JP2003283281A - 圧電デバイスとその熱処理方法及び熱処理装置並びに圧電デバイスを利用した携帯電話装置及び圧電デバイスを利用した電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】圧電デバイスの熱処理において、複数もしくは
多数のパッケージの熱処理を、短時間で、品質よく行う
こと。 【解決手段】圧電振動片３２の一部を支持固定したパッ
ケージ３６に蓋体３９を固定した後で、当該パッケージ
を加熱する圧電デバイス３０の熱処理方法であって、前
記蓋体の固定後に、前記パッケージを複数個配置し、前
記複数個のパッケージに対して、ハロゲンランプによる
光ビームＬ３を直接照射して、前記圧電振動片を熱処理
するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動片をパッ
ケージに内蔵した圧電デバイスの製造方法に係り、とく
にその熱処理工程の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライ
ブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の
小型の情報機器や、携帯電話等の電子機器には、パッケ
ージ内に圧電振動片を収容して封止した圧電振動子や圧
電発振器等の圧電デバイスが使用されている。図１７
は、このような圧電デバイス１の一例を示している。図
において、圧電デバイス１は、上部が開放されたセラミ
ックス製のパッケージ２の内側に、導電性接着剤３ａを
用いて圧電振動片３が固定されている。そして、パッケ
ージ２の上部開口には、ロウ材４ａを用いて蓋体４が固
定されている（蓋封止）。

【０００３】この圧電デバイス１のパッケージ２の底部
２ａには、貫通孔２ｂが設けられている。そして、蓋体
４の固定後に、後述する熱処理を行い、パッケージ２の
内部に、熱により発生したガスを、この貫通孔２ｂを介
して、外部に排出した後で、封止材２ｃを充填すること
により、パッケージ２が密封されている。

【０００４】すなわち、この圧電デバイス１は、具体的
には、図１８のフローチャートに示すように製造され
る。先ず、セラミックス等の圧電材料で形成した箱状の
パッケージ２を用意し、このパッケージの内部に予め形
成した電極部に、水晶等の圧電材料で形成した圧電振動
片３を導電性接着剤３ａを用いて固定する（ＳＴ１）。
次いで、パッケージ２にロウ材４ａを用いて、蓋体４を
封止する（ＳＴ２）。続いて、パッケージ２外部から加
熱することで熱処理し、例えば、圧電振動片の固定に用
いた上記導電性接着剤３ａ等から出る有害なガス成分を
出す（ＳＴ３）。

【０００５】さらに、アニール処理されたパッケージ２
を真空中に配置しておき、パッケージ２に予め形成され
ている貫通孔２ｂから、上記ガス成分を真空中に追い出
した後で、この貫通孔２ｂに金属材料による封止材２ｃ
を加熱充填して、貫通孔２ｂの真空封止を行う（ＳＴ
４）。最後に、外部からレーザ光を上記蓋体４を透過さ
せて、パッケージ２内の圧電振動片３の電極部に照射
し、電極の一部を蒸散させることにより、質量削減方式
による周波数調整をして、振動周波数の合わせ込みをお
こない（ＳＴ５）、必要な検査をして、圧電デバイスを
完成させる。

【０００６】ここで、ＳＴ３の熱処理（アニール）を行
う場合には、例えば、図１９に示すようなチャンバー６
を備えた熱処理装置５を用いる。この熱処理装置５のチ
ャンバー６内は気密に形成されている。チャンバー６内
には、支持手段７ａが配置されており、下部に設けた加
熱手段８の上方に、トレー７を支持するようになってい
る。特に、加熱手段８は、図２０に示されているよう
に、所定距離を置いて配置されたトレー７に輻射熱を加
えて加熱するようにされている。このトレー７には、複
数個のパッケージ２が並べて保持されるようになってい
る。また、チャンバー６には外部と連絡された管路６ａ
が設けられ、後述するように、チャンバー６内を真空排
気すると共に、チャンバー６内に窒素を送ることができ
るようになっている。

【０００７】図２１は、チャンバー６内に収容されてい
る加熱手段８の一例を示す概略平面図であり、例えば、
電熱線やシーズヒータ等でなる熱源８ｂと、熱源８ｂよ
りも下側に配置された水管８ａが設けられている。熱源
８ｂは、外部から駆動電流が印加されて発熱されるよう
になっている。また、加熱手段８の近傍には、熱電対等
による温度検出手段８ｃが配置されており、温度検出手
段８ｃの検出温度に応じて、水管８ａには、矢印で示す
ように外部から冷却水が通水されて、過度に温度上昇す
ることが防止されるようになっている。

【０００８】以上の構成において、従来の加熱処理（ア
ニール工程）は、図２２のフローチャート及び、図２３
のグラフに示すように行われている。尚、図２３のグラ
フにおいて、実線Ｐは、チャンバー６内の真空度を示
し、鎖線Ｔは、チャンバー６内の温度変化を示してい
る。図２２において、図１９で説明した熱処理装置５の
チャンバー６の図示しない扉を開いて（ＳＴ１）、図２
０で説明したように、トレー７上に、複数のパッケージ
２を配置し、チャンバー６内にセットする（ＳＴ２）。
チャンバー６の図示しない扉を閉めて（ＳＴ３）、管路
６ａを介して、チャンバー６内を真空排気する（ＳＴ
４）（図２３の実線ＰのＳＴ４部分参照）。

【０００９】そして、図２３のＰＴ１時間（約１分）の
経過後、チャンバー６内に管路６ａから窒素を送り込む
（ＳＴ５）（図２３の実線ＰのＳＴ５部分参照）。ま
た、ＳＴ４の真空排気と同時に、加熱手段８による加熱
を開始する（ＳＴ６）。ＰＴ２時間（約１０分）の経過
により、所定温度、例えば、摂氏２６０度程度で、チャ
ンバー６内では、充填された窒素雰囲気を伝達された熱
により、ＰＴ３時間（約２０分）のあいだパッケージ２
内が加熱されて、所定箇所からのガス出しが行われる。
（ＳＴ７）。続いて、ＰＴ３時間（約２０分）経過した
ら、管路６ａを介して、ふたたびチャンバー６内を真空
排気する（ＳＴ８）（図２３の実線ＰのＳＴ８部分参
照）。ＰＴ４時間（約３０分）経過して、チャンバー６
内が所定の真空度となったら、上記ガスは、パッケージ
２から、チャンバー６内に排出される。ＰＴ５時間（約
５分）経過後、加熱手段８をオフして（ＳＴ１０）、冷
却を行う（ＳＴ１１）。すなわち、チャンバー６内に管
路６ａからふたたび窒素を送り込み（ＳＴ１２）、ＰＴ
時間の経過後、チャンバー６内の温度が十分に下がった
ら、図示しない扉を開き（ＳＴ１３）、トレイ７を取り
出す（ＳＴ１４）。以上により、圧電デバイス１の熱処
理が終了する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
熱処理方法によると、パッケージ２を加熱するために、
窒素雰囲気を介して、加熱手段８の輻射熱を利用してい
ることから、図２３に示されているように、雰囲気温度
の立ち上がりに１０分程度の時間がかかり、熱処理中も
雰囲気温度を維持するために２０分程度加熱を続けなけ
ればならず、処理に長い時間がかかるという問題があ
る。しかも、加熱手段８の温度と、トレー７との温度差
がロスとして生じるという非効率が生じる。

【００１１】また、加熱手段８とトレー７との間に図２
０に示すような距離をおいて、窒素雰囲気を介して間接
加熱することから、トレー７に温度ムラを生じてしま
い、熱処理品質が一定でなく、このムラを解消するため
にも、長時間の加熱を必要とするという欠点があった。

【００１２】本発明は、圧電デバイスの熱処理におい
て、複数もしくは多数のパッケージの熱処理を、短時間
で、品質よく行うことができる圧電デバイスの熱処理方
法と、熱処理装置、及びこの方法により熱処理された圧
電デバイスと、圧電デバイスを利用した携帯電話装置を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明にあっては、圧電振動片の一部を支持固定したパッ
ケージに蓋体を固定した後で、当該パッケージを加熱す
る圧電デバイスの熱処理方法であって、前記蓋体の固定
後に、前記パッケージを複数個配置し、前記複数個のパ
ッケージに対して、ハロゲンランプによる光ビームを直
接照射して、前記圧電振動片を熱処理するようにした、
圧電デバイスの熱処理方法により、達成される。請求項
１の構成によれば、熱処理すべき圧電デバイスの複数の
パッケージに対して、ハロゲンランプによる光ビームを
直接照射している。このため、従来の熱処理のように、
輻射熱により間接加熱する場合と比べて、熱処理に必要
とされる温度までの昇温時間が短く、工程に要する時間
が大幅に短縮できる。また、光ビームを直接当てて加熱
することで、輻射熱を利用する場合と比べて温度ムラが
少なく加工品質が向上する。また、光ビームを直接当て
て加熱することで、輻射熱を利用する場合と比べてロス
が少なく、熱効率が向上する。尚、この熱処理方法は、
先に説明した圧電デバイスの製造工程の一部であり、本
発明を熱処理方法に特徴を有する圧電デバイスの製造方
法として捉えることもできる。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記パッケージとして、貫通孔が形成されたパッケ
ージを使用することを特徴とする。バイスの熱処理方
法。請求項３の発明は、請求項１または２のいずれかの
構成において、前記ハロゲンランプの光ビームによる加
熱処理が、気密にしたチャンバー内で行われることを特
徴とする。請求項３の構成によれば、気密にしたチャン
バー内で、酸素等の有害な雰囲気を排除した環境で、熱
処理を行うことができる。

【００１５】請求項４の発明は、請求項１ないし３のい
ずれかの構成において、前記ハロゲンランプによる光ビ
ームの照射に先立って、保持手段の上に、前記複数のパ
ッケージを配置して支持することを特徴とする。請求項
４の構成によれば、複数のパッケージについて、ハロゲ
ンランプによる光ビームが照射されるべき箇所を外部に
向けて、適切に位置決めして保持することができる。

【００１６】請求項５の発明は、請求項４の構成におい
て、前記ハロゲンランプにより光ビームが、ランプユニ
ットからほぼ平行に照射されることにより、前記複数の
パッケージを含む全ての領域に同時に光ビームを照射す
ることを特徴とする。請求項５の構成によれば、必要に
より光源ランプを多く使用し、一度に処理するパッケー
ジをハロゲンランプとの関係でほぼ同じ距離に多数並べ
ることで、バッチ処理が可能となる。

【００１７】請求項６の発明は、請求項５の構成におい
て、前記保持手段により、前記パッケージを、パッケー
ジの底部側が前記ハロゲンランプの光ビームに向くよう
に上向きに配置することを特徴とする。請求項６の構成
によれば、パッケージ底部が上向きにされて、この底部
に向けて前記ハロゲンランプの光ビームが照射されるこ
とにより、加熱によって、パッケージ内に発生するガス
成分が、上を向いているパッケージ底部の貫通孔から、
排出されやすい。

【００１８】請求項７の発明は、請求項５の構成におい
て、前記蓋体として光透過性の材料で形成した蓋体を使
用し、かつ前記保持手段により、前記パッケージが、パ
ッケージに固定した蓋体側を前記ハロゲンランプの光ビ
ームに向けるように配置することを特徴とする。請求項
７の構成によれば、光透過性の材料で形成された蓋体を
前記ハロゲンランプの光ビームが透過して、パッケージ
内に直接照射される。このため、パッケージ内が一層効
率よく加熱されることで、パッケージ内のガス発生部位
におけるガスの発生が促進される。これにより、熱処理
工程で発生したガスを除去すれば、後の工程でガスが発
生することをより効果的に抑制することができる。

【００１９】また、上記目的は、請求項８の発明にあっ
ては、圧電振動片の一部を支持固定したパッケージに蓋
体を固定した後で、当該パッケージを加熱する熱処理装
置であって、前記複数のパッケージを気密に収容するた
めのチャンバーと、前記チャンバー内で、前記複数のパ
ッケージを、その底部側もしくは蓋体側がランプ側に向
くようにして、並べて保持する手段と、前記保持手段に
より支持されたパッケージもしくはパッケージに固定さ
れた蓋体に対して、ハロゲンランプによる光ビームを直
接照射するランプユニットとを備える、圧電デバイスの
熱処理装置により、達成される。請求項８の構成によれ
ば、本発明の熱処理装置では、熱処理すべき圧電デバイ
スの複数のパッケージに対して、ハロゲンランプによる
光ビームを直接照射することができる。このため、従来
の熱処理のように、輻射熱により間接加熱する場合と比
べて、熱処理に必要とされる温度までの昇温時間が短
く、工程に要する時間が大幅に短縮できる。また、光ビ
ームを直接当てて加熱することで、輻射熱を利用する場
合と比べて温度ムラが少なく加工品質が向上する。ま
た、光ビームを直接当てて加熱することで、輻射熱を利
用する場合と比べてロスが少なく、熱効率が向上する。

【００２０】請求項９の発明は、請求項８の構成におい
て、前記パッケージには貫通孔が形成されていることを
特徴とする。請求項１０の発明は、請求項８または９の
いずれかの構成において、前記チャンバーの外側に前記
ランプユニットを配置すると共に、ランプユニットから
の光ビームを透過させる光透過性の隔壁が前記チャンバ
ーに形成されていることを特徴とする。請求項１０の構
成によれば、ランプユニットをチャンバーの外部に設け
ることができるため、従来のように、チャンバー内に加
熱手段を設ける必要がないこと、また、加熱手段と、パ
ッケージとの間に所定の間隔を設ける必要がないこと等
から、チャンバーを小型に形成することができる。

【００２１】請求項１１の発明は、請求項８ないし１０
のいずれかの構成において、前記ランプユニットが、前
記複数のパッケージの全ての配置領域に同時に光ビーム
を照射する構成としたことを特徴とする。請求項１１の
構成によれば、前記保持する手段の上に配置した全ての
パッケージを一度に熱処理することができ、きわめて作
業効率が高い。

【００２２】請求項１２の発明は、請求項８ないし１１
のいずれかの構成において、前記チャンバー内に冷却手
段を備えることを特徴とする。請求項１２の構成によれ
ば、ハロゲンランプの光ビームが照射されるチャンバー
内の温度が前記冷却手段により冷やされるので、チャン
バー温度が過度に上昇することがない。

【００２３】上記目的は、請求項１３の発明にあって
は、圧電振動片の一部を支持固定したパッケージに蓋体
を固定した圧電デバイスであって、ハロゲンランプによ
る光ビームの熱により前記パッケージもしくはパッケー
ジ内部が熱処理されている、圧電デバイスにより、達成
される。請求項１３の構成によれば、この圧電デバイス
では、パッケージ内にハロゲンランプによる光ビームを
直接照射して熱処理されている。このため、従来の熱処
理のように、輻射熱により間接加熱する場合と比べて、
光ビームを直接当てて加熱することで、輻射熱を利用す
る場合と比べて温度ムラが少なく加工品質が向上する。

【００２４】請求項１４の発明は、請求項１３の構成に
おいて、前記パッケージの底部には、貫通孔が形成され
ており、この貫通孔に封止材を充填することで孔封止さ
れていることを特徴とする。請求項１４の構成によれ
ば、熱処理の際に、パッケージ内の接着剤等から有害な
ガスが出ても、前記貫通孔を利用して、チャンバー内を
真空排気することで、有害なガスを除去することがで
き、その状態で、孔封止することで、パッケージ内を気
密にすることができる。このため、蓋封止等の熱を利用
した工程による悪影響を排除して、高性能な圧電デバイ
スを得ることができる。

【００２５】請求項１５の発明は、請求項１４の構成に
おいて、パッケージに形成された前記貫通孔は、所定の
内径を備える内側の第１の貫通孔と、この第１の貫通孔
と連続して設けられると共に、前記第１の貫通孔よりも
大きな内径を備えて外側に開口した第２の貫通孔とを有
することを特徴とする。請求項１５の構成によれば、前
記貫通孔が、内径の異なる第１及び第２の貫通孔を有し
ていることから、熱処理工程の後の封止工程において、
外部から封止材を貫通孔に挿入し、第１及び第２の貫通
孔の内径の違いによりできる段部に載置することがで
き、封止作業が容易で、溶けた封止材がパッケージ内部
に進入しにくい。

【００２６】請求項１６の発明は、請求項１５の構成に
おいて、前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔とは段部
を介して連続しており、この段部と、前記第１の貫通孔
の内面には、前記封止材との濡れ性に優れた金属被覆が
設けられていることを特徴とする。請求項１６の構成に
よれば、前記段部と、前記第１の貫通孔の内面には、前
記封止材との濡れ性に優れた金属被覆が設けられている
ので、溶融させた封止材が、前記段部と、前記第１の貫
通孔の内面に付着しやすく、それ以上パッケージ内部に
進入しにくい構造とすることができる。

【００２７】上記目的は、請求項１７の発明にあって
は、圧電振動片の一部を支持固定したパッケージに蓋体
を固定した圧電デバイスを利用した携帯電話装置であっ
て、ハロゲンランプによる光ビームの熱により前記パッ
ケージもしくはパッケージ内部が熱処理されている圧電
デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにし
た、携帯電話装置により、達成される。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の圧電デバイスの
第１の実施の形態を示しており、図１はその概略平面
図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図、図３は図１の底
面図である。これらの図において、圧電デバイス３０
は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイ
ス３０は、パッケージ３６内に圧電振動片３２を収容し
ている。パッケージ３６は、例えば、セラミックグリー
ンシートを積層して焼結した酸化アルミニウム質焼結体
等の基板で形成されている。複数の各基板は、その内側
に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所
定の内部空間Ｓを形成するようにされている。すなわ
ち、図２に示すように、本実施形態のパッケージ３６
は、例えば、下から第１の積層基板５２と、その上に重
ねられる第２の積層基板５３と、その上に重ねられる第
３の積層基板５４から形成されている。

【００２９】パッケージ３６の内部空間Ｓ内の図におい
て左端部付近において、内部空間Ｓに露出して内面底部
を構成するベースとなる第２の積層基板５３には、Ａｕ
及びＮｉメッキが施された電極部３１，３１が設けられ
ている。この電極部３１，３１は、外部と接続されて、
駆動電圧を供給するものである。この各電極部３１，３
１の上に導電性接着剤４３，４３が塗布され、この導電
性接着剤４３，４３の上に圧電振動片３２の基部５１が
載置されて、導電性接着剤４３，４３が硬化されるよう
になっている。

【００３０】圧電振動片３２の基部５１の導電性接着剤
４３，４３と触れる部分には、駆動電圧を伝えるための
引出電極（図示せず）が形成されており、これにより、
圧電振動片３２は、駆動用電極がパッケージ３６側の電
極部３１，３１と導電性接着剤４３，４３を介して、電
気的に接続されている。

【００３１】圧電振動片３２は、例えば水晶で形成され
ており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リ
チウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形
態の場合、圧電振動片３２は、パッケージ３６側と固定
される基部５１と、この基部５１から、図において右方
に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕３
４，３５を備えており、全体が音叉のような形状とされ
た、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。

【００３２】パッケージ３６の開放された上端には、好
ましくは、鉛を含まないロウ材、例えば、蓋体３９がガ
ラス材料で形成されている場合に、これと接合性に優れ
る鉛を含まない低融点ガラスによるロウ材３３を介し
て、この蓋体３９が接合されることにより、封止されて
いる。ここで、ロウ材３３は、蓋封止に先立って、パッ
ケージ３６の接合端面に配置されていても、蓋体３９の
接合面に予め配置されていてもよい。蓋体３９は、パッ
ケージ３６と、熱による線膨張係数が近いもので形成す
るのが好ましく、このような条件に合った圧電材料や、
金属材料を使用することができる。あるいは、蓋体３９
は、後述する周波数調整を行うために、光を透過する材
料，例えば、ガラスで形成されていてもよい。

【００３３】また、好ましくは、パッケージ３６の底面
のほぼ中央付近には、パッケージ３６を構成する２枚の
積層基板５２，５３に連続する貫通孔３７ａ，３７ｂを
形成することにより、貫通孔３７が設けられている。貫
通孔３７はひとつのものであってもよいが、この貫通孔
３７を構成する２つの貫通孔のうち、好ましくは、パッ
ケージ内部に開口する第１の孔３７ａに対して、第２の
孔である外側の貫通孔３７ｂは、より大きな内径を備え
るようにされている。これにより、貫通孔３７は段部５
５を有する開口とされており、好ましくは、第２の孔で
ある貫通孔３７ｂの段部と、貫通孔３７ａの孔内周面に
は後述する封止材として選択された金属に対して、濡れ
性のよい金属、例えば、封止材として、鉛を含有した封
止材よりも高い融点を備える金属としての高融点金属が
使用されている。この高融点金属としては、例えば、Ａ
ｇロウ、Ａｕ／Ｓｎ、Ａｕ／Ｇｅが使用できる。そし
て、これらのいずれかひとつを選択した場合には、金メ
ッキ等が、所定の下地層の上に形成されてることによ
り、被覆されている。

【００３４】すなわち、パッケージ３６内に圧電振動片
３２を固定した後で、後述する工程により、蓋体３９を
パッケージ３６に対して固定した後で、貫通孔３７に
は、好ましくは真空中で、金属製封止材３８が充填され
ることにより、パッケージ３６内を気密状態に封止す
る。これにより、蓋封止の際、あるいは圧電振動片３２
の熱処理工程において、パッケージ３６内の導電性接着
剤４３等から、熱により有害なガスが発生しても、貫通
孔３７から、この有害なガスを追い出すことができる。
この熱処理工程については、後で詳しく説明する。その
後、透明な蓋体３９を介して、外部からレーザ光Ｌ２を
圧電振動片３２の図示しない金属被膜に照射し、その一
部を蒸散させることにより、質量削減方式による周波数
調整を行うことができるようにされている。尚、貫通孔
３７を形成する第１の孔３７ａと第２の孔３７ｂは、パ
ッケージ内部に開口する第１の孔３７ａに対して、第２
の孔である外側の貫通孔３７ｂが、より小さな内径とな
るように構成されていてもよい。

【００３５】さらに、この実施形態では、パッケージ３
６を構成する第２の積層基板５３には、図において右端
部付近に孔を形成することにより、この積層基板５３の
厚みに対応した凹部４２が形成されている。この凹部４
２は、圧電振動片３２の自由端３２ｂの下方に位置して
いる。これにより、本実施形態では、パッケージ３６に
外部から衝撃が加わった場合に、圧電振動片３２の自由
端３２ｂが、矢印Ｄ方向に変位して振れた場合において
も、パッケージ３６の内側底面と当接されることを有効
に防止されるようになっている。

【００３６】図４は、圧電デバイス３０の熱処理に使用
される熱処理装置の第１の実施形態を示す全体構成図で
ある。図において、熱処理装置１０は、扉１２ａ，１２
ｂを閉めることで、内部を気密に保持できるようにした
チャンバー１２を備えている。このチャンバー１２内に
は、図１ないし図３で説明したように、圧電振動片３２
を内部空間Ｓ内に支持固定したパッケージ３６の上端に
ロウ材３３を適用して、ガラス等の光透過性の材料で形
成された蓋体３９を配置した圧電デバイス３０を、複数
個もしくは多数個並べて保持する手段６０を備えてい
る。

【００３７】この圧電デバイス３０のパッケージ３６の
保持手段６０は、封止工程上では、チャンバー１２内
に、搬入扉１２ａから導入され、後述する熱処理後に、
搬出扉１２ｂから出されるようになっている。そして、
保持手段６０は、チャンバー１２内では、図４に示され
ているように、冷却手段１８の上に配置された支持手段
１７により、所定の高さに保持されている。この保持手
段６０には、保持手段６０に置かれた複数のパッケージ
３６の周囲の温度を検出するための熱電対等で構成した
温度センサでなる検出手段１６を有している。上記冷却
手段１８は、例えば、外部から冷却水等の冷媒を引き込
んで、チャンバー１２内部の必要冷却箇所を循環させる
ことで、チャンバー１２内の冷却を行うものである。こ
のため、冷却手段１８に接続された管路２２が外部に引
き出されており、外部の冷却水供給手段２２ａから、冷
却水の供給を受けるようになっている。この冷却水供給
手段２２ａは、好ましくは、後述する制御手段２９に接
続されている。

【００３８】チャンバー１２内には、圧力センサや酸素
センサ等のチャンバー１２内の気体圧力もしくは気体濃
度を検出する気体センサ１９が設けられている。また、
チャンバー１２には、管路２１が外部に引き出されてお
り、真空ポンプ等の真空排気手段２１ａ及び不活性ガス
としての、例えば、窒素の供給手段２１ｂと接続されて
いる。そして、この真空排気手段２１ａと窒素供給手段
２１ｂは、好ましくは、後述する制御手段２９に接続さ
れていて、しかも、この制御手段２９には、好ましく
は、上記気体センサ１９が接続されている。これによ
り、チャンバー１２内の気体圧力もしくは気体濃度をモ
ニタしながら、チャンバー１２内を真空排気できるよう
になっている。

【００３９】また、チャンバー１２の外部には、ランプ
ユニット１１が設けられている。このランプユニット１
１は、好ましくは、チャンバー１２の上方に配置されて
いる。具体的には、チャンバー１２の蓋体１３を挟ん
で、チャンバー１２内の保持手段６０と対向する位置
に、ランプユニット１１が配置されている。

【００４０】ランプユニット１１は、筐体２４ａ内に、
熱源として機能する光源としての複数のハロゲンランプ
２３，２３，２３と、各ハロゲンランプ２３，２３，２
３が光ビームを照射する対象であるチャンバー１２内の
各パッケージ３６側と反対側に、各ハロゲンランプ２
３，２３，２３ごとに配置された反射面としてのリフレ
クタ２４，２４，２４と、各ハロゲンランプ２３，２
３，２３の駆動ユニット（図示せず）を備えている。

【００４１】このランプユニット１１は、十分な熱量を
得るために必要な数のハロゲンランプを内蔵している。
ランプユニット１１が光ビームを照射するための開口１
１ａは、好ましくは、図示されているように、チャンバ
ー１２内の保持手段６０に載置された全ての複数のパッ
ケージ３６の全体を覆う領域よりも大きく形成されてい
る。ランプユニット１１の各リフレクタ２４は、凹状の
鏡面を備えた反射手段であり、各ハロゲンランプ２３か
ら出射された光ビームのうち、上記各パッケージ３６と
反対側に出射された光ビームを反射して、開口１１ａか
らほぼ平行に照射されるように設定されている。そし
て、本実施形態では、ランプユニット１１の開口１１ａ
の面積は、好ましくは、後述する保持手段６０に後述す
るように配置される全てのパッケージ３６を含む領域と
実質的に同じか、これよりも大きく形成されている。こ
れにより、開口１１ａからほぼ平行に照射されるハロゲ
ンランプの光ビームが、保持手段６０にセットされたワ
ークである全てのパッケージ３６に一度に照射できるよ
うにされている。

【００４２】さらに、図５に示されているように、ラン
プユニット１１には、例えば、一方向に長い形状のリフ
レクタ２４が、その長手方向を揃えて隣接するように、
複数、例えば、３つ備えられており、各リフレクタ２４
の中心に沿う長手方向に並んで、複数のハロゲンランプ
２３が配置されている。尚、リフレクタ２４は、３つの
リフレクタを一緒にして用いてもよいし、３つのリフレ
クタが結合されて一体となったものを用いてもよい。こ
こで、各ハロゲンランプ２３は、例えば、バルブ内にタ
ングステンフィラメントを備え、ハロゲンガスを封入し
たものである。このタングステンフィラメントが通電加
熱されると、ハロゲンガスと反応し、タングステン−ハ
ロゲン化合物が生成される。タングステン−ハロゲン化
合物は、バルブ内の対流により、タングステン−ハロゲ
ン化合物がフィラメント付近に運ばれ、高温によりタン
グステンとハロゲンガスに分解されて、タングステン
は、フィラメントに沈殿するというハロゲンサイクルを
繰り返し、光ビームを発生するものである。

【００４３】この場合、各ハロゲンランプ２３のフィラ
メントの太さと、バルブ内のハロゲンガスの量を調整す
ることにより、長時間の使用に耐え、必要な熱量を得る
ことができるようにされている。図６は、本実施形態の
各ハロゲンランプ２３による発熱温度及び光ビームの波
長域を示している。本実施形態の各ハロゲンランプ２３
は、図示の斜線で示した発熱温度及び波長域に属する近
赤外線領域の光ビームを使用するようにされている。

【００４４】さらに、図４において、熱処理装置１０の
ランプユニット１１には、定電流制御装置２８が接続さ
れている。この定電流制御装置２８には、交流電源が接
続されている。この交流電源は、家庭用の交流電源で、
１００Ｖ（ボルト）のものが使用される。定電流制御装
置２８は、主として、交流電源から供給される駆動電流
の電圧を交直変換して、一定電圧により安定して駆動電
流をランプユニット１１に印加することにより、熱量の
変動を生じることがないように制御すると共に、好まし
くは、ランプユニット１１の起動に必要な制御及び断線
の検出機能等を備えている。

【００４５】ランプユニット１１には、途中にポンプ２
５と流量センサ２７が接続され、タンク２６を通る循環
管路が接続されている。具体的には、冷却水のタンク２
６から延びる往き管２６ａが、ランプユニット１１に接
続されており、リフレクター２４の背面に引き回した管
路を通って、戻り管２６ｂとなり、流量センサ２７とポ
ンプ２５を通って、タンク２６に戻るような循環管路が
形成されている。

【００４６】循環管路に設定した流量センサ２７は、制
御手段２９に接続されている。制御手段２９は、定電流
制御装置２８に接続されている。制御手段２９は、定電
流制御装置２８に指示を与えて、ランプユニット１１の
熱量を段階的に切り換えたり、熱量に応じて作動時間を
設定する指示を与える。また、制御手段２９には、ポン
プ２５及び流量センサ２７が接続され、制御手段２９
は、定電流制御装置２８を介して、ランプユニット１１
を駆動制御すると共に、ポンプ２５を駆動して、流量セ
ンサ２７の出力信号をモニタしながら、ランプユニット
１１に必要な冷却水を循環させて、ランプユニット１１
が加熱しないように制御する機能を有する。

【００４７】尚、必要に応じて、制御手段２９を、図４
で説明した検出手段１６及び気体センサ１９と、管路２
１に接続した真空排気手段２１ａ、及び管路２２に接続
した外部の冷却水供給手段２２ａと接続することで、制
御手段２９がシステム全体を制御するようにしてもよ
い。このように、制御手段２９は、熱処理装置１０の全
体もしくはその一部である光源もしくは熱源側としての
ランプユニット１１及びその駆動手段を制御するもので
あり、このため、特に用意されたシーケンスまたはソフ
トウエアを実行する専用の回路またはコンピュータを内
蔵したコントローラが使用されることができるし、ある
いは、パソコン等の小型の汎用コンピュータに熱処理装
置１０の動作用ソフトウエアを内蔵させたものを使用し
てもよい。図７は、上述のランプユニット１１の起動の
一例を示している。図７には、制御手段２９の指示によ
り、電源投入から、６０パーセント、８０パーセント、
１００パーセントの各出力設定に基づいて、到達温度と
必要時間が示されている。このように、熱処理装置１０
では、図２３で説明した従来の熱処理装置５と比較する
と、温度上昇に必要な時間がきわめて短縮される。

【００４８】次に、図４の熱処理装置１０のチャンバー
１２内に配置された保持手段６０の構成について詳しく
説明する。図８は、保持手段６０に複数もしくは多数の
パッケージ３６を配置した状態の概略平面図であり、そ
の下部に、ひとつのパッケージ３６に対応した領域Ａ２
を拡大して示している。また、図９は、領域Ａ２の底面
から見た図、図１０は、図８の領域Ａ２に関するＢ−Ｂ
線切断端面図、図１１は、図８の領域Ａ２に関するＣ−
Ｃ線切断端面図である。尚、図８の領域Ａ１は、後述す
る熱処理工程で、ランプユニット１１から照射される光
ビームＬ３が照射される範囲を示している。

【００４９】図８において、保持手段６０は、好ましく
は、全体が熱伝導性のよい金属により形成されている。
この保持手段６０は、例えば、プレート状もしくはテー
ブル状の形態でなっており、その上面には、ひとつずつ
のパッケージ３６を収容できる大きさの収容凹部６７を
有している。各収容凹部６７は、パッケージ３６の各短
辺にそれぞれ当接する第１の位置決め部６１，６１と、
パッケージ３６の各長辺にそれぞれ２箇所で当接する第
２の位置決め部６２，６２，６２，６２を備えている。

【００５０】また、これらの各位置決め部が隣り合う箇
所の少なくとも一部には、例えば、作業者がピンセット
等の治具を挿入できるような空間を形成した案内空間６
５，６５が形成されている。これら案内空間６５，６５
は、図１０及び図１１に示すように、蓋体３９を下にし
て底部３６ａを上に向けたパッケージ３６を挟んだ対向
位置にそれぞれ形成されている。この案内空間６５，６
５は、好ましくは、図１１に示すように、下方に向かっ
てパッケージ３６に次第に接近する案内テーパ６５ａ，
６５ａを備えている。これにより、保持手段６０の上部
では、ピンセット等の挿入を可能とすると共に、下部で
は、パッケージ３６の保持をより確実なものとしてい
る。さらに、図９に示すように、各パッケージ３６の蓋
体３９の中心付近に位置する貫通孔６６を備えており、
保持手段６０からパッケージ３６を取り出す場合に棒状
の治具等を、この貫通孔６６に挿入すること等により、
パッケージ３６を取り出しやすくされている。

【００５１】次に、以上の構成でなる熱処理装置１０を
用いて行う熱処理方法の一実施形態について説明する。
尚、以下で説明する熱処理方法は、図１８で説明した圧
電デバイスの製造方法のＳＴ３の改良に相当する。図１
２は、熱処理方法の第１の実施形態に係るフローチャー
トである。図において、先ず、トレイ状の保持手段６０
に図８ないし図１１で説明したように、複数のパッケー
ジ３６をセットする。この場合、図１０及び図１１で説
明したように、保持手段６０は、個々のパッケージ３６
を、その底部３６ａが外部を向くように、すなわち、図
示の場合、上方を向くようにセットする（ＳＴ３１）。

【００５２】次いで、図４の熱処理装置１０のチャンバ
ー１２の扉１２ａを開いて、複数のパッケージ３６がＸ
及びＹの方向に等間隔に並ぶようにセットされた保持手
段６０を支持手段１７上に配置して、扉１２ａを閉める
（ＳＴ３２）。続くＳＴ３３とＳＴ３４は、図１４のグ
ラフに示すように、同時に開始される。すなわち、図４
の制御手段２９は、真空排気手段２１ａに指示を出し
て、管路２１を介してチャンバー１２内の空気を排気
し、気体センサ１９の出力信号をモニタしながら、チャ
ンバー１２内を所定の真空度とする（ＳＴ３３）。

【００５３】同時に、ランプユニット１１を、図示しな
い移動手段により作業初期位置に移動させる。この状態
においては、保持手段６０にセットされた全てのパッケ
ージ３６が、ランプユニット１１からほぼ等距離の位置
に配列されており、この状態から、熱処理を開始し、好
ましくは、制御手段２９により、チャンバー１２内の保
持手段６０に近接して、あるいはその裏面近傍に設置さ
れた検出手段１６により、温度モニタを行う。例えば、
制御手段２９は、以降の工程で、検出手段１６により検
出される温度が、予め設定した値を超えたら、冷水の供
給手段２２ａから、チャンバー１２内に冷水を供給循環
させる。熱処理工程は、具体的には、制御手段２９によ
り、交流電源からの駆動電流を定電流制御装置２８によ
り一定の電圧の駆動電流にして、ランプユニット１１の
各ランプ２３の駆動回路（図示せず）に印加することで
行う。これにより、ランプユニット１１は、図８のＡ１
の領域全体にハロゲンランプによる光ビームＬ３を照射
する（ＳＴ３４）。

【００５４】図１４は、本実施形態における熱処理工程
の真空度と温度を示したグラフであり、図１４のグラフ
において、実線Ｐは、チャンバー１２内の真空度を示
し、鎖線Ｔは、チャンバー１２内の温度変化を示してい
る。そして、図１３は、図４の熱処理装置１０により、
ランプユニット１１から照射された光ビームＬ３がパッ
ケージ３６の熱処理を行う様子を示す部分拡大断面図で
ある。

【００５５】図１４において、ハロゲンランプによる光
ビームＬ３の照射開始と、チャンバー１２の真空排気の
開始は同時に行われ、Ｔ１時間（約１分程度）で、チャ
ンバー１２内の検出手段１６による検出温度は、目標と
される摂氏２６０度付近まで、迅速に到達する。そのＴ
２時間（約２分程度）後に、チャンバー１２内の真空度
は目標値まで降下する。したがって、従来の熱処理装置
５による熱処理工程である図２３と比較すると顕著に判
明するように、この熱処理装置１０では、目標とされる
熱処理温度に到達する時間がきわめて短い。

【００５６】その後、図１４において、Ｔ３時間（約２
８分程度）の間、ハロゲンランプによる光ビームＬ３の
照射が継続されて、熱処理が行われる（ＳＴ３５）。こ
の間に、パッケージ３６内の圧電振動片３２を固定して
いる導電性接着剤４３が加熱されることにより、有害な
揮発成分がパッケージ３６の内部空間Ｓ内に排出される
（図２参照）。また、パッケージ３６の内表面等に付着
した水分や、パッケージ３６の外側及び内側の各表面等
の微細な溝や割れ目等に入り込んだ水分等も、この加熱
により気化される。ここで、パッケージ３６は、ハロゲ
ンランプによる光ビームＬ３の照射により、直接加熱さ
れるので、従来の輻射熱を利用する場合と比べて、熱を
伝達させるための窒素雰囲気を形成する必要がなく、き
わめて短時間に加熱され、ガス成分の生成が行われる。
しかも、窒素雰囲気を形成していないので、再度の真空
排気を行うことなく、真空雰囲気中で加熱されつつ、ガ
ス成分が、直ちにパッケージ３６の外部に排出される。
この点においても、本実施形態の熱処理工程は従来と比
較すると、はるかに迅速に進行される。

【００５７】また、図１３に示すように、パッケージ底
部３６ａが上向きにされて、この底部３６ａに向けて前
記ハロゲンランプの光ビームＬ３が照射されることによ
り、加熱によって、パッケージ３６内に発生するガス成
分が、上を向いているパッケージ底部３６ａの貫通孔３
７から、上方に抜けることで、排出されやすい。

【００５８】その後、制御手段２９は、ランプユニット
１１の駆動を停止して、ハロゲンランプの光ビームＬ３
の照射を止め（ＳＴ３６）、次いで、制御手段２９は検
出手段１６により、温度モニタを行いながら、冷却水供
給手段２２ａから、チャンバー１２内に冷水を供給循環
させて、冷却手段１８を駆動し、チャンバー１２内の温
度を予め決めた温度まで降下させる（ＳＴ３７）。この
冷却手段１８の駆動よりもＴ４時間早く、チャンバー１
２内に不活性ガス、例えば窒素を導入する（ＳＴ３
８）。具体的には、制御手段２９は、窒素供給手段２１
ｂから、管路２１を介して、チャンバー１２内に窒素を
導入して真空破壊する。これにより、チャンバー１２内
の気圧を外部と合わせることができると共に、酸化等の
弊害を防止して、次のステップに移行させることができ
る。続いて、図４の扉１２ｂを開いて（ＳＴ３９）、保
持手段６０をチャンバー１２から外に取り出す（ＳＴ４
０）。これにより、熱処理工程を終了する。

【００５９】このように、熱処理装置１０を用いて、上
述の熱処理を行うことにより、この実施形態では、熱処
理すべき圧電デバイス３０の複数のパッケージに対し
て、ハロゲンランプによる光ビームＬ３を直接照射して
いる。このため、従来の熱処理のように、輻射熱により
間接加熱する場合と比べて、熱処理に必要とされる温度
までの昇温時間が短い。例えば、従来の場合は、熱処理
工程に要する時間が、６０分程度（ＰＴ１、ＰＴ２、Ｐ
Ｔ３、ＰＴ４の合計で約６１分）であったものが、本実
施形態では、３０分程度（図１４のＴ１、Ｔ２、Ｔ３の
合計で約３１分）と、熱処理工程に要する時間が大幅に
短縮できる。また、光ビームＬ３を直接パッケージ３６
に当てて加熱することで、輻射熱を利用する場合と比べ
て温度ムラが少なく加工品質が向上する。また、光ビー
ムＬ３を直接当てて加熱することで、輻射熱を利用する
場合と比べてロスが少なく、熱効率が向上する。

【００６０】さらに、従来の熱処理装置５と比較する
と、熱処理装置１０では、光源となるランプユニット１
１にハロゲンランプ２３を利用しており、このため、高
主力ヒータ用等のような特別な電源その他の設備を必要
としないで、家庭用の交流電源を利用して駆動すること
ができる。このため、熱処理装置１０を安価に構成でき
るとともに、熱処理装置１０を使用する環境に制約がな
く、設備を簡略化できるので、場所を選ばずに熱処理工
程を行うことができる。また、従来の輻射式の加熱手段
８を用いる図１９の熱処理装置５では、その高さ方向の
サイズＨ２は、大きくなってしまう。つまり、チャンバ
ー６の大きさが大きくなってしまうのに対して、図４の
熱処理装置１０では、光源となるランプユニット１１を
チャンバー１２の外部に配置することが可能であるか
ら、チャンバー１２の大きさＨ１をきわめて小さくする
ことができる利点がある。

【００６１】尚、これに対して、チャンバー１２内に、
ハロゲンランプのランプユニット１１を収容する構成と
してもよい。このように構成すると、チャンバー１２内
のランプユニット１１を外部と接続する構成とした点で
は、やや複雑となるが、ランプユニット１１をチャンバ
ー１２内に内蔵することにより、チャンバー１２の隔壁
を全て同じ金属で形成でき、気密性能を保持しやすい。
このように、本発明では、熱処理装置において、ランプ
ユニット１１をチャンバーの外側に配置しても内側に配
置しても、後述する熱処理工程をいずれも支障なく実施
することができる。

【００６２】図１５は、熱処理方法の変形例を示してい
る。図示されているように、保持手段６０によって、パ
ッケージ３６が、蓋体３９側をランプユニットからの光
ビームＬ３に向けるように配置するようにしてもよい。
これにより、蓋体３９が、光透過性の材料で形成されて
いる場合には、この蓋体３９を光ビームＬ３が透過し
て、パッケージ３６内に直接照射される。このため、パ
ッケージ３６内が一層効率よく加熱されることで、パッ
ケージ３６内のガス発生部位におけるガスの発生が促進
される。

【００６３】図１６は、本発明の上述した実施形態に係
る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジ
タル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。図にお
いて、送信者の音声を受信するマイクロフォン３０８及
び受信内容を音声出力とするためのスピーカ３０９を備
えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続
された制御部としての集積回路等でなるコントローラ３
０１を備えている。コントローラ３０１は、送受信信号
の変調及び復調の他に画像表示部としてのＬＣＤや情報
入力のための操作キー等でなる情報の入出力部３０２
や、ＲＡＭ，ＲＯＭ等でなる情報記憶手段３０３の制御
を行うようになっている。このため、コントローラ３０
１には、圧電デバイス３０が取り付けられて、その出力
周波数をコントローラ３０１に内蔵された所定の分周回
路（図示せず）等により、制御内容に適合したクロック
信号として利用するようにされている。このコントロー
ラ３０１に取付けられる圧電デバイス３０は、圧電デバ
イス３０単体でなくても、圧電デバイス３０と、所定の
分周回路等とを組み合わせた発振器であってもよい。

【００６４】コントローラ３０１は、さらに、温度補償
水晶発振器（ＴＣＸＯ）３０５と接続され、温度補償水
晶発振器３０５は、送信部３０７と受信部３０６に接続
されている。これにより、コントローラ３０１からの基
本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、
温度補償水晶発振器３０５により修正されて、送信部３
０７及び受信部３０６に与えられるようになっている。

【００６５】このように、制御部を備えた携帯電話装置
３００のような電子機器に、上述した実施形態に係る圧
電デバイスを利用することにより、製造工程において、
精密に熱処理された圧電デバイスを使用していることに
よって、正確なクロック信号を生成することができる。

【００６６】本発明は上述の実施形態に限定されない。
各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省
略し、図示しない他の構成と組み合わせることができ
る。上述の実施形態では、圧電デバイスを圧電振動子に
適用した例を説明したが、本発明は、これに限らず、圧
電発振器その他、パッケージ内に圧電振動片を収容した
あらゆる圧電デバイスに適用される。

【００６７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、圧
電デバイスの熱処理において、複数もしくは多数のパッ
ケージの熱処理を、短時間で、品質よく行うことができ
る圧電デバイスの熱処理方法と、熱処理装置、及びこの
方法により熱処理された圧電デバイスと、圧電デバイス
を利用した携帯電話装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の圧電デバイスの実施形態を示す概略
平面図。

【図２】 図１のＡ−Ａ線概略断面図。

【図３】 図１の圧電デバイスの底面図。

【図４】 図１の圧電デバイスの熱処理に使用される熱
処理装置の実施形態の全体構成を示す構成図。

【図５】 図４の熱処理装置のチャンバーの部分を上か
ら見た状態を示す概略平面図。

【図６】 図４の熱処理装置で使用するハロゲンランプ
の波長域と温度域を示す図。

【図７】 図４の熱処理装置で使用するハロゲンランプ
の作動立ち上がり時間と温度とを示すグラフ。

【図８】 図４の熱処理装置のパッケージの保持手段を
示す概略平面図。

【図９】 図８の保持手段のＡ２領域の底面図。

【図１０】 図８のＢ−Ｂ線切断概略端面図。

【図１１】 図８のＣ−Ｃ線切断概略端面図。

【図１２】 本発明の熱処理方法の実施形態に係るフロ
ーチャート。

【図１３】 図１２の熱処理方法において、図４の熱処
理装置のランプユニットから照射された光ビームが加熱
処理する様子を示す部分拡大断面図。

【図１４】 図１２の熱処理方法における真空度と温度
の推移を示すグラフ。

【図１５】 図１２の熱処理方法の変形例において、図
４の熱処理装置のランプユニットから照射された光ビー
ムが加熱処理する様子を示す部分拡大断面図。

【図１６】 本発明の上述した実施形態に係る圧電デバ
イスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯
電話装置の概略構成を示す図。

【図１７】 圧電デバイスの構成例を示す概略断面図。

【図１８】 圧電デバイスの製造方法の概略を示すフロ
ーチャート。

【図１９】 圧電デバイスの従来の熱処理装置の概略構
成図。

【図２０】 図１９の熱処理装置における熱処理の様子
を示す説明図。

【図２１】 図１９の熱処理装置に用いられる加熱手段
の構成を示す図。

【図２２】 図１９の熱処理装置による熱処理方法を示
すフローチャート。

【図２３】 図１９の熱処理装置による真空度と温度の
推移を示すグラフ。

【符号の説明】 １０・・・熱処理装置、１１・・・ランプユニット、１
２・・・チャンバー、１３・・・蓋体、３０・・・圧電
デバイス、３２・・・圧電振動片、３６・・・パッケー
ジ、３７・・・開口、３８・・・封止材、３９・・・蓋
体、４２・・・凹部、５１・・・基部、６０・・・保持
手段。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川内 修 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5J108 MM02

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電振動片の一部を支持固定したパッケ
   ージに蓋体を固定した後で、当該パッケージを加熱する
   圧電デバイスの熱処理方法であって、 前記蓋体の固定後に、前記パッケージを複数個配置し、 前記複数個のパッケージに対して、ハロゲンランプによ
   る光ビームを直接照射して、前記圧電振動片を熱処理す
   るようにしたことを特徴とする、圧電デバイスの熱処理
   方法。
2. 【請求項２】 前記パッケージとして、貫通孔が形成さ
   れたパッケージを使用することを特徴とする、請求項１
   に記載の圧電デバイスの熱処理方法。
3. 【請求項３】 前記ハロゲンランプの光ビームによる加
   熱処理が、気密にしたチャンバー内で行われることを特
   徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の圧電デ
   バイスの熱処理方法。
4. 【請求項４】 前記ハロゲンランプによる光ビームの照
   射に先立って、保持手段の上に、前記複数のパッケージ
   を配置して支持することを特徴とする、請求項１ないし
   ３のいずれかに記載の圧電デバイスの熱処理方法。
5. 【請求項５】 前記ハロゲンランプにより光ビームが、
   ランプユニットからほぼ平行に照射されることにより、
   前記複数のパッケージを含む全ての領域に同時に光ビー
   ムを照射することを特徴とする、請求項４に記載の圧電
   デバイスの熱処理方法。
6. 【請求項６】 前記保持手段により、前記パッケージ
   を、パッケージの底部側が前記ハロゲンランプの光ビー
   ムに向くように上向きに配置することを特徴とする、請
   求項５に記載の圧電デバイスの熱処理方法。
7. 【請求項７】 前記蓋体として光透過性の材料で形成し
   た蓋体を使用し、かつ前記保持手段により、前記パッケ
   ージを、パッケージに固定した蓋体側が前記ハロゲンラ
   ンプの光ビームに向くように配置することを特徴とす
   る、請求項５に記載の圧電デバイスの熱処理方法。
8. 【請求項８】 圧電振動片の一部を支持固定したパッケ
   ージに蓋体を固定した後で、当該パッケージを加熱する
   熱処理装置であって、 前記複数のパッケージを気密に収容するためのチャンバ
   ーと、 前記チャンバー内で、前記複数のパッケージを、その底
   部側もしくは蓋体側がランプ側に向くようにして、並べ
   て保持する手段と、 前記保持手段により支持されたパッケージもしくはパッ
   ケージに固定された蓋体に対して、ハロゲンランプによ
   る光ビームを直接照射するランプユニットとを備えるこ
   とを特徴とする、圧電デバイスの熱処理装置。
9. 【請求項９】 前記パッケージには貫通孔が形成されて
   いることを特徴とする、請求項８に記載の圧電デバイス
   の熱処理装置。
10. 【請求項１０】 前記チャンバーの外側に前記ランプユ
    ニットを配置すると共に、ランプユニットからの光ビー
    ムを透過させる光透過性の隔壁が前記チャンバーに形成
    されていることを特徴とする、請求項８または９のいず
    れかに記載の圧電デバイスの熱処理装置。
11. 【請求項１１】 前記ランプユニットが、前記複数のパ
    ッケージの全ての配置領域に同時に光ビームを照射する
    構成としたことを特徴とする、請求項８ないし１０のい
    ずれかに記載の圧電デバイスの熱処理装置。
12. 【請求項１２】 前記チャンバー内に冷却手段を備える
    ことを特徴とする、請求項８ないし１１のいずれかに記
    載の圧電デバイスの熱処理装置。
13. 【請求項１３】 圧電振動片の一部を支持固定したパッ
    ケージに蓋体を固定した圧電デバイスであって、 ハロゲンランプによる光ビームの熱により前記パッケー
    ジもしくはパッケージ内部が熱処理されていることを特
    徴とする、圧電デバイス。
14. 【請求項１４】 前記パッケージの底部には、貫通孔が
    形成されており、この貫通孔に封止材を充填することで
    孔封止されていることを特徴とする、請求項１３に記載
    の圧電デバイス。
15. 【請求項１５】 パッケージに形成された前記貫通孔
    は、所定の内径を備える内側の第１の貫通孔と、この第
    １の貫通孔と連続して設けられると共に、前記第１の貫
    通孔よりも大きな内径を備えて外側に開口した第２の貫
    通孔とを有することを特徴とする、請求項１４に記載の
    圧電デバイス。
16. 【請求項１６】 前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔
    とは段部を介して連続しており、この段部と、前記第１
    の貫通孔の内面には、前記封止材との濡れ性に優れた金
    属被覆が設けられていることを特徴とする、請求項１５
    に記載の圧電デバイス。
17. 【請求項１７】 圧電振動片の一部を支持固定したパッ
    ケージに蓋体を固定した圧電デバイスを利用した携帯電
    話装置であって、 ハロゲンランプによる光ビームの熱により前記パッケー
    ジもしくはパッケージ内部が熱処理されている圧電デバ
    イスにより、制御用のクロック信号を得るようにしたこ
    とを特徴とする、携帯電話装置。