JP2003283284A - Flat filter - Google Patents

Flat filter

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JP2003283284A
JP2003283284A JP2002078144A JP2002078144A JP2003283284A JP 2003283284 A JP2003283284 A JP 2003283284A JP 2002078144 A JP2002078144 A JP 2002078144A JP 2002078144 A JP2002078144 A JP 2002078144A JP 2003283284 A JP2003283284 A JP 2003283284A
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substrate layer
substrate
inductor
layer
chip capacitor
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JP2002078144A
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Japanese (ja)
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Shunji Muraoka
俊二 村岡
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Hosiden Corp
Original Assignee
Hosiden Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique of building up a filter on a laminate board which is superior in productivity and manufacturable at a low cost. <P>SOLUTION: A plurality of board layers 11-14 are laminated to form a laminate board 1. Chip capacitors C1-C6 are disposed on one layer of the board 1. Spiral inductors L1-L3 composed of striplines 21 are formed on another layer and connected to the chip capacitors through through-holes H1-H4 extending through the plurality of board layers. A board layer having a ground plane 22 is disposed between the board layer having the chip capacitors and that having the spiral inductors. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、VHFやUHF帯
などの無線モジュールに用いられるフィルタであって、
特に積層基板上に構築されるフィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter used in a wireless module such as a VHF or UHF band,
In particular, it relates to a filter constructed on a laminated substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】積層基板上に構築されるフィルタ素子と
して、例えば、特開2000−31651号公報には、
3層の誘電体基板を積層させた積層基板の各層間に導体
が形成されているととともに各導体の所定端部が銅や金
メッキを埋め込んだスルーホールに短絡させることで、
異なる層に形成された導体間に容量Cが作り出され、ス
ルーホールに短絡された導体にインダクタンスLが作り
出されているフィルタ素子が開示されている。その際、
このスルーホールを入力部と出力部を除く導体周辺領域
に連続的に設けることにより、フィルタ素子のためのシ
ールド効果を高めている。
2. Description of the Related Art As a filter element constructed on a laminated substrate, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-31651 discloses
By forming a conductor between each layer of a laminated substrate in which three layers of dielectric substrates are laminated and by short-circuiting a predetermined end of each conductor to a through hole in which copper or gold plating is embedded,
A filter element is disclosed in which a capacitance C is created between conductors formed in different layers, and an inductance L is created in a conductor short-circuited to a through hole. that time,
By continuously providing the through holes in the conductor peripheral region excluding the input portion and the output portion, the shield effect for the filter element is enhanced.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述のようなフィルタ
素子の場合、誘電体基板の材料として比較的高価で加工
性の悪いセラミックのような高誘電体を採用する必要が
あり、積層基板として安価で一般的に用いられているガ
ラスエポキシ系の材料を利用すること困難である。特
に、導体を3次元的に電磁結合してフィルタ素子を構築
する場合、セラミックのような高誘電体以外の材料を採
用することは、導体の面積を大きくする必要に迫られ現
実的でない。また、誘電率が高い基板を使用すること
は、波長短縮率が大きくなることになり、わずかなパタ
ーンの寸法のずれでも特性が大きく変化するという問題
点も生じる。さらに、フィルタ素子のシールド効果を上
げるため、後から銅や金メッキを埋め込まなければなら
ない多数のスルーホールを連続的に設けることは、製造
コストを押し上げる要因となる。上記実状に鑑み、本発
明の課題は、生産性に優れ、低コストで製造可能なフィ
ルタを積層基板上に構築する技術を提供することであ
り、さらにその際簡単な構造でシールド効果が高められ
ることも重要である。
In the case of the filter element as described above, it is necessary to use a high dielectric material such as ceramic, which is relatively expensive and has poor workability, as a material of the dielectric substrate, and is inexpensive as a laminated substrate. It is difficult to use the glass-epoxy-based material generally used in. In particular, when a conductor is three-dimensionally electromagnetically coupled to construct a filter element, it is not realistic to use a material other than a high-dielectric material such as ceramics because it is necessary to increase the area of the conductor. Further, the use of a substrate having a high dielectric constant results in a large wavelength shortening rate, which causes a problem that the characteristics are significantly changed even with a slight pattern size deviation. Further, in order to improve the shielding effect of the filter element, continuously providing a large number of through holes in which copper or gold plating must be embedded later becomes a factor of increasing the manufacturing cost. In view of the above situation, an object of the present invention is to provide a technique for constructing a filter, which has excellent productivity and can be manufactured at low cost, on a laminated substrate, and at that time, the shield effect can be enhanced with a simple structure. That is also important.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、複数の基板層が積層された積層基板に構築される本
発明によるフィルタでは、積層基板の1層にチップコン
デンサが配設されるとともに他の1層にストリップライ
ンによって構成されるインダクタが形成され、前記チッ
プコンデンサとインダクタが前記複数の基板層にわたっ
て延びるスルーホールによって接続されている。
In order to solve the above problems, in a filter according to the present invention constructed on a laminated substrate in which a plurality of substrate layers are laminated, a chip capacitor is provided on one layer of the laminated substrate. At the same time, an inductor constituted by a strip line is formed in another layer, and the chip capacitor and the inductor are connected by a through hole extending over the plurality of substrate layers.

【0005】この構成では、チップコンデンサが実装さ
れる基板層とは異なる基板層にストリップラインによる
インダクタが形成されているので、チップコンデンサと
インダクタを上下方向に重なるように配置することがで
き、実装密度を向上させることができる。また、ストリ
ップラインによる平面化されたインダクタは非常に小型
に形成できるとともに、高い精度で製造できることから
その電気的特性も安定する。
In this structure, since the inductor by the strip line is formed on the substrate layer different from the substrate layer on which the chip capacitor is mounted, the chip capacitor and the inductor can be arranged so as to overlap each other in the vertical direction. The density can be improved. In addition, the inductor flattened by the strip line can be formed in a very small size and can be manufactured with high accuracy, so that its electrical characteristics are stable.

【0006】また、コンデンサとインダクタといった回
路素子をスルーホールで接続するため、特にインダクタ
は物理的に最短距離で接続可能となり、不要な共振電流
や渦電流が他の回路に流れ出すことが抑えられる。特
に、このスルーホールを積層基板を貫通する貫通スルー
ホールとして設けるならば、この接続ラインは非常に低
コストで形成可能となる。
Further, since the circuit elements such as the capacitor and the inductor are connected through the through hole, the inductor can be physically connected in the shortest distance, and unnecessary resonance current and eddy current can be prevented from flowing out to other circuits. In particular, if this through hole is provided as a through through hole that penetrates the laminated substrate, this connection line can be formed at a very low cost.

【0007】ストリップラインによるインダクタとして
の好適な形成パターンはスパイラルであり、このような
平面化されたスパイラルインダクタは形状の小型化に貢
献する。その際、スパイラルインダクタの形成パターン
を途中で短絡するような構成を採用するならば、結果的
に電気的な共振モードがいくつか組み合わされることに
なり、周波数帯域幅を広げることなる。
A preferred formation pattern of a stripline inductor is a spiral, and such a planarized spiral inductor contributes to miniaturization of the shape. At that time, if a structure in which the formation pattern of the spiral inductor is short-circuited is adopted, as a result, some electric resonance modes are combined and the frequency bandwidth is widened.

【0008】シールド性を高めるための好適な実施形態
として、前記チップコンデンサが配設される基板層と前
記インダクタが形成された基板層の間にグランドプレー
ンが形成された基板層を配置することが提案される。
As a preferred embodiment for improving the shielding property, a substrate layer having a ground plane is arranged between the substrate layer having the chip capacitor and the substrate layer having the inductor. Be proposed.

【0009】また、前記インダクタを中間の基板層に形
成するとともに前記チップコンデンサを表面の基板層に
配置することにより、この外付けのコンデンサの周波数
特性の調整が容易となり、試作を繰り返すことなく容易
に目的とする周波数特性が得られる。本発明によるその
他の特徴及び利点は、以下図面を用いた実施形態の説明
により明らかになるだろう。
Further, by forming the inductor on the intermediate substrate layer and arranging the chip capacitor on the front substrate layer, it becomes easy to adjust the frequency characteristic of the externally attached capacitor, and it is easy to repeat the trial manufacture. The desired frequency characteristic can be obtained. Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of the embodiments with reference to the drawings.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1の(イ)と(ロ)はそれぞ
れ、本発明による平面化フィルタの1つの実施形態が構
築されている領域の積層基板1の斜視図と縦断面図であ
る。この積層基板1は表面側(上側)に位置する第1基
板層11と裏面側(下側)に位置する第4基板層14及
び第1基板層11と第4基板層14との間でガラスエポ
キシ系材料(誘電率4.6程度)からなる誘電体層2を
介在させて配置されている中間層としての第2基板層1
2と第3基板層13を備えた4層構造の積層基板であ
る。これらの第1・第2・第3・第4基板層11、1
2、13、14にわたって平面化フィルタが構築されて
いるが、その分解斜視図が図2に示されており、それら
の平面図が図3の(a)、(b)、(c)、(d)に示
されている。
1 (a) and 1 (b) are a perspective view and a longitudinal sectional view of a laminated substrate 1 in a region in which an embodiment of a flattening filter according to the present invention is constructed, respectively. . The laminated substrate 1 includes a first substrate layer 11 located on the front surface side (upper side), a fourth substrate layer 14 located on the back surface side (lower side), and a glass layer between the first substrate layer 11 and the fourth substrate layer 14. Second substrate layer 1 as an intermediate layer, which is arranged with a dielectric layer 2 made of an epoxy material (dielectric constant of about 4.6) interposed.
It is a laminated substrate having a four-layer structure including 2 and a third substrate layer 13. These first, second, third and fourth substrate layers 11, 1
A flattening filter is constructed over 2, 13, 14 and its exploded perspective view is shown in FIG. 2, and the plan views thereof are (a), (b), (c), (in FIG. 3). d).

【0011】第1基板層11はC1〜C6のチップコンデ
ンサが配置される実装面として機能しており、第2基板
層12と第4基板層14はほぼ全域にグランドプレート
22が形成されたグランド面として機能している。第3
基板層13はストリップライン21からなる3つの矩形
スパイラルインダクタL1〜L3が形成されたインダクタ
パターン面として機能している。入力ポートP1は第4
基板層14にグランドプレート22に外囲されるように
形成されており、出力ポートP2は第1基板層11に形
成されている。
The first substrate layer 11 functions as a mounting surface on which the C1 to C6 chip capacitors are arranged, and the second substrate layer 12 and the fourth substrate layer 14 have a ground plate 22 formed almost all over the ground. It functions as a surface. Third
The substrate layer 13 functions as an inductor pattern surface on which three rectangular spiral inductors L1 to L3 composed of strip lines 21 are formed. The input port P1 is the fourth
The substrate layer 14 is formed so as to be surrounded by the ground plate 22, and the output port P2 is formed in the first substrate layer 11.

【0012】第1基板層11に配置されたチップコンデ
ンサC1〜C6と第3基板層13に形成されたスパイラル
インダクタL1〜L3とは積層基板1に設けられた貫通ス
ルーホールH1〜H4によって接続されている。さらに各
回路素子とグランドプレート22とを接続するためにも
同様な貫通スルーホールH5〜H8が設けられている。
The chip capacitors C1 to C6 arranged on the first substrate layer 11 and the spiral inductors L1 to L3 formed on the third substrate layer 13 are connected by through through holes H1 to H4 provided in the laminated substrate 1. ing. Further, similar through through holes H5 to H8 are provided to connect each circuit element and the ground plate 22.

【0013】この積層基板1に構築された平面化フィル
タの回路構成を図1〜図3を参照しながら詳説すると、
まず第4基板層14にストリップラインとして形成され
ている入力ポートP1は第1貫通スルーホールH1を介し
て第3基板層13に形成されている第1スパイラルイン
ダクタL1の一端に接続しているとともに第1基板層1
1に実装された第1チップコンデンサC1の一端とも接
続している。第1チップコンデンサC1の他端は第6貫
通スルーホールH6を介して第2基板層12及び第4基
板層14のグランドプレート22に接続している。第1
スパイラルインダクタL1の他端は同様に第3基板層1
1に形成されている第2スパイラルインダクタL2の一
端と接続している。さらに、この第1スパイラルインダ
クタL1と第2スパイラルインダクタL2の接続ポイント
で第2貫通スルーホールH2が接続している。
The circuit configuration of the flattening filter constructed on the laminated substrate 1 will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
First, the input port P1 formed as a strip line on the fourth substrate layer 14 is connected to one end of the first spiral inductor L1 formed on the third substrate layer 13 via the first through-hole H1. First substrate layer 1
It is also connected to one end of the first chip capacitor C1 mounted on No. 1. The other end of the first chip capacitor C1 is connected to the ground plates 22 of the second substrate layer 12 and the fourth substrate layer 14 via the sixth through hole H6. First
The other end of the spiral inductor L1 is also the same as the third substrate layer 1
It is connected to one end of the second spiral inductor L2 formed in 1. Further, the second through-hole H2 is connected at the connection point between the first spiral inductor L1 and the second spiral inductor L2.

【0014】第2貫通スルーホールH2は第1基板層1
1において第2チップコンデンサC2の一端及び第3チ
ップコンデンサC3の一端と接続している。第2チップ
コンデンサC2の他端は第7貫通スルーホールH7を介し
て第2基板層12及び第4基板層14のグランドプレー
ト22に接続している。第3チップコンデンサC3の他
端は同様に第1基板層11に実装された第5チップコン
デンサC5の一端と接続している。この第3チップコン
デンサC3と第5チップコンデンサC5の接続ポイントは
第3貫通スルーホールH3に接続している。また、第1
基板層11に実装された第4チップコンデンサC4はそ
の一端を第3貫通スルーホールH3に接続しているとと
もにその他端を第8貫通スルーホールH8を介して第2
基板層12及び第4基板層14のグランドプレート22
に接続している。
The second through-hole H2 is formed in the first substrate layer 1
In No. 1, it is connected to one end of the second chip capacitor C2 and one end of the third chip capacitor C3. The other end of the second chip capacitor C2 is connected to the ground plates 22 of the second substrate layer 12 and the fourth substrate layer 14 via the seventh through hole H7. The other end of the third chip capacitor C3 is similarly connected to one end of the fifth chip capacitor C5 mounted on the first substrate layer 11. The connection point between the third chip capacitor C3 and the fifth chip capacitor C5 is connected to the third through hole H3. Also, the first
The fourth chip capacitor C4 mounted on the substrate layer 11 has one end connected to the third through hole H3 and the other end second through the eighth through hole H8.
Ground plate 22 of substrate layer 12 and fourth substrate layer 14
Connected to.

【0015】前述した第3貫通スルーホールH3は第3
基板層13において第2スパイラルインダクタL2の他
端と接続している。さらに、第3基板層13に形成され
ている第3スパイラルインダクタL3の一端は第4貫通
スルーホールH4に接続しており、第3スパイラルイン
ダクタL3の他端は第5貫通スルーホールH5を介して第
2基板層12及び第4基板層14のグランドプレート2
2に接続している。
The above-mentioned third through-hole H3 is the third
The substrate layer 13 is connected to the other end of the second spiral inductor L2. Further, one end of the third spiral inductor L3 formed on the third substrate layer 13 is connected to the fourth through hole H4, and the other end of the third spiral inductor L3 is connected through the fifth through hole H5. Ground plate 2 of second substrate layer 12 and fourth substrate layer 14
Connected to 2.

【0016】第4貫通スルーホールH4は第1基板層1
1において第5チップコンデンサC5の他端と接続して
いるとともに、第6チップコンデンサC6の一端とも接
続している。第6チップコンデンサC6の他端は出力ポ
ートP2を構成するストリップラインに接続している。
The fourth through hole H4 is formed in the first substrate layer 1
In No. 1, it is connected to the other end of the fifth chip capacitor C5 and also to one end of the sixth chip capacitor C6. The other end of the sixth chip capacitor C6 is connected to the strip line forming the output port P2.

【0017】上述したように、この平面化フィルタは、
チップコンデンサC1〜C6を第1基板層11に実装し、
矩形スパイラルインダクタL1〜L3を第3基板層13に
形成しており、第1基板層11と第3基板層13との間
及び第3基板層13の下側に誘電体層2の介在のもとに
実質的にグランドプレート層である第2基板層12と第
4基板層14を配置している。必要とされるチップコン
デンサとスパイラルインダクタとの間の接続は第1・第
2・第3・第4貫通スルーホールH1〜H4によって行わ
れ、必要とされるチップコンデンサやスパイラルインダ
クタの接地は第5・第6・第7・第8貫通スルーホール
H5〜H8介して第2基板層12及び第4基板層14のグ
ランドプレート22に接続することで実現される。もち
ろん、この接地は第2基板層12又は第4基板層14の
いずれかのグランドプレート22に接続することでも可
能である。
As mentioned above, this planarizing filter
The chip capacitors C1 to C6 are mounted on the first substrate layer 11,
The rectangular spiral inductors L1 to L3 are formed on the third substrate layer 13, and the dielectric layer 2 is interposed between the first substrate layer 11 and the third substrate layer 13 and below the third substrate layer 13. A second substrate layer 12 and a fourth substrate layer 14, which are substantially ground plate layers, are arranged on the substrate. The required connection between the chip capacitor and the spiral inductor is made by the first, second, third and fourth through-holes H1 to H4, and the required chip capacitor and the spiral inductor are grounded at the fifth. It is realized by connecting to the ground plate 22 of the second substrate layer 12 and the fourth substrate layer 14 through the sixth, seventh and eighth through holes H5 to H8. Of course, this ground can also be connected to the ground plate 22 of either the second substrate layer 12 or the fourth substrate layer 14.

【0018】上述した構成により得られる平面化フィル
タの等価回路が図4に示されており、周波数特性に関す
るそのシミュレーション結果が図5に示されており、実
際に製作されたサンプルに対する実測定結果が図6に示
されている。図5と図6の比較から、本発明による平面
化フィルタがシミュレーション結果とよく一致すること
が理解できる。これは、この平面化フィルタは積層され
た異なる基板層に配置されたチップコンデンサとスパイ
ラルインダクタから構成され、互いが貫通スルーホール
によって電気的長さ及び物理的長さが最短となるように
接続されていることが大きな要因となっている。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of the flattening filter obtained by the above-mentioned structure, and its simulation result concerning the frequency characteristic is shown in FIG. 5. The actual measurement result for the actually manufactured sample is shown in FIG. It is shown in FIG. From the comparison between FIG. 5 and FIG. 6, it can be seen that the planarization filter according to the present invention agrees well with the simulation result. This is because this flattening filter is composed of chip capacitors and spiral inductors arranged on different substrate layers which are stacked, and they are connected to each other by through-holes so that the electrical and physical lengths are the shortest. Is a major factor.

【0019】なお、ストリップラインで構成されるイン
ダクタの形成パターンは矩形スパイラルに限定されるわ
けではなく、インダクタンスを作り出す種々の形成パタ
ーンを採用することが可能である。また、インダクタの
形成パターンにおいて短絡箇所を形成することも可能で
ある。
The formation pattern of the inductor composed of the strip line is not limited to the rectangular spiral, and various formation patterns for producing inductance can be adopted. It is also possible to form a short-circuited portion in the inductor formation pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一例としての平面化フィルタが構築さ
れる積層基板を示す斜視図と縦断面図
FIG. 1 is a perspective view and a vertical sectional view showing a laminated substrate on which a flattening filter as an example of the present invention is constructed.

【図2】平面化フィルタが構築されている各基板層を示
す分解斜視図
FIG. 2 is an exploded perspective view showing each substrate layer on which a flattening filter is constructed.

【図3】平面化フィルタが構築されている各基板層の平
面図
FIG. 3 is a plan view of each substrate layer on which a planarization filter is constructed.

【図4】実施形態で扱われた平面化フィルタの等価回路FIG. 4 is an equivalent circuit of the flattening filter treated in the embodiment.

【図5】図4による等価回路に基づくシミュレーション
結果としての周波数特性グラフ
5 is a frequency characteristic graph as a result of simulation based on the equivalent circuit shown in FIG.

【図6】実施形態で扱われた平面化フィルタの実測定結
果としての周波数特性グラフ
FIG. 6 is a frequency characteristic graph as an actual measurement result of the flattening filter treated in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 積層基板 2 誘電体層 11 第1基板層 12 第2基板層 13 第3基板層 14 第4基板層 21 ストリップライン 22 グランドプレート C1〜C6 チップコンデンサ L1〜L3 スパイラルインダクタ H1〜H8 貫通スルーホール P1 入力ポート P2 出力ポート 1 Laminated board 2 Dielectric layer 11 First substrate layer 12 Second substrate layer 13 Third substrate layer 14 Fourth substrate layer 21 strip line 22 Grand plate C1 to C6 chip capacitors L1-L3 spiral inductor H1 to H8 through-holes P1 input port P2 output port

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の基板層が積層された積層基板の1
層にチップコンデンサが配設されるとともに他の1層に
ストリップラインによって構成されるインダクタが形成
され、前記チップコンデンサとインダクタが前記複数の
基板層にわたって延びるスルーホールによって接続され
ていることを特徴とする平面化フィルタ。
1. A laminated substrate in which a plurality of substrate layers are laminated.
A chip capacitor is disposed on one layer and an inductor constituted by a strip line is formed on another layer, and the chip capacitor and the inductor are connected by through holes extending over the plurality of substrate layers. A flattening filter.
【請求項2】 前記インダクタがスパイラルインダクタ
であることを特徴とする請求項1に記載の平面化フィル
タ。
2. The flattening filter according to claim 1, wherein the inductor is a spiral inductor.
【請求項3】 前記スパイラルインダクタの形成パター
ンが途中で短絡されていることを特徴とする請求項2に
記載の平面化フィルタ。
3. The flattening filter according to claim 2, wherein the formation pattern of the spiral inductor is short-circuited midway.
【請求項4】 前記チップコンデンサが配設される基板
層と前記インダクタが形成された基板層の間にグランド
プレーンが形成された基板層が配置されていることを特
徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の平面化フィル
タ。
4. A substrate layer on which a ground plane is formed is arranged between a substrate layer on which the chip capacitor is arranged and a substrate layer on which the inductor is formed. The flattening filter according to any one of 1.
【請求項5】 前記チップコンデンサが表面の基板層に
配置されるとともに前記インダクタが中間の基板層に形
成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記
載の平面化フィルタ。
5. The flattening filter according to claim 1, wherein the chip capacitor is arranged on a front substrate layer and the inductor is formed on an intermediate substrate layer.
【請求項6】 前記スルーホールは前記積層基板を貫通
する貫通スルーホールとして設けられていることを特徴
とする請求項1〜5のいずれかに記載の平面化フィル
タ。
6. The flattening filter according to claim 1, wherein the through hole is provided as a through through hole penetrating the laminated substrate.
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