することができる。
いる銅４ｂ ３）アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ 研磨加工中にシリコンウェーハ内に侵入して内部で拡散
する銅の量つまり汚染量は、上記３）の「アルカリ水溶
液３中に存在している銅イオン４ｃ」の量で定まり、図
１に示すように研磨スラリ１中のイオン化した銅４ｃの
濃度と、シリコンウェーハの銅汚染量とは相関がある。
図１において銅イオン４ｃの濃度が１０ppt以下のとき
に半導体デバイス製造の歩留まりを満足できるレベルに
することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して実施の形態に
ついて説明する。なお本実施形態では半導体ウェーハと
してシリコン（Ｓi）ウェーハを想定するが以下に述べ
る実施形態はシリコンウェーハ以外のガリウム砒素ウェ
ーハなどにも適用可能である。また本実施形態では汚染
金属として銅（Ｃu）を想定するが、銅以外のニッケル
（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などの汚染金属に
対しても適用可能である。特にニッケルは銅と同様にシ
リコンウェーハ中における拡散速度が速いので、以下の
実施形態における銅と同様に扱うことができる。
ついて説明する。なお本実施形態では半導体ウェーハと
してシリコン（Ｓi）ウェーハを想定するが以下に述べ
る実施形態はシリコンウェーハ以外のガリウム砒素ウェ
ーハなどにも適用可能である。また本実施形態では汚染
金属として銅（Ｃu）を想定するが、銅以外のニッケル
（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などの汚染金属に
対しても適用可能である。特にニッケルは銅と同様にシ
リコンウェーハ中における拡散速度が速いので、以下の
実施形態における銅と同様に扱うことができる。
【００２１】シリコンウェーハを製造する各工程のうち
研磨工程（ポリシング工程）では、研磨スラリを用いて
シリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
研磨工程（ポリシング工程）では、研磨スラリを用いて
シリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
【００２２】まず本発明の知見について図２を参照して
説明する。図２は実施形態の研磨スラリ１の成分を示し
ており、粒径が３０〜２００ｎｍ程度のシリカ（ＳiＯ
２）粒子（砥粒）２を、ＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカ
リ水溶液３中にコロイド状に分散させたものである。
説明する。図２は実施形態の研磨スラリ１の成分を示し
ており、粒径が３０〜２００ｎｍ程度のシリカ（ＳiＯ
２）粒子（砥粒）２を、ＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカ
リ水溶液３中にコロイド状に分散させたものである。
【００２３】研磨スラリ１中の銅は、つぎの３つに分け
られる。
られる。
【００２４】
１）シリカ粒子２の内部に含有している銅４ａ
２）シリカ粒子２の表面の電荷によって表面に付着して
いる銅４ｂ ３）アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ これら３種類の銅４ａ、４ｂ、４ｃの中で、上記１）の
「シリカ粒子２の内部に含有している銅４ａ」が最も量
が多い。しかし研磨加工中にシリコンウェーハ内に侵入
して内部で拡散する銅の量つまり汚染量は、上記３）の
「アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ」の
量で定まる。いいかえれば、研磨スラリ１中の銅４ａ、
４ｂ、４ｃの総量の濃度が１ｐｐｂよりも高い値を示し
たとしても銅イオン４ｃの濃度が低ければ、シリコンウ
ェーハの汚染量は低い値を示す。逆に研磨スラリ１中の
銅４ａ、４ｂ、４ｃの総量の濃度が１ｐｐｂ以下の低い
値を示したとしても銅イオン４ｃの濃度が高ければ、シ
リコンウェーハの汚染量は高い値を示す。
いる銅４ｂ ３）アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ これら３種類の銅４ａ、４ｂ、４ｃの中で、上記１）の
「シリカ粒子２の内部に含有している銅４ａ」が最も量
が多い。しかし研磨加工中にシリコンウェーハ内に侵入
して内部で拡散する銅の量つまり汚染量は、上記３）の
「アルカリ水溶液３中に存在している銅イオン４ｃ」の
量で定まる。いいかえれば、研磨スラリ１中の銅４ａ、
４ｂ、４ｃの総量の濃度が１ｐｐｂよりも高い値を示し
たとしても銅イオン４ｃの濃度が低ければ、シリコンウ
ェーハの汚染量は低い値を示す。逆に研磨スラリ１中の
銅４ａ、４ｂ、４ｃの総量の濃度が１ｐｐｂ以下の低い
値を示したとしても銅イオン４ｃの濃度が高ければ、シ
リコンウェーハの汚染量は高い値を示す。
【００２５】アルカリ水溶液３中に存在しているもの
は、ｐＨが１０〜１１になっているアルカリ水溶液３中
では、大多数が銅の水酸化物｛Ｃu（ＯＨ）２，Ｃu
２Ｏ｝であり、Ｃu２＋ イオンと、Ｃu（ＯＨ）４ ２−/
ＨＣu（ＯＨ）４ − イオンは極少数しか存在していな
い。
は、ｐＨが１０〜１１になっているアルカリ水溶液３中
では、大多数が銅の水酸化物｛Ｃu（ＯＨ）２，Ｃu
２Ｏ｝であり、Ｃu２＋ イオンと、Ｃu（ＯＨ）４ ２−/
ＨＣu（ＯＨ）４ − イオンは極少数しか存在していな
い。
【００２６】しかし研磨加工中にシリコンウェーハ中に
拡散する銅は、このＣu２＋イオンと、Ｃu（ＯＨ）４
２−/ＨＣu（ＯＨ）４ −イオンであるため、この銅イオ
ンを低減する必要がある。
拡散する銅は、このＣu２＋イオンと、Ｃu（ＯＨ）４
２−/ＨＣu（ＯＨ）４ −イオンであるため、この銅イオ
ンを低減する必要がある。
【００２７】ただし研磨加工中にはシリコンウェーハの
表面は負に帯電しているため、Ｃu（ＯＨ）４ ２−/ＨＣ
u（ＯＨ）４ −イオンと、Ｃu２＋イオンとを比較する
と、正のＣu２＋イオンの方がシリコンウェーハの表面
に吸着し易く、シリコンウェーハの内部に拡散し易い。
このためシリコンウェーハの銅汚染量を減らすには、Ｃ
u２＋イオンを減らすことが重要となる。
表面は負に帯電しているため、Ｃu（ＯＨ）４ ２−/ＨＣ
u（ＯＨ）４ −イオンと、Ｃu２＋イオンとを比較する
と、正のＣu２＋イオンの方がシリコンウェーハの表面
に吸着し易く、シリコンウェーハの内部に拡散し易い。
このためシリコンウェーハの銅汚染量を減らすには、Ｃ
u２＋イオンを減らすことが重要となる。
【００２８】このことは図１に示すグラフに示される。
【００２９】図１は、横軸に研磨スラリ１中のイオン化
した銅４ｃの濃度（ppt）をとり、縦軸に研磨スラリ１
を用いて研磨した鏡面のシリコンウェーハを長期間（た
とえば３ヶ月）保管したときにウェーハ表面に析出され
る銅の面積密度（atoms/cm２）をとったものである。つ
まり縦軸はシリコンウェーハ中に拡散された銅の汚染量
を示している。
した銅４ｃの濃度（ppt）をとり、縦軸に研磨スラリ１
を用いて研磨した鏡面のシリコンウェーハを長期間（た
とえば３ヶ月）保管したときにウェーハ表面に析出され
る銅の面積密度（atoms/cm２）をとったものである。つ
まり縦軸はシリコンウェーハ中に拡散された銅の汚染量
を示している。
【００３０】同図１に示すように研磨スラリ１中のイオ
ン化した銅４ｃの濃度と、シリコンウェーハの銅汚染量
とは相関がある。図１において銅イオン４ｃの濃度が１
０ppt以下のときに半導体デバイス製造の歩留まりを満
足できるレベルにすることができる。また図１において
シリコンウェーハの銅汚染量が１．０×１０８（atoms/
cm２）以下のとき測定限界以下であるので、シリコンウ
ェーハの銅汚染量が１．０×１０８（atoms/cm２）以下
となるように、銅イオン４ｃの濃度を５ppt以下にする
ことが望ましい。
ン化した銅４ｃの濃度と、シリコンウェーハの銅汚染量
とは相関がある。図１において銅イオン４ｃの濃度が１
０ppt以下のときに半導体デバイス製造の歩留まりを満
足できるレベルにすることができる。また図１において
シリコンウェーハの銅汚染量が１．０×１０８（atoms/
cm２）以下のとき測定限界以下であるので、シリコンウ
ェーハの銅汚染量が１．０×１０８（atoms/cm２）以下
となるように、銅イオン４ｃの濃度を５ppt以下にする
ことが望ましい。
【００３１】このようなイオン化した銅４ｃの濃度を低
減させた研磨スラリ１は以下のようにして製造される。
減させた研磨スラリ１は以下のようにして製造される。
【００３２】すなわちシリカ粒子２がコロイド状に３０
wt％含まれたアルカリ性のスラリ原液と、希釈用の純水
と、ＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカリが用意される。
wt％含まれたアルカリ性のスラリ原液と、希釈用の純水
と、ＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカリが用意される。
【００３３】そこでスラリ原液を、１０倍以上（１０倍
〜２０倍程度）の純水で希釈し、更にアルカリを添加し
て研磨スラリ１が製造される。こうして製造された研磨
スラリ中の銅の原子総量は、１〜１０ppb程度である。
この製造の段階で研磨スラリ１に含有される銅イオン４
ｃは、つぎの４つに分けられる。
〜２０倍程度）の純水で希釈し、更にアルカリを添加し
て研磨スラリ１が製造される。こうして製造された研磨
スラリ中の銅の原子総量は、１〜１０ppb程度である。
この製造の段階で研磨スラリ１に含有される銅イオン４
ｃは、つぎの４つに分けられる。
【００３４】
３−１）スラリ原液に含有している銅イオン４ｃ1
３−２）希釈用の純水中に含有している銅イオン４ｃ2
３−３）添加するアルカリ中に含有している銅イオン４
ｃ3 ３−４）その他に研磨パッドや装置の配管などから溶出
する銅イオン４ｃ4 これら４種類の銅イオン４ｃ1、４ｃ2、４ｃ3、４ｃ4の
量の比率は、（数式１） なる関係が成立していることがわかった。
ｃ3 ３−４）その他に研磨パッドや装置の配管などから溶出
する銅イオン４ｃ4 これら４種類の銅イオン４ｃ1、４ｃ2、４ｃ3、４ｃ4の
量の比率は、（数式１） なる関係が成立していることがわかった。
【００３５】そこでアルカリ中に含有している銅イオン
４ｃ3とスラリ原液に含有している銅イオン４ｃ1を減少
させる操作を行った上で、研磨スラリ１が製造される。
銅イオンはたとえばイオン交換樹脂を通すことで減らす
ことができる。
４ｃ3とスラリ原液に含有している銅イオン４ｃ1を減少
させる操作を行った上で、研磨スラリ１が製造される。
銅イオンはたとえばイオン交換樹脂を通すことで減らす
ことができる。
【００３６】このようにして含有している銅イオン４ｃ
の濃度が１０ppt以下となっている研磨スラリ１が製造
される。望ましくは、銅含有している銅イオン４ｃの濃
度が５ppt以下となっている研磨スラリ１が製造され
る。
の濃度が１０ppt以下となっている研磨スラリ１が製造
される。望ましくは、銅含有している銅イオン４ｃの濃
度が５ppt以下となっている研磨スラリ１が製造され
る。
【００３７】シリコンウェーハの研磨工程では、以上の
ようにして製造された研磨スラリ１がシリコンウェーハ
と研磨パッドとの間に供給される。そしてシリコンウェ
ーハを研磨パッドに押しつけシリコンウェーハと研磨パ
ッドをそれぞれ回転させることにより、シリコンウェー
ハの表面が鏡面状に研磨される。
ようにして製造された研磨スラリ１がシリコンウェーハ
と研磨パッドとの間に供給される。そしてシリコンウェ
ーハを研磨パッドに押しつけシリコンウェーハと研磨パ
ッドをそれぞれ回転させることにより、シリコンウェー
ハの表面が鏡面状に研磨される。
【００３８】こうして製造された鏡面のシリコンウェー
ハを用いて半導体デバイスを製造したところ、製造歩留
まりは満足できるレベルにあった。
ハを用いて半導体デバイスを製造したところ、製造歩留
まりは満足できるレベルにあった。
【図１】図１は研磨スラリ中の銅イオンの濃度と、長期
保管後にシリコンウェーハ表面に析出した銅の面積密度
との関係を示すグラフである。
保管後にシリコンウェーハ表面に析出した銅の面積密度
との関係を示すグラフである。
【図２】図２は研磨スラリの成分を示す図で、銅の存在
態様を説明する図である。
態様を説明する図である。
１ 研磨スラリ
２ シリカ粒子
３ アルカリ水溶液
４ａ、４ｂ 銅
４ｃ 銅イオン
フロントページの続き
(72)発明者 川人 進一
神奈川県平塚市四之宮三丁目25番１号 コ
マツ電子金属株式会社内
(72)発明者 長友 安美
神奈川県平塚市四之宮三丁目25番１号 コ
マツ電子金属株式会社内
(72)発明者 若林 博三
神奈川県平塚市四之宮三丁目25番１号 コ
マツ電子金属株式会社内
(72)発明者 今井 正人
神奈川県平塚市四之宮三丁目25番１号 コ
マツ電子金属株式会社内
Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG20
3C058 AA07 CA01 CB03 CB05 DA02
DA12
Claims (5)
- 【請求項１】 研磨スラリを用いて半導体ウェー
ハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面
半導体ウェーハの製造方法において、 鏡面半導体ウェーハの表面に析出する汚染金属の量が一
定レベル以下に低減するように、研磨スラリ中の汚染金
属イオンの濃度を一定レベル以下に低減させた研磨スラ
リを用いて半導体ウェーハを研磨することを特徴とする
鏡面半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 研磨スラリ中の汚染金属イオンの
濃度をそれぞれのイオン種につき１０ppt以下に低減さ
せたことを特徴とする請求項１記載の鏡面半導体ウェー
ハの製造方法。 - 【請求項３】 前記研磨スラリは、シリカ粒子を
含有するものであることを特徴とする請求項１記載の鏡
面半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 鏡面半導体ウェーハの表面に析出
する汚染金属の量が一定レベル以下に低減するように、
含有する汚染金属イオンの濃度が一定レベル以下に低減
されてなる半導体ウェーハ用研磨スラリ。 - 【請求項５】 含有する汚染金属イオンの濃度が
それぞれのイオン種につき１０ppt以下に低減されてな
ることを特徴とする請求項４記載の半導体ウェーハ用研
磨スラリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101752A JP2003297775A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101752A JP2003297775A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297775A true JP2003297775A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=29388767
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002101752A Pending JP2003297775A (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003297775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017157608A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002101752A patent/JP2003297775A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017157608A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
| WO2017150157A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
| US11648641B2 (en) | 2016-02-29 | 2023-05-16 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon substrate and polishing composition set |
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