JP2003288988A - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 燐光発光材料をホスト材料中にドープした有
機ＥＬ素子は高効率であるが十分な寿命が得られていな
かった。これは正孔ブロック層と発光層との界面で材料
の混合が起こって、正孔ブロック能が低下していること
が原因と見出した。 【解決手段】 発光層中に含まれる燐光発光材料および
ホスト材料の分子内永久双極子モーメントと、正孔ブロ
ック材料の分子内永久双極子モーメントを大きく異なる
特定の関係とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）素子に関し、例えば平面型自発光表示
装置をはじめ通信、照明その他の用途に供する各種光源
として使用可能な自発光の素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面型の表示装置としてはＬＣＤ
パネルが幅広く用いられているが、依然として応答速度
が遅い、視野角が狭い等の欠点があり、またこれらを改
善した多くの新方式においても特性が十分でなかった
り、パネルとしてのコストが高くなるなどの課題があ
る。そのような中で、自発光で視認性に優れ、応答速度
も速く広範囲な応用が期待できる新たな発光素子として
の薄膜ＥＬ素子に期待が集まっている。特に、室温で蒸
着や塗布などの簡単な成膜工程を用いることのできる有
機材料を素子の全部または一部の層に用いる薄膜ＥＬ素
子は、有機ＥＬ素子とも呼ばれ、上述の特徴に加えて製
造コストの魅力もあり多くの研究が行われている。

【０００３】薄膜ＥＬ素子（有機ＥＬ素子）は電極から
電子、正孔を注入しその再結合によって発光を得るもの
であり、古くから多くの研究がなされてきたが、一般に
その発光効率は低く実用的な発光素子への応用とは程遠
いものであった。

【０００４】そのような中で、１９８７年にＴａｎｇら
によって提案された素子（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ ａｎｄ
Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．５１（１９８７）９１３．）は、透明基板上に正
孔注入電極、正孔輸送層、発光層、陰極を有する構成の
素子であって、正孔注入電極としてＩＴＯ、正孔輸送層
として膜厚７５ｎｍのジアミン誘導体層、発光層として
膜厚６０ｎｍのアルミキノリン錯体層、陰極として電子
注入性と安定性を併せ持つＭｇＡｇ合金を用いたもので
あった。特に陰極の改良もさることながら、透明性に優
れたジアミン誘導体を採用することにより、７５ｎｍの
膜厚においても十分な透明性を維持することができ、且
つこの膜厚においては十分にピンホ−ル等の無い均一な
薄膜が得られるので、発光層も含めた素子の総膜厚を十
分に薄く（１５０ｎｍ程度）することが可能となり、比
較的低電圧で高輝度の発光が得られるようになった。具
体的には、１０Ｖ以下の低い電圧で１０００ｃｄ／ｍ²
以上の高い輝度と、１．５ｌｍ／Ｗ以上の高い効率を実
現している。このＴａｎｇらの報告がきっかけとなっ
て、陰極のさらなる改良や、電子注入層の挿入、正孔注
入層の挿入などの素子構成上の工夫など、現在に至るま
で活発な検討が続けられている。

【０００５】以下、現在一般に検討されている薄膜ＥＬ
（有機ＥＬ）素子について概説する。

【０００６】素子の各層は、透明基板上に正孔注入電
極、正孔輸送層、発光層、陰極の順に積層して形成し、
正孔注入電極と正孔輸送層間に正孔注入層を設けたり、
発光層と陰極間に電子輸送層、さらに陰極との界面に電
子注入層を設けることもある。このように、各層に役割
を機能分離させて担わせる事により各層に適切な材料選
択が可能となり素子の特性も向上する。

【０００７】透明基板としては一般にコーニング１７３
７等のガラス基板が広く用いられている。板厚は０．７
ｍｍ程度が強度と重量の観点から扱いやすい。

【０００８】正孔注入電極としてはＩＴＯのスパッタ
膜、エレクトロンビーム蒸着膜、イオンプレーティング
膜等の透明電極が用いられる。膜厚は必要とされるシー
トレジスタンス値と可視光透過率から決定されるが、有
機ＥＬ素子では比較的駆動電流密度が高いため、シート
レジスタンスを小さくするために１００ｎｍ以上の厚さ
で用いられることが多い。

【０００９】正孔輸送層はＮ，Ｎ’−ビス（３−メチル
フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（以下、
ＴＰＤと称する）、Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（以下、ＮＰＤと称す
る）等、Ｔａｎｇらの用いたジアミン誘導体、特に日本
国特許第２０３７４７５号に開示されたＱ１−Ｇ−Ｑ２
構造のジアミン誘導体の真空蒸着膜が幅広く用いられて
いる。これらの材料は一般に透明性に優れ、８０ｎｍ程
度の膜厚でもほぼ透明であり、且つ成膜性にも優れるた
めピンホールなどの欠陥のない膜が得られ、素子の総膜
厚を１００ｎｍ程度にまで薄くしても短絡など信頼性上
の問題が発生し難い特徴がある。

【００１０】発光層もＴａｎｇらの報告と同様に、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑと
称する）等の電子輸送性発光材料を真空蒸着により数十
ｎｍの膜厚に形成して用いる構成が一般的である。種々
の発光色を実現するなどの目的で、発光層は比較的薄膜
とし、電子輸送層を２０ｎｍ程度積層した、所謂ダブル
ヘテロ構造が採用されることもある。

【００１１】陰極はＴａｎｇらの提案したＭｇＡｇ合金
あるいはＡｌＬｉ合金など、仕事関数が低く電子注入障
壁の低い金属と比較的仕事関数が大きく安定な金属との
合金、またはＬｉＦなど種々の電子注入層とアルミニウ
ムなどとの積層陰極が用いられることが多い。

【００１２】また、このような正孔輸送層／電子輸送性
発光層の積層構成とは別に、正孔輸送性発光層／電子輸
送層の構成や、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成
も幅広く用いられている。いずれの層構成を用いた場合
も透明基板、正孔注入電極、および陰極は上述のような
ものが同様に用いられている。

【００１３】また、近年は燐光発光材料を電荷輸送材料
（ホスト材料）中にドープした燐光発光層を用いた有機
ＥＬ素子の検討も幅広く行われており、特に正孔ブロッ
ク層を有する素子構成で極めて高い効率が報告されてい
る（例えば、ＵＳＰ６３０３２３８号、ＵＳＰ６０９７
１４７号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．
７５，ｎｏ．１，ｐ．４−６，Ｊｕｌｙ５ｔｈ，１９９
９など）。

【００１４】また、素子寿命に関しては、正孔ブロック
層をＢＣＰからＢＡｌｑとすることで大幅に向上できる
ことが報告されている（Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ，ｖ
ｏｌ．４１０５，ｐ１７５−１８２，２０００）。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このように、燐光発光
材料をドープした燐光発光層を、特定の正孔ブロック層
と組み合わせて用いることにより、極めて高い発光効率
が得られることが報告されているが、寿命に関しては必
ずしも十分な値が得られていないのが現状である。

【００１６】特に、緑色燐光発光材料としてＡｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．７５，ｎｏ．１，ｐ．
４−６，Ｊｕｌｙ５ｔｈ，１９９９で、はじめて有機Ｅ
Ｌ素子に用いられたＩｒ（ｐｐｙ）₃を燐光発光材料と
してＣＢＰ中にドープして発光層として用いて、且つ正
孔ブロック層としてＢＡｌｑを用いた素子において、大
幅な長寿命化が実現できることが報告されているが、赤
色素子・青色素子においては十分な寿命は得られていな
い（Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．４１０５，ｐ
１７５−１８２，２０００）。

【００１７】

【課題を解決するための手段】このような状況に鑑み、
筆者等は種々の燐光発光材料とホスト材料を用いて発光
層を形成し、且つ種々の正孔ブロック層と組み合わせた
場合の燐光有機ＥＬ素子の寿命をつぶさに調べた結果、
特定の材料を特定の組合せで用いた場合に、顕著な長寿
命を得ることが出来て、反対に特定の材料を特定の組合
せで用いた場合に、極端に寿命が短くなることを見出し
て本発明を完成させるに至った。

【００１８】具体的には、第１の発明の発光素子は、少
なくとも一対の電極間に配置された発光領域（発光層）
と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つの電荷
阻止領域（有機層）を有する発光素子であって、前記発
光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材料を含
有し、電荷阻止領域が、燐光発光材料の分子内永久双極
子モーメントよりも大きい分子内永久双極子モーメント
を有する化合物を含有することを特徴とする。

【００１９】特に、少なくとも前記電荷阻止領域の前記
発光領域と直接に接する側の一部が、少なくとも１デバ
イ以上の分子内永久双極子モーメントを有する化合物を
含有し、且つ、前記燐光発光材料の分子内永久双極子モ
ーメントが１デバイ以下であることが望ましい。

【００２０】第２の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側の一部が、少な
くとも１デバイ以下の分子内永久双極子モーメントを有
する化合物を含有し、且つ、前記燐光発光材料の分子内
永久双極子モーメントが１デバイ以上であることを特徴
とする発光素子である。

【００２１】第３の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側を構成する化合
物の分子内永久双極子モーメントと、前記燐光発光材料
の分子内永久双極子モーメントとの差が、少なくとも１
デバイ以上であることを特徴とする発光素子である。

【００２２】第４の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側を構成する化合
物の分子内永久双極子モーメントと、前記燐光発光材料
の分子内永久双極子モーメントとの比が、少なくとも２
以上であることを特徴とする発光素子である。

【００２３】第５の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側の一部が、少な
くとも１デバイ以上の分子内永久双極子モーメントを有
する化合物を含有し、且つ、前記ホスト材料の分子内永
久双極子モーメントが１デバイ以下であることを特徴と
する発光素子である。

【００２４】第６の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側の一部が、少な
くとも１デバイ以下の分子内永久双極子モーメントを有
する化合物を含有し、且つ、前記ホスト材料の分子内永
久双極子モーメントが１デバイ以上であることを特徴と
する発光素子である。

【００２５】第７の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側を構成する化合
物の分子内永久双極子モーメントと、前記ホスト材料の
分子内永久双極子モーメントとの差が、少なくとも１デ
バイ以上であることを特徴とする発光素子である。

【００２６】第８の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料
と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷阻
止領域の前記発光領域と直接に接する側を構成する化合
物の分子内永久双極子モーメントと、前記ホスト材料の
分子内永久双極子モーメントとの比が、少なくとも２以
上であることを特徴とする発光素子である。

【００２７】第９の発明の発光素子は、少なくとも一対
の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直接
に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光素
子であって、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領
域と直接に接する側の一部が、前記発光領域と混合され
ることのない網目状架橋構造を有することを特徴とする
発光素子である。

【００２８】第１０の発明の発光素子は、前記電荷阻止
領域が、正孔阻止領域であることを特徴とする発光素子
である。

【００２９】第１１の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造を有する部分が、プラズマ重合膜であることを特
徴とする発光素子である。

【００３０】第１２の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造を有する部分が、アモルファスカーボン膜である
ことを特徴とする発光素子である。

【００３１】第１３の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造を有する部分が、ｎ型アモルファスカーボン膜で
あることを特徴とする発光素子である。

【００３２】第１４の発明の発光素子は、前記ｎ型アモ
ルファスカーボン膜が、含窒素複素環式化合物を原料と
したプラズマＣＶＤ膜であることを特徴とする発光素子
である。

【００３３】第１５の発明の発光素子は、少なくとも一
対の電極間に配置された発光領域と、少なくとも一つの
電荷阻止領域を有する発光素子であって、前記発光領域
と前記電荷阻止領域との間に、少なくとも両者の混合を
防止する網目状架橋構造膜を有することを特徴とする発
光素子である。

【００３４】第１６の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造膜が、プラズマ重合膜であることを特徴とする発
光素子である。

【００３５】第１７の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造膜が、アモルファスカーボン膜であることを特徴
とする発光素子である。

【００３６】第１８の発明の発光素子は、前記網目状架
橋構造膜が、ｎ型アモルファスカーボン膜であることを
特徴とする発光素子である。

【００３７】第１９の発明の発光素子は、前記ｎ型アモ
ルファスカーボン膜が、含窒素複素環式化合物を原料と
したプラズマＣＶＤ膜であることを特徴とする発光素子
である。

【００３８】第２０の発明の発光素子は、少なくとも一
対の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直
接に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光
素子の製造方法であって、少なくとも前記電荷阻止領域
の前記発光領域と直接に接する側の一部が、前記発光領
域と混合されることのない網目状架橋構造に形成される
ことを特徴とする発光素子の製造方法である。

【００３９】第２１の発明の発光素子は、少なくとも一
対の電極間に配置された発光領域と、少なくとも一つの
電荷阻止領域を有する発光素子の製造方法であって、前
記発光領域と前記電荷阻止領域との間に、少なくとも両
者の混合を防止する網目状架橋構造膜を形成することを
特徴とする発光素子の製造方法である。

【００４０】第２２の発明の発光素子は、少なくとも一
対の電極間に配置された発光領域と、前記発光領域と直
接に接する少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発光
素子であって、前記発光領域が、少なくとも燐光発光材
料と、ホスト材料を含有し、且つ、少なくとも前記電荷
阻止領域の前記発光領域と直接に接する側の一部が、少
なくとも含窒素複素環式化合物誘導体と、アルカリ金属
とを含有することを特徴とする発光素子である。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
有機ＥＬ素子について説明する。

【００４２】（実施の形態１）本実施の形態の発光素子
は、少なくとも一対の電極間に配置された発光領域を有
する構成を有する。ここで少なくとも一対の電極間に配
置された発光領域とは、少なくとも正孔注入電極と、前
記正孔注入電極と対向して設けた電子注入電極と、両者
に直接的または間接的に狭持された発光層などの、少な
くとも一対の電極と、その間のどこかに配置された発光
層を意味する。

【００４３】本実施の形態においては、通常の発光素子
と同様に適当な透明または不透明の基板を用い、当該基
板上に上記の素子構成を形成する手法を用いることが出
来る。発光を素子外に取り出すために、通常、一対の電
極の少なくとも片側は透明または少なくとも半透明な電
極が用いられる。基板のある面側に形成されているのが
透明または半透明電極である場合、その基板も透明また
は半透明基板を用いるのが通常である。基板は、本実施
の形態の発光素子を坦持出来るものであればよく、コー
ニング１７３７ガラスなどの通常のガラス基板が用いら
れる事が多いが、ポリエステルその他の樹脂フィルムな
ども用いる事が出来る。

【００４４】本実施の形態における正孔注入電極は、陽
極として働いて素子中に正孔を注入することが可能であ
ればよいが、正孔注入電極を透明電極とすることが多
い。その場合は一般にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜
を用いる事が多く、ＩＴＯ膜はその透明性を向上させあ
るいは抵抗率を低下させる目的でスパッタ、エレクトロ
ンビーム蒸着、イオンプレーティング等の成膜方法が行
われており、また抵抗率や形状制御の目的で種々の後処
理が行われる事も多い。また、膜厚は必要とされるシー
トレジスタンス値と可視光透過率から決定されるが、有
機ＥＬ素子では比較的駆動電流密度が高いため、シート
レジスタンスを小さくするために１００ｎｍ以上の厚さ
で用いられることが多い。本発明の正孔注入電極にはこ
れらの通常のＩＴＯ膜を用いる事が出来る他、ＩＤＩＸ
Ｏをはじめとする種々の改良された透明導電層も幅広く
用いることができる。また、導電性粉体を分散した透明
導電性塗料の塗布膜その他の電極を用いる事も出来る。

【００４５】本実施の形態における発光領域は、少なく
とも燐光発光材料をホスト材料中に共蒸着などの方法に
よりドープして得た発光層からなる。燐光発光材料には
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．７５，ｎ
ｏ．１，ｐ．４−６，Ｊｕｌｙ５ｔｈ，１９９９で、は
じめて有機ＥＬ素子に用いられたｆａｃ Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）₃をはじめとする各種の重金属錯体を幅広く用いる
ことが出来る。また、ホスト材料は素子設計に応じた電
荷輸送能を有するとともに、燐光発光材料の３重項励起
子を非発光失活させない材料であればよく、Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．７５，ｎｏ．１，ｐ．
４−６，Ｊｕｌｙ５ｔｈ，１９９９での報告以来、ＣＢ
Ｐが幅広く用いられており、本発明にも好適に用いられ
る。

【００４６】本実施の形態における正孔ブロック層に
は、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．４１０５，ｐ
１７５−１８２，２０００で用いられたＢＡｌｑのよう
な各種の金属錯体や、特開２００１−２６７０８２号公
報に開示されているような電子不足化合物群、例えば
４，４，８，８−テトラエチルピラザボール、１，３，
５，７−テトラメチルピラザボール等を幅広く用いるこ
とが出来る。

【００４７】本実施の形態においては上述のようにその
材料としては汎用のものを幅広く用いることが出来る
が、その組合せが特定の関係にあることによって、著し
い長寿命化を実現できるものである。また、その界面に
特定の混合防止手段を設けることにより、著しい長寿命
化を実現できるものである。

【００４８】本実施の形態のその他の層においても、一
般的な正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層を幅広く用
いることが出来る。正孔注入層としてはＩＴＯの表面粗
さの平滑化や正孔注入効率の向上による低駆動電圧化、
長寿命化などの目的のために、スターバーストアミン
（例えば、特開平３−３０８６８８号）、オリゴアミン
（例えば、国際公開特許ＷＯ９６／２２２７３号）等を
用いることが多く、バッファ層と称することもある。正
孔輸送層としては前述のＴＰＤ、ＮＰＤの他、特開平１
１−２６０５５９に開示されているような特定のブレン
ド型正孔輸送層を用いて優れた特性を実現する技術と組
み合わせて用いることも出来る。電子輸送層としてはＴ
ａｎｇらがトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを
用いて以来、幅広く検討されている金属錯体系はもちろ
ん、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体その
他の材料も幅広く用いることが出来る。

【００４９】本実施の形態における電子注入電極は、従
来の技術で述べたようにＴａｎｇらの提案したＭｇＡｇ
合金あるいはＡｌＬｉ合金など、仕事関数が低く電子注
入障壁の低い金属と比較的仕事関数が大きく安定な金属
との合金を用いることができる他、ＬｉとＡｌの積層陰
極、ＬｉＦとＡｌの積層陰極など、一般に報告されてい
る種々の構成の陰極を用いることができる。

【００５０】本実施の形態において、その要部は、発光
層と電荷阻止層を構成する化合物の分子内永久双極子モ
ーメントが、各請求項に特定して明記したように、大き
く異なる関係にあることである。

【００５１】筆者らは、燐光発光材料をホスト材料中に
ドープした発光層と正孔ブロック層を組み合わせた有機
ＥＬ素子の寿命に関して、種々の燐光発光材料、ホスト
材料、正孔ブロック材料を用いて、種々の組合せで素子
を作成し寿命試験を行った。また、劣化前後における素
子のインピーダンススペクトル測定、断面観察、断面元
素分析、ＨＰＬＣ蛍光分析、表面元素分析のｄｅｐｔｈ
−ｐｒｏｆｉｌｅ等の手法により、劣化メカニズムの特
定を試みた。その結果、上記の構成を有する有機ＥＬ素
子の連続通電発光時の輝度半減寿命と、材料の組合せに
特定の関係があることを見出して本発明を完成させるに
至った。

【００５２】すなわち、界面を挟んで直接に接する燐光
発光材料およびホスト材料と、正孔ブロック材料の分子
内永久双極子モーメントが大きく異なる場合には、極め
て輝度低下（発光効率の低下）が小さく、反対に分子内
永久双極子モーメントが同程度の場合には、極めて輝度
低下（発光効率の低下）が大きいことを見出した。

【００５３】これは試験前後の分析から、分子内永久双
極子モーメントが大きく異なる場合には、劣化試験前後
での界面の乱れがほとんど認められないのに対して、分
子内永久双極子モーメントが同程度の場合には、劣化試
験後にはほとんど界面と称すべき境界が無くなり、相互
の材料が交じり合った状態になっているため、正孔ブロ
ック層の正孔ブロック能が低下し、また正孔ブロック能
の低下により正孔ブロック層内に侵入した正孔は、正孔
ブロック層材料をカチオン化するので、金属錯体の解離
を引き起こしやすく、これがさらなる正孔ブロック能の
低下に繋がるという悪循環によって、効率低下が引き起
こされていることがわかった。

【００５４】ここで、『分子内永久双極子モーメントが
大きく異なる』とは、片方の分子内永久双極子モーメン
トが、例えばｆａｃ Ｉｒ（ｐｐｙ）₃のように極めて
小さく、反対にもう片方の分子内永久双極子モーメント
が十分に大きいことを意味し、より具体的には請求項に
記した特定の条件の場合に効果が認められた。

【００５５】また、『分子内永久双極子モーメントが同
程度』とは、片方の分子内永久双極子モーメントが、例
えばｆａｃ Ｉｒ（ｐｐｙ）₃のように極めて小さい場
合には、反対のもう片方の分子内永久双極子モーメント
も同程度に小さく、また片方の分子内永久双極子モーメ
ントが、例えばＦＩｒｐｉｃ（Ｉｒ（ＩＩＩ）｛ビス
（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ
２’｝ピコリネイト）のように大きい場合には、反対の
もう片方の分子内永久双極子モーメントも同程度に大き
いことを意味する。

【００５６】なお、本検討に用いた各種の化合物の分子
内永久双極子モーメントは、汎用の計算機シミュレーシ
ョンツールを用いて計算したものである。ほとんどの分
子はＣｈａｍｂｒｉｄｇｅｓｏｆｔ社製Ｃｈｅｍ３Ｄ上
でＭＯＰＡＣ９７エンジンを用いてハミルトニアンＡＭ
１またはＰＭ３で最適化構造を求めた。中心金属がＡｌ
の場合はＡＭ１とＰＭ３の両方で計算したが、分子内双
極子モーメントの値には大きな違いは認められなかっ
た。中心金属がＧａの場合は、ＰＭ３でのみ計算を行っ
た。中心金属がＩｒなど重金属の場合は、非経験的分子
軌道法により計算を行った。具体的には、Ｇａｕｓｓｉ
ａｎ社製Ｇａｕｓｓｉａｎ９８Ｗを用いて計算を行っ
た。Ｉｒ等重金属を含む錯体の計算は、周期表の第三周
期以下を有効殻ポテンシャルで表したＬＡＮＬ２ＤＺ基
底を用いた。ＭＯＰＡＣ９７での計算を行ったＡｌ錯
体、Ｇａ錯体についても、一部の化合物についてはＳＴ
Ｏ−３Ｇ基底を用いた。いずれの場合もＨＦ法によるも
のである。

【００５７】

【実施例】次に、具体的な実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明の実施の形態はこれらの具体的な
実施例に限定されるものではない。個々の発光材料、特
に入手先を示した化合物以外は、定法により当社研究室
内で合成して、十分な精製を行った後に用いた。

【００５８】（実施例１）透明基板上に正孔注入電極を
形成した基板として、市販のＩＴＯ付きガラス基板（三
容真空株式会社製、サイズ１００×１００ｍｍ×ｔ＝
０．７ｍｍ、シート抵抗約１４Ω／□）を用い、電子注
入電極との重なりにより発光面積が１．４×１．４ｍｍ
となるようにフォトリソグラフィーによりパターン化し
た。フォトリソグラフィー後の基板処理は市販のレジス
ト剥離液（ジメチルスルホキシドとＮ−メチル−２−ピ
ロリドンとの混合溶液）に浸漬して剥離を行った後、ア
セトンでリンスし、さらに発煙硝酸中に１分間浸漬して
完全にレジストを除去した。ＩＴＯ表面の洗浄は、基板
の裏面表面の両面を十分に行い、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドの０．２３８％水溶液を十分に
供給しながら、ナイロンブラシによる機械的な擦り洗浄
を行った。その後、純水で十分にすすぎ、スピン乾燥を
行った。その後、市販のプラズマリアクター（ヤマト科
学株式会社製、ＰＲ４１型）の中で、酸素流量２０ｓｃ
ｃｍ、圧力０．２Ｔｏｒｒ、高周波出力３００Ｗの条件
で１分間の酸素プラズマ処理を行った。

【００５９】このように準備した正孔注入電極付基板を
真空槽内に配置した。真空蒸着装置は市販の高真空蒸着
装置（日本真空技術株式会社製、ＥＢＶ−６ＤＡ型）を
改造した装置を用いた。主たる排気装置は排気速度１５
００リットル／ｍｉｎのターボ分子ポンプ（大阪真空株
式会社製、ＴＣ１５００）であり、到達真空度は約１×
１０^-6Ｔｏｒｒ以下であり、全ての蒸着は２〜３×１０
^-6Ｔｏｒｒの範囲で行った。また、全ての有機化合物の
蒸着はタングステン製の抵抗加熱式蒸着ボートに直流電
源（菊水電子株式会社製、ＰＡＫ１０−７０Ａ）を接続
して行った。

【００６０】このようにして真空層中に配置した正孔注
入電極付基板上に、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ビス
（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＴＰＴ、保土ヶ谷化学株
式会社製）を蒸着速度０．３ｎｍ／ｓで、４−Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン（ＰＳ）を
蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓで共蒸着し、膜厚約８０ｎｍ
のブレンド型正孔輸送層を形成した。

【００６１】次に、発光層として、ｆａｃ Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）₃（ケミプロ化成株式会社製、ｆａｃトリス（２−
フェニルピリジン）イリジウム）とＣＢＰ（ケミプロ化
成株式会社製、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾルビフ
ェニル）をそれぞれ、０．０２ｎｍ／ｓ、０．３ｎｍ／
ｓの蒸着速度で膜厚約４０ｎｍに形成した。

【００６２】次に、正孔ブロック層としてＢＡｌｑＦ
（（４’−フルオロ−１，１’−ビフェニル）−４−オ
ラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニ
ウム）を０．３ｎｍ／ｓの蒸着速度で膜厚約１０ｎｍに
形成した。

【００６３】次に、電子輸送層としてトリス（８−キノ
リノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃、同仁化学株式会社
製）を０．３ｎｍ／ｓの蒸着速度で膜厚約２０ｎｍに形
成した。

【００６４】次に、陰極として、ＡｌＬｉ合金（高純度
化学株式会社製、Ａｌ／Ｌｉ重量比９９／１）から低温
でＬｉのみを、約０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で膜厚約１
ｎｍに形成し、続いて、そのＡｌＬｉ合金をさらに昇温
しＬｉが出尽くした状態から、Ａｌのみを、約１．５ｎ
ｍ／ｓの蒸着速度で膜厚約１００ｎｍに形成し、積層型
の陰極とした。

【００６５】上記工程により作成した有機ＥＬ素子を、
蒸着槽内を乾燥窒素でパージした後、乾燥窒素雰囲気下
で、コーニング７０５９ガラス製の蓋を接着剤（アネル
バ株式会社製、商品名スーパーバックシール９５３−７
０００）で貼り付けてサンプルとした。

【００６６】このようにして得た有機ＥＬ素子サンプル
は、次のようにして評価を行った。

【００６７】初期の評価は素子の蒸着後、ガラス蓋を接
着してから１２時間後に常温常湿の通常の実験室環境で
行い、１０００ｃｄ／ｍ²発光時の駆動電圧を評価し
た。また、初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ²となる電流値
で、常温常湿の通常の実験室環境で直流定電流駆動で連
続発光試験を行った。この試験から、輝度が半減（５０
０ｃｄ／ｍ²）に達した時間を寿命として評価した。

【００６８】ＤＣ駆動電源は直流定電流電源（アドバン
テスト株式会社製、商品名マルチチャンネルカレントボ
ルテージコントローラーＴＲ６１６３）を用い、電圧電
流特性を測定するとともに、輝度は輝度計（東京光学機
械株式会社製、商品名トプコンルミネセンスメーターＢ
Ｍ−８）によって測定した。輝度ムラ、黒点（非発光
部）等の発光画像品質を、５０倍の光学顕微鏡により観
察した。

【００６９】また、劣化前後の素子分析、化合物の分子
内双極子モーメントの計算も行った。これらの結果を
（表１）に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】本実施例１によれば、高い発光効率を有
し、低い駆動電圧で、連続発光試験においても輝度低下
が小さく、黒点や輝度ムラなどの不具合も無く、極めて
長期間にわたって安定して使用できる発光素子を実現で
きた。

【００７２】（実施例２）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＢＡｌ
ｑＣｌ（（４’−クロロ−１，１’−ビフェニル）−４
−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アル
ミニウム）を用いた以外は実施例１と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子サンプルを作成した。

【００７３】その結果を（表１）に示す。

【００７４】（実施例３）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＧａＭ
ｑ₂ＢＦ（（４’−フルオロ−１，１’−ビフェニル）
−４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
ガリウム）を用いた以外は実施例１と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子サンプルを作成した。

【００７５】その結果を（表１）に示す。

【００７６】（実施例４）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＧａＭ
ｑ₂ＢＣｌ（（４’−クロロ−１，１’−ビフェニル）
−４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
ガリウム）を用いた以外は実施例１と同様にして有機Ｅ
Ｌ素子サンプルを作成した。

【００７７】その結果を（表２）に示す。

【００７８】

【表２】

【００７９】（実施例５）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＧａＭ
ｑ₂Ｂ（（１，１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス
（２−メチル−８−キノリノラト）ガリウム）を用いた
以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子サンプルを作
成した。

【００８０】その結果を（表２）に示す。

【００８１】（実施例６）実施例１の発光層の形成にお
いて、ｆａｃ Ｉｒ（ｐｐｙ）₃（ケミプロ化成株式会
社製、ｆａｃトリス（２−フェニルピリジン）イリジウ
ム）の代わりに、ＦＩｒｐｉｃ（Ｉｒ（ＩＩＩ）｛ビス
（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ
２’｝ピコリネイト）を用い、且つ、正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＴＰＰ
ＲＺ（アルドリッチ製、４，４，８，８，−テトラキス
（１Ｈ−ピラゾール−１−イル）ピラザボール）を用い
た以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子サンプルを
作成した。

【００８２】その結果を（表２）に示す。

【００８３】（比較例１）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＧａＭ
ｑ₂Ｃｌ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）ガリ
ウムクロライド）を用いた以外は実施例１と同様にして
有機ＥＬ素子サンプルを作成した。

【００８４】その結果を（表３）に示す。

【００８５】

【表３】

【００８６】（比較例２）実施例１の正孔ブロック層の
形成において、ＢＡｌｑＦ（（４’−フルオロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム）の代わりに、ＢＡｌ
ｑ（（１，１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２
−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム）を用いた
以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子サンプルを作
成した。

【００８７】その結果を（表３）に示す。

【００８８】（比較例３）実施例６の正孔ブロック層の
形成において、ＴＰＰＲＺ（アルドリッチ製、４，４，
８，８，−テトラキス（１Ｈ−ピラゾール−１−イル）
ピラザボール）の代わりに、ＢＡｌｑ（（１，１’−ビ
フェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム）を用いた以外は実施例６と同
様にして有機ＥＬ素子サンプルを作成した。

【００８９】その結果を（表３）に示す。

【００９０】（実施例７）比較例２の発光層の形成後、
正孔ブロック層ＢＡｌｑの形成前に、含窒素複素環式化
合物の一例として、ピリジンを原料としたプラズマ重合
法（プラズマＣＶＤ法）により、網目状架橋構造を有す
る膜の一例として、ｎ型カーボン層（アモルファスカー
ボン膜）を２ｎｍ形成した以外は比較例２と同様にして
有機ＥＬ素子サンプルを作成した。

【００９１】その結果を（表４）に示す。

【００９２】

【表４】

【００９３】なお、（表１）から（表４）において、各
実施例および比較例の素子構成は略号によって略記され
ており、ＴＰＴは、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニル
アミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベ
ンジジン、ＰＳは、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−α
−フェニルスチルベン、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃は、ｆａｃト
リス（２−フェニルピリジン）イリジウム）、ＣＢＰ
は、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾルビフェニル、Ｂ
ＡｌｑＦは、（（４’−フルオロ−１，１’−ビフェニ
ル）−４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）アルミニウム、ＢＡｌｑＣｌは、（（４’−クロロ
−１，１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メ
チル−８−キノリノラト）アルミニウム、ＧａＭｑ₂Ｂ
Ｆは、（（４’−フルオロ−１，１’−ビフェニル）−
４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）ガ
リウム、ＧａＭｑ₂ＢＣｌは、（（４’−クロロ−１，
１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）ガリウム、ＧａＭｑ₂Ｂは、
（（１，１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）ガリウム、ＦＩｒｐｉｃ
は、Ｉｒ（ＩＩＩ）｛ビス（４，６−ジフルオロフェニ
ル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝ピコリネイト、ＴＰＰＲ
Ｚは、４，４，８，８，−テトラキス（１Ｈ−ピラゾー
ル−１−イル）ピラザボール、Ａｌｑ₃は、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム、Ａｌは、アルミニウ
ム、Ｌｉは、リチウム、を表し、左から積層構成を表す
記号として／で区切ってＩＴＯ電極側から順に記載し
た。（ ）内の数字は膜厚をｎｍで示し、＋はドーピン
グ混合など両成分の共存膜を示す。

【００９４】

【発明の効果】以上、本発明に係る発光素子およびその
製造方法について説明したが、本発明の要部は、発光層
と電荷阻止層を構成する化合物の分子内永久双極子モー
メントが、各請求項に特定して明記したように、大きく
異なる関係にあることである。

【００９５】これにより、高い発光効率を有し、低い駆
動電圧で、連続発光試験においても輝度低下が小さく、
黒点や輝度ムラなどの不具合も無く、極めて長期間にわ
たって安定して使用できる発光素子を実現できた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武部 尚子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 杉浦 久則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB06 AB11 AB17 AB18 CC00 DB03 FA01 5C094 AA37 BA03 BA27 FB01

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側の一部が、 少なくとも１デバイ以上の分子内永久双極子モーメント
   を有する化合物を含有し、 且つ、前記燐光発光材料の分子内永久双極子モーメント
   が１デバイ以下であることを特徴とする発光素子。
2. 【請求項２】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側の一部が、 少なくとも１デバイ以下の分子内永久双極子モーメント
   を有する化合物を含有し、 且つ、前記燐光発光材料の分子内永久双極子モーメント
   が１デバイ以上であることを特徴とする発光素子。
3. 【請求項３】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側を構成する化合物の分子内永久双極子モー
   メントと、前記燐光発光材料の分子内永久双極子モーメ
   ントとの差が、少なくとも１デバイ以上であることを特
   徴とする発光素子。
4. 【請求項４】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側を構成する化合物の分子内永久双極子モー
   メントと、前記燐光発光材料の分子内永久双極子モーメ
   ントとの比が、少なくとも２以上であることを特徴とす
   る発光素子。
5. 【請求項５】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側の一部が、 少なくとも１デバイ以上の分子内永久双極子モーメント
   を有する化合物を含有し、 且つ、前記ホスト材料の分子内永久双極子モーメントが
   １デバイ以下であることを特徴とする発光素子。
6. 【請求項６】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側の一部が、 少なくとも１デバイ以下の分子内永久双極子モーメント
   を有する化合物を含有し、 且つ、前記ホスト材料の分子内永久双極子モーメントが
   １デバイ以上であることを特徴とする発光素子。
7. 【請求項７】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側を構成する化合物の分子内永久双極子モー
   メントと、前記ホスト材料の分子内永久双極子モーメン
   トとの差が、少なくとも１デバイ以上であることを特徴
   とする発光素子。
8. 【請求項８】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 前記発光領域が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材
   料を含有し、 且つ、少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直
   接に接する側を構成する化合物の分子内永久双極子モー
   メントと、前記ホスト材料の分子内永久双極子モーメン
   トとの比が、少なくとも２以上であることを特徴とする
   発光素子。
9. 【請求項９】 少なくとも一対の電極間に配置された発
   光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一つ
   の電荷阻止領域を有する発光素子であって、 少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直接に接
   する側の一部が、 前記発光領域と混合されることのない網目状架橋構造を
   有することを特徴とする発光素子。
10. 【請求項１０】 前記電荷阻止領域が、正孔阻止領域で
    あることを特徴とする請求項９に記載の発光素子。
11. 【請求項１１】 前記網目状架橋構造を有する部分が、
    プラズマ重合膜であることを特徴とする請求項９に記載
    の発光素子。
12. 【請求項１２】 前記網目状架橋構造を有する部分が、
    アモルファスカーボン膜であることを特徴とする請求項
    ９に記載の発光素子。
13. 【請求項１３】 前記網目状架橋構造を有する部分が、
    ｎ型アモルファスカーボン膜であることを特徴とする請
    求項９に記載の発光素子。
14. 【請求項１４】 前記ｎ型アモルファスカーボン膜が、
    含窒素複素環式化合物を原料としたプラズマＣＶＤ膜で
    あることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
15. 【請求項１５】 少なくとも一対の電極間に配置された
    発光領域と、少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発
    光素子であって、 前記発光領域と前記電荷阻止領域との間に、 少なくとも両者の混合を防止する網目状架橋構造膜を有
    することを特徴とする発光素子。
16. 【請求項１６】 前記網目状架橋構造膜が、プラズマ重
    合膜であることを特徴とする請求項１５に記載の発光素
    子。
17. 【請求項１７】 前記網目状架橋構造膜が、アモルファ
    スカーボン膜であることを特徴とする請求項１５に記載
    の発光素子。
18. 【請求項１８】 前記網目状架橋構造膜が、ｎ型アモル
    ファスカーボン膜であることを特徴とする請求項１５に
    記載の発光素子。
19. 【請求項１９】 前記ｎ型アモルファスカーボン膜が、
    含窒素複素環式化合物を原料としたプラズマＣＶＤ膜で
    あることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
20. 【請求項２０】 少なくとも一対の電極間に配置された
    発光領域と、前記発光領域と直接に接する少なくとも一
    つの電荷阻止領域を有する発光素子の製造方法であっ
    て、 少なくとも前記電荷阻止領域の前記発光領域と直接に接
    する側の一部が、 前記発光領域と混合されることのない網目状架橋構造に
    形成されることを特徴とする発光素子の製造方法。
21. 【請求項２１】 少なくとも一対の電極間に配置された
    発光領域と、少なくとも一つの電荷阻止領域を有する発
    光素子の製造方法であって、 前記発光領域と前記電荷阻止領域との間に、 少なくとも両者の混合を防止する網目状架橋構造膜を形
    成することを特徴とする発光素子の製造方法。
22. 【請求項２２】 一対の電極間に、少なくとも配置され
    た発光層と、前記発光層と接する有機層とを有する発光
    素子であって、 前記発光層が、少なくとも燐光発光材料と、ホスト材料
    を含有し、前記有機層が、前記燐光発光材料の分子内永
    久双極子モーメントよりも大きい分子内永久双極子モー
    メントを有する化合物を含有することを特徴とする発光
    素子。